JPS63160031A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
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- JPS63160031A JPS63160031A JP61307120A JP30712086A JPS63160031A JP S63160031 A JPS63160031 A JP S63160031A JP 61307120 A JP61307120 A JP 61307120A JP 30712086 A JP30712086 A JP 30712086A JP S63160031 A JPS63160031 A JP S63160031A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(座業上の利用分野)
本発明は、高品質、高速記録が可能な光学的記録用媒体
に関する。
に関する。
詳しくは、基板上・に形成した記録用薄膜にレーザービ
ームを照射して発生した熱により、該薄膜を蒸発あるい
は溶融除去し、穴(ビット)を形成することによ)、情
報の記録を行う光学的記録用媒体に関するものである。
ームを照射して発生した熱により、該薄膜を蒸発あるい
は溶融除去し、穴(ビット)を形成することによ)、情
報の記録を行う光学的記録用媒体に関するものである。
(従来の技術)
基板土建形成された薄膜にレーザービームを照射して穴
(ピット)を形成するより九した光学的記録用媒体とし
て、従来よ)、Te、Biなどの金属薄膜や、これらの
金属を含有するグラズマ重合膜等が利用されている。
(ピット)を形成するより九した光学的記録用媒体とし
て、従来よ)、Te、Biなどの金属薄膜や、これらの
金属を含有するグラズマ重合膜等が利用されている。
これらの材料はレーザー光の吸収率が高く、かつ、低融
点であるため記録に要するレーザー光のパワーが小さく
て済み記録感度の点で有利である。
点であるため記録に要するレーザー光のパワーが小さく
て済み記録感度の点で有利である。
上記、基板と薄膜記録媒体とからなる系においてレーザ
ー光による薄膜記録層の穿孔にはレーザー加熱処よって
溶融した記録層物質が基板との付着力にうちかつて分離
することが必要である。基板と記録層物質との間の付層
力を決める要因は基板表面及び記録層物質の表面張力や
、基板表面層の分子量、架橋度等であるが、該付着力が
小さけれは、よシ小さなレーザー光パワーで短時間にビ
ットを形成できる。これは、記録感度の向上を′X床し
、高速記録を可能とし、しかも安価な低出力半導体レー
ザーの使用を可能とする。このような目的のために、記
録ノーと基板との間に、フルオロカーボンのスパッタ族
あるいは、プラズマ重合膜からなる、下引層を設けるこ
とが検討されている。(特開昭!ターフ024tご号公
報) (発明が解決しようとする問題点) 上記フルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプラズマ重
合膜は通常のポリマーと異なシ、架橋度の高い非晶質構
造であり、その物性は成膜条件により大きく変化する。
ー光による薄膜記録層の穿孔にはレーザー加熱処よって
溶融した記録層物質が基板との付着力にうちかつて分離
することが必要である。基板と記録層物質との間の付層
力を決める要因は基板表面及び記録層物質の表面張力や
、基板表面層の分子量、架橋度等であるが、該付着力が
小さけれは、よシ小さなレーザー光パワーで短時間にビ
ットを形成できる。これは、記録感度の向上を′X床し
、高速記録を可能とし、しかも安価な低出力半導体レー
ザーの使用を可能とする。このような目的のために、記
録ノーと基板との間に、フルオロカーボンのスパッタ族
あるいは、プラズマ重合膜からなる、下引層を設けるこ
とが検討されている。(特開昭!ターフ024tご号公
報) (発明が解決しようとする問題点) 上記フルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプラズマ重
合膜は通常のポリマーと異なシ、架橋度の高い非晶質構
造であり、その物性は成膜条件により大きく変化する。
従って単に、このようなフルオロカーボン薄膜を下引き
層として用いるだけでは、記録感度の向上をはかること
はできても、必ずしも高品質な記録が可能とは限らない
。すなわち、尚品質な記録を行うためには、形成された
ビット形状が明確な輪郭を有し、かつ、一様であること
が必要であるにもかかわらず、上記フルオロカーボン族
では、形成されたビット内に、記録層物質からなる残貿
物が存任し、その輪郭が不規則なものとなる場合がある
。
層として用いるだけでは、記録感度の向上をはかること
はできても、必ずしも高品質な記録が可能とは限らない
。すなわち、尚品質な記録を行うためには、形成された
ビット形状が明確な輪郭を有し、かつ、一様であること
が必要であるにもかかわらず、上記フルオロカーボン族
では、形成されたビット内に、記録層物質からなる残貿
物が存任し、その輪郭が不規則なものとなる場合がある
。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、種々の構造を有するフルオロカーボン族
と、’reを含む記録層との組合せ九ついて検討した結
果、高感度でかつ、ビット形状の改善をもたらす、フル
オロカーボン下引き膜を有する光学的記録用媒体を得、
本発明に到達した。
と、’reを含む記録層との組合せ九ついて検討した結
果、高感度でかつ、ビット形状の改善をもたらす、フル
オロカーボン下引き膜を有する光学的記録用媒体を得、
本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は基板上忙フルオロカーボンの
スパッタ膜あるいはプラズマ重合膜からなる下引き層を
設け、該下引き増土にTθを含む穴あけタイプの記録ノ
ーを配置した光学的記録用媒体に2いて、該フルオロカ
ーボン下引き層の炭素とフッ素の原子数比が炭素/に対
してフッ素0.2からん?でめシ、かつ、全炭素原子の
うちの/♂チ以上が−CP3基を構成し、さらに、/r
%以上4to−未満が一0F2を構成していることにあ
る。
スパッタ膜あるいはプラズマ重合膜からなる下引き層を
設け、該下引き増土にTθを含む穴あけタイプの記録ノ
ーを配置した光学的記録用媒体に2いて、該フルオロカ
ーボン下引き層の炭素とフッ素の原子数比が炭素/に対
してフッ素0.2からん?でめシ、かつ、全炭素原子の
うちの/♂チ以上が−CP3基を構成し、さらに、/r
%以上4to−未満が一0F2を構成していることにあ
る。
上記組成のフルオロカーボン薄膜は、特に、テトラフル
オロエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−ヘキサフ
ルオロプロピレン共n合m脂、テトラフルオロエチレン
−パーフルオロアルコキシエチレン共重合有脂などをタ
ーゲットとして用いた、スパッタリング、あるいは、六
フッ化プロピレンのプラズマ重合によって得られる場合
が多いが、他のフルオロカーボン系樹脂ターゲットのス
パッタリング、あるいは、フルオロカーボンモノマーガ
スのプラズマ重合によって得ることも可能である。
オロエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−ヘキサフ
ルオロプロピレン共n合m脂、テトラフルオロエチレン
−パーフルオロアルコキシエチレン共重合有脂などをタ
ーゲットとして用いた、スパッタリング、あるいは、六
フッ化プロピレンのプラズマ重合によって得られる場合
が多いが、他のフルオロカーボン系樹脂ターゲットのス
パッタリング、あるいは、フルオロカーボンモノマーガ
スのプラズマ重合によって得ることも可能である。
ポリフルオロカーボン(テトラフルオロエチレン樹脂、
テトラフルオロエチレン−六フッ化プロピレン共重合樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコジエ
チレン共tlt&)のスパッタは、平行平板電極間に、
!×70″″5Toy=rから、/ X 10−” T
orrのhrffn人し、高周波電力を印加することに
よって行なわれる。
テトラフルオロエチレン−六フッ化プロピレン共重合樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコジエ
チレン共tlt&)のスパッタは、平行平板電極間に、
!×70″″5Toy=rから、/ X 10−” T
orrのhrffn人し、高周波電力を印加することに
よって行なわれる。
フルオロカーボン(四フッ化エチレン、六フッ化プロピ
レン)のプラズマ重合は、やはシ、平行平板電極間に、
モノマーガスを!×7θ′″1Toy=7から/ X
/ 0” TO?TF”j4人し、高周波電力を印加す
ることによって行なわれる。
レン)のプラズマ重合は、やはシ、平行平板電極間に、
モノマーガスを!×7θ′″1Toy=7から/ X
/ 0” TO?TF”j4人し、高周波電力を印加す
ることによって行なわれる。
フルオロカーボンのスパッタ族あるいはプラズマ重合膜
の構造は、放電条件(放電電力、流量、ガスの圧力、組
成等)あるいは、装置形状によって制御可能である。例
えば、プラズマ重金膜に対しては族m電力が高いよシ低
す方が、ガス圧力は低いよシ高す方が、ガス流量は小さ
いよシ大きい方が、−OF、、−〇F、基の割合を相対
的罠増すことができる。
の構造は、放電条件(放電電力、流量、ガスの圧力、組
成等)あるいは、装置形状によって制御可能である。例
えば、プラズマ重金膜に対しては族m電力が高いよシ低
す方が、ガス圧力は低いよシ高す方が、ガス流量は小さ
いよシ大きい方が、−OF、、−〇F、基の割合を相対
的罠増すことができる。
本発明の六フッ化プレピレンのプラズマ重合膜に対して
は、圧力!×/θ−”ron、流*30θOCMにお−
て、放’mt力が100〜コooWの範囲において本発
明要件を満足する構造が得られた。
は、圧力!×/θ−”ron、流*30θOCMにお−
て、放’mt力が100〜コooWの範囲において本発
明要件を満足する構造が得られた。
一方、フルオロカーボンのプラズマ重合膜やスパッタ膜
は、ある相度、モノマーガスやターゲットの構造を反映
する。モノマーガス中にOF、基が多く宮まれていたり
、プラズi中に生成するラジカル又はイオン徨にCF3
が多い場合には、重合膜中に−OF、基が取り込まれや
すい。
は、ある相度、モノマーガスやターゲットの構造を反映
する。モノマーガス中にOF、基が多く宮まれていたり
、プラズi中に生成するラジカル又はイオン徨にCF3
が多い場合には、重合膜中に−OF、基が取り込まれや
すい。
例えばモノマーとして六フッ化プロピレンを用いると、
四フッ化エチレンを用いた場合より、得られる重合膜中
の−OF、基の割合を増やすことができる。また、四フ
ッ化エチレンに四フッ化メタンガスを混入することで−
cP″3を増やすこともできる。さらに、不朗和結合を
含むモノマーガスに対しては−Q F、が多く含まれる
とbう傾向がある。ポリテトラフルオロエチレンのスパ
ッタ膜はやは9ターゲツト構造を反映し、CF、を多く
含むがArガス罠六フッ化プロピレンtたは四フッ化メ
タンを混入したガスで反応性スパッタリングを行うこと
により、−0F3基の割合を増やすこともできる。
四フッ化エチレンを用いた場合より、得られる重合膜中
の−OF、基の割合を増やすことができる。また、四フ
ッ化エチレンに四フッ化メタンガスを混入することで−
cP″3を増やすこともできる。さらに、不朗和結合を
含むモノマーガスに対しては−Q F、が多く含まれる
とbう傾向がある。ポリテトラフルオロエチレンのスパ
ッタ膜はやは9ターゲツト構造を反映し、CF、を多く
含むがArガス罠六フッ化プロピレンtたは四フッ化メ
タンを混入したガスで反応性スパッタリングを行うこと
により、−0F3基の割合を増やすこともできる。
本発明においてはフルオロカーボン下引層の炭素とフッ
素の原子数比を炭素/に対しフッ素θ、9から八♂とし
、かつ、全炭素原子のうち//%以上がCF、基を構成
し、さらに18%以上ダ0%禾瀾がCF2を構成してい
ることが必要である。
素の原子数比を炭素/に対しフッ素θ、9から八♂とし
、かつ、全炭素原子のうち//%以上がCF、基を構成
し、さらに18%以上ダ0%禾瀾がCF2を構成してい
ることが必要である。
OF、基の菫が少ないと感度が悪くな)、多すぎればピ
ット形状が犬きくなシすざ、高密度記録に通さなくなる
。まだOF、基の量が少ないとピット内に残留物が残シ
、ノイズとして検出されるのでO/N比(Carrie
r to noise ratio )が低くなる。
ット形状が犬きくなシすざ、高密度記録に通さなくなる
。まだOF、基の量が少ないとピット内に残留物が残シ
、ノイズとして検出されるのでO/N比(Carrie
r to noise ratio )が低くなる。
上記のフッ素と炭素の比(F/C)及びOF、、OF、
の割合に関する構成は、フルオロカーボン下引層とTo
系記録層との界面をコントロールするものであるからフ
ルオロカーボン下引層の記録層と接する表面のみが、上
記の組成とされていれば足り、フルオロカーボン下引層
全体の組成としなくても良いことは勿論である。
の割合に関する構成は、フルオロカーボン下引層とTo
系記録層との界面をコントロールするものであるからフ
ルオロカーボン下引層の記録層と接する表面のみが、上
記の組成とされていれば足り、フルオロカーボン下引層
全体の組成としなくても良いことは勿論である。
本発明において、フルオロカーボン下引き展の組成はE
SOA法(軟X線励起光電子分光法)Kよって行った。
SOA法(軟X線励起光電子分光法)Kよって行った。
ESOA法では、軟Xiの照射によって試料化合物中の
原子から叩き出された光電子のエネルギースペクトルか
ら試料の表面近傍の元素のi類、組成及び化学結合状態
を分析できる。
原子から叩き出された光電子のエネルギースペクトルか
ら試料の表面近傍の元素のi類、組成及び化学結合状態
を分析できる。
不発明罠おいては、13PEOTRO8社製のESOA
スペクトロメータ″XI3AM−/θo”wを用いフル
オロカーボン薄膜表面のフッ素/S軌道(Fsa )ス
ペクトルと炭素/S軌道(0,、)軌道スペクトルを測
定した。F1Bスペクトルは、結合エネルギーが6♂r
ev付近に中心を有する率−ピークからな夛、01B
スペクトルは、結合エネルギーが一♂オθVから1rx
ev付近に中心を有する複数のピークから構成される。
スペクトロメータ″XI3AM−/θo”wを用いフル
オロカーボン薄膜表面のフッ素/S軌道(Fsa )ス
ペクトルと炭素/S軌道(0,、)軌道スペクトルを測
定した。F1Bスペクトルは、結合エネルギーが6♂r
ev付近に中心を有する率−ピークからな夛、01B
スペクトルは、結合エネルギーが一♂オθVから1rx
ev付近に中心を有する複数のピークから構成される。
−OF、基及び−〇F、基に関するピークの結合エネル
ギーのシフトは大きく、他の結合状態と比べて%罠明確
に区別される。本発明においては、文献(D、 T、
C1arkand D、Shuttleworth J
、 Pony、 5Cti、 /?(70)Pコア
K、Nakajima、 A、T、 Be1l and
M、 5hen。
ギーのシフトは大きく、他の結合状態と比べて%罠明確
に区別される。本発明においては、文献(D、 T、
C1arkand D、Shuttleworth J
、 Pony、 5Cti、 /?(70)Pコア
K、Nakajima、 A、T、 Be1l and
M、 5hen。
J、Appl、Po1y、SC2,23(7?) Pユ
6−72等)に従い、−OF、基及びOF、基に関する
ピークを分離し、01B全ピークに対する積分強度比を
計算し′て、”−OF、10’及び”−OF、10”、
すなわち、全炭fg原子中の−CF3基を形成する炭素
原子及び−OF、基を形成する炭素原子の割合とした。
6−72等)に従い、−OF、基及びOF、基に関する
ピークを分離し、01B全ピークに対する積分強度比を
計算し′て、”−OF、10’及び”−OF、10”、
すなわち、全炭fg原子中の−CF3基を形成する炭素
原子及び−OF、基を形成する炭素原子の割合とした。
さらK ” y7a″すなわち、フッ素と炭素の原子数
比は、F1Bピークの積分強度と、C18スペクトルの
積分強度との比から導出される。
比は、F1Bピークの積分強度と、C18スペクトルの
積分強度との比から導出される。
記録再生特性は、直径/ j 0111Ωのポリカーボ
ネート樹脂ディスク基板正洗作成した上記、記録媒体を
用い、半導体レーザー光による記録再生することによ)
行なわれる。ディスク外周SEM(走査型電子顕微鏡)
で観察し、ピット内残留物の有無を確認することもでき
る。ピット内残留物が無い場合にはその輪郭も明確で乱
れがなく、ビット内残留物が有る場合に比べC/N比(
0arr工er to noise ratio)が数
dE近く改善される。
ネート樹脂ディスク基板正洗作成した上記、記録媒体を
用い、半導体レーザー光による記録再生することによ)
行なわれる。ディスク外周SEM(走査型電子顕微鏡)
で観察し、ピット内残留物の有無を確認することもでき
る。ピット内残留物が無い場合にはその輪郭も明確で乱
れがなく、ビット内残留物が有る場合に比べC/N比(
0arr工er to noise ratio)が数
dE近く改善される。
本発明による構造を有するフルオロカーボン下引き膜は
、高感度であるのみならず、高品質の記録が達成される
。同様の効果は、他徳の’reを営む穴あけタイプの記
録層(例えば特開4 /−4tJj9!、%願6θ−/
!/!θよに開示された記録層)についても得られるが
、τθを宮む金属をターゲット林としてフッ化セレンガ
スとArガスとの混合ガス中において反応性スパッタリ
ングすることによシ形成した記録層を用いた場合に%忙
著しい効果がある。
、高感度であるのみならず、高品質の記録が達成される
。同様の効果は、他徳の’reを営む穴あけタイプの記
録層(例えば特開4 /−4tJj9!、%願6θ−/
!/!θよに開示された記録層)についても得られるが
、τθを宮む金属をターゲット林としてフッ化セレンガ
スとArガスとの混合ガス中において反応性スパッタリ
ングすることによシ形成した記録層を用いた場合に%忙
著しい効果がある。
(実施例)
以下に実施例を示す。
実施例/〜ダ、比較例/〜6
ポリカーボネート樹脂基板(径/jO龍、厚さへ2′1
1翼)K表/に示す各種のフルオロカーボン下引き族を
スパッタ法又はプラズマ重合法で設けた。
1翼)K表/に示す各種のフルオロカーボン下引き族を
スパッタ法又はプラズマ重合法で設けた。
ポリフルオはカーボン(ナト2フルオロエチレン樹脂、
テトラフルオロエチレン−六フッ化プロピレン共重合樹
脂、テト2フルオロエチレンーパーフルオロ7ルコシエ
チレン のスパッタは、平行平板電極間に、jXlo−”Tow
=rから、/X/θ−” Toy=rのArを導入し、
/ JJ J MHz, jOW−J 0 0 Wノミ
%[波電力を印加して行った。
テトラフルオロエチレン−六フッ化プロピレン共重合樹
脂、テト2フルオロエチレンーパーフルオロ7ルコシエ
チレン のスパッタは、平行平板電極間に、jXlo−”Tow
=rから、/X/θ−” Toy=rのArを導入し、
/ JJ J MHz, jOW−J 0 0 Wノミ
%[波電力を印加して行った。
フルオロカーボン(四フッ化エチレン、六フッ化プロピ
レン)のプラズマ重合は、やは)、平行平板電極間K、
モノマーガスをrxlo−sToyrから/ X 10
−” Torr導入し、/ J.4 j MHz。
レン)のプラズマ重合は、やは)、平行平板電極間K、
モノマーガスをrxlo−sToyrから/ X 10
−” Torr導入し、/ J.4 j MHz。
/θ0〜にoovrの高周波電力を印加して行つた。
下引き層上にTθ/♂チ、Be/J,チの合金ターゲッ
トを用いてBe,El’,ガス及びArガスを導入しつ
つ反応性スパッタを行ない膜厚約4t00Aの記録層を
形成した。
トを用いてBe,El’,ガス及びArガスを導入しつ
つ反応性スパッタを行ない膜厚約4t00Aの記録層を
形成した。
得られた記録媒体のF/C 、 OF,/C 、 OF
,10。
,10。
ピット内残留物の有無、記録感度を測定し、表/忙まと
めた。
めた。
(発明の効果)
本発明の光学的記録媒体は、感度に優れ、ピット形状も
良好であり、またビット内に残留物等の存在することも
なく、実用上大変優れた発明である。
良好であり、またビット内に残留物等の存在することも
なく、実用上大変優れた発明である。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 良否用 −
(ほか7名)
Claims (3)
- (1)基板上にフルオロカーボンのスパッタ膜あるいは
プラズマ重合膜からなる下引き層を設け、該下引き層上
にTeを含む穴あけタイプの記録層を配置した光学的記
録用媒体において、該フルオロカーボン下引き層の炭素
とフッ素の原子数比が炭素1に対してフッ素0.9から
1.8であり、かつ全炭素原子のうちの18%以上が、
−CF_3基を構成し、さらに18%以上40%未満が
−CF_2基を構成していることを特徴とする光学的記
録用媒体。 - (2)フルオロカーボン下引き層がポリテトラフルオロ
カーボンのスパッタ膜、または、六フッ化プレピレンの
プラズマ重合膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の光学的記録用媒体。 - (3)Teを含む穴あけタイプの記録層が、Teを含む
金属をターゲット材として、フッ化セレンガスとArガ
スとの混合ガス中において反応性スパッタリングするこ
とにより形成した、Te及びSeを含む堆積膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的記録
用媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307120A JPS63160031A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光学的記録用媒体 |
KR1019870000966A KR910009072B1 (ko) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | 광학기록매체와 그 제조방법 |
CA000529093A CA1258974A (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
DE8787301046T DE3776386D1 (de) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
EP87301046A EP0242942B1 (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307120A JPS63160031A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63160031A true JPS63160031A (ja) | 1988-07-02 |
JPH0444816B2 JPH0444816B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=17965270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61307120A Granted JPS63160031A (ja) | 1986-04-24 | 1986-12-23 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63160031A (ja) |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61307120A patent/JPS63160031A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0444816B2 (ja) | 1992-07-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |