JPH0444816B2 - - Google Patents
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- JPH0444816B2 JPH0444816B2 JP61307120A JP30712086A JPH0444816B2 JP H0444816 B2 JPH0444816 B2 JP H0444816B2 JP 61307120 A JP61307120 A JP 61307120A JP 30712086 A JP30712086 A JP 30712086A JP H0444816 B2 JPH0444816 B2 JP H0444816B2
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、高品質、高速記録が可能な光学的記
録用媒体に関する。 詳しくは、基板上に形成した記録用薄膜にレー
ザービームを照射して発生した熱により、該薄膜
を蒸発あるいは溶融除去し、穴（ピツト）を形成
することにより、情報の記録を行う光学的記録用
媒体に関するものである。 （従来の技術） 基板上に形成された薄膜にレーザービームを照
射して穴（ピツト）を形成するようにした光学的
記録用媒体として、従来より、Te，Biなどの金
属薄膜や、これらの金属を含有するプラズマ重合
膜等が利用されている。 これらの材料はレーザー光の吸収率が高く、か
つ、低融点であるため記録に要するレーザー光の
パワーが小さくて済み記録感度の点で有利であ
る。 上記、基板と薄膜記録媒体とからなる系におい
てレーザー光による薄膜記録層の穿孔にはレーザ
ー加熱によつて溶融した記録層物質が基板との付
着力にうちかつて分離することが必要である。基
板と記録層物質との間の付着力を決める要因は基
板表面及び記録層物質の表面張力や、基板表面層
の分子量、架橋度等であるが、該付着力が小さけ
れば、より小さなレーザー光パワーで短時間にピ
ツトを形成できる。これは、記録感度の向上を意
味し、高速記録を可能とし、しかも安価な低出力
半導体レーザーの使用を可能とする。このような
目的のために、記録層と基板との間に、フルオロ
カーボンのスパツタ膜あるいは、プラズマ重合膜
からなる、下引層を設けることが検討されてい
る。（特開昭59−90246号公報） （発明が解決しようとする問題点） 上記フルオロカーボンのスパツタ膜あるいはプ
ラズマ重合膜は通常のポリマーと異なり、架橋度
の高い非晶質構造であり、その物性は成膜条件に
より大きく変化する。従つて単に、このようなフ
ルオロカーボン薄膜を下引き層として用いるだけ
では、記録感度の向上をはかることはできても、
必ずしも高品質な記録が可能とは限らない。すな
わち、高品質な記録を行うためには、形成された
ピツト形状が明確な輪郭を有し、かつ、一様であ
ることが必要であるにもかかわらず、上記フルオ
ロカーボン膜では、形成されたピツト内に、記録
層物質からなる残留物が存在し、その輪郭が不規
則なものとなる場合がある。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々の構造を有するフルオロカ
ーボン膜と、Teを含む記録層との組合せについ
て検討した結果、高感度でかつ、ピツト形状の改
善をもたらす、フルオロカーボン下引き膜を有す
る光学的記録用媒体を得、本発明に到達した。 すなわち、本発明の要旨は基板上にフルオロカ
ーボンのスパツタ膜あるいはプラズマ重合膜から
なる下引き層を設け、該下引き層上にTeを含む
穴あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒
体において、該フルオロカーボン下引き層の炭素
とフツ素の原子数比が炭素１に対してフツ素0.9
から1.8であり、かつ、全炭素原子のうちの18％
以上が−CF3基を構成し、さらに、18％以上40％
未満が−CF2を構成していることにある。 上記組成のフルオロカーボン薄膜は、特に、テ
トラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシ
エチレン共重合樹脂などをターゲツトとして用い
た、スパツタリング、あるいは、六フツ化プロピ
レンのプラズマ重合によつて得られる場合が多い
が、他のフルオロカーボン系樹脂ターゲツトのス
パツタリング、あるいは、フルオロカーボンモノ
マーガスのプラズマ重合によつて得ることも可能
である。 ポリフルオロカーボン（テトラフルオロエチレ
ン樹脂、テトラフルオロエチレン−六フツ化プロ
ピレン共重合樹脂、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルコシエチレン共重合樹脂）のスパ
ツタは、平行平板電極間に、５×10-3Torrから、
１×10-2TorrのArを導入し、高周波電力を印加
することによつて行なわれる。 フルオロカーボン（四フツ化エチレン、六フツ
化プロピレン）のプラズマ重合は、やはり、平行
平板電極間に、モノマーガスを５×10-3Torrか
ら１×10-2Torr導入し、高周波電力を印加する
ことによつて行なわれる。 フルオロカーボンのスパツタ膜あるいはプラズ
マ重合膜の構造は、放電条件（放電電力、流量、
ガスの圧力、組成等）あるいは、装置形状によつ
て制御可能である。例えば、プラズマ重合膜に対
しては放電電力が高いより低い方が、ガス圧力は
低いより高い方が、ガス流量は小さいより大きい
方が、−CF2，−CF3基の割合を相対的に増すこと
ができる。 本発明の六フツ化プレピレンのプラズマ重合膜
に対しては、圧力５×10-3Ton、流量300CCMに
おいて、放電電力が100〜200Wの範囲において本
発明要件を満足する構造が得られた。 一方、フルオロカーボンのプラズマ重合膜やス
パツタ膜は、ある程度、モノマーガスやターゲツ
トの構造を反映する。モノマーガス中にCF3基が
多く含まれていたり、プラズマ中に生成するラジ
カル又はイオン種にCF3が多い場合には、重合膜
中に−CF3基が取り込まれやすい。例えばモノマ
ーとして六フツ化プロピレンを用いると、四フツ
化エチレンを用いた場合より、得られる重合膜中
の−CF3基の割合を増やすことができる。また、
四フツ化エチレンに四フツ化メタンガスを混入す
ることで−CF3を増やすこともできる。さらに、
不飽和結合を含むモノマーガスに対しては−CF2
が多く含まれるという傾向がある。ポリテトラフ
ルオロエチレンのスパツタ膜はやはりターゲツト
構造を反映し、CF2を多く含むがArガスに六フツ
化プロピレンまたは四フツ化メタンを混入したガ
スで反応性スパツタリングを行うことにより、−
CF3基の割合を増やすこともできる。 本発明においてはフルオロカーボン下引層の炭
素とフツ素の原子数比を炭素１に対しフツ素0.9
から1.8とし、かつ、全炭素原子のうち18％以上
がCF3基を構成し、さらに18％以上40％未満が
CF2を構成していることが必要である。 CF2基の量が少ないと感度が悪くなり、多すぎ
ればピツト形状が大きくなりすぎ、高密度記録に
適さなくなる。またCF3基の量が少ないとピツト
内に残留物が残り、ノイズとして検出されるので
Ｃ／Ｎ比（Carrier to noise ratio）が低くなる。 上記のフツ素と炭素の比（Ｆ／Ｃ）及びCF2，
CF3の割合に関する構成は、フルオロカーボン下
引層とTe系記録層との界面をコントロールする
ものであるからフルオロカーボン下引層の記録層
と接する表面のみが、上記の組成とされていれば
足り、フルオロカーボン下引層全体の組成としな
くても良いことは勿論である。 本発明において、フルオロカーボン下引き膜の
組成はESCA法（軟Ｘ線励起光電子分光法）によ
つて行つた。ESCA法では、軟Ｘ線の照射によつ
て試料化合物中の原子から叩き出された光電子の
エネルギースペクトルから試料の表面近傍の元素
の種類、組成及び化学結合状態を分析できる。 本発明においては、SPECTROS社製のESCA
スペクトロメータ“XSAM−800”型を用いフル
オロカーボン薄膜表面のフツ素1S軌道（F1S）ス
ペクトルと炭素1S軌道（C1S）軌道スペクトルを
測定した。F1Sスペクトルは、結合エネルギーが
688ev付近に中心を有する単一ピークからなり、
C1Sスペクトルは、結合エネルギーが285evから
294ev付近に中心を有する複数のピークから構成
される。−CF3基及び−CF2基に関するピークの結
合エネルギーのシフトは大きく、他の結合状態と
比べて特に明確に区別される。本発明において
は、文献（D.T.Clark and D.Shuttleworth J.
Poly.SCi.18（80）P27 K.Nakajima，A.T.Bell
and M.Shen，J.Appl.Poly.SCi.23（79）P2627，
等）に従い、−CF3基及びCF2基に関するピークを
分離し、C1S全ピークに対する積分強度比を計算
して、“−CF3／Ｃ”及び“−CF2／Ｃ”、すなわ
ち、全炭素原子中の−CF3基を形成する炭素原子
及び−CF2基を形成する炭素原子の割合とした。
さらに“Ｆ／Ｃ”すなわち、フツ素と炭素の原子
数比は、F1Sピークの積分強度と、C1Sスペクトル
の積分強度との比から導出される。 記録再生特性は、直径130mmφのポリカーボネ
ート樹脂デイスク基板上に作成した上記、記録媒
体を用い、半導体レーザー光による記録再生する
ことにより行なわれる。デイスク外周部において
書込みに要するレーザー光パワーを記録感度とす
る。また、形成されたピツト形状をSEM（走査型
電子顕微鏡）で観察し、ピツト内残留物の有無を
確認することもできる。ピツト内残留物が無い場
合にはその輪郭も明確で乱れがなく、ピツト内残
留物が有る場合に比べＣ／Ｎ比（Carrier to
noise ratio）が数dB近く改善される。 本発明による構造を有するフルオロカーボン下
引き膜は、高感度であるのみならず、高品質の記
録が達成される。同様の効果は、他種のTeを含
む穴あけタイプの記録層（例えば特開61−43595、
特願60−151505に開示された記録層）についても
得られるが、Teを含む金属をターゲツト材とし
てフツ化セレンガスとArガスとの混合ガス中に
おいて反応性スパツタリングすることにより形成
した記録層を用いた場合に特に著しい効果があ
る。 （実施例） 以下に実施例を示す。 実施例１〜４、比較例１〜６ ポリカーボネート樹脂基板（径130mm、厚さ1.2
mm）に表１に示す各種のフルオロカーボン下引き
膜をスパツタ法又はプラズマ重合法で設けた。 ポリフルオロカーボン（テトラフルオロエチレ
ン樹脂、テトラフルオロエチレン−六フツ化プロ
ピレン共重合樹脂、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルコシエチレン共重合樹脂）のスパ
ツタは、平行平板電極間に、５×10-3Torrから、
１×10-2TorrのArを導入し、13.56MHz、50W〜
200Wの高周波電力を印加して行つた。 フルオロカーボン（四フツ化エチレン、六フツ
化プロピレン）のプラズマ重合は、やはり、平行
平板電極間に、モノマーガスを５×10-3Torrか
ら１×10-2Torr導入し、13.66MHz、100〜600W
の高周波電力を印加して行つた。 下引き層上にTe88％、Se12％の合金ターゲツ
トを用いてSeF6ガス及びArガスを導入しつつ反
応性スパツタを行ない膜厚約400Åの記録膜を形
成した。 得られた記録媒体のＦ／Ｃ，CF3／Ｃ，CF2／
Ｃ、ピツト内残留物の有無、記録感度を測定し、
表１にまとめた。
録用媒体に関する。 詳しくは、基板上に形成した記録用薄膜にレー
ザービームを照射して発生した熱により、該薄膜
を蒸発あるいは溶融除去し、穴（ピツト）を形成
することにより、情報の記録を行う光学的記録用
媒体に関するものである。 （従来の技術） 基板上に形成された薄膜にレーザービームを照
射して穴（ピツト）を形成するようにした光学的
記録用媒体として、従来より、Te，Biなどの金
属薄膜や、これらの金属を含有するプラズマ重合
膜等が利用されている。 これらの材料はレーザー光の吸収率が高く、か
つ、低融点であるため記録に要するレーザー光の
パワーが小さくて済み記録感度の点で有利であ
る。 上記、基板と薄膜記録媒体とからなる系におい
てレーザー光による薄膜記録層の穿孔にはレーザ
ー加熱によつて溶融した記録層物質が基板との付
着力にうちかつて分離することが必要である。基
板と記録層物質との間の付着力を決める要因は基
板表面及び記録層物質の表面張力や、基板表面層
の分子量、架橋度等であるが、該付着力が小さけ
れば、より小さなレーザー光パワーで短時間にピ
ツトを形成できる。これは、記録感度の向上を意
味し、高速記録を可能とし、しかも安価な低出力
半導体レーザーの使用を可能とする。このような
目的のために、記録層と基板との間に、フルオロ
カーボンのスパツタ膜あるいは、プラズマ重合膜
からなる、下引層を設けることが検討されてい
る。（特開昭59−90246号公報） （発明が解決しようとする問題点） 上記フルオロカーボンのスパツタ膜あるいはプ
ラズマ重合膜は通常のポリマーと異なり、架橋度
の高い非晶質構造であり、その物性は成膜条件に
より大きく変化する。従つて単に、このようなフ
ルオロカーボン薄膜を下引き層として用いるだけ
では、記録感度の向上をはかることはできても、
必ずしも高品質な記録が可能とは限らない。すな
わち、高品質な記録を行うためには、形成された
ピツト形状が明確な輪郭を有し、かつ、一様であ
ることが必要であるにもかかわらず、上記フルオ
ロカーボン膜では、形成されたピツト内に、記録
層物質からなる残留物が存在し、その輪郭が不規
則なものとなる場合がある。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々の構造を有するフルオロカ
ーボン膜と、Teを含む記録層との組合せについ
て検討した結果、高感度でかつ、ピツト形状の改
善をもたらす、フルオロカーボン下引き膜を有す
る光学的記録用媒体を得、本発明に到達した。 すなわち、本発明の要旨は基板上にフルオロカ
ーボンのスパツタ膜あるいはプラズマ重合膜から
なる下引き層を設け、該下引き層上にTeを含む
穴あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒
体において、該フルオロカーボン下引き層の炭素
とフツ素の原子数比が炭素１に対してフツ素0.9
から1.8であり、かつ、全炭素原子のうちの18％
以上が−CF3基を構成し、さらに、18％以上40％
未満が−CF2を構成していることにある。 上記組成のフルオロカーボン薄膜は、特に、テ
トラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシ
エチレン共重合樹脂などをターゲツトとして用い
た、スパツタリング、あるいは、六フツ化プロピ
レンのプラズマ重合によつて得られる場合が多い
が、他のフルオロカーボン系樹脂ターゲツトのス
パツタリング、あるいは、フルオロカーボンモノ
マーガスのプラズマ重合によつて得ることも可能
である。 ポリフルオロカーボン（テトラフルオロエチレ
ン樹脂、テトラフルオロエチレン−六フツ化プロ
ピレン共重合樹脂、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルコシエチレン共重合樹脂）のスパ
ツタは、平行平板電極間に、５×10-3Torrから、
１×10-2TorrのArを導入し、高周波電力を印加
することによつて行なわれる。 フルオロカーボン（四フツ化エチレン、六フツ
化プロピレン）のプラズマ重合は、やはり、平行
平板電極間に、モノマーガスを５×10-3Torrか
ら１×10-2Torr導入し、高周波電力を印加する
ことによつて行なわれる。 フルオロカーボンのスパツタ膜あるいはプラズ
マ重合膜の構造は、放電条件（放電電力、流量、
ガスの圧力、組成等）あるいは、装置形状によつ
て制御可能である。例えば、プラズマ重合膜に対
しては放電電力が高いより低い方が、ガス圧力は
低いより高い方が、ガス流量は小さいより大きい
方が、−CF2，−CF3基の割合を相対的に増すこと
ができる。 本発明の六フツ化プレピレンのプラズマ重合膜
に対しては、圧力５×10-3Ton、流量300CCMに
おいて、放電電力が100〜200Wの範囲において本
発明要件を満足する構造が得られた。 一方、フルオロカーボンのプラズマ重合膜やス
パツタ膜は、ある程度、モノマーガスやターゲツ
トの構造を反映する。モノマーガス中にCF3基が
多く含まれていたり、プラズマ中に生成するラジ
カル又はイオン種にCF3が多い場合には、重合膜
中に−CF3基が取り込まれやすい。例えばモノマ
ーとして六フツ化プロピレンを用いると、四フツ
化エチレンを用いた場合より、得られる重合膜中
の−CF3基の割合を増やすことができる。また、
四フツ化エチレンに四フツ化メタンガスを混入す
ることで−CF3を増やすこともできる。さらに、
不飽和結合を含むモノマーガスに対しては−CF2
が多く含まれるという傾向がある。ポリテトラフ
ルオロエチレンのスパツタ膜はやはりターゲツト
構造を反映し、CF2を多く含むがArガスに六フツ
化プロピレンまたは四フツ化メタンを混入したガ
スで反応性スパツタリングを行うことにより、−
CF3基の割合を増やすこともできる。 本発明においてはフルオロカーボン下引層の炭
素とフツ素の原子数比を炭素１に対しフツ素0.9
から1.8とし、かつ、全炭素原子のうち18％以上
がCF3基を構成し、さらに18％以上40％未満が
CF2を構成していることが必要である。 CF2基の量が少ないと感度が悪くなり、多すぎ
ればピツト形状が大きくなりすぎ、高密度記録に
適さなくなる。またCF3基の量が少ないとピツト
内に残留物が残り、ノイズとして検出されるので
Ｃ／Ｎ比（Carrier to noise ratio）が低くなる。 上記のフツ素と炭素の比（Ｆ／Ｃ）及びCF2，
CF3の割合に関する構成は、フルオロカーボン下
引層とTe系記録層との界面をコントロールする
ものであるからフルオロカーボン下引層の記録層
と接する表面のみが、上記の組成とされていれば
足り、フルオロカーボン下引層全体の組成としな
くても良いことは勿論である。 本発明において、フルオロカーボン下引き膜の
組成はESCA法（軟Ｘ線励起光電子分光法）によ
つて行つた。ESCA法では、軟Ｘ線の照射によつ
て試料化合物中の原子から叩き出された光電子の
エネルギースペクトルから試料の表面近傍の元素
の種類、組成及び化学結合状態を分析できる。 本発明においては、SPECTROS社製のESCA
スペクトロメータ“XSAM−800”型を用いフル
オロカーボン薄膜表面のフツ素1S軌道（F1S）ス
ペクトルと炭素1S軌道（C1S）軌道スペクトルを
測定した。F1Sスペクトルは、結合エネルギーが
688ev付近に中心を有する単一ピークからなり、
C1Sスペクトルは、結合エネルギーが285evから
294ev付近に中心を有する複数のピークから構成
される。−CF3基及び−CF2基に関するピークの結
合エネルギーのシフトは大きく、他の結合状態と
比べて特に明確に区別される。本発明において
は、文献（D.T.Clark and D.Shuttleworth J.
Poly.SCi.18（80）P27 K.Nakajima，A.T.Bell
and M.Shen，J.Appl.Poly.SCi.23（79）P2627，
等）に従い、−CF3基及びCF2基に関するピークを
分離し、C1S全ピークに対する積分強度比を計算
して、“−CF3／Ｃ”及び“−CF2／Ｃ”、すなわ
ち、全炭素原子中の−CF3基を形成する炭素原子
及び−CF2基を形成する炭素原子の割合とした。
さらに“Ｆ／Ｃ”すなわち、フツ素と炭素の原子
数比は、F1Sピークの積分強度と、C1Sスペクトル
の積分強度との比から導出される。 記録再生特性は、直径130mmφのポリカーボネ
ート樹脂デイスク基板上に作成した上記、記録媒
体を用い、半導体レーザー光による記録再生する
ことにより行なわれる。デイスク外周部において
書込みに要するレーザー光パワーを記録感度とす
る。また、形成されたピツト形状をSEM（走査型
電子顕微鏡）で観察し、ピツト内残留物の有無を
確認することもできる。ピツト内残留物が無い場
合にはその輪郭も明確で乱れがなく、ピツト内残
留物が有る場合に比べＣ／Ｎ比（Carrier to
noise ratio）が数dB近く改善される。 本発明による構造を有するフルオロカーボン下
引き膜は、高感度であるのみならず、高品質の記
録が達成される。同様の効果は、他種のTeを含
む穴あけタイプの記録層（例えば特開61−43595、
特願60−151505に開示された記録層）についても
得られるが、Teを含む金属をターゲツト材とし
てフツ化セレンガスとArガスとの混合ガス中に
おいて反応性スパツタリングすることにより形成
した記録層を用いた場合に特に著しい効果があ
る。 （実施例） 以下に実施例を示す。 実施例１〜４、比較例１〜６ ポリカーボネート樹脂基板（径130mm、厚さ1.2
mm）に表１に示す各種のフルオロカーボン下引き
膜をスパツタ法又はプラズマ重合法で設けた。 ポリフルオロカーボン（テトラフルオロエチレ
ン樹脂、テトラフルオロエチレン−六フツ化プロ
ピレン共重合樹脂、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルコシエチレン共重合樹脂）のスパ
ツタは、平行平板電極間に、５×10-3Torrから、
１×10-2TorrのArを導入し、13.56MHz、50W〜
200Wの高周波電力を印加して行つた。 フルオロカーボン（四フツ化エチレン、六フツ
化プロピレン）のプラズマ重合は、やはり、平行
平板電極間に、モノマーガスを５×10-3Torrか
ら１×10-2Torr導入し、13.66MHz、100〜600W
の高周波電力を印加して行つた。 下引き層上にTe88％、Se12％の合金ターゲツ
トを用いてSeF6ガス及びArガスを導入しつつ反
応性スパツタを行ない膜厚約400Åの記録膜を形
成した。 得られた記録媒体のＦ／Ｃ，CF3／Ｃ，CF2／
Ｃ、ピツト内残留物の有無、記録感度を測定し、
表１にまとめた。
【表】
（発明の効果）
本発明の光学的記録媒体は、感度に優れ、ピツ
ト形状も良好であり、またピツト内に残留物等の
存在することもなく、実用上大変優れた発明であ
る。
ト形状も良好であり、またピツト内に残留物等の
存在することもなく、実用上大変優れた発明であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にフルオロカーボンのスパツタ膜ある
いはプラズマ重合膜からなる下引き層を設け、該
下引き層上にTeを含む穴あけタイプの記録層を
配置した光学的記録用媒体において、該フルオロ
カーボン下引き層の炭素とフツ素の原子数比が炭
素１に対してフツ素0.9から1.8であり、かつ全炭
素原子のうちの18％以上が、−CF3基を構成し、
さらに18％以上40％未満が−CF2基を構成してい
ることを特徴とする光学的記録用媒体。 ２ フルオロカーボン下引き層がポリテトラフル
オロカーボンのスパツタ膜、または、六フツ化プ
レピレンのプラズマ重合膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学的記録用媒
体。 ３ Teを含む穴あけタイプの記録層が、Teを含
む金属をターゲツト材として、フツ化セレンガス
とArガスとの混合ガス中において反応性スパツ
タリングすることにより形成した、Te及びSeを
含む堆積膜であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光学的記録用媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61307120A JPS63160031A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光学的記録用媒体 |
| EP87301046A EP0242942B1 (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
| KR1019870000966A KR910009072B1 (ko) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | 광학기록매체와 그 제조방법 |
| DE8787301046T DE3776386D1 (de) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
| CA000529093A CA1258974A (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61307120A JPS63160031A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160031A JPS63160031A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH0444816B2 true JPH0444816B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=17965270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61307120A Granted JPS63160031A (ja) | 1986-04-24 | 1986-12-23 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160031A (ja) |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61307120A patent/JPS63160031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63160031A (ja) | 1988-07-02 |
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