JPS61121991A - 光情報記録坦体 - Google Patents
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- JPS61121991A JPS61121991A JP59243243A JP24324384A JPS61121991A JP S61121991 A JPS61121991 A JP S61121991A JP 59243243 A JP59243243 A JP 59243243A JP 24324384 A JP24324384 A JP 24324384A JP S61121991 A JPS61121991 A JP S61121991A
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- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融、分
解あるいは化合等によりガスを発生しバブルを形成させ
情報の記録が行なえるようにされたカーボン層とガス発
生層を有する光情報記録担体の改良に関するものである
。
解あるいは化合等によりガスを発生しバブルを形成させ
情報の記録が行なえるようにされたカーボン層とガス発
生層を有する光情報記録担体の改良に関するものである
。
「従来の技術及びその問題点」
光情報記録担体は、高速回転する該担体にレーザー光を
照射して、その記録薄膜に情報ピットを記録し、この記
録された情報はレーザ 、−光の照射によって読み取ら
れるものであり、現時記録再生、高速ランダム・アクセ
スが可能である。光情報記録薄膜への情報ピットの形成
方法としては、レーザー光線などの高密度熱エネルギー
を微小なスポットに集束させて光情報記録薄膜に照射し
、かかる薄膜の一部を蒸発、気化、溶融ある一:Qll
は拡散により除去あるいは変形させてピット(小孔)を
形成するヒート・モード記録方式と、物質の光学的特性
、例えば屈折率や反射率を変化させる方式とがある。前
者の方式の光情報記録薄膜としては、レーザー光の照射
時において、かかる薄11りが容易に、かつ効果的に加
熱されて蒸発、気化、溶融などにより除去される様に、
薄膜材料の光の吸収係数が大きく、融点が低く、又、熱
伝導率が小さく、書き込みに要するエネルギーが小さい
こと、読み出し時のS/N比向上向上め1粒界がないか
、あるいは粒径が書き込みビ・ント径に比べて十分率さ
いこと、島状とならず均一な膜が得られること、長期間
の安定性が高いことなどが要求される。かかる各種要求
を満たす光情報記録層として、低融点で高い光吸収率を
有し、熱伝導率が小さいTe被膜ないしTeを主成分と
する被膜が知られているが、このTe系の被膜はその強
い毒性が問題である。これに置き換わる低毒性、低融点
の光情報記録層の材料として、BiやIn、 Snなど
もあるが、薄←確続した均一な膜が得られにくいこと、
あるいは、熱伝導率がTeに比べて大きい等の理由のた
めに良好なビット形状が得られず、S/N比が低いなど
という欠点、酸化され易く、高温高湿下での安定性が低
く耐久性に劣るという欠点、又、機械的な強度が劣ると
いう欠点などがある。これらの欠点を改良する方法とし
て、 Te、 Bi、 In、 Snなど低融点金属膜
をその両側から5i02膜などの酸化物膜で挟んでサン
ドイッチ構造にしたり、Te、 Bi。
照射して、その記録薄膜に情報ピットを記録し、この記
録された情報はレーザ 、−光の照射によって読み取ら
れるものであり、現時記録再生、高速ランダム・アクセ
スが可能である。光情報記録薄膜への情報ピットの形成
方法としては、レーザー光線などの高密度熱エネルギー
を微小なスポットに集束させて光情報記録薄膜に照射し
、かかる薄膜の一部を蒸発、気化、溶融ある一:Qll
は拡散により除去あるいは変形させてピット(小孔)を
形成するヒート・モード記録方式と、物質の光学的特性
、例えば屈折率や反射率を変化させる方式とがある。前
者の方式の光情報記録薄膜としては、レーザー光の照射
時において、かかる薄11りが容易に、かつ効果的に加
熱されて蒸発、気化、溶融などにより除去される様に、
薄膜材料の光の吸収係数が大きく、融点が低く、又、熱
伝導率が小さく、書き込みに要するエネルギーが小さい
こと、読み出し時のS/N比向上向上め1粒界がないか
、あるいは粒径が書き込みビ・ント径に比べて十分率さ
いこと、島状とならず均一な膜が得られること、長期間
の安定性が高いことなどが要求される。かかる各種要求
を満たす光情報記録層として、低融点で高い光吸収率を
有し、熱伝導率が小さいTe被膜ないしTeを主成分と
する被膜が知られているが、このTe系の被膜はその強
い毒性が問題である。これに置き換わる低毒性、低融点
の光情報記録層の材料として、BiやIn、 Snなど
もあるが、薄←確続した均一な膜が得られにくいこと、
あるいは、熱伝導率がTeに比べて大きい等の理由のた
めに良好なビット形状が得られず、S/N比が低いなど
という欠点、酸化され易く、高温高湿下での安定性が低
く耐久性に劣るという欠点、又、機械的な強度が劣ると
いう欠点などがある。これらの欠点を改良する方法とし
て、 Te、 Bi、 In、 Snなど低融点金属膜
をその両側から5i02膜などの酸化物膜で挟んでサン
ドイッチ構造にしたり、Te、 Bi。
In、 Snなどを酸化物と混合したサーメツト膜にし
たりすることが提案されている。しかしながら、いずれ
の改善方法も低融点金属が酸化されやすい故、金属酸化
物ではさんだ場合、低融点金属層が一部酸化されて好ま
しくなく、ビット形状、耐久性の点で不充分であった。
たりすることが提案されている。しかしながら、いずれ
の改善方法も低融点金属が酸化されやすい故、金属酸化
物ではさんだ場合、低融点金属層が一部酸化されて好ま
しくなく、ビット形状、耐久性の点で不充分であった。
「発明の目的及びその概要」
本発明は、かかる点を改良し、更に一層優れた書き込み
特性と耐久性を有する光情報記録担体を提供することを
目的として研究の結果発明されたものであり、その要旨
は、レーW’−光を照射して蒸発、気化、溶融、分解あ
るいは化合等によって、ガスの発生、または媒体自体の
ガス化を起すガス発生層を、その少なくとも上側から圧
縮応力の入ったカーボン層により被覆し、上記ガス発生
層より発生するガスにより上記カーボン層にバルブが形
成され、情報が記録されるようにしたことを特徴とする
光情報記録担体に関するものである。
特性と耐久性を有する光情報記録担体を提供することを
目的として研究の結果発明されたものであり、その要旨
は、レーW’−光を照射して蒸発、気化、溶融、分解あ
るいは化合等によって、ガスの発生、または媒体自体の
ガス化を起すガス発生層を、その少なくとも上側から圧
縮応力の入ったカーボン層により被覆し、上記ガス発生
層より発生するガスにより上記カーボン層にバルブが形
成され、情報が記録されるようにしたことを特徴とする
光情報記録担体に関するものである。
「発明の構成」
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における光情報記録担体の基体lとしては、透過
光読み取りの場合には透明ガラス板、ポリメチルメタク
リレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、
ポリスチレンなどのポリマー、又はこれらの種々変成し
たポリマー、コポリマー、ブレンド物などのシートある
いはフィルムなどが使用され、又、反射光読み取りの場
合には、反射膜コートを施1、、男ニーに記各種基板の
他、アルミ板、アルミ合金板などが使用される。
光読み取りの場合には透明ガラス板、ポリメチルメタク
リレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、
ポリスチレンなどのポリマー、又はこれらの種々変成し
たポリマー、コポリマー、ブレンド物などのシートある
いはフィルムなどが使用され、又、反射光読み取りの場
合には、反射膜コートを施1、、男ニーに記各種基板の
他、アルミ板、アルミ合金板などが使用される。
かかる基体1−Lにはガス発生層2と圧縮応力の入った
カーボン層3からなる光情報記録構成層4が形成されお
り、このガス発生層2の材料としては、光吸収性を有し
、低毒性で200°C〜1000℃の低融点金属、具体
的にはBi、Sn、In、Pb。
カーボン層3からなる光情報記録構成層4が形成されお
り、このガス発生層2の材料としては、光吸収性を有し
、低毒性で200°C〜1000℃の低融点金属、具体
的にはBi、Sn、In、Pb。
Zn、Mg、Ga、Sb、Te、cd、Ag、またはA
Iからなる金属群から選ばれた少なくとも1種からなる
金属もしくは、かかる金属を少なくとも1種以上含む合
金などが使用できる。中でもBi、In、Sn等は、低
毒性、低融点で光吸収性もあり、レーザー光によって容
易に蒸発あるいは溶融し、」―記の金属自身、ビットを
形成すると同時にガスを発生するために、情報記録の書
き込みが容易であるので最適である。さらに、Or、N
i、(:++、Ti。
Iからなる金属群から選ばれた少なくとも1種からなる
金属もしくは、かかる金属を少なくとも1種以上含む合
金などが使用できる。中でもBi、In、Sn等は、低
毒性、低融点で光吸収性もあり、レーザー光によって容
易に蒸発あるいは溶融し、」―記の金属自身、ビットを
形成すると同時にガスを発生するために、情報記録の書
き込みが容易であるので最適である。さらに、Or、N
i、(:++、Ti。
Zr、及びAIからなる金属群から選ばれた1つの金属
、又は上記金属の少なくとも1つ以」二を含む合金と、
5n02.5i02 、TiO2,MoOx、MnO+
+、FeOxおよびNbOxからなる誘電体とをサーメ
ット化、あるいは−1・a一層と誘電体層とを2層以上
交互に積層することによって形成したものが使用できる
。中でもOr及び5n02からなるサーノ・ント膜は、
無毒で、耐久性にすぐれ、光吸収性もあり、レーザー光
に分解あるいは化合し、ガスを発生するため、情報記録
の書き込みが容易であるので、ガス発生層として最適で
ある。又、ガス発生層としては、金属を分散させたり、
色素を混合し光吸収性を持たせたゼラチン、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース等の高分子化合物もレーザー光
によって容易に分解し、ガスを発生するために、情報記
録の書き込みが容易であるので最適である。本発明にお
いて、上記ガス発生層2をその上側から圧縮応力の入っ
たカーボン層により被覆する。更に好ましくは、かかる
ガス発生層2をその両側から圧縮応力の入ったカーボン
層によりサンドイッチ状に挟み積層化する。カーボン層
は、高融点でありガス発生層の金属が、例えば蒸発ある
いは溶融した際にも、かかる金属との相互作用が少なく
、ガス発生層の」−側を被覆すiとして、あるいはサン
トイフチする層として最適である。このように、ガス発
生層をその少なくとも上側から圧縮応力の入ったカーボ
ン層により被覆することにより、レーザー光を照射して
ガス発生層からガスを発生させた際、ガス発生層により
発生したガスの圧力とカーボン層3に入っている圧縮応
力とがあいまってカーボン層にバブルが形成される。
、又は上記金属の少なくとも1つ以」二を含む合金と、
5n02.5i02 、TiO2,MoOx、MnO+
+、FeOxおよびNbOxからなる誘電体とをサーメ
ット化、あるいは−1・a一層と誘電体層とを2層以上
交互に積層することによって形成したものが使用できる
。中でもOr及び5n02からなるサーノ・ント膜は、
無毒で、耐久性にすぐれ、光吸収性もあり、レーザー光
に分解あるいは化合し、ガスを発生するため、情報記録
の書き込みが容易であるので、ガス発生層として最適で
ある。又、ガス発生層としては、金属を分散させたり、
色素を混合し光吸収性を持たせたゼラチン、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース等の高分子化合物もレーザー光
によって容易に分解し、ガスを発生するために、情報記
録の書き込みが容易であるので最適である。本発明にお
いて、上記ガス発生層2をその上側から圧縮応力の入っ
たカーボン層により被覆する。更に好ましくは、かかる
ガス発生層2をその両側から圧縮応力の入ったカーボン
層によりサンドイッチ状に挟み積層化する。カーボン層
は、高融点でありガス発生層の金属が、例えば蒸発ある
いは溶融した際にも、かかる金属との相互作用が少なく
、ガス発生層の」−側を被覆すiとして、あるいはサン
トイフチする層として最適である。このように、ガス発
生層をその少なくとも上側から圧縮応力の入ったカーボ
ン層により被覆することにより、レーザー光を照射して
ガス発生層からガスを発生させた際、ガス発生層により
発生したガスの圧力とカーボン層3に入っている圧縮応
力とがあいまってカーボン層にバブルが形成される。
上記のような構成により、次の点が改善される。
(a)最低書き込みパワーで、バブル形成による光学的
な変化が急に起こること、形が非常に整い、かつ大きさ
のそろったバブルが形成されるため、高いS/N比が得
られる。
な変化が急に起こること、形が非常に整い、かつ大きさ
のそろったバブルが形成されるため、高いS/N比が得
られる。
(b)カーボン層の厚さを適当な範囲1例えば30〜5
onsとすれば、その反射防止効果により、波長500
〜900nmのレーザー光に対し、光情報記録構成層の
反射率を数%に低減させることができ、吸収−di士8
oz程度に増加し、それによって書き込み感度を大幅に
向上させることができる。さらにバブル形成によって反
射防1ト条件が破れ、バブルの位置で反射が増加すると
いう理由から高いコントラストが得られる。他方、カー
ボン層の厚さを10nm〜200nmとして、レーザー
光吸収の妨げにならない程度に反射を上げておき、レー
ザー光を照射すると、バブル形成により干渉条件が破れ
ると同時に、バブルによってレーザー光が散乱されてし
まうため、バブルからの反射が下り、高いコントラスト
が得られる。また、後者の場合バックグラウンドの反射
をある程度高くとれるため、トラッキング及びフォーカ
シング制御にも有利である。
onsとすれば、その反射防止効果により、波長500
〜900nmのレーザー光に対し、光情報記録構成層の
反射率を数%に低減させることができ、吸収−di士8
oz程度に増加し、それによって書き込み感度を大幅に
向上させることができる。さらにバブル形成によって反
射防1ト条件が破れ、バブルの位置で反射が増加すると
いう理由から高いコントラストが得られる。他方、カー
ボン層の厚さを10nm〜200nmとして、レーザー
光吸収の妨げにならない程度に反射を上げておき、レー
ザー光を照射すると、バブル形成により干渉条件が破れ
ると同時に、バブルによってレーザー光が散乱されてし
まうため、バブルからの反射が下り、高いコントラスト
が得られる。また、後者の場合バックグラウンドの反射
をある程度高くとれるため、トラッキング及びフォーカ
シング制御にも有利である。
(c)ガス発生層は、圧縮応力の入ったカーボン層での
バブル形成を促進するという目的から、レーザー光照射
によってガスを発生する材料であればよいため、材料の
選択性が増し、Te等の有毒性の材料をあえ−cflQ
IT]する必要がない。
バブル形成を促進するという目的から、レーザー光照射
によってガスを発生する材料であればよいため、材料の
選択性が増し、Te等の有毒性の材料をあえ−cflQ
IT]する必要がない。
(d)上記した理由より、耐久性という点からも材料選
択性が広くなり、中でも、Cl0r+SnO?/基体は
、耐久性がよい。
択性が広くなり、中でも、Cl0r+SnO?/基体は
、耐久性がよい。
上記した点から上記カーボン層の厚さとしては、10n
m〜200n■の範囲が最適である。
m〜200n■の範囲が最適である。
又、カーボン層の圧縮応力の値としては l×1011
〜I X 1ONdyne/cm2c7)範囲が適して
おり、特にI X 109〜l X 101dyne/
cm2が好ましい。
〜I X 1ONdyne/cm2c7)範囲が適して
おり、特にI X 109〜l X 101dyne/
cm2が好ましい。
その理由としては、カーボン層の圧縮応力が大きすぎる
場合には、カーボン層とガス発生層との間で剥離が起き
やすくなり耐久性が、悪くなる。また、圧縮応力が小さ
すぎる場合には、バブル形成が、起きにくくなるという
問題が生じる。
場合には、カーボン層とガス発生層との間で剥離が起き
やすくなり耐久性が、悪くなる。また、圧縮応力が小さ
すぎる場合には、バブル形成が、起きにくくなるという
問題が生じる。
カーボン層に発生する圧縮応力は、カーボン層を形成す
るスパッター法、真空蒸着法等の物理的蒸着法(PVD
法)の方法及びカーボン層の被覆形成条件によって異な
る。従って、その方7罠選釈及び条件のコンI・ロール
によって−1−記範囲の圧縮応力が得られるようにする
。
るスパッター法、真空蒸着法等の物理的蒸着法(PVD
法)の方法及びカーボン層の被覆形成条件によって異な
る。従って、その方7罠選釈及び条件のコンI・ロール
によって−1−記範囲の圧縮応力が得られるようにする
。
例えば、グラファイトをターゲットとして、高周波スパ
ッター法によりカーボン層を形成する場合には、そのカ
ーボン層の圧縮応力は、スパッター圧力に依存し、圧力
が高くなるにつれ、圧縮応力は小さくなるので、スパッ
ター圧力をコントロールしてI−記範囲に圧縮応力が得
られるようにする。
ッター法によりカーボン層を形成する場合には、そのカ
ーボン層の圧縮応力は、スパッター圧力に依存し、圧力
が高くなるにつれ、圧縮応力は小さくなるので、スパッ
ター圧力をコントロールしてI−記範囲に圧縮応力が得
られるようにする。
本発明においては、光情報記録構成層4の1一層若しく
は下層に、又は基体の光情報記録構成層4の形成された
面と反対面に、反射層、絶縁層、保護層、アンダーコー
ト層、アルカリバリア一層、その他各種機能層を1層、
ないし数層、あるいは組み合わせて形成することもでき
る。例えば、光情報記録担体の書き込み前後の反射率変
化を増加させるために、 カーボン層/ガス発生層/カーボン属/熱絶縁層/反射
層/基体(例えば、カーボン層10rと5n02の複合
層/カーボッ層/熱絶縁層/AI層/ス(祠p の様な5層の層構成を有する光情報記録担体として、光
情報記録構成層側から書き込み、読み出しをすることも
fff能である。又、基体側からの書き込み、読み出し
を行なうために、反射層/熱絶縁層/カーボン層/ガス
発生層/カーボン層/基体(例えば、AI層/熱絶縁層
/カーボン層/Crと5na2の複合層/カーボッ層/
基体) の様な5層の層構成を有する光情報記録担体とすること
もできる。
は下層に、又は基体の光情報記録構成層4の形成された
面と反対面に、反射層、絶縁層、保護層、アンダーコー
ト層、アルカリバリア一層、その他各種機能層を1層、
ないし数層、あるいは組み合わせて形成することもでき
る。例えば、光情報記録担体の書き込み前後の反射率変
化を増加させるために、 カーボン層/ガス発生層/カーボン属/熱絶縁層/反射
層/基体(例えば、カーボン層10rと5n02の複合
層/カーボッ層/熱絶縁層/AI層/ス(祠p の様な5層の層構成を有する光情報記録担体として、光
情報記録構成層側から書き込み、読み出しをすることも
fff能である。又、基体側からの書き込み、読み出し
を行なうために、反射層/熱絶縁層/カーボン層/ガス
発生層/カーボン層/基体(例えば、AI層/熱絶縁層
/カーボン層/Crと5na2の複合層/カーボッ層/
基体) の様な5層の層構成を有する光情報記録担体とすること
もできる。
本発明において、ガス発生層及びカーボン層を基体1−
に形成する方法としては、特に限定されるものではなく
、各種真空蒸着V:、各種スパッタリング法、各種イオ
ンブレーティング法各種CVD法など種々の被膜形成方
法が利用できる。
に形成する方法としては、特に限定されるものではなく
、各種真空蒸着V:、各種スパッタリング法、各種イオ
ンブレーティング法各種CVD法など種々の被膜形成方
法が利用できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1
表面平滑性に優れている円形フロートガラス基体C直径
: 85mm, fr: 2mm)ヲ用M. l,、酸
化セリウムで表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガー
ゼ洗浄し、水道水,蒸留水,エタノールの順で清ぎを充
分に行ない、窒素乾燥させた。
: 85mm, fr: 2mm)ヲ用M. l,、酸
化セリウムで表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガー
ゼ洗浄し、水道水,蒸留水,エタノールの順で清ぎを充
分に行ない、窒素乾燥させた。
この基体10を第2図に示したスパッター装置ll内の
回転する基体支持部材12に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、ステンレス酸の皿に入れたビスマ
スのターゲット13と、ステンレス酸の冊に入れたカー
ボンのターゲット】4を用いた。各層の形成にあたって
は、まず真空槽15内を10−ITorr台まで排気し
、その後、高純度アルゴンガスを導入し、 3X 10
−3Torrの圧力にコントロールした。BiとCを充
分にプレスバッターした後、基体10を回転させながら
シャッター16を開き、コーテングを開始した。基体l
Oを回転させながら基体」−に第1層としてカーボン層
を形成し、その」二にガス発生層としてのBi層を更に
その」二層になるカーボン層とを順次積層し、合計層数
を3層構成とした。カーボン層とBi層との形成時、各
ターゲットに加えるDC電力/又はRF電力をコントロ
”−)ly シ,カーボン層の厚さは約35〜50nm
、 Bi層の厚さは約40〜80nmとなるようにし
た。
回転する基体支持部材12に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、ステンレス酸の皿に入れたビスマ
スのターゲット13と、ステンレス酸の冊に入れたカー
ボンのターゲット】4を用いた。各層の形成にあたって
は、まず真空槽15内を10−ITorr台まで排気し
、その後、高純度アルゴンガスを導入し、 3X 10
−3Torrの圧力にコントロールした。BiとCを充
分にプレスバッターした後、基体10を回転させながら
シャッター16を開き、コーテングを開始した。基体l
Oを回転させながら基体」−に第1層としてカーボン層
を形成し、その」二にガス発生層としてのBi層を更に
その」二層になるカーボン層とを順次積層し、合計層数
を3層構成とした。カーボン層とBi層との形成時、各
ターゲットに加えるDC電力/又はRF電力をコントロ
”−)ly シ,カーボン層の厚さは約35〜50nm
、 Bi層の厚さは約40〜80nmとなるようにし
た。
このようにして作成された第1層のカーボン層の圧縮応
力は約I X 1010dyne/cm2であった。
力は約I X 1010dyne/cm2であった。
このようにして得られた3層構成膜(C/Bi/C)の
形成された光情報記録担体の分光特性を81単層膜が同
1−の基体に形成された光情報記録担体のそれと共に第
3図に示す。第3図(A)は−1−記3層構成のBi層
が比較的薄い場合(40nm)であり、第3図(B)は
、かかるBi層が厚い場合(60nm)である。カーボ
ン層の厚みを変えると,その反射率が最小になる波長が
変化する。
形成された光情報記録担体の分光特性を81単層膜が同
1−の基体に形成された光情報記録担体のそれと共に第
3図に示す。第3図(A)は−1−記3層構成のBi層
が比較的薄い場合(40nm)であり、第3図(B)は
、かかるBi層が厚い場合(60nm)である。カーボ
ン層の厚みを変えると,その反射率が最小になる波長が
変化する。
したがって、反射率が最小になる位置を用いるレーザー
の波長に合わせれば,レーザー光の吸収を最大80%程
度にすることが”T %である。例えばHe−Me I
y−ザー(833nm )に対しては、C膜厚約35n
m、半導体レーザー( 800nm前後)に対しては約
5On+iの厚みが必要である。第3図(A)、(B)
において、曲線aは上記3層構成の各カーボン層の厚さ
が約17nm(7)ものの反射d斥ト及び透過特性を示
すものであり、曲線すはに記3層構成の各カーボン層の
厚さが約34nmのものの反射特性及び透過特性を示す
ものであり、曲線Cはト記3層構成の各カーボン層の厚
Sが約5inI11のものの反射特性及び透過特性を示
すものであり、曲線dは同」−のフロートガラス基体に
約50nmのBi単層膜を形成したものの反射特性を示
したものである。
の波長に合わせれば,レーザー光の吸収を最大80%程
度にすることが”T %である。例えばHe−Me I
y−ザー(833nm )に対しては、C膜厚約35n
m、半導体レーザー( 800nm前後)に対しては約
5On+iの厚みが必要である。第3図(A)、(B)
において、曲線aは上記3層構成の各カーボン層の厚さ
が約17nm(7)ものの反射d斥ト及び透過特性を示
すものであり、曲線すはに記3層構成の各カーボン層の
厚さが約34nmのものの反射特性及び透過特性を示す
ものであり、曲線Cはト記3層構成の各カーボン層の厚
Sが約5inI11のものの反射特性及び透過特性を示
すものであり、曲線dは同」−のフロートガラス基体に
約50nmのBi単層膜を形成したものの反射特性を示
したものである。
第4図には、同」−のガラス基体−にに各種属さのC単
層膜が形成されたものの分光特性を示す。C単層膜は、
可視域に吸収を持ち、長波長側にいくにしたがい、吸収
は低下する。したがって、適当な厚さのC膜は、光吸収
量を高め、感度を向にさせることが認められる。なお、
第4図において5曲線aはカーボン層の厚さが60nm
の場合の反射特性及び透過特性を示し、曲線すはカーボ
ン層の厚さが26nmの場合の反射特性及び透過特性を
示し、曲線Cはカーボン層の厚さが1105nの場合の
反射特性及び透過特性を示す一豐jj 第5図にはC/旧/Cの3層構成膜−1−24に形成さ
れたバブルを示す。照射されたレーザー光は、ガス発生
層20としてのBi層に吸収され、Biを蒸発させガス
を発生させると同時にBi層にピット21を形成する。
層膜が形成されたものの分光特性を示す。C単層膜は、
可視域に吸収を持ち、長波長側にいくにしたがい、吸収
は低下する。したがって、適当な厚さのC膜は、光吸収
量を高め、感度を向にさせることが認められる。なお、
第4図において5曲線aはカーボン層の厚さが60nm
の場合の反射特性及び透過特性を示し、曲線すはカーボ
ン層の厚さが26nmの場合の反射特性及び透過特性を
示し、曲線Cはカーボン層の厚さが1105nの場合の
反射特性及び透過特性を示す一豐jj 第5図にはC/旧/Cの3層構成膜−1−24に形成さ
れたバブルを示す。照射されたレーザー光は、ガス発生
層20としてのBi層に吸収され、Biを蒸発させガス
を発生させると同時にBi層にピット21を形成する。
このとき、BiとCとの相互作用により、形のよいビッ
トとなる。発生したガスは、最」一層の圧縮応力の入っ
たカーボン層22を押し」−げ、カーボン層上に大きさ
のそろった、非常に形のよいバブル23を作る。
トとなる。発生したガスは、最」一層の圧縮応力の入っ
たカーボン層22を押し」−げ、カーボン層上に大きさ
のそろった、非常に形のよいバブル23を作る。
実施例2
表面平滑性に優れている円形フロートガラス基体(直径
: 85mm、板厚: 2mm)を用意し、酸化セリウ
ムで表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し
、水道水、蒸留水、エタノールの順で濯ぎを充分に行な
い、窒素乾燥させた。
: 85mm、板厚: 2mm)を用意し、酸化セリウ
ムで表面を研摩した後、市販の中性洗剤でガーゼ洗浄し
、水道水、蒸留水、エタノールの順で濯ぎを充分に行な
い、窒素乾燥させた。
この基体10を第2図に示したスパッター装置ll内の
回転する基体支持部材I2に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、SI+02−J−にOrを分散さ
せたのターゲラ1−13と、カーボンのターゲット14
と一〇いた。各1層の形成にあたっては、まず真空槽1
5内を1O−ITart台まで排気し、その後、高純度
アルゴンガスを導入し、 3×1O−3Torrの圧力
にコントロールした。ターゲット13と14とを充分に
プレスバッターした後、基体10を回転させながらシャ
ッター16を開き、コーテングを開始した。基体10を
回転させながら基体上にガス発生層としてCr+5n0
2サ一メツト層を、更にその上層になるカーボン層とを
順次積層応力し、合d層数を2層構成とした。カーボン
層とCr+5n02層との形成時、各ターゲットに加え
るDC電力/又はRF主電力コントロールし、カーボン
層の厚さは約20nm 、 Or+5n02層の厚さは
約200 nmとなるようにした。
回転する基体支持部材I2に取り付けた。スパッター・
ターゲットとしては、SI+02−J−にOrを分散さ
せたのターゲラ1−13と、カーボンのターゲット14
と一〇いた。各1層の形成にあたっては、まず真空槽1
5内を1O−ITart台まで排気し、その後、高純度
アルゴンガスを導入し、 3×1O−3Torrの圧力
にコントロールした。ターゲット13と14とを充分に
プレスバッターした後、基体10を回転させながらシャ
ッター16を開き、コーテングを開始した。基体10を
回転させながら基体上にガス発生層としてCr+5n0
2サ一メツト層を、更にその上層になるカーボン層とを
順次積層応力し、合d層数を2層構成とした。カーボン
層とCr+5n02層との形成時、各ターゲットに加え
るDC電力/又はRF主電力コントロールし、カーボン
層の厚さは約20nm 、 Or+5n02層の厚さは
約200 nmとなるようにした。
このようにして作成されたカーボン層の圧縮応力は約I
X 10 dyne/cm2 であった。
X 10 dyne/cm2 であった。
第6図には、G10r+5n02の2層構成の光情報記
録担体28に形成されたバブル27の様子を示す。照射
されたレーザー光は、ガス発生層25としてのCr+5
n02サーメツト膜に吸収され、分解あるいは化合によ
っ仕?スを発生する。発生したガスは、−(一層の圧縮
応力の入ったカーボン層2Bを押し」−げ、カーボン層
上に大きさのそろった、非常に形のよいバブル27を作
る。
録担体28に形成されたバブル27の様子を示す。照射
されたレーザー光は、ガス発生層25としてのCr+5
n02サーメツト膜に吸収され、分解あるいは化合によ
っ仕?スを発生する。発生したガスは、−(一層の圧縮
応力の入ったカーボン層2Bを押し」−げ、カーボン層
上に大きさのそろった、非常に形のよいバブル27を作
る。
「発明の効果」
以」二のように、本発明は、光吸収性のガス発生層の七
に圧縮応力の入ったカーボン層を被覆した構成をなし、
カーボン層にバブルを形成するものであるので、レーザ
ー光の照射昨の光情報記録構成層の光吸収率が高く、書
き込みに要するエネルギーが小さく、又書き込みが容易
であり、記録ピット形状も良好で、耐久性も優れている
という利点を持っているのは勿論のこと、バブルの形成
は、カーボン層とガスの発生”によってきまるため、材
料の選択の巾が広くなり、あえて有毒な材料を使用する
必要はなくなり、さらに、バブル形成によって、反射防
11−条件からのずれ、バブルによるレーザー光の散乱
等の理由から従来のものより高いコントラストが得られ
るという利点が発揮される。
に圧縮応力の入ったカーボン層を被覆した構成をなし、
カーボン層にバブルを形成するものであるので、レーザ
ー光の照射昨の光情報記録構成層の光吸収率が高く、書
き込みに要するエネルギーが小さく、又書き込みが容易
であり、記録ピット形状も良好で、耐久性も優れている
という利点を持っているのは勿論のこと、バブルの形成
は、カーボン層とガスの発生”によってきまるため、材
料の選択の巾が広くなり、あえて有毒な材料を使用する
必要はなくなり、さらに、バブル形成によって、反射防
11−条件からのずれ、バブルによるレーザー光の散乱
等の理由から従来のものより高いコントラストが得られ
るという利点が発揮される。
第1図は本発明に係る光情報記録担体の横断面を示した
ものであり、’(a)は3層型、(b)は2層型である
。第2図は本発明に係る光情報記録担体を製造するため
の装置の概略図であり、第3図は、実施例1により得ら
れた光情報記録担体の分光特性図であり、第4図はC単
層膜の分光特性図である。また、第5図は実施例1にお
けるバブル形成のようすを示した横断面図であり、第6
図は実施例2におけるバブル形成のようすを示した横断
面図である。 1:基体、 2.20,25 :ガス発生層3.22
.28 :カーボン層 4.24.28:光情報記録
構 成層、21:ピット、23,27:バブル(。)(
b) 第1図 ・ 第 2 図 ト化(〆) 入(、Llm) 第 4 団 第 5 図 第 6 回
ものであり、’(a)は3層型、(b)は2層型である
。第2図は本発明に係る光情報記録担体を製造するため
の装置の概略図であり、第3図は、実施例1により得ら
れた光情報記録担体の分光特性図であり、第4図はC単
層膜の分光特性図である。また、第5図は実施例1にお
けるバブル形成のようすを示した横断面図であり、第6
図は実施例2におけるバブル形成のようすを示した横断
面図である。 1:基体、 2.20,25 :ガス発生層3.22
.28 :カーボン層 4.24.28:光情報記録
構 成層、21:ピット、23,27:バブル(。)(
b) 第1図 ・ 第 2 図 ト化(〆) 入(、Llm) 第 4 団 第 5 図 第 6 回
Claims (4)
- (1)レーザー光を照射して蒸発、気化、溶融、分解あ
るいは反応等によって、ガスの発生を起すガス発生層を
、その少なくとも上側から圧縮応力の入ったカーボン層
により被覆し、上記ガス発生層より発生するガスにより
上記カーボン層にバブルが形成され、情報が記録される
ようにしたことを特徴とする光情報記録担体。 - (2)ガス発生層をその両側から圧縮応力の入ったカー
ボン層で挟み積層したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の光情報記録担体。 - (3)カーボン層に1×10^8〜1×10^1^1d
yne/cm^2の圧縮応力が入っていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の光情報記録担体。 - (4)カーボン層の厚さが10nm〜200nmである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光情報記
録担体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59243243A JPS61121991A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 光情報記録坦体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59243243A JPS61121991A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 光情報記録坦体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61121991A true JPS61121991A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17100967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59243243A Pending JPS61121991A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 光情報記録坦体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61121991A (ja) |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59243243A patent/JPS61121991A/ja active Pending
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