JP2016180179A - 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法 - Google Patents
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- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims description 72
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 71
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 title abstract description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 17
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 8
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 6
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000009703 powder rolling Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
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- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
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- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
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- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/02—Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
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- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/04—Alloys based on tungsten or molybdenum
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2201/00—Treatment under specific atmosphere
- B22F2201/20—Use of vacuum
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- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
- B22F2301/20—Refractory metals
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Abstract
【課題】高密度で等方性の高い多結晶Ｗ焼結体、多結晶Ｗ合金焼結体を提供する。
【解決手段】Ｗ粒子からなる原料粉末、あるいは、Ｗ粒子粉末とＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末あるいはその圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することにより、相対密度が９９％以上であり、焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶Ｗ焼結体、多結晶Ｗ合金焼結体を得る。
【選択図】 図１
【解決手段】Ｗ粒子からなる原料粉末、あるいは、Ｗ粒子粉末とＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末あるいはその圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することにより、相対密度が９９％以上であり、焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶Ｗ焼結体、多結晶Ｗ合金焼結体を得る。
【選択図】 図１
Description
この発明は、高密度でしかも等方性の高い多結晶タングステン焼結体、多結晶タングステン合金焼結体、さらに、その製造方法に関する。
本願は、２０１５年３月２３日に日本に出願された特願２０１５−６００３９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１５年３月２３日に日本に出願された特願２０１５−６００３９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金は多くの分野で利用されており、例えば、溶接用非消耗電極、ターゲット材料、Ｘ線遮蔽材、耐食材料等に利用されている。そして、多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金には、一般的に、高い強度、硬さ、高比重が求められている。
従来から知られている多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金の用途、製法としては、例えば、以下の特許文献１〜４に示すものがあげられる。
従来から知られている多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金の用途、製法としては、例えば、以下の特許文献１〜４に示すものがあげられる。
特許文献１には、加熱・加圧が繰返し加えられるヒュージング溶接用の電極として、先端部での脱粒損耗，欠損を抑制し、耐久性を安定的に高めるために、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる電極本体の先端部に、Ｗ又はＭｏ若しくはそれらを基材とする合金を基材とする電極芯材を装着した二重構造電極の前記電極芯材として、焼結とスエージング加工、並びに焼きなましの熱処理が施され、横断面平均粒子径が５０μｍ以上であり、かつアスペクト比が１.５以上になるように軸方向に伸びた繊維状組織を有するＷ又はＭｏ若しくはそれらを基材とする合金をヒュージング溶接用電極材料として用いることが提案されている。
特許文献２には、モリブデン、タングステンまたはこれらを主成分とする高純度高融点金属または合金の精製効果を高め、材料の機能性（超伝導特性、耐食性、高温耐熱性など）や加工性（鍛造性、圧延性、切削性など）を大巾に向上させることを目的として、タングステン、モリブデンまたはこれらを主成分とする金属または合金からなる精製用高融点金属と、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケルからなる遷移金属元素または希土類元素から選択した一種または二種以上の添加元素の粉末または小塊状の原料を予めプレス成形し、この成形材をさらに１０００℃以上および１００ＭＰａ以上の高温高圧で燒結した後、電子ビーム溶解することによって、不純物ガス成分との低次化合物または不定比化合物（添加元素あるいは不純物金属と不純物ガス成分間または金属同士の定比化合物を高圧・高温の条件下で相変態させたもの）の形態にて被溶解物中に含有されていた各種不純物を一挙に揮発精製し、不純物の除去効果を高めることが提案されている。
特許文献３には、電極の耐久性を高め、かつ、電極の耐衝撃性、耐破壊性を向上させるために、圧延により繊維状組織を形成したタングステンとモリブデンの何れかの焼結合金で抵抗溶接用電極材料を構成し、この電極材料の繊維状組織の端面を、ワークを挟圧する溶接面とした抵抗溶接用電極が提案されている。
また、特許文献４には、フラット・ディスプレイに使用されるスパッターターゲット材の高密度化、長寿命化を目的として、スパッターターゲット材として、３０〜７０ｗｔ％のタングステンと残部がモリブデンからなるモリブデン−タングステン合金を用い、この合金の相対密度を９６％〜９９．９％とするために、所定組成のモリブデン−タングステン粉末を予め定められたプレス圧力によるプレス成形と予め定められた焼結条件による焼結の組み合わせにより，相対密度９３％〜９４．５％を有する焼結体を作り、ついで、加熱温度１４００〜１６００℃で圧延又は鍛造を行なうことによって高密度化を図り得ることが提案されている。
前記特許文献１〜４に示したように、多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金の製造方法としては、粉末冶金法（特許文献１、３、４、５参照）あるいは溶解法（特許文献２参照）が良く知られている。
ところで、粉末冶金法で製造された多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体は、密度が低い（比重が小さい）ため、高密度化を図る手段として、鍛造・圧延等の後加工が一般的に行われている（特許文献３、４参照）。しかし、圧延・鍛造等の後加工を行った場合には、その加工によって結晶組織に異方性が生じるため、加工後の焼結体特性（例えば、強度）には異方性が発生する。
一方、密度の低いままの状態で使用すると、例えば、特許文献５に記載されているスパッタリング用タングステンターゲット材として使用すると、スパッタリング成膜時のパーティクル欠陥が増大する等ターゲット材の品質上、大きな課題を有している。
ここで「異方性」とは、焼結体を構成する結晶粒の結晶組織中に、アスペクト比の高い結晶粒が多く含まれている状態を意味し、より具体的には結晶粒の平均アスペクト比が２．５を超える場合を意味する。
多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体の焼結体特性として異方性が発生すると、その多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体により製造された部材の使用時に、結晶粒の向きに依存した偏った挙動（例えば、一方向に偏った損耗）を局所的に示す。
そして、結晶粒の向きに依存した偏った挙動は、多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体により製造された部材の中長期における耐久性、信頼性等を低下させる原因となる。例えば、抵抗溶接用電極材（特許文献３参照）として繰り返し使用すると、圧延方向に沿って、粒界でのクラックが発生しやすく、結果として、比較的短い寿命を示す。圧延加工されたタングステンは繊維組織をもつが、残留応力の蓄積により、組織に沿ったクラックを誘発しやすい。
ところで、粉末冶金法で製造された多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体は、密度が低い（比重が小さい）ため、高密度化を図る手段として、鍛造・圧延等の後加工が一般的に行われている（特許文献３、４参照）。しかし、圧延・鍛造等の後加工を行った場合には、その加工によって結晶組織に異方性が生じるため、加工後の焼結体特性（例えば、強度）には異方性が発生する。
一方、密度の低いままの状態で使用すると、例えば、特許文献５に記載されているスパッタリング用タングステンターゲット材として使用すると、スパッタリング成膜時のパーティクル欠陥が増大する等ターゲット材の品質上、大きな課題を有している。
ここで「異方性」とは、焼結体を構成する結晶粒の結晶組織中に、アスペクト比の高い結晶粒が多く含まれている状態を意味し、より具体的には結晶粒の平均アスペクト比が２．５を超える場合を意味する。
多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体の焼結体特性として異方性が発生すると、その多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体により製造された部材の使用時に、結晶粒の向きに依存した偏った挙動（例えば、一方向に偏った損耗）を局所的に示す。
そして、結晶粒の向きに依存した偏った挙動は、多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体により製造された部材の中長期における耐久性、信頼性等を低下させる原因となる。例えば、抵抗溶接用電極材（特許文献３参照）として繰り返し使用すると、圧延方向に沿って、粒界でのクラックが発生しやすく、結果として、比較的短い寿命を示す。圧延加工されたタングステンは繊維組織をもつが、残留応力の蓄積により、組織に沿ったクラックを誘発しやすい。
一方、多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金を溶解法で作製したもの（特許文献２参照）にあっては、高密度化（比重が大）は図られるものの、粉末冶金法で作製されたものに比して結晶粒が大きくなり、また、冷却時の凝固過程において、冷却温度勾配により、結晶の成長速度が異なるため異方性が生じ、微粒で且つ均一な組織の多結晶タングステン、多結晶タングステン基合金の作製は難しい。
部材の使用用途によっては、高密度であり、異方性のない（又は異方性の低い）微細組織からなる多結晶タングステ及び多結晶タングステン合金が必要とされる場合がある。以上から、高密度、かつ、微粒組織であって、異方性のない多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金が求められている。
部材の使用用途によっては、高密度であり、異方性のない（又は異方性の低い）微細組織からなる多結晶タングステ及び多結晶タングステン合金が必要とされる場合がある。以上から、高密度、かつ、微粒組織であって、異方性のない多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金が求められている。
本願発明者らは、高密度、かつ、微粒組織であって、異方性のない多結晶タングステン及び多結晶タングステン合金を得ることを目的として、各種の製造方法について検討した。その結果、多結晶タングステン粉末、多結晶タングステン合金粉末あるいはこれらの圧粉成形体に対して、２．５ＧＰａ以上の超高圧かつ１２００℃以上の高温条件で焼結することによって、高密度かつ微粒組織で異方性のない（または異方性の低い）、多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体を得られることを見出した。
そして、上記の多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体は、強度、硬さにすぐれるとともに、均質な材質・特性を備えることを見出した。
そして、上記の多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体は、強度、硬さにすぐれるとともに、均質な材質・特性を備えることを見出した。
本願発明は上記知見に基づいてなされたものであって、以下の態様を有する。
（１）多結晶タングステン焼結体において、前記焼結体の相対密度は９９％以上であり、前記焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン焼結体。
（２）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１９面積％である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（３）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１５面積％である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（４）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜３３．４μｍである前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（５）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜１８．３μｍである前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（６）前記平均アスペクト比が１．０〜２．２である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（７）前記平均アスペクト比が１．０〜１．４である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（８）タングステンを２５質量％以上含有する多結晶タングステン合金焼結体において、該タングステン合金は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分を含有するタングステン合金であって、前記焼結体の相対密度は９９％以上であり、前記焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン基合金焼結体。
（９）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１９面積％である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１０）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１５面積％である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１１）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜３３．４μｍである前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１２）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜１８．３μｍである前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１３）前記平均アスペクト比が１．０〜２．２である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１４）前記平均アスペクト比が１．０〜１．４である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１５）平均粒径５０μｍ以下のタングステン粒子からなる原料粉末、あるいは、平均粒径５０μｍ以下のタングステン粒子粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末あるいはその圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、該原料粉末あるいはその圧粉成形体に２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することを特徴とする高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン焼結体あるいは多結晶タングステン合金焼結体の製造方法。
（１）多結晶タングステン焼結体において、前記焼結体の相対密度は９９％以上であり、前記焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン焼結体。
（２）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１９面積％である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（３）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１５面積％である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（４）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜３３．４μｍである前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（５）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜１８．３μｍである前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（６）前記平均アスペクト比が１．０〜２．２である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（７）前記平均アスペクト比が１．０〜１．４である前記（１）に記載の多結晶タングステン結晶体。
（８）タングステンを２５質量％以上含有する多結晶タングステン合金焼結体において、該タングステン合金は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分を含有するタングステン合金であって、前記焼結体の相対密度は９９％以上であり、前記焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン基合金焼結体。
（９）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１９面積％である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１０）前記ポア率が０．０２面積％〜０．１５面積％である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１１）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜３３．４μｍである前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１２）前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜１８．３μｍである前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１３）前記平均アスペクト比が１．０〜２．２である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１４）前記平均アスペクト比が１．０〜１．４である前記（８）に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
（１５）平均粒径５０μｍ以下のタングステン粒子からなる原料粉末、あるいは、平均粒径５０μｍ以下のタングステン粒子粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末あるいはその圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、該原料粉末あるいはその圧粉成形体に２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することを特徴とする高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン焼結体あるいは多結晶タングステン合金焼結体の製造方法。
本願発明の一態様であるＷ焼結体およびＷ合金焼結体（以下、「本願発明のＷ焼結体」および「本願発明のＷ合金焼結体」と称する）は、相対密度が９９％以上であって、焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５であって、従来のＷ焼結体およびＷ合金焼結体に比して、高密度、かつ、微粒組織であって、異方性がなく均質であるため、ターゲット材、電極材等の各種利用分野において、すぐれた特性を長期にわたって発揮することができる。
ここで、本願発明における「相対密度」とは、アルキメデス法により測定された多結晶タングステン焼結体の密度の、タングステンの理論密度に対する比率を意味し、また、多結晶タングステン合金焼結体の密度の、タングステンとその合金成分元素の含有比率によって求められる合金の理論密度に対する比率を意味する。
また、焼結体における「ポア率（面積％）」、「平均結晶粒径（μｍ）」および「結晶粒の平均アスペクト比（結晶粒の長辺／結晶粒の短辺）」は、いずれも、焼結体の任意の断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線後方散乱回折装置（ＥＢＳＤ）を用いて行われた組織観察から測定された数値の平均値を意味する。
上記ＥＢＳＤによる組織観察では、焼結体の任意の断面の（２１０）μｍ×（１４０）μｍ（縦横寸法）を観察視野とし、この観察視野中に含まれる全ての結晶粒子を、平均値を得るための観察対象とする。この場合、観察視野境界部に存在し、結晶の一部分のみが観察視野中に含まれるものについては、観察対象から除外する。
また、原料粉末の「平均粒径」とは、焼結前の粉末についてレーザー回折・散乱法(マイクロトラック法)によって求められた粒度分布における積算値５０％での粒径(累積中位径：メディアン径、ｄ５０）を意味する。
また、本願発明でいう「多結晶タングステン合金焼結体」とは、タングステンを２５質量％以上含有するタングステン合金からなる焼結体をいう。
また、焼結体における「ポア率（面積％）」、「平均結晶粒径（μｍ）」および「結晶粒の平均アスペクト比（結晶粒の長辺／結晶粒の短辺）」は、いずれも、焼結体の任意の断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線後方散乱回折装置（ＥＢＳＤ）を用いて行われた組織観察から測定された数値の平均値を意味する。
上記ＥＢＳＤによる組織観察では、焼結体の任意の断面の（２１０）μｍ×（１４０）μｍ（縦横寸法）を観察視野とし、この観察視野中に含まれる全ての結晶粒子を、平均値を得るための観察対象とする。この場合、観察視野境界部に存在し、結晶の一部分のみが観察視野中に含まれるものについては、観察対象から除外する。
また、原料粉末の「平均粒径」とは、焼結前の粉末についてレーザー回折・散乱法(マイクロトラック法)によって求められた粒度分布における積算値５０％での粒径(累積中位径：メディアン径、ｄ５０）を意味する。
また、本願発明でいう「多結晶タングステン合金焼結体」とは、タングステンを２５質量％以上含有するタングステン合金からなる焼結体をいう。
本願発明について、以下に詳細に説明する。
なお、本願発明は、多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体とその製造方法に関するものであるが、以下では、多結晶タングステン焼結体を「Ｗ焼結体」、また、多結晶タングステン合金焼結体を「Ｗ合金焼結体」と略記し、また、タングステンは「Ｗ」と略記する。
なお、本願発明は、多結晶タングステン焼結体及び多結晶タングステン合金焼結体とその製造方法に関するものであるが、以下では、多結晶タングステン焼結体を「Ｗ焼結体」、また、多結晶タングステン合金焼結体を「Ｗ合金焼結体」と略記し、また、タングステンは「Ｗ」と略記する。
本願発明のＷ焼結体は、平均粒径５０μｍ以下のＷ粒子粉末を焼結することにより作製するが、Ｗ粒子の純度が９９．９質量％未満である場合には、高温焼結温度下におけるＷ中に含有される不純物成分により、Ｗ焼結体の焼結性にバラツキが生じやすく、また、Ｗ焼結体の組織、材質、特性が不均質となりやすいため、原料粉末として用いるＷ粒子の純度は９９．９質量％以上とすることが望ましい。
また、焼結を行うに際し、Ｗ粒子粉末を加圧焼結装置に直接装入して焼結することができるが、Ｗ粒子粉末を、予め圧粉成形体として作製し、これを加圧焼結装置に装入して焼結することもできる。
原料粉末のＷ粒子の平均粒径が５０μｍを超える場合には、焼結時の粒成長によって、焼結体の平均結晶粒径が５０μｍ以下である微粒組織を得ることができないから、原料粉末のＷ粒子の平均粒径は５０μｍ以下とするが、より好ましい平均粒径は、０．２５〜５０μｍである。
また、焼結を行うに際し、Ｗ粒子粉末を加圧焼結装置に直接装入して焼結することができるが、Ｗ粒子粉末を、予め圧粉成形体として作製し、これを加圧焼結装置に装入して焼結することもできる。
原料粉末のＷ粒子の平均粒径が５０μｍを超える場合には、焼結時の粒成長によって、焼結体の平均結晶粒径が５０μｍ以下である微粒組織を得ることができないから、原料粉末のＷ粒子の平均粒径は５０μｍ以下とするが、より好ましい平均粒径は、０．２５〜５０μｍである。
本願発明のＷ焼結体について、アルキメデス法によりその相対密度を測定すると、いずれも測定された相対密度は９９％以上であり、高密度化が図られている。
なお、相対密度が９９％未満であると、焼結体の緻密化が十分であるとはいえないため、ポア率を０．２面積％以下に低減することができないので、Ｗ焼結体の相対密度を９９％以上とする。
図１に、本願発明のＷ焼結体の組織写真の一例を示すが、この組織写真に示されるＷ焼結体においては、ポアの存在は確認されず（ポア率≒０面積％）、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５を満足する微粒組織であって且つ等方的な結晶組織を備えていることが分かる。図1に示す本願発明Ｗ焼結体は、６．１ＧＰａの加圧力を付加した状態で、１７００℃で２０分間焼結されたものであって、アルキメデス法により測定した相対密度：９９．６９％（比重：１９．２４）の高密度Ｗ焼結体であり、かつ、ビッカース硬さＨＶ：４６０であり高硬度を有していた。
ビッカース硬さＨＶは、ＪＩＳ規格Ｚ２２４４で定められている方法で測定することができる。
なお、相対密度が９９％未満であると、焼結体の緻密化が十分であるとはいえないため、ポア率を０．２面積％以下に低減することができないので、Ｗ焼結体の相対密度を９９％以上とする。
図１に、本願発明のＷ焼結体の組織写真の一例を示すが、この組織写真に示されるＷ焼結体においては、ポアの存在は確認されず（ポア率≒０面積％）、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５を満足する微粒組織であって且つ等方的な結晶組織を備えていることが分かる。図1に示す本願発明Ｗ焼結体は、６．１ＧＰａの加圧力を付加した状態で、１７００℃で２０分間焼結されたものであって、アルキメデス法により測定した相対密度：９９．６９％（比重：１９．２４）の高密度Ｗ焼結体であり、かつ、ビッカース硬さＨＶ：４６０であり高硬度を有していた。
ビッカース硬さＨＶは、ＪＩＳ規格Ｚ２２４４で定められている方法で測定することができる。
本願発明焼結体で、ポア率を０．２面積％以下と定めたのは、ポア率が０．２面積％を超えると緻密で比重の大きい高密度のＷ焼結体とはいえないばかりか、例えば、ポア率が０．２面積％を超えるＷ焼結体を溶接用電極として使用した場合、ポアの部分だけが絶縁状態となり、特に、高電圧の溶接では破壊起点となりやすくなるためである。また、ポア率が０．２面積％を超えるＷ焼結体をターゲット材として用いた場合には、ポアのある部分が異常放電を起こしたり、不均一な減り方を示したりするようになる。
特に必須な構成ではないが、好ましいポア率の範囲は０面積％超から０．２面積％である。より好ましいポア率の範囲は０．０２面積％から０．１９面積％である。さらにより好ましいポア率の範囲は０．０２面積％から０．１５面積％である。さらにより好ましいポア率の範囲は０．０２面積％から０．１２面積％である。
また、本願発明焼結体で、平均結晶粒径を５０μｍ以下としたのは、平均粒径が５０μｍを超えた場合には粗大結晶粒組織となり、強度、硬さにすぐれた微粒組織が得られないからである。
特に必須な構成ではないが、好ましい平均結晶粒径の範囲は０．８μｍから３３．４μｍである。より好ましい平均結晶粒径の範囲は０．８μｍから１８．３μｍである。さらにより好ましい平均結晶粒径の範囲は２．６μｍから１４．０μｍである。
また、本願発明焼結体で、結晶粒の平均アスペクト比（＝結晶粒の長辺／結晶粒の短辺）を１〜２．５と定めたのは、平均アスペクト比がこの範囲を外れると、結晶組織に異方性が生じ、均質な材質・特性が得られなくなるからである。すなわち、本明細書中で結晶組織について「異方性が無い」とは、対象となる焼結体で結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５の範囲内にあることを意味する。逆に「異方性がある」とは、上記平均アスペクト比が１〜２．５の範囲外にあることを意味する。
特に必須な構成ではないが、好ましい平均アスペクト比の範囲は１から２．２である。より好ましい平均アスペクト比の範囲は１から１．４である。
本願発明のＷ焼結体は、特定の断面ではなく、焼結体の任意の断面で測定したポア率、平均結晶粒径および結晶粒の平均アスペクト比がいずれも前記の範囲内であることから、焼結体組織に異方性が無く、等方性のある組織を備えることが分かる。
特に必須な構成ではないが、好ましいポア率の範囲は０面積％超から０．２面積％である。より好ましいポア率の範囲は０．０２面積％から０．１９面積％である。さらにより好ましいポア率の範囲は０．０２面積％から０．１５面積％である。さらにより好ましいポア率の範囲は０．０２面積％から０．１２面積％である。
また、本願発明焼結体で、平均結晶粒径を５０μｍ以下としたのは、平均粒径が５０μｍを超えた場合には粗大結晶粒組織となり、強度、硬さにすぐれた微粒組織が得られないからである。
特に必須な構成ではないが、好ましい平均結晶粒径の範囲は０．８μｍから３３．４μｍである。より好ましい平均結晶粒径の範囲は０．８μｍから１８．３μｍである。さらにより好ましい平均結晶粒径の範囲は２．６μｍから１４．０μｍである。
また、本願発明焼結体で、結晶粒の平均アスペクト比（＝結晶粒の長辺／結晶粒の短辺）を１〜２．５と定めたのは、平均アスペクト比がこの範囲を外れると、結晶組織に異方性が生じ、均質な材質・特性が得られなくなるからである。すなわち、本明細書中で結晶組織について「異方性が無い」とは、対象となる焼結体で結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５の範囲内にあることを意味する。逆に「異方性がある」とは、上記平均アスペクト比が１〜２．５の範囲外にあることを意味する。
特に必須な構成ではないが、好ましい平均アスペクト比の範囲は１から２．２である。より好ましい平均アスペクト比の範囲は１から１．４である。
本願発明のＷ焼結体は、特定の断面ではなく、焼結体の任意の断面で測定したポア率、平均結晶粒径および結晶粒の平均アスペクト比がいずれも前記の範囲内であることから、焼結体組織に異方性が無く、等方性のある組織を備えることが分かる。
図２、図３として、従来法により作製したＷ焼結体の組織写真を示す。
図２は、粉末冶金法と圧延とを組み合わせて作製したＷ焼結体（特許文献３、４参照）の圧延方向に沿った面における組織写真の一例である。
粉末冶金法でＷ焼結体を作製した後、圧延等の加工を施すことによって、焼結体のある程度の高密度化は可能であり、図２では、相対密度：９９．４８％（比重：１９．２）、また、ビッカース硬さＨＶ：５００が得られている。
しかし、その反面、加工によって焼結体の結晶組織に異方性が生じるため（図２中、縦縞状あるいは繊維状の結晶組織が観察され、圧延方向に沿った面における平均アスペクト比は６．５以上となっている。）、微粒で且つ均一な組織の焼結体は得られず、その結果、このＷ焼結体に等方的な特性を望むことはできない。
図２は、粉末冶金法と圧延とを組み合わせて作製したＷ焼結体（特許文献３、４参照）の圧延方向に沿った面における組織写真の一例である。
粉末冶金法でＷ焼結体を作製した後、圧延等の加工を施すことによって、焼結体のある程度の高密度化は可能であり、図２では、相対密度：９９．４８％（比重：１９．２）、また、ビッカース硬さＨＶ：５００が得られている。
しかし、その反面、加工によって焼結体の結晶組織に異方性が生じるため（図２中、縦縞状あるいは繊維状の結晶組織が観察され、圧延方向に沿った面における平均アスペクト比は６．５以上となっている。）、微粒で且つ均一な組織の焼結体は得られず、その結果、このＷ焼結体に等方的な特性を望むことはできない。
図３は、溶解法で作製したＷ焼結体（特許文献２参照）の組織写真の一例である。
図３に示す溶解法により得たＷ焼結体では、十分な高密度化が図られず（相対密度：９９．３３％（比重：１９．１７））、また、硬さ（ビッカース硬さＨＶ：４４０）も十分ではない。さらに、溶解後の凝固過程において、冷却温度勾配により、結晶の成長速度が異なるため異方性が生じ、微粒で且つ均一な組織のＷ焼結体は得られない。
図３に示す溶解法により得たＷ焼結体では、十分な高密度化が図られず（相対密度：９９．３３％（比重：１９．１７））、また、硬さ（ビッカース硬さＨＶ：４４０）も十分ではない。さらに、溶解後の凝固過程において、冷却温度勾配により、結晶の成長速度が異なるため異方性が生じ、微粒で且つ均一な組織のＷ焼結体は得られない。
本願発明のＷ焼結体は、例えば、以下の方法によって製造することができる。
前記のとおり、純度は９９．９質量％以上で、かつ、平均粒径０．２５〜５０μｍに整粒したＷ粒子粉末を加圧焼結装置に装入し、該粉末に２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下（例えば、１２００〜２０００℃）の温度範囲で１０分以上焼結することによって、本願発明で規定するポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比を有する高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ焼結体を製造することができる。
焼結圧力が２．５５ＧＰａ未満では、高密度化が生じず、一方、１３ＧＰａを超える圧力を付加することは装置開発コスト・実操業の観点から経済性が低いので、焼結圧力は２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下とした。
また、焼結温度が１２００℃未満では、固相反応が進行せず、一方、焼結温度が融点を超えると、溶解法による製造と同様な問題点（例えば、結晶粒の粗大化、凝固過程における結晶組織の異方性）が生じ、高密度で微粒且つ均一な組織のＷ焼結体を得られなくなることから、焼結温度は、１２００℃以上融点以下の温度範囲、好ましくは、１２００℃以上２０００℃以下の温度範囲と定めた。
なお、Ｗ粒子粉末は、焼結に先立って、予め圧粉成形体として作製しておき、この圧粉成形体を前記の焼結圧力、焼結温度、焼結時間で焼結することによって、本願発明のＷ焼結体を得ることもできる。
前記のとおり、純度は９９．９質量％以上で、かつ、平均粒径０．２５〜５０μｍに整粒したＷ粒子粉末を加圧焼結装置に装入し、該粉末に２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下（例えば、１２００〜２０００℃）の温度範囲で１０分以上焼結することによって、本願発明で規定するポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比を有する高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ焼結体を製造することができる。
焼結圧力が２．５５ＧＰａ未満では、高密度化が生じず、一方、１３ＧＰａを超える圧力を付加することは装置開発コスト・実操業の観点から経済性が低いので、焼結圧力は２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下とした。
また、焼結温度が１２００℃未満では、固相反応が進行せず、一方、焼結温度が融点を超えると、溶解法による製造と同様な問題点（例えば、結晶粒の粗大化、凝固過程における結晶組織の異方性）が生じ、高密度で微粒且つ均一な組織のＷ焼結体を得られなくなることから、焼結温度は、１２００℃以上融点以下の温度範囲、好ましくは、１２００℃以上２０００℃以下の温度範囲と定めた。
なお、Ｗ粒子粉末は、焼結に先立って、予め圧粉成形体として作製しておき、この圧粉成形体を前記の焼結圧力、焼結温度、焼結時間で焼結することによって、本願発明のＷ焼結体を得ることもできる。
原料粉末として、比表面積が大きい微粒Ｗ粒子粉末（例えば、平均粒径０．２５〜４μｍ）を使用する場合には、これを圧粉成形体とし、焼結に先立って、例えば、１０−１Ｐａ以下の真空雰囲気中、もしくは熱処理容器を窒素ガスやアルゴンガス等で置換した雰囲気中で、到達温度４５０〜１２００℃で３０〜１８０分の熱処理を行ってＷ粒子表面を清浄化すると、焼結反応が進行しやすくなるために、相対的に低圧条件、低温度領域であっても、短時間で焼結体の高密度化を図ることが可能である。
なお、仮に、Ｗ粒子粉末中に、酸素等の不純物元素がある程度存在する場合であっても、前記の真空、もしくは不活性ガス雰囲気中の熱処理によって除去・清浄化することができ、Ｗ粒子粉末の純度を９９．９質量％以上に高めることができる。
なお、仮に、Ｗ粒子粉末中に、酸素等の不純物元素がある程度存在する場合であっても、前記の真空、もしくは不活性ガス雰囲気中の熱処理によって除去・清浄化することができ、Ｗ粒子粉末の純度を９９．９質量％以上に高めることができる。
また、Ｗ粒子粉末の平均粒径は、全体として０．２５〜５０μｍの範囲内であることが望ましいが、粒径分布度数のピークが一つである(単峰ピークの粒度分布を示す)必要はなく、複数の粒径分布度数ピーク(多峰性の頻度粒度分布)を備えたＷ粒子粉末を用いることもできる。この場合、粒径の大きな粒子間隙に粒径の小さい粒子が入り込むことによって、空隙を少なくすることができるため、相対的に低圧条件、低温度領域であっても焼結反応が進行し、焼結体のより一層の高密度化が図られるとともに、微粒組織で異方性のないＷ焼結体が得られる。
いずれにしても、上記のような条件で焼結し、十分な焼結時間を与えることで、高温・高圧下のＷ粒子を塑性変形させ、また、再配列させることで、高密度のＷ焼結体を得ることができる。
いずれにしても、上記のような条件で焼結し、十分な焼結時間を与えることで、高温・高圧下のＷ粒子を塑性変形させ、また、再配列させることで、高密度のＷ焼結体を得ることができる。
Ｗ焼結体については前記したとおりであるが、本願発明は、Ｗ粒子粉末とともに、合金成分としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末を用いることにより、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を得ることができる。
ここで、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の各成分を合金成分として含有するＷ合金焼結体は、例えば、抵抗溶接用電極材料、ターゲット材料等として用いられているが、いずれの場合も、前記Ｗ焼結体と同様、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体が求められている。
Ｗ含有量が少ないＷ合金焼結体においては、従来の焼結体の製法、例えばＨＩＰ等により、焼結体の高密度化を図ることは可能であったが、Ｗ含有量が増加し、例えば、Ｗ含有量が２５質量％以上であるＷ合金焼結体については、従来方法では、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を得ることができなかった。
しかし、本願発明によれば、Ｗ含有量が２５質量％以上であり、その合金成分としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上が含有されるＷ合金焼結体においても、前記Ｗ焼結体と同様、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を得ることができる。
ここで、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の各成分を合金成分として含有するＷ合金焼結体は、例えば、抵抗溶接用電極材料、ターゲット材料等として用いられているが、いずれの場合も、前記Ｗ焼結体と同様、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体が求められている。
Ｗ含有量が少ないＷ合金焼結体においては、従来の焼結体の製法、例えばＨＩＰ等により、焼結体の高密度化を図ることは可能であったが、Ｗ含有量が増加し、例えば、Ｗ含有量が２５質量％以上であるＷ合金焼結体については、従来方法では、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を得ることができなかった。
しかし、本願発明によれば、Ｗ含有量が２５質量％以上であり、その合金成分としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上が含有されるＷ合金焼結体においても、前記Ｗ焼結体と同様、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を得ることができる。
本願発明のＷ合金焼結体は、前記Ｗ焼結体の製造におけると同様な条件で焼結を行うことで製造することができる。
ただし、原料粉末であるＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末は、焼結体の組織を微細化するとの観点から、いずれも平均粒径５０μｍ以下の金属粒子粉末を使用する。
平均粒径５０μｍ以下のＷ粒子粉末と、平均粒径５０μｍ以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を、焼結体におけるＷ含有量が２５質量％以上となるように配合した原料粉末を、あるいは、原料粉末から作製した圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することにより、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を製造することができる。
また、原料粉末として、比表面積が大きい粉末（例えば、平均粒径０．２５〜４μｍ）を使用する場合には、これを圧粉成形体とし、焼結に先立って、例えば、１０−１Ｐａ以下の真空雰囲気中、もしくは熱処理容器を窒素ガスやアルゴンガス等で置換した雰囲気中で、到達温度４５０〜１２００℃で３０〜１８０分の熱処理を行って、粒子表面を清浄化すると、相対的に低圧条件、低温度領域であっても、短時間で焼結体の高密度化を図ることが可能であり、また、仮に、粒子粉末中に、酸素等の不純物元素がある程度存在する場合であっても、前記の真空、もしくは不活性ガス雰囲気中の熱処理によって除去・清浄化することができる。
本願発明のＷ合金焼結体のポア率、平均結晶粒径および結晶粒の平均アスペクト比を定めた理由は、前記Ｗ焼結体の場合と同様であり、本願発明のＷ合金焼結体においても、特定の断面ではなく、焼結体の任意の断面で測定したポア率、平均結晶粒径および結晶粒の平均アスペクト比がいずれも規定の範囲内であって、焼結体組織に異方性が無く、等方性のある組織を備えていることが分かる。
ただし、原料粉末であるＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末は、焼結体の組織を微細化するとの観点から、いずれも平均粒径５０μｍ以下の金属粒子粉末を使用する。
平均粒径５０μｍ以下のＷ粒子粉末と、平均粒径５０μｍ以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を、焼結体におけるＷ含有量が２５質量％以上となるように配合した原料粉末を、あるいは、原料粉末から作製した圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することにより、高密度かつ微粒組織で異方性のないＷ合金焼結体を製造することができる。
また、原料粉末として、比表面積が大きい粉末（例えば、平均粒径０．２５〜４μｍ）を使用する場合には、これを圧粉成形体とし、焼結に先立って、例えば、１０−１Ｐａ以下の真空雰囲気中、もしくは熱処理容器を窒素ガスやアルゴンガス等で置換した雰囲気中で、到達温度４５０〜１２００℃で３０〜１８０分の熱処理を行って、粒子表面を清浄化すると、相対的に低圧条件、低温度領域であっても、短時間で焼結体の高密度化を図ることが可能であり、また、仮に、粒子粉末中に、酸素等の不純物元素がある程度存在する場合であっても、前記の真空、もしくは不活性ガス雰囲気中の熱処理によって除去・清浄化することができる。
本願発明のＷ合金焼結体のポア率、平均結晶粒径および結晶粒の平均アスペクト比を定めた理由は、前記Ｗ焼結体の場合と同様であり、本願発明のＷ合金焼結体においても、特定の断面ではなく、焼結体の任意の断面で測定したポア率、平均結晶粒径および結晶粒の平均アスペクト比がいずれも規定の範囲内であって、焼結体組織に異方性が無く、等方性のある組織を備えていることが分かる。
図４に、本願発明のＷ合金焼結体の組織写真の一例を示す。
図４に示されるＷ合金焼結体は、Ｗ：５０質量％、Ｍｏ：５０質量％からなるＷ−Ｍｏ合金焼結体であり、５．８ＧＰａの加圧力を付加した状態で５００℃×２０分焼結したことによって作製されたものである。
図４のＷ−Ｍｏ合金焼結体について、アルキメデス法により測定した相対密度は９９．３２％（比重：１３．２７）の高密度Ｗ−Ｍｏ合金焼結体であり、かつ、ビッカース硬さＨＶは３３０であり高硬度を有していた。
なお、Ｗ：５０質量％、Ｍｏ：５０質量％からなるＷ−Ｍｏ合金焼結体の理論密度は１３．３６（Ｗの理論密度：１９．３，Ｍｏの理論密度：１０．２）である。
図４に示されるＷ合金焼結体は、Ｗ：５０質量％、Ｍｏ：５０質量％からなるＷ−Ｍｏ合金焼結体であり、５．８ＧＰａの加圧力を付加した状態で５００℃×２０分焼結したことによって作製されたものである。
図４のＷ−Ｍｏ合金焼結体について、アルキメデス法により測定した相対密度は９９．３２％（比重：１３．２７）の高密度Ｗ−Ｍｏ合金焼結体であり、かつ、ビッカース硬さＨＶは３３０であり高硬度を有していた。
なお、Ｗ：５０質量％、Ｍｏ：５０質量％からなるＷ−Ｍｏ合金焼結体の理論密度は１３．３６（Ｗの理論密度：１９．３，Ｍｏの理論密度：１０．２）である。
図５に、図４に示した本願発明の他態様であるＷ−Ｍｏ合金焼結体（以下、「本願発明のＷ−Ｍｏ合金焼結体」と称する）について測定（使用ソフト：Ｉｍａｇｅ Ｊ）したポア検出結果を示す。
図５によれば、本願発明のＷ−Ｍｏ合金焼結体についてのポア率は、検出限界以下であって、ポアが実質的に存在しないことが確認された。
図５によれば、本願発明のＷ−Ｍｏ合金焼結体についてのポア率は、検出限界以下であって、ポアが実質的に存在しないことが確認された。
比較のため、従来法（ＨＩＰ法）により、本願発明のＷ−Ｍｏ合金焼結体と同一組成であるＷ：５０質量％、Ｍｏ：５０質量％からなるＷ−Ｍｏ合金焼結体を作製した。
なお、ＨＩＰ法における製造条件は、３４．３２ＭＰａの加圧力、１４００℃×３時間である。
図６に、上記従来法（ＨＩＰ法）で作製したＷ−Ｍｏ合金焼結体の組織写真の一例を示す。
上記従来法（ＨＩＰ法）で作製されたＷ−Ｍｏ合金焼結体の相対密度とビッカース硬さＨＶを測定したところ、相対密度は９６．３３％（比重：１２．８７）、ビッカース硬さＨＶは２５５であり、相対密度、硬さともに本願発明のＷ−Ｍｏ合金焼結体に比して劣っていた。
なお、ＨＩＰ法における製造条件は、３４．３２ＭＰａの加圧力、１４００℃×３時間である。
図６に、上記従来法（ＨＩＰ法）で作製したＷ−Ｍｏ合金焼結体の組織写真の一例を示す。
上記従来法（ＨＩＰ法）で作製されたＷ−Ｍｏ合金焼結体の相対密度とビッカース硬さＨＶを測定したところ、相対密度は９６．３３％（比重：１２．８７）、ビッカース硬さＨＶは２５５であり、相対密度、硬さともに本願発明のＷ−Ｍｏ合金焼結体に比して劣っていた。
図７に、図６に示した従来法（ＨＩＰ法）で作製されたＷ−Ｍｏ合金焼結体について測定（使用ソフト：Ｉｍａｇｅ Ｊ）したポア検出結果の一例を示す。
図７によれば、ポア率は０．６５９面積％であって、高密度化が十分でないことは明らかである。
図７によれば、ポア率は０．６５９面積％であって、高密度化が十分でないことは明らかである。
以下に、実施例により本願発明を詳細に説明する。
原料として、表１に示す平均粒径を有するＷ粒子粉末を用意し、これを、同じく表１に示す焼結条件で加圧焼結することにより、同じく表１に示す本願発明Ｗ焼結体１〜８を作製した。
なお、本願発明Ｗ焼結体６〜８の作製に当たっては、原料粉末として、表１に示す複数の粒径分布度数ピーク(多峰性の頻度粒度分布)を備えたＷ粒子粉末を用いた。
また、本願発明のＷ焼結体６〜８については、Ｗ粒子粉末から圧粉成形体を作製した後、焼結に先立って、１０−１Ｐａの真空雰囲気中で到達温度５８０〜６２０℃で３０〜４０ｍｉｎの真空熱処理を施した。
ついで、これらの焼結体について、アルキメデス法により相対密度（比重）を測定した。次いで、これらの焼結体に対して、任意の方向に一つの焼結体断面Ｘを設定し、この設定した断面Ｘに対して直交する断面Ｙ，断面Ｚを設定し、断面Ｘ，Ｙ，Ｚにおけるポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線後方散乱回折装置（ＥＢＳＤ）を用いた組織観察によって求め、さらに、断面Ｘ，Ｙ，Ｚにおけるビッカース硬さＨＶを測定した。
なお、ポア率は、ＳＥＭ画像の縦軸と横軸で、１５〜３０個程度のＷ粒子を観察できるような倍率(例えば、Ｗ粒子径が２〜４μｍの場合には３０００倍、また、Ｗ粒子径が１０〜２０μｍの場合には５００倍)において、Ｉｍａｇｅ Ｊを用いて二値化し、ポアとポアでない部分を測定し、３視野平均により求めた。
平均結晶粒径、平均アスペクト比は、上記と同様な観察倍率において、ＥＢＳＤを用いて得た粒子情報の３視野平均により算出した。
また、ビッカース硬さＨＶは、荷重１ｋｇで測定した値の５点平均として算出した。
これらの結果を、表２に示す。
図１に、本願発明のＷ焼結体５の組織の一例を示す。
なお、本願発明Ｗ焼結体６〜８の作製に当たっては、原料粉末として、表１に示す複数の粒径分布度数ピーク(多峰性の頻度粒度分布)を備えたＷ粒子粉末を用いた。
また、本願発明のＷ焼結体６〜８については、Ｗ粒子粉末から圧粉成形体を作製した後、焼結に先立って、１０−１Ｐａの真空雰囲気中で到達温度５８０〜６２０℃で３０〜４０ｍｉｎの真空熱処理を施した。
ついで、これらの焼結体について、アルキメデス法により相対密度（比重）を測定した。次いで、これらの焼結体に対して、任意の方向に一つの焼結体断面Ｘを設定し、この設定した断面Ｘに対して直交する断面Ｙ，断面Ｚを設定し、断面Ｘ，Ｙ，Ｚにおけるポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線後方散乱回折装置（ＥＢＳＤ）を用いた組織観察によって求め、さらに、断面Ｘ，Ｙ，Ｚにおけるビッカース硬さＨＶを測定した。
なお、ポア率は、ＳＥＭ画像の縦軸と横軸で、１５〜３０個程度のＷ粒子を観察できるような倍率(例えば、Ｗ粒子径が２〜４μｍの場合には３０００倍、また、Ｗ粒子径が１０〜２０μｍの場合には５００倍)において、Ｉｍａｇｅ Ｊを用いて二値化し、ポアとポアでない部分を測定し、３視野平均により求めた。
平均結晶粒径、平均アスペクト比は、上記と同様な観察倍率において、ＥＢＳＤを用いて得た粒子情報の３視野平均により算出した。
また、ビッカース硬さＨＶは、荷重１ｋｇで測定した値の５点平均として算出した。
これらの結果を、表２に示す。
図１に、本願発明のＷ焼結体５の組織の一例を示す。
また、比較のために、表３に示す平均粒径のＷ粒子粉末を用意し、これを、同じく表３に示す焼結条件で焼結することにより、表４に示す相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを有する比較例Ｗ焼結体１〜５を作製した。
この比較例Ｗ焼結体１〜５について、実施例１と同様な方法で、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表４に示す。
この比較例Ｗ焼結体１〜５について、実施例１と同様な方法で、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表４に示す。
さらに参考のために、表３に示す平均粒径のＷ粒子粉末を使用して、従来の製造法により従来例Ｗ焼結体１、２を作製した。
また、従来例Ｗ焼結体１、２について、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表４に示す。
なお、従来例Ｗ焼結体１は、特許文献３、４に記載されるような圧延加工を行うことによって得られたＷ焼結体であり、また、従来例Ｗ焼結体２は、特許文献２に記載されるような溶解法で作製したＷ焼結体である。
図２に、従来例Ｗ焼結体１の圧延方向に沿った面における組織の一例を示し、また、図３に、従来例Ｗ焼結体２の組織の一例を示す。
なお、比較例Ｗ焼結体１〜５と従来例Ｗ焼結体１、２のポア率、平均結晶粒径、平均アスペクト比およびビッカース硬さＨＶは、前記本願発明Ｗ焼結体１〜８の場合と同様な方法で求めた。
また、従来例Ｗ焼結体１、２について、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表４に示す。
なお、従来例Ｗ焼結体１は、特許文献３、４に記載されるような圧延加工を行うことによって得られたＷ焼結体であり、また、従来例Ｗ焼結体２は、特許文献２に記載されるような溶解法で作製したＷ焼結体である。
図２に、従来例Ｗ焼結体１の圧延方向に沿った面における組織の一例を示し、また、図３に、従来例Ｗ焼結体２の組織の一例を示す。
なお、比較例Ｗ焼結体１〜５と従来例Ｗ焼結体１、２のポア率、平均結晶粒径、平均アスペクト比およびビッカース硬さＨＶは、前記本願発明Ｗ焼結体１〜８の場合と同様な方法で求めた。
原料として、表５に示す平均粒径を有するＷ粒子粉末および同じく表５に示す平均粒径を有するＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を用意し、これを、表５に示す組成になるように配合して混合原料粉末を作製し、この混合原料粉末を表５に示す焼結条件で加圧焼結することにより、表６に示す本願発明Ｗ合金焼結体１１〜２０を作製した。
なお、本願発明Ｗ合金焼結体１８〜２０ついては、Ｗ粒子粉末と合金成分粒子粉末との混合原料粉末から圧粉成形体を作製した後、焼結に先立って、１０−１Ｐａの真空雰囲気中で到達温度５８０〜６２０℃で３０〜４０ｍｉｎの真空熱処理を施した。
そして、実施例１と同様な方法で、本願発明Ｗ合金焼結体１１〜２０の相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比およびビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表６に示す。
また、図４に、本願発明Ｗ合金焼結体１５の組織の一例を示し、図５には、図４に示した本願発明のＷ合金焼結体について測定（使用ソフト：Ｉｍａｇｅ Ｊ）したポア検出結果の一例を示す。
なお、本願発明Ｗ合金焼結体１８〜２０ついては、Ｗ粒子粉末と合金成分粒子粉末との混合原料粉末から圧粉成形体を作製した後、焼結に先立って、１０−１Ｐａの真空雰囲気中で到達温度５８０〜６２０℃で３０〜４０ｍｉｎの真空熱処理を施した。
そして、実施例１と同様な方法で、本願発明Ｗ合金焼結体１１〜２０の相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比およびビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表６に示す。
また、図４に、本願発明Ｗ合金焼結体１５の組織の一例を示し、図５には、図４に示した本願発明のＷ合金焼結体について測定（使用ソフト：Ｉｍａｇｅ Ｊ）したポア検出結果の一例を示す。
また、比較のために、表７に示す平均粒径のＷ粒子粉末および金属粒子粉末を用意し、これを、同じく表７に示す焼結条件で焼結することにより、表８に示す相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを有する比較例Ｗ合金焼結体１１〜１５を作製した。
この比較例Ｗ合金焼結体１１〜１５について、実施例１と同様な方法で、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。これらの結果を、表８に示す。
この比較例Ｗ合金焼結体１１〜１５について、実施例１と同様な方法で、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。これらの結果を、表８に示す。
さらに参考のために、表７に示す平均粒径のＷ粒子粉末および金属粒子粉を使用して、従来の製造法により従来例Ｗ合金焼結体１１、１２を作製し、相対密度（比重）、ポア率、平均結晶粒径、結晶粒の平均アスペクト比、ビッカース硬さＨＶを求めた。
これらの結果を、表８に示す。
なお、従来例Ｗ合金焼結体１１は、圧延加工を行うことによって得られたＷ合金焼結体であり、また、従来例Ｗ合金焼結体１２は、溶解法で作製したＷ合金焼結体である。
また、図６に、従来例Ｗ合金焼結体１１の組織の一例を示し、図７には、図６に示した従来例のＷ合金焼結体について測定（使用ソフト：Ｉｍａｇｅ Ｊ）したポア検出結果の一例を示す。
これらの結果を、表８に示す。
なお、従来例Ｗ合金焼結体１１は、圧延加工を行うことによって得られたＷ合金焼結体であり、また、従来例Ｗ合金焼結体１２は、溶解法で作製したＷ合金焼結体である。
また、図６に、従来例Ｗ合金焼結体１１の組織の一例を示し、図７には、図６に示した従来例のＷ合金焼結体について測定（使用ソフト：Ｉｍａｇｅ Ｊ）したポア検出結果の一例を示す。
表２、表４、表６、表８に示される結果によれば、本願発明Ｗ焼結体、Ｗ合金焼結体は、いずれも、相対密度は９９％以上の高密度であり、さらに、焼結体の任意の断面で観察したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５の微粒組織を有しかつ異方性のない焼結体である。
これに対して、比較例Ｗ焼結体、従来例Ｗ焼結体、比較例Ｗ合金焼結体、従来例Ｗ合金焼結体は、相対密度、ポア率、平均結晶粒径あるいは結晶粒の平均アスペクト比のうちの少なくともいずれかが本願発明で定めた範囲を外れるものであって、高密度で且つ異方性のない焼結体であるとはいえないことは明らかである。
これに対して、比較例Ｗ焼結体、従来例Ｗ焼結体、比較例Ｗ合金焼結体、従来例Ｗ合金焼結体は、相対密度、ポア率、平均結晶粒径あるいは結晶粒の平均アスペクト比のうちの少なくともいずれかが本願発明で定めた範囲を外れるものであって、高密度で且つ異方性のない焼結体であるとはいえないことは明らかである。
本願発明のＷ焼結体、Ｗ合金焼結体は、高密度かつ異方性が無いことから、例えば、スパッタリング用のターゲット材、溶接用の電極材等の用途に好適に使用することができる。
Claims (15)
- 多結晶タングステン焼結体において、前記焼結体の相対密度は９９％以上であり、前記焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン焼結体。
- 前記ポア率が０．０２面積％〜０．１９面積％である請求項１に記載の多結晶タングステン結晶体。
- 前記ポア率が０．０２面積％〜０．１５面積％である請求項１に記載の多結晶タングステン結晶体。
- 前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜３３．４μｍである請求項１に記載の多結晶タングステン結晶体。
- 前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜１８．３μｍである請求項１に記載の多結晶タングステン結晶体。
- 前記平均アスペクト比が１．０〜２．２である請求項１に記載の多結晶タングステン結晶体。
- 前記平均アスペクト比が１．０〜１．４である請求項１に記載の多結晶タングステン結晶体。
- タングステンを２５質量％以上含有する多結晶タングステン基合金焼結体において、該タングステン基合金は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分を含有するタングステン基合金であって、前記焼結体の相対密度は９９％以上であり、前記焼結体の任意の断面で測定したポア率が０．２面積％以下、平均結晶粒径が５０μｍ以下、結晶粒の平均アスペクト比が１〜２．５である高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン基合金焼結体。
- 前記ポア率が０．０２面積％〜０．１９面積％である請求項８に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
- 前記ポア率が０．０２面積％〜０．１５面積％である請求項８に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
- 前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜３３．４μｍである請求項８に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
- 前記平均結晶粒径が０．８μｍ〜１８．３μｍである請求項８に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
- 前記平均アスペクト比が１．０〜２．２である請求項８に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
- 前記平均アスペクト比が１．０〜１．４である請求項８に記載の多結晶タングステン基合金焼結体。
- 平均粒径５０μｍ以下のタングステン粒子からなる原料粉末、あるいは、平均粒径５０μｍ以下のタングステン粒子粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏおよびＭｎのうちから選ばれる１種または２種以上の合金成分粒子粉末を配合した原料粉末あるいはその圧粉成形体を、加圧焼結装置に装入し、該原料粉末あるいはその圧粉成形体に２．５５ＧＰａ以上１３ＧＰａ以下の加圧力を付加した状態で、１２００℃以上融点以下の温度範囲で焼結することを特徴とする高密度かつ微粒組織で異方性のない多結晶タングステン焼結体あるいは多結晶タングステン基合金焼結体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201680017130.3A CN107427913B (zh) | 2015-03-23 | 2016-03-18 | 多晶钨及钨合金烧结体以及其制造方法 |
| KR1020177025626A KR102373916B1 (ko) | 2015-03-23 | 2016-03-18 | 다결정 텅스텐 소결체 및 다결정 텅스텐 합금 소결체 그리고 그것들의 제조 방법 |
| US15/560,084 US20180079002A1 (en) | 2015-03-23 | 2016-03-18 | Polycrystalline tungsten compact, tungsten alloy compact, and method of producing same |
| EP16768683.1A EP3275573A4 (en) | 2015-03-23 | 2016-03-18 | Polycrystalline tungsten, tungsten alloy sintered compact, and method for manufacturing same |
| PCT/JP2016/058713 WO2016152780A1 (ja) | 2015-03-23 | 2016-03-18 | 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法 |
| TW105108672A TWI675111B (zh) | 2015-03-23 | 2016-03-21 | 多晶鎢及鎢合金燒結體以及該製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015060039 | 2015-03-23 | ||
| JP2015060039 | 2015-03-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016180179A true JP2016180179A (ja) | 2016-10-13 |
| JP6677875B2 JP6677875B2 (ja) | 2020-04-08 |
Family
ID=57132386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016051244A Expired - Fee Related JP6677875B2 (ja) | 2015-03-23 | 2016-03-15 | 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180079002A1 (ja) |
| EP (1) | EP3275573A4 (ja) |
| JP (1) | JP6677875B2 (ja) |
| CN (1) | CN107427913B (ja) |
| TW (1) | TWI675111B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7278463B1 (ja) | 2022-06-27 | 2023-05-19 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108866498B (zh) * | 2018-08-10 | 2020-03-17 | 合肥工业大学 | 一种具有长时间抗高温氧化性能的w自钝化合金及其制备方法 |
| EP3951003B1 (en) * | 2019-03-26 | 2024-04-03 | Proterial, Ltd. | V alloy target |
| CN111922330B (zh) * | 2020-06-17 | 2022-04-22 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种用于激光增材制造钨制品的金属钨粉和钨制品及其制备方法 |
| CN111593245A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-08-28 | 西北有色金属研究院 | 一种固溶型钨基合金及其制备方法 |
| CN113913637A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 核工业西南物理研究院 | 一种具有室温韧性块体钨材料的制备方法 |
| CN113969363A (zh) * | 2020-07-23 | 2022-01-25 | 核工业西南物理研究院 | 一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法 |
| CN112760538B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-04-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钒钨合金靶坯的制备方法 |
| CN113528987A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-10-22 | 河钢承德钒钛新材料有限公司 | 一种钨合金复合材料及其3d打印方法 |
| CN113444949A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-09-28 | 北京理工大学 | 一种高密度W-Ta-Nb系难熔固溶体合金及其制备方法 |
| CN114480935B (zh) * | 2022-01-20 | 2022-11-29 | 广东工业大学 | 一种晶粒尺寸具有梯度效应的钨基合金及其制备方法 |
| CN115007864A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-09-06 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种离子注入用纯钨板及其制备方法和应用 |
| CN115992329B (zh) * | 2023-03-22 | 2023-06-06 | 中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司 | 一种钨棒坯及其应用 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995016797A1 (en) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Molybdenum-tungsten material for wiring, molybdenum-tungsten target for wiring, process for producing the same, and molybdenum-tungsten wiring thin film |
| JP2001011561A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 耐酸化性タングステン合金およびその製造方法 |
| JP2001226764A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット |
| JP2002256422A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | Ｗ−Ｔｉターゲット及びその製造方法 |
| JP2003226966A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Nippon Steel Corp | 大型ターゲット材 |
| JP2004217990A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとその製造方法 |
| CN1775425A (zh) * | 2005-12-12 | 2006-05-24 | 北京科技大学 | 一种晶粒尺寸可控的超细晶粒钨及钨铜复合材料的制备方法 |
| JP2007042963A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 熱電材料及びその製造方法 |
| JP2008127587A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｗｖ系ターゲット材の製造方法 |
| JP2008274439A (ja) * | 2008-05-21 | 2008-11-13 | Akita Prefecture | Ｗ−Ｔｉ−Ｃ系複合体及びその製造方法 |
| WO2012042791A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013133492A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toshiba Corp | タングステン合金部品およびそれを用いた放電ランプ、送信管、マグネトロン |
| JP2013133493A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toshiba Corp | タングステン合金部品およびそれを用いた放電ランプ、送信管、マグネトロン |
| WO2013103100A1 (ja) * | 2012-01-07 | 2013-07-11 | 株式会社 東芝 | タングステン合金、およびそれを用いたタングステン合金部品、放電ランプ、送信管並びにマグネトロン |
| WO2013179519A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 株式会社 東芝 | タングステン合金部品、ならびにそれを用いた放電ランプ、送信管およびマグネトロン |
| JP2014162965A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Mitsubishi Materials Corp | 抵抗溶接用タングステン電極材料 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3998972B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-10-31 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法 |
| JPWO2005073418A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2007-09-13 | 日本タングステン株式会社 | タングステン系焼結体およびその製造方法 |
| JP4238768B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2009-03-18 | 日本新金属株式会社 | Ｐ含有ｗ粉末およびこれを用いて製造されたスパッタリング焼結ターゲット |
| TW200606524A (en) * | 2004-05-10 | 2006-02-16 | Toshiba Kk | Cold-cathode tube-use sintered electrode, cold-cathode tube provided with this cold-cathode tube-use sintered electrode and liquid crystal display unit |
| US20060201589A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Honeywell International Inc. | Components comprising metallic material, physical vapor deposition targets, thin films, and methods of forming metallic components |
| CN101523549B (zh) * | 2006-10-13 | 2010-10-20 | 株式会社东芝 | 冷阴极管用电极及使用该电极的冷阴极管 |
| KR101269787B1 (ko) * | 2008-06-02 | 2013-05-30 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 텅스텐 소결체 스퍼터링 타겟 |
| CN101376935A (zh) * | 2008-10-07 | 2009-03-04 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种钨铝-镍合金烧结体及制法 |
| CN101748365B (zh) * | 2008-12-19 | 2013-02-13 | 北京有色金属研究总院 | 一种高纯高富钨相钨钛靶材及其制备方法 |
| WO2013122081A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | 株式会社 東芝 | 放電ランプ用カソード部品 |
-
2016
- 2016-03-15 JP JP2016051244A patent/JP6677875B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-03-18 US US15/560,084 patent/US20180079002A1/en not_active Abandoned
- 2016-03-18 EP EP16768683.1A patent/EP3275573A4/en not_active Withdrawn
- 2016-03-18 CN CN201680017130.3A patent/CN107427913B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2016-03-21 TW TW105108672A patent/TWI675111B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995016797A1 (en) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Molybdenum-tungsten material for wiring, molybdenum-tungsten target for wiring, process for producing the same, and molybdenum-tungsten wiring thin film |
| JP2001011561A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 耐酸化性タングステン合金およびその製造方法 |
| JP2001226764A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット |
| JP2002256422A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | Ｗ−Ｔｉターゲット及びその製造方法 |
| JP2003226966A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Nippon Steel Corp | 大型ターゲット材 |
| JP2004217990A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとその製造方法 |
| JP2007042963A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 熱電材料及びその製造方法 |
| CN1775425A (zh) * | 2005-12-12 | 2006-05-24 | 北京科技大学 | 一种晶粒尺寸可控的超细晶粒钨及钨铜复合材料的制备方法 |
| JP2008127587A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｗｖ系ターゲット材の製造方法 |
| JP2008274439A (ja) * | 2008-05-21 | 2008-11-13 | Akita Prefecture | Ｗ−Ｔｉ−Ｃ系複合体及びその製造方法 |
| WO2012042791A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013133492A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toshiba Corp | タングステン合金部品およびそれを用いた放電ランプ、送信管、マグネトロン |
| JP2013133493A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toshiba Corp | タングステン合金部品およびそれを用いた放電ランプ、送信管、マグネトロン |
| WO2013103100A1 (ja) * | 2012-01-07 | 2013-07-11 | 株式会社 東芝 | タングステン合金、およびそれを用いたタングステン合金部品、放電ランプ、送信管並びにマグネトロン |
| WO2013179519A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 株式会社 東芝 | タングステン合金部品、ならびにそれを用いた放電ランプ、送信管およびマグネトロン |
| JP2014162965A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Mitsubishi Materials Corp | 抵抗溶接用タングステン電極材料 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7278463B1 (ja) | 2022-06-27 | 2023-05-19 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| WO2024004554A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| JP2024003721A (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-15 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201704494A (zh) | 2017-02-01 |
| TWI675111B (zh) | 2019-10-21 |
| CN107427913B (zh) | 2020-02-28 |
| US20180079002A1 (en) | 2018-03-22 |
| JP6677875B2 (ja) | 2020-04-08 |
| CN107427913A (zh) | 2017-12-01 |
| EP3275573A1 (en) | 2018-01-31 |
| EP3275573A4 (en) | 2018-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |