JP2000265262A - Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法Info
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- JP2000265262A JP2000265262A JP11070009A JP7000999A JP2000265262A JP 2000265262 A JP2000265262 A JP 2000265262A JP 11070009 A JP11070009 A JP 11070009A JP 7000999 A JP7000999 A JP 7000999A JP 2000265262 A JP2000265262 A JP 2000265262A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、記録層材料の相変態を利用して情
報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリ
ング用ターゲット材の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金につい
て不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製
し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１、Ｓｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０
なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行う
ことを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用
ターゲット材の製造方法。
報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリ
ング用ターゲット材の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金につい
て不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製
し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１、Ｓｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０
なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行う
ことを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用
ターゲット材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録層材料の相変
態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法に関する
ものである。
態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】従来、特開平３−１８０
４６８号公報に開示されているように、原料となるＧ
ｅ，Ｓｂ，Ｔｅの金属または半金属よりなる材料を粉
砕、混合して均一な混合物とした後、この混合物をホッ
トプレスにより非金属状態の成形体とすることを特徴と
するスパッタリング用ターゲットの製造方法や、原料と
なるＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを所定の割合に配合し溶解後粉砕
し焼結する方法が提案されている。しかし、前者の方法
により焼結しても単体元素相が残るため、各元素の単相
が存在するとスパッタリングレートの小さい元素と大き
い元素が混在することになるため、スパッタリングレー
トの小さい元素がターゲット中に残留したり、得られた
薄膜の組成分布がばらつく等の問題が生じる。
４６８号公報に開示されているように、原料となるＧ
ｅ，Ｓｂ，Ｔｅの金属または半金属よりなる材料を粉
砕、混合して均一な混合物とした後、この混合物をホッ
トプレスにより非金属状態の成形体とすることを特徴と
するスパッタリング用ターゲットの製造方法や、原料と
なるＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを所定の割合に配合し溶解後粉砕
し焼結する方法が提案されている。しかし、前者の方法
により焼結しても単体元素相が残るため、各元素の単相
が存在するとスパッタリングレートの小さい元素と大き
い元素が混在することになるため、スパッタリングレー
トの小さい元素がターゲット中に残留したり、得られた
薄膜の組成分布がばらつく等の問題が生じる。
【０００３】また、粉砕中の雰囲気を制御することが難
しいので、粉砕時に酸素を吸着しやすいＴｅの酸素値が
増大し、その成形体を用いたターゲットでスパッタリン
グを行うと、スパッタリング中にターゲットが割れた
り、異常放電が発生してしまうと言う問題がある。さら
に、後者の方法によれば単体元素相は存在しないが、粉
砕中の雰囲気を制御することが難しいので、粉砕時に酸
素を吸着しやすいＴｅ合金の酸素値が増大し、その成形
体を用いたターゲットでスパッタリングを行うと、前者
と同様にスパッタリング中にターゲットが割れたり、異
常放電が発生してしまうと言う問題がある。
しいので、粉砕時に酸素を吸着しやすいＴｅの酸素値が
増大し、その成形体を用いたターゲットでスパッタリン
グを行うと、スパッタリング中にターゲットが割れた
り、異常放電が発生してしまうと言う問題がある。さら
に、後者の方法によれば単体元素相は存在しないが、粉
砕中の雰囲気を制御することが難しいので、粉砕時に酸
素を吸着しやすいＴｅ合金の酸素値が増大し、その成形
体を用いたターゲットでスパッタリングを行うと、前者
と同様にスパッタリング中にターゲットが割れたり、異
常放電が発生してしまうと言う問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述したような問題を解
消するため、発明者らは鋭意開発を進めた結果、Ｇｅ−
Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金を不活性ガスアトマイズ法に
より急冷し、得られた粉末をそれぞれ所定の割合に配合
した後加圧焼結を行うことによって酸素含有量の少な
い、単体元素相を有さないターゲット材を提供すること
にある。その発明の要旨とするところは、Ｇｅ−Ｔｅ合
金、Ｓｂ−Ｔｅ合金について不活性ガスアトマイズ法に
より急冷した粉末を作製し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１、Ｓｂ
／Ｔｅ＝０．５〜２．０なる割合をもつ合金を均一に混
合した後加圧焼結を行うことを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法にあ
る。
消するため、発明者らは鋭意開発を進めた結果、Ｇｅ−
Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金を不活性ガスアトマイズ法に
より急冷し、得られた粉末をそれぞれ所定の割合に配合
した後加圧焼結を行うことによって酸素含有量の少な
い、単体元素相を有さないターゲット材を提供すること
にある。その発明の要旨とするところは、Ｇｅ−Ｔｅ合
金、Ｓｂ−Ｔｅ合金について不活性ガスアトマイズ法に
より急冷した粉末を作製し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１、Ｓｂ
／Ｔｅ＝０．５〜２．０なる割合をもつ合金を均一に混
合した後加圧焼結を行うことを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法にあ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。ＧｅはＳｂとは安定な合金を形成しない。そのた
めＧｅはＳｂではなく、他の元素であるＴｅとの合金と
して提供する必要がある。しかも、Ｇｅ−Ｔｅ合金はＧ
ｅ／Ｔｅ＝１／１（原子比）においてのみＧｅ−Ｔｅの
金属間化合物を生成し安定な合金を形成する。一方、Ｓ
ｂはＳｂ−Ｔｅ合金として提供する必要がある。すなわ
ち、Ｓｂ−Ｔｅは広い範囲で合金を形成する性質を有
し、本発明ではＳｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０とした。Ｓ
ｂ／Ｔｅ＝０．５未満であると、ターゲット材としての
Ｓｂ元素量が不足し、また、２．０を超えるＳｂは必要
がないことからＳｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０の範囲と定
めた。このように、Ｓｂ−Ｔｅの広い範囲での合金を利
用して所望されているＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系ターゲット材
の組成を広くカバーすることが可能となるものである。
する。ＧｅはＳｂとは安定な合金を形成しない。そのた
めＧｅはＳｂではなく、他の元素であるＴｅとの合金と
して提供する必要がある。しかも、Ｇｅ−Ｔｅ合金はＧ
ｅ／Ｔｅ＝１／１（原子比）においてのみＧｅ−Ｔｅの
金属間化合物を生成し安定な合金を形成する。一方、Ｓ
ｂはＳｂ−Ｔｅ合金として提供する必要がある。すなわ
ち、Ｓｂ−Ｔｅは広い範囲で合金を形成する性質を有
し、本発明ではＳｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０とした。Ｓ
ｂ／Ｔｅ＝０．５未満であると、ターゲット材としての
Ｓｂ元素量が不足し、また、２．０を超えるＳｂは必要
がないことからＳｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０の範囲と定
めた。このように、Ｓｂ−Ｔｅの広い範囲での合金を利
用して所望されているＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系ターゲット材
の組成を広くカバーすることが可能となるものである。
【０００６】次に、Ｇｅ−Ｔｅ合金またはＳｂ−Ｔｅ合
金粉末を製造するに当たり、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｂ元素を溶
解した後の高温状態の元素を合金化する際に、本発明に
おいてはガスアトマイズの急冷粉砕効果を利用すること
によって、徐冷による元素単体相の析出を防止した合金
の安定化を図ることが出来ると共に、結晶粒微細化によ
る薄膜の組成分布を均一に出来、しかも酸素値増大の抑
制を図ることにより、割れの抑制、異常放電の抑制を図
ることができる。さらに粉砕工程の省略によりコストダ
ウンをはかることが可能となり、高性能で低価格なター
ゲット材を製造することが出来るものである。
金粉末を製造するに当たり、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｂ元素を溶
解した後の高温状態の元素を合金化する際に、本発明に
おいてはガスアトマイズの急冷粉砕効果を利用すること
によって、徐冷による元素単体相の析出を防止した合金
の安定化を図ることが出来ると共に、結晶粒微細化によ
る薄膜の組成分布を均一に出来、しかも酸素値増大の抑
制を図ることにより、割れの抑制、異常放電の抑制を図
ることができる。さらに粉砕工程の省略によりコストダ
ウンをはかることが可能となり、高性能で低価格なター
ゲット材を製造することが出来るものである。
【０００７】
【実施例】（実施例）原料のＧｅ、Ｔｅの各インゴット
を秤量し、Ａｒ雰囲気中で溶解し、ガスアトマイズを行
い、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１（原子比）となるような組成の
粉末を作製した。同様に原料のＳｂ，Ｔｅの各インゴッ
トからＳｂ／Ｔｅ＝２／３（原子比）となるような組成
の粉末を作製した。得られた２つの粉末をＧｅ−Ｓｂ／
Ｓｂ−Ｔｅ＝３９／６１（重量比）の割合で均一に混合
した後、この混合粉末を黒鉛型に充填し、プレス圧３０
０ｋｇｆ／ｃｍ2 、焼結温度４００℃で４時間、Ａｒ雰
囲気中で加圧焼結を行うことによりＧｅ／Ｔｅ／Ｓｂ＝
２／５／２（原子比）の成形体が得られた。得られた成
形体の酸素量は５００ｐｐｍであった。この成形体の組
織をＥＰＭＡ、ＸＲＤで観察したところ、Ｇｅ，Ｔｅ，
Ｓｂ単相は存在しなかった。この成形体を用いてスパッ
タリング評価を行ったところ、スパッタリング中に異常
放電は発生せず、得られた薄膜の組成分布は均一で良好
であった。
を秤量し、Ａｒ雰囲気中で溶解し、ガスアトマイズを行
い、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１（原子比）となるような組成の
粉末を作製した。同様に原料のＳｂ，Ｔｅの各インゴッ
トからＳｂ／Ｔｅ＝２／３（原子比）となるような組成
の粉末を作製した。得られた２つの粉末をＧｅ−Ｓｂ／
Ｓｂ−Ｔｅ＝３９／６１（重量比）の割合で均一に混合
した後、この混合粉末を黒鉛型に充填し、プレス圧３０
０ｋｇｆ／ｃｍ2 、焼結温度４００℃で４時間、Ａｒ雰
囲気中で加圧焼結を行うことによりＧｅ／Ｔｅ／Ｓｂ＝
２／５／２（原子比）の成形体が得られた。得られた成
形体の酸素量は５００ｐｐｍであった。この成形体の組
織をＥＰＭＡ、ＸＲＤで観察したところ、Ｇｅ，Ｔｅ，
Ｓｂ単相は存在しなかった。この成形体を用いてスパッ
タリング評価を行ったところ、スパッタリング中に異常
放電は発生せず、得られた薄膜の組成分布は均一で良好
であった。
【０００８】（比較例１）原料のＧｅ、Ｔｅの各インゴ
ットを粉砕し、各原料粉末をＧｅ／Ｔｅ／Ｓｂ＝２／５
／２（原子比）となるように配合し均一に混合した後、
この混合粉末を黒鉛型に充填し、プレス圧３００ｋｇｆ
／ｃｍ2 、焼結温度４００℃で４時間、Ａｒ雰囲気中で
加圧焼結を行った。得られた成形体の酸素量は１６００
ｐｐｍであった。この成形体の組織をＥＰＭＡ、ＸＲＤ
で観察したところ、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｂ単相は存在してい
た。この成形体を用いてスパッタリング評価を行ったと
ころ、スパッタリング中に異常放電は若干発生した。ま
た得られた薄膜の組成分布は不均一であった。
ットを粉砕し、各原料粉末をＧｅ／Ｔｅ／Ｓｂ＝２／５
／２（原子比）となるように配合し均一に混合した後、
この混合粉末を黒鉛型に充填し、プレス圧３００ｋｇｆ
／ｃｍ2 、焼結温度４００℃で４時間、Ａｒ雰囲気中で
加圧焼結を行った。得られた成形体の酸素量は１６００
ｐｐｍであった。この成形体の組織をＥＰＭＡ、ＸＲＤ
で観察したところ、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｂ単相は存在してい
た。この成形体を用いてスパッタリング評価を行ったと
ころ、スパッタリング中に異常放電は若干発生した。ま
た得られた薄膜の組成分布は不均一であった。
【０００９】（比較例２）原料のＧｅ、Ｔｅの各インゴ
ットを秤量し、Ａｒ雰囲気中で溶解し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１
／１（原子比）となるような組成のインゴットを作製し
た。同様に原料のＳｂ，Ｔｅの各インゴットからＳｂ／
Ｔｅ＝２／３（原子比）となるような組成のインゴット
を作製した。得られた２つのインゴットをそれぞれ粉砕
し各粉末をＧｅ−Ｔｅ／Ｓｂ−Ｔｅ＝３９／６１（重量
比）の割合で均一に混合した後、この混合粉末を黒鉛型
に充填し、プレス圧３００ｋｇｆ／ｃｍ2 、焼結温度４
００℃で４時間、Ａｒ雰囲気中で加圧焼結を行うことに
より、Ｇｅ／Ｔｅ／Ｓｂ＝２／５／２（原子比）の成形
体が得られた。得られた成形体の酸素量は２８００ｐｐ
ｍであった。この成形体の組織をＥＰＭＡ、ＸＲＤで観
察したところ、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｂ単相は存在しなかっ
た。この成形体を用いてスパッタリング評価を行ったと
ころ、スパッタリング中に異常放電が多く発生した。
ットを秤量し、Ａｒ雰囲気中で溶解し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１
／１（原子比）となるような組成のインゴットを作製し
た。同様に原料のＳｂ，Ｔｅの各インゴットからＳｂ／
Ｔｅ＝２／３（原子比）となるような組成のインゴット
を作製した。得られた２つのインゴットをそれぞれ粉砕
し各粉末をＧｅ−Ｔｅ／Ｓｂ−Ｔｅ＝３９／６１（重量
比）の割合で均一に混合した後、この混合粉末を黒鉛型
に充填し、プレス圧３００ｋｇｆ／ｃｍ2 、焼結温度４
００℃で４時間、Ａｒ雰囲気中で加圧焼結を行うことに
より、Ｇｅ／Ｔｅ／Ｓｂ＝２／５／２（原子比）の成形
体が得られた。得られた成形体の酸素量は２８００ｐｐ
ｍであった。この成形体の組織をＥＰＭＡ、ＸＲＤで観
察したところ、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｂ単相は存在しなかっ
た。この成形体を用いてスパッタリング評価を行ったと
ころ、スパッタリング中に異常放電が多く発生した。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により単体元
素相の存在しないスパッタに適した高品質、かつ低コス
トのターゲット材を製造することが可能となった。
素相の存在しないスパッタに適した高品質、かつ低コス
トのターゲット材を製造することが可能となった。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金につい
て不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製
し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１、Ｓｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０
なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行う
ことを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用
ターゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07000999A JP3703648B2 (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07000999A JP3703648B2 (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265262A true JP2000265262A (ja) | 2000-09-26 |
| JP3703648B2 JP3703648B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=13419186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07000999A Expired - Fee Related JP3703648B2 (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3703648B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044260A1 (ja) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び同製造用粉末 |
| WO2006059429A1 (ja) | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット |
| KR100621070B1 (ko) | 2004-10-19 | 2006-09-19 | 한양대학교 산학협력단 | 화학양론적 조성의 상변화형 재료의 합성방법 |
| EP1829985A1 (en) * | 2004-12-24 | 2007-09-05 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sb-Te ALLOY SINTERING PRODUCT TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| WO2008044626A1 (en) | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sb-Te BASE ALLOY SINTER SPUTTERING TARGET |
| WO2009034775A1 (ja) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
| WO2009057422A1 (ja) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| WO2011136120A1 (ja) | 2010-04-26 | 2011-11-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット |
| CN109574050A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-04-05 | 江苏师范大学 | 一种超高比表面积碳酸铝铵的制备及其热分解制备氧化铝的方法 |
| CN110342473A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-18 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 锗锑碲粉体、靶材的制备方法 |
| US10889887B2 (en) | 2016-08-22 | 2021-01-12 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP07000999A patent/JP3703648B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044260A1 (ja) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び同製造用粉末 |
| KR100621070B1 (ko) | 2004-10-19 | 2006-09-19 | 한양대학교 산학협력단 | 화학양론적 조성의 상변화형 재료의 합성방법 |
| WO2006059429A1 (ja) | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット |
| EP1829985A1 (en) * | 2004-12-24 | 2007-09-05 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sb-Te ALLOY SINTERING PRODUCT TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| EP1829985A4 (en) * | 2004-12-24 | 2008-06-04 | Nippon Mining Co | SB-TE ALLOY SUBSTRATE PRODUCT CARRIER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| EP2264216A2 (en) | 2004-12-24 | 2010-12-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Process for manufacturing an Sb-Te alloy sintered compact target |
| US8882975B2 (en) | 2006-10-13 | 2014-11-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te base alloy sinter sputtering target |
| WO2008044626A1 (en) | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sb-Te BASE ALLOY SINTER SPUTTERING TARGET |
| JPWO2008044626A1 (ja) * | 2006-10-13 | 2010-02-12 | 日鉱金属株式会社 | Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット |
| WO2009034775A1 (ja) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
| WO2009057422A1 (ja) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| WO2011136120A1 (ja) | 2010-04-26 | 2011-11-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット |
| KR20140097415A (ko) | 2010-04-26 | 2014-08-06 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Ｓｂ-Ｔｅ기 합금 소결체 스퍼터링 타깃 |
| KR20170020541A (ko) | 2010-04-26 | 2017-02-22 | 제이엑스금속주식회사 | Ｓｂ-Ｔｅ기 합금 소결체 스퍼터링 타깃 |
| US11846015B2 (en) | 2010-04-26 | 2023-12-19 | Jx Metals Corporation | Sb—Te-based alloy sintered compact sputtering target |
| US10889887B2 (en) | 2016-08-22 | 2021-01-12 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
| US11946132B2 (en) | 2016-08-22 | 2024-04-02 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
| CN109574050A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-04-05 | 江苏师范大学 | 一种超高比表面积碳酸铝铵的制备及其热分解制备氧化铝的方法 |
| CN109574050B (zh) * | 2019-01-16 | 2021-09-24 | 江苏师范大学 | 一种超高比表面积碳酸铝铵的制备及其热分解制备氧化铝的方法 |
| CN110342473A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-18 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 锗锑碲粉体、靶材的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3703648B2 (ja) | 2005-10-05 |
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