JPS59200762A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
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- JPS59200762A JPS59200762A JP7592983A JP7592983A JPS59200762A JP S59200762 A JPS59200762 A JP S59200762A JP 7592983 A JP7592983 A JP 7592983A JP 7592983 A JP7592983 A JP 7592983A JP S59200762 A JPS59200762 A JP S59200762A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、光磁気記録媒体をスパッタリングを用すて製
造するに好適なスパッタリング用のターゲットに関する
。
造するに好適なスパッタリング用のターゲットに関する
。
〈従来技術〉
近年、高密度・大台1jt−高速アクセスをタフいとし
た光メモリ装置のυ1°究開元かW力的に行なわ1tて
因る。中でも情報の消去、再記録かり11ヒな光磁気メ
モリはドキュメントファイル労への応用がちえられ、将
来有望なメモリと言われてbる。
た光メモリ装置のυ1°究開元かW力的に行なわ1tて
因る。中でも情報の消去、再記録かり11ヒな光磁気メ
モリはドキュメントファイル労への応用がちえられ、将
来有望なメモリと言われてbる。
上記光磁気メモリのメモリ用、し相として【cl、Mn
B1等の結晶性材料と希土類と選移金j寓との合金等(
GdTbFe 等)の非晶質(オ料ンかよく知られて込
るか、を己(:式エネルキーか少なくてすむこと、及び
粒界ノイズか現われないこと等のアト山て現在は後者の
希土類とユ響移金罵との合金非晶グ′JへシjルLかU
汀発の中心となって1./)る。又、土1尼メモリ14
J祠利から非晶質薄膜を製造する製造方法とじてに11
′書、免蒸着とスパッタリングのいずれかか月」いられ
るか、大面積に一様な膜を作るのか容易なこと、再現性
か良いこト等のため、スパンクリング法か適当であるこ
とが判明している。
B1等の結晶性材料と希土類と選移金j寓との合金等(
GdTbFe 等)の非晶質(オ料ンかよく知られて込
るか、を己(:式エネルキーか少なくてすむこと、及び
粒界ノイズか現われないこと等のアト山て現在は後者の
希土類とユ響移金罵との合金非晶グ′JへシjルLかU
汀発の中心となって1./)る。又、土1尼メモリ14
J祠利から非晶質薄膜を製造する製造方法とじてに11
′書、免蒸着とスパッタリングのいずれかか月」いられ
るか、大面積に一様な膜を作るのか容易なこと、再現性
か良いこト等のため、スパンクリング法か適当であるこ
とが判明している。
しかし従来の通常用層られるスパッタリング法では蒸着
法に比べて膜の堆積速度が遅いため、スパンクリング法
の中でも特殊々マグネトロンスパッタリングを使うこと
が有利であることが判明している。
法に比べて膜の堆積速度が遅いため、スパンクリング法
の中でも特殊々マグネトロンスパッタリングを使うこと
が有利であることが判明している。
このマグネトロンスパッタリングでは、ターゲット表面
で電界と垂直方向に磁界を作り、電子をターゲット付近
に閉じ込めることによって、効率よく放電を行うもので
あるが、上記磁界印加個所において集中してスパッタリ
ングがなされる為、ターゲットの片減わが生じる。
で電界と垂直方向に磁界を作り、電子をターゲット付近
に閉じ込めることによって、効率よく放電を行うもので
あるが、上記磁界印加個所において集中してスパッタリ
ングがなされる為、ターゲットの片減わが生じる。
@1図に通常の平板マグネトロンスパッタリングの電櫃
構戊の構成説明図を示す。1はターゲット、2は磁石、
3けヨーク、4は磁束を示して込ル1.−、第1図の様
々@極構成でマグネトロンスパッタリングを行なうと、
第2図に示すごとくターゲットの一部が磁界の影響によ
って集中スパッタリングされ、その結果片減りaが生じ
る。特にFe。
構戊の構成説明図を示す。1はターゲット、2は磁石、
3けヨーク、4は磁束を示して込ル1.−、第1図の様
々@極構成でマグネトロンスパッタリングを行なうと、
第2図に示すごとくターゲットの一部が磁界の影響によ
って集中スパッタリングされ、その結果片減りaが生じ
る。特にFe。
Co、Ni等の強磁性体をマグネトロンスパッタリング
する場合は、以下に説明するように片減り現象か強くな
る。
する場合は、以下に説明するように片減り現象か強くな
る。
即ち、ターゲット表面に磁界を作るためには第1図のよ
うに電極内に磁石2を配置するが、ターゲットか強磁性
体の場合には@3図に示すごとく磁束4の大部分かター
ゲット5内を通過し、ターゲット5表面に出にぐ〈々る
。この事から@極内に配置する磁石2としては、希土類
コバルト系の強力な磁束を発生するものにする必要があ
る。しかし、マグネトロンスパッタリングによりターゲ
ット5の一部が片減りした場合、@4図に示す様にその
部分が部分的に薄くなり、それまでターゲット5内部を
通って−た磁束4aがターゲット5外に出て、その結果
片減りした部分aにおける磁界が強くなり、」二連した
如く強い磁石を用いたことと相俟って、更に片減りか進
むことになる。一方、強磁性体ターゲット5の外へ磁束
を出す方法として、上述した如く磁石を強力なものに変
えるのではなく、ターゲットを薄くすることも考えられ
るが、ターゲット外部に出る磁束はターゲット内部が飽
和磁束になった結果の漏洩部分であるため、上述した厚
いターゲットと強力な磁石を用いた場合とまったく同様
な議論ができ、よって片減りが激し5点は同じである。
うに電極内に磁石2を配置するが、ターゲットか強磁性
体の場合には@3図に示すごとく磁束4の大部分かター
ゲット5内を通過し、ターゲット5表面に出にぐ〈々る
。この事から@極内に配置する磁石2としては、希土類
コバルト系の強力な磁束を発生するものにする必要があ
る。しかし、マグネトロンスパッタリングによりターゲ
ット5の一部が片減りした場合、@4図に示す様にその
部分が部分的に薄くなり、それまでターゲット5内部を
通って−た磁束4aがターゲット5外に出て、その結果
片減りした部分aにおける磁界が強くなり、」二連した
如く強い磁石を用いたことと相俟って、更に片減りか進
むことになる。一方、強磁性体ターゲット5の外へ磁束
を出す方法として、上述した如く磁石を強力なものに変
えるのではなく、ターゲットを薄くすることも考えられ
るが、ターゲット外部に出る磁束はターゲット内部が飽
和磁束になった結果の漏洩部分であるため、上述した厚
いターゲットと強力な磁石を用いた場合とまったく同様
な議論ができ、よって片減りが激し5点は同じである。
従って後者の場合は、ターゲットの寿命が短めだけ、前
者に比べ好ましくな−と言゛える。
者に比べ好ましくな−と言゛える。
以上説明したように強磁性体をターゲットとしたマグネ
トロンスパッタリングは、ターゲットの片減すか激しく
、ターゲット寿命が短−こと、ターゲットの一部しかス
パッタリングされないため大部分のターゲットが無駄に
なることか大きな欠点である。次に、このような欠点を
ふまえて上記マグネトロンスパッタリングをGdTbF
e等の希土類・遷移金属合金膜から成る光磁気メモリ薄
膜の作成に適用した場合の問題点について詳説する。
トロンスパッタリングは、ターゲットの片減すか激しく
、ターゲット寿命が短−こと、ターゲットの一部しかス
パッタリングされないため大部分のターゲットが無駄に
なることか大きな欠点である。次に、このような欠点を
ふまえて上記マグネトロンスパッタリングをGdTbF
e等の希土類・遷移金属合金膜から成る光磁気メモリ薄
膜の作成に適用した場合の問題点について詳説する。
希土類・遷移金属合金薄膜作成用ターゲットの使い方と
しては、アークメルト法等であらかじめ合金ターゲット
を作る場合と、遷移金属ターゲット上に希土類の薄片を
並べ同時スパッタリングする場合とかあるが、前者は合
金の組成の制御が困゛難なため、通常後者が用いられる
。後者の方式を採用した場合1.希土類の厚さは電極間
距離に比して充分に薄くし力めといけ々いため、通常電
極間距離3〜6備に対し、o、 i〜2n程度の厚みの
板を用いなければなら71x。ところか、前述した如く
片減りの現象発生とスパッタリングレイトが速いこと等
のため、合金膜作成時にお因で上記希土類薄片の取り変
え(あるいは補充)を頻繁にしなければならず、その為
後者の方式では再現性ある膜を多量に作成すると上方S
困難であった。
しては、アークメルト法等であらかじめ合金ターゲット
を作る場合と、遷移金属ターゲット上に希土類の薄片を
並べ同時スパッタリングする場合とかあるが、前者は合
金の組成の制御が困゛難なため、通常後者が用いられる
。後者の方式を採用した場合1.希土類の厚さは電極間
距離に比して充分に薄くし力めといけ々いため、通常電
極間距離3〜6備に対し、o、 i〜2n程度の厚みの
板を用いなければなら71x。ところか、前述した如く
片減りの現象発生とスパッタリングレイトが速いこと等
のため、合金膜作成時にお因で上記希土類薄片の取り変
え(あるいは補充)を頻繁にしなければならず、その為
後者の方式では再現性ある膜を多量に作成すると上方S
困難であった。
く目的〉
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであって光磁気
用記録媒体を効率良くスパッタリングにより製造する方
法を提供することを目的とするものである。
用記録媒体を効率良くスパッタリングにより製造する方
法を提供することを目的とするものである。
〈実施例〉
以下本発明に係るスパッタリング用ターゲットの実施例
について図面を用いて詳細に説明する。
について図面を用いて詳細に説明する。
@5図は本発明に係るスパッタリング用ターゲットを用
りた光磁気メモリ媒体用の電極の構造全示す構成説明図
である。
りた光磁気メモリ媒体用の電極の構造全示す構成説明図
である。
5はFe、Co、Ni等の強磁性体からなる板状体であ
り、6はGd、Tb、DY等の希土類元素からなる直径
5履程度の円筒状の片状体である。これらの希土類元素
はいずれも強磁性体であるが、そのキュリ一温度が最も
高いGdでも室温(3077゜K)程度であるので、ス
パッタリング時のターゲットの温度上昇を考えるとこれ
らはスパッタリング中は常磁性になっていると考えるこ
とかできる。
り、6はGd、Tb、DY等の希土類元素からなる直径
5履程度の円筒状の片状体である。これらの希土類元素
はいずれも強磁性体であるが、そのキュリ一温度が最も
高いGdでも室温(3077゜K)程度であるので、ス
パッタリング時のターゲットの温度上昇を考えるとこれ
らはスパッタリング中は常磁性になっていると考えるこ
とかできる。
一方、Fe、Co、Ni等は高温まで強磁性を保有する
。そうすると第5図のとと〈片状体6(常磁性部)部分
での磁束はターゲット5外に飛び出すので上記片状体6
部分においてはマグネトロン、スパッタリングの効果が
大きくなる。つまり、希土類元素の片状体6をFe、C
o、Ni等の強磁性体ターゲット5中の適切な位置(片
減りを低減せしめる位置、及び希土類元素の片状体6カ
;効率的にスパッタリングされる位置等の条件により上
記適切な位置を決めれば良い。)に必要な量だけ埋設す
ることによって、他の常磁性体のみのマグネトρンスパ
ッタリ゛・ン、グと同様な効果をあげることができる。
。そうすると第5図のとと〈片状体6(常磁性部)部分
での磁束はターゲット5外に飛び出すので上記片状体6
部分においてはマグネトロン、スパッタリングの効果が
大きくなる。つまり、希土類元素の片状体6をFe、C
o、Ni等の強磁性体ターゲット5中の適切な位置(片
減りを低減せしめる位置、及び希土類元素の片状体6カ
;効率的にスパッタリングされる位置等の条件により上
記適切な位置を決めれば良い。)に必要な量だけ埋設す
ることによって、他の常磁性体のみのマグネトρンスパ
ッタリ゛・ン、グと同様な効果をあげることができる。
ここで強磁、性体からなる板状体5中への希土類元素か
らなる片状体6の埋設は、予め板状体5に所定の孔(貫
通孔、若しくは溝孔)を形成しておき、その孔に片状体
6を嵌め込めばよい。尚、上記孔に雌ねじのねじ切りを
形成し、上記片状体6に雄ねじのねじ切りを形成すれば
、上記孔に片状体6を嵌め込む場合にねじ締めを行なう
ことができる一為安定した嵌め込みが達成される。
らなる片状体6の埋設は、予め板状体5に所定の孔(貫
通孔、若しくは溝孔)を形成しておき、その孔に片状体
6を嵌め込めばよい。尚、上記孔に雌ねじのねじ切りを
形成し、上記片状体6に雄ねじのねじ切りを形成すれば
、上記孔に片状体6を嵌め込む場合にねじ締めを行なう
ことができる一為安定した嵌め込みが達成される。
第6図は本発明に係るスパッタリング用ターゲットの他
の実施例の構成説明図である。同図に示される如< F
e、Co、Ni等の強磁性体からなる板状体7の所定位
置(例えば第5図の片状体6の位置、板状体7の略全面
位置等)内部にGd 、 Tb 。
の実施例の構成説明図である。同図に示される如< F
e、Co、Ni等の強磁性体からなる板状体7の所定位
置(例えば第5図の片状体6の位置、板状体7の略全面
位置等)内部にGd 、 Tb 。
Dy等の希土類元素からなる直径5H程度め11:I筒
状の片状体8が比較的短す間隔1m程度にて周期的に埋
設されてターゲットが構成されている。この構造によれ
ば片状体8の埋設個所か板状体7内の広範囲に拡げるこ
とができるので磁束9の中のもれ磁束9aを多くできこ
の事によってターゲットの片減鍬−象か解消される。1
0けCuからなるバッキングプレートであり、該1プレ
ート10けスパッタリングの際の水冷の為に用いられる
。このプレート10とターゲットとはエポキシ樹脂にて
接着される。
状の片状体8が比較的短す間隔1m程度にて周期的に埋
設されてターゲットが構成されている。この構造によれ
ば片状体8の埋設個所か板状体7内の広範囲に拡げるこ
とができるので磁束9の中のもれ磁束9aを多くできこ
の事によってターゲットの片減鍬−象か解消される。1
0けCuからなるバッキングプレートであり、該1プレ
ート10けスパッタリングの際の水冷の為に用いられる
。このプレート10とターゲットとはエポキシ樹脂にて
接着される。
上記第5図、第6図(で示した構成のターゲットを用因
ればもれ磁束を多く確保できるのでターゲット自身の厚
みを厚くでき、且つそれ程強力な磁石を使う必要がない
。そして上述の如くターゲット自身の厚みを厚くできる
ので希土類元素からなる片・天体8の補充回数を少なく
でき、その分だけ再現性のある光磁気メモリ媒体膜(G
dTbFe。
ればもれ磁束を多く確保できるのでターゲット自身の厚
みを厚くでき、且つそれ程強力な磁石を使う必要がない
。そして上述の如くターゲット自身の厚みを厚くできる
ので希土類元素からなる片・天体8の補充回数を少なく
でき、その分だけ再現性のある光磁気メモリ媒体膜(G
dTbFe。
TbFe、TbDyFe、GdTbDyFe等)を多量
に製作することが可能になる。
に製作することが可能になる。
以上の実施例は元メモリ用の希土類遷移金属膜を作成す
る為のスパッタリング用ターゲットについて説明したか
、本発明けその範囲に限定されず社々の応用か可能であ
る。たとえば、coOr垂直磁化膜も強磁性を有するC
oと、常磁性を有するCrとの同時スパッタリングによ
り作成されるものであるが、本発明の主旨に沿ってCo
ターゲットにCrと埋め込むことで効率の良−マグネト
ロンスパッタリングが可能となる。要はスパッタリング
中のターゲット温度におりて常磁性を示す元素と強磁性
を示す元素とを同時マグネトロンスパッタリングする場
合、強磁性体内に常磁性体を部分的に埋めこんでターゲ
ットとすることか本発明の主旨である。
る為のスパッタリング用ターゲットについて説明したか
、本発明けその範囲に限定されず社々の応用か可能であ
る。たとえば、coOr垂直磁化膜も強磁性を有するC
oと、常磁性を有するCrとの同時スパッタリングによ
り作成されるものであるが、本発明の主旨に沿ってCo
ターゲットにCrと埋め込むことで効率の良−マグネト
ロンスパッタリングが可能となる。要はスパッタリング
中のターゲット温度におりて常磁性を示す元素と強磁性
を示す元素とを同時マグネトロンスパッタリングする場
合、強磁性体内に常磁性体を部分的に埋めこんでターゲ
ットとすることか本発明の主旨である。
〈効果〉
本発明によれば、特に希土類とM移金属合金((よる磁
気光学記憶素子の記録媒体を高速かつ再現性良く量産す
ることが可能になる。
気光学記憶素子の記録媒体を高速かつ再現性良く量産す
ることが可能になる。
第1図は従来のマグネトロンスパッタリング用電極の構
成を示す構成説明図、第2図は片減りしたターゲットを
備えた従来のマグネトロンスパッタリング用電極の構成
を示す構成説明図、第3図は強磁性体からなるターゲッ
トを備えた従来のマグネトロンスパッタリング用@極の
、構成を示す構成説明図、第4図は片減りしたターゲッ
トの一部構成説嬰廊、第5図は本発明に係るスパッタリ
ング用ターゲ・lトの一実施例を備えたマグネトロンス
パンタリング用電極の構成を示す構成説明図、第6図は
本発明に係るスパンタリング用ターゲットの他の実施例
の構成説明図である。 図中、1:ターゲット、 2:磁石、3:ヨーク、
4,9:磁束\ 5.7:強磁性体からなる板状体、 6.8:希土類元素からなる片状体、 10:バッギングプレート。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第4メ1 第5シl 第一五メ
成を示す構成説明図、第2図は片減りしたターゲットを
備えた従来のマグネトロンスパッタリング用電極の構成
を示す構成説明図、第3図は強磁性体からなるターゲッ
トを備えた従来のマグネトロンスパッタリング用@極の
、構成を示す構成説明図、第4図は片減りしたターゲッ
トの一部構成説嬰廊、第5図は本発明に係るスパッタリ
ング用ターゲ・lトの一実施例を備えたマグネトロンス
パンタリング用電極の構成を示す構成説明図、第6図は
本発明に係るスパンタリング用ターゲットの他の実施例
の構成説明図である。 図中、1:ターゲット、 2:磁石、3:ヨーク、
4,9:磁束\ 5.7:強磁性体からなる板状体、 6.8:希土類元素からなる片状体、 10:バッギングプレート。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第4メ1 第5シl 第一五メ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 」、 ス・ぐノクワング状態時に強磁性を有する基板の
所定位置にスパッタリング状膳時に常磁性をイ]°する
片状体を埋設してなるスパッタリング用り一ゲソト。 2、前記スパッタリングかマグネトロンスパッタリング
であることを特徴とする特許請求の範囲第1配列+1莢
のスパンクリング用ターゲット。 3 前記強磁性を有する基板の材質が、F e r、N
s rCoの少なくとも1つを含み、前記常磁性を有
する片状体のF):質かGd 、 TI) 、 Dy
、 Cr の少なくとも1つを含むことを特徴とする
特許請求の範囲君1順乃至第2項記載のスパンクリング
用ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7592983A JPS59200762A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7592983A JPS59200762A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59200762A true JPS59200762A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13590449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7592983A Pending JPS59200762A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59200762A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6372873A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
US6117282A (en) * | 1997-09-23 | 2000-09-12 | Kuo; Po-Cheng | Method of producing amorphous Co-Tb magnetic recording thin films |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP7592983A patent/JPS59200762A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6372873A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
JPH0553867B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1993-08-11 | Sumitomo Metal Mining Co | |
US6117282A (en) * | 1997-09-23 | 2000-09-12 | Kuo; Po-Cheng | Method of producing amorphous Co-Tb magnetic recording thin films |
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