JPS6328987B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6328987B2 JPS6328987B2 JP60151603A JP15160385A JPS6328987B2 JP S6328987 B2 JPS6328987 B2 JP S6328987B2 JP 60151603 A JP60151603 A JP 60151603A JP 15160385 A JP15160385 A JP 15160385A JP S6328987 B2 JPS6328987 B2 JP S6328987B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- alloy
- sputtering
- atmosphere
- ppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパツタリング法を用い、基体表
面にTeまたはTe合金薄膜からなる記録媒体を蒸
着して光デイスクを製造するに際して、前記Te
またはTe合金薄膜の蒸発源として用いられるTe
またはTe合金製焼結ターゲツトに関するもので
ある。 〔従来の技術〕 一般に、上記のように光デイスクの記録媒体薄
膜の形成にはスパツタリング法が用いられ、これ
にはターゲツトとしてTeまたはTe合金が使用さ
れている。 このTeまたはTe合金は、脆く、展延性のない
ものであるため、塑性加工が不可能であることか
ら、そのターゲツトの製造には粉末冶金法が用い
られている。 すなわち、従来、TeまたはTe合金製スパツタ
リング用焼結ターゲツトは、原料としてTeや、
これに合金成分として含有されるBi，Sb，Cd，
Ag，Se，As、およびＳなどを用い、これらの原
料を所定の組成に配合し、通常10-3torrまで排気
した後、Arガス導入の雰囲気中で溶製してTe合
金とし、鋳造してインゴツトとなし、このインゴ
ツトを大気中で粉砕し、一方純Teの場合は原料
を直接、大気中で粉砕した後、圧粉体にプレス成
形し、ついで上記の溶製雰囲気と同じArガス雰
囲気中で焼結することによつて製造されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、この従来のTeまたはTe合金製焼結タ
ーゲツトにおいては、ターゲツトの表面温度が高
くなり易く、したがつてスパツタ出力を抑えた状
態で操業しなければならないので、薄膜形成速度
を上げることができず、生産性の低いものであ
り、さらにターゲツトの加工中あるいはスパツタ
中にクラツクが入り易く、割れに至る場合がしば
しば発生するなどの問題点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、従来TeまたはTe合金製スパツタリング用焼
結ターゲツトのもつ問題点を解決すべく研究を行
なつた結果、 通常、上記の従来焼結ターゲツトは、その製造
に際して、原料として用いられる各種金属の酸素
含有量が、例えばTe：120ppm、Bi：1100ppm、
およびCd：500ppmであるように相対的に高いば
かりでなく、粉砕が大気中で行なわれ、さらに上
記のように溶製および焼結雰囲気の酸素排除も十
分でないために、TeおよびTe合金自体がきわめ
て酸化性の強いものであることと合まつて、
1300ppm以上、多い場合には1000ppm以上、さら
に多い場合には2000ppm以上の酸素を含有してい
るが、この酸素含有量を100ppm以下に低減して
やると、前記ターゲツトの熱伝導性および強度が
向上するようになり、この結果スパツタ中のター
ゲツトから強制冷却されているバツキングプレー
トへの熱拡散速度が速くなることから、スパツタ
の出力を高くしてもターゲツトの表面温度が上昇
せず、薄膜形成速度を上げることができて、生産
性の向上がはかれるようになるばかりでなく、強
化されて加工中あるいはスパツタ中にクラツクや
割れの発生がなくなるという知見を得たのであ
る。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、不可避不純物として酸素含有量を
100ppm以下として、熱伝導性および強度の向上
をはかつたTeまたはTe合金でスパツタリング用
ターゲツトを構成した点に特徴を有するものであ
る。 なお、この発明のターゲツトにおいて、酸素含
有量を100ppm以下としたのは、上記のように不
可避不純物として酸素含有量が100ppmを越える
と、所望のすぐれた熱伝導性と強度を確保するこ
とができないからであり、また、この発明のター
ゲツトを構成するTe合金は、合金成分として
Cu，Ag，Au，Zn，Cd，Ga，In，Tl，Ｃ，Ge，
Sn，Pb，As，Sb，Bi，Ｓ、およびSeのうちの
１種または２種以上を、総量で50原子％以下の範
囲で含有するものである。 また、この発明の酸素含有量が100ppm以下の
焼結ターゲツトは、その製造に際して用いられる
各種原料の酸素含有量を、例えば少なくとも１回
以上の蒸留精製処理を施すことによつて著しく低
減し、かつ粉砕を例えばArなどの不活性ガス雰
囲気で行ない、さらに溶製および焼結雰囲気を、
水素含有のArガスなどの還元性雰囲気とするな
どの酸素を積極的に低減する手段を採用すること
によつてはじめて製造が可能となるものである。 〔実施例〕 つぎに、この発明のターゲツトを実施例により
具体的に説明する。 原料として、酸素含有量が120ppmのTe、同
1100ppmのBi、同90ppmのSb、同500ppmのCd、
同40ppmのAg、同60ppmのSe、同500ppmのAs、
および同100ppmのＳを用い、これら原料をそれ
ぞれ第１表に示される組成に配合し、雰囲気を
10-3torrに排気した後、Arガスを導入して形成し
たAr雰囲気中で溶製し、インゴツトに鋳造し、
このTe合金インゴツト並びに上記のTeを大気中
で粉砕して100〜625meshの範囲内の所定の平均
粒径を有するTe合金粉末およびTe粉末とし、こ
れら粉末をそれぞれ冷間静水圧プレスを用いて圧
粉体に成形し、ついでこれらの圧粉体を、上記溶
製雰囲気と同じAr雰囲気中で、300〜500℃の範
囲内の所定温度に60分間保持の条件で焼結するこ
とによつて、直径：76.2mm×厚さ：６mmの寸法を
有し、かつ第１表に示される酸素含有量の従来タ
ーゲツト１〜６を製造した。 一方、上記の原料に対して、それぞれ１〜３回
の蒸留精製処理を施して酸素含有量を0.5ppmと
したTe、同じく9ppmとしたBi、同20ppmとした
Sb、同5ppmとしたCd、同4ppmとしたAg、同
2ppmとしたSe、同10ppmとしたAs、および同
8ppmとしたＳを用い、溶製および焼結雰囲気を、
10-6torrまで排気した後、２容量％の水素を含有
するArガスを導入して形成した還元性雰囲気と
し、さらに粉砕をArガス雰囲気で行なう以外は
同一の条件で同じく第１表に示される酸素含有量
の本発明ターゲツト１〜６を製造した。 ついで、この結果得られた本発明ターゲツト１
〜６および従来ターゲツト１〜６について、熱伝
導性を評価する目的で熱伝導率を測定すると共
に、
面にTeまたはTe合金薄膜からなる記録媒体を蒸
着して光デイスクを製造するに際して、前記Te
またはTe合金薄膜の蒸発源として用いられるTe
またはTe合金製焼結ターゲツトに関するもので
ある。 〔従来の技術〕 一般に、上記のように光デイスクの記録媒体薄
膜の形成にはスパツタリング法が用いられ、これ
にはターゲツトとしてTeまたはTe合金が使用さ
れている。 このTeまたはTe合金は、脆く、展延性のない
ものであるため、塑性加工が不可能であることか
ら、そのターゲツトの製造には粉末冶金法が用い
られている。 すなわち、従来、TeまたはTe合金製スパツタ
リング用焼結ターゲツトは、原料としてTeや、
これに合金成分として含有されるBi，Sb，Cd，
Ag，Se，As、およびＳなどを用い、これらの原
料を所定の組成に配合し、通常10-3torrまで排気
した後、Arガス導入の雰囲気中で溶製してTe合
金とし、鋳造してインゴツトとなし、このインゴ
ツトを大気中で粉砕し、一方純Teの場合は原料
を直接、大気中で粉砕した後、圧粉体にプレス成
形し、ついで上記の溶製雰囲気と同じArガス雰
囲気中で焼結することによつて製造されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、この従来のTeまたはTe合金製焼結タ
ーゲツトにおいては、ターゲツトの表面温度が高
くなり易く、したがつてスパツタ出力を抑えた状
態で操業しなければならないので、薄膜形成速度
を上げることができず、生産性の低いものであ
り、さらにターゲツトの加工中あるいはスパツタ
中にクラツクが入り易く、割れに至る場合がしば
しば発生するなどの問題点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、従来TeまたはTe合金製スパツタリング用焼
結ターゲツトのもつ問題点を解決すべく研究を行
なつた結果、 通常、上記の従来焼結ターゲツトは、その製造
に際して、原料として用いられる各種金属の酸素
含有量が、例えばTe：120ppm、Bi：1100ppm、
およびCd：500ppmであるように相対的に高いば
かりでなく、粉砕が大気中で行なわれ、さらに上
記のように溶製および焼結雰囲気の酸素排除も十
分でないために、TeおよびTe合金自体がきわめ
て酸化性の強いものであることと合まつて、
1300ppm以上、多い場合には1000ppm以上、さら
に多い場合には2000ppm以上の酸素を含有してい
るが、この酸素含有量を100ppm以下に低減して
やると、前記ターゲツトの熱伝導性および強度が
向上するようになり、この結果スパツタ中のター
ゲツトから強制冷却されているバツキングプレー
トへの熱拡散速度が速くなることから、スパツタ
の出力を高くしてもターゲツトの表面温度が上昇
せず、薄膜形成速度を上げることができて、生産
性の向上がはかれるようになるばかりでなく、強
化されて加工中あるいはスパツタ中にクラツクや
割れの発生がなくなるという知見を得たのであ
る。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、不可避不純物として酸素含有量を
100ppm以下として、熱伝導性および強度の向上
をはかつたTeまたはTe合金でスパツタリング用
ターゲツトを構成した点に特徴を有するものであ
る。 なお、この発明のターゲツトにおいて、酸素含
有量を100ppm以下としたのは、上記のように不
可避不純物として酸素含有量が100ppmを越える
と、所望のすぐれた熱伝導性と強度を確保するこ
とができないからであり、また、この発明のター
ゲツトを構成するTe合金は、合金成分として
Cu，Ag，Au，Zn，Cd，Ga，In，Tl，Ｃ，Ge，
Sn，Pb，As，Sb，Bi，Ｓ、およびSeのうちの
１種または２種以上を、総量で50原子％以下の範
囲で含有するものである。 また、この発明の酸素含有量が100ppm以下の
焼結ターゲツトは、その製造に際して用いられる
各種原料の酸素含有量を、例えば少なくとも１回
以上の蒸留精製処理を施すことによつて著しく低
減し、かつ粉砕を例えばArなどの不活性ガス雰
囲気で行ない、さらに溶製および焼結雰囲気を、
水素含有のArガスなどの還元性雰囲気とするな
どの酸素を積極的に低減する手段を採用すること
によつてはじめて製造が可能となるものである。 〔実施例〕 つぎに、この発明のターゲツトを実施例により
具体的に説明する。 原料として、酸素含有量が120ppmのTe、同
1100ppmのBi、同90ppmのSb、同500ppmのCd、
同40ppmのAg、同60ppmのSe、同500ppmのAs、
および同100ppmのＳを用い、これら原料をそれ
ぞれ第１表に示される組成に配合し、雰囲気を
10-3torrに排気した後、Arガスを導入して形成し
たAr雰囲気中で溶製し、インゴツトに鋳造し、
このTe合金インゴツト並びに上記のTeを大気中
で粉砕して100〜625meshの範囲内の所定の平均
粒径を有するTe合金粉末およびTe粉末とし、こ
れら粉末をそれぞれ冷間静水圧プレスを用いて圧
粉体に成形し、ついでこれらの圧粉体を、上記溶
製雰囲気と同じAr雰囲気中で、300〜500℃の範
囲内の所定温度に60分間保持の条件で焼結するこ
とによつて、直径：76.2mm×厚さ：６mmの寸法を
有し、かつ第１表に示される酸素含有量の従来タ
ーゲツト１〜６を製造した。 一方、上記の原料に対して、それぞれ１〜３回
の蒸留精製処理を施して酸素含有量を0.5ppmと
したTe、同じく9ppmとしたBi、同20ppmとした
Sb、同5ppmとしたCd、同4ppmとしたAg、同
2ppmとしたSe、同10ppmとしたAs、および同
8ppmとしたＳを用い、溶製および焼結雰囲気を、
10-6torrまで排気した後、２容量％の水素を含有
するArガスを導入して形成した還元性雰囲気と
し、さらに粉砕をArガス雰囲気で行なう以外は
同一の条件で同じく第１表に示される酸素含有量
の本発明ターゲツト１〜６を製造した。 ついで、この結果得られた本発明ターゲツト１
〜６および従来ターゲツト１〜６について、熱伝
導性を評価する目的で熱伝導率を測定すると共
に、
第１表における本発明ターゲツト１〜６と従来
ターゲツト１〜６との比較から、ターゲツトの酸
素含有量を100ppm以下とすることによつて、タ
ーゲツトの熱伝導性および強度が著しく向上する
ようになり、これによつてスパツタ出力の増大が
はかれて速い速度での薄膜形成が可能となること
が明らかである。 上述のように、この発明のターゲツトによれ
ば、すぐれた熱伝導性と強度をもつので、スパツ
タ中における表面温度の著しい上昇や、クラツク
の発生が回避され、スパツタ出力の増大をはかる
ことができることから、速い速度での薄膜形成を
高い歩留りで行なうことができ、さらに高強度を
もつので、加工中でのクラツクや割れの発生を防
止できるなど工業上有用な効果がもたらされるの
である。
ターゲツト１〜６との比較から、ターゲツトの酸
素含有量を100ppm以下とすることによつて、タ
ーゲツトの熱伝導性および強度が著しく向上する
ようになり、これによつてスパツタ出力の増大が
はかれて速い速度での薄膜形成が可能となること
が明らかである。 上述のように、この発明のターゲツトによれ
ば、すぐれた熱伝導性と強度をもつので、スパツ
タ中における表面温度の著しい上昇や、クラツク
の発生が回避され、スパツタ出力の増大をはかる
ことができることから、速い速度での薄膜形成を
高い歩留りで行なうことができ、さらに高強度を
もつので、加工中でのクラツクや割れの発生を防
止できるなど工業上有用な効果がもたらされるの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ TeまたはTe合金で構成されたスパツタリン
グ用焼結ターゲツトにおいて、 上記TeまたはTe合金中に不可避不純物として
含有する酸素の含有量を、100ppm以下とするこ
とにより前記ターゲツトの熱伝導性および強度を
向上させたことを特徴とするTeまたはTe合金製
スパツタリング用焼結ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15160385A JPS6213569A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15160385A JPS6213569A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213569A JPS6213569A (ja) | 1987-01-22 |
| JPS6328987B2 true JPS6328987B2 (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=15522138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15160385A Granted JPS6213569A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213569A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0399291U (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-16 | ||
| JPH0536195U (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-18 | 株式会社クボタ | 管継手部の防食用コア |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106748U (ja) * | 1988-01-05 | 1989-07-18 | ||
| WO2009107498A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 日鉱金属株式会社 | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
| JP5457609B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2014-04-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Ｃｕ−Ｔｅ合金系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15160385A patent/JPS6213569A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0399291U (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-16 | ||
| JPH0536195U (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-18 | 株式会社クボタ | 管継手部の防食用コア |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6213569A (ja) | 1987-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |