TW202125544A - R-t-b系永磁材料及其製備方法和應用 - Google Patents

R-t-b系永磁材料及其製備方法和應用 Download PDF

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Abstract

本發明公開了一種R-T-B系永磁材料及其製備方法和應用。該R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%；其中：所述R’包括Pr，所述Pr的含量≧8.85 wt.%；C：0.106-0.26 wt.%；O：≦0.07 wt.%；X：0-5.0 wt.%，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti、Nb和Mn中的一種或多種；B：0.90-1.2 wt.%；Fe：61.4-69.5 wt.%。本發明所提供的R-T-B系永磁材料可在無重稀土的條件下實現永磁材料性能的提升，且無需控制工藝過程中所引入的碳元素的含量，在高碳元素含量的條件下，磁體仍然保持優異的性能。

Description

R-T-B系永磁材料及其製備方法和應用
本發明係有關一種R-T-B系永磁材料及其製備方法和應用。
自1979年由蘇聯科學家發現Nd2 Fe14 B以來，美國和日本的研究者率先對該物相的性能進行研究，目前由PrNd組成的物相（Pr、Nd的質量比為20:80或者25:75）已經應用於商業中進行燒結永磁體的生產，由於其具有高磁能積和高剩磁等優勢，目前已在電機、電聲器件、電腦硬碟驅動器(HDD)、軍工設備、人體核磁共振成像儀(MRI)、微波通訊技術、控制器、儀錶等方面受到了廣泛應用。
隨著科學技術的進步，目前對Nd-Fe-B的性能提出了更高的要求，許多研究者通過加入大量的重稀土Dy或Tb來實現釹鐵硼材料性能的提升，但過多的採用重稀土會使得材料成本急劇增加，同時重稀土資源相對較少。
因此，如何利用資源豐富的元素製得具有高矯頑力、高剩磁的釹鐵硼材料為本領域亟需解決的技術問題。
此外，如何使批量生產的磁體實現磁性能的高均一性、高穩定性，同時控制生產成本，也是本領域一直致力於解決的問題。然而，釹鐵硼磁體在工藝過程中會不可避免地引入碳、硫、氫、氧、氮等雜質元素，對生產磁性能均一穩定的磁體提出了不小的挑戰。並且，本領域一般認為碳雜質含量偏高，會導致磁體主相晶粒大小及富釹相分佈不均勻，造成磁體各項性能指標均有不同程度的下降。因此，目前為了改善磁體的均一穩定性，需要對生產工藝嚴格控制。
本發明所要解決的技術問題在於克服現有技術中燒結釹鐵硼磁鐵性能提升過度依賴於重稀土元素，同時燒結釹鐵硼磁鐵中碳元素的含量過高會導致磁體性能下降的缺陷，而提供了一種R-T-B系永磁材料及其製備方法和應用。本發明所提供的R-T-B系永磁材料可在無重稀土的條件下實現永磁材料性能的提升，且無需控制工藝過程中所引入的碳元素的含量，在高碳元素含量的條件下，磁體仍然保持優異的性能。
本發明提供了一種R-T-B系永磁材料，以質量百分比計，其包括下述組分：
R’：29.5-33.5 wt.%；其中：所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr，所述Pr的含量≧8.85 wt.%；
C：0.106-0.26 wt.%；
O：≦0.07 wt.%；
X：0-5.0 wt.%，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti、Nb和Mn中的一種或多種；
B：0.90-1.2 wt.%；
Fe：61.4-69.5 wt.%。
本發明中，所述R’的含量優選為29.5-33.4 wt.%，例如29.5 wt.%、30.5 wt.%、30.8 wt.%、31.0 wt.%、31.013 wt.%、31.075 wt.%、31.115 wt.%、31.5 wt.%、32.0 wt.%、32.3 wt.%、32.8 wt.%或33.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述Pr的含量優選為8.85-27.15 wt.%，更優選為≧17.00 wt.%，例如8.846 wt.%、8.848 wt.%、8.849 wt.%、8.851 wt.%、9.852 wt.%、10.148 wt.%、10.151 wt.%、10.848 wt.%、10.849 wt.%、11.848 wt.%、12.148 wt.%、12.15 wt.%、12.151 wt.%、13.149 wt.%、14.147 wt.%、14.148 wt.%、14.149 wt.%、14.151 wt.%、14.152 wt.%、16.148 wt.%、16.151 wt.%、16.152 wt.%、17.148 wt.%、17.149 wt.%、17.15 wt.%、17.151 wt.%、17.152 wt.%、18.148 wt.%、18.149 wt.%、18.151 wt.%、18.152 wt.%、19.148 wt.%、19.149 wt.%、19.15 wt.%、19.151 wt.%、19.152 wt.%、20.148 wt.%、20.149 wt.%、20.15 wt.%、20.152 wt.%、21.148 wt.%、22.149 wt.%、22.151 wt.%、23.149 wt.%、23.15 wt.%、24.148 wt.%、24.151 wt.%、24.152 wt.%、25.152 wt.%或27.148 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述R’中還可包括Nd和/或R，所述R為除Pr、Nd外的稀土元素。
其中，所述Nd的含量優選為3.3-23.0 wt.%，例如3.348 wt.%、5.352 wt.%、6.652 wt.%、6.851 wt.%、7.351 wt.%、7.353 wt.%、7.849 wt.%、8.351 wt.%、8.651 wt.%、8.652 wt.%、8.852 wt.%、9.349 wt.%、9.352 wt.%、10.651 wt.%、10.851 wt.%、11.348 wt.%、11.351 wt.%、11.352 wt.%、11.651 wt.%、11.652 wt.%、11.851 wt.%、12.351 wt.%、12.352 wt.%、12.649 wt.%、12.65 wt.%、12.651 wt.%、12.652 wt.%、13.348 wt.%、13.352 wt.%、13.353 wt.%、13.649 wt.%、13.651 wt.%、13.653 wt.%、13.848 wt.%、13.852 wt.%、14.348 wt.%、14.35 wt.%、14.351 wt.%、14.352 wt.%、14.355 wt.%、14.652 wt.%、14.849 wt.%、15.352 wt.%、15.353 wt.%、16.349 wt.%、16.35 wt.%、16.651 wt.%、16.848 wt.%、17.352 wt.%、17.652 wt.%、18.335 wt.%、18.651 wt.%、18.652 wt.%、18.849 wt.%、19.351 wt.%、19.649 wt.%、19.652 wt.%、20.652 wt.%、20.851 wt.%、21.353 wt.%、21.647 wt.%、21.648 wt.%、21.649 wt.%、21.951 wt.%、22.149 wt.%或22.652 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
其中，所述Nd和所述R’的質量比優選為≦0.72，更優選為＜0.5，例如0.110、0.175、0.216、0.221、0.233、0.241、0.253、0.281、0.283、0.286、0.297、0.307、0.317、0.346、0.350、0.360、0.366、0.372、0.378、0.382、0.385、0.392、0.395、0.411、0.416、0.422、0.424、0.438、0.443、0.447、0.456、0.470、0.476、0.479、0.487、0.520、0.536、0.541、0.544、0.551、0.554、0.588、0.598、0.601、0.606、0.608、0.614、0.632、0.644、0.666、0.671、0.673、0.678、0.696、0.697、0.700、0.710、0.713、0.714、0.715或0.719。
其中，所述R的種類優選為Y和/或Ce。
其中，所述R的含量優選為0-1 wt.%，例如0.29 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
本發明中，所述R’中還可包括重稀土元素RH。
其中，所述RH的種類可為Dy和/或Tb。
其中，所述RH的含量可為本領域常規的含量，優選為0.5-2.6 wt.%，例如0.58 wt.%、0.62 wt.%、1.212 wt.%、1.219 wt.%、1.51 wt.%、1.991 wt.%、2.011 wt.%、2.511 wt.%或2.512 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
其中，所述RH和所述R的質量比優選為＜0.253，例如0.019-0.075，再例如0.019、0.020、0.038、0.039、0.047、0.061或0.075。
當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量優選為0.5-2.0wt.%，例如1.991 wt.%、1.212 wt.%、1.219 wt.%或0.58wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量優選為0.6-2.52wt.%，例如0.62 wt.%、1.51 wt.%、2.011 wt.%、2.511 wt.%或2.512 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
本發明中，所述C的含量優選為0.106-0.25 wt.%，例如0.1062 wt.%、0.1069 wt.%、0.1072 wt.%、0.1075 wt.%、0.1251 wt.%、0.1253 wt.%、0.1256 wt.%、0.1532 wt.%、0.1534 wt.%、0.1537 wt.%、0.1759 wt.%、0.1761 wt.%、0.1764 wt.%、0.1835 wt.%、0.184 wt.%、0.1843 wt.%、0.1846 wt.%、0.1965 wt.%、0.197 wt.%、0.1973 wt.%、0.2139 wt.%、0.2144 wt.%、0.2147 wt.%、0.2243 wt.%、0.2245 wt.%、0.2248 wt.%、0.2251 wt.%、0.2379 wt.%或0.2456 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述O的含量優選為≦0.0691 wt.%，例如0.0382 wt.%、0.0384 wt.%、0.039 wt.%、0.0391 wt.%、0.041 wt.%、0.0412 wt.%、0.0432 wt.%、0.0442 wt.%、0.0444 wt.%、0.0456 wt.%、0.0458 wt.%、0.0468 wt.%、0.0492 wt.%、0.0493 wt.%、0.0494 wt.%、0.05 wt.%、0.0501 wt.%、0.0503 wt.%、0.0523 wt.%、0.0529 wt.%、0.0531 wt.%、0.0558 wt.%、0.0564 wt.%、0.0566 wt.%、0.0582 wt.%、0.0588 wt.%、0.059 wt.%、0.0635 wt.%、0.0641 wt.%、0.0643 wt.%、0.0669 wt.%、0.0675 wt.%、0.0685 wt.%或0.0691 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述B的含量優選為0.94-1.1wt.%，例如0.946 wt.%、0.947 wt.%、0.948 wt.%、0.949 wt.%、0.951 wt.%、0.952 wt.%、0.958 wt.%、0.961 wt.%、0.962 wt.%、0.981 wt.%、0.982 wt.%、0.985 wt.%、0.998 wt.%、1.008 wt.%、1.009 wt.%、1.01 wt.%、1.011 wt.%或1.012wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述Fe的含量優選為61.4-69.3 wt.%，例如61.49 wt.%、61.60 wt.%、62.15 wt.%、62.19 wt.%、62.66 wt.%、62.91 wt.%、63.52 wt.%、63.62 wt.%、63.66 wt.%、64.71 wt.%、65.85 wt.%、66.02 wt.%、66.15 wt.%、66.19 wt.%、66.22 wt.%、66.23 wt.%、66.30 wt.%、66.37 wt.%、66.40 wt.%、66.44 wt.%、66.57 wt.%、66.66 wt.%、66.70 wt.%、66.72 wt.%、66.75 wt.%、66.82 wt.%、66.85 wt.%、66.88 wt.%、66.91 wt.%、66.94 wt.%、66.95 wt.%、66.98 wt.%、67.08 wt.%、67.15 wt.%、67.17 wt.%、67.23 wt.%、67.27 wt.%、67.29 wt.%、67.30 wt.%、67.31 wt.%、67.32 wt.%、67.34 wt.%、67.40 wt.%、67.42 wt.%、67.47 wt.%、67.48 wt.%、67.54 wt.%、67.64 wt.%、67.65 wt.%、67.69 wt.%、67.71 wt.%、67.74 wt.%、67.78 wt.%、67.80 wt.%、68.22 wt.%、68.24 wt.%、68.25 wt.%、68.27 wt.%、68.28 wt.%、68.31 wt.%、68.32 wt.%、68.34 wt.%、68.36 wt.%、68.73 wt.%、68.83 wt.%、68.95 wt.%、69.03 wt.%、69.10 wt.%或69.25 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述X可為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti或Nb，還可為“Cu和Al”、“Ga和Mn”、“Cu、Al和Ga”、“Cu、Al、Ga和Zr”、“Cu、Al、Ga和Co”或“Cu、Al、Ga、Zr和Co”。
本發明中，所述X的含量優選為0-4.5 wt.%，例如0.021 wt.%、0.041 wt.%、0.101 wt.%、0.102 wt.%、0.201 wt.%、0.202 wt.%、0.251 wt.%、0.301 wt.%、0.302 wt.%、0.351 wt.%、0.352 wt.%、0.362 wt.%、0.401 wt.%、0.421 wt.%、0.423 wt.%、0.451 wt.%、0.497 wt.%、0.5 wt.%、0.501 wt.%、0.523 wt.%、0.526 wt.%、0.601 wt.%、0.602 wt.%、0.643 wt.%、0.673 wt.%、0.702 wt.%、0.704 wt.%、0.743 wt.%、0.801 wt.%、0.803 wt.%、0.871 wt.%、0.882 wt.%、0.894 wt.%、0.901 wt.%、0.945 wt.%、1.021 wt.%、1.022 wt.%、1.105 wt.%、1.194 wt.%、1.274 wt.%、1.305 wt.%、1.402 wt.%、1.506 wt.%、1.562 wt.%、1.732 wt.%、1.905 wt.%、2.501 wt.%、3.803 wt.%、3.809 wt.%、3.813 wt.%、3.814 wt.%、3.865 wt.%、3.959 wt.%、4.199 wt.%、4.207 wt.%或4.208 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
當所述X中包含Cu時，所述Cu的含量優選為0.2-0.51 wt.%，例如0.201 wt.%、0.302 wt.%、0.34 wt.%、0.341 wt.%、0.351 wt.%、0.381 wt.%、0.382 wt.%、0.4 wt.%、0.401 wt.%、0.402 wt.%、0.403 wt.%、0.41 wt.%、0.42 wt.%、0.421 wt.%、0.441 wt.%、0.451 wt.%、0.5 wt.%、0.501 wt.%或0.502wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
當所述X中包含Al時，所述Al的含量優選為0-0.81wt.%、但不為0，例如0.01-0.03 wt.%或0.5-0.8 wt.%，再例如0.01 wt.%、0.021 wt.%、0.03 wt.%、0.041 wt.%、0.042 wt.%、0.101 wt.%、0.102 wt.%、0.103 wt.%、0.202 wt.%、0.298 wt.%、0.301 wt.%、0.302 wt.%、0.351 wt.%、0.401 wt.%、0.402 wt.%、0.403 wt.%、0.451 wt.%、0.497 wt.%、0.501 wt.%、0.502 wt.%、0.601 wt.%、0.602 wt.%、0.702 wt.%、0.801 wt.%、0.802 wt.%或0.81 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
當所述X中包含Ga時，所述Ga的含量優選為0.0-1.85 wt.%、但不為0，更優選為0.1-1.552 wt.%，例如0.102 wt.%、0.151 wt.%、0.202 wt.%、0.251 wt.%、0.3 wt.%、0.301 wt.%、0.302 wt.%、0.399 wt.%、0.401 wt.%、0.42 wt.%、0.421 wt.%、0.501 wt.%、0.502 wt.%、0.901 wt.%、1.402 wt.%或1.552 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比。
當所述X中包含Co時，所述Co的含量優選為0.0-3.0 wt.%、但不為0，更優選為0.5-2.5 wt.%，例如0.5 wt.%、1.0 wt.%或2.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
當所述X中包含Zr時，所述Zr的含量優選為0.25-0.35 wt.%，例如0.25 wt.%、0.30 wt.%或0.35 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
當所述X中包含Nb時，所述Nb的含量優選為0.25-0.35 wt.%，例如0.25 wt.%、0.30 wt.%或0.35 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
當所述X中包含Mn時，所述Mn的含量優選為0.0-0.03 wt.%、但不為0，例如0.01 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述R-T-B系永磁材料中還可包括常規添加元素M，例如Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Hf、Ta和W中的一種或多種。
其中，所述M的種類優選為Cr。
其中，所述M的含量優選為0-0.15 wt.%、但不為0，例如0.05 wt.%或0.12 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述R-T-B系永磁材料中還可包含氮元素N，優選地，所述N元素的含量≦0.05 wt.%，例如0.0182 wt.%、0.0187 wt.%、0.0223 wt.%、0.0228 wt.%、0.025 wt.%、0.0251 wt.%、0.0256 wt.%、0.0284 wt.%、0.0285 wt.%、0.029 wt.%、0.0301 wt.%、0.0302 wt.%、0.0307 wt.%、0.0341 wt.%、0.0342 wt.%、0.0347 wt.%、0.0366 wt.%、0.0371 wt.%、0.0372 wt.%、0.0375 wt.%、0.0378 wt.%、0.0397 wt.%、0.0398 wt.%、0.0401 wt.%、0.0404 wt.%、0.0436 wt.%、0.0439 wt.%、0.0442 wt.%、0.0455 wt.%、0.0458 wt.%、0.0461 wt.%、0.0476 wt.%、0.0482 wt.%、0.0485 wt.%或0.0486 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.2-0.51 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Al：0-0.81wt.%、但不為0，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Ga：0.1-1.85 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%、但不為0，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Zr：0.25-0.35 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Nb：0.25-0.35 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0-0.81wt.%、但不為0，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0-0.81wt.%、但不為0，Ga：0.1-0.5 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.42 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.41 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，Cr：0.05-0.12 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，RH：0.5-2.6 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.41 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Ce：0-1 wt.%，RH：0.5-2.6 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.41 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
本發明中，所述R-T-B系永磁材料中一般包括主相、晶界相和晶間三角區，其中，晶間三角區也稱之為富稀土相。
其中，優選地，所述晶間三角區的體積佔“所述主相、所述晶界相和所述晶間三角區”體積之和的百分比≦9.0%，例如3.2 %、3.3 %、3.7 %、4.6 %、4.8 %或5.3 %。
其中，優選地，所述晶間三角區中，稀土元素的含量為84.35-85.85%，例如84.35 %、84.8 %、84.9 %、85 %、85.2 %、85.3 %、85.4 %或85.85 %，百分比是指佔所述晶間三角區元素總質量的質量百分比。
其中，優選地，所述晶間三角區中，O元素的含量為13.25-14.8%，例如13.25 %、13.7 %、14.2 %、14.3 %、14.4 %、14.5 %、14.6 %、14.7 %、14.75 %或14.8 %，百分比是指佔所述晶間三角區元素總質量的質量百分比。
當所述R-T-B系永磁材料中包括Cu時，優選地，所述晶間三角區中，Cu元素的含量為0.6-0.9%，例如0.6 %、0.8 %或0.9 %，百分比是指佔所述晶間三角區元素總質量的質量百分比。
當所述R-T-B系永磁材料中包括Ga時，優選地，所述晶間三角區中，Ga元素的含量為0.4-0.6%，例如0.4 %或0.6 %，百分比是指佔所述晶間三角區元素總質量的質量百分比。
當所述R-T-B系永磁材料中包括Cu和Ga時，優選地，所述晶間三角區中，Cu元素的含量為0.3-0.4%，Ga元素的含量為0.5-0.6%，例如0.3% Cu、0.6% Ga，0.4% Cu、0.4% Ga，0.4% Cu、0.5% Ga，或者，0.4% Cu、0.6% Ga，百分比是指佔所述晶間三角區元素總質量的質量百分比。
本發明還提供了一種R-T-B系永磁材料的製備方法，其包括下述步驟：將所述R-T-B系永磁材料的原料組合物的熔融液經鑄造、氫破、粉碎得粉體，將所述粉體和分散劑混合，再經壓製、成形、燒結和時效處理，即可；其中：
（1）所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中，以質量百分比計，其包括下述組分：
R’：29.5-33.5 wt.%；所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr，所述Pr的含量≧8.85 wt.%；
X：0-5.0 wt.%，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti、Nb和Mn中的一種或多種；
B：0.90-1.2 wt.%；
Fe：61.4-69.5 wt.%；
（2）所述粉碎過程中，粉碎氣氛中O≦60 ppm；
（3）所述壓製過程中，壓製氣氛中O≦40 ppm；
（4）所述分散劑中含有C（碳）元素，且所述分散劑在混合後粉末中的質量百分比為0.04-0.2%。
本發明中，所述R’的含量優選為29.5-33.3 wt.%，更優選為29.5 wt.%、30.5 wt.%、30.8 wt.%、31 wt.%、31.5 wt.%、32 wt.%、32.3 wt.%、32.8 wt.%或33.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Pr的含量優選為8.85-27.15 wt.%，例如8.85 wt.%、9.85 wt.%、10.15 wt.%、10.85 wt.%、11.85 wt.%、12.15 wt.%、13.15 wt.%、14.15 wt.%、16.15 wt.%、17.15 wt.%、18.15 wt.%、19.15 wt.%、20.15 wt.%、21.15 wt.%、22.15 wt.%、23.15 wt.%、24.15 wt.%、25.15 wt.%或27.15 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述R’中還可包括Nd和/或R，所述R為除Pr、Nd外的稀土元素。
其中，所述Nd的含量優選為3.35-22.65 wt.%，更優選為3.35 wt.%、5.35 wt.%、6.65 wt.%、6.85 wt.%、7.35 wt.%、7.85 wt.%、8.35 wt.%、8.65 wt.%、8.85 wt.%、9.35 wt.%、10.65 wt.%、10.85 wt.%、11.35 wt.%、11.65 wt.%、11.85 wt.%、12.35 wt.%、12.65 wt.%、13.35 wt.%、13.65 wt.%、13.85 wt.%、14.35 wt.%、14.65 wt.%、14.85 wt.%、15.35 wt.%、16.35 wt.%、16.65 wt.%、16.85 wt.%、17.35 wt.%、17.65 wt.%、18.35 wt.%、18.65 wt.%、18.85 wt.%、19.35 wt.%、19.65 wt.%、20.65 wt.%、20.85 wt.%、21.35 wt.%、21.65 wt.%、21.95 wt.%、22.15 wt.%或22.65 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
其中，所述Nd和所述R’的質量比優選為≦0.72，例如0.11、0.18、0.22、0.23、0.24、0.25、0.28、0.29、0.30、0.31、0.32、0.35、0.36、0.37、0.38、0.39、0.40、0.41、0.42、0.44、0.45、0.46、0.47、0.48、0.49、0.52、0.54、0.55、0.59、0.60、0.61、0.63、0.64、0.67、0.68、0.70或0.72。
其中，所述R的種類優選為Y和/或Ce。
其中，所述R的含量優選為0-1 wt.%，例如0.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述R’中還可包括重稀土元素RH。
其中，所述RH的種類可為Dy和/或Tb。
其中，所述RH的含量可為本領域常規的含量，優選為1.2-2.5 wt.%，例如1.2 wt.%、1.5 wt.%、2 wt.%或2.5wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
其中，所述RH和所述R’的質量比優選為＜0.253，例如0.038-0.075，再例如0.038、0.039、0.046、0.061或0.075。
當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量優選為1.2-2.0wt.%，例如1.2 wt.%或2.0 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量優選為1.5-2.5 wt.%，例如1.5 wt.%、2.0 wt.%或2.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述B的含量優選為0.95-1.1wt.%，例如0.95 wt.%、0.96 wt.%、0.98 wt.%或1.01wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Fe的含量優選為61.5-69.5 wt.%，例如61.79 wt.%、61.89 wt.%、62.44 wt.%、62.89 wt.%、63.24 wt.%、63.84 wt.%、63.87 wt.%、63.94 wt.%、64.99 wt.%、66.19 wt.%、66.29 wt.%、66.47 wt.%、66.52 wt.%、66.55 wt.%、66.61 wt.%、66.69 wt.%、66.75 wt.%、66.85 wt.%、66.97 wt.%、67.00 wt.%、67.02 wt.%、67.068 wt.%、67.13 wt.%、67.14 wt.%、67.19 wt.%、67.24 wt.%、67.25 wt.%、67.35 wt.%、67.37 wt.%、67.45 wt.%、67.49 wt.%、67.54 wt.%、67.55 wt.%、67.57 wt.%、67.59 wt.%、67.64 wt.%、67.65 wt.%、67.69 wt.%、67.718 wt.%、67.75 wt.%、67.85 wt.%、67.95 wt.%、67.96 wt.%、67.97 wt.%、68.008 wt.%、68.12 wt.%、68.55 wt.%、68.62 wt.%、69.02 wt.%、69.1 wt.%、69.22 wt.%、69.27 wt.%、69.32 wt.%或69.45 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述X可為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti或Nb，還可為“Cu和Al”、“Ga和Mn”、“Cu、Al和Ga”、“Cu、Al、Ga和Zr”、“Cu、Al、Ga和Co”或“Cu、Al、Ga、Zr和Co”。
本發明中，所述X的含量優選為0-4.5 wt.%，例如0.02 wt.%、0.042 wt.%、0.1 wt.%、0.2 wt.%、0.25 wt.%、0.3 wt.%、0.35 wt.%、0.36 wt.%、0.4 wt.%、0.42 wt.%、0.422 wt.%、0.45 wt.%、0.5 wt.%、0.52 wt.%、0.522 wt.%、0.6 wt.%、0.64 wt.%、0.67 wt.%、0.7 wt.%、0.74 wt.%、0.8 wt.%、0.87 wt.%、0.88 wt.%、0.89 wt.%、0.9 wt.%、0.94 wt.%、1.00 wt.%、1.02 wt.%、1.1 wt.%、1.19 wt.%、1.27 wt.%、1.3 wt.%、1.4 wt.%、1.5 wt.%、1.56 wt.%、1.72 wt.%、1.9 wt.%、2.5 wt.%、3.8 wt.%、3.85 wt.%、3.95 wt.%或4.2 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Cu時，所述Cu的含量優選為0.2-0.5 wt.%，例如0.2 wt.%、0.3 wt.%、0.34 wt.%、0.35 wt.%、0.38 wt.%、0.4 wt.%、0.42 wt.%、0.44 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Al時，所述Al的含量優選為0-0.8wt.%、但不為0，例如0.01-0.03 wt.%或0.5-0.8 wt.%，再例如0.01 wt.%、0.02 wt.%、0.03 wt.%、0.042 wt.%、0.1 wt.%、0.2 wt.%、0.3 wt.%、0.35 wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%、0.5 wt.%、0.6 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Ga時，所述Ga的含量優選為0.0-1.85 wt.%、但不為0，更優選為0.1-1.55 wt.%，例如0.1 wt.%、0.15 wt.%、0.2 wt.%、0.25 wt.%、0.3 wt.%、0.4 wt.%、0.42 wt.%、0.5 wt.%、0.9 wt.%、1.4 wt.%或1.55 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Co時，所述Co的含量優選為0.0-3.0 wt.%、但不為0，更優選為0.5-2.5 wt.%，例如0.5 wt.%、1.0 wt.%或2.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Zr時，所述Zr的含量優選為0.25-0.35 wt.%，例如0.25 wt.%、0.30 wt.%或0.35 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Nb時，所述Nb的含量優選為0.25-0.35 wt.%，例如0.25 wt.%、0.30 wt.%或0.35 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
當所述X中包含Mn時，所述Mn的含量優選為0.0-0.03 wt.%、但不為0，例如0.01 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述R-T-B系永磁材料中還可包括常規添加元素M，例如Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Hf、Ta和W中的一種或多種。
其中，所述M的種類優選為Cr。
其中，所述M的含量優選為0-0.15 wt.%、但不為0，例如0.05 wt.%或0.12 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Cu：0.2-0.5 wt.%，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Al：0-0.8wt.%、但不為0，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Ga：0.1-1.85 wt.%，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%、但不為0，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Zr：0.25-0.35 wt.%，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Nb：0.25-0.35 wt.%，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Cu：0.34-0.5 wt.%，Al：0-0.8wt.%、但不為0，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Cu：0.34-0.5 wt.%，Al：0-0.8wt.%、但不為0，Ga：0.1-0.5 wt.%，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Cu：0.34-0.5 wt.%，Al：0.3-0.8 wt.%，Ga：0.1-0.4 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.95-1.1 wt.%，Fe：61.5-69.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物的熔融液可按本領域常規方法製得，例如：在高頻真空感應熔煉爐中熔煉，即可。所述熔煉爐的真空度可為5×10-2 Pa。所述熔煉的溫度可為1500℃以下。
本發明中，所述鑄造的工藝可為本領域常規的鑄造工藝，例如：在Ar氣氛中（例如5.5×104 Pa的Ar氣氛下），以102 ℃/秒-104 ℃/秒的速度冷卻，即可。
本發明中，所述氫破的工藝可為本領域常規的氫破工藝，例如經吸氫、脫氫、冷卻處理，即可。
其中，所述吸氫可在氫氣壓力0.15MPa的條件下進行。
其中，所述脫氫可在邊抽真空邊升溫的條件下進行。
本發明中，所述粉碎的工藝可為本領域常規的粉碎工藝，例如氣流磨粉碎。
所述氣流磨粉碎的粉碎室壓力可為0.38MPa。
所述氣流磨粉碎的時間可為3小時。
本發明中，優選地，所述粉碎過程中，粉碎氣氛中氧含量O為0-50 ppm，例如0 ppm、5 ppm、10 ppm、15 ppm、20 ppm、25 ppm、30 ppm、35 ppm、40 ppm、45 ppm或50 ppm。
本發明中，所述分散劑可為R-T-B系永磁材料製備過程常規添加的分散劑，一般為潤滑劑和/或抗氧化劑。一般而言，在R-T-B系永磁材料的製備過程中所添加的潤滑劑、抗氧化劑中含有C元素。
其中，所述潤滑劑可為硬脂酸鋅。
本發明中，所述分散劑的含量優選為0.04-0.14%，例如0.04 %、0.05 %、0.06 %、0.07 %、0.08 %、0.09 %、0.1 %、0.11 %、0.12 %、0.13 %或0.14 %，百分比是指佔混合後粉末總質量的質量百分比。
當所述分散劑中包含硬脂酸鋅時，所述硬脂酸鋅的用量可為0.04-0.14%，例如0.04 %、0.05 %、0.06 %、0.07 %、0.08 %、0.09 %、0.1 %、0.11 %、0.12 %、0.13 %或0.14 %，百分比是指佔混合後粉末總質量的質量百分比。
本發明中，優選地，所述壓製過程中，壓製氣氛中氧含量O為10-30 ppm，例如10 ppm、12 ppm、14 ppm、16 ppm、18 ppm、20 ppm、22 ppm、24 ppm、26 ppm、28 ppm或30 ppm。
本發明中，所述成形的工藝可為本領域常規的成形工藝，例如磁場成形法或熱壓熱變形法。
本發明中，所述燒結的工藝可為本領域常規的燒結工藝，例如，在真空條件下（例如在5×10-3 Pa的真空下），經預熱、燒結、冷卻，即可。
其中，所述預熱的溫度可為300-600℃。所述預熱的時間可為1-2h。優選地，所述預熱為在300℃和600℃的溫度下各預熱1h。
其中，所述燒結的溫度可為本領域常規的燒結溫度，例如1040-1090℃，再例如1050℃。
其中，所述燒結的時間可為本領域常規的燒結時間，例如2h。
其中，所述冷卻前可通入Ar使氣壓達到0.1MPa。
本發明中，優選地，所述燒結之後、所述時效處理之前，還進行晶界擴散處理。
其中，所述晶界擴散處理可按本領域常規的工藝進行處理，例如，在所述R-T-B系永磁材料的表面蒸鍍、塗覆或濺射附著含有Tb的物質和/或含有Dy的物質，經擴散熱處理，即可。
所述含有Tb的物質可為Tb金屬、含有Tb的化合物（例如含有Tb的氟化物）或合金。
所述含有Dy的物質可為Dy金屬、含有Dy的化合物（例如含有Dy的氟化物）或合金。
所述擴散熱處理的溫度可為800-900℃，例如850℃。
所述擴散熱處理的時間可為12-48h，例如24h。
本發明中，所述時效處理的處理溫度優選為500-650℃，例如600-650℃，再例如630℃。
其中，所述時效處理中，升溫至500-650℃的升溫速率優選3-5℃/min。所述升溫的起點可為室溫。
其中，所述時效處理的處理時間可為3h。
本發明還提供了一種採用上述方法製得的R-T-B系永磁材料。
本發明還提供了一種所述R-T-B系永磁材料作為電子元器件的應用。
其中，所述應用的領域可為汽車驅動領域、風電領域、伺服電機和家電領域（例如空調）。
本發明中，所述室溫是指25℃±5℃。
本發明中，Pr為鐠，Nd為釹，Cu為銅，B為硼，Fe為鐵，Al為鋁，Ga為鎵，Co為鈷，Zr為鋯，Ti為鈦，Nb為鈮，Zn為鋅，Dy為鏑，Tb為鋱，Mn為錳，Ni為鎳，Ag為銀，In為銦，Sn為錫，Bi為鉍，V為釩，Cr為鉻，Ta為鉭，W為鎢，O為氧，C為碳，N為氮。
在符合本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本發明各較佳實例。
本發明所用試劑和原料均市售可得。
本發明的積極進步效果在於：
（1）本發明中的R-T-B系永磁材料可在無重稀土的條件下實現永磁材料性能的提升，該R-T-B系永磁材料磁性能優異，高矯頑力、高剩磁且溫度穩定性好。
（2）本發明的R-T-B系永磁材料的製備過程中無需控制工藝過程中所引入的碳元素的含量，並且，在磁體中碳元素含量較高的條件下，磁體仍然保持優異的性能。
下面通過實施例的方式進一步說明本發明，但並不因此將本發明限制在所述的實施例範圍之中。下列實施例中未註明具體條件的實驗方法，按照常規方法和條件，或按照商品說明書選擇。下表中，wt.%是指組分在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比，“/”表示未添加該元素。“Br”為殘留磁通密度（remanence），“Hcj”為內稟矯頑力（intrinsic coercivity）。
實施例及對比例中R-T-B系永磁材料的配方如表1所示。
表1
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
實施例1
R-T-B系永磁材料製備方法如下：
（1）熔煉過程：按表1所示配方，將配製好的原料放入氧化鋁製的坩堝中，在高頻真空感應熔煉爐中且在5×10-2 Pa的真空中以1500℃以下的溫度進行真空熔煉。
（2）鑄造過程：在真空熔煉後的熔煉爐中通入Ar氣體使氣壓達到5.5萬Pa後，進行鑄造，並以102 ℃/秒-104 ℃/秒的冷卻速度獲得急冷合金。
（3）氫破粉碎過程：在室溫下將放置急冷合金的氫破用爐抽真空，然後向氫破用爐內通入純度為99.9%的氫氣，維持氫氣壓力0.15MPa；充分吸氫後，邊抽真空邊升溫，充分脫氫；然後進行冷卻，取出氫破粉碎後的粉末。
（4）微粉碎工序：在氮氣氣氛下以及在粉碎室壓力為0.38MPa的條件下，對氫破粉碎後的粉末進行3小時的氣流磨粉碎，得到細粉。氮氣氣氛中的含氧量（ppm）如表2所示。
（5）在氣流磨粉碎後的粉末中添加硬脂酸鋅，用V型混料機充分混合。硬脂酸鋅的添加量如表2所示，百分比是指佔混合後粉末的重量百分比。
（6）磁場成形過程：使用直角取向型的磁場成型機，在1.6T的取向磁場中以及在0.35ton/cm2 的成型壓力下，將上述添加了硬脂酸鋅的粉末一次成形成邊長為25mm的立方體;一次成形後在0.2T的磁場中退磁，壓製過程中氣氛中的O（氧）含量如表2所示。為了使一次成形後的成形體不接觸到空氣，將其進行密封，然後再使用二次成形機（等靜壓成形機），在1.3ton/cm2 的壓力下進行二次成形。
（7）燒結過程：將各成形體搬至燒結爐進行燒結，燒結在5×10-3 Pa的真空下以及分別在300℃和600℃的溫度下各保持1小時；然後，以1050℃的溫度燒結2小時；然後通入Ar使氣壓達到0.1MPa後，冷卻至室溫。
（8）時效處理過程：燒結體在高純度Ar中，以3-5℃/min的升溫速率從20℃升溫至630℃，以630℃溫度進行3小時熱處理後，冷卻至室溫後取出。
實施例2-實施例75、對比例1-2
實施例2-實施例75、對比例1-2的配方如表1所示，製備工藝如表2所示，其餘步驟均同實施例1。
實施例76
取實施例1獲得的燒結體，先進行晶界擴散處理，再進行時效處理。其製備工藝如表2所示，其餘步驟均同實施例1。晶界擴散處理過程具體如下：
將燒結體加工成直徑20mm、片料厚度小於7mm的磁鐵，厚度方向為磁場取向方向，表面潔淨化後，分別使用Dy氟化物配製成的原料，全面噴霧塗覆在磁鐵上，將塗覆後的磁鐵乾燥，在高純度Ar氣氛中，在磁鐵表面濺射附著Dy元素的金屬，以850℃的溫度擴散熱處理24小時。冷卻至室溫。
實施例77
取實施例1獲得的燒結體，先進行晶界擴散處理，再進行時效處理。其製備工藝如表2所示，其餘步驟均同實施例1。晶界擴散處理過程具體如下：
將燒結體加工成直徑20mm、片料厚度小於7mm的磁鐵，厚度方向為磁場取向方向，表面潔淨化後，分別使用Tb氟化物配製成的原料，全面噴霧塗覆在磁鐵上，將塗覆後的磁鐵乾燥，在高純度Ar氣氛中，在磁鐵表面濺射附著Tb元素的金屬，以850℃的溫度擴散熱處理24小時。冷卻至室溫。
表2
Figure 02_image007
Figure 02_image009
Figure 02_image011
註：硬脂酸鋅添加量的百分比是指佔混合後粉末的重量百分比，O（氧）含量是指O（氧）原子在氣氛中的含量。
效果實施例
測定實施例1-77、對比例1-2製得的R-T-B系永磁材料的磁性能和成分，通過FE-EPMA觀察其磁體的晶相結構。
（1）磁性能評價：永磁材料使用中國計量院的NIM-10000H型BH大塊稀土永磁無損測量系統進行磁性能檢測。下表3所示為磁性能檢測結果。
表3
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
（2）成分測定：各成分使用高頻電感耦合等離子體發射光譜儀( ICP-OES  進行測定。下表4所示為成分檢測結果。
表4
Figure 02_image019
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
（3）FE-EPMA檢測：對表4中實施例編號為1、2、11、12、21、23、34、35、39、43、51、52、60、63、68、69及對比例1和對比例2的R-T-B系磁體材料的垂直取向面進行拋光，採用場發射電子探針顯微分析儀（FE-EPMA）（日本電子株式會社（JEOL），8530F）檢測。
對實施例68晶間三角區的位置（如圖1中位置a所示）進行了成分檢測並確定三角區物相（富稀土相）與觀測面所有物相（主相、晶界相和富稀土相）的相對體積比例，可以發現，在含有高Pr和高C的樣品中，其晶間三角區所形成的相比例相對較低，而在低Pr的樣品中沒有這種現象。具體檢測結果如下表5所示。
表5
Figure 02_image027
註：晶間三角區中R’、Ga、Cu和O的質量比是指佔晶間三角區元素總質量的質量百分比；晶間三角區物相所佔體積比是指晶間三角區物相的體積在“主相、晶界相和晶間三角區”體積之和中所佔的百分比。
無
圖1為實施例68製得的R-T-B系永磁材料的顯微組織掃描照片，其中，a所指代的位置為晶間三角區。

Claims (10)

  1. 一種R-T-B系永磁材料，其特徵在於，以質量百分比計，其包括下述組分： R’：29.5-33.5 wt.%；其中：所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr，所述Pr的含量≧8.85 wt.%； C：0.106-0.26 wt.%； O：≦0.07 wt.%； X：0-5.0 wt.%，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti、Nb和Mn中的一種或多種； B：0.90-1.2 wt.%； Fe：61.4-69.5 wt.%。
  2. 如請求項1所述的R-T-B系永磁材料，其中，所述R’的含量為29.5-33.4 wt.%，例如29.5 wt.%、30.5 wt.%、30.8 wt.%、31.0 wt.%、31.013 wt.%、31.075 wt.%、31.115 wt.%、31.5 wt.%、32.0 wt.%、32.3 wt.%、32.8 wt.%或33.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述Pr的含量為8.85-27.15 wt.%，優選為≧17.00 wt.%，例如8.846 wt.%、8.848 wt.%、8.849 wt.%、8.851 wt.%、9.852 wt.%、10.148 wt.%、10.151 wt.%、10.848 wt.%、10.849 wt.%、11.848 wt.%、12.148 wt.%、12.15 wt.%、12.151 wt.%、13.149 wt.%、14.147 wt.%、14.148 wt.%、14.149 wt.%、14.151 wt.%、14.152 wt.%、16.148 wt.%、16.151 wt.%、16.152 wt.%、17.148 wt.%、17.149 wt.%、17.15 wt.%、17.151 wt.%、17.152 wt.%、18.148 wt.%、18.149 wt.%、18.151 wt.%、18.152 wt.%、19.148 wt.%、19.149 wt.%、19.15 wt.%、19.151 wt.%、19.152 wt.%、20.148 wt.%、20.149 wt.%、20.15 wt.%、20.152 wt.%、21.148 wt.%、22.149 wt.%、22.151 wt.%、23.149 wt.%、23.15 wt.%、24.148 wt.%、24.151 wt.%、24.152 wt.%、25.152 wt.%或27.148 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述R’中還包括Nd和/或R，所述R為除Pr、Nd外的稀土元素；其中：所述Nd的含量優選為3.3-23.0 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比；所述Nd和所述R’的質量比優選為≦0.72，更優選為＜0.5；所述R的種類優選為Y和/或Ce；所述R的含量優選為0-1 wt.%，例如0.29 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比； 和/或，所述R’中還包括重稀土元素RH；其中：所述RH的種類優選為Dy和/或Tb；所述RH的含量優選為0.5-2.6 wt.%，例如0.58 wt.%、0.62 wt.%、1.212 wt.%、1.219 wt.%、1.51 wt.%、1.991 wt.%、2.011 wt.%、2.511 wt.%或2.512 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比；所述RH和所述R的質量比優選為＜0.253，例如0.019-0.075；當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量優選為0.5-2.0wt.%，例如1.991 wt.%、1.212 wt.%、1.219 wt.%或0.58wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比；當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量優選為0.6-2.52wt.%，例如0.62 wt.%、1.51 wt.%、2.011 wt.%、2.511 wt.%或2.512 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比； 和/或，所述C的含量為0.106-0.25 wt.%，例如0.1062 wt.%、0.1069 wt.%、0.1072 wt.%、0.1075 wt.%、0.1251 wt.%、0.1253 wt.%、0.1256 wt.%、0.1532 wt.%、0.1534 wt.%、0.1537 wt.%、0.1759 wt.%、0.1761 wt.%、0.1764 wt.%、0.1835 wt.%、0.184 wt.%、0.1843 wt.%、0.1846 wt.%、0.1965 wt.%、0.197 wt.%、0.1973 wt.%、0.2139 wt.%、0.2144 wt.%、0.2147 wt.%、0.2243 wt.%、0.2245 wt.%、0.2248 wt.%、0.2251 wt.%、0.2379 wt.%或0.2456 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述O的含量為≦0.0691 wt.%，例如0.0382 wt.%、0.0384 wt.%、0.039 wt.%、0.0391 wt.%、0.041 wt.%、0.0412 wt.%、0.0432 wt.%、0.0442 wt.%、0.0444 wt.%、0.0456 wt.%、0.0458 wt.%、0.0468 wt.%、0.0492 wt.%、0.0493 wt.%、0.0494 wt.%、0.05 wt.%、0.0501 wt.%、0.0503 wt.%、0.0523 wt.%、0.0529 wt.%、0.0531 wt.%、0.0558 wt.%、0.0564 wt.%、0.0566 wt.%、0.0582 wt.%、0.0588 wt.%、0.059 wt.%、0.0635 wt.%、0.0641 wt.%、0.0643 wt.%、0.0669 wt.%、0.0675 wt.%、0.0685 wt.%或0.0691 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述B的含量為0.94-1.1wt.%，例如0.946 wt.%、0.947 wt.%、0.948 wt.%、0.949 wt.%、0.951 wt.%、0.952 wt.%、0.958 wt.%、0.961 wt.%、0.962 wt.%、0.981 wt.%、0.982 wt.%、0.985 wt.%、0.998 wt.%、1.008 wt.%、1.009 wt.%、1.01 wt.%、1.011 wt.%或1.012wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述Fe的含量為61.4-69.3 wt.%，例如61.49 wt.%、61.60 wt.%、62.15 wt.%、62.19 wt.%、62.66 wt.%、62.91 wt.%、63.52 wt.%、63.62 wt.%、63.66 wt.%、64.71 wt.%、65.85 wt.%、66.02 wt.%、66.15 wt.%、66.19 wt.%、66.22 wt.%、66.23 wt.%、66.30 wt.%、66.37 wt.%、66.40 wt.%、66.44 wt.%、66.57 wt.%、66.66 wt.%、66.70 wt.%、66.72 wt.%、66.75 wt.%、66.82 wt.%、66.85 wt.%、66.88 wt.%、66.91 wt.%、66.94 wt.%、66.95 wt.%、66.98 wt.%、67.08 wt.%、67.15 wt.%、67.17 wt.%、67.23 wt.%、67.27 wt.%、67.29 wt.%、67.30 wt.%、67.31 wt.%、67.32 wt.%、67.34 wt.%、67.40 wt.%、67.42 wt.%、67.47 wt.%、67.48 wt.%、67.54 wt.%、67.64 wt.%、67.65 wt.%、67.69 wt.%、67.71 wt.%、67.74 wt.%、67.78 wt.%、67.80 wt.%、68.22 wt.%、68.24 wt.%、68.25 wt.%、68.27 wt.%、68.28 wt.%、68.31 wt.%、68.32 wt.%、68.34 wt.%、68.36 wt.%、68.73 wt.%、68.83 wt.%、68.95 wt.%、69.03 wt.%、69.10 wt.%或69.25 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述R-T-B系永磁材料中還包括M，所述M為Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Hf、Ta和W中的一種或多種；其中：所述M的種類優選為Cr；所述M的含量優選為0-0.15 wt.%、但不為0，例如0.05 wt.%或0.12 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述R-T-B系永磁材料中還包含氮元素N，優選地，所述N元素的含量≦0.05 wt.%，例如0.0182 wt.%、0.0187 wt.%、0.0223 wt.%、0.0228 wt.%、0.025 wt.%、0.0251 wt.%、0.0256 wt.%、0.0284 wt.%、0.0285 wt.%、0.029 wt.%、0.0301 wt.%、0.0302 wt.%、0.0307 wt.%、0.0341 wt.%、0.0342 wt.%、0.0347 wt.%、0.0366 wt.%、0.0371 wt.%、0.0372 wt.%、0.0375 wt.%、0.0378 wt.%、0.0397 wt.%、0.0398 wt.%、0.0401 wt.%、0.0404 wt.%、0.0436 wt.%、0.0439 wt.%、0.0442 wt.%、0.0455 wt.%、0.0458 wt.%、0.0461 wt.%、0.0476 wt.%、0.0482 wt.%、0.0485 wt.%或0.0486 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 和/或，所述R-T-B系永磁材料中包括主相、晶界相和晶間三角區，所述晶間三角區的體積佔“所述主相、所述晶界相和所述晶間三角區”體積之和的百分比≦9.0%，例如3.2 %、3.3 %、3.7 %、4.6 %、4.8 %或5.3 %。
  3. 如請求項1所述的R-T-B系永磁材料，其中，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti或Nb，或者，“Cu和Al”、“Ga和Mn”、“Cu、Al和Ga”、“Cu、Al、Ga和Zr”、“Cu、Al、Ga和Co”或“Cu、Al、Ga、Zr和Co”；和/或，所述X的含量優選為0-4.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 當所述X中包含Cu時，所述Cu的含量優選為0.2-0.51 wt.%，例如0.201 wt.%、0.302 wt.%、0.34 wt.%、0.341 wt.%、0.351 wt.%、0.381 wt.%、0.382 wt.%、0.4 wt.%、0.401 wt.%、0.402 wt.%、0.403 wt.%、0.41 wt.%、0.42 wt.%、0.421 wt.%、0.441 wt.%、0.451 wt.%、0.5 wt.%、0.501 wt.%或0.502wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比； 當所述X中包含Al時，所述Al的含量優選為0-0.81wt.%、但不為0，例如0.01-0.03 wt.%或0.5-0.8 wt.%，再例如0.01 wt.%、0.021 wt.%、0.03 wt.%、0.041 wt.%、0.042 wt.%、0.101 wt.%、0.102 wt.%、0.103 wt.%、0.202 wt.%、0.298 wt.%、0.301 wt.%、0.302 wt.%、0.351 wt.%、0.401 wt.%、0.402 wt.%、0.403 wt.%、0.451 wt.%、0.497 wt.%、0.501 wt.%、0.502 wt.%、0.601 wt.%、0.602 wt.%、0.702 wt.%、0.801 wt.%、0.802 wt.%或0.81 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比； 當所述X中包含Ga時，所述Ga的含量優選為0.0-1.85 wt.%、但不為0，更優選為0.1-1.552 wt.%，例如0.102 wt.%、0.151 wt.%、0.202 wt.%、0.251 wt.%、0.3 wt.%、0.301 wt.%、0.302 wt.%、0.399 wt.%、0.401 wt.%、0.42 wt.%、0.421 wt.%、0.501 wt.%、0.502 wt.%、0.901 wt.%、1.402 wt.%或1.552 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中質量百分比； 當所述X中包含Co時，所述Co的含量優選為0.0-3.0 wt.%、但不為0，更優選為0.5-2.5 wt.%，例如0.5 wt.%、1.0 wt.%或2.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 當所述X中包含Zr時，所述Zr的含量優選為0.25-0.35 wt.%，例如0.25 wt.%、0.30 wt.%或0.35 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 當所述X中包含Nb時，所述Nb的含量優選為0.25-0.35 wt.%，例如0.25 wt.%、0.30 wt.%或0.35 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 當所述X中包含Mn時，所述Mn的含量優選為0.0-0.03 wt.%、但不為0，例如0.01 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
  4. 如請求項1-3中任一項所述的R-T-B系永磁材料，其中，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.2-0.51 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Al：0-0.81wt.%、但不為0，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Ga：0.1-1.85 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%、但不為0，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Zr：0.25-0.35 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Nb：0.25-0.35 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0-0.81wt.%、但不為0，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0-0.81wt.%、但不為0，Ga：0.1-0.5 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.42 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.41 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，Cr：0.05-0.12 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，RH：0.5-2.6 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.41 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比； 或者，所述R-T-B系永磁材料包括下述組分：R’：29.5-33.5 wt.%，Pr≧8.85 wt.%，Ce：0-1 wt.%，RH：0.5-2.6 wt.%，C：0.106-0.25 wt.%，O：≦0.07 wt.%，Cu：0.34-0.51 wt.%，Al：0.25-0.81wt.%，Ga：0.1-0.41 wt.%，Co：0.0-3.0 wt.%，Zr：0.25-0.30 wt.%，B：0.94-1.1 wt.%，Fe：61.4-69.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的質量百分比。
  5. 一種R-T-B系永磁材料的製備方法，其特徵在於，其包括下述步驟：將所述R-T-B系永磁材料的原料組合物的熔融液經鑄造、氫破、粉碎得粉體，將所述粉體和分散劑混合，再經壓製、成形、燒結和時效處理，即可；其中： （1）所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中，以質量百分比計，其包括下述組分： R’：29.5-33.5 wt.%；所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr，所述Pr的含量≧8.85 wt.%； X：0-5.0 wt.%，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti、Nb和Mn中的一種或多種； B：0.90-1.2 wt.%； Fe：61.4-69.5 wt.%； （2）所述粉碎過程中，粉碎氣氛中O≦60 ppm； （3）所述壓製過程中，壓製氣氛中O≦40 ppm； （4）所述分散劑中含有C元素，且所述分散劑在混合後粉末中的質量百分比為0.04-0.2%。
  6. 如請求項5所述的R-T-B系永磁材料的製備方法，其中，所述R’的含量為29.5-33.3 wt.%，優選為29.5 wt.%、30.5 wt.%、30.8 wt.%、31 wt.%、31.5 wt.%、32 wt.%、32.3 wt.%、32.8 wt.%或33.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述Pr的含量為8.85-27.15 wt.%，例如8.85 wt.%、9.85 wt.%、10.15 wt.%、10.85 wt.%、11.85 wt.%、12.15 wt.%、13.15 wt.%、14.15 wt.%、16.15 wt.%、17.15 wt.%、18.15 wt.%、19.15 wt.%、20.15 wt.%、21.15 wt.%、22.15 wt.%、23.15 wt.%、24.15 wt.%、25.15 wt.%或27.15 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述R’中還包括Nd和/或R，所述R為除Pr、Nd外的稀土元素；其中，所述Nd的含量優選為3.35-22.65 wt.%，更優選為3.35 wt.%、5.35 wt.%、6.65 wt.%、6.85 wt.%、7.35 wt.%、7.85 wt.%、8.35 wt.%、8.65 wt.%、8.85 wt.%、9.35 wt.%、10.65 wt.%、10.85 wt.%、11.35 wt.%、11.65 wt.%、11.85 wt.%、12.35 wt.%、12.65 wt.%、13.35 wt.%、13.65 wt.%、13.85 wt.%、14.35 wt.%、14.65 wt.%、14.85 wt.%、15.35 wt.%、16.35 wt.%、16.65 wt.%、16.85 wt.%、17.35 wt.%、17.65 wt.%、18.35 wt.%、18.65 wt.%、18.85 wt.%、19.35 wt.%、19.65 wt.%、20.65 wt.%、20.85 wt.%、21.35 wt.%、21.65 wt.%、21.95 wt.%、22.15 wt.%或22.65 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比；所述Nd和所述R’的質量比優選為≦0.72；所述R的種類優選為Y和/或Ce；所述R的含量優選為0-1 wt.%，例如0.3 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述R’中還包括重稀土元素RH；所述RH的種類優選為Dy和/或Tb；所述RH的含量優選為1.2-2.5 wt.%，例如1.2 wt.%、1.5 wt.%、2 wt.%或2.5wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比；所述RH和所述R’的質量比優選為＜0.253，例如0.038-0.075，再例如0.038、0.039、0.046、0.061或0.075；當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量優選為1.2-2.0wt.%，例如1.2 wt.%或2.0 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比；當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量優選為1.5-2.5 wt.%，例如1.5 wt.%、2.0 wt.%或2.5 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述B的含量為0.95-1.1wt.%，例如0.95 wt.%、0.96 wt.%、0.98 wt.%或1.01wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述Fe的含量為61.5-69.5 wt.%，例如61.79 wt.%、61.89 wt.%、62.44 wt.%、62.89 wt.%、63.24 wt.%、63.84 wt.%、63.87 wt.%、63.94 wt.%、64.99 wt.%、66.19 wt.%、66.29 wt.%、66.47 wt.%、66.52 wt.%、66.55 wt.%、66.61 wt.%、66.69 wt.%、66.75 wt.%、66.85 wt.%、66.97 wt.%、67.00 wt.%、67.02 wt.%、67.068 wt.%、67.13 wt.%、67.14 wt.%、67.19 wt.%、67.24 wt.%、67.25 wt.%、67.35 wt.%、67.37 wt.%、67.45 wt.%、67.49 wt.%、67.54 wt.%、67.55 wt.%、67.57 wt.%、67.59 wt.%、67.64 wt.%、67.65 wt.%、67.69 wt.%、67.718 wt.%、67.75 wt.%、67.85 wt.%、67.95 wt.%、67.96 wt.%、67.97 wt.%、68.008 wt.%、68.12 wt.%、68.55 wt.%、68.62 wt.%、69.02 wt.%、69.1 wt.%、69.22 wt.%、69.27 wt.%、69.32 wt.%或69.45 wt.%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述X為Cu、Al、Ga、Co、Zr、Ti或Nb，或者，“Cu和Al”、“Ga和Mn”、“Cu、Al和Ga”、“Cu、Al、Ga和Zr”、“Cu、Al、Ga和Co”或“Cu、Al、Ga、Zr和Co”； 和/或，所述X的含量為0-4.5 wt.%；當所述X中包含Cu時，所述Cu的含量優選為0.2-0.5 wt.%；當所述X中包含Al時，所述Al的含量優選為0-0.8wt.%、但不為0，例如0.01-0.03 wt.%或0.5-0.8 wt.%；當所述X中包含Ga時，所述Ga的含量優選為0.0-1.85 wt.%、但不為0，更優選為0.1-1.55 wt.%；當所述X中包含Co時，所述Co的含量優選為0.0-3.0 wt.%、但不為0，更優選為0.5-2.5 wt.%；當所述X中包含Zr時，所述Zr的含量優選為0.25-0.35 wt.%；當所述X中包含Nb時，所述Nb的含量優選為0.25-0.35 wt.%；當所述X中包含Mn時，所述Mn的含量優選為0.0-0.03 wt.%、但不為0；百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比； 和/或，所述R-T-B系永磁材料中還包括M，所述M為Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Hf、Ta和W中的一種或多種；其中，所述M的種類優選為Cr；所述M的含量優選為0-0.15 wt.%、但不為0，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比。
  7. 如請求項5或6所述的R-T-B系永磁材料的製備方法，其中，所述R-T-B系永磁材料的原料組合物的熔融液按下述方法製得：在真空感應熔煉爐中熔煉，即可；所述熔煉爐的真空度可為5×10-2 Pa；所述熔煉的溫度可為1500℃以下； 和/或，所述鑄造的工藝按下述步驟進行：在Ar氣氛中，以102 ℃/秒-104 ℃/秒的速度冷卻，即可； 和/或，所述粉碎為氣流磨粉碎；所述氣流磨粉碎的粉碎室壓力可為0.38MPa；所述氣流磨粉碎的時間可為3小時； 和/或，所述燒結之前還進行預熱；其中，所述預熱的溫度可為300-600℃，所述預熱的時間可為1-2h；優選地，所述預熱為在300℃和600℃的溫度下各預熱1h； 和/或，所述燒結的溫度為1040-1090℃； 和/或，所述燒結的時間為2h； 和/或，所述燒結之後、所述時效處理之前，還進行晶界擴散處理；其中，優選地，所述晶界擴散處理按下述步驟進行，在所述R-T-B系永磁材料的表面蒸鍍、塗覆或濺射附著含有Tb的物質和/或含有Dy的物質，經擴散熱處理，即可；所述擴散熱處理的溫度優選為800-900℃；所述擴散熱處理的時間優選為12-48h； 和/或，所述時效處理的處理溫度為500-650℃； 和/或，所述時效處理中，升溫至500-650℃的升溫速率為3-5℃/min； 和/或，所述時效處理的處理時間為3h。
  8. 如請求項5或6所述的R-T-B系永磁材料的製備方法，其中，所述粉碎過程中，粉碎氣氛中氧含量O為0-50 ppm，例如0 ppm、5 ppm、10 ppm、15 ppm、20 ppm、25 ppm、30 ppm、35 ppm、40 ppm、45 ppm或50 ppm； 和/或，所述分散劑為潤滑劑和/或抗氧化劑，所述潤滑劑優選為硬脂酸鋅；當所述分散劑中包含硬脂酸鋅時，所述硬脂酸鋅的用量可為0.04-0.14%，例如0.04 %、0.05 %、0.06 %、0.07 %、0.08 %、0.09 %、0.1 %、0.11 %、0.12 %、0.13 %或0.14 %，百分比是指佔混合後粉末總質量的質量百分比； 和/或，所述分散劑的含量為0.04-0.14%，例如0.04 %、0.05 %、0.06 %、0.07 %、0.08 %、0.09 %、0.1 %、0.11 %、0.12 %、0.13 %或0.14 %，百分比是指佔混合後粉末總質量的質量百分比； 和/或，所述壓製過程中，壓製氣氛中氧含量O為10-30 ppm，例如10 ppm、12 ppm、14 ppm、16 ppm、18 ppm、20 ppm、22 ppm、24 ppm、26 ppm、28 ppm或30 ppm。
  9. 一種R-T-B系永磁材料，其特徵在於，所述R-T-B系永磁材料係如請求項5-8中任一項所述的R-T-B系永磁材料的製備方法製得的R-T-B系永磁材料。
  10. 一種R-T-B系永磁材料作為電子元器件的應用，其特徵在於，所述R-T-B系永磁材料係如請求項1-4和9中任一項所述的R-T-B系永磁材料。
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