JPS58100251A - 情報の記録用部材 - Google Patents

情報の記録用部材

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JPS58100251A
JPS58100251A JP56199588A JP19958881A JPS58100251A JP S58100251 A JPS58100251 A JP S58100251A JP 56199588 A JP56199588 A JP 56199588A JP 19958881 A JP19958881 A JP 19958881A JP S58100251 A JPS58100251 A JP S58100251A
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JP
Japan
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layer
metal
recording
comparative example
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP56199588A
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English (en)
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Toru Oishi
徹 大石
Masabumi Nakao
中尾　正文
Koichi Mori
晃一 森
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Asahi Kasei Corp
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Asahi Kasei Kogyo KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ヒートモード記録用として適した情報記録用
材料に関するものである。
さらに詳しくいえば、本発明は、透明な基板側からレー
ザー光を照射Ｉ−た場合でも安定性の優れた記録が可能
な情報記録用材料に関するものである。
従来、レーザー光線などの高密度エネルギーをスポット
に集光させて記録媒体に照射し、媒体の一部を融解させ
るか、あるいは蒸発させることにより、これを変形又は
除去して記録を行う方法は、いわゆるヒートモード記録
法として知られている。
そして、このヒートモード記録法は、薬品などの処理液
を必要としないドライタイプであること、リアルタイム
記録法であること、高速かつ高コントラストで大容量記
録が可能なこと及び情報の追加書き込みが可能なことな
ど多くの利点を有しているので、マイクロ画像、ＯＯＭ
、ビデオディスク、コンピューターメモリなど広い用途
を有している。
上記のヒートモード記録法を特にビデオディスク、コン
ピューターメモリなどに用いる場合に、円形のガラスや
合成樹脂などの基板に記録材を形成し、ディスクを高速
回転させながらレーザー光を集光し、記録材に（）、６
〜１．５μｍ８度の孔を形成することによシ情報を記録
する。　　　　　□この孔の位置及び大きさは、パルス
変調したレーザー光の出力波形に依存し、レーザーに入
力した情報に対応する。
記録材に記録した信号の読み出しは、高速回転させた記
録材に記録しきい値を越えない程度弱い出力のレーザー
光を集光し、その反射光の変化を検出することにより行
うことができる。
上記方法でヒートモード記録を行う材料として、多くの
材料が提案されてきたが、レーザー光に対する感度、再
生信号のＳ／Ｎ比、及び安定性の点で満足しうるものは
なかった。
本発明者らは、先にこのような従来のヒートモード記録
材料のもつ欠点を克服するために種種の研究を重ねた結
果、金属記録層と、金属化合物と金属からなる混合層を
積層させることにより、孔形状を整えることによって得
られるＳ／Ｎ比の向」二とレーザー光に対する感度の大
幅な向りが得られることを見い出（−７た（特願昭５５
−１０２１０１号）。
特に、レーザー光を透明基板側から入射させ記録を行う
場合、透明基板と金属記録層との間（〆こ少なくとイ、
金属化合物と金属からなる混合層を設けた構造を有する
感材においては、Ｓ／Ｎ比及び感度などの記録特性につ
いて、著しい向上が得られた（特願昭５５−１１００５
４号）。
また、さらに金属記録層の上層にも金属化合物と金属と
からなる混合層を設けることにより、開孔部と未開孔部
の反射率差、すなわち、コントラストラ大きくし、より
いっそう高いＳ／Ｎ比も実現した（特願昭５５−１１８
１０３号）。
一方、さらに記録材料の安定性の向上、記録孔の孔形状
の整形及びレーザー光の出力が弱い場合に生じる開孔む
ら、すなわち等しいエネルギーのレーザー光を照射して
も開孔する部分と開孔しない部分とが存在する現象の防
止や、孔が開孔し始めるときのレーザー光の膜面上の強
度（以下記録しきい値と称する）と実際にテークを記録
するときに要するレーザー光の膜面上の強度（以下実用
記録値と称する）との差を小さくするためには、基板と
金属記録層との間に介在する該混合層とこの金属記録層
との間に、該混合層を形成する金属化合物とは異種の金
属比合物からなる安定化層を設けることが有効であり、
さらに異種の金属化合物を２層化することが有効である
ことも分った。
しかしながら、このような構造の感材においては、ある
程度の高温高湿中、例えば６０℃７０％ＲＨの恒温恒湿
中に長時間放置してもその記録しきい値や再生信号のＳ
／Ｎ比などに変化は見られず、記録特性については安定
な特性を示すものの、例えば７０℃９０％ＲＨの高温高
湿の厳しい条件になると、数日間で記録材料膜にクラッ
クやしわが発生するという欠点があった。
本発明者らは、このクラック及びしわの発生原因につい
て究明を行った結果、多層構造を有する前記構造の感材
においては、温度及び湿度の変化時に生じる各層間の内
部応力が、クラック及びしわの発生原因であり、特に、
基板と金属記録層との間に介在する金属化合物と金属か
らなる混合層と、該混合層と前記金属記録層との間に、
開孔むらの防止などの目的で設けた金属化合物からなる
安定化層との間に発生する内部応力が、クランク及びし
わの最大発生原因であることが分った。
本発明者らは、このようなりラック及びしわの発生を防
止するために、さらに鋭意倹約を進めた結果、金属化合
物と金属の混合層と、該混合層を形成する金属化合物と
は異なる金属化合物を用いた金属化合物安定化層との間
に、ある範囲の大きさの膜厚を有する薄い金属層を設け
ることによって、高温高湿中、例えば７０℃、９０％Ｒ
Ｈの恒温恒湿の厳しい条件においても、１０日間以上ク
ランクやしわの発生を防止しうるばかりでなく、高温高
湿中における記録特性についての安定性も、実用上十分
保持しうろことを見出し、これらの知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に金属記録層を設け、この
金属記録層と基板との間に金属化合物と金属の混合層を
少なくとも介在させ、該混合層と前記金属記録層との間
に、前記混合層を形成する金属化合物とは異なる金属化
合物安定化層を設けた構造の記録材料において、前記混
合層と該金属化合物安定化層との間に、３０Ａより厚く
、かつ２００Ａよりも薄い金属層を設けたことを特徴と
する情報記録用材料を提供するものである。
本発明の情報記録用材料において、基板と金属記録層と
の間に介在させる金属化合物と金属からなる混合層と、
該混合層を形成する金属化合物とは異なる金属化合物を
用いた金属化合物安定化層との間に少なくとも形成され
る金属層の膜厚は、３０スより厚く、かつ２００　Ｘよ
り薄いことが必要であり、ｔｊｆ！Ｆに４０Ａ〜８０Ａ
の範囲が好ましい。
この金属層を前記混合層と安定化層との間に設けた場合
に、クラックやしわの発生が防止できる理由は次のよう
に考えられる。
すなわち、温度や湿度が変化して前記混合層と安定化層
との間に応力が発生しても、該混合層と該安定化層との
間に薄い金属層を設けることによって、発生した応力を
該金属層が変形吸収して緩和するためである。
金属化合物と金属の混合層と、該混合層とは異なる金属
化合物を用いた金属化合物安定化層との間に少なくとも
形成する金属層の膜厚′ｆｒ：３０Ａ（ｉ７含ます３０
Ａ〜２００Ａの範囲において最適である理由は、３０Ａ
以下であると膜厚が薄いために、該混合層と該安定化層
との間に発生する応力を緩和する効果が十分得られず、
設けない場合に比較して改善はされるが７０℃、９０％
ＲＨ中１０日間以内でクラック及びしわが発生踵一方、
２００Ａ以上であると膜厚が厚くなるために、連続層を
形成しやすくなり、光が該混合層と該安定化層との間に
形成された金属層に吸収される量が多くなり、金属記録
層に十分到達されず著しい感度低下を引き起こし、また
、混合層の効果である孔形状の整形効果も十分得られず
、孔形状も悪化しその結果Ｓ　／　Ｎ比も悪くなり、記
録特性上好ましくないことなどによる。
本発明の情報記録用材料としては、第１図に示すように
、基板１の上に金属化合物と金属混合層５を設け、その
上に本発明の重要な要件である金属層６、金属化合物か
らなる第一安定化層４を設け、さらにその上に金属記録
層２を設けた構造、第２図に示すように、前記第１図の
構造の記録材料の最上層に、安定性の向上を図るために
外界からの酸化性雰囲気を阻止する金属化合物からなる
第二安定化層３を設けた構造、また第３図に示すように
、第二安定化層３の上に、金属化合物と金属の混合層５
を設けた構造がある。第３図の構造においては、基板１
側からのレーザー光の照射のみならず、上側（基板１と
反対側）からの記録にも有効である。また、この第３図
の構造においては、第二安定化層３は設けても設けなく
てもよく、もし第二安定化層３を設ける場合には、第二
安定化層３と該混合層５との位置関係については、とも
に金属記録層の土層であればよく、特に制限されること
はない。
第１図、第２図及び第３図に示される構造の中で、本発
明の目的を達成する上で最も好捷しいものは、基板側か
ら記録する場合は第２図に示さｈ−るものであり、上側
（基板と反対側）から記録する場合は第３図に示される
ものである。
本発明の情報記録用材料は、さらに所望に応じ、安定性
の向上、物体との接触による損傷防止、汚染防止のため
の保護層を有することもできる。この保護層は、前記し
た構造の最上層として設けられる。
本発明の記録用材料において、支持体としての役割を果
している基板は、アルミニウム、マイカ、表面着色した
ステンレス鋼なども用いられるが、基板側からレーザー
光を照射する場合は、基板は透明であることが必要であ
る。
一般に、物質の透明性は入射光線の波長によって相違す
ることが知られているが、本発明材料に情報を記録する
場合には、半導体レーザーやアルゴンガスレーザー、Ｈ
θ−Ｎｅレーザー、その他の可視領域あるいは近赤外領
域に発振波長をもつ各種のレーザーやキセノンフラッシ
ュランプなト光波特性を異にする多種類の光源を用いる
ことができる。しかし、特定の光源の使用を所望する場
合には、その光源がもつ光波特性に適した透明性を有す
る材質のものを基板とすることが、より感度の向上をは
かるうえで好ましい。そして、透明性については、入射
光の約９０％以上の透過率を示すことを一応の目安とす
ることができる。
上記′／ｌＳ源のいずれに対しても、十分な透過率をも
つ基板としては、ガラスなどの無機材料又はポリエステ
ル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレ
ートなどのポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー、
コポリマー、ブレンド物などの有機材料からなるフィル
ム又はシートラあげることができる。また、ビデオディ
スクなどのように基板自体の表面平滑性が信号のＳ　／
　Ｎ比に大きな影響を与える場合には、別の基板上に上
記の材料をスピンコードなどで均一に塗布した基板を用
いることが好ましい。
特に好ましく用いられる基板としては、ポリエステル又
はポリメチルメタクリレートからなるフィルム及びシー
トラあげることができる。
本発明の情報記録用材料において、金属化合物と金属と
からなる混合層と第一安定化層との間に少なくとも形成
する金属層は、混合層を形成する金属と同一のものであ
っても異種のものであってもよく、また隣接させる金属
化合物に対して安定でありさえすれば特に制限はないが
、好ましいものとしては、例えばＡＩ　、　Ｓｉ　、　
Ｓｃ　、　Ｔｉ　、　Ｖ　、　Ｏｒ　。
Ｍｎ　、　Ｆｅ　、　Ｃｏ　、　Ｎｉ　、　Ｏｕ　、　
Ｚｎ　、　Ｇａ　、　Ｇｏ　、　Ａｓ　。
Ｓｒ　、　Ｙ　、　Ｚｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔｃ　、　Ｒ
ｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐｄ　、　Ａｇ　、　Ｉｎ　。
Ｓｎ　、、８ｂ　、　ｈａ　、　Ｈｆ　、　Ｔａ　、　
Ｒｅ　、■ｒ　、　ＴＩ　、　Ｐｂ　、　Ｂｉ　。
Ｄｙ　、Ｅｒ　、Ｇｄ　、Ｎｄ　、Ｐｒ　、Ｓｍ　、Ｍ
ｏ　、Ａｕ　、Ｓｓ　、Ｗ　。
Ｐｔ　、　Ｔｅなどをあげることができる。
これらの金属の中でレーザー記録時の熱に対して安定な
ものが望ましく、特に好ましいものとしては、例えばＳ
ｉ　、　Ｓｃ　、　Ｔｉ　、　Ｖ　、　Ｃｒ　、　Ｗｅ
　、　Ｃｏ　。
Ｎｉ　、　Ｓｍ　、　Ｌａ　、　Ｙ　、　Ｚｒ　、　Ｎ
ｂ　、　Ｒｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐａ　、　Ｈｆ　。
Ｔａ　、　Ｒｅ　、工ｒ、　Ｄｙ　、　Ｅｒ　、　Ｎｄ
　、　Ｍｏ　、　Ｗ　、　Ｐｔ　　などがあげられる。
これらの金属は単独で用いてもよいし、また、２種以上
組み合わせて用いてもよい。
また、該金属層には、本発明の目的を損わない限り、用
いた金属の酸化物、特に低級酸化物を少量含んでいても
よい。
この金属層の厚さは３０Ｘを含ますａｏＸ〜２００　Ｈ
の範囲、好ましくは４０Ｘ〜８０λの範囲である。
１１− また、前記金属層を形成する方法として、例えば真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、電
気めっき法、無電解めっき法、プラズマ蒸着法などの通
常用いられている薄膜形成技術を適用することができる
。
これらの該金属層の形成方法のうち、真空蒸着法が簡単
でかつ再現性がよいので好ましいが、金属の高温高湿下
での安定性の点から、高真空下、特に１０　’　Ｔｏｒ
ｒ以下での蒸着が好ましい。
本発明の材料において、用いられる金属化合物と金属と
で形成される混合層の金属としては、該混合層と第一安
定化層との間に形成される前記金属層と同様な材料があ
げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以
上混合して用いてもよい。
他方、金属化合物としては、金属と混合膜を形成するも
のであればどのようなものでもよいが、好ましいものと
しては、例えばＬｌ、Ｂｅ、　Ｂ、　Ｍｇ。
Ａ１、Ｓｌ、Ｄａ、　ＢＣ，Ｔｉ、　Ｖ、　ＯｒｌＭｎ
、　Ｐｅ、Ｃｏ。
Ｎ１、Ｏｕ、　Ｚｎ、　Ｇａ、　Ｇｅ、　Ａｓ、Ｓｒ、
　Ｙ、　Ｚｒ、　Ｎｂ。
１２− Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ１　Ｐａ、ＡＨ，Ｉｎ、８ｎ、Ｓｂ、
Ｂａ１Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｅ、■ｒ、Ｐｂ、ｌ　Ｂｉ
、Ｏｅ、Ｍｏ、より好ましい金属化合物は、Ａｌ２Ｏ３
、ＺｒＯ２、Ｏｒ　２０３、ＧｅＯ２，５ｉ０２、Ｂｉ
２Ｏ３、Ａｓ２０ａ、５ｎ０２、Ｓｂ　２０３、Ｔａ２
０Ｂ、Ｙ２Ｏ２、Ｓｍ２０Ｂ　　などであり、特にガラ
ス形成酸化物例えば５１０２、ＧｅＯ□、Ａ１□０３な
どは、非品性で網目構造をとるので遮断性に優れ、金属
記録層の酸化劣化を防ぎ、安定化に有効である。これら
の金属化合物は単独で用いてもよいし、また２種以上組
み合わせて用いてもよい。
混合層の形成は、金属と金属化合物とをそれぞれ別個の
蒸着用ボートあるいはエレクトロンビーム蒸着るつぼに
置き、共蒸着させるか交互に蒸着させることにより行わ
れ、また金属と金属化合物との混合ベレットを用いて抵
抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸着方式、イオンブレ
ーティング方式など公知の薄膜形成方式によっても行う
ことができる。これらのうち、真空蒸着方式が簡単にこ
の目的を達成できるので有利であり、１０’−５Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空下において、安定な混合層を得ることが
できる。
この混合層の厚さは、５０〜ｘｏｏｏｏＸ、好ましくは
１００〜８００Ｘの範囲であり、混合層中に金属微粒子
の占める平均的な体積率すなわち充てん率は、金属化合
物のみも含み混合層全体の０〜８０％（０％を含む）、
好ましくは、１０〜６０％の範囲である。
混合層の構造として、基板と平行な面内すなわち、レー
ザー光に対する場所による特性むらを生じさせないため
には、基板と平行な面内における充てん率は一様とする
必要がある。基板と垂直方向に対しては、安定性の点か
ら充てん率を不均質にすることが好ましく、局部的な充
てん率を０〜１００％の間のいかなる値としてもよい。
その場合においても混合層全体としての平均の充てん率
は上記の値の範囲内に納めることが好ましい。
本発明の材料において、少なくとも前記金属層と金属記
録層との間に形成される第一安定化層は金属化合物から
成り、例えばＬｉ、　Ｂｅ、　Ｂ　＋　Ｍｇ　＋ＡＩ　
、　Ｓｉ　、　Ｏａ　、　Ｓｃ　、　Ｔｉ　、　Ｖ　、
　Ｏｒ　、　Ｍｎ　、　Ｆｅ　、　Ｃｏ　。
Ｎ土　、Ｏｕ　　、Ｚｎ　　、Ｇａ　　、Ｇｅ　、Ａｓ
　　、Ｓｒ　　、Ｙ　　、Ｚｒ　　、Ｎｂ。
Ｔｃ　、　Ｒｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐａ　、　Ａｇ　、　
Ｉｎ　、　Ｓｎ　、　Ｓｂ　、　Ｂａ　。
Ｌａ　、　Ｈｆ　、　Ｔａ　、　Ｒｅ　、■ｒ　、　Ｔ
ｌ　、　Ｐｂ　、　Ｂｉ　、　Ｄｙ　。
Ｅｒ　、　Ｇｄ　、　Ｎｄ　、　Ｐｒ　、　Ｓｍ　、　
Ｃｅ　　などの金属の酸化物、窒化物、フッ化物、特に
、Ｓｉ　’、　ＡＩ　、　Ｇｏ　。
８ｂ　、　Ｚｒ　、　Ｔａ　、　Ｂｉ　、　Ｐｂ　、　
Ｚｎ　、　Ｌｉ　、　Ｍｇ　、　Ｔｉ　。
Ｌａ　、　Ｏｅ　、　Ｙ　、　Ｄｙ　、　Ｆｉｒ　、　
Ｇｄ　、　Ｈｆ　、　Ｓｍ　、　Ｏｒ　、　Ｎｄ　。
Ｐｒなとの金属の酸化物が好ましく用いられる。
特に好ましい金属化合物としては、５ｉ０２　。
Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ２、５ｂ２０３　、　ＺｒＯ２、Ｔ
ａ２０３１　Ｂｉ□０３化物をあげることができる。
これらの金属化合物は、単独で用いてもよいし、また２
種以上の組合せで用いてもよい。
この第一安定化層の膜厚は、用いる化合物の種類にもよ
るが、厚すぎると、記録開孔時に、混合１５一 層の金属記録層への影響が減少したりクラック及びしわ
の発生を促すので、０〜１００ＯＯＸ特に２０〜３００
Ａの範囲が好ましい。第一安定化層（金属化合物安定化
層）を形成する方法としては、例えば真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンブレーティング法、プラズマ蒸着
法などの薄膜形成技術を適用することができる。
また、単一金属からなるターゲットの複数個や、２種以
上の金属を含むターゲットを用い、空気、酸素、酸素−
アルゴンなどの気体による反応性スパッタリングによっ
ても形成することができる。
金属酸化物を形成する場合、例えば高真空下での電子ビ
ーム蒸着において、低級酸化物、例えばＧｅｍ、〜２が
含まれる場合があるが、本発明の目的を損わない範囲に
おいて差しつかえない。
本発明の材料において、第一安定化層（金属化合物安定
化層）の上層部にある金属記録層を構成する金属として
は、記録材料としてすでに知られているすべての金属を
用いることができるが、感度、Ｓ／Ｎ比の点で優れた金
属としては、Ｂｉ　、　Ｓｂ　。
〜１６− ８ｎ　、　Ｚｎ　、Ｉｎ　、Ｐｂ　、Ｍｇ、Ａｕ　、Ｇ
ｅ　、ＴＩ　、ｃｄ。
Ａｓ　、　Ｒｈ　、　Ａｌ　、　Ｓｅ　、　Ｔｅ及びこ
れらの組み合せなどが好ましく用いられる。その中でも
、ｓｂ、またはＳｎを添加したＢｉ金合金感度が高（、
高いＳ／Ｎ比をもつため特に好ましい。
本発明において、金属記録層は、単一層であっても、複
数層であってもよい。特に２種以上の金属を組み合わせ
て用いる場合には、２種以上の金属の合金からなる単一
層であっても、数種類の単一金属層が積層された複数層
であってもよい。また、記録された情報の孔形状を特に
乱れのないものとするためには、数種類の単一金属層を
積層したものが好ましい。
金属記録層には、本発明の目的を損わない限り、用いた
金属の酸化物、特に低級酸化物を少量含んでいてもよい
。
この金属記録層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティグ法、電気めっき法、無電解めっき法、
プラズマ蒸着法などの薄膜形成技術によって形成するこ
とができる。
これらの金属記録層の形成方法のうち、真空蒸着法が簡
単でかつ再現性がよいので好ましいが、金属記録層の高
温高湿下での安定性及び感度の点から、高真空下、特に
１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下での蒸着が好ましい。
本発明の材料において、前記金属記録層の上層に第二安
定化層を、金属記録層の経時的変質を防止する目的で使
用することがさらに好ましい。この金属記録層の上層に
設けられる安定化層としては、例えばＬｉ　、　Ｂｅ　
、　Ｂ　、　Ｍｇ　、　Ａｌ　、　ｉ３１　、　Ｏａ　
、　Ｓｃ　。
Ｔｉ　、　Ｖ　、　Ｏｒ　、　Ｍｎ　、　Ｆｅ　、　Ｃ
ｏ　、　Ｎｉ　、　Ｃ！ｕ　、　Ｚｎ　、　Ｇａ　。
Ｇｏ　、　Ａ８．　Ｓｒ　、　Ｙ　、　Ｚｒ　、　Ｎｂ
　、　Ｔｃ　、　Ｒｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐａ　。
Ａｇ、　Ｉｎ　、　Ｓｎ　、　Ｓｂ　、　Ｂａ　、　Ｌ
ａ　、　Ｈｆ　、　Ｔａ　、　Ｒｅ　、　Ｉｒ　。
Ｔｌ　、　Ｐｂ　、　Ｂｉ　、　Ｄｙ　、　Ｋｒ　、　
Ｇｄ　、　Ｎｃｌ　、　Ｐｒ　、　Ｓｍなどの金属の酸
化物、窒化物、フッ化物、特にＳｉ。
Ａｌ　、　Ｇｅ　、　Ｓｂ　、　Ｚｒ　、　Ｔａ　、　
Ｂｉ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　Ｌｉ　、　Ｍｇ　。
Ｔｉ　、　Ｌａ　、　Ｏｅ　、　Ｙ　、　Ｄｙ　、　Ｂ
１１ｒ　＋’　Ｇｄ　、　Ｈｆ　、　Ｓｍ　、　Ｏｒ　
。
Ｎｄ　、　Ｐｒなとの金属の酸化物が好ましく用いられ
る。
特に好ましい金属酸化物としては、Ｅｌｉ０２＋Ａｌ２
Ｏ５、ＧｅＯ２，５ｔ）２０５　、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ
３、Ｂｉ２Ｏ３。
ＰｂＯ、ＺｎＯ、ＬｉＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ
３，０ｅ０２　。
Ｙ２Ｏ５、Ｄｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３＋　Ｈ
ｆＯ２＋　Ｓｍ２Ｏ３＋０ｒ２０３をあげることができ
る。
これらの金属化合物の２種類以上を用いて、異種金属化
合物の２層構造にすることが情報記録として形成される
孔の形状を整え、その安定性を図るうえで好ましい。
第二安定化層（金属化合物安定化層）を形成する方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、プラズマ蒸着法などの薄膜形成技術を適用
することができる。捷た、異なる単一金属からなるター
ゲットの複数個や、２種以上の金属を含むターゲラ）１
−用い、空気、酸素、酸素−アルゴンなどの気体による
反応性スパッタリングによっても形成することができる
。
第二安定化層（金属化合物安定化層）の膜厚は、用いる
化合物の種類にもよるが、厚すぎるとクラックやしわの
発生を促すので、０〜ｘｏ、ｏｏｏＸ時に２０〜３００
Ａの範囲が好ましい。
１９一 本発明の材料は、その最上層部に透明な材質からなる保
護層を有していてもよい。
透明保護層は、有機高分子化合物を主体とした層で形成
され、用いられる有機高分子化合物としては、例えばポ
リ塩化ビニリデン、塩化ビニリデンとアクリロニトリル
との共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリビニ
ルシンナメート、ポリイソプレン、ポリブタジェン、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン
、ポリビニルフ゛チラール、フッ素ゴム、ポリアミド、
ポリエステル、エポキシ樹脂、酢酸セルロースなどのポ
リマー、これらの変性ポリマー、コポリマーなどをあげ
ることができ、これらは単独で又は混合物として用いら
れる。
特ニ、ポリエステル、フッ素ゴム、ポリ酢酸ビニルーポ
リヒニルブチラールーポリビニルアルコールの三元コポ
リマーが好ましく用いられる。
このような有機高分子化合物にシリコーンオイル、帯電
防止剤、架橋剤などを添加することは、膜強度、帯電防
止性能の改良の点で好ましい。
２０− 透明保護膜層として、このような有機高分子化合物を主
体とする層を２層以上重ねて用いてもよい。
透明保護層は、有機高分子化合物を主体とする成分を適
当な溶媒に溶解して塗布するか、あるいは薄いフィルム
としてラミネートするなどの方法により形成され、膜厚
は０．１〜１０μが適当である。
本発明の記録用飼料は、低毒性で安定性にすぐれ、高温
高湿下でクラック及びしわの発生がなく、高感度である
ばかりでなく、記録された情報の孔形状に乱れがなく、
Ｅｌ　／　Ｎ比が高く、かつ微細なパターンを記録用光
線を基板側又はその反対側のいずれの側より入射させて
も形成できるので、これをマスクとして用い、ホトレジ
ストヲ感光させてビデオディスクのレプリカ用マスター
板を作成することも可能である。
次に実施例によシ本発明をさらに詳細に説明する。
なお、実施例中、充てん率とは、混合層（全体を１とす
る）中で金属微粒子の占める体積の割合を意味する。
実施例１ キャスト法によって作製した表面平滑性のよい厚さ１．
２ｍｍのポリメチルメタクリレ−）　（ＰＭＭＡ）の板
を直径３０ｃｔｎのディスクに加工し、真空蒸着機槽内
にセットする。
ディスクは、装置の中央において回転できるようになっ
ている。装置内には、回転の中心軸を中心として３個の
加熱蒸着ボートと５個のるつぼをもつ電子ビーム装置を
備えている。
この３個の加熱ポートに、それぞれＢｉ　、　Ｓｂ　。
Ｏｒを入れ、電子ビーム蒸着装置の２１固のるつぼに、
Ｅ３ｍ２０３　、　ＧｅＯ２をそれぞれ入れた。装置内
を３×１０　　Ｔｏｒｒの真空度としたのち、基板回転
速度を１２Ｏｒｐｍとし、まずＧｅＯ２とＯｒを同時蒸
着法により一様な混合膜を形成するように蒸着させ、膜
厚１５０Ａ、充てん率０．４の混合層を形成させた。
次に、金属層として、Ｃｒを６ＯＡの膜厚に蒸着形成し
、次に、第一安定化層として、Ｓｍ２Ｏ３を２２０ス、
第二安定化層として、Ｓｍ２Ｏ３を６ＯＡ　順次積層し
たサンプルを作成した。
比較例として、金属層のＯｒをＯＡ　とした他は、実施
例１と同構造のサンプル（比較例］）及び金属層のＯｒ
を２５ＯＡとした他は、実施例１と同構造のサンプル（
比較例２）を作成した。
膜厚のモニターは水晶振動子法で行い、順次自動的にプ
ログラムされた順序でコントロールを行い、蒸着は２分
以内にすべて終了する。基板の意図的加熱は行っておら
ず、蒸着による基板温度の上昇もほとんどなかった。
このように作成した記録用材料の評価を行うために、発
振波長８４０ｎｍの半導体レーザーの光を厚さ１．２椙
のＰＭＭＡ基恨越しに記録面上にレンズでビーム径１μ
ｍまで集光させ、ディスクを４５０ｒｐｍの速度で回転
させながら、ディーティー比１対１の５００　ｎ５ｅｃ
のパルス幅に変調したレーザー光で記録を行った。なお
、レーザー光の照射は基板の反対側から行った。レーザ
ー光の照射された部分には、長円形の孔ができ、その短
径はほぼ１μｍであった。
また、実用記録値で記録した信号について、再生信号の
Ｃ／Ｎ比をスペクトルアナライザーで測定した。
これらのサンプルの安定性を評価するために、７０℃、
９０％ＲＨの恒温恒湿槽に１５日間放置したのち、上記
と全く同様の評価を行うと同時に、クラック及びしわの
発生の有無の確認も行った〇なお、これらのサンプルの
構造及び計画結果を第１表に示す。
これらのサンプルを上記方法で評価したところ、実施例
１は、その記録膜面上の強度にして４０ｍＷであり、実
用記録値は５０ｍＷであった。
そして、実用記録値で記録した信号の再生信号のＣ／Ｎ
比として４６ｄＢが得られ、また、記録しきい値近傍で
記録した場合についても、開孔むらは全く見られず、孔
形状の乱れもなかった。
次に比較例Ｉの記録しきい値は３．９ｍＷであつ２５− て実施例１に比べてわずかに良く、また実用記録値は実
施例１と同様な５．０ｍＷであった。　そして、再生信
号のＣ／Ｎ比は実施例１と同様な４６ｄＢが得られた。
また、実施例１と同様に開孔むらは全く見られず、孔形
状のむらもなかった。
一方、比較例２の記録しきい値は８．０ｍＷ、実用記録
値は］　０　、０ｍＷであり、記録しきい値、実用記録
値ともに実施例１に比べて低感度であった。
そして、再生信号のＣ／Ｎ比も実施例１と比べ大巾に低
い３０ｄＢであり、また、開孔むらは実施例１と同様に
全く見られなかったが、孔形状に乱れが生じた。
以上の実施例】、比較例１及び比較例２は、７０℃、９
０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１５日間経過後の記録しきい
値、実用記録値、Ｃ／Ｎ比などの記録特注の変化も少な
く、はぼ安定な特性を示した。
また、上記サンプルの７０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽
中におけるクラック及びしわの発生の有無をみたところ
、実施例１及び比較例２は、１５日間経過しても、クラ
ック及びしわの発生はなかったが、２６− 比較例１は、３日間でしわが発生した。
実施例２〜７ 金属層のＯｒの膜厚を変化させた他は、実施例１と同構
造のサンプルを作成した。
すなわち、実施例１と同様の板上に、実施例１と同様な
方法を用いて、金属層のＯｒが３５′Ａ（実施例２）、
４５Ｎ（実施例３）、７５Ｘ（実施例４）、１００Ａ（
実施例５）、１ｓｏＸ（実施例６）、１９０Ｘ（実施例
７）の各サンプルを作成した。
この各サンプルを実施例１と同様な方法で評価を行った
。その結果を第１表に示す。
実施例２〜７のサンプルの記録しきい値はそれぞれ３．
８ｍＷ、　　４．０ｍＷ、　　５．０ｍＷ、　　５．８
ｍＷ、　６．３ｍＷ、７．３ｍＷであり、実用記録値は
それぞれ５．０ｍＷ、　　５．０ｍＷ１６．２ｍＷ、　
　６．８ｍＷ、　　７．４ｍＷ１９．５ｍＷであり、実
用記録値で記録した信号の再生信号Ｃ／Ｎ比としてそれ
ぞれ４６ｄＢ、　　４６ｄＢ、　　４５ｄＢ１４３（ｉ
Ｂ、　４１ｃｌＢ、　　４０ｄＢであった。
また、記録しきい値近傍で記録した場合についても、開
孔むらは全くみられず、孔形状の乱れもなかった。
以上の実施例２〜７は、７０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿
槽に１５日間経過したのちでも、その記録しきい値、実
用記録値、Ｃ／Ｎ比などの記録特性の変化も少なく、は
ぼ安定な特性を示しだ。
また、実施例２〜７のサンプルの７０℃、９０％ＲＨの
恒温恒湿中におけるクラック及びしわの発生の有無をみ
たところ、実施例３〜７は、１５日間経過しても、クラ
ック及びしわの発生はなかったが、実施例２は、１２日
間でしわが発生した。
実施例８ 蒸着機槽内の３個の加熱ボートに、それぞれＢ１、ｓｂ
、　　旧を入れ、電子ビーム蒸着装置の２個のるつぼに
、Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３を入れ実施例１と同様に、Ｐ
ＭＭＡのディスク上に３　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒの真空
度において蒸着を行った。
蒸着順序としては、まずＡｌ２Ｏ３とＮｉを共蒸着方式
により膜厚１８０Ａ、充てん率０．４となるように混合
層を蒸着形成し、次に金属層として、Ｎ１を５０Ａの膜
厚に蒸着形成し、次に第一安定化層とし２７− で、Ｌａ２Ｏ３を１０ＯＡ、金属記録層として、　　１
３ｉを２００　Ｘ　、　　Ｅｌｂを５０久、第二安定化
層として再びＬａ２Ｏ３を１ｏｏＡ順次積層したサンプ
ルを作成した・比較例として、金属層のＮ１をＩＯＡと
した他は、実施例８と同構造の比較例３のサンプル及び
金属層の旧を２２０　′Ａとした他は、実施例８と同構
造の比較例４のサンプルを作成した０ 実施例８、比較例３及び比較例４を実施例１と同様な方
法で評価を行った０ なお、上記サンプルの構造及び評価結果を第１表に示す
。
実施例８の記録しきい値は４．３ｍＷ、実用記録値は５
．．３ｍＷであり、実用記録値で記録した信号の再生信
号のＣ／Ｎ比として、４７ｄＢが得られた。
また、記録しきい値近傍で記録した場合についても、開
孔むらは全く見られず、孔形状の乱れもなかった。
次に比較例３の記録しきい値は４．２ｍＷ、実用記録値
は５．２ｍＷであり、実施例８に比べて記録しきい値１
実用記録値ともにわずかに良かった。
２８− そして、再生信号のＣ／Ｎ比も実施例８と同様な４７ｄ
Ｂが得られ、また、実施例８と同様に開孔むらは全く見
られず、孔形状の乱れもなかった。
一方、比較例４の記録しきい値は７．３ｍＷ、実用記録
値は９．５ｍＷであり、記録しきい値、実用記録値とも
に実施例８に比べて低感度であった。
そして、再生信号のＣ／Ｎ比は３ＢｔｉＢであって実施
例８と比べて低い値となり、また、開孔むらは実施例８
と同様に全く見られなかったが、孔形状に乱れが生じた
。
以上の実施例８、比較例３及び比較例４は、７０℃、９
０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１５日間経過後の記録しきい
値、実用記録値、Ｃ／Ｎ比などの記録特性の変化も少な
く、はぼ安定な特性を示した。
また、上記サンプルの７０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽
中におけるクラック及びしわの発生の有無をみたところ
、実施例８及び比較例４は、１５日間経過しても、クラ
ック及びしわの発生はなかったが、比較例３は４日間で
クラックが発生した。
実施例９ 蒸着機槽内の３個の加熱ボートに、それぞれＢ１とＳｎ
を５０％ずつ含む合金、Ｓｂ、　’Ｎｉを入れ、電子ビ
ーム蒸着装置の３個のるつぼにそれぞれ５ｉ０２、Ａｌ
２Ｏ３、Ｔ１　を入れ実施例１と同様に、ＰＭＭＡのデ
ィスク上に３　Ｘ　１０　’　Ｔｏｒｒの真空度におい
て蒸着を行った。
蒸着順序としては、まず５１０２とＴｉを共蒸着方式に
より膜厚１４０Ａ％充てん率０．５となるように混合層
を蒸着形成し、次に金属層として、Ｃｒを６５久の膜厚
に蒸着形成し次に第一安定化層として、Ｙ２Ｏ３をｓｏ
ｂ、金属記録層として、Ｂｉ　、、！：　Ｓｎの合金を
２５０大、　　ｓｂを５ＯＡ、第二安定化層として、Ａ
ｌ２Ｏ３を８０久１臓次積層したサンプルを作成した・
比較例として、金属層のＴ１を０λとした他は、実施例
９と同構造の比較例５のサンプル及び金属層のＴ１を３
００大とした他は、実施例９と同構造の比較例６のサン
プルを作成した。
実施例９、比較例５及び比較例６を実施例１と同様な方
法で評価を行った。
なお、上記サンプルの構造及び評価結果を第１表に示す
。
実施例９の記録しきい値は４　、３ｍＪ実用記録値は５
．３ｍＷであり、実用記録値で記録した信号の再生信号
のＣ／Ｎ比として、　４５ｄＢが得られた。
また、記録しきい値近傍で記録した場合についても、開
孔むらは全く見られず、孔形状の乱れもなかった。
次に、比較例５の記録しきい値は４．３ｍＷ、実用記録
値は５．３ｍＷであり、実施例９と同様な記録しきい値
、実用記録値であった。
そして、再生信号のＣ／Ｎ比も実施例９と同様な４５ｄ
Ｂが得られ、また、実施例９と同様に開孔むらは全く見
られず、孔形状の乱れもなかった。
一方、比較例６は、半導体レーザーの出力では記録不可
能であった。
以上の実施例９、比較例５及び比較例６は、７０℃、９
０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１５日間経過後の記録しきい
値、実用記録値、　　Ｃ／Ｎ比などの記録特性の変化も
少なく、はぼ安定な特性を示しだ。
また、上記サンプルの７０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽
中におけるクラック及びしわの発生の有無をみたところ
、実施例９及び比較例６は、１５日間経過しても、クラ
ック及びしわの発生はなかつだが、比較例５は４日間で
しわが発生した０ 実施例１０ 蒸着機槽内の３個の加熱ポートに、それぞれＢｉ、Ｓｂ
、　　Ｃ！ｒを入れ、電子ビーム蒸着装置の３個のるつ
ぼに、それぞれＧｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３を入
れ、実施例１と同様にＰＭＭＡのディスク上に３　Ｘ　
１０　’Ｔｏｒｒの真空度において蒸着を行った。
蒸着順序としては、まず混合層を用いずにＧｅＯ２のみ
を？ＯＡの膜厚に蒸着形成し、次に金属層としてＯｒを
５５Ａの膜厚に蒸着形成し、次に第一安定化層として、
Ｓｍ２Ｏ３を６０Ａ１金属記録層として、Ａｌ２Ｏ３を
６０大順次積層したサンプルを作成しだ０比較例として
、金属層のＣｒを５Ａとした他は、実施例１０と同構造
の比較例７のサンプル及び金属層のＯｒを３５０′Ａ　
とした他は、実施例１０と同構造の比較例８のサンプル
を作成した０実施例１０、比較例７及び比較例８を実施
例１と同様な方法で評価を行った。
なお、上記のサンプルの構造及び評価結果を第１表に示
す。
実施例１０の記録しきい値は４．０ｍＷ、実用記録値は
５．０ｍＷであり、実用記録値で記録した信号の再生信
号のａｌＵ比として％　４６（ｉＢが得られた。
また１記録しきい値近傍で記録した場合についても、開
孔むらは全く見られず、孔形状の乱れもなかった。
次に、比較例７の記録しきい値は５．５ｍＷ、実用記録
値は７．０ｍＷであ垢記録しきい値、実用記録値ともに
実施例１０と比べ低感度であった。
そして、再生信号のＣ／Ｎ比は実施例１Ｏと比べ小さい
４２ｄＢであり、また、開孔むらは実施例１０と同様に
全く見られなかったが、孔形状は少し乱れが生じた。
一方、比較例８は半導体レーザーの出力では記録不可能
であった。
以上の実施例１０、比較例７及び比較例８は、７０′Ｃ
Ｘ９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１５日間経過後の記録し
きい値、実用記録値、Ｃ／Ｎ比などの記録特性の変化も
少なく、はぼ安定な特性を示しだ。
また、上記サンプルの７０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽
中におけるクラック及びしわの発生の有無をみたところ
、実施例１０及び比較例８は、１５日間経過しても、ク
ラック及びしわの発生はなかったが、比較例７は３日間
でクラックが発生した。
実施例１１ 蒸着機槽内の３個の加熱ボートに、それぞれＢｉ　、　
Ｓｂ　、　Ｎｉを入れ、電子ビーム蒸着装置の３１固の
るつほに、それぞれＡｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｏｒを入れ
、実施例１と同様にＰＭＭＡのディスク上に３Ｘ　１０
　’Ｔｏｒｒの真空度において蒸着を行った。
蒸着順序としては、まずＡｌ２Ｏ３とＴｉを共蒸着方式
により膜厚１５０Ａ、充てん率０．４となるように混合
層を蒸着形成し、次に金属層としてＣｒを７０久の膜厚
に蒸着形成し次に第一安定化層とじて共蒸着方式によシ
膜厚１５０Ｘ、充てん率０．４となる混合層を順次積層
したサンプルを作成した。
比較例として、金属層のＯｒを２５スとした他は、実施
例１１と同構造の比較例９のサンプル及び金属層のＯｒ
を４０ＯＡとした他は、実施例１１と同構造の比較例１
０のサンプルを作成した。
実施例１１、比較例９及び比較例１ｏを実施例１と同様
な方法で評価を行った。
なお、上記サンプルの構造及び評価結果を第１表に示す
。
実施例１１の記録しきい値は４．３ｍＷ＋　　実用記録
値は５．３ｍＷであり、実用記録値で記録した信号の再
生信号のＣ／Ｎ比として、４７ｄＢが得られた。
また、記録しきい値近傍で記録した場合についても、開
孔むらは全く見られず、孔形状の乱れもなかった。
次に、比較例９の記録しきい値は４　、０　ｍＷ、実用
記録値は５．０ｍＷであり、実施例１１と比べて記録し
きい値１実用記碌値ともにやや良かった。
そして、再生信号のＣ／Ｎ比は、実施例１１と同様に４
７ｄＢが得られ、また、実施例１１と同様に開孔むらは
全く見られず、孔形状の乱れもなかった〇 一方、比較例】０は半導体レーザーの出力では記録不可
能であった。
以上の実施例１１．比較例９及び比較例１０は、７０℃
、９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１５日間経過後の記録し
きい値、実用記録値、Ｃ！／Ｎ比などの記録特性の変化
も少なく、はぼ安定な特性を示した。
また、上記サンプルの７０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽
中におけるクラック及びしわの発生の有無をみたところ
、実施例１１及び比較例１０は１５日間経過しても、ク
ラック及びしわの発生はなかったが、比較例９は３日間
でしわが発生した。
３７−
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図及び第３図は、本発明の情報記録用材料
の構造を示すそれぞれ異った例の断面図であって、図中
符号１は基板、２は金属記録層、３は第二安定化層、４
は第一安定化層、５は金属化合物と金属との混合層、６
は金属層である。 特許出願人　旭化成工業株式会社 代理人　阿　形　　明 ４０− 第１図 第２図 第３図 手続補正書 昭和５７年１　月２７日 ｌ事１ｑの表示 昭和５６年特許願第１９９５８８号 ２発明の名称 情報の記録用部材 ３ｈ１１正をする者 事件との関係特許出願人 住　所大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号代表者　
宮　　崎　　　　　輝 ４代　理　人 〒１０４東京都中央区銀座６丁目４番５号土屋ビル５階
７袖正の対象　明細書の発明の詳細な説明の欄８補正の
内容 （１）明細書第６ページ第６〜７行目の「大きさ」を「
厚み」に訂正します。 （２）同第１４ページ第３行目「Ｔ１」を「Ｔ１」に訂
正します。 （３）同第１６ページ第７行目１”’ＯｅＪの次に「、
Ｔｅｌを加入します。 （４）　　同第１９ページ第１４行目「Ｓｍ」の次にｒ
　、Ｏｅ　。 ’ｒｅＪを加入します。 （５）　　同第２０ページ下から２行目「時に」ヲ「特
に」に訂正します。 （６）　　同第２４ページ下から３行目「ディーティー
比」ヲ「デユーティ−比」に訂正します。 （７）同第２５ページ下から７行目のｒ４０ｍＷＪｉｒ
４．ｏｍＷＪに、下から６行目のｒ　５０　ｍＷ　Ｊを
「５．０ｒｎＷＪに訂正します。 （８）同第２６ページ第５行目「孔形状のむら」を「孔
形状の乱れ」に訂正します。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　基板上に金属記録層を設け、この金属記録層と基板
    との間に金属化合物と金属の混合層を少なくとも介在さ
    せ、該混合層と前記金属記録層との間に、前記混合層を
    形成する金属化合物とは異なる金属化合物安定化層を設
    けた構造の記録材料において、前記混合層と該金属化合
    物安定化層との間に、３０Ａより厚く、かつ２００Ａよ
    りも薄い金属層を設けたことを特徴とする情報記録用材
    料。
JP56199588A 1981-12-11 1981-12-11 情報の記録用部材 Pending JPS58100251A (ja)

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JP56199588A Pending JPS58100251A (ja) 1981-12-11 1981-12-11 情報の記録用部材

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0231672A2 (en) * 1986-01-29 1987-08-12 Fujitsu Limited Optical memory device and process for fabricating same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0231672A2 (en) * 1986-01-29 1987-08-12 Fujitsu Limited Optical memory device and process for fabricating same

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