JPS61119648A - 焼結複合タ−ゲツト材 - Google Patents
焼結複合タ−ゲツト材Info
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- JPS61119648A JPS61119648A JP24183184A JP24183184A JPS61119648A JP S61119648 A JPS61119648 A JP S61119648A JP 24183184 A JP24183184 A JP 24183184A JP 24183184 A JP24183184 A JP 24183184A JP S61119648 A JPS61119648 A JP S61119648A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発に３Ａは、光磁気記録材料として最近注目されて
いる希土類金属と遷移金属（鉄族金属）とからなる薄膜
全スパッタリングによｐ製造する際に用いられる焼結複
合ターゲット材に関す為。
いる希土類金属と遷移金属（鉄族金属）とからなる薄膜
全スパッタリングによｐ製造する際に用いられる焼結複
合ターゲット材に関す為。
光磁気記録用の博膜七スパッタリングによ）製造するた
めの従来の希土類金属と遷移金属（鉄族金属）とｔ−構
成成分とするターゲット材としては、ｔｌ） ２１１の
金属を真空もしくは不活性雰囲気中でアーク俗解して作
ったＭ素含有瀘が０．５〜３．０菖貧憾である合金ター
ゲット材（組成は希土類金属が３０−５０電童係、遷移
金属が７０〜５０重ｔ％）、及び（２）遷移金属板上に
希土類金属のチップを置いた複合ターゲット材あるいは
希土類金属板上に遷移金属チップを貢いた同様ターゲッ
ト材がある。
めの従来の希土類金属と遷移金属（鉄族金属）とｔ−構
成成分とするターゲット材としては、ｔｌ） ２１１の
金属を真空もしくは不活性雰囲気中でアーク俗解して作
ったＭ素含有瀘が０．５〜３．０菖貧憾である合金ター
ゲット材（組成は希土類金属が３０−５０電童係、遷移
金属が７０〜５０重ｔ％）、及び（２）遷移金属板上に
希土類金属のチップを置いた複合ターゲット材あるいは
希土類金属板上に遷移金属チップを貢いた同様ターゲッ
ト材がある。
しかしながら、上記の（１）の合金ターゲット材には、
ａ）靭性がない（抗折力＝２す／−以下）ため割れ易く
、取り扱いが難しい。
、取り扱いが難しい。
ｂ） 耐熱＠単性がないため、スパッタリング中の熱［
ｉ撃により割れることが多い。
ｉ撃により割れることが多い。
Ｃ） ターゲフ）材中の＃ｌｔ累含有量が０．５〜３．
０１蓋係と高い友めに、この合金ターゲット材を用いて
スパッタリングにより得られた薄膜は、光磁気記録のた
めに必要な垂直磁化膜となりにくい。
０１蓋係と高い友めに、この合金ターゲット材を用いて
スパッタリングにより得られた薄膜は、光磁気記録のた
めに必要な垂直磁化膜となりにくい。
ｄ） ターゲット材の大きさはアーク溶解炉の大きさに
依存するが、現在の所、せいぜい直径が６０ｍのものま
でしか得られない。
依存するが、現在の所、せいぜい直径が６０ｍのものま
でしか得られない。
ｅ） このターゲット材を用い友例えばマグネトロンス
パッタリング（スパッタリング条件はＡｒ分圧： Ｉ
Ｘ １０’″２ｔｏｒｒ、出カニ０．５Ａ、１４５Ｖ。
パッタリング（スパッタリング条件はＡｒ分圧： Ｉ
Ｘ １０’″２ｔｏｒｒ、出カニ０．５Ａ、１４５Ｖ。
ブリスパヴタリング時間：３０分、基板はスライドガラ
ス、基板とターゲット間の距１ｉ１ｉニア０■、バイア
ス電圧：Ｏｖ、基板回転： １０ ｒｐｍ ）のときの
スパッタリング速度は１°ＯＯＯ〜２００ＯＡ ／ ｍ
ｉｎ、と遅い。
ス、基板とターゲット間の距１ｉ１ｉニア０■、バイア
ス電圧：Ｏｖ、基板回転： １０ ｒｐｍ ）のときの
スパッタリング速度は１°ＯＯＯ〜２００ＯＡ ／ ｍ
ｉｎ、と遅い。
以上、ａ）−〇）の問題点がるる。
そして、上記の１２３の複合ターゲット材には、ａ）
ＬＱ１転や反転することができないし、チップを均一
な分布状態として使用することが困難である。
ＬＱ１転や反転することができないし、チップを均一
な分布状態として使用することが困難である。
ｂ） 根圏に磁力線が入り易く、板表面に出にくい。
又、板表面上のチップの存在により磁界が均一でなくな
る。
る。
Ｃ） このターゲット材を用いた例えはマグネトロンス
パッタリング（スパッタリング条件は（１１の合金ター
ゲット材のｅ）の条件と同じ）のときのスパッタリング
速度ｕｌ ０００〜２０００Ａ／ｍｉｎ。
パッタリング（スパッタリング条件は（１１の合金ター
ゲット材のｅ）の条件と同じ）のときのスパッタリング
速度ｕｌ ０００〜２０００Ａ／ｍｉｎ。
と遅い。
以上、ａ）〜Ｃ）の問題点がある。
したがって、この発明の目的は、靭性、耐熱衝撃注共に
大きく、取り扱い中やスパッタリングの熱ｇｉＩ隼によ
り割れることもなく、回転や反転することもでき、しか
も、＃！素含肩゛瀘が少なくて光磁気記録に好適な垂直
磁化膜を早いスパッタリング ト速匿で形成すること
ができるターゲット打金提供することである。
大きく、取り扱い中やスパッタリングの熱ｇｉＩ隼によ
り割れることもなく、回転や反転することもでき、しか
も、＃！素含肩゛瀘が少なくて光磁気記録に好適な垂直
磁化膜を早いスパッタリング ト速匿で形成すること
ができるターゲット打金提供することである。
木兄１３＋１＠らは、先に、次のような複合ターゲット
材の製造方法を出願した（特願昭５９−２１９２２７号
）。即ち、 希土類金属の１徨以上であって、かつその形状が粉末、
小粒及びチップのうちの１徨以上と、遷移金属の１徨以
上の粉末との混合物を真空中、あるいは不活性雰囲気中
で混合物中に存在する金属成分系の共融点未満の温度で
熱間成形すること全特徴とする製造方法である。
材の製造方法を出願した（特願昭５９−２１９２２７号
）。即ち、 希土類金属の１徨以上であって、かつその形状が粉末、
小粒及びチップのうちの１徨以上と、遷移金属の１徨以
上の粉末との混合物を真空中、あるいは不活性雰囲気中
で混合物中に存在する金属成分系の共融点未満の温度で
熱間成形すること全特徴とする製造方法である。
この製造方法により初めて得られた、希土類金属粒子と
遷移金属粒子との界面に反応拡散相が存在する組４１１
１；＠−する焼結複合ターゲット材が前記目的を達成す
ることを本発明者らは徳々検討の結果光い出した。
遷移金属粒子との界面に反応拡散相が存在する組４１１
１；＠−する焼結複合ターゲット材が前記目的を達成す
ることを本発明者らは徳々検討の結果光い出した。
この発明は、上記知見に基いて発明されたものでるり、
Ｔｂ、 Ｇｄ、 ｌａｙ、 Ｈｏ、 Ｔｍ及びｇｒｉび
にそれらの合金からなる群より遇ばｎた希土類金属の１
株以上：３０〜５０％、 １ｉ”ｅ、（：ｏ及びＮｉＭ、びに−ｆ：ｎらの合金か
らなる杯よプ遇はれた遷移金属の１棟以上と不町趨不縄
物：残りからなる組成（以上、ｍｆ％）を有するターゲ
ット材にして、 希土類金属粒子と遷移金属粒子との界−に反応拡散相が
存在する組織を有することを特徴とする焼結複合ターゲ
ット材である。
にそれらの合金からなる群より遇ばｎた希土類金属の１
株以上：３０〜５０％、 １ｉ”ｅ、（：ｏ及びＮｉＭ、びに−ｆ：ｎらの合金か
らなる杯よプ遇はれた遷移金属の１棟以上と不町趨不縄
物：残りからなる組成（以上、ｍｆ％）を有するターゲ
ット材にして、 希土類金属粒子と遷移金属粒子との界−に反応拡散相が
存在する組織を有することを特徴とする焼結複合ターゲ
ット材である。
以・下、この発明の詳細な説明１−る。
１）組成成分と不可避不純物
この発明の焼結複合ターゲット材は、希土類金属の１棟
以上と遷移金属の１種以上と不可避不純物からなる組成
ｒ有するものである。
以上と遷移金属の１種以上と不可避不純物からなる組成
ｒ有するものである。
この発明の焼結複合ターゲット材の組成成分である希土
類金属は、Ｔｂ ｓ Ｇｄ 、Ｄｙ 、Ｈａ ｓ Ｔｍ
及びＥｒ並びにそれらの合金からなる群より１−以上が
選ばれる。それらの合金とは、Ｔｂ、 Ｇｄ、 Ｄｙ、
Ｈｏ、 Ｔｍ及びＥｒのうちの２徨以上からなる曾金
ｔ−意体する。
類金属は、Ｔｂ ｓ Ｇｄ 、Ｄｙ 、Ｈａ ｓ Ｔｍ
及びＥｒ並びにそれらの合金からなる群より１−以上が
選ばれる。それらの合金とは、Ｔｂ、 Ｇｄ、 Ｄｙ、
Ｈｏ、 Ｔｍ及びＥｒのうちの２徨以上からなる曾金
ｔ−意体する。
又、この発明の焼結板曾ターゲ・ノド材の組成成分であ
る堰後金ＪＩ４は、Ｆｅｓ Ｃｏ及びＮｉ、１１２びに
そＩＬらの合金からなる評より１棟以上が選ばれる。そ
れらの合金とは、Ｆｅ％Ｃｏ及びＮｉのうちの２徨以上
からなゐ付会を意味する。
る堰後金ＪＩ４は、Ｆｅｓ Ｃｏ及びＮｉ、１１２びに
そＩＬらの合金からなる評より１棟以上が選ばれる。そ
れらの合金とは、Ｆｅ％Ｃｏ及びＮｉのうちの２徨以上
からなゐ付会を意味する。
セして、不可避不純物としては、元素陶期体表の３ａ、
７ａ元素、Ｓｔ、 Ｃａ、 Ａｔ、 Ｃ、Ｐ ％ Ｓ、
Ｔａ、 Ｍｎ、数案等が挙げられる。
７ａ元素、Ｓｔ、 Ｃａ、 Ａｔ、 Ｃ、Ｐ ％ Ｓ、
Ｔａ、 Ｍｎ、数案等が挙げられる。
鶴） 組成
この発明の焼結複合ターゲット材は、１）項で述べた希
土類金属の１種以上：３０〜５０］１貢％、１）項で述
べた遷移金属の１ｍ以上と不可避不純物：残りからなる
組成を有する。
土類金属の１種以上：３０〜５０］１貢％、１）項で述
べた遷移金属の１ｍ以上と不可避不純物：残りからなる
組成を有する。
希土類金属が３０重ｉｔ憾未満でも５０Ｘｔチを超えて
も、この焼結複合ターゲット材を用いてスパッタリング
により得られる膜の磁化特性は垂直とはならずにすべて
面内磁化特性を臂し、さらに保磁力も小さくなり、笑用
土便用で＠ない特注であるから、希土類金属の含有ｔｔ
−３０〜５０重重＋ チと定めた。
も、この焼結複合ターゲット材を用いてスパッタリング
により得られる膜の磁化特性は垂直とはならずにすべて
面内磁化特性を臂し、さらに保磁力も小さくなり、笑用
土便用で＠ない特注であるから、希土類金属の含有ｔｔ
−３０〜５０重重＋ チと定めた。
次に、不可避不純物は、原料前の製法上、元素周期ｗｅ
の３ａ族、Ｓｉ、（：’ａ及びＡｔがそれぞれ０．０１
１１％以下、ｃ、ｐ及びＳがそれぞれＬ）、０３ｍｔ優
以下、ｒｌｔａ及び廊がそｎぞれ０．３電を優以下含ん
でいる。
の３ａ族、Ｓｉ、（：’ａ及びＡｔがそれぞれ０．０１
１１％以下、ｃ、ｐ及びＳがそれぞれＬ）、０３ｍｔ優
以下、ｒｌｔａ及び廊がそｎぞれ０．３電を優以下含ん
でいる。
出） 酸素富有量
この発明の焼結複合ターゲット材中に不可避不純物とし
て含まれる酸素の童は、従来の合金ターゲット材と比較
して、大巾に低減されており。
て含まれる酸素の童は、従来の合金ターゲット材と比較
して、大巾に低減されており。
０．３電１％以下である。したがって、この発明の焼結
複合ターゲット材を用いてスパッタリングにより得られ
た膜は光磁気記録に必責な垂直磁化特性を示すのである
。
複合ターゲット材を用いてスパッタリングにより得られ
た膜は光磁気記録に必責な垂直磁化特性を示すのである
。
ｉＶ） 組織
この＠明の焼結複合ターゲット材は、第３図の顕微−写
真にも示されるように、希土類金属粒子と遷移金属粒子
との界面に反応拡散層が存在する組ｍを有する。反応拡
散８）は上記第３図の顕微鏡写真に示す：うに層を形成
する場合もあり、又、層を形成しないで例えば分散（点
在）状態で存在する場合もある。接会強反の＠からは、
反応拡散 相（希土類金属と遷移金属との同相拡散
及び反応によ）生じた相）は層吠で存在す−るのが好ｌ
しい。
真にも示されるように、希土類金属粒子と遷移金属粒子
との界面に反応拡散層が存在する組ｍを有する。反応拡
散８）は上記第３図の顕微鏡写真に示す：うに層を形成
する場合もあり、又、層を形成しないで例えば分散（点
在）状態で存在する場合もある。接会強反の＠からは、
反応拡散 相（希土類金属と遷移金属との同相拡散
及び反応によ）生じた相）は層吠で存在す−るのが好ｌ
しい。
この反応拡散層の含有゛割合（但し、空１１に除いた官
有割付）は、０．２〜８０容量チが望ましい。その含有
割合が０．２容量係未満では、粒子同志の結曾力が弱く
なり、敗り扱い及び刀ｌ工中に破損し易くなるため、１
ｇｌシ扱いや加工が困難乃至不可能となり、一方、８０
容量嗟を超えると、靭性が低下し、取９扱い中に簡単に
砕けたり、スパッタリング中の熱衝撃などにより表面に
微小クラツクが入っ友り割れた９するようになるからで
ある。より望ましくは、反応拡散層の官有割付は１〜５
０容ｔ％でるる 〔実施例〕 以下、実施例によシ、この発明の焼結ターゲット材を詳
しく説明する。
有割付）は、０．２〜８０容量チが望ましい。その含有
割合が０．２容量係未満では、粒子同志の結曾力が弱く
なり、敗り扱い及び刀ｌ工中に破損し易くなるため、１
ｇｌシ扱いや加工が困難乃至不可能となり、一方、８０
容量嗟を超えると、靭性が低下し、取９扱い中に簡単に
砕けたり、スパッタリング中の熱衝撃などにより表面に
微小クラツクが入っ友り割れた９するようになるからで
ある。より望ましくは、反応拡散層の官有割付は１〜５
０容ｔ％でるる 〔実施例〕 以下、実施例によシ、この発明の焼結ターゲット材を詳
しく説明する。
実施例１
平均粒径が１００ ｐｍのＴｂ粉末（純度：９９．９％
）とＦｅ粉末（純度９９．９９％）とを用意し、Ｔｂ粉
末：４９：ｉ（ｔ％、 Ｆｅ粉末＝５１″Ｍ蓋％（７）
配合割合で配付シ、ボールミルを用いて３０分間トルエ
ン中で混合し、その後、取り出し乾燥し、内径が１２７
■のホットプレスモールド内に１６０？充填し、昇温速
度８００℃／ｈｒ、で昇温し、ＳＯＯ℃に達したら、真
空度１０−”ｔｏｒｒ、加圧圧力４００ ｇｏ ／ａｔ
？及び保持時間１５分の条件でホットプレスを行ない、
に示す組織、即ち、Ｔｂ粒子とＦｅ粒子との界面に平均
層厚１μｍの’ｌ’ｂ 、Ｆｅなどの金属間化合物から
なる反応拡散層が存在し、しかもＴｂ粒子とＦｅ粒子と
反応拡散層とがそれぞれ４４容量％、４８容量係、及び
８容量係でおる組甑金有し、直径が１２７ｍで厚さ１．
５ ｍの焼結複合ターゲット材を得た。この焼結複合タ
ーゲット材のｔＲ素含肩ｔは０． Ｉ Ｊｉ童係である
。反応拡散層が金属間化合物からなっていることは、Ｘ
ＭＡライン分析で確認した。
）とＦｅ粉末（純度９９．９９％）とを用意し、Ｔｂ粉
末：４９：ｉ（ｔ％、 Ｆｅ粉末＝５１″Ｍ蓋％（７）
配合割合で配付シ、ボールミルを用いて３０分間トルエ
ン中で混合し、その後、取り出し乾燥し、内径が１２７
■のホットプレスモールド内に１６０？充填し、昇温速
度８００℃／ｈｒ、で昇温し、ＳＯＯ℃に達したら、真
空度１０−”ｔｏｒｒ、加圧圧力４００ ｇｏ ／ａｔ
？及び保持時間１５分の条件でホットプレスを行ない、
に示す組織、即ち、Ｔｂ粒子とＦｅ粒子との界面に平均
層厚１μｍの’ｌ’ｂ 、Ｆｅなどの金属間化合物から
なる反応拡散層が存在し、しかもＴｂ粒子とＦｅ粒子と
反応拡散層とがそれぞれ４４容量％、４８容量係、及び
８容量係でおる組甑金有し、直径が１２７ｍで厚さ１．
５ ｍの焼結複合ターゲット材を得た。この焼結複合タ
ーゲット材のｔＲ素含肩ｔは０． Ｉ Ｊｉ童係である
。反応拡散層が金属間化合物からなっていることは、Ｘ
ＭＡライン分析で確認した。
この焼結複合ターゲット材の抗折力は１３縁／−でめり
、耐熱衝′ＩｊＡ性も良好でめった。
、耐熱衝′ＩｊＡ性も良好でめった。
マグネトロンスパッタリング（スパッタリング条件は（
１）の合金ターゲット材の問題点ｅ）の条件と同じ）に
、この焼結′：４Ｊ１．盆ターゲット材を用いたときの
スパッタリング速度は５０００ Ａ／ ｍｉｎ、でめっ
た。
１）の合金ターゲット材の問題点ｅ）の条件と同じ）に
、この焼結′：４Ｊ１．盆ターゲット材を用いたときの
スパッタリング速度は５０００ Ａ／ ｍｉｎ、でめっ
た。
実施例２
平均粒径が２０μｍのＦｅ粉床（純度：９１．９１）と
Ｃ（ｌ末（純度：９９．９９９６）とＴｂ粉末（Ｎ［：
９９．９係）とＧｄ粉床（純度： ９９．９係）とを用
意し、Ｆｅ粉末：３９．４１！［量％、 Ｃｏ粉床：３
６．４］ｉ１ｔ％、Ｔｂ１ｌＥ： １２．５１１％、
Ｇｄ粉：ｉ：１１．７ｆｉ童優の配合割合で配合し、以
下、ホットプレスモールド内径を２０３箇、充填量を７
７０ｆ及びホットプレス温度を６００℃とすることを除
いて、実施例１と同様に行ない、配付組成と実質的に同
じ組成を有し、かつＴｂ粒子やＧｄａ子とＦｅ粒子やＣ
ｏ’Ｈ。
Ｃ（ｌ末（純度：９９．９９９６）とＴｂ粉末（Ｎ［：
９９．９係）とＧｄ粉床（純度： ９９．９係）とを用
意し、Ｆｅ粉末：３９．４１！［量％、 Ｃｏ粉床：３
６．４］ｉ１ｔ％、Ｔｂ１ｌＥ： １２．５１１％、
Ｇｄ粉：ｉ：１１．７ｆｉ童優の配合割合で配合し、以
下、ホットプレスモールド内径を２０３箇、充填量を７
７０ｆ及びホットプレス温度を６００℃とすることを除
いて、実施例１と同様に行ない、配付組成と実質的に同
じ組成を有し、かつＴｂ粒子やＧｄａ子とＦｅ粒子やＣ
ｏ’Ｈ。
子との界−に層厚が１〜５μｍの軸回でおる反応拡散層
が存在し、しかも、 Ｔｂ粒子、Ｇｄ粒子、Ｆｅ粒子、
Ｃｏ粒子及び反応拡散層がそれぞれ２３容ｔ％、１２答
童釜、３２容蓋憾、２８容量係及び５容蓋僑であるＭＡ
ｗＩｃを有し、直径が２０３調で厚さ３調の焼結複合タ
ーゲット材金得た。この焼結ａ曾ターゲット材の酸素含
有ｔは０．２１を憾でるる。
が存在し、しかも、 Ｔｂ粒子、Ｇｄ粒子、Ｆｅ粒子、
Ｃｏ粒子及び反応拡散層がそれぞれ２３容ｔ％、１２答
童釜、３２容蓋憾、２８容量係及び５容蓋僑であるＭＡ
ｗＩｃを有し、直径が２０３調で厚さ３調の焼結複合タ
ーゲット材金得た。この焼結ａ曾ターゲット材の酸素含
有ｔは０．２１を憾でるる。
この焼結ａ曾ターゲット材の抗折力Ｕ１２１！ｗ／−で
あり、耐熱衝撃性も良好であった。実施例１と同じスパ
ッタリング条件のマグネトロンスパッタリングに用いた
ときのスパッタリング速度は６２００ Ａ／ｍｉｎ、で
あった。
あり、耐熱衝撃性も良好であった。実施例１と同じスパ
ッタリング条件のマグネトロンスパッタリングに用いた
ときのスパッタリング速度は６２００ Ａ／ｍｉｎ、で
あった。
実施例３
平均＠０．２■Ｘ平均庫０．０５■×平均長さ２■のＴ
ｂ片（純度： ９９．９％）とｌｉ’ｅ−５１１％Ｃｏ
会金片を用意し、Ｔｂ片：４９重量％ 、 、−Ｆｅ合
金片：５１電童憾の配合割合で配合し、以下、充ａｍを
１７０９及びホットプレス温度を６００℃とすることを
除いて、災に？１１１と同様に行ない、配合組成と実質
的に同じ組成を有し、かつｊｇ２図に示す組賊、即ち、
片状のＴｂ粒子と片状のＦｅ層−金粒子との界面に反応
拡散層が存在し、Ｔｂ粒子、Ｆｅ合金粒子及び反応拡散
層がそれぞれ２１容ｊｊｋＬＩＪ、５５容ｔｓ及び２４
容ｔチである組賊を有し、直径が１２７ｍで厚さ２ｍの
焼結複合ターゲット材を得た。この焼結被酋ターゲット
材の酸素含有量は０．０１電童憾である。
ｂ片（純度： ９９．９％）とｌｉ’ｅ−５１１％Ｃｏ
会金片を用意し、Ｔｂ片：４９重量％ 、 、−Ｆｅ合
金片：５１電童憾の配合割合で配合し、以下、充ａｍを
１７０９及びホットプレス温度を６００℃とすることを
除いて、災に？１１１と同様に行ない、配合組成と実質
的に同じ組成を有し、かつｊｇ２図に示す組賊、即ち、
片状のＴｂ粒子と片状のＦｅ層−金粒子との界面に反応
拡散層が存在し、Ｔｂ粒子、Ｆｅ合金粒子及び反応拡散
層がそれぞれ２１容ｊｊｋＬＩＪ、５５容ｔｓ及び２４
容ｔチである組賊を有し、直径が１２７ｍで厚さ２ｍの
焼結複合ターゲット材を得た。この焼結被酋ターゲット
材の酸素含有量は０．０１電童憾である。
この焼結複合ターゲット材の抗折力はｌ ７ Ｋｑ／ｗ
ｍ”でめり、耐熱衝Ｓ性も良好でめった。実り例１と同
じスパッタリング条件のマグネトロンスパッタリングに
用い之ときのスパッタリング速度は４７００ Ａ／ｍｉ
ｎ、で６ ッ７ｊ。
ｍ”でめり、耐熱衝Ｓ性も良好でめった。実り例１と同
じスパッタリング条件のマグネトロンスパッタリングに
用い之ときのスパッタリング速度は４７００ Ａ／ｍｉ
ｎ、で６ ッ７ｊ。
実施例４
平均粒径１００ ｐｍ ＯＣｏ粉末（純度：９９．９９
％）に平均層厚１μｍでＦａｔ−メッキする。この結果
得られた粉末の組成は、Ｃｏ ： ９７１１Ｌｉｔ ９
６ 、Ｆｅ ：３［菫％からなる。
％）に平均層厚１μｍでＦａｔ−メッキする。この結果
得られた粉末の組成は、Ｃｏ ： ９７１１Ｌｉｔ ９
６ 、Ｆｅ ：３［菫％からなる。
別に、平均粒径１００ ｐｍのＴｂＴｂ−２ｍ％ＨＯ合
位ケ末をも用意し、ＦｅメブキＣｏ粉末：５８．４ｍ瀘
優、Ｔｂ曾合金粉末４１．６重を憾の配合割合で配会し
、以下、元５ｉｔ−ａ１ｏｆ及びホットプレス温度を６
００℃とすることを除いて、実施例１と同様に行ない、
配付組成と実質的に同じ組成を有し、反応拡散層がＦｅ
メッキ層と′ｒｂＴｂ合金粒子界面に存在し、Ｔｂ合金
粒子とＦｅ層とＣｏ粒子と反応拡散層がそ扛ぞｎ４４容
童％、２．８容菫臀、５３容量チ及び０．２容菫チであ
る組数を有し、直径が１２７ｍで厚さ３窮の焼結複合タ
ーゲット材を得た。この焼結複合ターゲット材の酸素含
有量は０．１８重量慢である。
位ケ末をも用意し、ＦｅメブキＣｏ粉末：５８．４ｍ瀘
優、Ｔｂ曾合金粉末４１．６重を憾の配合割合で配会し
、以下、元５ｉｔ−ａ１ｏｆ及びホットプレス温度を６
００℃とすることを除いて、実施例１と同様に行ない、
配付組成と実質的に同じ組成を有し、反応拡散層がＦｅ
メッキ層と′ｒｂＴｂ合金粒子界面に存在し、Ｔｂ合金
粒子とＦｅ層とＣｏ粒子と反応拡散層がそ扛ぞｎ４４容
童％、２．８容菫臀、５３容量チ及び０．２容菫チであ
る組数を有し、直径が１２７ｍで厚さ３窮の焼結複合タ
ーゲット材を得た。この焼結複合ターゲット材の酸素含
有量は０．１８重量慢である。
この焼結複合ターゲット材の抗折力は９１１／ｗ”であ
シ、耐熱衝撃性も良好でめった。実施例１と同じスパッ
タリング条件のマグネトロンスパッタリングに用いたと
きのスパッタリング速度は４５００ Ａ／ｍｉｎ、で４
った。
シ、耐熱衝撃性も良好でめった。実施例１と同じスパッ
タリング条件のマグネトロンスパッタリングに用いたと
きのスパッタリング速度は４５００ Ａ／ｍｉｎ、で４
った。
実施例５
平均粒径１０μｍのＴｂ−５３ｍ１％加合金粉末、平均
粒径１０μｍのＤｙ ５ ＩＩＨｔ ％Ｈｏ合金粉末
及び平均粒径２００μｍのＦｅシ、フト（純度：９９、
９９係）を用意し、Ｔｂ会合金粉末２０ｇ童ｓ、Ｄｙ合
金粉末：２３］１，１％及びＦｅシ璽ｙト：５７電童憾
の配合組成で配合し、以下、ホットプレスモールド内径
を２０３ｍ、光項童を７５０２及びホットプレス温［ｔ
”６００℃とすることを除いて、実施例１と同様に行な
い、配合組成と実−的に同じ組成を有し、かつ第３図に
示す組数、即ち、反応拡散層がＴｂ合金粒子やＤｙ盆金
粒子とＦｅ粒子との界面に存在し、Ｔｂ合金粒子：Ｄｙ
会金粒子二Ｆｅ粒子：反応拡散層・１７容量優：１７容
を憾：１７容を憾：４９容童暢の組執を有し、直径が２
０３ｍで厚さ４調の焼結複合ターゲット材を得た。この
焼結複合ターゲット材のｌ！１！累含有蓋は０．２４重
量係である。
粒径１０μｍのＤｙ ５ ＩＩＨｔ ％Ｈｏ合金粉末
及び平均粒径２００μｍのＦｅシ、フト（純度：９９、
９９係）を用意し、Ｔｂ会合金粉末２０ｇ童ｓ、Ｄｙ合
金粉末：２３］１，１％及びＦｅシ璽ｙト：５７電童憾
の配合組成で配合し、以下、ホットプレスモールド内径
を２０３ｍ、光項童を７５０２及びホットプレス温［ｔ
”６００℃とすることを除いて、実施例１と同様に行な
い、配合組成と実−的に同じ組成を有し、かつ第３図に
示す組数、即ち、反応拡散層がＴｂ合金粒子やＤｙ盆金
粒子とＦｅ粒子との界面に存在し、Ｔｂ合金粒子：Ｄｙ
会金粒子二Ｆｅ粒子：反応拡散層・１７容量優：１７容
を憾：１７容を憾：４９容童暢の組執を有し、直径が２
０３ｍで厚さ４調の焼結複合ターゲット材を得た。この
焼結複合ターゲット材のｌ！１！累含有蓋は０．２４重
量係である。
この焼結複合ターゲット材の抗折力は１０ｈ／ｓ／であ
り、耐熱衝撃性も良好であった。実施例１と同じスパッ
タリング条件のマグネトロンスパッタリングに用いたと
きのスパッタリング速度は５８００Ａ／ｍｉｎ、でおっ
た。
り、耐熱衝撃性も良好であった。実施例１と同じスパッ
タリング条件のマグネトロンスパッタリングに用いたと
きのスパッタリング速度は５８００Ａ／ｍｉｎ、でおっ
た。
実施例６
実施例１において、第１表に示す配合組成の配合物を用
いる他は、はぼ同様にして、配合組成と実質的に同じｆ
ｆｉ成であって第１表記載の酸素含有量含有し、かつ、
希土類金属粒子と遷移金属粒子ｌ との界面に第１表
に示す含有量の反応拡散層が存在する組織含有する焼結
複合ターゲフ）材（＠径１２７ｆｉ、厚さ５■）を得た
。
いる他は、はぼ同様にして、配合組成と実質的に同じｆ
ｆｉ成であって第１表記載の酸素含有量含有し、かつ、
希土類金属粒子と遷移金属粒子ｌ との界面に第１表
に示す含有量の反応拡散層が存在する組織含有する焼結
複合ターゲフ）材（＠径１２７ｆｉ、厚さ５■）を得た
。
これらの焼結複合ターゲット材の抗折力及び実施例１と
同じ条件でのマグネトロンスパッタリングにおけるスパ
ッタリング速度を測定し、その結果を第１表に示した。
同じ条件でのマグネトロンスパッタリングにおけるスパ
ッタリング速度を測定し、その結果を第１表に示した。
実施例１〜５及び第１表かられかるように、この発明の
焼結複合ターゲット材は、抗折力が約７〜２０−／−と
靭性が大きく、耐熱衝撃性も良好なので、取υ扱い中や
スパッタリングの熱Ｉｌ撃によシ割れることがない。そ
して、一体的に形成された物であり靭性も大きいので、
回転や反転することもできるものでおる。又、こ６発明
の焼結複合ターゲット材の酸素含有量は、０．３１１％
以下であるので、この発明の焼結複合ターゲット材を用
いてスパッタリングすれば、元磁気記会に好適な垂直磁
化層を簡単に製造することができる。しかも、その際に
、スパッタリング速度が４０００〜７０００＾／１ｎｉ
ｎ、と、従来のターゲット材に比べて２〜７倍も大きい
ので、１／２−１／７の短時間で所望の層重のｆ＃Ｉ膜
を製造することができるものであり、したがって、この
発明の焼結複合ターゲット材は、スパッタリング法の欠
点であった小さな薄膜形成速度を大巾に改良することが
できるものである。その原因は明らかではないが、１つ
には、この発明の焼結複合ターゲット材はもれ磁束が広
く、かつ大きい九めとも考えられる。
焼結複合ターゲット材は、抗折力が約７〜２０−／−と
靭性が大きく、耐熱衝撃性も良好なので、取υ扱い中や
スパッタリングの熱Ｉｌ撃によシ割れることがない。そ
して、一体的に形成された物であり靭性も大きいので、
回転や反転することもできるものでおる。又、こ６発明
の焼結複合ターゲット材の酸素含有量は、０．３１１％
以下であるので、この発明の焼結複合ターゲット材を用
いてスパッタリングすれば、元磁気記会に好適な垂直磁
化層を簡単に製造することができる。しかも、その際に
、スパッタリング速度が４０００〜７０００＾／１ｎｉ
ｎ、と、従来のターゲット材に比べて２〜７倍も大きい
ので、１／２−１／７の短時間で所望の層重のｆ＃Ｉ膜
を製造することができるものであり、したがって、この
発明の焼結複合ターゲット材は、スパッタリング法の欠
点であった小さな薄膜形成速度を大巾に改良することが
できるものである。その原因は明らかではないが、１つ
には、この発明の焼結複合ターゲット材はもれ磁束が広
く、かつ大きい九めとも考えられる。
第１図のａは、この発明の焼結複合ターゲット材の金属
組織な示す顕微鏡写真、第１図のｂは、第１図のａの顕
微鏡写真を説明する九めの一部拡大模式図、第２図は、
この発明の別の焼結複合ターゲット材の霊鳥組織な示す
顕微鏡写真、第３図は、この発明の更に別の焼結複合タ
ーゲット材の霊鳥組織を示す顕微鏡写真である。
組織な示す顕微鏡写真、第１図のｂは、第１図のａの顕
微鏡写真を説明する九めの一部拡大模式図、第２図は、
この発明の別の焼結複合ターゲット材の霊鳥組織な示す
顕微鏡写真、第３図は、この発明の更に別の焼結複合タ
ーゲット材の霊鳥組織を示す顕微鏡写真である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ及びＥｒ並びにそれらの
合金からなる群より選ばれた希土類金属の１種以上：３
０〜５０％、 Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉ並びにそれらの合金からなる群より
選ばれた遷移金属の１種以上と不可避不純物：残りから
なる組成（以上、重量％）を有するターゲット材にして
、 希土類金属粒子と遷移金属粒子との界面に反応拡散相が
存在する組織を有することを特徴とする焼結複合ターゲ
ット材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24183184A JPS61119648A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 焼結複合タ−ゲツト材 |
| US06/787,529 US4620872A (en) | 1984-10-18 | 1985-10-15 | Composite target material and process for producing the same |
| DE19853537191 DE3537191A1 (de) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | Verbundtargetmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24183184A JPS61119648A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119648A true JPS61119648A (ja) | 1986-06-06 |
| JPH036218B2 JPH036218B2 (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=17080143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24183184A Granted JPS61119648A (ja) | 1984-10-18 | 1984-11-16 | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119648A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256962A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
| JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| JPH01142078A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| US4957549A (en) * | 1987-04-20 | 1990-09-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Rare earth metal-iron group metal target, alloy powder therefor and method of producing same |
| US5338331A (en) * | 1991-06-12 | 1994-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Low-permeability high-strength target material for the formation of thin magnetooptical recording films |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015070115A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 電子デバイス用構造体、プラズマｃｖｄ装置、および成膜方法 |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24183184A patent/JPS61119648A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256962A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
| US4957549A (en) * | 1987-04-20 | 1990-09-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Rare earth metal-iron group metal target, alloy powder therefor and method of producing same |
| US5062885A (en) * | 1987-04-20 | 1991-11-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Rare earth metal-iron group metal target, alloy powder therefor and method of producing same |
| US5098649A (en) * | 1987-04-20 | 1992-03-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Rare earth metal-iron group metal target, alloy powder therefor and method of producing same |
| JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| JPH0553867B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1993-08-11 | Sumitomo Metal Mining Co | |
| JPH01142078A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| US5338331A (en) * | 1991-06-12 | 1994-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Low-permeability high-strength target material for the formation of thin magnetooptical recording films |
| KR100259319B1 (ko) * | 1991-06-12 | 2000-06-15 | 아끼모토 유미 | 박막 자기광학적 기록필름 형성을 위한 고강도, 저투자율의 타겟소재 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036218B2 (ja) | 1991-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |