CN110648813B - 一种r-t-b系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用 - Google Patents
一种r-t-b系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料中，按重量百分比计包含：R的含量为29.0～33wt％，且RH含量＜1.5wt％；Cu的含量为0.40～0.60wt％；Co的含量为0.5～1.5wt％；B的含量为0.98～1.05wt％；Al的含量为0.4～0.8wt％；Ga的含量为0.2～0.3wt％；Fe的含量为63～68wt％。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异，能够实现Br和Hcj的同步提升；并且R‑T‑B系永磁材料的液相熔点得到大幅度降低，使得最佳回火的温度范围很大，对设备的温差要求小。
Description
技术领域
本发明涉及一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。
背景技术
永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R-T-B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种，必须包含Nd和Pr中的至少一个)已知为永久磁铁中性能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等各种电机和家电制品等。
R-T-B系永磁材料主要由包含R2T14B化合物的主相、和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R2T14B化合物是具有高饱和磁化和各向异性磁场的强磁性材料，是成为R-T-B系永磁材料的特性的基础。
R-T-B系永磁材料在高温下的矫顽力Hcj降低，故引起不可逆的热退磁。但是，特别是用于电动车用电机的情况下，要求具有高Hcj。已知在R-T-B系永磁材料中，将作为主相的R2T14B化合物中的R所含的轻稀土类元素RL的一部分用重稀土类元素RH置换时，伴随着RH的置换量的增加，Hcj提高，而剩余磁通密度Br降低，从而造成磁体拥有较高的Hcj却不能同时拥有较高的磁能积(BH)max，使磁体的使用范围受到一定影响。
因此，R-T-B系永磁材料现面临的主要技术问题是Hcj和Br不能同时得到提升，而亟需一种兼具高Hcj和高Br的R-T-B系烧结磁铁。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术中R-T-B系永磁材料的Hcj和Br不能同时得到提升的缺陷而提供一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。
本发明通过下述技术方案来解决上述技术问题：
一种R-T-B系永磁材料，R为稀土元素，T为Fe，B为硼；所述R为至少包括Nd和RH的稀土元素；所述RH为至少包括Dy的重稀土元素；
所述永磁材料还含有M，所述M包括Al和Ga；
所述永磁材料按重量百分比计包含：所述R的含量为29.0～33wt％，且所述RH含量＜1.5wt％；Cu的含量为0.40～0.60wt％；Co的含量为0.5～1.5wt％；所述B的含量为0.98～1.05wt％；Al的含量为0.4～0.8wt％；Ga的含量为0.2～0.3wt％；Fe的含量为63～68wt％。
本发明中，所述永磁材料的晶界处较佳地存在组成为(T1-a-b-cCoaCubMc)x-Ry的晶界相。
其中，所述a较佳地为0.8b＜ax＜1.5b；
其中，所述晶界相中，所述Co较佳地为6～8at％，例如7.06at％，at％是指所述晶界相中Co元素所占的原子百分比；
其中，所述晶界相中，所述Cu较佳地为8～12at％，例如10.03at％，at％是指所述晶界相中Cu元素所占的原子百分比；
其中，所述晶界相中，所述M较佳地为6～8at％，例如7.78at％，at％是指所述晶界相中M所占的原子百分比；
其中，所述x较佳地为40at％＜x＜50at％，例如42.5at％或45at％，at％是指所述晶界相中各元素所占的原子百分比；
其中，所述y较佳地为50at％＜y＜60at％，例如57.5at％，at％是指所述晶界相中R所占的原子百分比；
其中，较佳地，0.8b＜a＜1.5b，6at％<Co<8at％，8at％<Cu<12at％，6at％<M<8at％，40at％＜x＜50at％，50at％＜y＜60at％，at％是指所述晶界相中各元素所占的原子百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述(T1-a-b-cCoaCubMc)x-Ry为T17.5Co7.06Cu10.03M7.78R57.5的晶界相。
本发明中，14B/(Fe+Co)以原子数比计可为1.02～1.16，较佳地为1.06～1.16，更佳地为1.06～1.07或1.10～1.16，例如，1.062，1.134，1.067，1.12，1.155或1.108。
本发明中，所述R还可以包括本领域常规的稀土元素，例如，Sc、Pr、Ce、Sm和Eu中的一种或多种。
本发明中，所述RH还可以包含本领域常规的重稀土元素，例如Tb和/或Y。
本发明中，所述R的含量范围较佳地为29～32.7wt％，更佳地为29.5～31.5wt％，例如31.3wt％或30.7wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述RH的含量范围较佳地为≤1.4wt％，更佳地为≤1.0wt％或1.2～1.4wt％，例如1.3wt％、0.5wt％或0.8wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，当所述R中包括所述Pr时，所述Pr的含量可为0～20wt％，例如1.7wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.4～0.55wt％，更佳地为0.45～0.55wt％或0.45～0.50wt％，例如0.45wt％，0.5wt％或0.55wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述Co的含量范围较佳地为0.5～1.3wt％，更佳地为0.8～1.2wt％，或者0.9～1.3wt％，例如，0.8wt％，0.9wt％，1wt％，1.2wt％，或1.3wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.99～1.05wt％，更佳地为0.99～1.03wt％，或者0.99～1.02wt％，例如，1.02wt％或0.99wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述Al的含量范围较佳地为0.4～0.7wt％，或者0.5～0.8wt％，更佳地为0.5～0.7wt％，例如0.5wt％，0.7wt％或0.6wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0.2～0.27wt％，更佳地为0.23～0.27wt％，例如0.23wt％，0.27wt％，0.26wt％或0.25wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料中还可包含Mn。
其中，所述Mn的含量范围可为0～0.4wt％，例如0.03wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.0～33wt％，且所述RH含量≤1.0wt％；所述Cu的含量为0.4～0.55wt％；所述Co的含量为0.9～1.3wt％；所述B的含量为0.99～1.05wt％；所述Al的含量为0.6wt％，所述Ga的含量为0.23～0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.5～31.5wt％，且所述RH的含量范围为≤1.4wt％，所述Cu的含量为0.45～0.50wt％，所述Co的含量为0.8～1.2wt％，所述B的含量为0.99～1.03wt％，所述Al的含量为0.5～0.8wt％，所述Ga的含量为0.23～0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.5～31.5wt％，且所述RH含量＜1.0wt％；所述Cu的含量为0.45～0.50wt％；所述Co的含量为0.8～1.2wt％；所述B的含量为0.99～1.02wt％；所述Al的含量为0.5～0.7wt％；所述Ga的含量为0.23～0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为31.3wt％，且所述RH含量为0.5wt％；所述Cu的含量为0.4wt％；所述Co的含量为0.5wt％；所述B的含量为0.98wt％；所述Al的含量为0.4wt％；所述Ga的含量为0.2wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为31.5wt％，且所述RH含量为1.4wt％；所述Cu的含量为0.6wt％；所述Co的含量为1.5wt％；所述B的含量为1.03wt％；所述Al的含量为0.8wt％；所述Ga的含量为0.3wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为30.7wt％，且所述RH含量为1.2wt％；所述Cu的含量为0.45wt％；所述Co的含量为0.8wt％；所述B的含量为0.99wt％；所述Al的含量为0.5wt％；所述Ga的含量为0.23wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为31.5wt％，且所述RH含量为1.3wt％；所述Cu的含量为0.5wt％；所述Co的含量为1.2wt％；所述B的含量为1.02wt％；所述Al的含量为0.7wt％；所述Ga的含量为0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为33wt％，且所述RH含量为1.3wt％；所述Cu的含量为0.55wt％；所述Co的含量为1wt％；所述B的含量为1.03wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.26wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29wt％，且所述RH含量为0.5wt％；所述Cu的含量为0.55wt％；所述Co的含量为0.9wt％；所述B的含量为1.05wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.25wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.5wt％，且所述RH含量为0.5wt％；所述Cu的含量为0.45wt％；所述Co的含量为1.3wt％；所述B的含量为1.05wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.26wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为32.7wt％，其中所述Pr的含量为1.7％，且所述RH含量为0.8wt％；所述Cu的含量为0.5wt％；所述Co的含量为1wt％；所述B的含量为0.99wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.2wt％，所述Mn的含量为0.03wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
本发明还提供一种R-T-B系永磁材料的原料组合物，所述原料组合物按重量百分比计包含：R的含量为28.5～32.5wt％，且RH含量＜1.0wt％；Cu的含量为0.40～0.60wt％；Co的含量为0.5～1.5wt％；B的含量为0.98～1.05wt％；Al的含量为0.4～0.8wt％；Ga的含量为0.2～0.3wt％；Fe的含量为63.5～68.5wt％；所述R为至少包括Nd和RH的稀土元素；所述RH为至少包括Dy的重稀土元素。
本发明中，所述R还可以包括本领域常规的稀土元素，例如，Sc、Pr、Ce、Sm和Eu中的一种或多种。
本发明中，所述RH还可以包含本领域常规的重稀土元素，例如Tb和/或Y。
本发明中，所述R的含量范围较佳地为28.5～32.2wt％，更佳地为29.0～31.0wt％，例如30.8wt％或30.2wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述RH的含量范围较佳地为≤0.9wt％，更佳地为≤0.5wt％或0.7～0.9wt％，例如0.8wt％或0.3wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述R中包括所述Pr时，所述Pr的含量可为0～20wt％，例如1.7wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，较佳地，所述M为Al和Ga。
本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.4～0.55wt％，更佳地为0.45～0.55wt％或0.45～0.50wt％，例如0.45wt％，0.5wt％或0.55wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，较佳地，所述Co的含量范围较佳地为0.5～1.3wt％，更佳地为0.8～1.2wt％，或者0.9～1.3wt％，例如，0.8wt％，0.9wt％，1wt％，1.2wt％，或1.3wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.99～1.05wt％，更佳地为0.99～1.03wt％，或者0.99～1.02wt％，例如，1.02wt％或0.99wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述Al的含量范围较佳地为0.4～0.7wt％，或者0.5～0.8wt％，更佳地为0.5～0.7wt％，例如0.5wt％，0.7wt％或0.6wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0.2～0.27wt％，更佳地为0.23～0.27wt％，例如0.23wt％，0.27wt％，0.26wt％或0.25wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料中还可包含Mn。
其中，所述Mn的含量范围可为0～0.4wt％，例如0.03wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为28.5～32.5wt％，且所述RH含量≤0.5wt％；所述Cu的含量为0.4～0.55wt％；所述Co的含量为0.9～1.3wt％；所述B的含量为0.99～1.05wt％；所述Al的含量为0.6wt％，所述Ga的含量为0.23～0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为29.0～31.0wt％，且所述RH的含量范围为≤0.9wt％，所述Cu的含量为0.45～0.50wt％，所述Co的含量为0.8～1.2wt％，所述B的含量为0.99～1.03wt％，所述Al的含量为0.5～0.8wt％，所述Ga的含量为0.23-0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为29.5～31.0wt％，且所述RH含量＜1.0wt％；所述Cu的含量为0.45～0.50wt％；所述Co的含量为0.8～1.2wt％；所述B的含量为0.99～1.02wt％；所述Al的含量为0.5～0.7wt％；所述Ga的含量为0.23～0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为30.8wt％，且所述RH含量为0wt％；所述Cu的含量为0.4wt％；所述Co的含量为0.5wt％；所述B的含量为0.98wt％；所述Al的含量为0.4wt％；所述Ga的含量为0.2wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为31wt％，且所述RH含量为0.9wt％；所述Cu的含量为0.6wt％；所述Co的含量为1.5wt％；所述B的含量为1.03wt％；所述Al的含量为0.8wt％；所述Ga的含量为0.3wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为31.2wt％，且所述RH含量为0.7wt％；所述Cu的含量为0.45wt％；所述Co的含量为0.8wt％；所述B的含量为0.99wt％；所述Al的含量为0.5wt％；所述Ga的含量为0.23wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为31wt％，且所述RH含量为0.8wt％；所述Cu的含量为0.5wt％；所述Co的含量为1.2wt％；所述B的含量为1.02wt％；所述Al的含量为0.7wt％；所述Ga的含量为0.27wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为32.5wt％，且所述RH含量为0.8wt％；所述Cu的含量为0.55wt％；所述Co的含量为1wt％；所述B的含量为1.03wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.26wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为28.5wt％，且所述RH含量为0wt％；所述Cu的含量为0.55wt％；所述Co的含量为0.9wt％；所述B的含量为1.05wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.25wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为29wt％，且所述RH含量为0wt％；所述Cu的含量为0.45wt％；所述Co的含量为1.3wt％；所述B的含量为1.05wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.26wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为32.2wt％，其中所述Pr的含量为1.7％，且所述RH含量为0.3wt％；所述Cu的含量为0.5wt％；所述Co的含量为1wt％；所述B的含量为0.99wt％；所述Al的含量为0.6wt％；所述Ga的含量为0.2wt％，所述Mn的含量为0.03wt％，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明还提供一种R-T-B系永磁材料的制备方法，其包括下述步骤：将所述R-T-B系永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、粗粉碎、微粉碎、成形、烧结和晶界扩散处理，即得所述R-T-B系永磁材料。
其中，所述熔融液可按本领域常规方法制得，例如，在熔炼炉中熔炼即可。所述熔炼炉的真空度可为5×10-2Pa。所述熔炼的温度可为1500℃以下。
其中，所述铸造的工艺可为本领域常规的铸造工艺，例如薄带连铸法。
其中，经所述铸造可制得合金片，所述合金片的的厚度为本领域常规，可为0.2mm～0.4mm，例如0.2mm或0.3mm。
其中，所述粗粉碎的处理方法为本领域常规，例如氢吸附粉碎或粗粉碎机粉碎。
所述氢吸附粉碎的工艺包括氢吸附的过程和脱氢处理的过程
所述氢吸附的条件可为本领域常规，例如，室温下的氢气气氛。
所述氢吸附的时间可为本领域常规，可为1～3小时，例如1小时或2小时。
所述脱氢处理的条件可为本领域常规。所述脱氢处理的温度可为500℃～600℃，例如500℃或550℃。所述脱氢处理的时间可为2～4小时，例如2小时或3小时。
一般地，经所述粗粉碎后的粉末粒径为数百μm～数mm左右，可为D50 300μm～500μm，例如D50 300μm或D50 400μm。
其中，所述微粉碎处理一般通过使用各种微粉碎机的方法实施，例如，通过碰撞板式的喷射磨装置在氮气或Ar气流中实现。
一般地，经所述细粉碎后的粉末粒径为数μm左右，可为D50 3μm～5μm，例如D50 3μm或D50 4μm。
一般地，将所述细粉碎后的粉末进行取向压制处理，即得成型体。
所述取向压制处理的方法为本领域常规方法。所述成型体的密度较佳地为4.1Mg/m3～4.3Mg/m3。
其中，所述烧结的处理条件为本领域常规。所述烧结的温度可为1000℃～1060℃，例如1000℃或1030℃。所述烧结的时间可为4～10小时，例如4小时或7小时。经所述烧结后可制得烧结体，所述烧结体的密度较佳地为7.45Mg/m3～7.55Mg/m3。所述烧结的气氛为真空。
其中，在所述烧结的工艺之后可进行热处理。所述热处理的工艺为本领域常规，例如，热处理可包括第一时效处理和第二时效处理。
所述第一时效处理的条件为本领域常规。所述第一时效处理的温度可为850℃～950℃，例如850℃或900℃。所述第一时效处理的时间可为2～4小时，例如2小时或4小时。
所述第二时效处理的条件为本领域常规。所述第二时效处理的温度可为450℃～550℃，例如450℃或550℃。所述第二时效处理的时间可为2～4小时，例如2小时或4小时。
较佳地，在所述热处理之后进行所述晶界扩散处理。
其中，所述晶界扩散处理可按本领域常规的工艺进行处理，例如，在所述R-T-B系永磁材料的表面蒸镀、涂覆或溅射附着含有Dy的物质，经扩散热处理，即可。
其中，所述含有Dy的物质可为Dy金属、含有Dy的化合物或含有Dy的合金。
其中，所述扩散热处理的温度可为850℃～950℃，例如850℃或900℃。
其中，所述扩散热处理的时间可为12～50小时，例如12小时或50小时。
本发明中，所述室温为本领域技术人员熟知的室温，即为5℃～40℃。
本发明还提供一种由所述制备方法制备得到的R-T-B系永磁材料。
本发明还提供了一种所述R-T-B系永磁材料在电机中作为电机转子的应用。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
1)本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异，在Br≥13.18kGs，Hcj≥22.46kOe；能够实现Br和Hcj的同步提升；
2)本发明的R-T-B系永磁材料中未添加Ti无Zr这样的促进烧结的原料，在减少元素的添加并保证高Hcj的同时，使得Br提升；
3)本发明的R-T-B系永磁材料的液相熔点得到大幅度降低，使得最佳回火的温度范围很大，对设备的温差要求小，便于批量化生产。
附图说明
图1为实施例1中R-T-B系永磁材料的晶相图
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1
(1)铸造过程：按下表1中实施例1所示的原料组合物，取相应配比的组合物放入真空熔炼炉在5×10-2Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼；之后通过薄带连铸法将熔炼所得的熔融液进行铸造，制得合金片，合金片的厚度为0.2mm。
(2)粗粉碎过程：室温下，将步骤(1)中的合金片放置在流动的氢气中，进行氢吸附处理1小时，充分吸氢后，边抽真空边升温，充分脱氢，在500℃下进行2小时的脱氢处理，即得粗粉碎粉末，粗粉碎粉末的粒径为D50300μm。
(3)微粉碎过程：在氮气流中使用碰撞板式的喷射磨装置对步骤(2)中的粗粉碎的粉末进行微粉碎，即得到平均粒径为D50 3μm的微粉碎粉末。
(4)成形过程：使用本领域常规方法对微粉碎粉末进行取向压制，所得成形体的密度为4.1Mg/m3～4.3Mg/m3。
(5)烧结过程：将成形体在1000℃的温度下烧结4小时，烧结气氛为真空，所得烧结体的密度为7.45Mg/m3～7.55Mg/m3。
(6)热处理过程：将烧结体先以850℃的温度进行2小时的第一时效处理，之后降温至450℃，进行4小时的第二时效的处理。
(7)晶界扩散处理：将经过热处理的烧结体表面净化后，使用Dy金属涂覆在其表面上，以850℃的温度扩散热处理12小时，冷却至室温。
表1
注：“/”表示不含该元素。
实施例3～7、对比例2～3和对比例5～6
按表1所示的原料组合物制得实施例3～7、对比例2～3和对比例5～6所对应的R-T-B系永磁材料，其中，实施例3～7、对比例2～3和对比例5～6的制备工艺同实施例1。
实施例2、实施例8以及对比例1和对比例4
(1)铸造过程：按表1中所示的原料组合物，取相应配比的原料放入真空熔炼炉在5×10-2Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼；之后通过薄带连铸法将熔炼所得的熔融液进行铸造，制得合金片，合金片的厚度为0.3mm。
(2)粗粉碎过程：室温下，将步骤(1)中的合金片放置在流动的氢气中，进行氢吸附处理2小时，充分吸氢后，边抽真空边升温，充分脱氢，在550℃下进行3小时的脱氢处理，即得粗粉碎粉末，粗粉碎粉末的粒径为D50 400μm。
(3)微粉碎过程：在氮气流中使用碰撞板式的喷射磨装置对步骤(2)中的粗粉碎的粉末进行微粉碎，即得到平均粒径为D50 4μm的微粉碎粉末。
(4)成形过程：使用本领域常规方法对微粉碎粉末进行取向压制，所得成形体的密度为4.1Mg/m3～4.3Mg/m3。
(5)烧结过程：将成形体在1000℃的温度下烧结7小时，烧结气氛为真空，所得烧结体的密度为7.45Mg/m3～7.55Mg/m3。
(6)热处理过程：将烧结体先以900℃的温度进行4小时的第一时效处理，之后降温至550℃，进行2小时的第二时效的处理。
(7)晶界扩散处理：将经过热处理的烧结体表面净化后，使用Dy金属涂覆在其表面上，以900℃的温度扩散热处理50小时，冷却至室温。
效果实施例
(1)永磁材料的成分测定：使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)对实施例1～8和对比例1～6的R-T-B系永磁材料进行测定。下表2所示为成分检测结果。
表2
注：“/”表示不含该元素。
(2)磁性能评价：用脉冲磁强计(PFM)在20℃下测量实施例1～8和对比例1～6的R-T-B系永磁材料的磁性能，结果如表3所示。
下表3所示为磁性能检测结果。
表3
如表3所示：
1)本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异，在Br≥13.18kGs，Hcj≥22.46kOe；能够实现Br和Hcj的同步提升(实施例1～8)；
2)基于本发明的高B和高Al体系，其他配方组成并不能适用于这样的体系，R-T-B系永磁材料的Hcj明显下降(对比例1)；
3)基于本发明的高Co配方体系，将Co替换为性能相似的W，无法获得本发明中的较高Hcj的R-T-B系永磁材料(对比例2)；
4)基于本发明的配方体系，将B和Al替换为非高B和高Al体系，发现本发明的配方组成也不适用于非高B和高Al体系，无法获得本发明中的R-T-B系永磁材料(对比例3)；
5)基于本发明的配方体系，不添加Co时，无法获得本发明中的R-T-B系永磁材料(对比例4)；
6)基于本发明的配方体系，当Co含量不在本发明所限定的范围内时，无法获得本发明中的较高Hcj的R-T-B系永磁材料(对比例5～6)。
(3)不同回火温度下的磁性能变化：用脉冲磁强计(PFM)在20℃下测试实施例1的R-T-B系永磁材料在不同回火温度下的性能变化，如下表4所示。
表4
由表4可知，随着回火温度的改变，永磁材料的Hcj、Br等性能无显著变化，表明本发明的永磁材料性能稳定，对回火工艺无特定要求，对设备的温差要求小，便于批量化生产。
(4)R-T-B系永磁材料的晶界结构：通过发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)观察实施例1的R-T-B系永磁材料的晶界结构，图1为所制备的R-T-B系永磁材料的晶相图，图1中1所示为主相，2所示为高Cu富Co相，其含量如下表5所示。
表5
| 主相(at％) | 高Cu富Co相(at％) | |
| R | 12.61 | 57.5 |
| T | 80.73 | 17.5 |
| Co | 1.12 | 7.06 |
| Cu | 0.06 | 10.03 |
| Al | 1.30 | 1.16 |
| Ga | 0.17 | 6.62 |
由表5可知，实施例1中的永磁材料的晶界处存在T17.5Co7.06Cu10.03M7.78R57.5相。
Claims (27)
1.一种R-T-B系永磁材料，R为稀土元素，T为Fe，B为硼；其特征在于，所述R为至少包括Nd和RH的稀土元素；所述RH为至少包括Dy的重稀土元素；
所述永磁材料还含有M，所述M包括Al和Ga；
所述永磁材料按重量百分比计包含：所述R的含量为29.0~33wt%，且所述RH含量＜1.5wt%；Cu的含量为0.40~0.60wt%；Co的含量为0.5~1.5wt%；所述B的含量为0.98~1.05wt%；Al的含量为0.4~0.8wt%；Ga的含量为0.2~0.3wt%；Fe的含量为63~68wt%；
所述永磁材料的晶界处存在组成为（T1-a-b-cCoaCubMc）x-Ry的晶界相，
0.8b＜a＜1.5b，6at%<Co<8at%，8at%<Cu<12at%，6at%<M<8at%，40at%＜x＜50at%，50at%＜y＜60at%，at%是指所述晶界相中各元素所占的原子百分比；
所述R-T-B系永磁材料不含有Ti和Zr。
2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述晶界相中，所述Co为7.06at%，at%是指所述晶界相中Co元素所占的原子百分比；
和/或，所述晶界相中，所述Cu为10.03at%，at%是指所述晶界相中Cu元素所占的原子百分比；
和/或，所述晶界相中，所述M为7.78at%，at%是指所述晶界相中M所占的原子百分比；
和/或，所述x为42.5at%或45at%，at%是指所述晶界相中各元素所占的原子百分比；
和/或，所述y为57.5at%，at%是指所述晶界相中R所占的原子百分比。
3.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述（T1-a-b-cCoaCubMc）x-Ry为T17.5Co7.06Cu10.03M7.78R57.5的晶界相，at%是指所述晶界相中各元素所占的原子百分比。
4.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，14B/（Fe+Co）以原子数比计为1.02~1.16。
5.如权利要求4所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，14B/（Fe+Co）以原子数比计为1.06~1.16。
6.如权利要求5所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，14B/（Fe+Co）以原子数比计为1.06~1.07或1.10~1.16。
7.如权利要求6所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，14B/（Fe+Co）以原子数比计为1.062，1.134，1.067，1.12，1.155或1.108。
8.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R包括Sc、Pr、Ce、Sm和Eu中的一种或多种；
和/或，所述RH还包括Tb和/或Y；
和/或，所述M为Al和Ga；
和/或，所述R-T-B系永磁材料还包括Mn；
和/或，所述R的含量范围为29~32.7wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为≤1.4wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述R中包括Pr时，所述Pr的含量为0~20wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.4~0.55wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5~1.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.99~1.05wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4~0.7wt%，或者0.5~0.8 wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量范围为0.2~0.27wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
9.如权利要求8所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Mn的含量范围为0~0.4wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述R的含量范围为29.5~31.5wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为≤1.0wt%或1.2~1.4wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Pr的含量为1.7wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.45~0.55wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.8~1.2wt%，或者0.9~1.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.99~1.03wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.5~0.7wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量范围为0.23~0.27wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
10.如权利要求9所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Cu的含量范围为0.45~0.50wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.99~1.02wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
11.如权利要求10所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Mn的含量范围为0.03wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述R的含量范围为31.3wt%或30.7wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为1.3wt%、0.5wt%或0.8wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.45wt%，0.5wt%或0.55wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.8wt%，0.9wt%，1wt%，1.2wt%，或1.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为1.02 wt%或0.99 wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.5wt%，0.7wt%或0.6wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量范围为0.23wt%，0.27wt%，0.26wt%或0.25wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
12.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料中，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.0~33wt%，且所述RH含量≤1.0wt%；所述Cu的含量为0.4~0.55wt%；所述Co的含量为0.9~1.3wt%；所述B的含量为0.99~1.05wt%；所述Al的含量为0.6wt%，所述Ga的含量为0.23~0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.5~31.5wt%，且所述RH的含量范围为≤1.4wt%，所述Cu的含量为0.45~0.50wt%，所述Co的含量为0.8~1.2wt%，所述B的含量为0.99~1.03wt%，所述Al的含量为0.5~0.8wt%，所述Ga的含量为0.23~0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
13.如权利要求12所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.5~31.5wt%，且所述RH含量＜1.0wt%；所述Cu的含量为0.45~0.50wt%；所述Co的含量为0.8~1.2wt%；所述B的含量为0.99~1.02wt%；所述Al的含量为0.5~0.7wt%；所述Ga的含量为0.23~0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
14.如权利要求12所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为31.3wt%，且所述RH含量为0.5wt%；所述Cu的含量为0.4wt%；所述Co的含量为0.5wt%；所述B的含量为0.98wt%；所述Al的含量为0.4wt%；所述Ga的含量为0.2wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为31.5wt%，且所述RH含量为1.4wt%；所述Cu的含量为0.6wt%；所述Co的含量为1.5wt%；所述B的含量为1.03wt%；所述Al的含量为0.8wt%；所述Ga的含量为0.3wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为30.7wt%，且所述RH含量为1.2wt%；所述Cu的含量为0.45wt%；所述Co的含量为0.8wt%；所述B的含量为0.99wt%；所述Al的含量为0.5wt%；所述Ga的含量为0.23wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为31.5wt%，且所述RH含量为1.3wt%；所述Cu的含量为0.5wt%；所述Co的含量为1.2wt%；所述B的含量为1.02wt%；所述Al的含量为0.7wt%；所述Ga的含量为0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为33wt%，且所述RH含量为1.3wt%；所述Cu的含量为0.55wt%；所述Co的含量为1wt%；所述B的含量为1.03wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.26wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29wt%，且所述RH含量为0.5wt%；所述Cu的含量为0.55wt%；所述Co的含量为0.9wt%；所述B的含量为1.05wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.25wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为29.5wt%，且所述RH含量为0.5wt%；所述Cu的含量为0.45wt%；所述Co的含量为1.3wt%；所述B的含量为1.05wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.26wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料包括如下组分：所述R的含量为32.7wt%，其中Pr的含量为1.7%，且所述RH含量为0.8wt%；所述Cu的含量为0.5wt%；所述Co的含量为1wt%；所述B的含量为0.99wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.2wt%，Mn的含量为0.03wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
15.一种如权利要求1~14任一项所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将所述的R-T-B系永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、粗粉碎、微粉碎、成形、烧结和晶界扩散处理，即得所述R-T-B系永磁材料；
所述原料组合物按重量百分比计包含：R的含量为28.5~32.5wt%，且RH含量＜1.0wt%；Cu的含量为0.40~0.60wt%；Co的含量为0.5~1.5wt%；B的含量为0.98~1.05wt%；Al的含量为0.4~0.8wt%；Ga的含量为0.2~0.3wt%；Fe的含量为63.5~68.5wt%；所述R为至少包括Nd和RH的稀土元素；所述RH为至少包括Dy的重稀土元素。
16.如权利要求15所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物的熔融液按下述方法制得：在熔炼炉中熔炼即可；
和/或，所述铸造的工艺为薄带连铸法；
和/或，经所述铸造制得合金片，所述合金片的厚度为0.2mm~0.4mm；
和/或，所述粗粉碎的处理方法为氢吸附粉碎或粗粉碎机粉碎；
和/或，经所述粗粉碎后的粉末粒径为D50 300μm~500μm；
和/或，所述微粉碎处理通过碰撞板式的喷射磨装置在氮气或Ar气流中实现；
和/或，经所述微粉碎后的粉末粒径为D50 3μm~5μm；
和/或，所述烧结的温度为1000℃~1060℃；
和/或，所述烧结的时间为4~10小时；
和/或，经所述烧结后制得烧结体，所述烧结体的密度为7.45Mg/m3~7.55Mg/m3；
和/或，所述烧结的气氛为真空；
和/或，在所述烧结的工艺之后进行热处理，所述热处理包括第一时效处理和第二时效处理。
17.如权利要求16所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，
所述熔炼炉的真空度为5×10-2Pa；
和/或，所述熔炼的温度为1500℃以下；
和/或，经所述铸造制得合金片，所述合金片的厚度为0.2mm或0.3mm；
和/或，经所述粗粉碎后的粉末粒径为D50 300μm或D50 400μm；
和/或，所述氢吸附粉碎的工艺包括氢吸附的过程和脱氢处理的过程；
和/或，经所述微粉碎后的粉末粒径为D50 3μm或D50 4μm；
和/或，将所述微粉碎后的粉末进行取向压制处理，即得成型体；
和/或，所述烧结的温度为1000℃或1030℃；
和/或，所述烧结的时间为4小时或7小时；
和/或，所述第一时效处理的温度为850℃~950℃；
和/或，所述第一时效处理的时间为2~4小时；
和/或，所述第二时效处理的温度为450℃~550℃；
和/或，所述第二时效处理的时间为2~4小时；
和/或，在所述热处理之后进行所述晶界扩散处理，所述晶界扩散处理的工艺为：在所述R-T-B系永磁材料的表面蒸镀、涂覆或溅射附着含有Dy的物质，经扩散热处理，即可。
18.如权利要求17所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，
所述氢吸附的条件为室温下的氢气气氛；
和/或，所述氢吸附的时间为1小时或2小时；
和/或，所述脱氢处理的温度为500℃或550℃；
和/或，所述脱氢处理的时间为2小时或3小时；
和/或，所述第一时效处理的温度为850℃或900℃；
和/或，所述第一时效处理的时间为2小时或4小时；
和/或，所述第二时效处理的温度为450℃或550℃；
和/或，所述第二时效处理的时间为2小时或4小时；
和/或，所述含有Dy的物质为Dy金属、含有Dy的化合物或含有Dy的合金；
和/或，所述扩散热处理的温度为850℃～950℃
和/或，所述扩散热处理的时间为12~50小时；
和/或，所述成型体的密度为4.1Mg/m3～4.3Mg/m3。
19.如权利要求18所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，
所述扩散热处理的温度为850℃或900℃；
和/或，所述扩散热处理的时间为12小时或50小时。
20.如权利要求15所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述原料组合物中的所述R包括Sc、Pr、Ce、Sm和Eu中的一种或多种；
和/或，所述原料组合物中的所述RH包括Tb和/或Y；
和/或，所述原料组合物中的所述R-T-B系永磁材料包括Mn；
和/或，所述原料组合物中的所述R的含量范围为28.5~32.2wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述RH的含量范围为≤0.9wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述原料组合物中的所述R中包括Pr时，所述Pr的含量为0~20wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Cu的含量范围为0.4~0.55wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Co的含量范围为0.5~1.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述B的含量范围为0.99~1.05wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Al的含量范围为0.4~0.7wt%，或者0.5~0.8 wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Ga的含量范围为0.2~0.27wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述原料组合物中包含Mn时，所述Mn的含量范围为0~0.4wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
21.如权利要求20所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，
所述原料组合物中的所述R的含量范围为29.0~31.0wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述RH的含量范围为≤0.5wt%或0.7~0.9wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述原料组合物中的所述R中包括Pr时，所述Pr的含量为1.7wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Cu的含量范围为0.45~0.55wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Co的含量范围为0.8~1.2wt%，或者0.9~1.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述B的含量范围为0.99~1.03wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Al的含量范围为0.5~0.7wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Ga的含量范围为0.23~0.27wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述原料组合物中包含Mn时，所述Mn的含量范围为0.03 wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
22.如权利要求21所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述原料组合物中的所述Cu的含量范围为0.45~0.50wt%；
和/或，所述原料组合物中的所述B的含量范围为0.99~1.02wt%。
23.如权利要求22所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，
所述原料组合物中的所述R的含量范围为30.8wt%或30.2wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述RH的含量范围为0.8wt%或0.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Cu的含量范围为0.45wt%，0.5wt%或0.55wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Co的含量范围为0.8wt%，0.9wt%，1wt%，1.2wt%，或1.3wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述B的含量范围为1.02 wt%或0.99 wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Al的含量范围为0.5wt%，0.7wt%或0.6wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述原料组合物中的所述Ga的含量范围为0.23wt%，0.27wt%，0.26wt%或0.25wt%，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
24.如权利要求15所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为28.5~32.5wt%，且所述RH含量≤0.5wt%；所述Cu的含量为0.4~0.55wt%；所述Co的含量为0.9~1.3wt%；所述B的含量为0.99~1.05wt%；所述Al的含量为0.6wt%，所述Ga的含量为0.23~0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为29.0~31.0wt%，且所述RH的含量范围为≤0.9wt%，所述Cu的含量为0.45~0.50wt%，所述Co的含量为0.8~1.2wt%，所述B的含量为0.99~1.03wt%，所述Al的含量为0.5~0.8wt%，所述Ga的含量为0.23-0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为29.5~31.0wt%，且所述RH含量＜1.0wt%；所述Cu的含量为0.45~0.50wt%；所述Co的含量为0.8~1.2wt%；所述B的含量为0.99~1.02wt%；所述Al的含量为0.5~0.7wt%；所述Ga的含量为0.23~0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
25.如权利要求24所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为30.8wt%，且所述RH含量为0wt%；所述Cu的含量为0.4wt%；所述Co的含量为0.5wt%；所述B的含量为0.98wt%；所述Al的含量为0.4wt%；所述Ga的含量为0.2wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为31wt%，且所述RH含量为0.9wt%；所述Cu的含量为0.6wt%；所述Co的含量为1.5wt%；所述B的含量为1.03wt%；所述Al的含量为0.8wt%；所述Ga的含量为0.3wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为31.2wt%，且所述RH含量为0.7wt%；所述Cu的含量为0.45wt%；所述Co的含量为0.8wt%；所述B的含量为0.99wt%；所述Al的含量为0.5wt%；所述Ga的含量为0.23wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为31wt%，且所述RH含量为0.8wt%；所述Cu的含量为0.5wt%；所述Co的含量为1.2wt%；所述B的含量为1.02wt%；所述Al的含量为0.7wt%；所述Ga的含量为0.27wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为32.5wt%，且所述RH含量为0.8wt%；所述Cu的含量为0.55wt%；所述Co的含量为1wt%；所述B的含量为1.03wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.26wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为28.5wt%，且所述RH含量为0wt%；所述Cu的含量为0.55wt%；所述Co的含量为0.9wt%；所述B的含量为1.05wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.25wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为29wt%，且所述RH含量为0wt%；所述Cu的含量为0.45wt%；所述Co的含量为1.3wt%；所述B的含量为1.05wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.26wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下组分：所述R的含量为32.2wt%，其中Pr的含量为1.7%，且所述RH含量为0.3wt%；所述Cu的含量为0.5wt%；所述Co的含量为1wt%；所述B的含量为0.99wt%；所述Al的含量为0.6wt%；所述Ga的含量为0.2wt%，所述Mn的含量为0.03wt%，余量为所述Fe及不可避免的杂质，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
26.一种如权利要求15~25任一项所述的R-T-B系永磁材料的制备方法制得的R-T-B系永磁材料。
27.一种如权利要求1-14、26中任一项所述R-T-B系永磁材料在电机中作为电机转子的应用。
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