JPH0553867B2 - - Google Patents
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- JPH0553867B2 JPH0553867B2 JP62104771A JP10477187A JPH0553867B2 JP H0553867 B2 JPH0553867 B2 JP H0553867B2 JP 62104771 A JP62104771 A JP 62104771A JP 10477187 A JP10477187 A JP 10477187A JP H0553867 B2 JPH0553867 B2 JP H0553867B2
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体をスパツタリング法
を用いて製造するのに好適な合金ターゲツトに関
する。 〔従来の技術〕 近年、情報の消去、再記録が容易にできる光磁
気メモリーが注目されているが、この光磁気メモ
リーの材料として、ガーネツトなどの単結晶材
料、MnBi，PtCoなどの多結晶材料および希土類
元素と遷移金属との合金などの非晶質材料が知ら
れている。 これらの中でも希土類元素と遷移金属からなる
非晶質合金（Tb−Fe−Co，Gd−Tb−Feなど）
は、記録に必要なエネルギーが少なくてすむこ
と、粒界ノイズが現われないこと、さらに比較的
容易に大型のものが作成できること等の多くの利
点を持つ。この非晶質合金の薄膜を作成する方法
として、イオンをターゲツトに衝突させてターゲ
ツト近くにおかれた基板の上に薄膜を作成するス
パツタリング法がよく用いられる。このスパツタ
リング法に使用されるターゲツト材料のうち、(1)
割れ難いこと、(2)組成の均一性が良好であること
などを具備するものとして、例えば、希土類元素
と遷移金属との金属間化合物相および遷移金属単
体相からなる混合組織であるもの（特開昭62−
70550号）が提案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、このターゲツト材料は、(1)スパ
ツタリング速度が遅い、(2)金属間化合物相と遷移
金属単体相とのスパツタリング飛程の違いによ
り、得られる膜組成がターゲツト組成から大幅に
ずれる、(3)透磁率が高く、特にマグネトロンスパ
ツタ装置に用いるとターゲツト表面もれ磁束が小
さく、スパツタ効率ひいてはターゲツト利用効率
が悪くなる、(4)(3)に関連してターゲツト表面の形
状変化が激しく、膜の組成に経時変化を生じるな
どの問題点を抱えている。 本発明者等は、これらの問題点を解消し、(1)ス
パツタリング速度が速い、(2)ターゲツト−膜の組
成ずれの少ない、(3)透磁率が低く、従つてターゲ
ツト利用効率の大きい、(4)得られる膜組成に経時
変化を生じさせないターゲツトを提供すべく鋭意
研究した結果、ターゲツトの組織中に遷移金属単
体相でなく、希土類元素単体相を存在させること
によつて、前記目的が達成され得ることを見出
し、本発明に到達した。 〔問題点を解決するための手段および作用〕 即ち、本発明の光磁気記録用合金ターゲツトは
成分、組成が、Sm，Nd，Gd，Tb，Dy，Ho，
Tm，Erの中の少なくとも１種の希土類元素10〜
50原子％、残部実質的にCo，Fe，Niの中の少な
くとも１種の遷移金属であり、組織が実質的に該
希土類元素と該遷移金属との金属間化合物相およ
び該希土類元素単体相のみからなる混合組織であ
ることを特徴とするものである。 本発明の合金ターゲツトの成分組成は、Sm，
Nd，Gd，Tb，Dy，Ho，Tm，Erの中の少なく
とも１種の希土類元素10〜50原子％、残部実質的
にCo，Fe，Niの中の少なくとも１種の遷移金属
である必要がある。希土類元素の量が10原子％未
満になつたり、50原子％を超えると、スパツタリ
ング法により得られる薄膜の光磁気特性の充分な
ものとならない。 本発明の合金ターゲツトは、製造上不可避的に
混入する不純物、例えばCa，Si，Ｃ，Ｐ，Ｓ，
Mnなどを含んでいてもよい。 また、本発明の合金ターゲツトの組織は、実質
的に該希土類元素と該遷移金属との金属間化合物
相および該希土類元素単体相のみからなる混合組
織を呈する。この希土類元素単体相は、脆い前記
金属間化合物相の結合相としてのみならず、スパ
ツタリング速度を速くし、ターゲツトと膜との組
成差を少くするように作用する。この単体相は、
500μm以下の大きさで、５容量％以上存在するこ
とが、前記作用を有効に発揮させる上で好まし
く、形状は粒状、角状、柱状などでよく、特に制
限はない。遷移金属単体相は実質的に存在しない
ことが必要であり、存在すると、ターゲツト利用
効率や膜の経時変化に悪い影響を及ぼす。他の相
である希土類元素と遷移金属との金属間化合物相
は、１相でも２相以上でもよく、それらの形状、
大きさも特に制限はない。 次に、本発明の実施例を製造法とともに説明す
る。 〔実施例〕 実施例 １ Tb−Fe，Tb−Fe−CoおよびGd−Tb−Fe合
金ターゲツトの製造を目的として、それぞれ純度
が99.9重量％以上の、Tb4O7粉末（平均粒径3μm
以下）、Gd2O3粉末（平均粒径3μm以下）、Fe粉末
（粒度200メツシユ（Tyler）以下）、Co粉末（粒
度200メツシユ（Tyler）以下）、金属Ca（粒度４
メツシユ（Tyler）以下）および無水CaC2（粒
度100メツシユ（Tyler）以下）を第１表に示し
た量配合し、十分に混合した。
を用いて製造するのに好適な合金ターゲツトに関
する。 〔従来の技術〕 近年、情報の消去、再記録が容易にできる光磁
気メモリーが注目されているが、この光磁気メモ
リーの材料として、ガーネツトなどの単結晶材
料、MnBi，PtCoなどの多結晶材料および希土類
元素と遷移金属との合金などの非晶質材料が知ら
れている。 これらの中でも希土類元素と遷移金属からなる
非晶質合金（Tb−Fe−Co，Gd−Tb−Feなど）
は、記録に必要なエネルギーが少なくてすむこ
と、粒界ノイズが現われないこと、さらに比較的
容易に大型のものが作成できること等の多くの利
点を持つ。この非晶質合金の薄膜を作成する方法
として、イオンをターゲツトに衝突させてターゲ
ツト近くにおかれた基板の上に薄膜を作成するス
パツタリング法がよく用いられる。このスパツタ
リング法に使用されるターゲツト材料のうち、(1)
割れ難いこと、(2)組成の均一性が良好であること
などを具備するものとして、例えば、希土類元素
と遷移金属との金属間化合物相および遷移金属単
体相からなる混合組織であるもの（特開昭62−
70550号）が提案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、このターゲツト材料は、(1)スパ
ツタリング速度が遅い、(2)金属間化合物相と遷移
金属単体相とのスパツタリング飛程の違いによ
り、得られる膜組成がターゲツト組成から大幅に
ずれる、(3)透磁率が高く、特にマグネトロンスパ
ツタ装置に用いるとターゲツト表面もれ磁束が小
さく、スパツタ効率ひいてはターゲツト利用効率
が悪くなる、(4)(3)に関連してターゲツト表面の形
状変化が激しく、膜の組成に経時変化を生じるな
どの問題点を抱えている。 本発明者等は、これらの問題点を解消し、(1)ス
パツタリング速度が速い、(2)ターゲツト−膜の組
成ずれの少ない、(3)透磁率が低く、従つてターゲ
ツト利用効率の大きい、(4)得られる膜組成に経時
変化を生じさせないターゲツトを提供すべく鋭意
研究した結果、ターゲツトの組織中に遷移金属単
体相でなく、希土類元素単体相を存在させること
によつて、前記目的が達成され得ることを見出
し、本発明に到達した。 〔問題点を解決するための手段および作用〕 即ち、本発明の光磁気記録用合金ターゲツトは
成分、組成が、Sm，Nd，Gd，Tb，Dy，Ho，
Tm，Erの中の少なくとも１種の希土類元素10〜
50原子％、残部実質的にCo，Fe，Niの中の少な
くとも１種の遷移金属であり、組織が実質的に該
希土類元素と該遷移金属との金属間化合物相およ
び該希土類元素単体相のみからなる混合組織であ
ることを特徴とするものである。 本発明の合金ターゲツトの成分組成は、Sm，
Nd，Gd，Tb，Dy，Ho，Tm，Erの中の少なく
とも１種の希土類元素10〜50原子％、残部実質的
にCo，Fe，Niの中の少なくとも１種の遷移金属
である必要がある。希土類元素の量が10原子％未
満になつたり、50原子％を超えると、スパツタリ
ング法により得られる薄膜の光磁気特性の充分な
ものとならない。 本発明の合金ターゲツトは、製造上不可避的に
混入する不純物、例えばCa，Si，Ｃ，Ｐ，Ｓ，
Mnなどを含んでいてもよい。 また、本発明の合金ターゲツトの組織は、実質
的に該希土類元素と該遷移金属との金属間化合物
相および該希土類元素単体相のみからなる混合組
織を呈する。この希土類元素単体相は、脆い前記
金属間化合物相の結合相としてのみならず、スパ
ツタリング速度を速くし、ターゲツトと膜との組
成差を少くするように作用する。この単体相は、
500μm以下の大きさで、５容量％以上存在するこ
とが、前記作用を有効に発揮させる上で好まし
く、形状は粒状、角状、柱状などでよく、特に制
限はない。遷移金属単体相は実質的に存在しない
ことが必要であり、存在すると、ターゲツト利用
効率や膜の経時変化に悪い影響を及ぼす。他の相
である希土類元素と遷移金属との金属間化合物相
は、１相でも２相以上でもよく、それらの形状、
大きさも特に制限はない。 次に、本発明の実施例を製造法とともに説明す
る。 〔実施例〕 実施例 １ Tb−Fe，Tb−Fe−CoおよびGd−Tb−Fe合
金ターゲツトの製造を目的として、それぞれ純度
が99.9重量％以上の、Tb4O7粉末（平均粒径3μm
以下）、Gd2O3粉末（平均粒径3μm以下）、Fe粉末
（粒度200メツシユ（Tyler）以下）、Co粉末（粒
度200メツシユ（Tyler）以下）、金属Ca（粒度４
メツシユ（Tyler）以下）および無水CaC2（粒
度100メツシユ（Tyler）以下）を第１表に示し
た量配合し、十分に混合した。
【表】
混合物をステンレススチール製の反応容器に入
れ、高純度Arガスの気流中で1000℃まで約１時
間で昇温し、その温度で５時間保持した後室温ま
で冷却した。生成した塊状の混合物を５の水に
投入した。塊状の混合物が崩壊した後、生じたス
ラリーから上層のCa（OH）2懸濁物をデカンテー
シヨンによつて分離した。この操作を繰り返して
得られた合金粉末をPH4.5の希酢酸と接触させた
後、水洗、エタノール洗浄を経て、50℃、１×
10-2Torrで真空乾燥した。 次に、この合金粉末（平均粒径60μm）55gに純
度99.9重量％以上の金属Tb粉末（平均粒径
20μm）5gを混合し、この混合粉末を内径130mmの
黒鉛製の成形器に装入し熱間加圧した。熱間加圧
の条件として、真空度を５×10-5Torrとし、粉
末を加圧するために、150Kg／cm2の圧力を1000℃
に昇温するまで加え、昇温後は圧力を250Kg／cm2
としその温度を１時間保持した後、室温まで冷却
した。 成形器から取り出した合金ターゲツトである焼
結体のヒビ、割れを検査した。いずれの焼結体
も、目視にて全く見あたらず、透過Ｘ線の照射に
よる内部検査でも観測されなかつた。また、これ
らの焼結体の組成、相対密度、組織の検鏡結果を
第２表に示す。このうち、存在する希土類元素単
体相の大きさおよび容量％は切断法によつた。な
お、遷移金属単体相はいずれの焼結体にも認めら
れなかつた。更に、焼結体表面の全希土類元素量
をEPMAにより定量分析し、そのバラツキ（範
囲）を求め第３表に示した。
れ、高純度Arガスの気流中で1000℃まで約１時
間で昇温し、その温度で５時間保持した後室温ま
で冷却した。生成した塊状の混合物を５の水に
投入した。塊状の混合物が崩壊した後、生じたス
ラリーから上層のCa（OH）2懸濁物をデカンテー
シヨンによつて分離した。この操作を繰り返して
得られた合金粉末をPH4.5の希酢酸と接触させた
後、水洗、エタノール洗浄を経て、50℃、１×
10-2Torrで真空乾燥した。 次に、この合金粉末（平均粒径60μm）55gに純
度99.9重量％以上の金属Tb粉末（平均粒径
20μm）5gを混合し、この混合粉末を内径130mmの
黒鉛製の成形器に装入し熱間加圧した。熱間加圧
の条件として、真空度を５×10-5Torrとし、粉
末を加圧するために、150Kg／cm2の圧力を1000℃
に昇温するまで加え、昇温後は圧力を250Kg／cm2
としその温度を１時間保持した後、室温まで冷却
した。 成形器から取り出した合金ターゲツトである焼
結体のヒビ、割れを検査した。いずれの焼結体
も、目視にて全く見あたらず、透過Ｘ線の照射に
よる内部検査でも観測されなかつた。また、これ
らの焼結体の組成、相対密度、組織の検鏡結果を
第２表に示す。このうち、存在する希土類元素単
体相の大きさおよび容量％は切断法によつた。な
お、遷移金属単体相はいずれの焼結体にも認めら
れなかつた。更に、焼結体表面の全希土類元素量
をEPMAにより定量分析し、そのバラツキ（範
囲）を求め第３表に示した。
【表】
このような合金ターゲツト（直径130mm、厚さ
4.5mm）を使用し、スパツタリング法（Arガス
圧：６×10-5Torr、スパツタリング電力：4W／
cm2、基板：ソーダガラス）により薄膜（膜厚3000
Å）を作成した。作成中スパツタリングはいずれ
の試験も充分安定していた。また、作成後の合金
ターゲツトのヒビ、割れを前記と同様に観察、検
査したが、観察されなかつた。薄膜作成後、各々
の試験における(1)スパツタリング速度、(2)ターゲ
ツト利用効率、(3)ターゲツト−膜の組成ずれ、(4)
ターゲツトの透磁率、(5)膜組成の経時変化を測定
した。なお、上記(1)〜(5)の測定方法は、次の通り
である。 (1) スパツタリング速度：上記条件のスパツタリ
ング法で作成した薄膜の膜厚と作成に要した時
間から成膜速度を算出する。 (2) ターゲツト利用効率：長時間使用し、ターゲ
ツト厚さが最も薄いところで0.5mmとなつたタ
ーゲツトの減量を測定する。 (3) ターゲツト−膜の組成ずれ：ターゲツトおよ
び膜中の全希土類元素量をEPMAにより定量
分析し、その組成差を求める。 (4) ターゲツトの透磁率：振動試料型磁束計を使
用しターゲツトを切り出したサンプルについて
透磁率を求める。 (5) 膜組成の経時変化：スパツタ時間が５，20，
40および60時間経過した時点で得られた薄膜中
の全希土類元素量のバラツキ（範囲）を求め
る。 上記測定により得られた結果を第３表に示す。
4.5mm）を使用し、スパツタリング法（Arガス
圧：６×10-5Torr、スパツタリング電力：4W／
cm2、基板：ソーダガラス）により薄膜（膜厚3000
Å）を作成した。作成中スパツタリングはいずれ
の試験も充分安定していた。また、作成後の合金
ターゲツトのヒビ、割れを前記と同様に観察、検
査したが、観察されなかつた。薄膜作成後、各々
の試験における(1)スパツタリング速度、(2)ターゲ
ツト利用効率、(3)ターゲツト−膜の組成ずれ、(4)
ターゲツトの透磁率、(5)膜組成の経時変化を測定
した。なお、上記(1)〜(5)の測定方法は、次の通り
である。 (1) スパツタリング速度：上記条件のスパツタリ
ング法で作成した薄膜の膜厚と作成に要した時
間から成膜速度を算出する。 (2) ターゲツト利用効率：長時間使用し、ターゲ
ツト厚さが最も薄いところで0.5mmとなつたタ
ーゲツトの減量を測定する。 (3) ターゲツト−膜の組成ずれ：ターゲツトおよ
び膜中の全希土類元素量をEPMAにより定量
分析し、その組成差を求める。 (4) ターゲツトの透磁率：振動試料型磁束計を使
用しターゲツトを切り出したサンプルについて
透磁率を求める。 (5) 膜組成の経時変化：スパツタ時間が５，20，
40および60時間経過した時点で得られた薄膜中
の全希土類元素量のバラツキ（範囲）を求め
る。 上記測定により得られた結果を第３表に示す。
以上から明らかなように、本発明により組成が
均一で、ヒビ、割れがなく高強度をもち、かつ、
スパツタリング速度、ターゲツト利用効率、ター
ゲツト膜の組成ずれや経時変化、ターゲツトの透
磁率のいずれも優れたターゲツトを提供すること
ができる。
均一で、ヒビ、割れがなく高強度をもち、かつ、
スパツタリング速度、ターゲツト利用効率、ター
ゲツト膜の組成ずれや経時変化、ターゲツトの透
磁率のいずれも優れたターゲツトを提供すること
ができる。
Claims (1)
- １ 成分、組成が、Sm，Nd，Gd，Tb，Dy，
Ho，Tm，Er中の少なくとも１種の希土類元素
10〜50原子％、残部実質的にCo，Fe，Niの中の
少なくとも１種の遷移金属元素であり、組織が実
質的に該希土類金属元素と該遷移金属元素との金
属間化合物相および該希土類元素単体相のみから
なる混合組織であることを特徴とする光磁気記録
用ターゲツト。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104771A JPS63274764A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| EP88303858A EP0289316B1 (en) | 1987-04-30 | 1988-04-28 | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium |
| DE3853174T DE3853174T2 (de) | 1987-04-30 | 1988-04-28 | Legierungstarget zum Herstellen von magneto-optischen Aufnahmemitteln. |
| US07/188,206 US4915738A (en) | 1987-04-30 | 1988-04-29 | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104771A JPS63274764A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274764A JPS63274764A (ja) | 1988-11-11 |
| JPH0553867B2 true JPH0553867B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=14389739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62104771A Granted JPS63274764A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4915738A (ja) |
| EP (1) | EP0289316B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63274764A (ja) |
| DE (1) | DE3853174T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4992095A (en) * | 1988-10-26 | 1991-02-12 | Sumitomo Metal Mining Company, Ltd. | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium |
| JP2988021B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-12-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
| US5612131A (en) * | 1993-04-26 | 1997-03-18 | International Business Machines Corporation | Composite magneto-optic memory and media |
| US5439500A (en) * | 1993-12-02 | 1995-08-08 | Materials Research Corporation | Magneto-optical alloy sputter targets |
| KR0141194B1 (ko) * | 1994-06-10 | 1998-07-15 | 김광호 | 스퍼터링용 타아게트의 제조방법 |
| JP3098204B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
| JP4900993B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200762A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-14 | Sharp Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3919004A (en) * | 1970-04-30 | 1975-11-11 | Gen Electric | Liquid sintered cobalt-rare earth intermetallic product |
| US4578242A (en) * | 1984-07-03 | 1986-03-25 | General Motors Corporation | Metallothermic reduction of rare earth oxides |
| US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
| JPH0796701B2 (ja) * | 1984-12-12 | 1995-10-18 | 日立金属株式会社 | スパッタ用ターゲットとその製造方法 |
| JPS6270550A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Mitsubishi Metal Corp | タ−ゲツト材 |
| FR2607520B1 (fr) * | 1986-11-27 | 1992-06-19 | Comurhex | Procede d'elaboration par metallothermie d'alliages purs a base de terres rares et de metaux de transition |
| JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62104771A patent/JPS63274764A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-28 EP EP88303858A patent/EP0289316B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-28 DE DE3853174T patent/DE3853174T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-29 US US07/188,206 patent/US4915738A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200762A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-14 | Sharp Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3853174D1 (de) | 1995-04-06 |
| US4915738A (en) | 1990-04-10 |
| DE3853174T2 (de) | 1995-06-22 |
| EP0289316B1 (en) | 1995-03-01 |
| JPS63274764A (ja) | 1988-11-11 |
| EP0289316A2 (en) | 1988-11-02 |
| EP0289316A3 (en) | 1990-03-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |