TWI751789B - 釹鐵硼磁體材料、原料組合物及製備方法和應用 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了釹鐵硼磁體材料、原料組合物及製備方法和應用。其中，該釹鐵硼磁體材料的原料組合物，以質量百分比計，包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。本發明中的釹鐵硼磁體材料可在不添加重稀土元素的情況下，得到的釹鐵硼磁體材料的剩磁和矯頑力仍然較高。

Description

釹鐵硼磁體材料、原料組合物及製備方法和應用
本發明具體涉及釹鐵硼磁體材料、原料組合物及製備方法和應用。
以Nd2 Fe14 B為主要成分的釹鐵硼（NdFeB）磁體材料，具有較高的剩磁（remanence，簡稱Br）、矯頑力和最大磁能積（maximum energy product，簡稱BHmax），綜合磁性能優良，應用在風力發電、新能源汽車、變頻家電等方面。目前現有技術中的釹鐵硼磁體材料中的稀土成分通常以釹為主，只少量的鐠。目前現有技術中雖然有少量報導將鐠替換一部分的釹可提高磁體材料的性能，但是提高的程度有限，仍然沒有顯著的提升。另一個方面，現有技術中矯頑力和剩磁的性能均較好的釹鐵硼磁體材料，同時還需要依賴重稀土元素的大量添加，成本較為昂貴。
本發明所要解決的技術問題在於克服了現有技術中釹鐵硼磁體材料中將釹用部分的鐠替代之後，磁體材料的矯頑力和剩磁仍然無法得到顯著的提升的缺陷。而提供了釹鐵硼磁體材料、原料組合物及製備方法和應用。本發明中的釹鐵硼磁體材料同時提升鐠和銅的含量，可克服現有技術中單獨提升高鐠或單獨提升高銅仍然無法使得矯頑力有顯著提升的缺陷，得到的釹鐵硼磁體材料的剩磁和矯頑力均較高。
目前，現有技術中通常認為在釹鐵硼磁體材料中添加少量的銅可以增加潤濕性。但是發明人通過大量的實驗發現，將特定含量的鐠和特定含量的銅配伍之後，出現了RECu2 、RECu和RE6 Fe13 Cu等非磁性相，其中的RE指的是釹元素和鐠元素，這些非磁性相的出現，有效的隔絕了晶粒間的磁耦合作用，同時還能提高晶界的清晰程度，優化了晶界相，使得釹鐵硼磁體的性能得到進一步的提升。
本發明是通過如下技術方案解決上述技術問題的。
本發明還提供了一種釹鐵硼磁體材料的原料組合物，以質量百分比計，其包括如下含量的組分：
R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；
Cu：≧0.35%；
B：0.9~1.2%；
Fe：64~69.2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述Pr的含量較佳地為17.15~26%，例如17.15%、18.15%、19.15%、20.15%、20.85%、21.15%、22.15%、23.15%、24.15%、25.15%或26%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述Nd的含量較佳地在15%以下，更佳地為4~13%，例如4%、5.85%、6.85%、7.85%、8.85%、9.85%、10.65%、10.85%、11.35%、12.35%或12.85%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述R’的含量例如為29.5%、30%、30.5%、31%、31.5%、或32%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述的R’較佳地還包括除Pr和Nd以外的其他稀土元素，例如Y。
本發明中，所述R’較佳地還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述RH的種類較佳地包括Dy、Tb和Ho中的一種或多種，更佳地為Dy和/或Tb。
其中，所述RH和所述R’的質量比較佳地小於0.253，較佳地為0~0.07，例如0.1/32、2/32、2/31、1.5/32、2/32或1.5/31。
其中，所述RH的含量較佳地為1~2.5%，例如1%、1.5%或2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量較佳地為0.5~2%，例如0.7%、0.8%、0.9%、1%、1.5%、1.8%、1.9%或2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量較佳地在1%以下，更佳地在0.3%以下，例如0.1%、0.2%或0.3%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
當所述的RH中含有Ho時，所述Ho的含量可為本領域常規的含量，例如0.8~2%，較佳地為1%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述Cu的含量較佳地為0.35~1.3%，例如0.35%、0.4%、0.45%、0.5%、0.6%、0.65%、0.7%、0.8%、0.85%、0.9%、0.95%、1%、1.05%、1.1%或1.2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述B的含量較佳地為0.95~1.2%，例如可為0.985%、1%、1.1%或1.2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述Fe的含量較佳地為64.8~69.2%，例如64.914%、64.965%、65.065%、65.085%、65.135%、65.365%、65.405%、65.485%、65.54%、65.615%、65.665%、65.715%、65.815%、65.865%、65.915%、66.015%、66.035%、66.045%、66.215%、66.23%、66.265%、66.315%、66.465%、66.445%、66.545%、66.615%、66.715%、66.815%、66.865%、67.145%、67.165%、67.415%、67.615%、67.915%、68.015%、68.295%、68.565%或69.165%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中較佳地還包括Al。
其中，所述Al的含量較佳地在3%以下，更佳地為0.5%以下，例如0.02%、0.03%、0.1%、0.2%、0.25%、0.3%、0.4%、0.45%、0.46%或0.48%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中較佳地還包括Ga。
其中，所述Ga的含量較佳地在1%以下，更佳地為0.05~0.6%，例如0.1%、0.15%、0.18%、0.2%、0.24%、0.25%、0.3%、0.4%或0.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中較佳地還包括Zr。
其中，所述Zr的含量較佳地在0.3%以下，例如0.1%、0.2%、0.22%、0.25%、0.26%、0.27%、0.28%、0.29%或0.3%，更佳地為0.25~0.3%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中較佳地還包括Co。
其中，所述Co的含量較佳地為0.2~1.5%，例如0.2%或1%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料的原料組合物還可包括本領域常見的其他元素，例如Zn、Ag、In、Sn、V、Cr、Mo、Ta、Hf和W中的一種或多種。
其中，所述Zn的含量可為本領域常規的含量，較佳地在0.1%以下，更佳地為0.04~0.08%，例如0.04%、0.05%或0.08%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
其中，所述Mo的含量可為本領域常規的含量，較佳地在0.1%以下，更佳地為0.01~0.08%，例如0.04%、0.05%或0.08%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Al：≦0.5%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.15~26%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~68%；更佳地，所述Pr的含量為17.15~26% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Al：≦0.5%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為 17.15~26%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%；所述RH的種類較佳地為Dy和/或Tb，其中，所述Tb的含量較佳地為0.5~2%，所述Dy的含量較佳地在1%以下；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Ga：≦0.42%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.15~ 26% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Al：≦0.5%；Ga：≦0.42%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.15~ 26%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Ga：≦0.42%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.15~ 26%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物較佳地包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Al：≦0.5%；Ga：≦0.42%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.15~ 26% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%；所述RH的種類較佳地為Dy和/或Tb，其中，所述Tb的含量較佳地為0.5~2%，所述Dy的含量較佳地在1%以下；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明中，所述百分比為各組分佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
本發明還提供了一種釹鐵硼磁體材料的製備方法，其採用上述的釹鐵硼磁體材料的原料組合物製得。
本發明中，所述的製備方法較佳地包括以下步驟：將上述的釹鐵硼磁體材料的原料組合物的熔融液經熔鑄、氫破、成形、燒結和時效處理，即可。
本發明中，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物的熔融液可通過本領域常規的方法製得，例如：在高頻真空感應熔煉爐中熔煉，即可。所述熔煉爐的真空度可為5×10-2 Pa。所述熔煉的溫度可為1500℃以下。
本發明中，所述的鑄造的操作和條件可為本領域常規的操作和條件，例如，在Ar氣氣氛中（例如5.5×104 Pa的Ar氣氣氛下），以102 ℃/秒-104 ℃/秒的速度冷卻，即可。
本發明中，所述的氫破的操作和條件可為本領域常規的操作和條件。例如，經吸氫、脫氫、冷卻處理，即可。
其中，所述吸氫可在氫氣壓力0.15MPa的條件下進行。
其中，所述脫氫可在邊抽真空邊升溫的條件下進行。
本發明中，所述氫破後還可按本領域常規手段進行粉碎。所述粉碎的工藝可為本領域常規的粉碎工藝，例如氣流磨粉碎。所述氣流磨粉碎較佳地在在氧化氣體含量150ppm以下的氮氣氣氛下進行。所述氧化氣體指的是氧氣或水分含量。所述氣流磨粉碎的粉碎室壓力較佳地為0.38MPa；所述氣流磨粉碎的時間較佳地為3h。
其中，所述粉碎後，可按本領域常規手段在粉體中添加潤滑劑，例如硬脂酸鋅。所述潤滑劑的添加量可為混合後粉末重量的0.10~0.15%，例如0.12%。
本發明中，所述成形的操作和條件可為本領域常規的操作和條件，例如磁場成形法或熱壓熱變形法。
本發明中，所述的燒結的操作和條件可為本領域常規的操作和條件。例如，在真空條件下（例如在5×10-3 Pa的真空下），經預熱、燒結、冷卻，即可。
其中，所述預熱的溫度通常為300~600℃。所述預熱的時間通常為1~2h。較佳地所述預熱為在300℃和600℃的溫度下各預熱1h。
其中，所述燒結的溫度較佳地為1030~1080℃，例如1040℃。
其中，所述燒結的時間可為本領域常規，例如2h。
其中，所述冷卻前可通入Ar氣體使氣壓達到0.1MPa。
本發明中，所述燒結之後、所述時效處理之前，較佳地還進行晶界擴散處理。
其中，所述的晶界擴散的操作和條件可為本領域常規的操作和條件。例如，在所述的釹鐵硼磁體材料的表面蒸鍍、塗覆或濺射附著含有Tb的物質和/或含有Dy的物質，經擴散熱處理，即可。
所述含有Tb的物質可為Tb金屬、含有Tb的化合物，例如含有Tb的氟化物或合金。
所述含有Dy的物質可為Dy金屬、含有Dy的化合物，例如含有Dy的氟化物或合金。
所述擴散熱處理的溫度可為800-900℃，例如850℃。
所述擴散熱處理的時間可為12-48h，例如24h。
本發明中，所述時效處理中，二級時效處理的溫度較佳地為520~650℃，例如550℃。
本發明中，所述二級時效處理中，升溫至550~650℃的升溫速率較佳地為3~5℃/min。所述升溫的起點可為室溫。
本發明中，所述室溫是指25℃±5℃。
本發明還提供了一種釹鐵硼磁體材料，其採用上述的製備方法製得。
本發明提供了一種釹鐵硼磁體材料，以質量百分比計，其包括如下含量的組分：
R’：29.4~32.6%，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；
Cu：≧0.34%；
B：0.9~1.2%；
Fe：64~69.2%；
百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Pr的含量較佳地為17.14~26.1%，例如17.149%、17.15%、17.154%、18.15%、18.152%、18.154%、18.155%、19.15%、19.152%、19.154%、19.155%、19.159%、20.13%、20.155%、20.16%、21.157%、22.15%、22.151%、22.152%、22.1555%、23.15%、24.151%、24.152%、24.155%、24.157%、24.158%、25.15%、25.152%、25.153%、25.156%或26.01%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Nd的含量較佳地在15%以下，更佳地為4 ~13%，例如4.02%、5.847%、5.84%、5.849%、5.85%、5.851%、5.852%、5.853%、5.854%、6.851%、6.852%、6.853%、7.85%、8.846%、8.847%、8.85%、8.851%、8.852%、8.853%、9.85%、9.851%、10.844%、10.846%、10.849%、11.349%、11.384%、12.341%、12.345%、12.348%、12.35%、12.351%、12.364%、12.791%、12.802%或12.849%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，所述Nd與所述R’的總質量的比值較佳地小於0.5，更佳地為0.1~0.45，例如，0.1、0.12、0.13、0.18、0.2、0.21、0.23、0.24、0.25、0.26、0.27、0.3、0.31、0.37、0.38、0.4、0.41或0.42。
本發明中，所述R’的含量較佳地為29.49~32.53%，例如為29.495%、29.501%、30.003%、30.004%、30.03%、30.441%、30.517%、30.518%、30.957%、30.98%、31%、31.006%、31.0065%、31.009%、31.011%、31.012%、31.013%、31.498%、31.504%、31.539%、31.946%、31.972%、31.977%、31.995%、31.999%、32%、32.001%、32.013%、32.015%、32.021%、32.022%、32.023%、32.024%、32.025%、32.026%、32.027%、32.04%、32.043%、32.437%或32.521%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，所述的R’較佳地還包括除Pr和Nd以外的其他稀土元素，例如Y。
本發明中，R’較佳地還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述RH的種類較佳地包括Dy、Tb和Ho中的一種或多種，更佳地為Dy和/或Tb。
其中，所述RH和所述R’的質量比較佳地＜0.253，較佳地為0~0.07，例如1.01/32.015、1.02/30.517、1.02/32.021、1.02/32.023、1.02/32.024、1.02/32.024、1.02/32.025、1.02/32.025、1.02/32.026、1.03/32.04、1.04/32.043、1.432/32.437、1.46/30.441、1.47/31.972、1.48/31.977、1.5/32、1.52/32.521、1.98/30.98、1.99/31.995、1/31.999、1/32、2.01/31.011、2.01/31.013、2.01/32.013、2.02/32.022、2.02/32.027、2/31或2/31.012。
其中，所述RH的含量較佳地為1~2.5%，例如1%、1.01%、1.02%、1.03%、1.04%、1.432%、1.46%、1.47%、1.48%、1.5%、1.52%、1.98%、1.99%、2%、2.01%或2.02%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量較佳地為0.5~2wt.%，例如，0.7%、0.72%、0.82%、0.9%、0.91%、1%、1.02%、1.47%、1.48%、1.5%、1.81%、1.88%、1.89%、1.9%、1.91%或2.01%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量較佳地在0.5wt.%以下，例如0.1%、0.2%、0.21%、0.3%、0.31%或0.312%，百分比是指在所述釹鐵硼磁體材料中的質量百分比。
當所述的RH中含有Ho時，所述Ho的含量可為本領域常規的含量，通常為0.8~2%，例如0.98%、0.99%或1%，百分比是指在所述釹鐵硼磁體材料中的質量百分比。
本發明中，所述Cu的含量較佳地為0.34~1.3%，例如0.341%、0.41%、0.452%、0.47%、0.502%、0.51%、0.52%、0.598%、0.62%、0.648%、0.649%、0.701%、0.702%、0.71%、0.78%、0.79%、0.795%、0.806%、0.81%、0.852%、0.89%、0.901%、0.903%、0.91%、0.92%、0.948%、1.021%、1.05%、1.08%、1.101%、1.103%、1.12%、1.18%、1.19%、1.202%或1.21%，百分比是指在所述釹鐵硼磁體材料中的質量百分比。
本發明中，所述B的含量較佳地為0.95~1.2%，例如0.983%、0.984%、0.985%、0.988%、0.989%、1.02%或1.19%，百分比是指在所述釹鐵硼磁體材料中的質量百分比。
本發明中，所述Fe的含量較佳地為64.8~69.2%，例如為64.965%、65.031%、65.095%、65.155%、65.204%、65.36%、65.4%、65.458%、65.525%、65.626%、65.63%、65.686%、65.817%、65.8395%、65.869%、65.909%、65.963%、65.994%、65.995%、66.039%、66.04%、66.099%、66.157%、66.218%、66.267%、66.364%、66.377%、66.427%、66.437%、66.52%、66.605%、66.671%、66.8075%、66.81%、66.87%、67.095%、67.12%、67.137%、67.457%、67.578%、67.996%、68.302%、68.556%或69.181%，百分比是指在所述釹鐵硼磁體材料中的質量百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料中較佳地還包括Al。
本發明中，所述Al的含量較佳地在0.5%以下，更佳地為0.03~0.5wt.%，例如0.01%、0.02%、0.03%、0.1%、0.102%、0.12%、0.2%、0.21%、0.24%、0.25%、0.29%、0.3%、0.31%、0.38%、0.4%、0.42%、0.45%、0.46%或0.48%，百分比是指在所述釹鐵硼磁體材料中的質量百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料中較佳地還包括Zr。
本發明中，所述Zr的含量較佳地為0.05~0.31wt.%，例如0.1%、0.21%、0.22%、0.25%、0.251%、0.252%、0.261%、0.272%、0.28%、0.281%、0.282%、0.291%、0.3%或0.301%，更佳地為0.25~0.31，百分比為各組分質量佔釹鐵硼磁體材料總質量的百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料中較佳地還包括Ga。
其中，所述Ga的含量較佳地在0.51%以下，較佳地為0.1~0.51%，例如0.1%、0.101%、0.102%、0.11%、0.12%、0.152%、0.18%、0.2%、0.202%、0.24%、0.25%、0.251%、0.302%、0.401%或0.501%，百分比為各組分質量佔釹鐵硼磁體材料總質量的百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料中較佳地還包括Co。
其中，所述Co的含量較佳地為0.2~1.5%，例如0.2%或1%，百分比為各組分質量佔釹鐵硼磁體材料總質量的百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料中通常還包括O。
其中，所述O的含量較佳地在0.13%以下，百分比為各組分質量佔釹鐵硼磁體材料總質量的百分比。
本發明中，所述的釹鐵硼磁體材料還可包括本領域常見的其他元素，例如Zn、Ag、In、Sn、V、Cr、Nb、Ti、Mo、Ta、Hf和W中的一種或多種。
其中，所述Zn的含量可為本領域常規的含量，較佳地為0.02~0.08，例如0.03%、0.04%或0.07%，百分比為各組分質量佔釹鐵硼磁體材料總質量的百分比。
其中，所述Mo的含量可為本領域常規的含量，較佳地為0.01~0.08%，例如0.03%、0.06%或0.07%，百分比為各組分質量佔釹鐵硼磁體材料總質量的百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述的釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；Al：≦0.5%； B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述的釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.34%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述的釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；Al：≦0.5%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.2%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%；所述RH的種類較佳地為Dy和/或Tb，其中，所述Tb的含量較佳地為0.5~2%，所述Dy的含量較佳地在1%以下；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；Ga：≦0.42%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；Al：≦0.5%；Ga：≦0.42%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；Ga：≦0.42%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1%；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，以質量百分比計，所述釹鐵硼磁體材料較佳地包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；Al：≦0.5%；Ga：≦0.42%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；更佳地，所述Pr的含量為17.14~26.1% ；更佳地，所述Cu的含量為0.35~1.3%；更佳地，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素，所述重稀土元素的含量較佳地為1~2.5%；所述RH的種類較佳地為Dy和/或Tb，其中，所述Tb的含量較佳地為0.5~2%，所述Dy的含量較佳地在1%以下；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明中，百分比為各組分佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比。
本發明還提供了一種釹鐵硼磁體材料，在所述釹鐵硼磁體材料的晶間三角區中，Pr和Cu的質量總和佔所述晶間三角區的各元素總質量的比值為Q1；在所述釹鐵硼磁體材料的晶界處，Pr和Cu的質量總和佔所述晶界處各元素總質量的比值為Q2；其中，Q1＜Q2，且Q2≧0.1；
較佳地，所述釹鐵硼磁體材料的組分如上述所述的釹鐵硼磁體材料。
本發明中，所述的晶界處是指兩個晶粒之間的界限，所述的晶間三角區是指三個及三個以上的晶粒所形成的空隙。
本發明還提供了一種上述釹鐵硼磁體材料在電機中作為電子元件的應用。
本發明中，所述的電機較佳地為新能源汽車驅動電機、空調壓縮機或工業伺服電機、風力發電機、節能電梯或揚聲器組件。
在符合本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本發明各較佳實例。
本發明所用試劑和原料均市售可得。
本發明的積極進步效果在於：本發明中的釹鐵硼磁體材料同時提升鐠和銅的含量，使得晶界相更加清晰，得到的釹鐵硼磁體材料的剩磁和矯頑力均較高。
下面通過實施例的方式進一步說明本發明，但並不因此將本發明限制在所述的實施例範圍之中。下列實施例中未註明具體條件的實驗方法，按照常規方法和條件，或按照商品說明書選擇。下表中，wt.%是指組分在所述R-T-B系永磁材料的原料組合物中的質量百分比，“/”表示未添加該元素。“Br”為殘留磁通密度，“Hcj”為內稟矯頑力（intrinsic coercivity）。
各實施例和對比例中的釹鐵硼磁體材料的原料組合物的配方如下表1所示。
表1 各實施例和對比例中的釹鐵硼磁體材料的原料組合物的配方（wt.%）
Figure 02_image001
Figure 02_image003
實施例1
釹鐵硼磁體材料的製備方法如下：
（1）熔鑄過程：按表1所示配方，將配製好的原料放入氧化鋁製的坩堝中，在高頻真空感應熔煉爐中且在5×10-2 Pa的真空中，以1500℃以下的溫度進行真空熔煉。在真空熔煉後的熔煉爐中通入Ar氣體使氣壓達到5.5萬Pa後，進行鑄造，並以102 ℃/秒~104 ℃/秒的冷卻速度獲得急冷合金。
（2）氫破粉碎過程：在室溫下將放置急冷合金的熔煉爐抽真空，然後向氫破用爐內通入純度為99.9%的氫氣，維持氫氣壓力0.15Mpa；充分吸氫後，邊抽真空邊升溫，充分脫氫；然後進行冷卻，取出氫破粉碎後的粉末。
（3）微粉碎工序：在氧化氣體含量150ppm以下的氮氣氣氛下以及在粉碎室壓力為0.38MPa的條件下，對氫破粉碎後的粉末進行3小時的氣流磨粉碎，得到細粉。氧化氣體指的是氧或水分。
（4）在氣流磨粉碎後的粉末中添加硬脂酸鋅，硬脂酸鋅的添加量為混合後粉末重量的0.12%，再用V型混料機充分混合。
（5）磁場成形過程：使用直角取向型的磁場成型機，在1.6T的取向磁場中以及在0.35ton/cm2 的成型壓力下，將上述添加了硬脂酸鋅的粉末一次成形成邊長為25mm的立方體；一次成形後在0.2T的磁場中退磁。為了使一次成形後的成形體不接觸到空氣，將其進行密封，然後再使用二次成形機（等靜壓成形機），在1.3ton/cm2 的壓力下進行二次成形。
（6）燒結過程：將各成形體搬至燒結爐進行燒結，燒結在5×10-3 Pa的真空下以及分別在300℃和600℃的溫度下各保持1小時；然後，以1040℃的溫度燒結2小時；然後通入Ar氣體使氣壓達到0.1MPa後，冷卻至室溫。
（7）時效處理過程：燒結體在高純度Ar氣中，以550℃溫度進行3小時熱處理後，冷卻至室溫後取出。
實施例2~42以及對比例45~48的製備工藝同實施例1。
實施例43和44 採用Tb晶界擴散法的製備工藝
將表1中編號12和16的原料組合物，按照實施例1的燒結體的製備首先製備得到燒結體，接著進行晶界擴散，再進行時效處理。其中時效處理的工藝同實施例1，晶界擴散的處理過程如下：
將燒結體加工成直徑20mm、片料厚度小於7mm的磁鐵，厚度方向為磁場取向方向，表面潔淨化後，分別使用Tb氟化物配製成的原料，全面噴霧塗覆在磁鐵上，將塗覆後的磁鐵乾燥，在高純度Ar氣體氣氛中，在磁鐵表面濺射附著Tb元素的金屬，以850℃的溫度擴散熱處理24小時。冷卻至室溫。
效果實施例
測定各實施例和對比例製得的釹鐵硼磁體材料的磁性能和成分，通過FE-EPMA觀察其磁體的晶相結構。
（1）磁性能評價：磁體材料使用中國計量院的NIM-10000H型BH大塊稀土永磁無損測量系統進行磁性能檢測。下表2所示為磁性能檢測結果。
表2
Figure 02_image005
Figure 02_image007
（2）成分測定：各成分使用高頻電感耦合等離子體發射光譜儀（ICP-OES）進行測定。下表3所示為成分檢測結果。
表3
Figure 02_image009
Figure 02_image011
（3）FE-EPMA檢測：取實施例10對磁體材料的垂直取向面進行拋光，採用場發射電子探針顯微分析儀（FE-EPMA）（日本電子株式會社（JEOL），8530F）檢測。首先通過FE-EPMA面掃描確定磁鐵中Pr、Cu、B、Fe、Co、O等元素的分佈，然後通過FE-EPMA單點定量分析確定關鍵相中Pr、Cu、O等元素的含量，測試條件為加速電壓15kv，探針束流50nA。
本發明的配方所製得的磁鋼通過採用場發射電子探針顯微分析儀（FE-EPMA），主要分析Pr，Nd，Cu，Ti，Co和O元素，如圖1所示，並對晶界處及晶間三角區的元素進行定量分析。其中：晶界處指兩個晶粒之間的界限，晶間三角區指三個及三個以上的晶粒所形成的空隙。
如圖2所示，為實施例10的釹鐵硼磁體材料的晶界處的元素分佈，Pr，Nd元素主要分佈在主相中，晶界處也出現了部分的稀土，元素Cu和元素Zr分佈於晶界處，取圖2中1標記的點對晶界處的元素通過定量結果如下表4所示：
表4
Figure 02_image013
以上的資料可以看出，Pr和Nd以富稀土相及氧化物的形式存在於晶界中，分別為α-Pr和α-Nd，Pr2 O3 ，Nd2 O3 和NdO，Cu除了在主相外晶界處佔有一定的含量約為28wt.%，例如本實施例中的28.6wt.%。Zr作為高熔點元素彌散分佈於整個區域，Cu的有效分佈，結合Pr的共同作用，提高了晶界的潤濕性，修復了晶體缺陷，提高磁體的性能。
如圖3所示，為實施例10的釹鐵硼磁體材料的晶間三角區的元素分佈，取圖3中1標記的點對晶間三角區的元素通過定量結果如下表5所示：
表5
Figure 02_image015
在晶間三角區中，Pr及Nd元素分佈於其中，在高Pr的配方中，很清楚的發現，在晶間三角區Pr和Nd也會富集於此，此處的氧含量比晶界略高，所形成氧化物也會增多，通過時效處理後，也使得稀土的氧化物分佈於晶界處，有利於隔絕主相之間的交換耦合，最終提高磁體的磁性能。
無
圖1為實施例10中製得的釹鐵硼磁體材料由FE-EPMA面掃描形成的Pr，Nd，Cu，Ti，Co和O元素的分佈圖。
圖2為實施例10中的釹鐵硼磁體材料的晶界處的元素分佈圖，圖中1為晶界處中定量分析所取的點。
圖3為實施10中的釹鐵硼磁體材料的晶間三角區的元素分佈圖，圖中1為晶間三角區中定量分析所取的點。

Claims (23)

  1. 一種釹鐵硼磁體材料的製備方法，其特徵在於，包括以下步驟：將釹鐵硼磁體材料原料組合物的熔融液經熔鑄、氫破、成形、燒結和時效處理，即可；以質量百分比計，其包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；在所述釹鐵硼磁體材料的晶間三角區中，Pr和Cu的質量總和佔所述晶間三角區的各元素總質量的比值為Q1；在所述釹鐵硼磁體材料的晶界處，Pr和Cu的質量總和佔所述晶界處各元素總質量的比值為Q2；其中，Q1<Q2，且Q2≧0.1。
  2. 如請求項1所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述Pr的含量為17.15~26%；和/或，所述Nd的含量在15%以下；和/或，所述R’還包括Y；和/或，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素；和/或，所述Cu的含量為0.35~1.3%；和/或，所述B的含量為0.95~1.2%；和/或，所述Fe的含量為64.8~69.2%； 和/或，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Al；和/或，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Ga；和/或，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Zr；和/或，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Co；和/或，所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物還包括Zn、Ag、In、Sn、V、Cr、Mo、Ta、Hf和W中的一種或多種。
  3. 如請求項2所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述Pr的含量為17.15%、18.15%、19.15%、20.15%、20.85%、21.15%、22.15%、23.15%、24.15%、25.15%或26%；和/或，所述Nd的含量為4~13%；和/或，所述RH的種類包括Dy、Tb和Ho中的一種或多種；和/或，所述RH和所述R’的質量比小於0.253；和/或，所述RH的含量為1~2.5%；和/或，所述Cu的含量為0.35%、0.4%、0.45%、0.5%、0.6%、0.65%、0.7%、0.8%、0.85%、0.9%、0.95%、1%、1.05%、1.1%或1.2%；和/或，所述B的含量為0.985%、1%、1.1%或1.2%；和/或，所述Fe的含量為64.914%、64.965%、65.065%、65.085%、65.135%、65.365%、65.405%、65.485%、65.54%、65.615%、65.665%、65.715%、65.815%、65.865%、65.915%、66.015%、66.035%、66.045%、66.215%、66.23%、66.265%、66.315%、66.465%、66.445%、66.545%、66.615%、66.715%、66.815%、66.865%、67.145%、67.165%、67.415%、67.615%、67.915%、68.015%、68.295%、68.565%或69.165%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Al時，所述Al的含量在3%以下； 和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Ga時，所述Ga的含量在1%以下；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Zr時，所述Zr的含量在0.3%以下；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Co時，所述Co的含量為0.2~1.5%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Zn時，所述Zn的含量在0.1%以下；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Mo時，所述Mo的含量在0.1%以下。
  4. 如請求項3所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述Nd的含量為4%、5.85%、6.85%、7.85%、8.85%、9.85%、10.65%、10.85%、11.35%、12.35%或12.85%；和/或，所述RH的種類包括Dy和/或Tb；和/或，所述RH和所述R’的質量比為0~0.07；和/或，所述RH的含量為1%、1.5%或2%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Al時，所述Al的含量為0.5%以下；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Ga時，所述Ga的含量為0.05~0.6%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Zr時，所述Zr的含量為0.1%、0.2%、0.22%、0.25%、0.26%、0.27%、0.28%、0.29%或0.3%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Co時，所述Co的含量為0.2%或1%； 和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Zn時，所述Zn的含量為0.04~0.08%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Mo時，所述Mo的含量為0.01~0.08%。
  5. 如請求項4所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量為0.5~2%；和/或，當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量在1%以下；和/或，當所述的RH中含有Ho時，所述Ho的含量為0.8~2%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Al時，所述Al的含量為0.02%、0.03%、0.1%、0.2%、0.25%、0.3%、0.4%、0.45%、0.46%或0.48%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Ga時，所述Ga的含量為0.1%、0.15%、0.18%、0.2%、0.24%、0.25%、0.3%、0.4%或0.5%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Zn時，所述Zn的含量為0.04%、0.05%或0.08%；和/或，當所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物中還包括Mo時，所述Mo的含量為0.04%、0.05%或0.08%。
  6. 如請求項5所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量為0.7%、0.8%、0.9%、1%、1.5%、1.8%、1.9%或2%；和/或，當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量為0.1%、0.2%或0.3%。
  7. 如請求項1-6所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，以質量百分比計，其包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Al：≦0.5%；Zr： 0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
  8. 如請求項7所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述Pr的含量為17.15~26%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；和/或，所述Cu的含量為0.35~1.2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；和/或，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素。
  9. 如請求項8所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，當所述R’還包括重稀土元素時，所述重稀土元素的含量為1~2.5%；和/或，所述RH的種類為Dy和/或Tb。
  10. 如請求項9所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，當所述R’還包括Tb時，所述Tb的含量為0.5~2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；和/或，當所述R’還包括Dy時，所述Dy的含量在1%以下，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
  11. 如請求項1-6中任一項所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，以質量百分比計，其包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.15%；Cu：≧0.35%；Al：≦0.5%；Ga：≦0.42%；Zr：0.25~0.3%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
  12. 如請求項11所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述Pr的含量為17.15~26%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比； 和/或，所述Cu的含量為0.35~1.2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。 和/或，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素。
  13. 如請求項12所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述重稀土元素的含量為1~2.5%；和/或，所述RH的種類為Dy和/或Tb。
  14. 如請求項13所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，當所述RH中還包括Tb時，所述Tb的含量為0.5~2%，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；和/或，當所述RH中還包括Dy時，所述Dy的含量在1%以下，百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比。
  15. 如請求項1所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法，其中，所述燒結之後、所述時效處理之前，還進行晶界擴散處理。
  16. 一種釹鐵硼磁體材料，其特徵在於，所述釹鐵硼磁體材料係如請求項1-15中任一項所述的釹鐵硼磁體材料的製備方法製得的釹鐵硼磁體材料。
  17. 一種釹鐵硼磁體材料，其特徵在於，以質量百分比計，其包括如下含量的組分：R’：29.4~32.6%，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≧17.14%；Cu：≧0.34%；B：0.9~1.2%；Fe：64~69.2%；百分比是指佔所述釹鐵硼磁體材料總質量的質量百分比； 在所述釹鐵硼磁體材料的晶間三角區中，Pr和Cu的質量總和佔所述晶間三角區的各元素總質量的比值為Q1；在所述釹鐵硼磁體材料的晶界處，Pr和Cu的質量總和佔所述晶界處各元素總質量的比值為Q2；其中，Q1<Q2，且Q2≧0.1。
  18. 如請求項17所述的釹鐵硼磁體材料，其中，所述Pr的含量為17.14~26.1%；和/或，所述Nd的含量在15%以下；和/或，所述Nd與所述R’的總質量的比值小於0.5；和/或，所述R’的含量為29.49~32.53%；和/或，所述的R’中還包括Y；和/或，R’還包括RH，所述RH為重稀土元素；；和/或，所述Cu的含量為0.34~1.3%；和/或，所述B的含量為0.95~1.2%；和/或，所述Fe的含量為64.8~69.2%；和/或，所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Al；，和/或，所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Zr；和/或，所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Ga；和/或，所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Co；和/或，所述的釹鐵硼磁體材料中還包括O；和/或，所述的釹鐵硼磁體材料還包括Zn、Ag、In、Sn、V、Cr、Nb、Ti、Mo、Ta、Hf和W中的一種或多種。
  19. 如請求項18所述的釹鐵硼磁體材料，其中，所述Pr的含量為17.149%、17.15%、17.154%、18.15%、18.152%、18.154%、18.155%、19.15%、 19.152%、19.154%、19.155%、19.159%、20.13%、20.155%、20.16%、21.157%、22.15%、22.151%、22.152%、22.1555%、23.15%、24.151%、24.152%、24.155%、24.157%、24.158%、25.15%、25.152%、25.153%、25.156%或26.01%；和/或，所述Nd的含量為4~13%；和/或，所述Nd與所述R’的總質量的比值為0.1~0.45；和/或，所述R’的含量為29.495%、29.501%、30.003%、30.004%、30.03%、30.441%、30.517%、30.518%、30.957%、30.98%、31%、31.006%、31.0065%、31.009%、31.011%、31.012%、31.013%、31.498%、31.504%、31.539%、31.946%、31.972%、31.977%、31.995%、31.999%、32%、32.001%、32.013%、32.015%、32.021%、32.022%、32.023%、32.024%、32.025%、32.026%、32.027%、32.04%、32.043%、32.437%或32.521%；和/或，所述RH的種類包括Dy、Tb和Ho中的一種或多種；和/或，所述RH和所述R’的質量比<0.253；和/或，所述RH的含量為1~2.5%；和/或，所述Cu的含量為0.341%、0.41%、0.452%、0.47%、0.502%、0.51%、0.52%、0.598%、0.62%、0.648%、0.649%、0.701%、0.702%、0.71%、0.78%、0.79%、0.795%、0.806%、0.81%、0.852%、0.89%、0.901%、0.903%、0.91%、0.92%、0.948%、1.021%、1.05%、1.08%、1.101%、1.103%、1.12%、1.18%、1.19%、1.202%或1.21%；和/或，所述B的含量為0.983%、0.984%、0.985%、0.988%、0.989%、1.02%或1.19%；和/或，所述Fe的含量為64.965%、65.031%、65.095%、65.155%、65.204%、65.36%、65.4%、65.458%、65.525%、65.626%、65.63%、65.686%、65.817%、65.8395%、65.869%、65.909%、65.963%、65.994%、65.995%、66.039%、66.04%、 66.099%、66.157%、66.218%、66.267%、66.364%、66.377%、66.427%、66.437%、66.52%、66.605%、66.671%、66.8075%、66.81%、66.87%、67.095%、67.12%、67.137%、67.457%、67.578%、67.996%、68.302%、68.556%或69.181%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Al時，所述Al的含量在0.5%以下；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Zr時，所述Zr的含量為0.05~0.31wt.%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Ga時，所述Ga的含量在0.51%以下；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Co時，所述Co的含量為0.2~1.5%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括O時，所述O的含量在0.13%以下；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Zn時，所述Zn的含量為0.02~0.08%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Mo時，所述Mo的含量為0.01~0.08%。
  20. 如請求項19所述的釹鐵硼磁體材料，其中，所述Nd的含量為4.02%、5.847%、5.84%、5.849%、5.85%、5.851%、5.852%、5.853%、5.854%、6.851%、6.852%、6.853%、7.85%、8.846%、8.847%、8.85%、8.851%、8.852%、8.853%、9.85%、9.851%、10.844%、10.846%、10.849%、11.349%、11.384%、12.341%、12.345%、12.348%、12.35%、12.351%、12.364%、12.791%、12.802%或12.849%；和/或，所述RH的種類包括Dy和/或Tb；和/或，所述RH和所述R’的質量比為0~0.07；和/或，所述RH的含量為1%、1.01%、1.02%、1.03%、1.04%、1.432%、1.46%、1.47%、1.48%、1.5%、1.52%、1.98%、1.99%、2%、2.01%或2.02%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Al時，所述Al的含量為0.03~0.5wt.%； 和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Zr時，所述Zr的含量為0.1%、0.21%、0.22%、0.25%、0.251%、0.252%、0.261%、0.272%、0.28%、0.281%、0.282%、0.291%、0.3%或0.301%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Ga時，所述Ga的含量為0.1~0.51%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Co時，所述Co的含量為0.2%或1%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Zn時，所述Zn的含量為0.03%、0.04%或0.07%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Mo時，所述Mo的含量為0.03%、0.06%或0.07%。
  21. 如請求項20所述的釹鐵硼磁體材料，其中，所述RH和所述R’的質量比為1.01/32.015、1.02/30.517、1.02/32.021、1.02/32.023、1.02/32.024、1.02/32.024、1.02/32.025、1.02/32.025、1.02/32.026、1.03/32.04、1.04/32.043、1.432/32.437、1.46/30.441、1.47/31.972、1.48/31.977、1.5/32、1.52/32.521、1.98/30.98、1.99/31.995、1/31.999、1/32、2.01/31.011、2.01/31.013、2.01/32.013、2.02/32.022、2.02/32.027、2/31或2/31.012；和/或，當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量為0.5~2wt.%；和/或，當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量在0.5wt.%以下；和/或，當所述的RH中含有Ho時，所述Ho的含量為0.8~2%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Al時，所述Al的含量為0.01%、0.02%、0.03%、0.1%、0.102%、0.12%、0.2%、0.21%、0.24%、0.25%、0.29%、0.3%、0.31%、0.38%、0.4%、0.42%、0.45%、0.46%或0.48%；和/或，當所述的釹鐵硼磁體材料中還包括Ga時，所述Ga的含量為0.1%、0.101%、0.102%、0.11%、0.12%、0.152%、0.18%、0.2%、0.202%、0.24%、0.25%、0.251%、0.302%、0.401%或0.501%。
  22. 如請求項21所述的釹鐵硼磁體材料，其中，當所述RH中含有Tb時，所述Tb的含量為0.7%、0.72%、0.82%、0.9%、0.91%、1%、1.02%、1.47%、1.48%、1.5%、1.81%、1.88%、1.89%、1.9%、1.91%或2.01%；和/或，當所述RH中含有Dy時，所述Dy的含量為0.1%、0.2%、0.21%、0.3%、0.31%或0.312%；和/或，當所述的RH中含有Ho時，所述Ho的含量為0.98%、0.99%或1%。
  23. 一種釹鐵硼磁體材料在電機中作為電子元器件的應用，其特徵在於，所述釹鐵硼磁體材料係如請求項16-22中任一項所述的釹鐵硼磁體材料。
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