JPS60261039A - 光情報記録担体 - Google Patents

光情報記録担体

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JPS60261039A
JPS60261039A JP59115499A JP11549984A JPS60261039A JP S60261039 A JPS60261039 A JP S60261039A JP 59115499 A JP59115499 A JP 59115499A JP 11549984 A JP11549984 A JP 11549984A JP S60261039 A JPS60261039 A JP S60261039A
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JP
Japan
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layer
information recording
optical information
substrate
melting point
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JP59115499A
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English (en)
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Mamoru Mizuhashi
衛 水橋
Koichi Suzuki
巧一 鈴木
Masashi Tada
昌史 多田
Satoru Takagi
悟 高木
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融ある
いは拡散等により情報の記録が行なえる光情報記録担体
に関するものである。
光情報記録担体は、高速回転する該担体にレーザー光を
照射して、その記録薄膜に情報ビットを記録し、この記
録された情報はレーザー光の照射によって読み取られる
ものであり、現時記録再生、高速ランダム・アクセスが
可能モある。光情報記録薄膜への情報ビットの形成方法
としては、レーザー光線などの高密度熱エネルギーをス
ポットに集束させて光情報記録薄膜に照射し、かかる薄
膜の一部を蒸発、気化、溶融あるいは拡散により除去あ
るいは変形させてビット（小孔）を形成すると一部・モ
ード記録方式と、物質の光学的特性、例えば屈折率や反
射率を変化させる方式とがある。前者の方式の光情報記
録薄膜としては、レーザー光の照射時において、かかる
薄膜が容易に、かつ効果的に加熱されて蒸発、気化、溶
融などくより除去される様に、薄膜材料の光の吸収係数
が大きく、融点が低く、又、熱電導性が適当で、書き込
みに要するエネルギーが小さいこと、読み出しｓｌｙ比
向上向上めに、粒界がないか、あるいは粒径が書き込み
ビット径に比べて十分率さいこと、組成が均一で、島状
とならず均一な膜が得られること、長期間の安定性が高
いことなどが要求される。かかる各種要求を満たす光情
報記録層として、低融点で高い光吸収率を有し、熱電導
率が適当なＴｅ被膜ないしはＴｏを主成分とする被膜が
知られているが、このＴｅ系の被膜はその強い毒性が問
題である。これに置き換わる低毒性、低融点の光情報記
録層の材料として、Ｂ１や工ｎ、Ｓｎなどもあるが、薄
く連続した均一な膜が得られにくいためとか、熱電導率
がＴｏに比べ大きいとかの理由のために良好なビット形
状が得られず、又、Ｓ／Ｎ比が低いなどという欠点、酸
化されやすく、高温高湿下での安定性が低く耐久性に劣
るという欠点、機械的な強度が劣るという欠点などがあ
る。これらの欠点を改善する方法として、Ｔｏ、　Ｂｉ
、Ｉｎ　＋　８ｎ　ナトノ低融点金属膜をその両側から
８１０２膜などの酸化物膜で挾んでサンドインチ構造に
したり、Ｔｅ。
Ｂｉ、工ｎ、ａｎなどをサーメット化した膜にしたりす
ることが提案されている。しかしながら、前者の改善方
法も低融点金属が酸化されやすい故、金属酸化物で挾ん
だ場合、低融点金属層が一部酸化されて好ましくなく、
又、いずれの改善方法もビット形状、耐久性の点で不充
分セあった。
本発明は、かかる点を改良し、更に一層優れた書き込み
特性と耐久性を有する光情報記録担体な提供することを
目的として研究の結果発明されたものであり、その要旨
はレーザー光な照射して蒸気、気化、溶融あるいは拡散
により情報の記録が行なえる金属情報記録層が基体上に
形成されてなる光情報記録担体において、上記金属情報
記録材料層がＢｉ、Ｉｎ、　ａｎ、　Ｐｂ、　Ｚｎ。
Ｍｇ、　Ｇａ、　Ｓｂ、　Ｔｅ、　０６．　Ａｇ及びム
１からなる金属から選ばれた１つ、又は上記金属の少く
とも１つ以上を含む合金からなり、該金属情報記録材料
層がその両側から炭素層、シリコン“層よりなる高融点
半金属層により挾まれていることを特徴とする光情報記
録担体に関するものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明における光情報記録担体の基体１としては、透過
光読み取りの場合には透明ガラス板、ポリメチルメタク
リレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニール、ポリアミド
、ポリスチレンなとのポリマー、又はこれらの種々変成
ｔ７タホリマー、コポリマー、ブレンド物ナトノシート
あるいはフィルムなどが使用され、又、反射光読入取り
の場合には、反射コートを施した上記各種基板のほか、
アルミ板、アルミ合金板などが使用される。
かかる基体１上には金属情報記録材料層と高融点半金属
ｉ３とを所定層有する光情報記録構成層４が形成されて
おり、この金属情報記録材料層２の材料としては、低毒
性で、２００℃〜１０００°Ｃの低融点の金属、具体的
にはＢｉ。
（ｍ、ｐ２７１．３７°）、工ｎ（ｍ−ｐ’１５６．６
℃）、Ｓｍ（ｍ−ｐ　２３１．９１℃）、Ｐｂ（ｍ・ｐ
　３２７．３℃）、Ｚｎ　（ｍ　−ｐ４１９．５℃）、
Ｍｇ（ｍ−ｐ　６４９℃）、Ｇａ（ｍ−ｐ　２９．８℃
）、ｓｂ（ｍ−ｐ　６３ｏ、ｓ℃）、Ｔｅ　（ｍ−ｐ　
４５０℃）、ｃａ（ｍ−ｐ３２０．９℃）、Ａｇ（ｍ−
ｐ　９　ｅ　１℃）、＊１（ｍ−ｐ　６６０．１℃）、
からなる金属群から選ばれた１種もしくは、かかる金属
を少くとも１８１以上含む合金などが使用できる。中で
もＢｉ、　Ｉｎ、　Ｓｎ等は、低稈性、低融点で享吸収
性もあり、レーザー光によって容易に、しかもシャープ
に溶けやすく、情報記録の書き込みが容易であるので最
適である。
本発明においては、金属情報記録材料層２がその両側か
らサンドインチ状に０（炭素）層・Ｓｌ（シリコン）層
、又はＢ（ボロン）層より選ばれる高融点半金属層３に
より挾まれる。かかる０層、Ｓｉ層又はＢ層より選ばれ
る高融点半金属層により金属情報記録材料層２をサンド
イッチすることにより次の点が改善される。
（ａ）　高融点半金属層の厚さを所定の範囲に選べば、
例えば４００〜６００Ｘとすれば、その反射防止効果に
より、レーザー波長での光情報記録構成層の反射率を数
チに低減させることができ、吸収を９０−程度に増加さ
せることかでき、それによって書き込み感度を大巾に向
上させることができる。
（ｂ）上記した種類の金属情報記録材料層の材料、例え
ばＢｉ、　Ｉｎ、　８ｎ等はＴｅに比べて薄！連続膜が
得られにくいが、上記したＯ、　Ｓｉ、　Ｂ。
高融点半金属層によりサンドイッチすることにより上記
した種類の金属情報記録材料層の形成時の結晶核肥大化
を防止することができ連続膜化の促進ができる。
（０）上記した種類の金属情報記録材料層のせａ−例え
ば、Ｂｉ、　Ｉｎ、　Ｓｎ等は酸化されやすく耐久性の
面で劣り、又、機械的強度の面でも充分でなｐが、上記
した種類の高融点半金属層によりサンドイッチすること
により、安定性、耐久性を向上させることができる。
（ｄ）上記した種類の金属情報記録材料層の材料、例え
ばＢｉ、Ｉｎ、８ｎ等は、Ｔｅに比べて熱電率が大きく
、シャープな形状のビットが得られにくいが、上記した
０、　８１．　Ｂの高融点材料層にサンドイッチするこ
とにより耐熱性を高めることができ、又、熱電率の調整
を行なうことができ、シャープな形状のビットが得られ
、読入取り精度を高めることができる。
本発明にお〜１て、高融点半金属層として、０、８１．
　Ｂを選択した理由は、高融点なので、Ｂｉ、　ａｎ、
Ｉｎなどの金属が溶融した際、相互作用が酸化物などに
比べ小さいと考えられたからである。
本発明における金属情報記録材料層の厚みはレーザー書
き込みにおける感度、ビット形状、耐久性などから決定
されるが、例えば２０〜２００　ｎｍ、好ましくは３０
〜７０ｎ血の範囲が適当である。又、０．８１．　Ｂ等
の高融点半金属層の厚みは、やはり感度、耐久性などか
ら決定されるが、用いられるレーザーの波長によっても
異なり、その波長で反射率が最少になる膜厚め−選ばれ
る。その範囲は１０〜２００Ｑ、ｍ、好ましくは３０〜
６０ｕの範囲が適当である。したがって、金属情報記録
材料層と高融点半金属層とが組み合わされた光情報記録
構成層の厚みは、４０〜４００ｎ１１１．好ましくは９
０〜１９０ｎｍの範囲が適当である。
本発明においては、上記した全体の層の厚さの範囲内に
おいて更に多層化することもできる。
例えば、金属情報記録材料層を高融点半金属層によりサ
ンドインチ構造状に挾んだ３層構成の光情報記録構成層
に限らず、２層の金属情報記録材料層をそれぞれ高融点
半金属層にてサンドイッチ構造状に挾んだ５層構成の光
情報記録構成層であってもよいし、あるいは又３層の金
属情報記録材料層を′それぞれ高融点半金属層にてサン
ドイッチ構造状に挾んだ７層構成の光情報記録構成層で
あってもよいし、あるいは又９層構成、１１層構盛の光
情報記録構成層であってもよい。かかる光情報記録構成
層の具体例のいくつかについて例示する。
０／Ｂ１１０／基体、　ｃ／工ｎ／ａ／基体、　ａ／ｓ
ｎ／Ｃ／基体、　ａ／Ｂｔ／ａ／Ｂｔ／ｃ／基体、　Ｏ
／Ｂ１１０／Ｂ　１１０／Ｂ　１１０／基体、　ｓ　ｉ
／ｎ　ｉ／ｓ　ｉ／　基体。
ｓｔ／工ｎ／Ｓｉ／基体、　ｓ１／ｓｎ／ｓｉ／基体。
Ｓ１／Ｂ１／Ｃ／基体、　Ｏ／Ｂ１／Ｂ／基体、　Ｂ／
Ｂｉ／Ｓ１／基体、　Ｂ／Ｂ１／Ｂ／基体、Ｂ／工ｎ／
Ｂ／基体、　Ｂ／Ｓｎ／Ｂ／基体＊　０／Ｂ　ｉ／ａ／
８１０　！　／基体、　Ｏ／Ｂ１１０／５ｉｏｚ／ムｌ
／基体。
上記した各種多層構成の中では、３層構成のものが、層
形成工程も少なく、ピット形状も良好であるので最適で
ある。
本発明において、金属情報記録材料層をその両側から挾
む高融点半金属層としては、膜形成面から同種材料とす
るのが好ましいが、金属情報記録材料層の両側の高融点
半金属層を上記した当該材料の範囲内で異なる材料とす
ることもできる。又、光情報記録構成層として２層以上
の金属情報記録材料層を有する場合にも、これら金属情
報記録材料層が同一材料であるのがその膜形成面で好ま
しいが、勿論上記した金属の範囲内で異なる材料とする
こともできる。
又、本発明においては、光情報記録構成層の上層若しく
は下層に、又は基体の光情報記録構成層の形成された面
と反対面に、反射層、絶縁層、保護層、アンダーコート
層、アリカリバイヤ一層、その他各種機能層を一層、な
いし数層、あるいは組み合わせて形成することもできる
。
例えば、光情報記録担体の書き込み前後の反射率変化を
増加させるために、 高融点半金属層／金属記録材料層／高融点半金属層／熱
絶縁層／反射層／基体（θＸ、０層／Ｂ１層／Ｃ層／ム
１層／熱絶縁層（基体） の様な５層の層構成を有する光情報記録担体として、光
情報記録構成層側から書き込み、読み出しをすることも
可能である。又、基体側からの書き込み、読み出しを行
なうために、反射層／熱絶縁層／高融点半金属層／金属
記録材料層／高融点半金属層／基体（＠Ｘ。
Ａ１層／熱絶縁層１０層／　Ｂ１層／Ｃ層／基体） の様な５層の層構成を有する光情報記号担体とすること
もできる。
本発明において、金属情報記録層及び高融点半金属層を
基体上に形成する方法としては、特に限定されるもので
はなく、各種真空蒸着法、各種スパッタリング法、各種
イオンプレーテング法など種々の被膜形成方法が利用で
きる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１ 表面平滑性に優れている円形フロートガラス基体（直径
：８５ｍ＋、板厚３２ｍ）を用意し、酸化セリウムで表
面を研摩した後、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し、水道
水、蒸留水、エタノールの順で擢ぎを充分に行ない、窒
素乾燥させ　・た。この基体１０を第４図に示したスパ
ッター装置１１内の回転する基体支持部材１２に取り付
けた。スパッター・ターゲットとしては、ステンレス製
の皿に入れたビスマスのターゲット１３と、ステンレス
製の皿に入れたカーボンのターゲット１４とを用いた。
各層の形成に肖っては、まず、真空槽１５内を１０　Ｔ
ｏｒｒ台まで排気し、その後、高純度アルコンガスを導
入し、３Ｘ１０”Ｔｏｒｒの圧力にコントロールした。
　Ｂｉと０とを充分にプレスバッターした後、基体１０
を回転させながらシャッター１６を開き、コーティング
を開始した。基体１０を回転させながら基体上にｆ４１
層として０層を形成し、その上に３１層を更にその上層
に０層とを順次積層し、合計層数を３層構成とした。０
層とＢ１層との形成時、各ターゲットに加えるＤＣ電力
／又はＲＦ電力をコントロールし、０層の厚さは約３５
〜５０ｎｍ、Ｂｉ層の厚さは約４０〜６０ｎｍとなる様
にした。
この様にして得られた３層構成膜（ａ／Ｂ１／Ｃ）の形
成された光情報記録担体の分光特性をＢ１単層膜が同上
の基体に形成された光情報記録担体のそれと共に第５図
に示す。第５図（Ａ）は上記３層構成の８１層が比較的
薄い場合（４ｏｎｍ）であり、第５図（Ｂ）図は、かか
るＢ１層が厚い場、合（６０層ｍ）である。０層の厚み
を変えると、その反射率が最小になる波長が変化する。
したがって、反射率が最、Ｊ＼になる位置を用いるレー
ザー波長に合わせれば、レーザー光の吸収を最大９０層
程度にすることが可能である。例えばＨｅ　−Ｎｅレー
ザー（６ａ３ｎｍ）に対しては、０膜厚約３５ｎｍ、半
導体レーザー（８００ｎｍ前後）に対しては、約５０ｎ
ｍの厚みが必要である。
第５図（Ａ）、（Ｂ）にお〜・て、曲線ａは上記３層構
成の各０層の厚さが約１７　ｎｍのものの反射特性及び
透過特性を示すものであり、曲線すは上記３層構成の各
０層の厚さが約３４　ｎｕｌｌのものの反射特性及び透
過特性を示すものであり、曲線Ｃは上記３層構成の各０
層の厚さが約５１　ｎｍのものの反射特性及び透過特性
を示すものであり、曲ｆｔｊｄは同上のフロートガラス
基体に５０　ｎｍのＢ１単層を形成したものの反射特性
を示したものである。
第６図には、同上のガラス基体上に各種厚さのＣ単層膜
が形成されたものの分光特性を示す。
０単層膜は、可視域に吸収を持ち、長波長側にいくにし
たがい、吸収は低下する。したがって適当な厚さのＯ膜
は、光吸収量を高め、感度を向上させることが認められ
る。なお、第６図において、曲線ａは０層の厚さが６０
　ｎｍの場合の反射特性及び透過特性を示し、曲線すは
０層の厚さが２６　ｎｍの場合の反射特性及び透過特性
を示し、曲線Ｃは０層の厚さ、が１０５　ｎｍの場合の
反射特性及び透過特性を示す。
実施例２ 表面平滑性に優れている円形フロートガラス基板（直径
：８５ｍ１板厚：２ｍ）を用意し、酸化セリウムで表面
を研摩した後、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し、水道水
、蒸留水、エタノールの順で濯ぎを充分に行ない窒素乾
燥させた。
この基体１０を第４図に示したスパッター装置１１内の
回転する基体支持部材１２に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、ステンレス族の皿に入れたＢ１タ
ーゲット１３と、ステンレス族の皿に入れたＳ１ターゲ
ツト１４とを用いた。各層の形成に当っては、まず、真
空槽１５内を１０−’　Ｔｏｒｒ台まで排気し、その後
、高純度アルコンガスを導入し、所定の圧力にコントロ
ールした。ＳｌとＢ１とを充分にプレスバッターした後
、基体１０を回転させながらシャッター１６を開き、コ
ーティングを開始した。基体１０を回転させながら、基
体上に第１層として８１層を形成し、その上に８１層を
更にそめ上層に８１層とを順次積層し、合計層数を３層
構成とした。８１層と８１層との形成時、各ターゲット
に加えるＤｏ電力／又はＲＦ電力をコントロールし、８
１層の厚さは約３５ｎｍ、Ｂｉ層の厚さは約４０　ｎｍ
となる様にした。
実施例３ 市販のポリエステルシート（厚さ１００μｍ）を用意し
、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し、水道水、蒸留水、エ
タノールの順で濯ぎを充分に行ない窒素乾燥させた。こ
の基体１０を第４図に示したスパッター装置１１内の回
転する基体支持部材１２に取り付けた。スパッター・タ
ーゲットとしては、ステンレス族の皿に入れたＥｌｎタ
ーゲット１３と、ステンレス族の皿に入れた○ターゲッ
ト１４とを用いた。各層の形成に当っては、まず、真空
槽１５内を１０　’　Ｔｏｒｒ台まで排気し、その後、
高純度アルゴンガスを導入し、所定の圧力にコントロー
ルした。ＣとＳｎとを充分にプレスバッターした後、基
体１０を回転させながらシャッター１６を開き、コーテ
ィングを開始した。基体１０を回転させながら、基体上
に第１層として０層を形成し、その上にＳｎ層をその上
層に０層とを順次積層し、合計層数を３層構成とした。
０層とＳｎ層との形成時、各ターゲットに加えるＤＣ電
力／又はＲＦ電力をコントロールし、０層の厚さは約３
５ｎｍ、Ｂｎ層の厚さは約５０　ｎｍとなる様にした。
実施例４ 表面平滑性に優れている円形フロートガラス基体（直径
＝８５籠、板厚：　２　ｍ　）を用意し、酸化セリウム
で表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し、
水道水、蒸留水、エタノールの順で濯ぎを充分に行ない
、窒素乾燥させた後、この基体上に１００　ｎｍの厚さ
のＡ１層と、該Ａ１層上に３００　ｎｍの厚さのＳ１０
！層を形成した。この２層被膜の形成された基体１０を
第４図に示したスパッター装置１１内の回転する基体支
持部材１２に取り付けた。スパッター・ターゲットとし
ては、ステンレス製の皿に入れたビスマスのターゲット
１３と、ステンレス製の皿に入れたカーボンのターゲッ
ト１４とか用いた。各層の形成に当っては、まず、真空
槽１５内を１　（１−７Ｔｏｒｒ台まで排気し、その後
、高純度アルゴンガスを導入し、３　Ｘ　１０−”　Ｔ
ｏｒｒの圧力にコントロールした。Ｂ１と０とを充分に
プレスバッターした後、基体１０を回転させながらシャ
ッター１６を開き、コーティングを開始した。基体ｌＯ
を回転させながら、基体上に第３層として０層を形成し
、その上に３１層を更にその上層に０層とを順次積層し
、合計層数を５層構成とした。０層とＢ１層との形成時
、各ターゲットに加えるＤＣ電力／又はＲＦ電力をコン
トロールし、０層の厚さは約３５ｎｍ。
３１層の厚さは約４０　ｎｍとなる様にした。
実施例１〜４により得られた光情報記録担体について、
特性測定及び性能試験を行なった結果を第１表に示す。
【図面の簡単な説明】
第１〜３図は本発明に係る光情報記録担体の横断面を示
したものであり、第４図は本発明に係る光情報記録担体
な製造するための装置の概略図であり、第５図は実施例
１により得られた光情報記録担体の分光特性図であり、
第６図はＣ単層膜の分光特性図である。 １・・・基体 ２・・・金属情報記録材料層 ３・・・吸収性高融点半金属層 ４・・・光情報記録構成層 第４図 ！Ｊ　５　図 第６図 手続補正書 昭和５９年７り〃日 特詐庁長官　殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１１５４９９号 ２、発明の名称 光情報記録坦体 ３、補正をする者 名称　（００４）旭硝子株式会社 ５、補正命令の日付 自発補正 （３）明細書の図面の簡単な説明の− ８、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。 （２）明細書第６頁第８行目の「シリコン層よりな」を
「シリコン層、又はボロン層よりな」に訂正する。 （３）明細書第９頁第７行目及び第１１行目の「熱電率
」を「熱伝導率」と訂正する。 （４）明細書第１２頁第１７行目乃至第１９行目のｒ　
（ａｍ、　Ｇ層／Ｂｉ層／Ｃ層／Ａｔ層／熱絶縁層（基
体）」を「（例えば、Ｃ層／Ｂｉ層／Ｃ層／Ａ１層／熱
絶縁層／基体）」と訂正する。 （５）明細書第１３頁第５行目乃至第７行目のｒ　（ｅ
ｘ、　ＡＩ層／熱絶縁暦／Ｃ層／Ｂｉ暦／Ｃ層／基体）
」を「（例えば、Ａ１層／熱絶縁層／Ｃ層／Ｂｉ層／Ｃ
層／基体）」と訂正する。 （８）明細書第２２頁第３行目の「横断面」を「横断面
図」と訂正する。 以上 別　紙 ２、特許請求の範囲 （１）レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融あるいは
拡散により情報の記録が行なえる金属情報記録材料層が
基体上に形成されてなる光情報記録坦体において、上記
金属情報記録材料層が、Ｂｉ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｐｂ
、　Ｚｎ、にｇ、　Ｇａ、　Ｓｂ。 Ｔｅ、　Ｃｄ、　Ａｇ及びＡＩからなる金属から選ばれ
た１つの金属、又は上記金属の少なくとも１つ以上を含
む合金からなり、該金属情報記録材料層がその両側から
０層、　Ｓｉ層又は８層よりなる高融点半金属層により
挟まれていることを特徴とする光情報記録坦体。 （２）金属情報記録材料層の厚さが、２０ｎＩＮ〜２ｏ
Ｏｎ１１であることを特徴とする特許請求の範囲Ｉｓ１
項記載の光情報記録坦体。 （３）高融点半金属層の厚さが１０層ｍ〜２００ｙ＋ｍ
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
情報記録坦体。 （４）金属情報記録材料層と高融点半金属層との合計の
厚さが４０ｎ履〜４００ｎｒｘであることを特徴とする
特許請求の範囲ｓ１項記載の光情報記録坦体。 （５）基体上に！ｓ１の高融点半金属層、金属情報記録
材料層、第２の高融点半金属層が順次積層されてなる３
層構成の光情報記録構成層が形成されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光情報記録坦体。 （８）基体上に第１の０層、Ｂｉ層、第２の０層が順次
積層されてなる３層構成の光情報記録構成層が形成され
てなることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光
情報記録坦体。 （７）基体上に第１の高融点半金属層、第１の金属情報
記録材料層、第２の高融点半金属層、第２の金属情報記
録材料層、第３の高融点半金属層が順次積層されてなる
５層構成の光情報記録構成層が形成されてなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光情報記録坦体。 （８）基体上に第１のＣ暦、第１の８＋層、第２のＣ暦
、第２のＢｉ層、第３の０層が順次積層されてなる５層
構成の光情報記録構成層が形成されてなることを特徴と
する特許請求の範囲第７項記載の光情報記録坦体。 以　上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■　レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融あるいは拡
    散により情報の記録が行なえる金属情報記録材料層が基
    体上に形成されてなる光情報記録担体において、上記金
    属情報記録材料層が、Ｂｉ、Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　
    Ｚｎ、　Ｍｇ、　Ｇａ、　Ｓｂ。 Ｔｅ、　Ｏｄ、　Ａｇ及びＡ１からなる金属から選ばれ
    た１つの金属、又は上記金属の少くとも１つ以上を含む
    合金からなり、該金属情報記録材料層がその両側から０
    層、　Ｓｉ層又はＢ層よりなる高融点半金属層により挾
    まれていることを特徴とする光情報記録担体。 （２）金属情報記録材料層の厚さが２０皿〜２００ｎｍ
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
    情報記録担体。 （８）　高融点半金属層の厚さが１０ｍｍ〜２００Ｗｎ
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
    情報記録担体。 （４）　金属情報記録材料層と高融点半金属層との合計
    の厚さが４０ｎｍ〜４００ｎｍであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の光情報記録担体。 （５）基体上に第１の高融点半金属層、金属情報記録材
    料層、第２の高融点半金属層が順次積層されてなる３層
    構成の光情報記録構成層が形成されてなることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の光情報記録担体。 （６）基体上に第１の０層、　Ｂｉ層、第２の０層が順
    次積層されてなる３層構成の光情報記録構成層が形成さ
    れてなることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
    光情報記録担体。 （７）基体上に第１の高融点半金属層、第１の金属情報
    記録材料層、第２の高融点半金属層、第２の金属情報記
    録材料層、第３の高融点半金属層が順次積層されてなる
    ５層構成の光情報記録構成層が形成されてなることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の光情報記録担体。 （８）基体上に第１の０層、第１のＢ１層、第２００層
    、第２の３１層、第３の０層が順次積層されてなる５層
    構成の光情報記録構成層が形成されてなることを特徴と
    する特許請求の範囲第７項記載の光情報記録担体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100110860A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Brigham Young University Data storage media containing magnesium metal layer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5174632A (ja) * 1974-12-24 1976-06-28 Canon Kk

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