JPH01159373A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH01159373A JPH01159373A JP18381488A JP18381488A JPH01159373A JP H01159373 A JPH01159373 A JP H01159373A JP 18381488 A JP18381488 A JP 18381488A JP 18381488 A JP18381488 A JP 18381488A JP H01159373 A JPH01159373 A JP H01159373A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は希土類遷移金属合金膜の成膜に用いられるスパ
ッタリング用ターゲットに関する。
ッタリング用ターゲットに関する。
［従来の技術］
希土類元素と遷移金属を主成分とする合金薄膜は、光に
よって記録・消去・再生可能な光メモリーの一方式であ
る光磁気記録の記録層として用いられる。このような記
録層を形成する際に用いられるスパッタリング用ターゲ
ットとしては、鋳造法、焼結法、半溶融法によって製造
される。ここで鋳造法とは、真空中又は不活性雰囲気下
で溶解・鋳造した成分合金塊に外形加工を施してそのま
まスパッタリング用ターゲットとするものを指す。焼結
法とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、ＨＩＰ、ホットプレ
ス等の粉末冶金的手法を用いて成型するものであり、半
溶融法とは特開昭６１−９９６４０に開示されているも
のを指す。
よって記録・消去・再生可能な光メモリーの一方式であ
る光磁気記録の記録層として用いられる。このような記
録層を形成する際に用いられるスパッタリング用ターゲ
ットとしては、鋳造法、焼結法、半溶融法によって製造
される。ここで鋳造法とは、真空中又は不活性雰囲気下
で溶解・鋳造した成分合金塊に外形加工を施してそのま
まスパッタリング用ターゲットとするものを指す。焼結
法とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、ＨＩＰ、ホットプレ
ス等の粉末冶金的手法を用いて成型するものであり、半
溶融法とは特開昭６１−９９６４０に開示されているも
のを指す。
ところで前述の焼結法は粉末工程を含んでいるため、化
学的に活性な希土類元素を成分とする光磁気記録膜のス
パッタリング用ターゲットの製造に用いた場合、ターゲ
ット中の酸素濃度を抑えることが困難で記録膜の特性に
悪影響を及ぼすことが指摘されている。一方、鋳造法は
原料中の酸素を溶解時にスラグとして排出するため、タ
ーゲットの酸素濃度を抑えることが可能な反面、Ｔｂ−
Ｆｅ等の重希土類−遷移金属系合金はその脆性のために
実用的なサイズのターゲットの製造はできないとされて
いる。ただしこの点については、特開昭６１−１６８２
２２や特開昭６２−１２９４１等に開示されているよう
に軽希土類元素を添加した系を用いれば大幅に改善され
る。
学的に活性な希土類元素を成分とする光磁気記録膜のス
パッタリング用ターゲットの製造に用いた場合、ターゲ
ット中の酸素濃度を抑えることが困難で記録膜の特性に
悪影響を及ぼすことが指摘されている。一方、鋳造法は
原料中の酸素を溶解時にスラグとして排出するため、タ
ーゲットの酸素濃度を抑えることが可能な反面、Ｔｂ−
Ｆｅ等の重希土類−遷移金属系合金はその脆性のために
実用的なサイズのターゲットの製造はできないとされて
いる。ただしこの点については、特開昭６１−１６８２
２２や特開昭６２−１２９４１等に開示されているよう
に軽希土類元素を添加した系を用いれば大幅に改善され
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、軽希土類元素を添加した系の鋳造ターゲ
ットを用いて成膜を行った場合、基板面内の組成分布が
非常に大きいという問題点かある。 （Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｃ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ
ＪａｐａｎＶ ｏ ｌ 、 １ １ 、 Ｓｕｐｐ
ｌｅｍｅｎｔ、 Ｎｏ、Ｓ １．３２１ （１一方
半溶融法で作成したターゲットを用いたときスパッタ膜
組成の基板面内に於ける分布が小さいという特徴がある
。（第１０回日本応用磁気学会学術講演概要集５ａＢ−
７，５ａＢ−８）これは、ターゲットの金属組織が、希
土類と遷移金属の金属間化合物相と希土類金属相、さら
に遷移金属相の複合組織から成ることによる作用である
。
ットを用いて成膜を行った場合、基板面内の組成分布が
非常に大きいという問題点かある。 （Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｃ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ
ＪａｐａｎＶ ｏ ｌ 、 １ １ 、 Ｓｕｐｐ
ｌｅｍｅｎｔ、 Ｎｏ、Ｓ １．３２１ （１一方
半溶融法で作成したターゲットを用いたときスパッタ膜
組成の基板面内に於ける分布が小さいという特徴がある
。（第１０回日本応用磁気学会学術講演概要集５ａＢ−
７，５ａＢ−８）これは、ターゲットの金属組織が、希
土類と遷移金属の金属間化合物相と希土類金属相、さら
に遷移金属相の複合組織から成ることによる作用である
。
ところがこのような金属組織を得るためには、高温に於
ける熱間加工や長時間の熱処理を必要とするため、雰囲
気を真空あるいは不活性ガスにするとはいえ、ターゲッ
トの酸素濃度を２０００ ｐｐｍ以下にすることが難し
い。
ける熱間加工や長時間の熱処理を必要とするため、雰囲
気を真空あるいは不活性ガスにするとはいえ、ターゲッ
トの酸素濃度を２０００ ｐｐｍ以下にすることが難し
い。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは低酸素濃度で、膜面内での組成
の変動の小さな膜を作成することのできるスパッタリン
グ用ターゲットを供するこ凛にある。
その目的とするところは低酸素濃度で、膜面内での組成
の変動の小さな膜を作成することのできるスパッタリン
グ用ターゲットを供するこ凛にある。
本発明のスパッタリング用ターゲットは、その成分がＰ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍのうち少（とも１種以上の軽希土類元素
（ＬＲ）と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少くとも１種以上
の重希土類元素（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少くとも
１種以上の遷移金属（ＴＭ）であり、その組成式を原子
比で（ＬＲ）−（ＨＲ） ｙ（ＴＭ） １ｏｏ−−−ｙ
と表わすとき ０＜ｘ≦１５ １５≦ｙ≦３５ の範囲にあり、かつ該スパッタリング用ターゲットの金
属組織が、希土類元素の単体又は合金相、遷移金属の単
体又は合金相、希土類元素と遷移金属との金属間化合物
相の微細な複合組織から成ることを特徴とする。
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍのうち少（とも１種以上の軽希土類元素
（ＬＲ）と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少くとも１種以上
の重希土類元素（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少くとも
１種以上の遷移金属（ＴＭ）であり、その組成式を原子
比で（ＬＲ）−（ＨＲ） ｙ（ＴＭ） １ｏｏ−−−ｙ
と表わすとき ０＜ｘ≦１５ １５≦ｙ≦３５ の範囲にあり、かつ該スパッタリング用ターゲットの金
属組織が、希土類元素の単体又は合金相、遷移金属の単
体又は合金相、希土類元素と遷移金属との金属間化合物
相の微細な複合組織から成ることを特徴とする。
このような金属組織は次に示すような手法で得ることが
できる。まず原料として軽希土類金属。
できる。まず原料として軽希土類金属。
重希土類金属、遷移金属の粉末を例えばアセトン等の有
機溶媒で湿式混合を行う。次にこの混合粉をホットプレ
スして成形体を得る。このままでも上述したような金属
組織を得ることができるが、必要に応じてさらに熱間圧
延や熱間鋳造を施こしたり熱処理をおこなう場合もある
。
機溶媒で湿式混合を行う。次にこの混合粉をホットプレ
スして成形体を得る。このままでも上述したような金属
組織を得ることができるが、必要に応じてさらに熱間圧
延や熱間鋳造を施こしたり熱処理をおこなう場合もある
。
或いは、原料として希土類と遷移金属の共晶合金粉末と
遷移金属粉末を同様に混合し、ホットプレスをおこなう
。この場合、金属組織中の希土類金属相と金属間化合物
相は共晶からの相分離によって得られるものである。
遷移金属粉末を同様に混合し、ホットプレスをおこなう
。この場合、金属組織中の希土類金属相と金属間化合物
相は共晶からの相分離によって得られるものである。
さらに、原料として希土類金属と遷移金属と希土類遷移
金属合金粉末を用いることも可能である。
金属合金粉末を用いることも可能である。
〔実 施 例ｊ
以下実施例に基き本発明の詳細な説明する。
尚、本文中の組成は特に断らない限り原子比で表示する
ものとする。
ものとする。
（実施例１）
まず原料として、Ｎ ｄ ｓ、 ａ Ｄ Ｖ ｘ＋、
ｓＦ ｅ ｓｓ、 。
ｓＦ ｅ ｓｓ、 。
Ｃ０Ｉ４．０なる組成のインゴットを平均粒径５０μｍ
程度になるように粉砕してＮｄＤｙＦｅＣ。
程度になるように粉砕してＮｄＤｙＦｅＣ。
合金粉を得た。この粉末と粒径１ｍｍ程度のＮ ｄ ｚ
ｘＤｙｙｙ合金ｙ、１００メツシユアンダーのＦｅ８
゜６ＣＯ＋ｓ、ｓ粉末を各々２００ｇ、３１３ｇ、２８
７ｇを混合して、直径１０５ｍ＋ｎのホットプレスモー
ルド内に充填し、ｌ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒの真空下
で加圧圧力１５０ ｋｇ／ｃｍ”、加熱温度４００℃、
保持時間１時間の条件でホットプレスをおこなった。
ｘＤｙｙｙ合金ｙ、１００メツシユアンダーのＦｅ８
゜６ＣＯ＋ｓ、ｓ粉末を各々２００ｇ、３１３ｇ、２８
７ｇを混合して、直径１０５ｍ＋ｎのホットプレスモー
ルド内に充填し、ｌ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒの真空下
で加圧圧力１５０ ｋｇ／ｃｍ”、加熱温度４００℃、
保持時間１時間の条件でホットプレスをおこなった。
次に炉冷した後、直径１０１關、厚さ４ｍｍに外形加工
してスパッタリングターゲットを得た。
してスパッタリングターゲットを得た。
このようにして得られたターゲットの組織を観察したと
ころ、金属組織はＮｄＤｙ合金相とＦｅＣ０合金相、さ
らにＮｄＤｙＦｅＣｏの金属間化合物相の３つの相から
成ることがわかった。またこのターゲットの酸素濃度は
９８０ ｗｔｐｐｍ 、相対密度は９７％であった。
ころ、金属組織はＮｄＤｙ合金相とＦｅＣ０合金相、さ
らにＮｄＤｙＦｅＣｏの金属間化合物相の３つの相から
成ることがわかった。またこのターゲットの酸素濃度は
９８０ ｗｔｐｐｍ 、相対密度は９７％であった。
次にこのターゲットのターゲットとしての性能を調べる
ために、スパッタリングをおこなった。
ために、スパッタリングをおこなった。
基板として１２ｍｍ角のガラス板をターゲツト面から６
．６ｃｍ離れた基板ホルダー上に、ターゲット中心の直
上を通る直線状に並べ、ＤＣマグネトロンスパックで、
１．ＯＡ、３００Ｖ、Ａｒ圧２ 、５ ｍＴｏｒｒで１
０分間成膜した。第１図はこのようにして得た膜の蛍光
線によるＤｙ含含有分分析値示したもので、約１０ｃｍ
の長さにわたって２２．０±Ｏ，ｌａｔ％の範囲に収ま
ることがわかる。同様に、Ｎｄは６．４±０．１ａｔ％
、Ｆｅは５６．７±０．２ａｔ％、Ｃｏは１４．９±０
．１ａｔ％と良好な分布特性が得られる。
．６ｃｍ離れた基板ホルダー上に、ターゲット中心の直
上を通る直線状に並べ、ＤＣマグネトロンスパックで、
１．ＯＡ、３００Ｖ、Ａｒ圧２ 、５ ｍＴｏｒｒで１
０分間成膜した。第１図はこのようにして得た膜の蛍光
線によるＤｙ含含有分分析値示したもので、約１０ｃｍ
の長さにわたって２２．０±Ｏ，ｌａｔ％の範囲に収ま
ることがわかる。同様に、Ｎｄは６．４±０．１ａｔ％
、Ｆｅは５６．７±０．２ａｔ％、Ｃｏは１４．９±０
．１ａｔ％と良好な分布特性が得られる。
（実施例２）
次に異なる製造方法で作成した本発明の例を述べる。
原料には平均粒径１００μｍのＮｄ扮とＤｙ粉、平均粒
径５０μｍのＦｅ、Ｃｏ扮を用意し、各々８８．８ｇ、
３３７．１ｇ、２９６．５ｇ。
径５０μｍのＦｅ、Ｃｏ扮を用意し、各々８８．８ｇ、
３３７．１ｇ、２９６．５ｇ。
７７．６ｇをボールミルで湿式混合した。その後直径１
０５ｍｍのホットプレスモールド内に全量を充填し、真
空度１ 、 ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒの雰囲気下で加圧
圧力１５０ ｋｇ／ｃｍ”、６００℃加熱、保持時間１
時間の条件でホットプレスをおこなった。炉冷後、ター
ゲットとして使用できるように、直径１０１ｍｍ、厚さ
４ｍｍに切削加工を施した。このターゲットの酸素濃度
は９５０ ｗｔｐｐｍ 、相対密度は９８％であった。
０５ｍｍのホットプレスモールド内に全量を充填し、真
空度１ 、 ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒの雰囲気下で加圧
圧力１５０ ｋｇ／ｃｍ”、６００℃加熱、保持時間１
時間の条件でホットプレスをおこなった。炉冷後、ター
ゲットとして使用できるように、直径１０１ｍｍ、厚さ
４ｍｍに切削加工を施した。このターゲットの酸素濃度
は９５０ ｗｔｐｐｍ 、相対密度は９８％であった。
このターゲットの金属組織の観察の結果、Ｎｄ粒とＤｙ
粒、Ｆｅ粒、Ｃｏ粒の間に、Ｄｙ粒とＦｅ粒、Ｃｏ粒の
間に、Ｆｅ粒と００粒の間に一部固相拡散によるものと
思われる合金相と金属間化合物相が形成されていること
がわかった。
粒、Ｆｅ粒、Ｃｏ粒の間に、Ｄｙ粒とＦｅ粒、Ｃｏ粒の
間に、Ｆｅ粒と００粒の間に一部固相拡散によるものと
思われる合金相と金属間化合物相が形成されていること
がわかった。
上述のようにして作成したターゲットを用いて実施例１
と同様に成膜を試みた。 ＩＩＪｉの基板ホルダー内の
Ｄｙ量ならびにＮｄ量の分布を第２図に示す、Ｄｙはｌ
ｏｃｍにわたって２２．１±０． １ａｔ％と非常に一
様に分布するのに対して、Ｎｄは６．７±０．３ａｔ％
とやや大きな場所による変動を示した。そこで、ターゲ
ットの金属組織に変化を与えるべく、６５０℃２時間の
熱処理を施した後、同様な成膜実験をおこなった。この
とき金属組織はＮｄとＦｅ、ＮｄとＣＯの界面に生じて
いた金属間化合物相の面積が増して、その分Ｎｄ、Ｆｅ
、Ｃｏの金属相の面積が減少していたが、基本的な構成
は熱処理前のものと大差はなかった。
と同様に成膜を試みた。 ＩＩＪｉの基板ホルダー内の
Ｄｙ量ならびにＮｄ量の分布を第２図に示す、Ｄｙはｌ
ｏｃｍにわたって２２．１±０． １ａｔ％と非常に一
様に分布するのに対して、Ｎｄは６．７±０．３ａｔ％
とやや大きな場所による変動を示した。そこで、ターゲ
ットの金属組織に変化を与えるべく、６５０℃２時間の
熱処理を施した後、同様な成膜実験をおこなった。この
とき金属組織はＮｄとＦｅ、ＮｄとＣＯの界面に生じて
いた金属間化合物相の面積が増して、その分Ｎｄ、Ｆｅ
、Ｃｏの金属相の面積が減少していたが、基本的な構成
は熱処理前のものと大差はなかった。
第３図に基板ホルダー内の膜のＮｄ、Ｄｙ含有量の分布
を示すが、Ｄｙの分布は熱処理前に比べて差がないのに
対し、Ｎｄの分布が著しく改善され、１０ｃｍの長さの
範囲で６，６±Ｏ，ｌａｔ％に収まることがわかる。こ
のように、成型後の熱処理によって分布特性の改善が可
能である。
を示すが、Ｄｙの分布は熱処理前に比べて差がないのに
対し、Ｎｄの分布が著しく改善され、１０ｃｍの長さの
範囲で６，６±Ｏ，ｌａｔ％に収まることがわかる。こ
のように、成型後の熱処理によって分布特性の改善が可
能である。
（実施例３）
次にＮｄ＋＋Ｄ３／２□Ｆｅａ４−ｘｃＯ＋４の組成式
に対して種々のＮ ｄ ｆｉ ｘのターゲットを実施例
２と同様な方法で作成し、スパッタ膜の組成分布特性を
やはり実施例２に示した方法で評価した。第１表にＮｄ
含有ｆｉｘとスパッタ膜の各成分含有量とその範囲を示
す。
に対して種々のＮ ｄ ｆｉ ｘのターゲットを実施例
２と同様な方法で作成し、スパッタ膜の組成分布特性を
やはり実施例２に示した方法で評価した。第１表にＮｄ
含有ｆｉｘとスパッタ膜の各成分含有量とその範囲を示
す。
第１表
このように、全体として組成の場所による変動が大きく
、光磁気記録媒体のように組成の均一性を要求される膜
の作成には不十分な分布特性である。そこで、各ターゲ
ットに熱処理を施すことによって、スパック膜の分布特
性の改善を試みた。
、光磁気記録媒体のように組成の均一性を要求される膜
の作成には不十分な分布特性である。そこで、各ターゲ
ットに熱処理を施すことによって、スパック膜の分布特
性の改善を試みた。
熱処理温度はいずれも６５０℃である。第４図にはスパ
ッタ膜の各成分が±Ｏ，ｌａｔ％の範囲になるのに必要
な熱処理時間を示すが、Ｎｄ量Ｘが０のとき１１．２５
時間の熱処理が必要なのに対し、ｘ＝０．５ａｔ％の場
合６．２５時間と大幅な短縮が可能である。さらに６．
５ａｔ％を越えると２時間以下の熱処理で膜の組成分布
を抑えることが可能になり、ターゲットの生産性向上に
Ｎｄの添加が著しい効果を付与することが判る。またタ
ーゲットの酸素濃度を比較したところ、熱処理時間と酸
素濃度の間には正の相関があり、処理時間が短いほどタ
ーゲットの酸素濃度が低いことがわかった。
ッタ膜の各成分が±Ｏ，ｌａｔ％の範囲になるのに必要
な熱処理時間を示すが、Ｎｄ量Ｘが０のとき１１．２５
時間の熱処理が必要なのに対し、ｘ＝０．５ａｔ％の場
合６．２５時間と大幅な短縮が可能である。さらに６．
５ａｔ％を越えると２時間以下の熱処理で膜の組成分布
を抑えることが可能になり、ターゲットの生産性向上に
Ｎｄの添加が著しい効果を付与することが判る。またタ
ーゲットの酸素濃度を比較したところ、熱処理時間と酸
素濃度の間には正の相関があり、処理時間が短いほどタ
ーゲットの酸素濃度が低いことがわかった。
次にこれらのターゲットを用いて、記録・再生が可能な
光磁気記録媒体を作成して再生信号の評価をおこなった
。測定条件は線速７ｍ／ｓ、記録周波数３ＭＨｚ、再生
レーザーパワー１ｍｗである。
光磁気記録媒体を作成して再生信号の評価をおこなった
。測定条件は線速７ｍ／ｓ、記録周波数３ＭＨｚ、再生
レーザーパワー１ｍｗである。
第５図はこのようにして測定した搬送波対雑音比をＮｄ
量Ｘに対してプロットしたもので、Ｎｄ量の増加に伴い
ｘ＝１０ａｔ％程度までは増加するが、以降減少をはじ
め、ｘ＝１５ａｔ％を越λると急激に小さくなることが
わかる。
量Ｘに対してプロットしたもので、Ｎｄ量の増加に伴い
ｘ＝１０ａｔ％程度までは増加するが、以降減少をはじ
め、ｘ＝１５ａｔ％を越λると急激に小さくなることが
わかる。
以上を総合すると、ターゲットのＮｄ含有量が多いほど
熱処理時間が短縮され生産効率が向上するとともに、タ
ーゲット中の酸素濃度も低くなり好ましいが、１５ａｔ
％を超大ると媒体の再生特性が低下するので、Ｎｄ含有
量は１５ａｔ％以下であることが望ましい、さらに６．
５ａｔ％以上１５ａｔ％以下であれば、その添加の効果
は著しい。
熱処理時間が短縮され生産効率が向上するとともに、タ
ーゲット中の酸素濃度も低くなり好ましいが、１５ａｔ
％を超大ると媒体の再生特性が低下するので、Ｎｄ含有
量は１５ａｔ％以下であることが望ましい、さらに６．
５ａｔ％以上１５ａｔ％以下であれば、その添加の効果
は著しい。
尚、熱処理温度はここでは６５０℃としたが、例λば６
８０℃の熱処理温度を用いれば、熱処理時間を約３０％
短縮することができるように、この実施例に示した温度
が絶対的なものではなく、あくまでその効果を明らかに
するために用いたものである。
８０℃の熱処理温度を用いれば、熱処理時間を約３０％
短縮することができるように、この実施例に示した温度
が絶対的なものではなく、あくまでその効果を明らかに
するために用いたものである。
（実施例４）
次にＮ ｄ７．ｏ Ｄｙ ｙ Ｆ ｅａ９．ｏ−ｙｃＯ
＋ａ、ｏなる組成式において、種々のＤ ｙ ｍ ｙの
組成を有するターゲットを実施例２と同様な製造方法で
作成し、スパッタ膜の組成分布特性を実施例２に示した
方法で評価した・、第２表にターゲットのＤｙ含有量ｙ
とスパッタ膜の各成分含有量とその変動の範囲を示す。
＋ａ、ｏなる組成式において、種々のＤ ｙ ｍ ｙの
組成を有するターゲットを実施例２と同様な製造方法で
作成し、スパッタ膜の組成分布特性を実施例２に示した
方法で評価した・、第２表にターゲットのＤｙ含有量ｙ
とスパッタ膜の各成分含有量とその変動の範囲を示す。
第２表
このように、全体に場所による組成の変動幅が大きいも
のの、いずれの組成のターゲットも６５０℃で１時間か
ら１０時間の熱処理を施すことによ′ってスパッタ膜の
各成分の変動幅を±０．１ａｔ％以下にすることができ
た。さらに、これらのターゲットを用いて記録・再生が
可能な光磁気記録媒体を作成し、再生特性の評価をおこ
なったにのときの記録・再生条件は実施例３に記したも
のと同じである。第６図は、搬送波対雑音比をＤｙ含有
Ｊｌｙに対してプロットしたものであるが、１５≦ｙ≦
３５の範囲では５０ｄＢを越えるのに対し、ｙが１５ａ
ｔ％より少くても３５ａｔ％より多くても５０ｄＢを下
回り、光磁気記録媒体としては好ましくない。
のの、いずれの組成のターゲットも６５０℃で１時間か
ら１０時間の熱処理を施すことによ′ってスパッタ膜の
各成分の変動幅を±０．１ａｔ％以下にすることができ
た。さらに、これらのターゲットを用いて記録・再生が
可能な光磁気記録媒体を作成し、再生特性の評価をおこ
なったにのときの記録・再生条件は実施例３に記したも
のと同じである。第６図は、搬送波対雑音比をＤｙ含有
Ｊｌｙに対してプロットしたものであるが、１５≦ｙ≦
３５の範囲では５０ｄＢを越えるのに対し、ｙが１５ａ
ｔ％より少くても３５ａｔ％より多くても５０ｄＢを下
回り、光磁気記録媒体としては好ましくない。
（実施例５）
Ｐ ｒ ｘ Ｄ ３’ ｚｔ、ｏＦ ｅｓ４−ｘｃ Ｏ
１４，０なる組成式において種々のＰｒｆｉｘの組成の
ターゲットを実施例２に記した方法で作成し、スパッタ
膜の組成の分布特性を同じ〈実施例２に記した方法で調
べた。第３表にＰｒ含有Ｊｌｘとスパッタ膜の各成分含
有量とその変動の範囲を列挙した。
１４，０なる組成式において種々のＰｒｆｉｘの組成の
ターゲットを実施例２に記した方法で作成し、スパッタ
膜の組成の分布特性を同じ〈実施例２に記した方法で調
べた。第３表にＰｒ含有Ｊｌｘとスパッタ膜の各成分含
有量とその変動の範囲を列挙した。
第３表
このように、Ｎｄの場合と同様場所による変動が太き（
、このままでは十分に均一な膜が得られない。そこで、
Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒ以下の真空下でこれらのタ
ーゲットを６５０℃の熱処理を施したところ、各ターゲ
ットは第４表に示すような時間の熱処理の後、スパッタ
膜の各成分の変動幅を±０．１ｓｔ％以下に抑＾ること
ができた。第４表には併せてこれらのターゲットを用い
て作成した光磁気記録媒体の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）
と、ターゲットの酸素含有量も記載した。
、このままでは十分に均一な膜が得られない。そこで、
Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒ以下の真空下でこれらのタ
ーゲットを６５０℃の熱処理を施したところ、各ターゲ
ットは第４表に示すような時間の熱処理の後、スパッタ
膜の各成分の変動幅を±０．１ｓｔ％以下に抑＾ること
ができた。第４表には併せてこれらのターゲットを用い
て作成した光磁気記録媒体の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）
と、ターゲットの酸素含有量も記載した。
第４表
この結果によればＰｒ含有量が多いほど熱処理時間が短
かく、ターゲットの酸素濃度も低いことがわかる。特に
熱処理時間は、実施例３のＮｄの場合よりもさらに短く
、ターゲットの生産性が著しく向上する。しかしながら
Ｐｒ含有量Ｘが１５ａｔ％を越えると媒体の再生Ｃ／Ｎ
は急激に低下するため、１５ａｔ％以下にすることが望
ましく、ターゲット品質、生産性、媒体の動特性の全て
を総合すると、Ｐｒ量Ｘは１５ａｔ％以下、より望まし
くは５．０ａｔ％以上１５ａｔ％以下にすることによっ
てより大きな効果が得られる。
かく、ターゲットの酸素濃度も低いことがわかる。特に
熱処理時間は、実施例３のＮｄの場合よりもさらに短く
、ターゲットの生産性が著しく向上する。しかしながら
Ｐｒ含有量Ｘが１５ａｔ％を越えると媒体の再生Ｃ／Ｎ
は急激に低下するため、１５ａｔ％以下にすることが望
ましく、ターゲット品質、生産性、媒体の動特性の全て
を総合すると、Ｐｒ量Ｘは１５ａｔ％以下、より望まし
くは５．０ａｔ％以上１５ａｔ％以下にすることによっ
てより大きな効果が得られる。
〔実施例６］
Ｐ ｒ ｙ、ｏ Ｄ ：ｌ ｙ Ｆ ｅ ｙｏ、ｏ−ｙ
ＣＯ１４，０なる組成式において、種々のＤ ｙｆｆｉ
ｙの組成を有するターゲットを実施例２と同様な製造方
法で作成し、スパッタ膜の組成分布特性を評価した。そ
の結果、場所による組成の変動幅は比較的大きいものの
、いずれのターゲットも６５０℃で１時間から８時間の
熱処理を施すことによって、スパッタ膜の各成分の変動
幅を±Ｏ，Ｌａｔ％以下に抑制することができた。また
、これらのターゲットを用いて光磁気記録媒体を作製し
てその再生特性を評価したところ、ｙが１５ａｔ％に満
だない場合や、３５ａｔ％を越えると十分な再生信号が
得られず、光磁気記録媒体として不適当であることがわ
かった。しかし、１５≦ｙ≦３５（ａｔ％）の範囲では
、再生Ｃ／Ｎは５０ｄＢ以上と良好で、ターゲットの酸
素濃度も９００ ｐｐｍ以下であった。
ＣＯ１４，０なる組成式において、種々のＤ ｙｆｆｉ
ｙの組成を有するターゲットを実施例２と同様な製造方
法で作成し、スパッタ膜の組成分布特性を評価した。そ
の結果、場所による組成の変動幅は比較的大きいものの
、いずれのターゲットも６５０℃で１時間から８時間の
熱処理を施すことによって、スパッタ膜の各成分の変動
幅を±Ｏ，Ｌａｔ％以下に抑制することができた。また
、これらのターゲットを用いて光磁気記録媒体を作製し
てその再生特性を評価したところ、ｙが１５ａｔ％に満
だない場合や、３５ａｔ％を越えると十分な再生信号が
得られず、光磁気記録媒体として不適当であることがわ
かった。しかし、１５≦ｙ≦３５（ａｔ％）の範囲では
、再生Ｃ／Ｎは５０ｄＢ以上と良好で、ターゲットの酸
素濃度も９００ ｐｐｍ以下であった。
（実施例７）
次にＳ ｍｘ Ｄ！２ｔ、ｏＦｅｓａ、ｏ−ｘｃＯ＋４
．ｏの組成式において種々のＳ重量ｙのターゲットを実
施例２と同様な方法で作成し、スパッタ膜の組成の分布
特性の評価をおこなった。その結果、ＮｄやＰｒの場合
と同様、場所による組成の変動が大きく、十分な均一性
は得られなかった。そこで、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
以下の真空中でこれらのターゲットを、６５０℃で熱処
理したところ第５表に示す時間の熱処理の後、スパッタ
膜の各成分の含有率の変動幅を±０．１ａｔ％以下に抑
えることができた。第５表にはこれらのターゲットを用
いて作成した光磁気記録媒体の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ
）と、ターゲットの酸素濃度も併せて記載した。
．ｏの組成式において種々のＳ重量ｙのターゲットを実
施例２と同様な方法で作成し、スパッタ膜の組成の分布
特性の評価をおこなった。その結果、ＮｄやＰｒの場合
と同様、場所による組成の変動が大きく、十分な均一性
は得られなかった。そこで、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
以下の真空中でこれらのターゲットを、６５０℃で熱処
理したところ第５表に示す時間の熱処理の後、スパッタ
膜の各成分の含有率の変動幅を±０．１ａｔ％以下に抑
えることができた。第５表にはこれらのターゲットを用
いて作成した光磁気記録媒体の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ
）と、ターゲットの酸素濃度も併せて記載した。
第５表
この結果によれば、Ｓｍ含有量が多いほど必要な熱処理
時間が短かく、ターゲットの酸素濃度が低いことがわか
る。しかしながらＳｍ含有量が１５ａｔ％を越えるとＣ
／Ｎが急激に低下するため、Ｘは１５ａｔ％以下にする
ことが好ましい。
時間が短かく、ターゲットの酸素濃度が低いことがわか
る。しかしながらＳｍ含有量が１５ａｔ％を越えるとＣ
／Ｎが急激に低下するため、Ｘは１５ａｔ％以下にする
ことが好ましい。
次にＳ ｍｙ、ｏ Ｄｙ ｙ Ｆ６？！１−１１ｃｏ＋
４．０なる組成式において、種々のＤｙＭｙの組成のタ
ーゲットを作成し、スパッタ膜の組成の分布特性を評価
した。その結果、場所による組成の変動幅は比較的大き
かったが、いずれのターゲットも６５０℃で２時間から
１２時間の熱処理によって、その変動幅を±０、Ｌａｔ
％以下に抑えることができた。またこれらのターゲット
を用いて光磁気記録媒体を作成してその再生Ｃ／Ｎを測
定したところ、１５≦ｙ≦３５ａｔ％の範囲で５０ｄＢ
以上の値を得られたものの、１５ａｔ％に満だない場合
や３５ａｔ％を越える場合、十分な再生Ｃ／Ｎが得られ
ず不適当であることがわかった。尚、ターゲットの酸素
濃度はいずれも９５０ ｐｐｆｆ＋であった。
４．０なる組成式において、種々のＤｙＭｙの組成のタ
ーゲットを作成し、スパッタ膜の組成の分布特性を評価
した。その結果、場所による組成の変動幅は比較的大き
かったが、いずれのターゲットも６５０℃で２時間から
１２時間の熱処理によって、その変動幅を±０、Ｌａｔ
％以下に抑えることができた。またこれらのターゲット
を用いて光磁気記録媒体を作成してその再生Ｃ／Ｎを測
定したところ、１５≦ｙ≦３５ａｔ％の範囲で５０ｄＢ
以上の値を得られたものの、１５ａｔ％に満だない場合
や３５ａｔ％を越える場合、十分な再生Ｃ／Ｎが得られ
ず不適当であることがわかった。尚、ターゲットの酸素
濃度はいずれも９５０ ｐｐｆｆ＋であった。
（実施例８）
次に組成を（Ｐ ｒｍ ＬＲＩ−＠ ） ？、ＯＤ：Ｊ
２ｚ。
２ｚ。
Ｆ ｅ ａｙ、 ｏｃ Ｏ１４，０と表わしたとき、０
≦ａ≦１の範囲でターゲットを実施例２と同様な方法で
作成した。但しＬＲはＮｄとＳｍを表わす。
≦ａ≦１の範囲でターゲットを実施例２と同様な方法で
作成した。但しＬＲはＮｄとＳｍを表わす。
これら“のターゲットを用いて実施例１に示した方法で
スパック膜の分布特性を調べたところ、各成分の分布は
最大±０．５ａｔ％、最小±０，２ａｔ％の範囲で変動
していた。そこで、これらのターゲットに熱処理を施こ
すことによって分布の幅が±０．１ａｔ％以下になるよ
うに金属組織の改善を試みた。その結果、熱処理温度６
５０℃において１．５時間から３時間の熱処理により、
すべてのターゲットについて膜の分布を±０．１ａｔ％
以下にすることができた。第７図はターゲット組成と、
膜組成分布を±Ｏ，ｌａｔ％以下にするのに必要な熱処
理時間の関係を示したもので、図中の記号・はＰｒＮｄ
ＤｙＦｅＣｏをＸはＰｒＳｍＤｙＦｅＣｏを表わし、横
軸はＰｒ量ａを表わす０図かられかるように、ＮｄやＳ
ｍをＰｒで置換することにより、熱処理時間を短縮する
ことができる。
スパック膜の分布特性を調べたところ、各成分の分布は
最大±０．５ａｔ％、最小±０，２ａｔ％の範囲で変動
していた。そこで、これらのターゲットに熱処理を施こ
すことによって分布の幅が±０．１ａｔ％以下になるよ
うに金属組織の改善を試みた。その結果、熱処理温度６
５０℃において１．５時間から３時間の熱処理により、
すべてのターゲットについて膜の分布を±０．１ａｔ％
以下にすることができた。第７図はターゲット組成と、
膜組成分布を±Ｏ，ｌａｔ％以下にするのに必要な熱処
理時間の関係を示したもので、図中の記号・はＰｒＮｄ
ＤｙＦｅＣｏをＸはＰｒＳｍＤｙＦｅＣｏを表わし、横
軸はＰｒ量ａを表わす０図かられかるように、ＮｄやＳ
ｍをＰｒで置換することにより、熱処理時間を短縮する
ことができる。
次のこれらのターゲットを用いて光磁気記録媒体を作成
し、媒体の書込み特性を測定した。測定条件は線速７ｍ
／ｓ、記録周波数３ＭＨｚ、記録外部磁界１５００ｅ、
再生レーザーパワー１ｍｗである。このようにして測定
した媒体の最適記録パワー、即ち二次高調波抑圧比が最
小になるような記録レーザーパーワーを第６表に示すが
、Ｐｒ含有量が多いほど最適レーザーパワーが減少し、
高感度な記録媒体になることがわがる。
し、媒体の書込み特性を測定した。測定条件は線速７ｍ
／ｓ、記録周波数３ＭＨｚ、記録外部磁界１５００ｅ、
再生レーザーパワー１ｍｗである。このようにして測定
した媒体の最適記録パワー、即ち二次高調波抑圧比が最
小になるような記録レーザーパーワーを第６表に示すが
、Ｐｒ含有量が多いほど最適レーザーパワーが減少し、
高感度な記録媒体になることがわがる。
第６表
（実施例９）
原料に平均粒径１００μｍのＮｄ粉とＴｂ粉、平均粒径
５０μｍのＦｅ粉、Ｃｏ粉を用意し、組成がＮｄ６，５
Ｔ ｂｚ＋、ｏＦ ｅ６ｚ、ｑｃ Ｏ＋ｏ、ｏとなる
ように粉末を秤量し、合計７００ｇの混合粉を得た。さ
らにこの粉末をＡｒ中で湿式混合をおこなって十分に均
一化させた後、直径１０５ｍ＋ｎのホットプレスモール
ドに全量を充填し、真空度１．ＯＸ Ｉ Ｏ−”Ｔｏｒ
ｒの真空下で加圧圧力２００ ｋｇ／ｃｍ”、６５０℃
加熱、保持時間４０分の条件でホットプレスをおこなっ
た。炉冷後ターゲットとして使用できるように、直径１
０１ｍｍ、厚さ４．０ｍｍに切削加工を施した。このタ
ーゲットの酸素濃度は７８０ ｐｐｍであった。
５０μｍのＦｅ粉、Ｃｏ粉を用意し、組成がＮｄ６，５
Ｔ ｂｚ＋、ｏＦ ｅ６ｚ、ｑｃ Ｏ＋ｏ、ｏとなる
ように粉末を秤量し、合計７００ｇの混合粉を得た。さ
らにこの粉末をＡｒ中で湿式混合をおこなって十分に均
一化させた後、直径１０５ｍ＋ｎのホットプレスモール
ドに全量を充填し、真空度１．ＯＸ Ｉ Ｏ−”Ｔｏｒ
ｒの真空下で加圧圧力２００ ｋｇ／ｃｍ”、６５０℃
加熱、保持時間４０分の条件でホットプレスをおこなっ
た。炉冷後ターゲットとして使用できるように、直径１
０１ｍｍ、厚さ４．０ｍｍに切削加工を施した。このタ
ーゲットの酸素濃度は７８０ ｐｐｍであった。
このターゲットを用いて実施例１と同様成膜しスパック
膜組成の分布特性を調べたところ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｃｏのいずれの成分も±０゜１ａｔ％以内のばらつきに
収まり、−様な分布特性が得られた。
膜組成の分布特性を調べたところ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｃｏのいずれの成分も±０゜１ａｔ％以内のばらつきに
収まり、−様な分布特性が得られた。
またＮｄａ、ｓ Ｇｄｇｚ、ｏＦ ｅｅｘ、５ｃＯａ、
ｏの組成になるように同様な方法でターゲットを作成し
、分布特性を調べたところ、やはり各成分とも±０．１
ａｔ％以内のばらつきの範囲に収まることがわかった。
ｏの組成になるように同様な方法でターゲットを作成し
、分布特性を調べたところ、やはり各成分とも±０．１
ａｔ％以内のばらつきの範囲に収まることがわかった。
（実施例１０）
平均粒径１００μｍのＮ ｄ ｘｓ、 ｏＤ ｙ？’Ｆ
、 ｏの合金粉と平均粒径５０μｍ （７） Ｆ ｅ
ａ。ＣＯ２０の合金粉を平均組成Ｎｄｓ、ｅ Ｄｙ２ｘ
、＋Ｆｅ５ｓ、ｏＣｏ＋４．ａの混合粉が１８００ｇ得
られるように秤量し、ボールミルで混合した０次にこの
粉末を６等分して各々直径１０５ｍｍのホットプレスモ
ールド内に充填し、真空中において加圧圧力１５０ ｋ
ｇ／ｃｍ２、加熱温度５５０℃、保持時間１時間の条件
でホットプレスをおこなった。この時点でターゲツト面
における希土類と遷移金属の金属間化合物相の面積比は
約６％であった。さらにこれらのうち５個の試料につい
て、６５０℃で熱処理をおこなうことによって金属間化
合物の比率が１８％、４２％、６４％、８０％、１００
％の試料を得た。
、 ｏの合金粉と平均粒径５０μｍ （７） Ｆ ｅ
ａ。ＣＯ２０の合金粉を平均組成Ｎｄｓ、ｅ Ｄｙ２ｘ
、＋Ｆｅ５ｓ、ｏＣｏ＋４．ａの混合粉が１８００ｇ得
られるように秤量し、ボールミルで混合した０次にこの
粉末を６等分して各々直径１０５ｍｍのホットプレスモ
ールド内に充填し、真空中において加圧圧力１５０ ｋ
ｇ／ｃｍ２、加熱温度５５０℃、保持時間１時間の条件
でホットプレスをおこなった。この時点でターゲツト面
における希土類と遷移金属の金属間化合物相の面積比は
約６％であった。さらにこれらのうち５個の試料につい
て、６５０℃で熱処理をおこなうことによって金属間化
合物の比率が１８％、４２％、６４％、８０％、１００
％の試料を得た。
これらの試料を外径１０１ｍｍ、厚さ４ｍｍに切削加工
し、スパッタリングターゲットを得た。第７表はこれら
のターゲットを用いて実施例１に示した方法で作成した
膜のＤｙ含有量の分布の範囲を示したものである。
し、スパッタリングターゲットを得た。第７表はこれら
のターゲットを用いて実施例１に示した方法で作成した
膜のＤｙ含有量の分布の範囲を示したものである。
第７表
表から明らかなように、金属間化合物相の比率が６％か
ら６４％の範囲ではスパッタ膜の組成分布は比較的小さ
い、特にスパッタ時に基板を回転運動させることにより
十分使用可能な程度に小さくできる。しかし８０％を越
えるものについては、惑星運動を模した複雑な運動を基
板に付与する必要があるためあまり望ましい特性だとは
言えない。
ら６４％の範囲ではスパッタ膜の組成分布は比較的小さ
い、特にスパッタ時に基板を回転運動させることにより
十分使用可能な程度に小さくできる。しかし８０％を越
えるものについては、惑星運動を模した複雑な運動を基
板に付与する必要があるためあまり望ましい特性だとは
言えない。
次に、これらのターゲットの機械的強度を４点曲げ強度
で比較した。第８図は横軸に金属間化合物の面積比、縦
軸に４点曲げ強度をプロットしたもので、金属間化合物
相の比率が高いほど、強度が小さいことがわかる。特に
２０％より少いとき強度が２０ ｋｇｆ／ｎｍ”を越え
、ターゲット製造上、使用上大きなメリットになる。し
かしながら上述したような分布特性も考慮すると、金属
間化合物の比率が６０％以下であれば、総合的に優れた
ターゲットであるということができる。
で比較した。第８図は横軸に金属間化合物の面積比、縦
軸に４点曲げ強度をプロットしたもので、金属間化合物
相の比率が高いほど、強度が小さいことがわかる。特に
２０％より少いとき強度が２０ ｋｇｆ／ｎｍ”を越え
、ターゲット製造上、使用上大きなメリットになる。し
かしながら上述したような分布特性も考慮すると、金属
間化合物の比率が６０％以下であれば、総合的に優れた
ターゲットであるということができる。
［発明の効果］
以上に述べたように本発明によれば、組成分布の小さい
スパック膜を作成することができ、低酸素濃度のスパッ
タリング用ターゲットを効率的に供することができる。
スパック膜を作成することができ、低酸素濃度のスパッ
タリング用ターゲットを効率的に供することができる。
尚、本発明実施例に於ける組成は主成分の組成であって
不可避不純物が含まれていても、何ら差しつかえない、
さらに、実施例に示さなかった、ＮｄＳｍＤｙＦｅＣｏ
やＰｒＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＳｍＮｄ
ＴｂＦｅＣｏ等の組合せにおいても同様な効果が得られ
ることは確認している。
不可避不純物が含まれていても、何ら差しつかえない、
さらに、実施例に示さなかった、ＮｄＳｍＤｙＦｅＣｏ
やＰｒＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＳｍＮｄ
ＴｂＦｅＣｏ等の組合せにおいても同様な効果が得られ
ることは確認している。
第１図は本発明ターゲットによる基板ホルダー内のＤｙ
含有量の分布を示す図。 第２図、第３図は本発明のスパッタリング用ターゲット
による基板ホルダー内のＮｄおよびＤｙ含有量の分布を
示す図。 第４図は本発明を説明するための図でターゲットに必要
な熱処理時間なＮｄ含有量Ｘに対してプロットした図。 第５図ならびに第６図は光磁気記録媒体の搬送波対雑音
比を各々Ｎｄ量ならびにＤｙＭに対してプロットした図
。 第７図は（Ｐ ｒ ＊ Ｎ ｄ ｌ−ａ ） ？、＋ｌ
Ｄ ５’ ｚｚ、ｏＦ６８？、 ａｃ Ｏｌａ、 ｏ
ならびに（Ｐ ｒ ａ Ｓｍ＋−ａ ） ｔ、。 Ｄ ｙｘ２． ｏＦ ｅ ＋＋ｙ、 ｏｃ Ｏ１４，０
においてターゲットに必要な熱処理時間をａに対してプ
ロットした図。 第８図はＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットにおいて、スパッ
タ面に占める金属間化合物相の面積の割合に対して４点
曲げ強度をプロットした図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）茅１図 Ｏチ１０ １！； ２０χ（Ｏｉφ） 第斗霞 ０ ！５ １０ （’ｓ
２０工Ｃ社ψ） 茅５図 ０ ０．１ ０．４ ０．６ ０．８ １
−０釦 第７図 ０ ２０ ４０ Ｇｏ Ｆ２Ｏ＋ｏ。 頴８図
含有量の分布を示す図。 第２図、第３図は本発明のスパッタリング用ターゲット
による基板ホルダー内のＮｄおよびＤｙ含有量の分布を
示す図。 第４図は本発明を説明するための図でターゲットに必要
な熱処理時間なＮｄ含有量Ｘに対してプロットした図。 第５図ならびに第６図は光磁気記録媒体の搬送波対雑音
比を各々Ｎｄ量ならびにＤｙＭに対してプロットした図
。 第７図は（Ｐ ｒ ＊ Ｎ ｄ ｌ−ａ ） ？、＋ｌ
Ｄ ５’ ｚｚ、ｏＦ６８？、 ａｃ Ｏｌａ、 ｏ
ならびに（Ｐ ｒ ａ Ｓｍ＋−ａ ） ｔ、。 Ｄ ｙｘ２． ｏＦ ｅ ＋＋ｙ、 ｏｃ Ｏ１４，０
においてターゲットに必要な熱処理時間をａに対してプ
ロットした図。 第８図はＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットにおいて、スパッ
タ面に占める金属間化合物相の面積の割合に対して４点
曲げ強度をプロットした図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）茅１図 Ｏチ１０ １！； ２０χ（Ｏｉφ） 第斗霞 ０ ！５ １０ （’ｓ
２０工Ｃ社ψ） 茅５図 ０ ０．１ ０．４ ０．６ ０．８ １
−０釦 第７図 ０ ２０ ４０ Ｇｏ Ｆ２Ｏ＋ｏ。 頴８図
Claims (1)
- （１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングをもって製造するためのターゲットにおいて
、前記ターゲットの主たる成分が、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの
うち少くとも１種以上の軽希土類元素（ＬＲ）と、Ｇｄ
、Ｔｂ、Ｄｙのうち少くとも１種以上の重希土類元素（
ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移
金属（ＴＭ）であり、その組成式を原子比で （ＬＲ）＿ｘ（ＨＲ）＿ｙ（ＴＭ）＿１＿０＿０＿−＿
ｘ＿−＿ｙと表わすとき ０＜ｘ≦１５ １５≦ｙ≦３５ の範囲にあり、かつ該ターゲットの金属組織が、希土類
元素の単体又は合金相、遷移金属の単体又は合金相、希
土類元素と遷移金属との金属間化合物相の微細な複合組
織からなることを特徴とするスパッタリング用ターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18381488A JPH01159373A (ja) | 1987-09-10 | 1988-07-23 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-226887 | 1987-09-10 | ||
| JP22688787 | 1987-09-10 | ||
| JP18381488A JPH01159373A (ja) | 1987-09-10 | 1988-07-23 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159373A true JPH01159373A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=26502098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18381488A Pending JPH01159373A (ja) | 1987-09-10 | 1988-07-23 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01159373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU670573B2 (en) * | 1992-10-21 | 1996-07-25 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Grinding method and grinding system for billet |
-
1988
- 1988-07-23 JP JP18381488A patent/JPH01159373A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU670573B2 (en) * | 1992-10-21 | 1996-07-25 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Grinding method and grinding system for billet |
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