JPS6395983A - 光学的記録用媒体の製造方法 - Google Patents
光学的記録用媒体の製造方法Info
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- JPS6395983A JPS6395983A JP61243723A JP24372386A JPS6395983A JP S6395983 A JPS6395983 A JP S6395983A JP 61243723 A JP61243723 A JP 61243723A JP 24372386 A JP24372386 A JP 24372386A JP S6395983 A JPS6395983 A JP S6395983A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的記録用媒体に存する。詳しくは、レーザ
ービームを照射して局部的に加熱し、その加熱部に穴も
しくは凹部又は凸部を形成することによって記録する光
学的記録用媒体に関するものである。
ービームを照射して局部的に加熱し、その加熱部に穴も
しくは凹部又は凸部を形成することによって記録する光
学的記録用媒体に関するものである。
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照射して、
穴、四部又は凸部を形成するようにした光学的記録媒体
として、従来よりＴｅを使用することが知られている。
穴、四部又は凸部を形成するようにした光学的記録媒体
として、従来よりＴｅを使用することが知られている。
Ｔｅは低融点、低熱伝導度を有するために上記方法によ
る記録において高い感度を示す。しかしＴｅは酸化され
易く酸化されると透明になり記録できなくなるという問
題がある。
る記録において高い感度を示す。しかしＴｅは酸化され
易く酸化されると透明になり記録できなくなるという問
題がある。
上記問題点を改良したものとして、’ｒｅ を合金化し
たもの、Ｔｅの低酸化物、Ｔｏを有機薄膜中に分散させ
たもの等がある。（例えば特開昭６３−３／／θを公報
、特開３ｇ−タグ３３！公報、特開昭５７−２１？３２
を公報）。
たもの、Ｔｅの低酸化物、Ｔｏを有機薄膜中に分散させ
たもの等がある。（例えば特開昭６３−３／／θを公報
、特開３ｇ−タグ３３！公報、特開昭５７−２１？３２
を公報）。
本発明者らは、特に、Ｔｏ系記録媒体を、Ｔｅ又はＴｅ
を含む合金をターゲットとしＡｒガスを用いてスパッタ
リングすることによシ堆積せしめ、その特性について検
討した結果これらの媒体には、膜全面に数十λから１μ
ｍの径を有する結晶粒が存在することを発見し、これが
、信号再生時のノイズの一因となり、ＯＷＮ比（０ａｒ
ｒ１ｅｒ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）を低下させ
る事実を確認した。
を含む合金をターゲットとしＡｒガスを用いてスパッタ
リングすることによシ堆積せしめ、その特性について検
討した結果これらの媒体には、膜全面に数十λから１μ
ｍの径を有する結晶粒が存在することを発見し、これが
、信号再生時のノイズの一因となり、ＯＷＮ比（０ａｒ
ｒ１ｅｒ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）を低下させ
る事実を確認した。
ｃ問題点を解決する手段〕
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に種々検討し
た結果Ａｒガスに、フッ化窒素ガスを混入してターゲッ
トをスパッタする事によシ、非晶質構造を有し、従って
結晶粒及び結晶粒界が存在しないため、感度、ピット形
状共に良好で、しかも、経時安定性に優れた光学的記録
用媒体が得られる事を見い出し、本発明を完成した。
た結果Ａｒガスに、フッ化窒素ガスを混入してターゲッ
トをスパッタする事によシ、非晶質構造を有し、従って
結晶粒及び結晶粒界が存在しないため、感度、ピット形
状共に良好で、しかも、経時安定性に優れた光学的記録
用媒体が得られる事を見い出し、本発明を完成した。
一方、記録感度及びビット形状の改善のためには、基板
と記録媒体との間に下引き層を設けることも有効である
。下引き層材料としては、Ｃ８２、フッ化炭素ガス等各
種モノマーのプラズマ重合膜（特開ｊ７−／／７／３９
． Ｊ−９−７０２１／−Ｊ公報）、ポリテトラフルオ
ロエチレン樹脂等のスパッタ膜（特開ｊターフ０．２ケ
乙、Ｊ−，１’−ＪＯ６３１１公報）等がある。本発明
は、フルオロカーボンの重合膜またはスパッタ膜を下引
層として用いた場合に有効な記録媒体に特徴を有する。
と記録媒体との間に下引き層を設けることも有効である
。下引き層材料としては、Ｃ８２、フッ化炭素ガス等各
種モノマーのプラズマ重合膜（特開ｊ７−／／７／３９
． Ｊ−９−７０２１／−Ｊ公報）、ポリテトラフルオ
ロエチレン樹脂等のスパッタ膜（特開ｊターフ０．２ケ
乙、Ｊ−，１’−ＪＯ６３１１公報）等がある。本発明
は、フルオロカーボンの重合膜またはスパッタ膜を下引
層として用いた場合に有効な記録媒体に特徴を有する。
該記録媒体はＴｅ又はＴｅを含む合金をターゲツト材と
して、特にフッ化窒素ガスとａｒガスとの混合ガス中に
おいて、反応性スパッタリングを行い、フルオロカーボ
ン薄膜層を被着した基板上に、Ｔｏ を含むスパッタ膜
を形成することにょシ、経時安定性に優れ、高ＱｌＮ比
（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔ。
して、特にフッ化窒素ガスとａｒガスとの混合ガス中に
おいて、反応性スパッタリングを行い、フルオロカーボ
ン薄膜層を被着した基板上に、Ｔｏ を含むスパッタ膜
を形成することにょシ、経時安定性に優れ、高ＱｌＮ比
（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔ。
ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ ）、高感度を有する光学的記
録媒体が得られることを見い出した。
録媒体が得られることを見い出した。
以下図面を参照して、本発明の詳細な説明する。第７図
は、本発明の光学的記録用媒体の具体的構造の一例を示
す模式図であって、（１）は基板、（２）は基板（１）
上に配置したフルオロカーボンノフラズマ重合膜あるい
はポリフルオロカーボンのスパッタ膜、（３１は膜（２
）上に反応性スパッタリングによ多形成したＴｅを含む
記録層、（４）はトラックサーボ用の溝である。第１図
の例では、基板（１）は射出成形等によってトラックサ
ーボ用の案内溝を設けたポリメチルメタクリレート樹脂
や、ポリカーボネート樹脂が用いられる。
は、本発明の光学的記録用媒体の具体的構造の一例を示
す模式図であって、（１）は基板、（２）は基板（１）
上に配置したフルオロカーボンノフラズマ重合膜あるい
はポリフルオロカーボンのスパッタ膜、（３１は膜（２
）上に反応性スパッタリングによ多形成したＴｅを含む
記録層、（４）はトラックサーボ用の溝である。第１図
の例では、基板（１）は射出成形等によってトラックサ
ーボ用の案内溝を設けたポリメチルメタクリレート樹脂
や、ポリカーボネート樹脂が用いられる。
基板（１）上にフルオロカーボンのプラズマ重合膜、あ
るいは、ポリフルオロカーボンのスパッタ膜（２）を形
成するにあたり、フルオロカーボンとしては％ ”４
１１ Ｃ２’６などのパーフルオロアルカン、 ０Ｆ
３０ＦＯＦ２ ナトのパーフルオロアルカン又ハ、パー
フルオロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、常温で気
体、あるいは液体であっても蒸気圧が十分高く、真空容
器に該フルオロカーボンの蒸気を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以上
溝たし、グロー放電が可能となるもので、フッ素の置換
度が高いものが望ましい。これらフン化炭素をモノマー
として容量式あるいは誘導式放電を用いることによりプ
ラズマ重合膜を形成する。ポリフルオロカーボンとして
は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テト
ラフルオロエチレン 共重合樹脂などを用い、これらをターゲットとして、Ａ
ｒなどの不活性ガス、あるいは、不活性ガスと前記モノ
マーの混合ガスでスパッタすることによシ、スパッタ膜
を形成する。このプラズマ重合膜またはスパッタ膜の膜
厚は、２０〜１ＯＯＯλ、好適にはｓＯＮ、！ｏｏｉと
する。
るいは、ポリフルオロカーボンのスパッタ膜（２）を形
成するにあたり、フルオロカーボンとしては％ ”４
１１ Ｃ２’６などのパーフルオロアルカン、 ０Ｆ
３０ＦＯＦ２ ナトのパーフルオロアルカン又ハ、パー
フルオロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、常温で気
体、あるいは液体であっても蒸気圧が十分高く、真空容
器に該フルオロカーボンの蒸気を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以上
溝たし、グロー放電が可能となるもので、フッ素の置換
度が高いものが望ましい。これらフン化炭素をモノマー
として容量式あるいは誘導式放電を用いることによりプ
ラズマ重合膜を形成する。ポリフルオロカーボンとして
は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テト
ラフルオロエチレン 共重合樹脂などを用い、これらをターゲットとして、Ａ
ｒなどの不活性ガス、あるいは、不活性ガスと前記モノ
マーの混合ガスでスパッタすることによシ、スパッタ膜
を形成する。このプラズマ重合膜またはスパッタ膜の膜
厚は、２０〜１ＯＯＯλ、好適にはｓＯＮ、！ｏｏｉと
する。
さらに、上記フルオロカーボン下引き層（２）の上に、
Ｔｅ を含む記録層（３）を反応性スパッタリング法に
よって、ｊＯλ〜１μｍ程度、好ましくは１．２００−
１０００λ程度の厚さに堆積する。
Ｔｅ を含む記録層（３）を反応性スパッタリング法に
よって、ｊＯλ〜１μｍ程度、好ましくは１．２００−
１０００λ程度の厚さに堆積する。
本発明方法にお−てはこの反応性スパッタリング法にフ
ッ化窒素とＡｒガスとの混合ガスを用いる。混合ガス中
におけるフッ化窒素ガスの比率は／ −ｔ ｏ Ｘ （
体積比）の範囲が好ましい。
ッ化窒素とＡｒガスとの混合ガスを用いる。混合ガス中
におけるフッ化窒素ガスの比率は／ −ｔ ｏ Ｘ （
体積比）の範囲が好ましい。
一方、ターゲツト材としては、ＴｅあるいはＴｅを母材
として、Ｓｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、！９ｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｓ
等を含む合金が準げられる。特に、ターゲツト材として
、Ｔｅを母材として、Ｓｅをｊ−，２ｊ原子％含む合金
を用い、Ｔｅ、及びＳｅ、Ｎ、Ｆを含む堆積膜からなる
記録層を形成するのが経時安定性を増す上で好ましい。
として、Ｓｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、！９ｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｓ
等を含む合金が準げられる。特に、ターゲツト材として
、Ｔｅを母材として、Ｓｅをｊ−，２ｊ原子％含む合金
を用い、Ｔｅ、及びＳｅ、Ｎ、Ｆを含む堆積膜からなる
記録層を形成するのが経時安定性を増す上で好ましい。
記録層中のＮ及びＦの量はＮが０．／〜！原子％、Ｆが
ｌ〜７原子％程度含有されているのが要員。Ｔθ合金が
更に他の第３成分等を含む場合、その量は通常、Ｔｅに
対し、原子比でｌ〜ｒｏｅＡ程度が好適に用いられる。
ｌ〜７原子％程度含有されているのが要員。Ｔθ合金が
更に他の第３成分等を含む場合、その量は通常、Ｔｅに
対し、原子比でｌ〜ｒｏｅＡ程度が好適に用いられる。
以上のような構成を有する本発明光学的記録媒体は、フ
ッ化窒素ガスに由来するＮとＦを含むために、記録層が
非晶質構造となシ、感度、ピット形状に優れ、経時安定
性が極めて良く、温度７０℃、相対湿度Ａ？！％の加速
試験を３０日間行った後でも、その反射率は全く変化し
ない。
ッ化窒素ガスに由来するＮとＦを含むために、記録層が
非晶質構造となシ、感度、ピット形状に優れ、経時安定
性が極めて良く、温度７０℃、相対湿度Ａ？！％の加速
試験を３０日間行った後でも、その反射率は全く変化し
ない。
更に上記のような下引き層を用いることにより、特に、
形状が均一で明確なリムを有するピットが形成され、従
って高０／Ｎ比が達成され、かつ、高感度な記録媒体を
得ることができる。
形状が均一で明確なリムを有するピットが形成され、従
って高０／Ｎ比が達成され、かつ、高感度な記録媒体を
得ることができる。
器、（２）はポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲラ
）、（３１はＴｏ又は’ｒｅを含む合金ターゲット、（
４）は基板（５）は設置した対向電極、（６）はガス導
入口％（７）はシャッター、（８）は排気口、（９）は
ＲＦ定電源００）は切９換えスイッチである。電極（４
）は移動可能であって、ポリテトラフルオロエチレン樹
脂ターゲット（２）の直上に配置してフルオロカーボン
のスパッタ膜からなる下引き層を被着したのち、真空を
破ることなくターゲット（３）の直上に移動せしめ、ひ
き続き記録層の形成を行うことができる。第２図に示し
た装儀′の場合、ガス導入口（６）よシＡｒガスを導入
してターゲット（２）と電極（４）の間で高周波グロー
放電を生じせしメチ、フルオロカーボンのスパッタ膜を
基板（５）上に形成し、ひき続きガス導入口よりＡｒと
フン化窒素の混合ガスを導入してＴｅ又はＴｅを含む合
金ターゲット（３）と電極（４）の間でやはシ高周波グ
ロー放電を生せしめて、反応性スパッタリングを行い、
Ｔｅを含む堆積膜からなる記録層を形成する。記録層中
のＳｅ含有量は、ターゲット中のＳｅ含有量によっても
制御できる。
）、（３１はＴｏ又は’ｒｅを含む合金ターゲット、（
４）は基板（５）は設置した対向電極、（６）はガス導
入口％（７）はシャッター、（８）は排気口、（９）は
ＲＦ定電源００）は切９換えスイッチである。電極（４
）は移動可能であって、ポリテトラフルオロエチレン樹
脂ターゲット（２）の直上に配置してフルオロカーボン
のスパッタ膜からなる下引き層を被着したのち、真空を
破ることなくターゲット（３）の直上に移動せしめ、ひ
き続き記録層の形成を行うことができる。第２図に示し
た装儀′の場合、ガス導入口（６）よシＡｒガスを導入
してターゲット（２）と電極（４）の間で高周波グロー
放電を生じせしメチ、フルオロカーボンのスパッタ膜を
基板（５）上に形成し、ひき続きガス導入口よりＡｒと
フン化窒素の混合ガスを導入してＴｅ又はＴｅを含む合
金ターゲット（３）と電極（４）の間でやはシ高周波グ
ロー放電を生せしめて、反応性スパッタリングを行い、
Ｔｅを含む堆積膜からなる記録層を形成する。記録層中
のＳｅ含有量は、ターゲット中のＳｅ含有量によっても
制御できる。
以下実施例によシ、本発明を更に詳しく説明する。
真空容器を３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ ｉで排気した後、
ヘキサフルオロプロピレンモノマー及ヒＡｒヲＡｒ に
対して較正されたマスフローコントローラを通じて各々
ｊＯｃｃｍ、 ／ ｊ ｃｃｍ 流し、真空容器内を
３×／θ−３ＴＯｒｒ のガス圧とした。容量電を行い
、約１００λのプラズマ重合膜を形成した。この後基板
側電極をＴθｔｒｓ％、Ｓｅ ／夕％の合金ターゲット
直上に移動し、グリスバッタを行った後、ＮＦ３ガス及
びＡｒガスをＡｒに対して較正させたマスフローコント
ローラを通じて各々、ｊｃｃＭ、３０００Ｍ流し、全圧
をｊ Ｘ ／ ０−３− 日 − ＴＯｒｒとした。やはシ、ノ３．ＪｔＭＨ，の高周波電
力ｌＯθＷでグロー放電を生ぜしめ、Ｔｅ 、 Ｓｅ
。
ヘキサフルオロプロピレンモノマー及ヒＡｒヲＡｒ に
対して較正されたマスフローコントローラを通じて各々
ｊＯｃｃｍ、 ／ ｊ ｃｃｍ 流し、真空容器内を
３×／θ−３ＴＯｒｒ のガス圧とした。容量電を行い
、約１００λのプラズマ重合膜を形成した。この後基板
側電極をＴθｔｒｓ％、Ｓｅ ／夕％の合金ターゲット
直上に移動し、グリスバッタを行った後、ＮＦ３ガス及
びＡｒガスをＡｒに対して較正させたマスフローコント
ローラを通じて各々、ｊｃｃＭ、３０００Ｍ流し、全圧
をｊ Ｘ ／ ０−３− 日 − ＴＯｒｒとした。やはシ、ノ３．ＪｔＭＨ，の高周波電
力ｌＯθＷでグロー放電を生ぜしめ、Ｔｅ 、 Ｓｅ
。
Ｎ、ＩＦを含む堆積膜を約３ｊｔａｎ堆積させた。
ついで、この光学的記録媒体に、波長１３０ｎｍのＧａ
Ａ４Ａｓ半導体レーザーで記録と再生を行ったところ、
Ｏ／Ｎ比ｊ、２ｄＥが得られた。記録感度はレーザーと
一ム径へ乙μｍに対して、３ ｍＷであった。
Ａ４Ａｓ半導体レーザーで記録と再生を行ったところ、
Ｏ／Ｎ比ｊ、２ｄＥが得られた。記録感度はレーザーと
一ム径へ乙μｍに対して、３ ｍＷであった。
フルオロカーボン下引き膜を設けず、ポリカーボネート
樹脂基板上に直接上記堆積膜を形成した媒体では、り比
Ｊ−ＯｄＢ、記録感度はｔｍＷであった。
樹脂基板上に直接上記堆積膜を形成した媒体では、り比
Ｊ−ＯｄＢ、記録感度はｔｍＷであった。
実施例と同様にして形成したフルオロカーボンのスパッ
タ膜からなる下引き層上に、Ａｒカスのみでスパッタし
てＴｅＳｅ堆積膜を形成した場合、 Ｏ／Ｎ比ケよｄ
Ｂ ｌ、か得られなかった。また記録感度は、３．３
ｍＷであった。
タ膜からなる下引き層上に、Ａｒカスのみでスパッタし
てＴｅＳｅ堆積膜を形成した場合、 Ｏ／Ｎ比ケよｄ
Ｂ ｌ、か得られなかった。また記録感度は、３．３
ｍＷであった。
本発明の光学的記録用媒体は、三フッ化窒素ガスに由来
する、Ｎ、Ｆを含有することによシ記録層中に結晶粒及
び結晶粒界の存在しない均一な非晶質構造の記録層が得
られ、より高品位、高感度の記録媒体が得られる。
する、Ｎ、Ｆを含有することによシ記録層中に結晶粒及
び結晶粒界の存在しない均一な非晶質構造の記録層が得
られ、より高品位、高感度の記録媒体が得られる。
第１図は、本発明記録媒体の実施例の構造を示す、模式
的断面図である。第２図は本発明に係る光学的記録媒体
の装置の一例を示す。 図中（１）は基板、（２）はフルオロカーボンｉ、（３
１は記録層をそれぞれ示す。
的断面図である。第２図は本発明に係る光学的記録媒体
の装置の一例を示す。 図中（１）は基板、（２）はフルオロカーボンｉ、（３
１は記録層をそれぞれ示す。
Claims (3)
- （１）Ｔｅ又はＴｅを含む合金をターゲット材として、
フッ化窒素とＡｒガスとの混合ガス中において反応性ス
パッタリングすることにより、基板上にＴｅを含む堆積
膜を形成させてなる光学的記録用媒体。 - （２）基板とＴｅを含む堆積膜との間にフルオロカーボ
ンのプラズマ重合膜、またはポリフルオロカーボンのス
パッタ膜からなる下引き層を設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光学的記録用媒体。 - （３）ターゲット材が、Ｔｅを母材とし、Ｓｅを５〜２
５％含む合金であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学的記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243723A JPS6395983A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243723A JPS6395983A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395983A true JPS6395983A (ja) | 1988-04-26 |
| JPH0511559B2 JPH0511559B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=17108032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243723A Granted JPS6395983A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395983A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0405450A2 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data recording medium and method of manufacturing the same |
| EP0619380A1 (en) * | 1993-04-06 | 1994-10-12 | Ce.Te.V. Centro Tecnologie Del Vuoto | Thin film deposition apparatus and process utilizing PECVD and sputtering |
| US6833979B1 (en) | 1999-06-07 | 2004-12-21 | Western Digital (Fremont), Inc. | Structure and method for redeposition free thin film CPP read sensor fabrication |
| US7400365B2 (en) * | 2003-07-28 | 2008-07-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128596A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Toshiba Corp | Memory plate for optical recording |
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS6048397A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学的記録媒体およびその製造方法 |
| JPS6144694A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型レ−ザ記録媒体 |
| JPS61227167A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結合金タ−ゲツト材 |
| JPS61229244A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP61243723A patent/JPS6395983A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128596A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Toshiba Corp | Memory plate for optical recording |
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| US6833979B1 (en) | 1999-06-07 | 2004-12-21 | Western Digital (Fremont), Inc. | Structure and method for redeposition free thin film CPP read sensor fabrication |
| US7111382B1 (en) * | 1999-06-07 | 2006-09-26 | Western Digital (Fremont), Inc. | Methods for fabricating redeposition free thin film CPP read sensors |
| US7400365B2 (en) * | 2003-07-28 | 2008-07-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511559B2 (ja) | 1993-02-15 |
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