JPH0393051A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0393051A JPH0393051A JP1229691A JP22969189A JPH0393051A JP H0393051 A JPH0393051 A JP H0393051A JP 1229691 A JP1229691 A JP 1229691A JP 22969189 A JP22969189 A JP 22969189A JP H0393051 A JPH0393051 A JP H0393051A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザー光の照射によって情報を記録再生、
又は再生のみを行うことができる光情報記録媒体に関す
るものである。
又は再生のみを行うことができる光情報記録媒体に関す
るものである。
(従来の技術及びその課題)
以下に追記型光ディスクの例を用いて、従来の技術及び
その課題を説明する。
その課題を説明する。
従来、レーザー光の照射による非可逆的な特性、或いは
形状変化を利用して情報記録を行う、いわゆる追記型光
情報記録媒体の記録層とj一ては、Te, Biなどの
低融点金属、及びその合金化合物、或いはその分散物が
用いられてきた。しかし、これら追記型光ディスクは、
一般にエアサンドイッチ構造をとるため、直接外部空気
と金属膜表面が接触することとなる。従って、高温多湿
な場所に保存すると、記録膜表面からの不均一な酸化、
或いは腐食が深部まで起こり、反射率低下、及び融点の
上昇による感度の劣化などが起こる原因となった。
形状変化を利用して情報記録を行う、いわゆる追記型光
情報記録媒体の記録層とj一ては、Te, Biなどの
低融点金属、及びその合金化合物、或いはその分散物が
用いられてきた。しかし、これら追記型光ディスクは、
一般にエアサンドイッチ構造をとるため、直接外部空気
と金属膜表面が接触することとなる。従って、高温多湿
な場所に保存すると、記録膜表面からの不均一な酸化、
或いは腐食が深部まで起こり、反射率低下、及び融点の
上昇による感度の劣化などが起こる原因となった。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは光情報記録媒体において、高温多湿の加速
劣化試験下においても、反射率低下及び感度の劣化がな
く、しかも、でき得る限り簡便に記録媒体を作製する方
法を種々検討した結果、金属記録膜表面に安定な酸化層
を均一に形或することによって、一種の不動態膜を作り
、膜表面の化学的・物理的変化を防止することができる
ことを見い出した。
劣化試験下においても、反射率低下及び感度の劣化がな
く、しかも、でき得る限り簡便に記録媒体を作製する方
法を種々検討した結果、金属記録膜表面に安定な酸化層
を均一に形或することによって、一種の不動態膜を作り
、膜表面の化学的・物理的変化を防止することができる
ことを見い出した。
本発明は、基板上に金属記録層を形或し、レーザー光の
照射によって記録再生又は、再生のみを行う光情報記録
媒体において、記録膜の最表面層がTeの酸化物を主成
分とするもの、又はAIの酸化物を主成分とするものよ
り被覆されてなる(表面被覆層)ことを特徴とする光情
報記録媒体を提供するものである。
照射によって記録再生又は、再生のみを行う光情報記録
媒体において、記録膜の最表面層がTeの酸化物を主成
分とするもの、又はAIの酸化物を主成分とするものよ
り被覆されてなる(表面被覆層)ことを特徴とする光情
報記録媒体を提供するものである。
表面被覆層の具体的作製法としては、
(1)金属記録層を形成後、表面被覆層を酸素雰囲気中
の直流、或いは高周波の反応性スパッタリングにより構
威されてなることを特徴とする。
の直流、或いは高周波の反応性スパッタリングにより構
威されてなることを特徴とする。
(2)金属記録層を形成後、表面被覆層を構成する金属
元素(Te又はAIが主成分)の成膜を行った後、アニ
ール(熱処理)により、表面層を酸化させてなることを
特徴とする。などが適用される。
元素(Te又はAIが主成分)の成膜を行った後、アニ
ール(熱処理)により、表面層を酸化させてなることを
特徴とする。などが適用される。
金属記録層を形成する記録材料としては、追記型光情報
記録媒体の場合、Te系の合金薄膜が好ましく、Se,
Ti, Ag, Cr, AI, As, Sb.
In, Pb、Ga, Ge及びCuからなる群より選
ばれた元素の内、少なくとも一種以上を含む薄膜でも良
い。また、この層は二層以上の記録層で形威されてもよ
い。再生専用光情報記録媒体、或いは書換え可能型光情
報記録媒体の反射膜としては、Alを主成分とする薄膜
が好ましい。
記録媒体の場合、Te系の合金薄膜が好ましく、Se,
Ti, Ag, Cr, AI, As, Sb.
In, Pb、Ga, Ge及びCuからなる群より選
ばれた元素の内、少なくとも一種以上を含む薄膜でも良
い。また、この層は二層以上の記録層で形威されてもよ
い。再生専用光情報記録媒体、或いは書換え可能型光情
報記録媒体の反射膜としては、Alを主成分とする薄膜
が好ましい。
表面被覆層を形戒する記録材料としては、追記型光情報
記録媒体の場合、Teの酸化物のみでもよいが、さらに
Se, Ti, Ag, CrSAt As, Sb,
In, Pb, Ga, Ge及びCuからなる群より
選ばれた元素の内、少なくとも一種以上がTeの組或比
に対して、15at%以下の割合で混入しても良い。再
生専用光情報記録媒体、或いは書換え可能型光情報記録
媒体の反射膜としてはAIの酸化物のみでも良いが、T
i, Ag, Cr, As. Sb, In, Pb
. 8i、Ga, Ge及びCuからなる群より選ばれ
た元素の内、少なくとも一種以上が15at%以下の割
合で混入しても良い。
記録媒体の場合、Teの酸化物のみでもよいが、さらに
Se, Ti, Ag, CrSAt As, Sb,
In, Pb, Ga, Ge及びCuからなる群より
選ばれた元素の内、少なくとも一種以上がTeの組或比
に対して、15at%以下の割合で混入しても良い。再
生専用光情報記録媒体、或いは書換え可能型光情報記録
媒体の反射膜としてはAIの酸化物のみでも良いが、T
i, Ag, Cr, As. Sb, In, Pb
. 8i、Ga, Ge及びCuからなる群より選ばれ
た元素の内、少なくとも一種以上が15at%以下の割
合で混入しても良い。
本発明の記録媒体の金属記録層、及び表面被覆層の厚み
は使用用途によって異なるが、良好なC/N比が得られ
、かつ実質的な記録感度を付与するためには、各々の厚
みが10〜IOOOAの範囲にあることが好ましく、特
に金属記録層、及び表面被覆層の膜厚の合計が20〜2
00OAの範囲にあり、がっ表面被覆層の膜厚が10〜
200Aの範囲にあることが望ましい。
は使用用途によって異なるが、良好なC/N比が得られ
、かつ実質的な記録感度を付与するためには、各々の厚
みが10〜IOOOAの範囲にあることが好ましく、特
に金属記録層、及び表面被覆層の膜厚の合計が20〜2
00OAの範囲にあり、がっ表面被覆層の膜厚が10〜
200Aの範囲にあることが望ましい。
表面被覆層の形或法として、酸素雰囲気中の直流、或い
は高周波の反応性スバッタを用いる場合、酸素分圧は全
圧に対して、10〜90%が好ましい。また、アニール
(熱処理)により表面被覆層を形戒する場合、空気中或
いは酸素雰囲気中で60〜100°C,一時間以上のア
ニール条件が好ましい。
は高周波の反応性スバッタを用いる場合、酸素分圧は全
圧に対して、10〜90%が好ましい。また、アニール
(熱処理)により表面被覆層を形戒する場合、空気中或
いは酸素雰囲気中で60〜100°C,一時間以上のア
ニール条件が好ましい。
本発明に用いられる基板材料としては、ガラス、ボリカ
ーボネート、ポリメチルメタアクリレート、アモルファ
スポリオレフイン等が使用できる。形状としてはディス
ク状の他、カード状、及びドラム状の形態をしていても
良い。
ーボネート、ポリメチルメタアクリレート、アモルファ
スポリオレフイン等が使用できる。形状としてはディス
ク状の他、カード状、及びドラム状の形態をしていても
良い。
(実施例)
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
直径130mmからなるボリカーボネート樹脂製のスパ
イラル溝付きフォーマット入り基板に、Te, Se,
Ti, Agの4戒分からなる金属記録層を形威し、
その上にTe単体膜を成膜し、アニールにより膜表面の
みを均一に酸化させた(実施例1)。膜表面のTeの原
子価状態は光電子分光分析(ESCA)により確認した
。表面酸化層実施例(実施例1)と表面に酸化層を形威
しない膜(比較例1)のESCAによる表面Teの原子
価状態の比較結果を図1に示した。表面酸化層実施例(
実施例1)の膜表面層には、均一にTeの酸化層が形戒
されていることがわかった。
イラル溝付きフォーマット入り基板に、Te, Se,
Ti, Agの4戒分からなる金属記録層を形威し、
その上にTe単体膜を成膜し、アニールにより膜表面の
みを均一に酸化させた(実施例1)。膜表面のTeの原
子価状態は光電子分光分析(ESCA)により確認した
。表面酸化層実施例(実施例1)と表面に酸化層を形威
しない膜(比較例1)のESCAによる表面Teの原子
価状態の比較結果を図1に示した。表面酸化層実施例(
実施例1)の膜表面層には、均一にTeの酸化層が形戒
されていることがわかった。
この記録媒体に波長830nmの半導体レーザーを用い
て、周波数3.7MHz duty30%の反復信号を
、回転数を1800rpmとし、半径59mmの位置に
レーザー出力を変化させながら書き込み、0.8mWの
レーザーパワーで読み出して、加速劣化試験前、80’
C100%RH500時間の加速劣化試験後のC/N比
を評価した。表面酸化層実施例(実施例1)と表面に酸
化層を形威しない膜(比較例1)の結果を表一1に示し
た。
て、周波数3.7MHz duty30%の反復信号を
、回転数を1800rpmとし、半径59mmの位置に
レーザー出力を変化させながら書き込み、0.8mWの
レーザーパワーで読み出して、加速劣化試験前、80’
C100%RH500時間の加速劣化試験後のC/N比
を評価した。表面酸化層実施例(実施例1)と表面に酸
化層を形威しない膜(比較例1)の結果を表一1に示し
た。
結果1
表面酸化層実施例(実施例1)の膜は、表面に酸化層を
形威していない従来の光情報記録媒体(比較例1)に比
べて、加速劣化試験後のC/Nの低下が少なく抑えられ
ていることがわかる。
形威していない従来の光情報記録媒体(比較例1)に比
べて、加速劣化試験後のC/Nの低下が少なく抑えられ
ていることがわかる。
実施例2
直径130mmからなるポリカーボネート樹脂製のスパ
イラル溝付きフォーマット入り基板に、Te, Se,
Ti, Agの4戒分からなる金属記録層を形威し、
その上にTe単体膜を酸素雰囲気中の反応性スパッタに
より成膜した(実施例2)。膜表面のTeの原子価状態
はESCAにより確認した。
イラル溝付きフォーマット入り基板に、Te, Se,
Ti, Agの4戒分からなる金属記録層を形威し、
その上にTe単体膜を酸素雰囲気中の反応性スパッタに
より成膜した(実施例2)。膜表面のTeの原子価状態
はESCAにより確認した。
この記録媒体に波長830nmの半導体レーザーを用い
て、周波数3.7MHz duty30%の反復信号を
、回転数を180Orpmとし、半径59mmの位置に
レーザー出力を変化させながら書き込み、0.8mWの
レーザーパワーで読み出して、加速劣化試験前、80°
CIOO%RH500時間の加速劣化試験後のC/N比
を評価した。表面酸化層実施例(実施例2)と表面に酸
化層を形威しない膜(比較例1)の結果を表一1に示し
た。
て、周波数3.7MHz duty30%の反復信号を
、回転数を180Orpmとし、半径59mmの位置に
レーザー出力を変化させながら書き込み、0.8mWの
レーザーパワーで読み出して、加速劣化試験前、80°
CIOO%RH500時間の加速劣化試験後のC/N比
を評価した。表面酸化層実施例(実施例2)と表面に酸
化層を形威しない膜(比較例1)の結果を表一1に示し
た。
結果2
表面酸化層実施例(実施例2)の膜は、表面に酸化層を
形威しない従来の光情報記録媒体(比較例l)に比べて
、加速劣化試験後のC/Hの低下が少なく抑えられてい
ることがわかる。
形威しない従来の光情報記録媒体(比較例l)に比べて
、加速劣化試験後のC/Hの低下が少なく抑えられてい
ることがわかる。
実施例3
ガラス基板上にAlの金属記録層を形或し、アニールに
より膜表面のみを酸化させた(実施例3)。膜表面のA
Iの原子価状態はESCAにより確認した。
より膜表面のみを酸化させた(実施例3)。膜表面のA
Iの原子価状態はESCAにより確認した。
表面酸化層実施例(実施例3)と表面に酸化層を形威し
ない膜(比較例2)を80°C100%RHにおいて加
速劣化試験を行った時の経過時間と反射率の変化率の関
係を図2に示した。
ない膜(比較例2)を80°C100%RHにおいて加
速劣化試験を行った時の経過時間と反射率の変化率の関
係を図2に示した。
結果3
表面酸化層実施例(実施例3)の構造を有する膜は、表
面に酸化層を形威しない従来の光情報記録媒体(比較例
2)に比べて、加速劣化試験後の反射率変化が少なく抑
えられることがわかる。
面に酸化層を形威しない従来の光情報記録媒体(比較例
2)に比べて、加速劣化試験後の反射率変化が少なく抑
えられることがわかる。
(発明の効果)
本発明によれば、簡便な方法で信頼性のより高い光情報
記録媒体を作製することができる。
記録媒体を作製することができる。
第1図は、実施例1と比較例1の光電子分光分析(ES
CA)により測定した膜表面のTeの原子価状態を示す
結合エネルギースペクトル図である。第2図は、実施例
3と比較例2のgo’cioo%RHにおいて加速劣化
試験を行った経過時間と反射率の相対変化率を示してい
る。尚、第1図中Te(0)は金属Teの結合エネルギ
ービーク、Te(IV)は4価のTeの結合エネルギー
ビークを示している。 第1図 実施例1 第2図 ?■ アニール処理(実施例3冫 手続補正書(自発) 平或1年10月//″日 平威1年特許願第229691号 2.発明の名称 光情報記録媒体 3.補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府堺市鉄砲町1番地 図面の第2図 5.補正の内容 (1) 別紙の通り (1)図面(第2図の説明の注釈)「●−アニール処理
(実施例3)」を「●一未処理(比較例2)」に、r口
・・・未処理(比較例2)』を「口・・・アニール処理
(実施例3)Jに訂正。 第2図 ?■ アニール処II(実施例3) !!過時間 (Hr)
CA)により測定した膜表面のTeの原子価状態を示す
結合エネルギースペクトル図である。第2図は、実施例
3と比較例2のgo’cioo%RHにおいて加速劣化
試験を行った経過時間と反射率の相対変化率を示してい
る。尚、第1図中Te(0)は金属Teの結合エネルギ
ービーク、Te(IV)は4価のTeの結合エネルギー
ビークを示している。 第1図 実施例1 第2図 ?■ アニール処理(実施例3冫 手続補正書(自発) 平或1年10月//″日 平威1年特許願第229691号 2.発明の名称 光情報記録媒体 3.補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府堺市鉄砲町1番地 図面の第2図 5.補正の内容 (1) 別紙の通り (1)図面(第2図の説明の注釈)「●−アニール処理
(実施例3)」を「●一未処理(比較例2)」に、r口
・・・未処理(比較例2)』を「口・・・アニール処理
(実施例3)Jに訂正。 第2図 ?■ アニール処II(実施例3) !!過時間 (Hr)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に金属記録層を形成し、レーザー光の照射に
よって、記録再生又は再生のみを行う光情報記録媒体に
おいて、記録膜の最表面層がTeの酸化物を主成分とす
るもの、又はAlの酸化物を主成分とするものより被覆
されてなる(表面被覆層)ことを特徴とする光情報記録
媒体。 2、金属記録層を形成後、表面被覆層を酸素雰囲気中の
直流或いは高周波の反応性スパッタリングにより構成さ
れてなることを特徴とする請求項1記載の光情報記録媒
体。 3、金属記録層を形成後、表面被覆層を構成する金属元
素(Te又はAlが主成分)の成膜を行った後、アニー
ル(熱処理)により、表面層を酸化させてなることを特
徴とする請求項1記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1229691A JPH0393051A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1229691A JPH0393051A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0393051A true JPH0393051A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16896192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1229691A Pending JPH0393051A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0393051A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002263956A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Toden Kogyo Co Ltd | 配管ネジ加工機及び配管ネジ加工方法 |
US8376671B2 (en) | 2007-08-06 | 2013-02-19 | Makino Milling Machine Co., Ltd | Tool holder |
-
1989
- 1989-09-05 JP JP1229691A patent/JPH0393051A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002263956A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Toden Kogyo Co Ltd | 配管ネジ加工機及び配管ネジ加工方法 |
US8376671B2 (en) | 2007-08-06 | 2013-02-19 | Makino Milling Machine Co., Ltd | Tool holder |
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