CN113205939B - 一种含锆烧结钕铁硼磁体及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种如式RxT100‑x‑y1‑y2‑ zMy1Ay2Bz所示的含锆烧结钕铁硼磁体；其中，28.5％≤x≤32.5％，0％≤y1≤1.0％，0.67％≤y2≤2.4％，0.85％≤z≤1.0％；R选自Pr、Nd和RH中的一种或多种，RH选自Dy和Tb中的一种或多种；M选自Ti、Nb、Hf和Mn中的一种或多种；A为Cu、Ga、Al和Zr；T选自Fe和Co。本发明在A合金元素中，锆元素添加且优化设计了特定的加入量，并对其余成分进行了特别的设计，提高了磁体合金的剩磁、矫顽力和磁能积，具有较高的性能，降低了生产成本，而且工艺简单，适用性广，适合大规模工业化生产。

Description

一种含锆烧结钕铁硼磁体及其制备方法
技术领域
本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种含锆烧结钕铁硼磁体及其制备方法。
背景技术
烧结钕铁硼是人类迄今为止发现的能量密度最高的永磁体，目前已实现大规模的商品化生产。自发现以来，烧结钕铁硼烧结磁体已被广泛应用于计算机硬盘、混合动力汽车、医疗以及风力发电等许多领域，其应用范围和产量还在逐年增加，尤其是在新能源汽车领域。
钕铁硼烧结磁体的许多应用是在高温环境中，因此要求其不仅具有高剩磁，而且要具有高矫顽力。其中，矫顽力是永磁材料的主要参数，矫顽力越高，则表明它的抗退磁能力越强。在应用时，要求钕铁硼烧结磁体的矫顽力越高越好，由此能够保证钕铁硼烧结磁体具有较好的温度稳定性，可在较高的温度条件下工作。常见的提高钕铁硼烧结磁体矫顽力的方法是利用Dy和Tb代替Nd来提高矫顽力。但是，重稀土Dy和Tb的储量匮乏，价格昂贵，同时会降低剩磁；并且由于Dy和Tb易受稀土政策的冲击而带来价格的不稳定或大幅波动的风险。
因此，如何能够进一步的提高磁体的综合性能，使得磁体的矫顽力、剩磁与磁能积均能有所提升，而同时又不采用或少采用重稀土元素，已成为业内诸多一线研究人员亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种含锆烧结钕铁硼磁体，本申请提供的含锆烧结钕铁硼磁体具有较高的剩磁、矫顽力和磁能积。
有鉴于此，本申请提供了一种如式(I)所示的含锆烧结钕铁硼磁体；
RxT100-x-y1-y2-zMy1Ay2Bz (I)；
其中，x、y1、y2和z为对应元素的质量百分数，28.5％≤x≤32.5％，0％≤y1≤1.0％，0.67％≤y2≤2.4％，0.85％≤z≤1.0％；
R选自Pr、Nd、Dy、Tb和Ho中的一种或多种，；
M选自Ti、Nb、Hf和Mn中的一种或多种；且Ti的含量为0～0.12％，Nb的含量为0～0.29％，Hf的含量为0～1.0％，Mn的含量为0～1.0％；
A为Cu、Ga、Al和Zr；
T选自Fe和Co，Co的含量为0.3～2.5％，余量为Fe。
优选的，Pr的含量为0～14.5％，Nd的含量为14～32.5％，Tb的含量为0～5.0％，Dy的含量为0～5.0％。
优选的，Pr的含量为5～10％，Nd的含量为20～25.5％，Dy的含量为0～3％。
优选的，Cu的含量为0.2～0.6％，Ga的含量为0.25～0.55％，Al的含量为0.02～0.6％，Zr的含量为0.2～0.65％。
优选的，Cu的含量为0.3～0.5％，Ga的含量为0.35～0.5％，Al的含量为0.1～0.5％，Zr的含量为0.3～0.6％。
优选的，Co的含量为0.5～2.0％，B的含量为0.90～0.98％。
优选的，所述M选自Ti和Nb中的一种或两种，Ti的含量为0～0.1％，Nb的含量为0～0.15％。
本申请还提供了所述的含锆烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：
A)将钕铁硼烧结磁体的原料进行速凝薄片处理，得到钕铁硼速凝薄片；
B)将所述钕铁硼速凝薄片依次进行氢破碎和气流磨，得到钕铁硼粉末；
C)将所述钕铁硼粉末依次进行取向成型和烧结，得到含锆烧结钕铁硼磁体。
优选的，所述速凝薄片处理的温度为1400～1500℃，所述钕铁硼速凝薄片的厚度为0.10～0.60mm；
所述氢破碎过程中，吸氢时间为1～3h，吸氢温度为20～300℃，脱氢时间为3～7h，脱氢温度为550～600℃；
所述气流磨过程中，加入润滑剂进行磨粉，所述润滑剂为氢破碎得到的混合细粉质量的0.02～0.1％，所述气流磨后的粉末的粒度为2～10μm。
优选的，所述取向成型包括依次进行的取向压制和等静压成型；
所述取向成型的磁场强度为1.2～3T；
所述烧结的温度为1000～1200℃，时间为5～15h，真空度为小于等于0.02Pa；
所述烧结后还包括时效处理，所述时效处理包括第一次时效处理和第二次时效处理；
所述第一次时效处理的温度为800～980℃，所述第一次时效处理的时间为2～15小时；
所述第二次时效处理的温度为420～580℃，所述第二次时效处理的时间为1～8小时。
本发明提供了一种含锆烧结钕铁硼磁体，其在诸多合金元素中增加了Zr元素，优化设计了特定的加入量，并对其余成分进行了合理设计，使Zr元素与Cu元素配合，形成Zr-Cu合金相，使富集于磁性相晶界的锆铜相在磁体退磁时成为“钉扎”畴壁移动的钉扎场中心，阻碍磁畴壁的移动，从而提高了磁体合金的内禀矫顽力；同时锆铜相对磁性相晶粒的晶界移动产生“钉扎”作用，提高耐烧结温度，并且不发生晶粒异常长大，而且能非常有效地阻止磁性相的变化，使晶粒细化，进而提高了磁体合金的剩磁、矫顽力和磁能积，Cu元素与Ga元素形成Cu-Ga合金相，利用其熔点低在晶界内起到润湿性，，具有减弱磁交换耦合作用，能在一定程度上提高矫顽力，但剩磁和磁能积却无法提高的固有缺陷。
本发明提供含锆的钕铁硼磁体及其制备方法不仅能够制备出具有较高性能的钕铁硼磁性材料，而且能够在不增加重稀土元素的情况下，提高磁体合金的剩磁、矫顽力和磁能积，降低了生产成本，而且工艺简单，适用性广，适合大规模工业化生产。
实验结果表明，采用本发明提供的含锆钕铁硼磁体相比同型号钕铁硼磁体，剩磁不降低的情况下，矫顽力提升值大于1kOe。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明所有原料对其纯度没有特别限制，优选采用工业纯或钕铁硼磁体领域使用的常规纯度。
本发明提供了一种如式(I)所示的含锆烧结钕铁硼磁体；
RxT100-x-y1-y2-zMy1Ay2Bz (I)；
其中，x、y1、y2和z为对应元素的质量百分数，28.5％≤x≤32.5％，0％≤y1≤1.0％，0.67％≤y2≤2.4％，0.85％≤z≤1.0％；
R选自Pr、Nd和RH中的一种或多种，RH选自Dy和Tb中的一种或多种；
M选自Ti、Nb、Hf和Mn中的一种或多种；且Ti的含量为0～0.12％，Nb的含量为0～0.29％，Hf的含量为0～1.0％，Mn的含量为0～1.0％；
A为Cu、Ga、Al和Zr；
T选自Fe和Co，Co的含量为0.3～2.5％，余量为Fe。
本发明对所述式I的具体定义没有特别限制，以本领域技术人员熟知的此类表述方式即可，可以理解为质量比。
本发明式I所述的通式中，所述R选自Pr、Nd和RH中的一种或多种，RH选自Dy和Tb中的一种或多种；R的含量为28.5～32.5％；更具体地，Pr的含量为0～14.5％，Nd的含量为14～32.5％，Tb的含量为0～5.0％，Dy的含量为0～5.0％；更具体的，Pr的含量为5～10％，Nd的含量为20～25.5％，Dy的含量为0～3％；更具体地，Pr的含量为5.5、5.9、6.0、6.2、6.3、6.4、7.0、7.2、7.9、8.2、8.4或9.8，Nd的含量为21.5、22.6、23.0、23.2、23.5、23.9、24.2、24.8、25.2或25.5，Dy的含量为0、0.6、1.5、1.8、2.5或3.0。
所述M选自Ti、Nb、Hf和Mn中的一种或多种；且Ti的含量为0～0.12％，Nb的含量为0～0.29％，Hf的含量为0～1.0％，Mn的含量为0～1.0％；在本申请中，M可细化晶粒，润湿晶界，改善磁体韧性和加工性能，更具体地，所述M选自Ti和Nb中的一种或两种，Ti的含量为0～0.1％，Nb的含量为0～0.15％。
A为Cu、Ga、Al和Zr；Zr可形成、Zr-Cu、Cu-Ga合金相，优化晶界，润湿晶界，使剩磁Br保持不变情况下，大幅度提高矫顽力Hcj，并且形成R6Fe13A化合物，提升矫顽力。具体的，Cu的含量为0.2～0.6％，Ga的含量为0.25～0.55％，Al的含量为0.02～0.6％，Zr的含量为0.2～0.65％；更具体地，Cu的含量为0.3～0.48％，Ga的含量为0.35～0.5％，Al的含量为0.1～0.5％，Zr的含量为0.3～0.6％。
T具体选自Fe和Co，Co的含量为0.3～2.5，余量为Fe，更具体地，Co的含量为0.5～2.0％。
在本申请中B的0.85～1.0％，更具体地，B的含量为0.90～0.98％。
本发明提供了一种含锆的高性能烧结钕铁硼磁体，通过锆的复合添加，尤其是采用特定的单个元素和整体加入量的设计，使富锆相“钉钆”作用优化晶粒的组织结构，不仅提高矫顽力，同时也提高剩磁和磁能积。其中加入的锆元素过少，钉扎作用不明显；而锆元素添加量过多，在晶界处的富集的非磁性相体积增加，厚度增大，在磁性相之间产生隔离作用，减弱了交换耦合而使合金剩磁下降，而且硬度下降，加工性能下降。
本发明还提供了一种如上所述的含锆钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：
A)将钕铁硼烧结磁体的原料进行速凝薄片处理，得到钕铁硼速凝薄片；
B)将所述钕铁硼速凝薄片依次进行氢破碎和气流磨，得到钕铁硼粉末；
C)将所述钕铁硼粉末依次进行取向成型和烧结，得到含锆钕铁硼磁体。
本发明上述步骤中，钕铁硼原料的选择原则和优选范围，如无特别注明，与钕铁硼原料中的选择原则和优选范围优选相对应，在此不再一一赘述。
本发明首先将钕铁硼原料经过速凝薄片工艺后，得到钕铁硼速凝薄片。
本发明对所述钕铁硼原料的来源没有特别限制，以本领域技术人员熟知的常规磁体原料来源即可，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量控制等因素进行选择和调整。
本发明对所述速凝薄片工艺的具体步骤和参数没有特别限制，以本领域技术人员熟知的烧结钕铁硼磁体制备过程的速凝薄片工艺的步骤和参数即可，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量控制等因素进行选择和调整，本发明所述速凝薄片工艺的温度优选为1450～1490℃，更优选为1460～1480℃。所述钕铁硼速凝薄片的厚度优选为0.10～0.60mm，更优选为0.30～0.40mm。
本发明随后将上述步骤得到的钕铁硼速凝薄片依次进行氢破碎和气流磨后，得到钕铁硼粉末。本发明对所述氢破碎的具体步骤没有特别限制，以本领域技术人员熟知的烧结钕铁硼磁体制备过程的氢破碎工艺的步骤即可。本发明所述氢破碎过程中，吸氢时间优选为1～3h，更优选为1.5～2.5h；所述吸氢温度优选为20～300℃，更优选为120～200℃；脱氢时间优选为3～7h，更优选为4～5h；所述脱氢温度优选为550～600℃，更优选为570～580℃。
本发明所述氢破碎后，优选还包括水冷步骤。所述水冷的时间优选为1～3h，更优选为1.5～2.5h。
为了进一步提高气流磨的磨粉效果，所述气流磨更优选为加入润滑剂进行气流磨。本发明对所述润滑剂没有特别限制，以本领域技术人员熟知的磁体气流磨润滑剂即可。本发明所述润滑剂占所述混合细粉质量比优选为0.02％～0.1％，更优选为0.05％～0.08％。
本发明所述磨粉后的平均粒度，即混合细粉的平均粒度，优选为2～5μm，更优选为3～4μm。
本发明最后将上述步骤得到的钕铁硼粉末依次进行取向成型和烧结后，得到钕铁硼磁体。本发明对所述取向成型的具体步骤没有特别限制，以本领域技术人员熟知的磁体取向成型的具体步骤即可，本领域技术人员可以根据实际生产情况、产品要求以及质量要求等因素进行选择和调整，本发明所述取向成型优选包括取向压制和等静压成型步骤，更优选为磁场取向成型在密封的无氧或低氧的手套箱中进行，并保证产品在整个运转和等静压过程中无氧或低氧。
本发明所述取向压制的磁场强度优选为1.2～3T，更优选为1.6～2.4T；所述取向压制的时间优选为2～10s，更优选为3～9s。所述等静压成型的压力优选为120～240MPa，优选为160～200Mpa；所述等静压成型的保压时间优选为30～120s，更优选为70～80s。本发明为进一步保证和提高最终磁体产品的性能，所述取向压制后的磁体坯体的密度优选为3.8～4.3g/cm3，更优选为3.9～4.1g/cm3。所述等静压成型后的磁体坯体的密度优选为4.5～5.0g/cm3，更优选为4.6～4.9g/cm3。
本发明最后对上述步骤得到的磁体坯体进行烧结，本发明对所述烧结的具体步骤没有特别限制，以本领域技术人员熟知的磁体烧结的具体步骤即可，本发明所述烧结优选为真空烧结；所述烧结后优选还包括时效处理步骤；所述时效处理更优选包括第一次时效处理和第二次时效处理。
本发明所述烧结的温度优选为1000～1200℃，更优选为1050～1150℃；所述烧结的时间优选为5～15h，更优选为6～10h。本发明所述烧结的真空袋优选小于等于0.02Pa，更优选小于等于0.01Pa。为了进一步保证和提高最终磁体产品的性能，所述烧结后的磁体毛坯的密度优选为7.4～7.7g/cm3，更优选为7.5～7.65g/cm3。
本发明对所述时效处理的具体步骤和参数没有特别限制，以本领域技术人员熟知的磁体时效处理的具体步骤即可。本发明所述第一次时效处理的温度优选为800～980℃，更优选为840～960℃；所述第一次时效处理的时间优选为2～15小时，更优选为3～6小时。所述第二次时效处理的温度优选为420～580℃，更优选为440～560℃；所述第二次时效处理的时间优选为1～6小时，更优选为3～4小时。
本发明对上述磁体的整体制备过程没有特别限制，以本领域技术人员熟知的烧结钕铁硼磁体制备过程即可，即原料经过配料、速凝薄片工艺(熔炼)、氢碎制粉、粉末取向压制成型以及真空烧结等步骤后的毛坯，即再经过表面处理和加工后，就可作为成品钕铁硼磁体。
本发明提供的钕铁硼磁体及其制备方法不仅能够制备出具有较高性能的钕铁硼磁性材料，而且能够在不增加重稀土元素的情况下，提高磁体合金的剩磁、矫顽力和磁能积，降低了生产成本，而且工艺简单，适用性广，适合大规模工业化生产。
实验结果表明，采用本发明提供的钕铁硼磁体相比同型号钕铁硼磁体，剩磁不降低的情况下，矫顽力提升值大于1kOe。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的含锆烧结钕铁硼磁体及其制备方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
表1实施例的原料配方数据表(表中数字的单位为wt％)
Figure BDA0003049774510000081
Figure BDA0003049774510000091
实施例1
按表1所示的实施例1进行配料，将得到的原材料在真空感应熔炼炉中熔炼，将得到熔液在1460℃浇铸，在转速为40转/分的铜辊上冷却，得到平均厚度为0.30mm钕铁硼合金铸片；将所述铸片进行氢破碎，所述氢破碎过程中的吸氢时间为1小时，脱氢时间5小时，脱氢温度为580℃，冷却2小时，将得到的粉料进行气流磨，得到粒度为3.8μm的粉末，将所制得粉末在密封无氧的手套箱中17320高斯磁场下进行磁场取向成型处理，然后在200MPa下进行等静压处理，得到磁体坯体；将所述磁体坯体在1060℃下烧结6小时，然后在910℃下进行2小时的时效处理，最后在515℃下进行4小时的时效处理，得到钕铁硼磁体。
按同样步骤制得对比例1。
对本发明上述方法制备的钕铁硼磁体与对比例1制备的钕铁硼磁体进行平行试验对比，对比结果参见表2，表2为实施例和对比例制备的磁体的性能数据表；
表2实施例和对比例制备的的磁体性能数据表
样品标记 Br(kGs) Hcj(kOe) Hk/Hcj(％)
实施例1 14.59 15.8 0.98
对比例1a 14.52 14.71 0.98
对比例1b 14.54 13.66 0.97
由表1和表2可知：实施例1和对比例1a中Zr相同Cu、Ga小于范围，矫顽力相差1.09kOe；对比例1b中不添加Zr情况，矫顽力相差1.05kOe。
实施例2
按表1所示的实施例2进行配料，将得到的原材料在真空感应熔炼炉中熔炼，将得到熔液在1450℃浇铸，在转速为40转/分的铜辊上冷却，得到平均厚度为0.28mm钕铁硼合金铸片；将所述铸片进行氢破碎，所述氢破碎过程中的吸氢时间为1小时，脱氢时间5小时，脱氢温度为580℃，冷却2小时，将得到的粉料进行气流磨，得到粒度为3.8微米的粉末，将所制得粉末在密封无氧的手套箱中17500高斯磁场下进行磁场取向成型处理，然后在200MPa下进行等静压处理，得到磁体坯体；将所述磁体坯体在1070℃下烧结6小时，然后在910℃下进行2小时的时效处理，最后在515℃下进行4小时的时效处理，得到钕铁硼磁体。
按同样步骤制得对比例2
对本发明上述方法制备的钕铁硼磁体与普通钕铁硼磁体进行平行试验对比，对比结果参见表3，表3为实施例和对比例制备的的磁体性能数据表；
表3实施例和对比例制备的磁体性能数据表
样品标记 Br(kGs) Hcj(kOe) Hk/Hcj(％)
实施例2 14.26 18.48 0.98
对比例2 14.21 16.93 0.98
由表1和表3可知：实施例2和对比例2a中Al大于范围且Zr小于范围，矫顽力相差1.58kOe。
实施例3
按表1所示的实施例3进行配料，将得到的原材料在真空感应熔炼炉中熔炼，将得到熔液在1440℃浇铸，在转速为40转/分的铜辊上冷却，得到平均厚度为0.32mm钕铁硼合金铸片；将所述铸片进行氢破碎，所述氢破碎过程中的吸氢时间为1小时，脱氢时间5小时，脱氢温度为580℃，冷却2小时，将得到的粉料进行气流磨，得到粒度为3.8微米的粉末，将所制得粉末在密封无氧的手套箱中17560高斯磁场下进行磁场取向成型处理，然后在200MPa下进行等静压处理，得到磁体坯体；将所述磁体坯体在1080℃下烧结6小时，然后在900℃下进行2小时的时效处理，最后在515℃下进行4小时的时效处理，得到钕铁硼磁体。
按同样步骤制得对比例3。
对本发明上述方法制备的钕铁硼磁体与普通钕铁硼磁体进行平行试验对比，对比结果参见表4，表4为实施例和对比例制备的磁体性能数据表；
表4实施例和对比例制备的磁体性能数据表
Figure BDA0003049774510000111
Figure BDA0003049774510000121
由表1和表4可知：实施例3和对比例3a中Zr相同，Cu超范围，矫顽力相差0.10kOe；实施例3和对比例3b中Zr相同，Ga超范围，矫顽力相差1.01kOe；实施例3和对比例3c中Zr相同，Al超范围，矫顽力相差0.86kOe。
实施例4
按表1所示的实施例4进行配料，将得到的原材料在真空感应熔炼炉中熔炼，将得到熔液在1455℃浇铸，在转速为40转/分的铜辊上冷却，得到平均厚度为0.0.26mm钕铁硼合金铸片；将所述铸片进行氢破碎，所述氢破碎过程中的吸氢时间为1小时，脱氢时间5小时，脱氢温度为580℃，冷却2小时，将得到的粉料进行气流磨，得到粒度为3.8微米的粉末，将所制得粉末在密封无氧的手套箱中17700高斯磁场下进行磁场取向成型处理，然后在200MPa下进行等静压处理，得到磁体坯体；将所述磁体坯体在1090℃下烧结6小时，然后在910℃下进行2小时的时效处理，最后在505℃下进行4小时的时效处理，得到钕铁硼磁体。
按同样步骤制得对比例4。
对本发明上述方法制备的钕铁硼磁体与普通钕铁硼磁体进行平行试验对比，对比结果参见表5，表5为实施例和对比例制备的的磁体性能数据表；
表5实施例和对比例制备的的磁体性能数据表
样品标记 Br(kGs) Hcj(kOe) Hk/Hcj(％)
实施例4 13.53 22.18 0.98
对比例4 13.52 20.87 0.98
由表1和表5可知：实施例4和对比例4a中Zr超范围，Cu、Ga小于范围，矫顽力相差1.31kOe。
实施例5
按表1所示的实施例5进行配料，将得到的原材料在真空感应熔炼炉中熔炼，将得到熔液在1465℃浇铸，在转速为40转/分的铜辊上冷却，得到平均厚度为0.28mm钕铁硼合金铸片；将所述铸片进行氢破碎，所述氢破碎过程中的吸氢时间为1小时，脱氢时间5小时，脱氢温度为580℃，冷却2小时，将该粉料进行气流磨，得到粒度为3.8微米的粉末，将所制得粉末在密封无氧的手套箱中17500高斯磁场下进行磁场取向成型处理，然后在200MPa下进行等静压处理，得到磁体坯体；将所述磁体坯体在1100℃下烧结6小时，然后在920℃下进行2小时的时效处理，最后在535℃下进行4小时的时效处理，得到钕铁硼磁体。
按同样步骤制得对比例5。
对本发明上述方法制备的钕铁硼磁体与普通钕铁硼磁体进行平行试验对比，对比结果参见表6，表6为实施例和对比例的磁体性能数据。
表6实施例和对比例的磁体性能数据表
样品标记 Br(kGs) Hcj(kOe) Hk/Hcj(％)
实施例5 12.79 27.01 0.96
对比例5 12.78 25.25 0.96
由表1和表6可知：实施例5和对比例5中Zr超范围，矫顽力相差1.76kOe。
实施例6～9的制备方法与实施例1相同，区别仅在于Zr的含量，具体如表1所示；
对本发明上述方法制备的钕铁硼磁体进行性能检测，对比结果参见表7，表7为实施例和对比例的磁体性能数据。
表7实施例6～9的磁体性能数据表
Figure BDA0003049774510000131
Figure BDA0003049774510000141
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (5)

1.一种如式（I）所示的含锆烧结钕铁硼磁体；
RxT100-x-y1-y2-zMy1Ay2Bz （I）；
其中，x、y1、y2和z为对应元素的质量百分数，28.5%≤x≤32.5%，0%≤y1≤1.0%，0.67%≤y2≤2.4%，0.90%≤z≤0.96%；
R选自Pr、Nd、Dy；Pr的含量为5~14.5%，Nd的含量为20~25.5%，Dy的含量为0~3%；
M为Ti和Nb；且Ti的含量为0~0.1%，Nb的含量为0~0.15%，且Ti和Nb含量不为0；
A为Cu、Ga、Al和Zr；Cu的含量为0.2~0.6%，Ga的含量为0.25~0.5%，Al的含量为0.1~0.5%，Zr的含量为0.2~0.6%；T选自Fe和Co，Co的含量为0.5~2.5%，余量为Fe；
所述含锆烧结钕铁硼磁体中形成Zr-Cu、Cu-Ga合金相，且形成R6Fe13A化合物。
2.根据权利要求1所述的含锆烧结钕铁硼磁体，其特征在于，Cu的含量为0.3~0.5%，Ga的含量为0.35~0.5%，Al的含量为0.1~0.5%，Zr的含量为0.3~0.6%。
3.权利要求1~2任一项所述的含锆烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：
A）将钕铁硼烧结磁体的原料进行速凝薄片处理，得到钕铁硼速凝薄片；
B）将所述钕铁硼速凝薄片依次进行氢破碎和气流磨，得到钕铁硼粉末；
C）将所述钕铁硼粉末依次进行取向成型和烧结，得到含锆烧结钕铁硼磁体。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述速凝薄片处理的温度为1400~1500℃，所述钕铁硼速凝薄片的厚度为0.10~0.60mm；
所述氢破碎过程中，吸氢时间为1~3h，吸氢温度为20~300℃，脱氢时间为3~7h，脱氢温度为550~600℃；
所述气流磨过程中，加入润滑剂进行磨粉，所述润滑剂为氢破碎得到的混合细粉质量的0.02~0.1%，所述气流磨后的粉末的粒度为2~10μm。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述取向成型包括依次进行的取向压制和等静压成型；
所述取向成型的磁场强度为1.2~3T；
所述烧结的温度为1000~1200℃，时间为5~15h，真空度为小于等于0.02Pa；
所述烧结后还包括时效处理，所述时效处理包括第一次时效处理和第二次时效处理；
所述第一次时效处理的温度为800~980℃，所述第一次时效处理的时间为2~15小时；
所述第二次时效处理的温度为420~580℃，所述第二次时效处理的时间为1~8小时。
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