JPS61121991A - 光情報記録坦体 - Google Patents

光情報記録坦体

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JPS61121991A
JPS61121991A JP59243243A JP24324384A JPS61121991A JP S61121991 A JPS61121991 A JP S61121991A JP 59243243 A JP59243243 A JP 59243243A JP 24324384 A JP24324384 A JP 24324384A JP S61121991 A JPS61121991 A JP S61121991A
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JP
Japan
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layer
carbon layer
information recording
optical information
gas
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English (en)
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Toru Mizuhashi
徹 水橋
Koichi Suzuki
巧一 鈴木
Masashi Tada
昌史 多田
Satoru Takagi
悟 高木
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融、分
解あるいは化合等によりガスを発生しバブルを形成させ
情報の記録が行なえるようにされたカーボン層とガス発
生層を有する光情報記録担体の改良に関するものである
「従来の技術及びその問題点」 光情報記録担体は、高速回転する該担体にレーザー光を
照射して、その記録薄膜に情報ピットを記録し、この記
録された情報はレーザ 、−光の照射によって読み取ら
れるものであり、現時記録再生、高速ランダム・アクセ
スが可能である。光情報記録薄膜への情報ピットの形成
方法としては、レーザー光線などの高密度熱エネルギー
を微小なスポットに集束させて光情報記録薄膜に照射し
、かかる薄膜の一部を蒸発、気化、溶融ある一:Qll
は拡散により除去あるいは変形させてピット(小孔)を
形成するヒート・モード記録方式と、物質の光学的特性
、例えば屈折率や反射率を変化させる方式とがある。前
者の方式の光情報記録薄膜としては、レーザー光の照射
時において、かかる薄11りが容易に、かつ効果的に加
熱されて蒸発、気化、溶融などにより除去される様に、
薄膜材料の光の吸収係数が大きく、融点が低く、又、熱
伝導率が小さく、書き込みに要するエネルギーが小さい
こと、読み出し時のS/N比向上向上め1粒界がないか
、あるいは粒径が書き込みビ・ント径に比べて十分率さ
いこと、島状とならず均一な膜が得られること、長期間
の安定性が高いことなどが要求される。かかる各種要求
を満たす光情報記録層として、低融点で高い光吸収率を
有し、熱伝導率が小さいTe被膜ないしTeを主成分と
する被膜が知られているが、このTe系の被膜はその強
い毒性が問題である。これに置き換わる低毒性、低融点
の光情報記録層の材料として、BiやIn、 Snなど
もあるが、薄←確続した均一な膜が得られにくいこと、
あるいは、熱伝導率がTeに比べて大きい等の理由のた
めに良好なビット形状が得られず、S/N比が低いなど
という欠点、酸化され易く、高温高湿下での安定性が低
く耐久性に劣るという欠点、又、機械的な強度が劣ると
いう欠点などがある。これらの欠点を改良する方法とし
て、 Te、 Bi、 In、 Snなど低融点金属膜
をその両側から5i02膜などの酸化物膜で挟んでサン
ドイッチ構造にしたり、Te、 Bi。
In、 Snなどを酸化物と混合したサーメツト膜にし
たりすることが提案されている。しかしながら、いずれ
の改善方法も低融点金属が酸化されやすい故、金属酸化
物ではさんだ場合、低融点金属層が一部酸化されて好ま
しくなく、ビット形状、耐久性の点で不充分であった。
「発明の目的及びその概要」 本発明は、かかる点を改良し、更に一層優れた書き込み
特性と耐久性を有する光情報記録担体を提供することを
目的として研究の結果発明されたものであり、その要旨
は、レーW’−光を照射して蒸発、気化、溶融、分解あ
るいは化合等によって、ガスの発生、または媒体自体の
ガス化を起すガス発生層を、その少なくとも上側から圧
縮応力の入ったカーボン層により被覆し、上記ガス発生
層より発生するガスにより上記カーボン層にバルブが形
成され、情報が記録されるようにしたことを特徴とする
光情報記録担体に関するものである。
「発明の構成」 以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における光情報記録担体の基体lとしては、透過
光読み取りの場合には透明ガラス板、ポリメチルメタク
リレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、
ポリスチレンなどのポリマー、又はこれらの種々変成し
たポリマー、コポリマー、ブレンド物などのシートある
いはフィルムなどが使用され、又、反射光読み取りの場
合には、反射膜コートを施1、、男ニーに記各種基板の
他、アルミ板、アルミ合金板などが使用される。
かかる基体1−Lにはガス発生層2と圧縮応力の入った
カーボン層3からなる光情報記録構成層4が形成されお
り、このガス発生層2の材料としては、光吸収性を有し
、低毒性で200°C〜1000℃の低融点金属、具体
的にはBi、Sn、In、Pb。
Zn、Mg、Ga、Sb、Te、cd、Ag、またはA
Iからなる金属群から選ばれた少なくとも1種からなる
金属もしくは、かかる金属を少なくとも1種以上含む合
金などが使用できる。中でもBi、In、Sn等は、低
毒性、低融点で光吸収性もあり、レーザー光によって容
易に蒸発あるいは溶融し、」―記の金属自身、ビットを
形成すると同時にガスを発生するために、情報記録の書
き込みが容易であるので最適である。さらに、Or、N
i、(:++、Ti。
Zr、及びAIからなる金属群から選ばれた1つの金属
、又は上記金属の少なくとも1つ以」二を含む合金と、
5n02.5i02 、TiO2,MoOx、MnO+
+、FeOxおよびNbOxからなる誘電体とをサーメ
ット化、あるいは−1・a一層と誘電体層とを2層以上
交互に積層することによって形成したものが使用できる
。中でもOr及び5n02からなるサーノ・ント膜は、
無毒で、耐久性にすぐれ、光吸収性もあり、レーザー光
に分解あるいは化合し、ガスを発生するため、情報記録
の書き込みが容易であるので、ガス発生層として最適で
ある。又、ガス発生層としては、金属を分散させたり、
色素を混合し光吸収性を持たせたゼラチン、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース等の高分子化合物もレーザー光
によって容易に分解し、ガスを発生するために、情報記
録の書き込みが容易であるので最適である。本発明にお
いて、上記ガス発生層2をその上側から圧縮応力の入っ
たカーボン層により被覆する。更に好ましくは、かかる
ガス発生層2をその両側から圧縮応力の入ったカーボン
層によりサンドイッチ状に挟み積層化する。カーボン層
は、高融点でありガス発生層の金属が、例えば蒸発ある
いは溶融した際にも、かかる金属との相互作用が少なく
、ガス発生層の」−側を被覆すiとして、あるいはサン
トイフチする層として最適である。このように、ガス発
生層をその少なくとも上側から圧縮応力の入ったカーボ
ン層により被覆することにより、レーザー光を照射して
ガス発生層からガスを発生させた際、ガス発生層により
発生したガスの圧力とカーボン層3に入っている圧縮応
力とがあいまってカーボン層にバブルが形成される。
上記のような構成により、次の点が改善される。
(a)最低書き込みパワーで、バブル形成による光学的
な変化が急に起こること、形が非常に整い、かつ大きさ
のそろったバブルが形成されるため、高いS/N比が得
られる。
(b)カーボン層の厚さを適当な範囲1例えば30〜5
onsとすれば、その反射防止効果により、波長500
〜900nmのレーザー光に対し、光情報記録構成層の
反射率を数%に低減させることができ、吸収−di士8
oz程度に増加し、それによって書き込み感度を大幅に
向上させることができる。さらにバブル形成によって反
射防1ト条件が破れ、バブルの位置で反射が増加すると
いう理由から高いコントラストが得られる。他方、カー
ボン層の厚さを10nm〜200nmとして、レーザー
光吸収の妨げにならない程度に反射を上げておき、レー
ザー光を照射すると、バブル形成により干渉条件が破れ
ると同時に、バブルによってレーザー光が散乱されてし
まうため、バブルからの反射が下り、高いコントラスト
が得られる。また、後者の場合バックグラウンドの反射
をある程度高くとれるため、トラッキング及びフォーカ
シング制御にも有利である。
(c)ガス発生層は、圧縮応力の入ったカーボン層での
バブル形成を促進するという目的から、レーザー光照射
によってガスを発生する材料であればよいため、材料の
選択性が増し、Te等の有毒性の材料をあえ−cflQ
IT]する必要がない。
(d)上記した理由より、耐久性という点からも材料選
択性が広くなり、中でも、Cl0r+SnO?/基体は
、耐久性がよい。
上記した点から上記カーボン層の厚さとしては、10n
m〜200n■の範囲が最適である。
又、カーボン層の圧縮応力の値としては l×1011
〜I X 1ONdyne/cm2c7)範囲が適して
おり、特にI X 109〜l X 101dyne/
cm2が好ましい。
その理由としては、カーボン層の圧縮応力が大きすぎる
場合には、カーボン層とガス発生層との間で剥離が起き
やすくなり耐久性が、悪くなる。また、圧縮応力が小さ
すぎる場合には、バブル形成が、起きにくくなるという
問題が生じる。
カーボン層に発生する圧縮応力は、カーボン層を形成す
るスパッター法、真空蒸着法等の物理的蒸着法(PVD
法)の方法及びカーボン層の被覆形成条件によって異な
る。従って、その方7罠選釈及び条件のコンI・ロール
によって−1−記範囲の圧縮応力が得られるようにする
例えば、グラファイトをターゲットとして、高周波スパ
ッター法によりカーボン層を形成する場合には、そのカ
ーボン層の圧縮応力は、スパッター圧力に依存し、圧力
が高くなるにつれ、圧縮応力は小さくなるので、スパッ
ター圧力をコントロールしてI−記範囲に圧縮応力が得
られるようにする。
本発明においては、光情報記録構成層4の1一層若しく
は下層に、又は基体の光情報記録構成層4の形成された
面と反対面に、反射層、絶縁層、保護層、アンダーコー
ト層、アルカリバリア一層、その他各種機能層を1層、
ないし数層、あるいは組み合わせて形成することもでき
る。例えば、光情報記録担体の書き込み前後の反射率変
化を増加させるために、 カーボン層/ガス発生層/カーボン属/熱絶縁層/反射
層/基体(例えば、カーボン層10rと5n02の複合
層/カーボッ層/熱絶縁層/AI層/ス(祠p の様な5層の層構成を有する光情報記録担体として、光
情報記録構成層側から書き込み、読み出しをすることも
fff能である。又、基体側からの書き込み、読み出し
を行なうために、反射層/熱絶縁層/カーボン層/ガス
発生層/カーボン層/基体(例えば、AI層/熱絶縁層
/カーボン層/Crと5na2の複合層/カーボッ層/
基体) の様な5層の層構成を有する光情報記録担体とすること
もできる。
本発明において、ガス発生層及びカーボン層を基体1−
に形成する方法としては、特に限定されるものではなく
、各種真空蒸着V:、各種スパッタリング法、各種イオ
ンブレーティング法各種CVD法など種々の被膜形成方
法が利用できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1 表面平滑性に優れている円形フロートガラス基体C直径
: 85mm, fr: 2mm)ヲ用M. l,、酸
化セリウムで表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガー
ゼ洗浄し、水道水,蒸留水,エタノールの順で清ぎを充
分に行ない、窒素乾燥させた。
この基体10を第2図に示したスパッター装置ll内の
回転する基体支持部材12に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、ステンレス酸の皿に入れたビスマ
スのターゲット13と、ステンレス酸の冊に入れたカー
ボンのターゲット】4を用いた。各層の形成にあたって
は、まず真空槽15内を10−ITorr台まで排気し
、その後、高純度アルゴンガスを導入し、 3X 10
−3Torrの圧力にコントロールした。BiとCを充
分にプレスバッターした後、基体10を回転させながら
シャッター16を開き、コーテングを開始した。基体l
Oを回転させながら基体」−に第1層としてカーボン層
を形成し、その」二にガス発生層としてのBi層を更に
その」二層になるカーボン層とを順次積層し、合計層数
を3層構成とした。カーボン層とBi層との形成時、各
ターゲットに加えるDC電力/又はRF電力をコントロ
”−)ly シ,カーボン層の厚さは約35〜50nm
 、 Bi層の厚さは約40〜80nmとなるようにし
た。
このようにして作成された第1層のカーボン層の圧縮応
力は約I X 1010dyne/cm2であった。
このようにして得られた3層構成膜(C/Bi/C)の
形成された光情報記録担体の分光特性を81単層膜が同
1−の基体に形成された光情報記録担体のそれと共に第
3図に示す。第3図(A)は−1−記3層構成のBi層
が比較的薄い場合(40nm)であり、第3図(B)は
、かかるBi層が厚い場合(60nm)である。カーボ
ン層の厚みを変えると,その反射率が最小になる波長が
変化する。
したがって、反射率が最小になる位置を用いるレーザー
の波長に合わせれば,レーザー光の吸収を最大80%程
度にすることが”T %である。例えばHe−Me I
y−ザー(833nm )に対しては、C膜厚約35n
m、半導体レーザー( 800nm前後)に対しては約
5On+iの厚みが必要である。第3図(A)、(B)
において、曲線aは上記3層構成の各カーボン層の厚さ
が約17nm(7)ものの反射d斥ト及び透過特性を示
すものであり、曲線すはに記3層構成の各カーボン層の
厚さが約34nmのものの反射特性及び透過特性を示す
ものであり、曲線Cはト記3層構成の各カーボン層の厚
Sが約5inI11のものの反射特性及び透過特性を示
すものであり、曲線dは同」−のフロートガラス基体に
約50nmのBi単層膜を形成したものの反射特性を示
したものである。
第4図には、同」−のガラス基体−にに各種属さのC単
層膜が形成されたものの分光特性を示す。C単層膜は、
可視域に吸収を持ち、長波長側にいくにしたがい、吸収
は低下する。したがって、適当な厚さのC膜は、光吸収
量を高め、感度を向にさせることが認められる。なお、
第4図において5曲線aはカーボン層の厚さが60nm
の場合の反射特性及び透過特性を示し、曲線すはカーボ
ン層の厚さが26nmの場合の反射特性及び透過特性を
示し、曲線Cはカーボン層の厚さが1105nの場合の
反射特性及び透過特性を示す一豐jj 第5図にはC/旧/Cの3層構成膜−1−24に形成さ
れたバブルを示す。照射されたレーザー光は、ガス発生
層20としてのBi層に吸収され、Biを蒸発させガス
を発生させると同時にBi層にピット21を形成する。
このとき、BiとCとの相互作用により、形のよいビッ
トとなる。発生したガスは、最」一層の圧縮応力の入っ
たカーボン層22を押し」−げ、カーボン層上に大きさ
のそろった、非常に形のよいバブル23を作る。
実施例2 表面平滑性に優れている円形フロートガラス基体(直径
: 85mm、板厚: 2mm)を用意し、酸化セリウ
ムで表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し
、水道水、蒸留水、エタノールの順で濯ぎを充分に行な
い、窒素乾燥させた。
この基体10を第2図に示したスパッター装置ll内の
回転する基体支持部材I2に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、SI+02−J−にOrを分散さ
せたのターゲラ1−13と、カーボンのターゲット14
と一〇いた。各1層の形成にあたっては、まず真空槽1
5内を1O−ITart台まで排気し、その後、高純度
アルゴンガスを導入し、 3×1O−3Torrの圧力
にコントロールした。ターゲット13と14とを充分に
プレスバッターした後、基体10を回転させながらシャ
ッター16を開き、コーテングを開始した。基体10を
回転させながら基体上にガス発生層としてCr+5n0
2サ一メツト層を、更にその上層になるカーボン層とを
順次積層応力し、合d層数を2層構成とした。カーボン
層とCr+5n02層との形成時、各ターゲットに加え
るDC電力/又はRF主電力コントロールし、カーボン
層の厚さは約20nm 、 Or+5n02層の厚さは
約200 nmとなるようにした。
このようにして作成されたカーボン層の圧縮応力は約I
 X 10 dyne/cm2 であった。
第6図には、G10r+5n02の2層構成の光情報記
録担体28に形成されたバブル27の様子を示す。照射
されたレーザー光は、ガス発生層25としてのCr+5
n02サーメツト膜に吸収され、分解あるいは化合によ
っ仕?スを発生する。発生したガスは、−(一層の圧縮
応力の入ったカーボン層2Bを押し」−げ、カーボン層
上に大きさのそろった、非常に形のよいバブル27を作
る。
「発明の効果」 以」二のように、本発明は、光吸収性のガス発生層の七
に圧縮応力の入ったカーボン層を被覆した構成をなし、
カーボン層にバブルを形成するものであるので、レーザ
ー光の照射昨の光情報記録構成層の光吸収率が高く、書
き込みに要するエネルギーが小さく、又書き込みが容易
であり、記録ピット形状も良好で、耐久性も優れている
という利点を持っているのは勿論のこと、バブルの形成
は、カーボン層とガスの発生”によってきまるため、材
料の選択の巾が広くなり、あえて有毒な材料を使用する
必要はなくなり、さらに、バブル形成によって、反射防
11−条件からのずれ、バブルによるレーザー光の散乱
等の理由から従来のものより高いコントラストが得られ
るという利点が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る光情報記録担体の横断面を示した
ものであり、’(a)は3層型、(b)は2層型である
。第2図は本発明に係る光情報記録担体を製造するため
の装置の概略図であり、第3図は、実施例1により得ら
れた光情報記録担体の分光特性図であり、第4図はC単
層膜の分光特性図である。また、第5図は実施例1にお
けるバブル形成のようすを示した横断面図であり、第6
図は実施例2におけるバブル形成のようすを示した横断
面図である。 1:基体、  2.20,25 :ガス発生層3.22
.28 :カーボン層  4.24.28:光情報記録
構 成層、21:ピット、23,27:バブル(。)(
b) 第1図 ・ 第 2 図 ト化(〆) 入(、Llm) 第 4 団 第 5 図 第 6 回

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融、分解あ
    るいは反応等によって、ガスの発生を起すガス発生層を
    、その少なくとも上側から圧縮応力の入ったカーボン層
    により被覆し、上記ガス発生層より発生するガスにより
    上記カーボン層にバブルが形成され、情報が記録される
    ようにしたことを特徴とする光情報記録担体。
  2. (2)ガス発生層をその両側から圧縮応力の入ったカー
    ボン層で挟み積層したことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の光情報記録担体。
  3. (3)カーボン層に1×10^8〜1×10^1^1d
    yne/cm^2の圧縮応力が入っていることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の光情報記録担体。
  4. (4)カーボン層の厚さが10nm〜200nmである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光情報記
    録担体。
JP59243243A 1984-11-20 1984-11-20 光情報記録坦体 Pending JPS61121991A (ja)

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