JPS6059550A - レ−ザ−記録材料 - Google Patents
レ−ザ−記録材料Info
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はレーザー記録材料に関するものである。
(従来技術)
従来、レーザービーム等の記録用ビームを記録材料に照
射して照射部分の融解、変形、蒸発等により光学的な変
化な生ぜしめて記録を行なう方法は知られている。この
ような記録方法に用いる記録材料としては基板に低融点
の金属、例えばSb、 Te5Zn、 Pb、 Od、
Bj、、 an、 Se、 In、 Ga等の薄膜層
を形成してなる記録材料が用いられている。
射して照射部分の融解、変形、蒸発等により光学的な変
化な生ぜしめて記録を行なう方法は知られている。この
ような記録方法に用いる記録材料としては基板に低融点
の金属、例えばSb、 Te5Zn、 Pb、 Od、
Bj、、 an、 Se、 In、 Ga等の薄膜層
を形成してなる記録材料が用いられている。
しかしながら、これら従来のレーザー記録材料は記録感
度、記録により形成されるビット形状、保存安定性、及
び毒性をすべて満足しつるものではない。例えばTeを
用いる場合、記録感度、ビット形状についてははゾ満足
なものが得られるが、保存安定性及び毒性に問題があり
、又、snを用いる場合、毒性が低い利点はあるものの
他の緒特性が劣るものしか得られない。
度、記録により形成されるビット形状、保存安定性、及
び毒性をすべて満足しつるものではない。例えばTeを
用いる場合、記録感度、ビット形状についてははゾ満足
なものが得られるが、保存安定性及び毒性に問題があり
、又、snを用いる場合、毒性が低い利点はあるものの
他の緒特性が劣るものしか得られない。
本発明者は上記の従来の記録材料が有している欠点を解
消するため種々の金属、合金について検討を行なったと
ころ、錫と銅を共存させることにより、上記従来技術に
おける欠点が解消することを見い出して本発明に到達し
たものである。
消するため種々の金属、合金について検討を行なったと
ころ、錫と銅を共存させることにより、上記従来技術に
おける欠点が解消することを見い出して本発明に到達し
たものである。
(発明の構成)
本発明のレーザー記録材料は、少くとも表面が耐熱性で
ある基材の表面に、1〜40原子数饅の銅を含む錫−銅
合金からなる薄膜層を積層しであることを特徴とするも
のである。
ある基材の表面に、1〜40原子数饅の銅を含む錫−銅
合金からなる薄膜層を積層しであることを特徴とするも
のである。
第1図は本発明の一実施例のレーザー記録材料の構造を
示す模式的な断面図である。第1図中1で示すレーザー
記録材料は基材2の表面に、1〜40原子数係の銅を含
む錫−銅合金からなる金属薄膜層6を設けである。
示す模式的な断面図である。第1図中1で示すレーザー
記録材料は基材2の表面に、1〜40原子数係の銅を含
む錫−銅合金からなる金属薄膜層6を設けである。
」1記において基材2としては耐熱性のある合成樹脂の
フィルム、シートもしくは板を用いる。
フィルム、シートもしくは板を用いる。
耐熱性のある合成樹脂としてはポリイミド、ポリフェニ
レンチルファイド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
サルホン、ポリテトラフロロエチレン、ポリクロルトリ
フルオルエチレン、ポリアミドイミド、ポリエーテルサ
ルホン、ポリフェニレンオキサイド、6.6−ナイロン
、ケ ポリエーテルff)ン、ポリサルホン等を挙げることが
できる。
レンチルファイド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
サルホン、ポリテトラフロロエチレン、ポリクロルトリ
フルオルエチレン、ポリアミドイミド、ポリエーテルサ
ルホン、ポリフェニレンオキサイド、6.6−ナイロン
、ケ ポリエーテルff)ン、ポリサルホン等を挙げることが
できる。
基材2としては上記したように全体が耐熱性のある合成
樹脂からなるものを用いてもよいが、これら耐熱性のあ
る合成樹脂を別の基体に塗布するなどして複合したもの
を用いてもよく、要するに表面が耐熱性であればよい。
樹脂からなるものを用いてもよいが、これら耐熱性のあ
る合成樹脂を別の基体に塗布するなどして複合したもの
を用いてもよく、要するに表面が耐熱性であればよい。
上記において、耐熱性のある合成樹脂と複合する別の基
体としてポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、セルロースアセテート、ポリスチレン、ポリメ
チルメタクリレート等のアクリル、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルム、
銅やアルミニウム等の金属板、ガラス、セラミックス等
、あるいは紙・前記プラスチックフィルムと前記の金属
板−ガラス・セラミックスの積層体が使用できる。
体としてポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、セルロースアセテート、ポリスチレン、ポリメ
チルメタクリレート等のアクリル、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルム、
銅やアルミニウム等の金属板、ガラス、セラミックス等
、あるいは紙・前記プラスチックフィルムと前記の金属
板−ガラス・セラミックスの積層体が使用できる。
基材として上記したように少くとも表面が耐熱性である
ものを使用すると、記録によって形成されるビットの周
囲が溶融して盛り上がる等の欠点が生じにくい。
ものを使用すると、記録によって形成されるビットの周
囲が溶融して盛り上がる等の欠点が生じにくい。
特に基材として少くとも表面がポリサルホン樹脂からな
るものを用いると、ポリサルホン樹脂は熱変形温度が1
75°Cと高く、このためレーザー光を用いた記録の際
に与えられる熱のためビットの周囲が盛り上がるのを防
止できる。
るものを用いると、ポリサルホン樹脂は熱変形温度が1
75°Cと高く、このためレーザー光を用いた記録の際
に与えられる熱のためビットの周囲が盛り上がるのを防
止できる。
又、ポリサルホン樹脂は下記式
のような構造をとっているので、構造中のOH。
基の作用により樹脂表面の表面張力が小さいので、ポリ
サルホン樹脂の照射を受けた錫−銅合金からなる薄膜層
は排除されやすく、このため少ないエネルギーで記録す
ることができる。
サルホン樹脂の照射を受けた錫−銅合金からなる薄膜層
は排除されやすく、このため少ないエネルギーで記録す
ることができる。
なお、基材全体を耐熱性のある合成樹脂で構成しても、
別の基体の表面に耐熱性のある合成樹脂の層を設けても
よいが、後者の場合、層を設けた効果を出すためには層
の厚みを1〜10μm程度とするとよい。
別の基体の表面に耐熱性のある合成樹脂の層を設けても
よいが、後者の場合、層を設けた効果を出すためには層
の厚みを1〜10μm程度とするとよい。
次に上記した金属薄膜層3について説明すると、該金属
薄膜層は1S40原子数パーセントの銅を含む錫−銅合
金からなるものである。この好ましい範囲について説明
すると銅の含有量が1原子数パーセントより少ないとき
はひび割れが発生する等のビット形状の不良があり、記
録に要するエネルギーしきい値も好ましい範囲に比して
約1,5倍程度と高く、又、40原子数パーセントを越
えるときは記録感度が低下し、即ち記録に要するエネル
ギーしきい値が、好ましい範囲に比して2倍以上となる
上、形成されたビット形状はその周辺が不均一な拡がり
を伴fy−+X LZ−k 1 / すF 1.% J
−/rX11 セ X 九−)−IA−出 ン山のもの
では記録エネルギーを好ましい範囲の4倍程度に上げて
も記録は達成されない。上記において銅の含有量を5〜
20原子数パーセントとすると、更に一層好ましい。
薄膜層は1S40原子数パーセントの銅を含む錫−銅合
金からなるものである。この好ましい範囲について説明
すると銅の含有量が1原子数パーセントより少ないとき
はひび割れが発生する等のビット形状の不良があり、記
録に要するエネルギーしきい値も好ましい範囲に比して
約1,5倍程度と高く、又、40原子数パーセントを越
えるときは記録感度が低下し、即ち記録に要するエネル
ギーしきい値が、好ましい範囲に比して2倍以上となる
上、形成されたビット形状はその周辺が不均一な拡がり
を伴fy−+X LZ−k 1 / すF 1.% J
−/rX11 セ X 九−)−IA−出 ン山のもの
では記録エネルギーを好ましい範囲の4倍程度に上げて
も記録は達成されない。上記において銅の含有量を5〜
20原子数パーセントとすると、更に一層好ましい。
以上のような成分からなる金属薄膜層6の厚6、よ、。
o’−5oooffi、好よ、<、よ。。0〜800X
である。金属薄膜層乙の厚みが100A以下では再生光
の反射率が小さく、光学的読み取りが困難であり、50
0DAを越えると記録感度が低下して好ましくない。
である。金属薄膜層乙の厚みが100A以下では再生光
の反射率が小さく、光学的読み取りが困難であり、50
0DAを越えると記録感度が低下して好ましくない。
錫−銅合金からなる金属薄膜層を設けたレーザー記録材
料の感度及び記録時に形成されるビットの形状が、錫単
独若しくは銅単独の金属薄膜層を設けたレーザー記録材
料の感度及びビット形状にくらべて良好である理由は必
ずしも明らかではないが、錫−銅合金の共晶点は錫及び
銅のそれぞれの融点よりも低く、又、銅の液体状態にお
ける表面張力が、錫の566X10−5N/mにくらへ
135 X 1D N7mと低く、かつ。
料の感度及び記録時に形成されるビットの形状が、錫単
独若しくは銅単独の金属薄膜層を設けたレーザー記録材
料の感度及びビット形状にくらべて良好である理由は必
ずしも明らかではないが、錫−銅合金の共晶点は錫及び
銅のそれぞれの融点よりも低く、又、銅の液体状態にお
ける表面張力が、錫の566X10−5N/mにくらへ
135 X 1D N7mと低く、かつ。
この表面張力の値は金属の中でも比較的小さいとJ−九
l−I+7−ぜ一17’−ムの照射ル弓けか粗。
l−I+7−ぜ一17’−ムの照射ル弓けか粗。
銅合金からなる金属薄膜層は溶融しやすく、かつ、溶融
時に流動しやすいために、照射部分の錫−銅合金が容易
に排除されるためと考えられる。
時に流動しやすいために、照射部分の錫−銅合金が容易
に排除されるためと考えられる。
」配板金属薄膜層6を基材2の表面に設ける方法につい
て次に述べると、公知の蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング、若しくはプラズマ蒸着等の方法を利用
し得る。−例として蒸着によって金属薄膜層を形成する
方法について述べると、例えば錫と銅を別個のアルミナ
製るつぼに入れて蒸着装置内にセットし、加熱の程度を
制御することにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸着の割
合を制御する等の二元蒸着法により蒸着するか、又は所
定の組成の合金を予め作成しておき、スパッタリングに
よって行なう等の方法が例示できる。
て次に述べると、公知の蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング、若しくはプラズマ蒸着等の方法を利用
し得る。−例として蒸着によって金属薄膜層を形成する
方法について述べると、例えば錫と銅を別個のアルミナ
製るつぼに入れて蒸着装置内にセットし、加熱の程度を
制御することにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸着の割
合を制御する等の二元蒸着法により蒸着するか、又は所
定の組成の合金を予め作成しておき、スパッタリングに
よって行なう等の方法が例示できる。
本発明のレーザー記録材料は基本的には以上の構成から
成るが、更に、表面保護層として、本発明のレーザー記
録材料の錫−銅合金薄膜、LにSiOやMsFなどを蒸
着するか、又はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチクール樹
脂などのビニル系樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリ
ル系紫外線硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを
塗布することにより設けてもよい。
成るが、更に、表面保護層として、本発明のレーザー記
録材料の錫−銅合金薄膜、LにSiOやMsFなどを蒸
着するか、又はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチクール樹
脂などのビニル系樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリ
ル系紫外線硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを
塗布することにより設けてもよい。
或いは又、プライマ一層としてアクリル樹脂を基材表面
に設けてもよい。更に、反射防止膜としてInなどの金
属や金属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。
に設けてもよい。更に、反射防止膜としてInなどの金
属や金属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。
以上の本発明のレーザー記録材料は記録感度が高く、ビ
ット形状も満足し得るものであり、保存安定性、毒性に
関してもすぐれている。
ット形状も満足し得るものであり、保存安定性、毒性に
関してもすぐれている。
次に本発明をより具体的に示すための実施例を掲げる。
実施例1
厚み50μmのポリサルホンフィルム(住友ベークライ
ト製、スミライトF81200)を皐備し、フレオンで
洗浄した。次に真空蒸着装置を用い、真空度10−’T
orrの条件で錫粉末と銅粉末を別々のアルミするつぼ
に入れて同時に加熱し、二元蒸着法により各るつぼの加
熱温度を制御し。
ト製、スミライトF81200)を皐備し、フレオンで
洗浄した。次に真空蒸着装置を用い、真空度10−’T
orrの条件で錫粉末と銅粉末を別々のアルミするつぼ
に入れて同時に加熱し、二元蒸着法により各るつぼの加
熱温度を制御し。
銅の含有率が10原子数パーセントとなるよう蒸着を行
ない、膜厚が40OAになるようにして前記の基板の表
面に金属薄膜層を形成した。
ない、膜厚が40OAになるようにして前記の基板の表
面に金属薄膜層を形成した。
次に以−Lのようにして作成した記録材料の金属薄膜層
に波長6328AのHe−NoレーザーをNA(開口数
) = 0.45のレンズで集光し、金属薄膜層表面で
のレーザー光の強度が5mwになるよう、又、照射時間
iQm弐の条件で照射したところ、直径2μmのビット
が形成されていることが顕微鏡観察によって確かめられ
た。
に波長6328AのHe−NoレーザーをNA(開口数
) = 0.45のレンズで集光し、金属薄膜層表面で
のレーザー光の強度が5mwになるよう、又、照射時間
iQm弐の条件で照射したところ、直径2μmのビット
が形成されていることが顕微鏡観察によって確かめられ
た。
比較例1
基材として厚み50μmのポリエチレンテレフタレート
フィルム(東し製、ルミラーT60)を用いた以外は実
施例と同様にした。
フィルム(東し製、ルミラーT60)を用いた以外は実
施例と同様にした。
比較例2
錫−銅合金のかわりに錫を単独で用い、その他は実施例
1と同様にした。
1と同様にした。
以上の実施例および比較例で得られた記録材料を用いて
記録を行ない、記録エネルギー、及びビット形状を比較
した結果を次表に示す。
記録を行ない、記録エネルギー、及びビット形状を比較
した結果を次表に示す。
次表において記録エネルギーとは2μmのピット径を形
成するのに要するレーザー出力を意味する。
成するのに要するレーザー出力を意味する。
第1図は本発明のレーザー記録材料の構造を示す模式的
な断面図である。
な断面図である。
Claims (1)
- (11少くとも表面が耐熱性である基材の表面に、1〜
40原子数係の銅を含む錫−銅合金からなる薄膜層を積
層しであることを特徴とするレーザー記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58168053A JPS6059550A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58168053A JPS6059550A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6059550A true JPS6059550A (ja) | 1985-04-05 |
JPH0427958B2 JPH0427958B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=15860953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58168053A Granted JPS6059550A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6059550A (ja) |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58168053A patent/JPS6059550A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0427958B2 (ja) | 1992-05-13 |
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