JPS6196706A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6196706A JPS6196706A JP21792284A JP21792284A JPS6196706A JP S6196706 A JPS6196706 A JP S6196706A JP 21792284 A JP21792284 A JP 21792284A JP 21792284 A JP21792284 A JP 21792284A JP S6196706 A JPS6196706 A JP S6196706A
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- Japan
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- thin film
- recording medium
- amorphous
- magnetic
- film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、一度記録した情＠を消去し再書き込みのでき
る光磁気記録媒体に関する。
る光磁気記録媒体に関する。
従来光磁気記録媒体に関しては、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸′ｊｋ有するものとして、 ＭｎＢ１に代表さ
れる多結晶金属薄膜、磁性ガーネットなどの化合物単結
晶薄膜、セしてＧ（１−Ｃｏ 、 Ｇ（１−Ｆ ｅ 。
化容易軸′ｊｋ有するものとして、 ＭｎＢ１に代表さ
れる多結晶金属薄膜、磁性ガーネットなどの化合物単結
晶薄膜、セしてＧ（１−Ｃｏ 、 Ｇ（１−Ｆ ｅ 。
Ｔ ｂ−Ｆｅ 、 １ｌｙ−Ｆｅ 、 Ｇ（１−Ｔｂ−
Ｆｅなどの希土類金属−遷移金属非晶質＃膜等がある。
Ｆｅなどの希土類金属−遷移金属非晶質＃膜等がある。
これらの中で現在実用にある程度耐えられるものとして
Ｔｂ−Ｆｅ。
Ｔｂ−Ｆｅ。
Ｄｙ−Ｆｓ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ等のキュリ一温度を利用
して書き込みを行う非晶質の磁性薄膜が研究さｔしてい
る。
して書き込みを行う非晶質の磁性薄膜が研究さｔしてい
る。
しかしながらこれらの希土類−遷移金属薄膜は実用的に
用いる場せ次の欠点？有している。
用いる場せ次の欠点？有している。
■これらの薄膜は耐候性に乏しく、形ａ′後急速にエー
ジングして諸行性が劣化する ０重希土類は全希土類中の含有量が極めて少く資源的に
問題があるばかシでなく、重希土類の中の特定の元素の
みを多量に使用することは残部に残る他の希土類元素の
それに見会った用途がない限り経済的に不都合であ）、
従ってコストもたいへん高い。工って実用材料として重
希土類を使用する場合、コストお裏び１２量の面で制約
を受ける。
ジングして諸行性が劣化する ０重希土類は全希土類中の含有量が極めて少く資源的に
問題があるばかシでなく、重希土類の中の特定の元素の
みを多量に使用することは残部に残る他の希土類元素の
それに見会った用途がない限り経済的に不都合であ）、
従ってコストもたいへん高い。工って実用材料として重
希土類を使用する場合、コストお裏び１２量の面で制約
を受ける。
０重希土類−遷移金属の場合フェリ磁性なので磁化の温
度係数が大きく、これはただちにカー回転角が温度に対
して大きく変化することの原因となる。従って読み出し
特性は温度に対して極めて不安定になる。
度係数が大きく、これはただちにカー回転角が温度に対
して大きく変化することの原因となる。従って読み出し
特性は温度に対して極めて不安定になる。
ｉ 〔目的〕
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、耐候性が工（、温度特性が工くしかも
低コストで大量生産可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
とするところは、耐候性が工（、温度特性が工くしかも
低コストで大量生産可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
本発明の光磁気記録媒体は、 Ｎｄ−Ｆｅ−Ｎ１−Ｂ
薄膜をスパッタリングあるいは真空蒸着法等の薄膜形成
技術でガラス基板あるいはプラスチック基板上に形成し
たものである。この際該組成を用いると磁性薄Ｗを非晶
質構造にし、その磁化容易軸を膜面に垂直な方向にある
工う一作製できる。
薄膜をスパッタリングあるいは真空蒸着法等の薄膜形成
技術でガラス基板あるいはプラスチック基板上に形成し
たものである。この際該組成を用いると磁性薄Ｗを非晶
質構造にし、その磁化容易軸を膜面に垂直な方向にある
工う一作製できる。
この範模に情報を記録させるためＫは、まず薄膜をＳ極
あるいはＮ極に一様だ磁化させておきレーザ等の光ビー
ムを一点に照射して、その部分をキュリーｍ度以上にカ
ロ熱する。すると力［＋熱部の磁気モーメントはｍ度ラ
ンダムになり、冷却されてキュリ一温度以下になると再
配列される。その際、容易軸方向は膜面と垂直なので磁
気モーメントも膜面に垂直となるが磁化の方向は隣接し
た一謙磁化に：る反磁場によりあるいは外磁場をさらに
加えることにより、最初の磁場方向とは逆向きに磁化さ
れる。従って光ビームの照射された部分は磁 −化
が反転しているので、後にカー回転現象を用いて磁化の
反転の有無を検出してやれは、デジタル信号である２値
ｒＯｊ、（１）を区別できることになる。このようにし
て情報は記録されかつ読み出される。また一度記録した
情報を消去するには外部磁場を最初の一様磁化した方向
に印加しながら光ビームを消去したい場所へ照射すれば
二い。
あるいはＮ極に一様だ磁化させておきレーザ等の光ビー
ムを一点に照射して、その部分をキュリーｍ度以上にカ
ロ熱する。すると力［＋熱部の磁気モーメントはｍ度ラ
ンダムになり、冷却されてキュリ一温度以下になると再
配列される。その際、容易軸方向は膜面と垂直なので磁
気モーメントも膜面に垂直となるが磁化の方向は隣接し
た一謙磁化に：る反磁場によりあるいは外磁場をさらに
加えることにより、最初の磁場方向とは逆向きに磁化さ
れる。従って光ビームの照射された部分は磁 −化
が反転しているので、後にカー回転現象を用いて磁化の
反転の有無を検出してやれは、デジタル信号である２値
ｒＯｊ、（１）を区別できることになる。このようにし
て情報は記録されかつ読み出される。また一度記録した
情報を消去するには外部磁場を最初の一様磁化した方向
に印加しながら光ビームを消去したい場所へ照射すれば
二い。
薄膜の構造をアモルファスにする利点は、結晶質と異な
シ組成の範囲を広く取れること、磁気的特性を比較的容
易に組収を変えることで調整できることをして結晶粒界
のノイズがないということである。
シ組成の範囲を広く取れること、磁気的特性を比較的容
易に組収を変えることで調整できることをして結晶粒界
のノイズがないということである。
本発明の特徴はかかる磁性薄膜としてＮａ−Ｆｅ−Ｎ１
−Ｂ系を用いたことにある。さらに詳しく述べるとまず
従来つ薄膜に使用されていたＴｂ、Ｄｙ。
−Ｂ系を用いたことにある。さらに詳しく述べるとまず
従来つ薄膜に使用されていたＴｂ、Ｄｙ。
Ｇａ といった重希土に替り、軽希、土のＮｄを使用し
たことにある。Ｎｄ＝ＦｅにはＮｄ、Ｆ−ｅ−とＮｄ、
Ｆｅ１゜化合物ができることが知られている（ Ｆｔｕ
ａｓ：ＬａｎＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ、１９６５．Ａ５．
Ｆ２Ｏ）。Ｎａ、ｏｏ−ＸＦｅｘとした時を我々の予備
実験では、およそ６０（。
たことにある。Ｎｄ＝ＦｅにはＮｄ、Ｆ−ｅ−とＮｄ、
Ｆｅ１゜化合物ができることが知られている（ Ｆｔｕ
ａｓ：ＬａｎＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ、１９６５．Ａ５．
Ｆ２Ｏ）。Ｎａ、ｏｏ−ＸＦｅｘとした時を我々の予備
実験では、およそ６０（。
く９５の範囲でこの合金はアモルファス化できることが
分った。さらにこのＮｄ−Ｆｅ２元素にＢを添加すると
強磁性が安定となりキュリ一点お：び飽和磁化を向上さ
すことができる。Ｂの添加は少量でも効果かあ［，２０
ａｔ ％以上になると強磁性が不安定になるのでα口１
から２０ ａｔ ％までとした。実験の結果このＮ（Ｌ
−ＩＦｅ−Ｂ系で重希土を用いたものと同等以上の特性
を有する光磁気記録媒体が作製できることが分った。し
てみると、第−表に示す工うにＮ（ＬはＴｂ、Ｄｙ、Ｇ
ｕというような重希土に比べて圧倒的な資源の豊富さを
誇るのでＮ（ｌが重希土の代シに使用できるということ
は工業的にみてたいへん意義の深いことである。
分った。さらにこのＮｄ−Ｆｅ２元素にＢを添加すると
強磁性が安定となりキュリ一点お：び飽和磁化を向上さ
すことができる。Ｂの添加は少量でも効果かあ［，２０
ａｔ ％以上になると強磁性が不安定になるのでα口１
から２０ ａｔ ％までとした。実験の結果このＮ（Ｌ
−ＩＦｅ−Ｂ系で重希土を用いたものと同等以上の特性
を有する光磁気記録媒体が作製できることが分った。し
てみると、第−表に示す工うにＮ（ＬはＴｂ、Ｄｙ、Ｇ
ｕというような重希土に比べて圧倒的な資源の豊富さを
誇るのでＮ（ｌが重希土の代シに使用できるということ
は工業的にみてたいへん意義の深いことである。
本発明の他の％徴として、耐候性向上のためにＦｅをＮ
１に置換したことである。Ｎ１置換に工）ミス的性質は
低下するが、それはＢの量で補えるので問題にはならな
い。
１に置換したことである。Ｎ１置換に工）ミス的性質は
低下するが、それはＢの量で補えるので問題にはならな
い。
Ｎ（ｌは他の軽希土類、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ
で置換しても工いし、重希土を少蝋置換すると保磁力が
向上する。
で置換しても工いし、重希土を少蝋置換すると保磁力が
向上する。
Ｎ（ｉとＦｅを主成分とした磁性イ４嗅はフェロ磁性第
１表 を示すのでカー回転角、保磁力の温度依存性が重希土−
鉄系のフェリ磁性のものニジも小さい。従って温度変化
に対して安定し次性質を示す。
１表 を示すのでカー回転角、保磁力の温度依存性が重希土−
鉄系のフェリ磁性のものニジも小さい。従って温度変化
に対して安定し次性質を示す。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１゜
Ｎ ａｈａ （Ｆ ｅ６．１Ｎ １ｏ−ｔ ）ｓｓＥ＊
なる１５０．φの合金ターゲットｔ−用い、Ｉ’ｌＦス
パッタ法で水冷ガラス基や 板上に磁性薄膜を作製
した。次に真空をやぶらずに８１０．保護膜、銅の反射
膜を該磁性幌上に製膜した。
なる１５０．φの合金ターゲットｔ−用い、Ｉ’ｌＦス
パッタ法で水冷ガラス基や 板上に磁性薄膜を作製
した。次に真空をやぶらずに８１０．保護膜、銅の反射
膜を該磁性幌上に製膜した。
作製した媒体の室温での磁気的お工び光学的特性は第２
表に示す工うによい値が得られた。また膜の結晶構造を
Ｘ線を用いて確認したところ、ア第２表 モルファス状態であった。また容易磁化方向は猥面と垂
直に向いていた。媒体の信頼性は高温お工び高温高湿環
境下に媒体を所定の時間放置し室温に戻して磁気光学特
性を測足することにニジ評価した。結果を第１図、第２
図に示す。第１図は１度が６０℃で湿度９５％でのθに
と１Ｅｌｃの経時変化を示し、第２図は温度８０℃での
θにとｉＨｏの経時変化を示している。θｋ 、 ｉＨ
ｃ両方ともこの程度の低下では特に問題はなく、従来の
データから比べると数倍向上している。
表に示す工うによい値が得られた。また膜の結晶構造を
Ｘ線を用いて確認したところ、ア第２表 モルファス状態であった。また容易磁化方向は猥面と垂
直に向いていた。媒体の信頼性は高温お工び高温高湿環
境下に媒体を所定の時間放置し室温に戻して磁気光学特
性を測足することにニジ評価した。結果を第１図、第２
図に示す。第１図は１度が６０℃で湿度９５％でのθに
と１Ｅｌｃの経時変化を示し、第２図は温度８０℃での
θにとｉＨｏの経時変化を示している。θｋ 、 ｉＨ
ｃ両方ともこの程度の低下では特に問題はなく、従来の
データから比べると数倍向上している。
実施例２
Ｎ ｄ、ｇ −Ｘ（Ｆ ｅ６．、Ｎ ｉ。、４）ｘＥ、
で表した時、Ｘ＝８８゜７８．６８，５８．４８の組成
を有する合金ターゲットを作製した。これらのターゲッ
トを用いＲＦスパッタ法でガラス基板上に磁性簿膜を形
成し、次に真空をやぶらずにアルミをスパッタして保護
膜兼反射膜とした。ｘ−４８以外は全てアモルファスに
なっていることが、Ｘ線に工９確認された。基板に垂直
な薄膜はＸ＝７８．６８．５８の組成で得られた。この
６種の膜特性を第５表に示す。
で表した時、Ｘ＝８８゜７８．６８，５８．４８の組成
を有する合金ターゲットを作製した。これらのターゲッ
トを用いＲＦスパッタ法でガラス基板上に磁性簿膜を形
成し、次に真空をやぶらずにアルミをスパッタして保護
膜兼反射膜とした。ｘ−４８以外は全てアモルファスに
なっていることが、Ｘ線に工９確認された。基板に垂直
な薄膜はＸ＝７８．６８．５８の組成で得られた。この
６種の膜特性を第５表に示す。
第５表
上記３組５３２を、温度８０℃で１００日保持した後の
ｉＥｃとに１の低下率を再４表に示した。Ｎｉ量が多い
友けに実施例１よりも安定した膜が得られていることが
分る。
ｉＥｃとに１の低下率を再４表に示した。Ｎｉ量が多い
友けに実施例１よりも安定した膜が得られていることが
分る。
第４表
実施例＆
Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｌｏｎ法により作製
した溝付基板（溝ピッチＺ５μｍ、溝幅α８μｍ、溝呆
さ７ｏｎｍ）上に、Ｎｄ、。（Ｆ ｅｏ４Ｎｉｏ４）、
、 Ｂ１組組成基板と垂直方向に異方性１＆：有するア
モルファス薄膜を５０ｎｍ、アルミ反射膜を５０ｎｍ形
成した第６図に示すような光磁気ディスクを試作した。
した溝付基板（溝ピッチＺ５μｍ、溝幅α８μｍ、溝呆
さ７ｏｎｍ）上に、Ｎｄ、。（Ｆ ｅｏ４Ｎｉｏ４）、
、 Ｂ１組組成基板と垂直方向に異方性１＆：有するア
モルファス薄膜を５０ｎｍ、アルミ反射膜を５０ｎｍ形
成した第６図に示すような光磁気ディスクを試作した。
試作ディスクの保磁力１Ｈｃはｔ ５ ＫＯｅ 、カー
回転角θには５８分、キュリ一点Ｔｃは１４０℃であっ
た。
回転角θには５８分、キュリ一点Ｔｃは１４０℃であっ
た。
本デベスクに、半導体レーザを用いてディスク回転数１
８００ｒｐｍで記録再生を行つ念。第４図に記録パワー
１０ｍＷ’、記録磁場８００ｅ、再生パワー１．２ｍｗ
、バンド幅５０１Ｆｉｚで行った時の再生Ｃ／Ｎの周波
数依存性を示した。 Ｉ ＭＨｚ以下ではＣ／Ｎは一定
値となり５６ｄＢが得られた。
８００ｒｐｍで記録再生を行つ念。第４図に記録パワー
１０ｍＷ’、記録磁場８００ｅ、再生パワー１．２ｍｗ
、バンド幅５０１Ｆｉｚで行った時の再生Ｃ／Ｎの周波
数依存性を示した。 Ｉ ＭＨｚ以下ではＣ／Ｎは一定
値となり５６ｄＢが得られた。
以上述べた工うに本発明によれば、安定でしかもＣ／Ｎ
比の高い光磁気記録媒体を作製でき、光磁気記録の適応
範囲を広げるという効果を有する。
比の高い光磁気記録媒体を作製でき、光磁気記録の適応
範囲を広げるという効果を有する。
第１図は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｎ１−Ｂ ＠の６０℃で湿度９
０％における、保磁力１Ｅｃとカー回転角θにの低下率
を示す。第２図は、Ｎ ｃｌ−Ｆ ｅ−Ｎ ｉ−Ｂ膜の
９つ℃での、ｉＨｃとθにの低下率を示す。第５図は光
磁気媒体の構造全示す図。 １・・・基板 ２・・・２Ｐｊ＠５・・・誘電体膜、
４−・−Ｎ ｄ−Ｆ ｅ −Ｎ ｉ−Ｅ膜 ５
−Ｊｌ＃１４６・・・接５ｔｔｉｔ第４図は、第５図の
媒体の周波数と再生Ｃ／Ｈの関係を示す。 １χ置トド九丁 （ｄ恍ｙｓン 第１図′ １χ ！１＋ 間（ｄαｙｓン 第２図
０％における、保磁力１Ｅｃとカー回転角θにの低下率
を示す。第２図は、Ｎ ｃｌ−Ｆ ｅ−Ｎ ｉ−Ｂ膜の
９つ℃での、ｉＨｃとθにの低下率を示す。第５図は光
磁気媒体の構造全示す図。 １・・・基板 ２・・・２Ｐｊ＠５・・・誘電体膜、
４−・−Ｎ ｄ−Ｆ ｅ −Ｎ ｉ−Ｅ膜 ５
−Ｊｌ＃１４６・・・接５ｔｔｉｔ第４図は、第５図の
媒体の周波数と再生Ｃ／Ｈの関係を示す。 １χ置トド九丁 （ｄ恍ｙｓン 第１図′ １χ ！１＋ 間（ｄαｙｓン 第２図
Claims (2)
- （１）ネオジウム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ボロン（Ｂ）からなり膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質の強磁性薄膜で、組成式を原子比で
、Ｎｄ＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙ（Ｆｅ＿１＿−＿
２Ｎｉ＿α）ｘＢｙとした時 ６０≦ｘ≦９５ ０．０１≦ｙ≦２０ ０．０１≦α≦０．５ で限定される組成を有する該薄膜を用いることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - （２）ネオジウムをランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｌ
）、プラセオジム（Ｐｒ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユー
ロピウム（Ｅｕ）、ガドリウム（Ｇｄ）、テルビウム（
Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホロミウム（Ｈｏ）
、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビ
ウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）をしてイットリウム
（Ｙ）の少なくとも１種以上で置換したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217922A JPH0614488B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録媒体 |
| US07/193,020 US5100741A (en) | 1984-09-12 | 1988-05-12 | Magneto-optic recording systems |
| US08/231,866 US5529854A (en) | 1984-09-12 | 1994-04-25 | Magneto-optic recording systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217922A JPH0614488B2 (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196706A true JPS6196706A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0614488B2 JPH0614488B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=16711830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217922A Expired - Lifetime JPH0614488B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614488B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710431A (en) * | 1986-03-13 | 1987-12-01 | U.S. Philips Corporation | Magnetooptical recording element and a magnetooptical recording device |
| US4780377A (en) * | 1986-05-16 | 1988-10-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0156695B1 (ko) * | 1994-06-28 | 1999-01-15 | 윤종용 | 공기조화기의 운전제어방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827941A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | 非晶質薄膜の製造方法 |
| JPS58165306A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59217922A patent/JPH0614488B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827941A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | 非晶質薄膜の製造方法 |
| JPS58165306A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710431A (en) * | 1986-03-13 | 1987-12-01 | U.S. Philips Corporation | Magnetooptical recording element and a magnetooptical recording device |
| US4780377A (en) * | 1986-05-16 | 1988-10-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0614488B2 (ja) | 1994-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |