CN111180159B - 一种钕铁硼永磁材料、制备方法、应用 - Google Patents

一种钕铁硼永磁材料、制备方法、应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种钕铁硼永磁材料、制备方法、应用，钕铁硼永磁材料中包含R、Al、Cu和Co；R包括RL和RH；RL包括Nd、La、Ce、Pr、Pm、Sm和Eu中的一种或多种轻稀土元素；RH包括Tb、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sc中的一种或多种重稀土元素；钕铁硼永磁材料满足以下关系式：(1)B/R:0.033～0.037；(2)Al/RH:0.12～2.7。本发明中的钕铁硼永磁材料的磁性能和力学性能优异，Br≥13.12kGs，Hcj≥17.83kOe，抗弯强度≥409MPa。

Description

一种钕铁硼永磁材料、制备方法、应用
技术领域
本发明涉及一种钕铁硼永磁材料、制备方法、应用。
背景技术
永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R-T-B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种，必须包含Nd和Pr中的至少一个)已知为永久磁铁中性能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等各种电机和家电制品等。
目前，在制备R-T-B系永磁材料过程中，为了提升永磁材料的矫顽力，在R-T-B系永磁材料中加入Cu元素可以有效提高其矫顽力，但Cu添加量超过0.35wt％以上后，由于Cu在晶界的富集会导致磁体烧结后形成微裂纹从而降低磁体的致密性及强度，并恶化磁体的矫顽力，从而限制了高Cu配方在R-T-B系永磁材料中的可用性。因此，亟需一种钕铁硼永磁体的配方体系来克服高Cu含量带来的磁体强度及矫顽力下降的技术问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的钕铁硼永磁材料中高Cu引起的矫顽力和力学强度降低的缺陷，而提供一种钕铁硼永磁材料、制备方法、应用。
本发明是通过以下技术方案来解决上述技术问题的：
本发明提供一种钕铁硼永磁材料，所述钕铁硼永磁材料中包含R、Al、Cu和Co；
所述R包括RL和RH；
所述RL包括Nd、La、Ce、Pr、Pm、Sm和Eu中的一种或多种轻稀土兀素；
所述RH包括Tb、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sc中的一种或多种重稀土元素；
所述钕铁硼永磁材料满足以下关系式：
(1)B/R：0.033～0.037；
(2)Al/RH：0.12～2.7。
本发明中，其中，较佳地，RH/R：0～0.11且不为0。
本发明中，较佳地，所述B/R的重量比为0.034～0.036或0.033～0.034，例如0.0331、0.033、0.0339、0.0332、0.033或0.036。
本发明中，较佳地，所述Al/RH的重量比为0.35～1.25或0.12～2，例如0.489、1.9、1、0.133、1.06或0.78。
本发明中，所述RL一般是指具有较低的原子序数和较小质量的稀土元素，也称为轻稀土元素。
本发明中，所述RL较佳地包括Nd、Pr和Ce中的一种或多种。
本发明中，所述RH一般是指具有较高的原子序数的较大质量的稀土元素，也称为重稀土元素。
本发明中，所述RH较佳地包括Dy和/或Tb。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼永磁材料中包含NdFeB主相和晶间富稀土相，所述晶间富稀土相包含RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相，x为0.4～5.0，y为0.5～1.1，z为45～92，m为0.5～3.5，n为1.5～7，例如Tb3.7-Al0.51-Nd89.5-Cu1.2-Co4.6、Tb2.4-Al1.04-Nd90.2-Cu1.5-Co5.6、Tb0.4Dy2.5-Al0.59-Nd89.6-Cu1.4-Co5.1、Tb4.5-Al0.68-Nd90.4-Cu1.3-Co5.2、Tb3.1-Al0.98-Nd67.3Pr22.7-Cu1.3-Co5.1或Tb3.8-Al0.77-Nd89.2-Cu1.2-Co5.0。其中，所述晶间富稀土相也称为晶界相。
其中，较佳地，所述RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相占所述晶间富稀土相的体积比为4～10％，更佳地为4.5～6％，例如5.8％、5.6％、4.5％、5.4％、5.5％或者5.6％。
本发明还提供了一种钕铁硼永磁材料，所述钕铁硼永磁材料中包含NdFeB主相和晶间富稀土相，所述晶间富稀土相包含RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相，x为0.4～5.0，y为0.5～1.1，z为45～92，m为0.5～3.5，n为1.5～7，所述RL和所述RH的种类如前所述。
其中，所述RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相可为Tb3.7-Al0.51-Nd89.5-Cu1.2-Co4.6、Tb2.4-Al1.04-Nd90.2-Cu1.5-Co5.6、Tb0.4Dy2.5-Al0.59-Nd89.6-Cu1.4-Co5.1、Tb4.5-Al0.68-Nd90.4-Cu1.3-Co5.2、Tb3.1-Al0.98-Nd67.3Pr22.7-Cu1.3-Co5.1或Tb3.8-Al0.77-Nd89.2-Cu1.2-Co5.0。
其中，较佳地，所述RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相占所述晶间富稀土相的体积比为4～10％，更佳地为4.5～6％，例如5.8％、5.6％、4.5％、5.4％、5.5％或者5.6％。
本发明中，所述钕铁硼永磁材料中的组分及含量可为本领域常规。较佳地，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：
R：28～33wt％；
RH：0.5～2.5wt％；
Cu：0.35～0.55wt％；
Al：0.44～0.95wt％；
Co：0.85～1.5wt％；
B：0.955～1.05wt％；
Fe：66～69wt％；
所述R包括RL和RH；
所述RL和所述RH的种类如前所述；
wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述R的含量范围较佳地为28～31wt％或者29～33wt％，例如29wt％、31.8wt％、29.5wt％、31wt％、31.5wt％或29.2wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述RH的含量范围较佳地为0.5～1.5wt％或者0.9～2.5wt％，例如0.9wt％、0.5wt％、1.5wt％或0.8wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述Cu的含量范围较佳地为0.35～0.5wt％或0.4～0.55wt％，例如0.35wt％、0.55wt％、0.4wt％、0.45wt％、0.5wt％或0.42wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述Al的含量范围较佳地为0.44～0.85wt％或者0.5～0.95wt％，例如0.44wt％、0.95wt％、0.5wt％、0.85wt％或0.7wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述Co的含量范围较佳地为0.85～1.3wt％或0.95～1.5wt％，例如0.85wt％、1.5wt％、0.9wt％、0.95wt％、1.2wt％或1.3wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述B的含量范围较佳地为0.955～1.03wt％或1～1.05wt％，例如0.96wt％、1.05wt％、1wt％、1.03wt％或1.04wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，所述钕铁硼永磁材料还可包括M，所述M包括Nb、Zr、Ti和Hf中的一种或多种。
所述M的含量范围可为0.1～0.4wt％，较佳地为0.15-0.25wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
当所述M包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.5wt％，例如0.2wt％、0.21wt％、0.23或0.25wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
当所述M包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0～0.3wt％，例如0.2wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
当所述M包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.3wt％，例如0.21wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
其中，较佳地，RH/R：0～0.11且不为0。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：R 28～31wt％，RH 0.5～1.5wt％，Cu 0.35～0.5wt％，A10.44～0.85wt％，Co 0.85～1.3wt％，B0.955～1.03wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：R 29～33wt％，RH 0.9～2.5wt％，Cu 0.4～0.55wt％，A10.5～0.95wt％，Co 0.95～1.5wt％，B 1～1.05wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：R 28～31wt％，RH 0.5～1.5wt％，Cu 0.4～0.55wt％，A10.5～0.95wt％，Co 0.95～1.5wt％，B 1～1.05wt％，Nb0～0.5wt％，Zr0～0.3wt％，Ti0～0.3wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：Nd28.1wt％，Tb 0.9wt％，Cu 0.35wt％，Al 0.44wt％，Co0.85wt％，B0.96wt％，Nb 0.2wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：Nd31.3wt％，Tb 0.5wt％，Cu 0.55wt％，Al 0.95wt％，Co1.5wt％，B1.05wt％，Zr 0.2wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：Nd29wt％，Tb 0.1wt％，Dy 0.4，Cu 0.4wt％，Al 0.5wt％，C00.9 wt％，B1 wt％，Nb0.25wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：Nd29.5wt％，Tb 1.5wt％，Cu 0.45wt％，Al 0.52wt％，Co0.95wt％，B1.03wt％，Ti 0.21wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：PrNd30.7wt％，Tb 0.8wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.85wt％，Co1.2wt％，B1.04wt％，Nb 0.21wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：Nd28.3wt％，Tb 0.9wt％，Cu 0.42wt％，Al 0.7wt％，Co1.3wt％，B1.05wt％，Nb 0.23wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了一种钕铁硼永磁材料的制备方法，其包括下述步骤：将所述钕铁硼永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、粗破碎、粉碎、成形、烧结，即可；
所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中包含R、Al、Cu和Co；
所述R包括RL和RH；所述RL的种类如前所述；所述RH的种类如前所述；
所述钕铁硼永磁材料的原料组合物满足以下关系式：
(1)B/R：0.033～0.037；
(2)A1/RH：0.12～2.7。
本发明中，所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的组分及含量可为本领域常规。较佳地，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料的原料组合物包括：
R：28～33wt％；RH：0.5～2.5wt％；Cu：0.35～0.55wt％；Al：0.44～0.95wt％；
Co：0.85～1.5wt％；B：0.955～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
所述R包括RL和RH；wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述钕铁硼永磁材料的原料组合物的熔融液可按本领域常规方法制得，例如：在高频真空感应熔炼炉中熔炼，即可。所述熔炼炉的真空度可为5×10-2Pa。所述熔炼的温度可为1550℃以下。
其中，所述铸造的过程包括浇铸，所述浇铸的温度可为1420～1460℃，较佳地为1425～1455℃，例如1430℃。经所述浇铸之后进行铸造，所述铸造的方式可为：在Ar气气氛中(例如5.5×104pa的Ar气气氛下)，以102℃/秒-104℃/秒的速度冷却，即可。
经所述铸造之后获得合金片，所述合金片的厚度可为本领域常规，较佳地为0.28～0.32mm，例如0.3mm。
本发明中，所述破碎的工艺可为本领域常规的破碎工艺，例如经吸氢、脱氢、冷却处理，即可。
其中，所述吸氢可在氢气压力0.085MPa的条件下进行。
其中，所述脱氢可在边抽真空边升温的条件下进行，脱氢温度为480-520℃，例如500℃。
本发明中，所述粉碎的工艺可为本领域常规的粉碎工艺，例如气流磨粉碎。
其中，较佳地，所述粉碎的工艺在氧化气体含量100ppm以下的气氛下进行。所述氧化气体指的是氧气或水分含量。
其中，所述气流磨粉碎的研磨室压力可为0.68MPa。经所述气流磨粉碎之后的粉体粒度可为4.1～4.4μm，较佳地为4.1～4.3μm，例如4.2μm。
其中，所述粉碎后，可按本领域常规手段添加润滑剂，例如硬脂酸锌。所述润滑剂的添加量可为混合后粉末重量的0.05～0.15％，例如0.12％。
本发明中，所述成形的工艺可为本领域常规的成形工艺，例如磁场成形法。
本发明中，所述烧结的工艺可为本领域常规的烧结工艺，例如，在真空条件下(例如在5×10-3Pa的真空下)，经烧结、冷却，即可。
其中，所述烧结的温度可为本领域常规的烧结温度，例如1000～1100℃，再例如1070℃。所述烧结的时间可为本领域常规的烧结时间，例如6h。所述冷却前可通入Ar气体使气压达到0.05MPa。
本发明中，所述烧结之后还可包括时效处理。
其中，所述时效处理的温度可为490～530℃，较佳地为500～520℃，例如510℃。所述时效处理的时间可为2.5-4小时，例如3h。
本发明还提供了一种采用上述方法制得的钕铁硼永磁材料。
本发明还提供了一种钕铁硼永磁材料作为电机中电子器件的应用。
其中，所述电子器件可为电机转子磁钢。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
1)本发明中的钕铁硼永磁材料的磁性能优异：Br≥13.12kGs，Hcj≥17.83kOe，BHmax≥41.38MGOe；
2)本发明中的钕铁硼永磁材料的力学性能也优异：抗弯强度≥409MPa，矫顽力和力学强度能同时保持在较高水平。
附图说明
图1为实施例1中钕铁硼永磁材料的SEM图谱，其中点3为Nd2Fe14B主相(灰色区域)，点2为晶界相(银白色区域)，点3为晶界相中包括的RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相(灰白色团状物)。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例及对比例中钕铁硼永磁材料的原料配方如表1所示。
表1钕铁硼永磁材料的原料组合物的组分和含量(wt％)
Figure BDA0002352986980000081
Figure BDA0002352986980000091
上表中，“/”表示不含有该元素。
实施例1～6以及对比例1～4中钕铁硼烧结磁铁制备方法如下：
(1)熔炼过程：按表1所示配方，取配制好的原料放入氧化铝制的坩埚中，在高频真空感应熔炼炉中在5×10-2Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼。
(2)铸造过程：将熔炼之后所得的熔融液在1430℃下浇铸，通入Ar气体使气压达到5.5万Pa后，进行铸造，以102℃/秒-104℃/秒的冷却速度获得急冷合金，合金片的厚度为0.3mm。
(3)氢破粉碎过程：在室温下，将放置急冷合金的氢破用炉抽真空，而后向氢破用炉内通入纯度为99.9％的氢气，维持氢气压力0.085MPa，充分吸氢后，边抽真空边升温，充分脱氢，脱氢时的温度为500℃，之后进行冷却，取出氢破粉碎后的粉末。
(4)微粉碎工序：在氧化气体含量100ppm以下的氮气气氛下，在粉碎室压力为0.68MPa的条件下对氢破粉碎后的粉末进行3小时的气流磨粉碎，得到细粉，粉体的粒度为4.2μm。氧化气体指的是氧或水分。
(5)在气流磨粉碎后的粉末中添加润滑剂，润滑剂的添加量为混合后粉末重量的0.12％，再用三维混料机充分混合。
(6)磁场成形过程：使用直角取向型的磁场成型机，在1.8T的取向磁场中，在0.35ton/cm2的成型压力下，将上述添加了润滑剂的粉末一次成形成边长为25mm的立方体，一次成形后在0.2T的磁场中退磁。为使一次成形后的成形体不接触到空气，将其进行密封，再使用二次成形机(等静压成形机)在1.3ton/cm2的压力下进行二次成形。
(7)烧结过程：将各成形体搬至烧结炉进行烧结，烧结在5×10-3Pa的真空下，以1070℃的温度烧结6小时，之后通入Ar气体使气压达到0.05MPa后，冷却至室温。
(8)时效处理过程：将烧结体在高纯度Ar气中，以510℃温度进行3h时效处理后，冷却至室温后取出，得到钕铁硼永磁材料。
效果实施例
分别取实施例1～6和对比例1-4制得的钕铁硼烧结磁铁，测定其磁性能和成分，FE-EPMA观察其磁体的相组成。
(1)钕铁硼永磁材料的各成分使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)进行测定，其中，RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相(x为0.4～5.0，y为0.5～1.1，z为45～92，m为0.5～3.5，n为1.5～7)根据FE-EPMA测试得到。下表2所示为成分检测结果，其中实施例1中钕铁硼永磁材料的SEM图谱如图1所示。
Figure BDA0002352986980000111
(2)磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测；下表3所示为磁性能检测结果。
表3钕铁硼永磁材料的性能
Figure BDA0002352986980000121
由表3可知：
1)本发明中的钕铁硼永磁材料的磁性能和力学性能均优异：Br≥13.12kGs，Hcj≥17.83kOe，BHmax≥41.38MGOe，抗弯强度≥409MPa(实施例1-6)；
2)基于本发明的配方，即使调整R、B、和Al的含量，只要B/R和A1/RH不同时在本申请限定的范围内，不能生成RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相(x为0.4～5.0，y为0.5～1.1，z为45～88，m为0.5～3.5，n为1.5～7)，Br和Hcj不能同时保持在较高水平，抗弯强度也明显下降(对比例1～3)；
3)基于本发明的配方，调整B/R和A1/RH的范围值，当两者的值不在本发明限定的范围内，钕铁硼永磁材料的矫顽力明显下降，抗弯强度也明显下降(对比例4)。

Claims (34)

1.一种钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述钕铁硼永磁材料中包含R、Al、Cu和Co；
所述R包括RL和RH；
所述RL包括Nd、La、Ce、Pr、Pm、Sm和Eu中的一种或多种轻稀土元素；
所述RH包括Tb、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sc中的一种或多种重稀土元素；
所述钕铁硼永磁材料满足以下关系式：
(1)B/R:0.033～0.037；
(2)Al/RH:0.12～2.7；
所述钕铁硼永磁材料还包括M，所述M包括Nb、Zr和Ti中的一种或多种，所述Nb的含量范围为0～0.5wt％，所述Zr的含量范围为0～0.3wt％，所述Ti的含量范围为0～0.3wt％；
所述钕铁硼永磁材料中包含NdFeB主相和晶间富稀土相，所述晶间富稀土相包含RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相，x为0.4～5.0，y为0.5～1.1，z为45～92，m为0.5～3.5，n为1.5～7；
所述RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相占所述晶间富稀土相的体积比为4～10％。
2.如权利要求1所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，RH/R：0～0.11且不为0；
和/或，所述B/R的重量比为0.034～0.036；
和/或，所述Al/RH的重量比为0.12～2；
和/或，所述RL包括Nd、Pr和Ce中的一种或多种；
和/或，所述RH包括Dy和/或Tb。
3.如权利要求2所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述Al/RH的重量比为0.35～1.25。
4.如权利要求1所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述B/R的重量比为0.033～0.034。
5.如权利要求4所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述Al/RH的重量比为0.35～1.25。
6.如权利要求1所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述B/R的重量比为0.0331、0.033、0.0339、0.0332或0.036。
7.如权利要求1所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述Al/RH的重量比为0.489、1.9、1、0.133、1.06或0.78。
8.如权利要求1所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相占所述晶间富稀土相的体积比为4.5～6％。
9.如权利要求8所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述RHx-Aly-RLz-Cum-Con物相占所述晶间富稀土相的体积比为5.8％、4.5％、5.4％、5.5％或者5.6％。
10.如权利要求1～9中任一项所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料包括：
R：28～33wt％；
RH：0.5～2.5wt％；
Cu：0.35～0.55wt％；
Al：0.44～0.95wt％；
Co：0.85～1.5wt％；
B：0.955～1.05wt％；
Fe：66～69wt％；
所述R包括RL和RH；
wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
11.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述R的含量范围为28～31wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.5～1.5wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.35～0.5wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.44～0.85wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.85～1.3wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.955～1.03wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述M的含量范围为0.1～0.4wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
当所述M包括Nb时，所述Nb的含量范围为0.2wt％、0.21wt％、0.23或0.25wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
当所述M包括Zr时，所述Zr的含量范围为0.2wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
当所述M包括Ti时，所述Ti的含量范围为0.21wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
12.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述R的含量范围为29～33wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.9～2.5wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.4～0.55wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.5～0.95wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.95～1.5wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为1～1.05wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
13.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述R的含量范围为29wt％、31.8wt％、29.5wt％、31wt％、31.5wt％或29.2wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
14.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述RH的含量范围为0.9wt％、0.5wt％、1.5wt％或0.8wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
15.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述Cu的含量范围为0.35wt％、0.55wt％、0.4wt％、0.45wt％、0.5wt％或0.42wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
16.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述Al的含量范围为0.44wt％、0.95wt％、0.5wt％、0.85wt％或0.7wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
17.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述Co的含量范围为0.85wt％、1.5wt％、0.9wt％、0.95wt％、1.2wt％或1.3wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
18.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述B的含量范围为0.96wt％、1.05wt％、1wt％、1.03wt％或1.04wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
19.如权利要求10所述的钕铁硼永磁材料，其特征在于，所述M的含量范围为0.15-0.25wt％，wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的重量百分比。
20.一种如权利要求1～19任一项所述的钕铁硼永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将所述钕铁硼永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、粗破碎、粉碎、成形、烧结，即可；
所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中包含R、Al、Cu和Co；
所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的R包括所述RL和所述RH；
所述钕铁硼永磁材料的原料组合物满足以下关系式：
(1)B/R:0.033～0.037；
(2)Al/RH:0.12～2.7。
21.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，以重量百分比计，所述钕铁硼永磁材料的原料组合物包括：R：28～33wt％；RH：0.5～2.5wt％；Cu：0.35～0.55wt％；Al：0.44～0.95wt％；Co：0.85～1.5wt％；B：0.955～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；所述R包括RL和RH；wt％是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述铸造的过程包括浇铸，所述浇铸的温度为1420～1460℃；
和/或，经所述铸造之后获得合金片，所述合金片的厚度为0.28～0.32mm；
和/或，经所述粉碎之后的粉体粒度为4.1～4.4μm；
和/或，所述烧结的温度为1000～1100℃；
和/或，所述烧结之后还包括时效处理。
22.如权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述浇铸的温度为1425～1455℃。
23.如权利要求22所述的制备方法，其特征在于，所述浇铸的温度为1430℃。
24.如权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述合金片的厚度为0.3mm。
25.如权利要求21所述的制备方法，其特征在于，经所述粉碎之后的粉体粒度为4.1～4.3μm。
26.如权利要求25所述的制备方法，其特征在于，经所述粉碎之后的粉体粒度为4.2μm。
27.如权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1070℃。
28.如权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述时效处理的温度为490～530℃。
29.如权利要求28所述的制备方法，其特征在于，所述时效处理的温度为500～520℃。
30.如权利要求29所述的制备方法，其特征在于，所述时效处理的温度为510℃。
31.如权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述时效处理的时间为2.5～4小时。
32.如权利要求31所述的制备方法，其特征在于，所述时效处理的时间为3h。
33.一种如权利要求20～32中任一项所述的制备方法制得的钕铁硼永磁材料。
34.一种如权利要求1～19和33中任一项所述的钕铁硼永磁材料作为电机中电子器件的应用。
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