JPS6059551A - レ−ザ−記録材料 - Google Patents
レ−ザ−記録材料Info
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はレーザー記録材料に関するものである。
(従来技術)
従来、レーザービーム等の記録用ビームを記録材料に照
射して照射部分の融解、変形、蒸発等により光学的な変
化を生ぜしめて記録を行なう方法は知られている。この
ような記録方法に用いる記録材料としては基板に低融点
の金属、例えばSb、 Te、 Zn、 Pb、 Cd
、 Bi、 Sn、 Se、 In。
射して照射部分の融解、変形、蒸発等により光学的な変
化を生ぜしめて記録を行なう方法は知られている。この
ような記録方法に用いる記録材料としては基板に低融点
の金属、例えばSb、 Te、 Zn、 Pb、 Cd
、 Bi、 Sn、 Se、 In。
Ga等の薄膜層を形成してなる記録材料が用いられてい
る。しかしながら、これら従来のレーザー記録材料は記
録感度、記録により形成されるピット形状、保存安定性
、及び毒性をすべて満足しうるものではない。例えばT
eを用いる場合、記録感度、ビット形状についてははy
満足なものが得られるが、保存安定性及び毒性に問題が
あり、又、Snを用いる場合、毒性が低い利点はあるも
のの他の緒特性が劣るものしか得られない。
る。しかしながら、これら従来のレーザー記録材料は記
録感度、記録により形成されるピット形状、保存安定性
、及び毒性をすべて満足しうるものではない。例えばT
eを用いる場合、記録感度、ビット形状についてははy
満足なものが得られるが、保存安定性及び毒性に問題が
あり、又、Snを用いる場合、毒性が低い利点はあるも
のの他の緒特性が劣るものしか得られない。
本発明者は上記の従来の記録材料が有している欠点を解
消するため種々の金属、合金について検討を行なったと
ころ、錫と銅を共存させることにより、上記従来技術に
おける欠点が解消することを見い出して本発明に到達し
たものである。
消するため種々の金属、合金について検討を行なったと
ころ、錫と銅を共存させることにより、上記従来技術に
おける欠点が解消することを見い出して本発明に到達し
たものである。
(発明の構成)
本発明のレーザー記録材料は、基板の表面に、ニトロセ
ルロース樹脂層、/〜llO原子数係原子数台む錫−銅
合金からなる薄膜層を順に積層しであることを特徴とす
るものである。
ルロース樹脂層、/〜llO原子数係原子数台む錫−銅
合金からなる薄膜層を順に積層しであることを特徴とす
るものである。
第1図は本発明の一実施例のレーザー記録材料の構造を
示す模式的な断面図である。第1図中7で示すレーザー
記録材料は基板ノの表面に、ニトロセルロース樹脂層3
、金属薄膜層グが順次積層しである。
示す模式的な断面図である。第1図中7で示すレーザー
記録材料は基板ノの表面に、ニトロセルロース樹脂層3
、金属薄膜層グが順次積層しである。
上記において基板−としては各種のプラスチック、例工
ばポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、セルロースアセテート、ポリスチレン、メチルメタク
リレート等のアクリル、ポリプロピレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリメチルペンテン、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリサルホ
ン、ポリ弗化エチレン、ポリ弗化エチレンプロピレン、
ポリエーテルイミド、ポリイミド等のフィルム、シート
、もしくは板、銅やアルミニウム等の金属の箔、シート
、もしくは板、或いはガラスやセラミックス等を用いる
ことができ、更には以上の各材料を適宜に複合したもの
を用いてもよい。上記のうちで耐熱性、機械的強度、平
滑性、価格を考慮するとポリエチレンテレフタレートフ
ィルムが好ましいが、これに限定されろものではない。
ばポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、セルロースアセテート、ポリスチレン、メチルメタク
リレート等のアクリル、ポリプロピレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリメチルペンテン、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリサルホ
ン、ポリ弗化エチレン、ポリ弗化エチレンプロピレン、
ポリエーテルイミド、ポリイミド等のフィルム、シート
、もしくは板、銅やアルミニウム等の金属の箔、シート
、もしくは板、或いはガラスやセラミックス等を用いる
ことができ、更には以上の各材料を適宜に複合したもの
を用いてもよい。上記のうちで耐熱性、機械的強度、平
滑性、価格を考慮するとポリエチレンテレフタレートフ
ィルムが好ましいが、これに限定されろものではない。
ニトロセルロースm 脂N 、?はニトロセルロースを
適宜な溶剤を用いて溶解し、得られた溶液を公知の塗布
方法例えばスピンナーコート、ロールコート、グラビア
コートなどの方法によって塗布し乾燥することにより基
板λ上に形成できる。樹脂層3の厚みは好ましくは00
7〜70μmである。
適宜な溶剤を用いて溶解し、得られた溶液を公知の塗布
方法例えばスピンナーコート、ロールコート、グラビア
コートなどの方法によって塗布し乾燥することにより基
板λ上に形成できる。樹脂層3の厚みは好ましくは00
7〜70μmである。
次に本発明の金属薄膜層グについて説明すると、該金属
薄膜層は/〜qo原子数ノく一セントの銅を含む錫−銅
合金からなるものである。この好ましい範囲について説
明すると銅の含有量が/原子数パーセントより少ないと
きはひび割れが発生する等のビット形状の不良があり、
記録に要するエネルギーしきい値も好ましい範囲に比し
て約/、5倍程度と高(、又、llO原子数パーセント
を越えるときは記録感度が低下し、即ち記録に要するエ
ネルギーしきい値が、好ましい範囲に比して2倍以上と
なる上、形成されたビット形状はその周辺が不均一な拡
がりを伴ない、好ましくないものである。なお、銅単独
のものでは記録エネルギーを好ましい範囲のり倍程度に
上げても記録は達成されない。上記において銅の含有量
をs〜λO原子数パーセントとすると、更に一層好まし
い。
薄膜層は/〜qo原子数ノく一セントの銅を含む錫−銅
合金からなるものである。この好ましい範囲について説
明すると銅の含有量が/原子数パーセントより少ないと
きはひび割れが発生する等のビット形状の不良があり、
記録に要するエネルギーしきい値も好ましい範囲に比し
て約/、5倍程度と高(、又、llO原子数パーセント
を越えるときは記録感度が低下し、即ち記録に要するエ
ネルギーしきい値が、好ましい範囲に比して2倍以上と
なる上、形成されたビット形状はその周辺が不均一な拡
がりを伴ない、好ましくないものである。なお、銅単独
のものでは記録エネルギーを好ましい範囲のり倍程度に
上げても記録は達成されない。上記において銅の含有量
をs〜λO原子数パーセントとすると、更に一層好まし
い。
以上のような成分からなる金属薄膜層3の厚みはloO
〜りθ00に、好ましくはコθO〜ざθOXである。金
属薄膜層3の厚みが100X以下では再生光の反射率が
小さく、光学的読み取りが困難であり、りθ00Aを越
えると記録感度が低下して好ましくない。
〜りθ00に、好ましくはコθO〜ざθOXである。金
属薄膜層3の厚みが100X以下では再生光の反射率が
小さく、光学的読み取りが困難であり、りθ00Aを越
えると記録感度が低下して好ましくない。
ニトロセルロース樹脂層を介在させるとその自己酸化効
果により、ニトロセルロース樹脂層のない場合にくらべ
て低エネルギーで記録ができろが、上層の金属の種類に
よってもビット形状は異なり錫−銅合金からなる金属薄
膜層を設けたレーザー記録材料の感度及び記録時に形成
されるピットの形状が、錫単独若しくは銅単独の金属薄
膜層を設けたレーザー記録材料の感度及びビット形状に
(らべて良好である。その理由は必ずしも明らかではな
いが、錫−銅合金の共晶点は錫及び銅のそれぞれの融点
よりも低(、又、銅の液体状態における表面張力が、錫
のs A b X/ ON7mに(らべ13!×1O−
3N/mと低く、かつ、この表面張力の値は金属の中で
も比較的小さいことから、レーザービームの照射を受け
た錫−銅合金からなる金属薄膜層は溶融しやす(、かつ
、溶融時に流動しやすいために、照射部分の錫−銅合金
が容易に排除されろためと考えられる。
果により、ニトロセルロース樹脂層のない場合にくらべ
て低エネルギーで記録ができろが、上層の金属の種類に
よってもビット形状は異なり錫−銅合金からなる金属薄
膜層を設けたレーザー記録材料の感度及び記録時に形成
されるピットの形状が、錫単独若しくは銅単独の金属薄
膜層を設けたレーザー記録材料の感度及びビット形状に
(らべて良好である。その理由は必ずしも明らかではな
いが、錫−銅合金の共晶点は錫及び銅のそれぞれの融点
よりも低(、又、銅の液体状態における表面張力が、錫
のs A b X/ ON7mに(らべ13!×1O−
3N/mと低く、かつ、この表面張力の値は金属の中で
も比較的小さいことから、レーザービームの照射を受け
た錫−銅合金からなる金属薄膜層は溶融しやす(、かつ
、溶融時に流動しやすいために、照射部分の錫−銅合金
が容易に排除されろためと考えられる。
上記金属薄膜層ダを樹脂層30表面に設けろ方法につい
て次に述べろと、公知の蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング、若しくはプラズマ蒸着等の方法を利用
し得ろ。−例として蒸着によって金属薄膜層を形成する
方法について述べると、例えば錫と銅を別個のアルミナ
製るつぼに入れて蒸着装置内にセットし、加熱の程度を
制御することにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸着の割
合を制御する等の二元蒸着法により蒸着するか、又は所
定の組成の合金を予め作成しておき、スパッタリングに
よって行なう等の方法が例示できる。
て次に述べろと、公知の蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング、若しくはプラズマ蒸着等の方法を利用
し得ろ。−例として蒸着によって金属薄膜層を形成する
方法について述べると、例えば錫と銅を別個のアルミナ
製るつぼに入れて蒸着装置内にセットし、加熱の程度を
制御することにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸着の割
合を制御する等の二元蒸着法により蒸着するか、又は所
定の組成の合金を予め作成しておき、スパッタリングに
よって行なう等の方法が例示できる。
本発明のレーザー記録材料は基本的には以上の構成から
成るが、更に、界面保護層として、本発明のレーザー記
録材料の錫−銅合金薄膜上にSiOやMsFなどを蒸着
するか、又はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
などのビニル系樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリル
系紫外線硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを塗
布することにより設けてもよい。
成るが、更に、界面保護層として、本発明のレーザー記
録材料の錫−銅合金薄膜上にSiOやMsFなどを蒸着
するか、又はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
などのビニル系樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリル
系紫外線硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを塗
布することにより設けてもよい。
或いは又、プライマ一層としてアクリル樹脂を基材表面
に設けてもよい。更に、反射防止膜としてInなどの金
属や金属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。
に設けてもよい。更に、反射防止膜としてInなどの金
属や金属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。
以上の本発明のレーザー記録材料は記録感度が高(、ビ
ット形状も満足し得ろものであり、保存安定性、毒性に
関してもすぐれている。
ット形状も満足し得ろものであり、保存安定性、毒性に
関してもすぐれている。
実施例
基板として厚み700μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルム(東し製、ルミラーT−AO)を用い、フィ
ルムの表面を洗浄し脱脂した。次にロールコート法によ
り下記の組成物を用いて塗布し乾燥させて、厚みSμm
の樹脂層を形成した。
トフィルム(東し製、ルミラーT−AO)を用い、フィ
ルムの表面を洗浄し脱脂した。次にロールコート法によ
り下記の組成物を用いて塗布し乾燥させて、厚みSμm
の樹脂層を形成した。
組成物
次に真空蒸着装置を用い、真空度10Torrの条件で
錫粉末と銅粉末を別々のアルミするつぼに入れて同時に
加熱し、二元蒸着法により各るつぼの加熱温度を制御し
、銅の含有率が10原子数パーセントとなるよう蒸着を
行ない、膜厚がグ00kになるようにして前記の基板の
樹脂層を設けた表面に金属薄膜層を形成した。
錫粉末と銅粉末を別々のアルミするつぼに入れて同時に
加熱し、二元蒸着法により各るつぼの加熱温度を制御し
、銅の含有率が10原子数パーセントとなるよう蒸着を
行ない、膜厚がグ00kになるようにして前記の基板の
樹脂層を設けた表面に金属薄膜層を形成した。
次に以上のようにして作成した記録の金属薄薄膜層に波
長A32gAのHe−NeレーザーをNA(開口数)−
04yのレンズで集光し、金属薄膜層表面でのレーザー
光の強度が3.、tmwになるよう、又、照射時間/
O’m5ecの条件で照射したところ、直径2μmのビ
ットが形成されていることが顕微鏡観察によって確かめ
られた。
長A32gAのHe−NeレーザーをNA(開口数)−
04yのレンズで集光し、金属薄膜層表面でのレーザー
光の強度が3.、tmwになるよう、又、照射時間/
O’m5ecの条件で照射したところ、直径2μmのビ
ットが形成されていることが顕微鏡観察によって確かめ
られた。
得られた記録材料と、比較のためニトロセルロース樹脂
層のみを省いたもの、及び金属薄膜層を錫げで形成した
ものの三点につぎ、記録を行なった結果を次表に示す。
層のみを省いたもの、及び金属薄膜層を錫げで形成した
ものの三点につぎ、記録を行なった結果を次表に示す。
比較例(1)
実施例と同様に、但し、ニトロセルロース樹脂層の形成
を省略して行なった。
を省略して行なった。
比較例(2)
実施例と同様に行ない、但し、金属薄膜層を錫のみを用
いて形成した。
いて形成した。
以上の実施例、比較例(1)、および比較例(2)で得
られた記録材料を用いて記録を行ない、記録エネルギー
、及びビット形状を比較した結果を次表に示す。
られた記録材料を用いて記録を行ない、記録エネルギー
、及びビット形状を比較した結果を次表に示す。
第1図は本発明のレーザー記録材料の構造を示す模式的
な断面図である。 / ・・・・・・・・・・・レーザー記録材料ユ・・・
・囃・・・−・基板 3II・・・・・・・・φ・ニトロセルロース樹脂層グ
・・・・・・・・・・・金属薄膜層
な断面図である。 / ・・・・・・・・・・・レーザー記録材料ユ・・・
・囃・・・−・基板 3II・・・・・・・・φ・ニトロセルロース樹脂層グ
・・・・・・・・・・・金属薄膜層
Claims (1)
- (1)基板の表面に、ニトロセルロースm脂層、/〜l
IO原子数係の銅を含む錫−銅合金からなる薄膜層を順
に積層しであることを特徴とするレーザー記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58168052A JPS6059551A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58168052A JPS6059551A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6059551A true JPS6059551A (ja) | 1985-04-05 |
JPH0444329B2 JPH0444329B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=15860933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58168052A Granted JPS6059551A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6059551A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6241089A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-23 | Nec Corp | 光記録材料 |
JPS62137741A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Hitachi Maxell Ltd | 追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS519402A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Canon Kk | |
JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
JPS58118293A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光記録媒体 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58168052A patent/JPS6059551A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS519402A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Canon Kk | |
JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
JPS58118293A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光記録媒体 |
Cited By (2)
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JPS6241089A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-23 | Nec Corp | 光記録材料 |
JPS62137741A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Hitachi Maxell Ltd | 追記型光情報記録用デイスク及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0444329B2 (ja) | 1992-07-21 |
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