JPH01184189A - 相変化型光情報記録媒体 - Google Patents
相変化型光情報記録媒体Info
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- JPH01184189A JPH01184189A JP63007955A JP795588A JPH01184189A JP H01184189 A JPH01184189 A JP H01184189A JP 63007955 A JP63007955 A JP 63007955A JP 795588 A JP795588 A JP 795588A JP H01184189 A JPH01184189 A JP H01184189A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、相変化型光情報記録媒体に係り、特に記録
膜として有機色素化合物を含む相変化型光情報記録媒体
に関する。
膜として有機色素化合物を含む相変化型光情報記録媒体
に関する。
［従来の技術および問題点］
光情報記録媒体は、その記録方式から、穴形成方式、相
変化方式、バブル形成方式等が多数提案されている。
変化方式、バブル形成方式等が多数提案されている。
この内、相変化方式によるものとしては、Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ １８．２５４ （１１１７１）
に発表されて以来、特開昭５８−５４３３８号公報に代
表されるカルコゲナイド系材料、Ｔｅを主体としたＴｅ
、、 Ｔｅ−９ｅ、Ｔｅ−０，５ｂ−Ｔｅ 、 Ｔｅ−
９ｅ−Ａｓ、 Ｔｅ−Ｃ，Ｇｅ−Ｔｅ−３ｂ−３ｎ、５
ｎ−Ｔｅ−３ｅ系等の無機金属からなる記録層を有する
ものが提案されている。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ １８．２５４ （１１１７１）
に発表されて以来、特開昭５８−５４３３８号公報に代
表されるカルコゲナイド系材料、Ｔｅを主体としたＴｅ
、、 Ｔｅ−９ｅ、Ｔｅ−０，５ｂ−Ｔｅ 、 Ｔｅ−
９ｅ−Ａｓ、 Ｔｅ−Ｃ，Ｇｅ−Ｔｅ−３ｂ−３ｎ、５
ｎ−Ｔｅ−３ｅ系等の無機金属からなる記録層を有する
ものが提案されている。
ところで、記録層として有機色素を有する光情報記録は
、有機色素が光吸収性に広い選択の余地があり、光吸収
率が大きく、また熱伝導率が小さいとともに毒性が低い
ことから、近年、大いに期待されるようになっている。
、有機色素が光吸収性に広い選択の余地があり、光吸収
率が大きく、また熱伝導率が小さいとともに毒性が低い
ことから、近年、大いに期待されるようになっている。
このような色素として、シアニン系色素（特開昭５８−
２２４７８３号公報）、フタロシアニン系色素（米国特
許４，２９８，９７５号および４，４８２，７５０号等
）が知られている。しかしながら、こられ色素を用いた
光情報記録媒体は、そのほとんどが、穴形成方式による
記録方式をとっている。この穴形成方式は、記録膜を物
質移動させることから、エアーサンドイッチ方式をとる
必要がある。加えて、記録に際して、記録膜を破壊する
ことから、記録ピットをはじめ記録膜の表面に色素の蒸
発、昇華、分解等による拡散物が付着してノイズ発生を
もたらす。
２２４７８３号公報）、フタロシアニン系色素（米国特
許４，２９８，９７５号および４，４８２，７５０号等
）が知られている。しかしながら、こられ色素を用いた
光情報記録媒体は、そのほとんどが、穴形成方式による
記録方式をとっている。この穴形成方式は、記録膜を物
質移動させることから、エアーサンドイッチ方式をとる
必要がある。加えて、記録に際して、記録膜を破壊する
ことから、記録ピットをはじめ記録膜の表面に色素の蒸
発、昇華、分解等による拡散物が付着してノイズ発生を
もたらす。
したがって、この発明は、相変化方式の長所と有機色素
の長所を兼ね備えた相変化型光情報記録媒体を提供する
ことにある。
の長所を兼ね備えた相変化型光情報記録媒体を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するために、この発明の相変化型光情報
記録媒体は、基板上に形成され光、熱等のエネルギーに
よって相変化しそれにより光学的特性が変化する記録層
として、下記一般式（Ｉ）で示される有機色素化合物を
含むものを用いている。
記録媒体は、基板上に形成され光、熱等のエネルギーに
よって相変化しそれにより光学的特性が変化する記録層
として、下記一般式（Ｉ）で示される有機色素化合物を
含むものを用いている。
キル基、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシル基、カル
ボキシル基、アルコキシ基、アリル基またはアルキルカ
ルボキシル基、ｍはθ〜８の整数、Ｍは２つの水素原子
または金属もしくは金属化合物を表わす。
ボキシル基、アルコキシ基、アリル基またはアルキルカ
ルボキシル基、ｍはθ〜８の整数、Ｍは２つの水素原子
または金属もしくは金属化合物を表わす。
上記記録層は、有機色素化合物の単独膜、混合膜または
積層膜のいずれからなっていてもよい。
積層膜のいずれからなっていてもよい。
また、上記記録層上に、コントラストを向上させるため
に、反射層を形成することができる。
に、反射層を形成することができる。
通常、有機色素化合物は、Ｒがナツト環である化合物を
２０重量％以上含む。
２０重量％以上含む。
［作用１
上記有機色素化合物からなる記録層は、これに光熱等の
エネルギーを照射することにより相変化し、それによっ
て光学的特性が変化する。これにより記録をおこなうこ
とができる。
エネルギーを照射することにより相変化し、それによっ
て光学的特性が変化する。これにより記録をおこなうこ
とができる。
［実施例］
以下、この発明を図面を参照して詳しく説明する。図中
、同一箇所を示すに当り、同一符号を用いている。
、同一箇所を示すに当り、同一符号を用いている。
第１図に示すように、この発明の一態様に係る相変化型
光情報記録媒体は、光透過性基板１１を有する。この基
板１１は、ガラス、またはプラスチック材料（例えば、
（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹
脂、塩化ビニル樹脂。
光情報記録媒体は、光透過性基板１１を有する。この基
板１１は、ガラス、またはプラスチック材料（例えば、
（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹
脂、塩化ビニル樹脂。
ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂）で形成するこ
とができる。
とができる。
基板１１の表面上には、記録層１２が形成されていこの
記録層を構成する上記式（Ｉ）で示される有機色素化合
物は、顔料等に使用されている化合物であり、Ｍが２つ
の水素原子であるものと、金属系であるものとがある。
記録層を構成する上記式（Ｉ）で示される有機色素化合
物は、顔料等に使用されている化合物であり、Ｍが２つ
の水素原子であるものと、金属系であるものとがある。
Ｍが金属系である場合、そのＭは、はとんどの金属を含
む。例えば、周期率表第工族のＣｕ、 Ａｇ、第１Ｉ族
のＺｎ、 Ｓｒ、第１ＩＩ族のＳｃ、 Ｙ、 Ａ１．
Ｇａ、Ｉｎ、第１Ｖ族のＶ、Ｗｂ、第ｖｒ族のＮｏ、
Ｗ、 Ｓｅ、 Ｔｅ、第ＶＩＩ族のＭｎ、第ＶＩＩＩ族
のＦｅ、 Ｇｏ、旧等である。これら金属の酸化物、ハ
ロゲン化物等の金属化合物も含まれる。
む。例えば、周期率表第工族のＣｕ、 Ａｇ、第１Ｉ族
のＺｎ、 Ｓｒ、第１ＩＩ族のＳｃ、 Ｙ、 Ａ１．
Ｇａ、Ｉｎ、第１Ｖ族のＶ、Ｗｂ、第ｖｒ族のＮｏ、
Ｗ、 Ｓｅ、 Ｔｅ、第ＶＩＩ族のＭｎ、第ＶＩＩＩ族
のＦｅ、 Ｇｏ、旧等である。これら金属の酸化物、ハ
ロゲン化物等の金属化合物も含まれる。
上記式（Ｉ）における置換基Ｘは上述の通りであるが、
その内アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ
ル基、およびアルキルカルボキシル基におけるアルキル
部位は通常８個以下の炭素原子を有するものである。こ
の発明において、記録層を構成する色素化合物としては
、無置換（Ｘがない）もの、またはＸがハロゲン原子、
ハロゲン化アルキル基もしくはアルキル基であるものが
好ましい。また、通常、用いる有機色素化合物は、Ｒが
ナンド環であるものを少なくとも２０重量％含んでいる
。
その内アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ
ル基、およびアルキルカルボキシル基におけるアルキル
部位は通常８個以下の炭素原子を有するものである。こ
の発明において、記録層を構成する色素化合物としては
、無置換（Ｘがない）もの、またはＸがハロゲン原子、
ハロゲン化アルキル基もしくはアルキル基であるものが
好ましい。また、通常、用いる有機色素化合物は、Ｒが
ナンド環であるものを少なくとも２０重量％含んでいる
。
上記有機色素化合物を記録層１２として基板ｌｌ上に薄
層として形成する方法としては、真空蒸着法、イオンビ
ーム蒸着法、スパッタ法、プラズマ重合法、スピンナー
法等があるが、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法が好ま
しい。記録層１２は、上記有機色素化合物の単独膜、混
合膜、あるいは積層膜として基板１１上に形成できる。
層として形成する方法としては、真空蒸着法、イオンビ
ーム蒸着法、スパッタ法、プラズマ重合法、スピンナー
法等があるが、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法が好ま
しい。記録層１２は、上記有機色素化合物の単独膜、混
合膜、あるいは積層膜として基板１１上に形成できる。
混合膜は共蒸着法により形成できる。
上記手法により基板ｌｌ上に形成された記録層１２は、
第３図に示すＸ線回折パターンおよび第４図に示す薄膜
熱分析（Ｄ Ｓ Ｃ）から示唆されるように、完全結晶
状態にはなく、非晶質部分を多く含む。この記録層１２
は、当該膜が熱分解しない温度範囲（１００℃〜４００
℃）において相変化する。
第３図に示すＸ線回折パターンおよび第４図に示す薄膜
熱分析（Ｄ Ｓ Ｃ）から示唆されるように、完全結晶
状態にはなく、非晶質部分を多く含む。この記録層１２
は、当該膜が熱分解しない温度範囲（１００℃〜４００
℃）において相変化する。
上記のように非晶質部分を多く含ませるには、用いる有
機色素化合物として、Ｒがナツト環、Ｍが周期率表第１
ＩＩ族もしくは第１Ｖ族金属でありかつ軸配位座にハロ
ゲン（特に、塩素）を導入したものを用いることが好ま
しい。また、記録層形成条件によっても制御でき、例え
ば、基板温度、蒸着雰囲気、ポート、加熱温度、蒸着速
度等を制御することによっても非晶質部分を多く含ませ
ることができる。
機色素化合物として、Ｒがナツト環、Ｍが周期率表第１
ＩＩ族もしくは第１Ｖ族金属でありかつ軸配位座にハロ
ゲン（特に、塩素）を導入したものを用いることが好ま
しい。また、記録層形成条件によっても制御でき、例え
ば、基板温度、蒸着雰囲気、ポート、加熱温度、蒸着速
度等を制御することによっても非晶質部分を多く含ませ
ることができる。
こうして形成される記録層１２は、厚さ３００〜２００
０Ａ （好ましくは７００〜８００ Ａ）の薄膜である
。
０Ａ （好ましくは７００〜８００ Ａ）の薄膜である
。
再び第１図に戻ると、記録層１２上には、接着層１３を
介してカバー基板１４が設けられている。
介してカバー基板１４が設けられている。
さて、以上の構成の相変化型光情報記録媒体における記
録再生は、レーザ光を集光レンズにより記録層１２上に
０．８〜１．５１Ｌｍの大きさのスポットに集光してお
こなうことができる。レーザ光は、基板１１側からおこ
なうことができる。記録に際して、記録層１２は、第３
図および第４図に示されるＸ線回折パターンおよびＤＳ
Ｃパターンを示して相変化し、その際第５図に示される
光学的変化を生じ、記録に際してはレーザ光を吸収し、
記録後は吸収せずにこれを透過させる。このように相変
化に基づき光学的変化を生じることにより優れた記録媒
体となる。
録再生は、レーザ光を集光レンズにより記録層１２上に
０．８〜１．５１Ｌｍの大きさのスポットに集光してお
こなうことができる。レーザ光は、基板１１側からおこ
なうことができる。記録に際して、記録層１２は、第３
図および第４図に示されるＸ線回折パターンおよびＤＳ
Ｃパターンを示して相変化し、その際第５図に示される
光学的変化を生じ、記録に際してはレーザ光を吸収し、
記録後は吸収せずにこれを透過させる。このように相変
化に基づき光学的変化を生じることにより優れた記録媒
体となる。
第２図には、この発明の第２の態様による相変化型光情
報記録媒体が示されている。この記録媒体が、第１図の
記録媒体と異なるところは、記録層１２上に、コントラ
ストを向上させるために、さらに光反射層１５が形成さ
れている点である。この反射層１５は、Ａ１． Ａｇ、
Ｎｆ、 Ｃｒ、 Ｘｌ−Ｃｒ 、旧−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｃ
ｒ等の金属または合金で構成することができる。反射層
１５は真空蒸着法、スパッタ法等により厚さ０．１〜２
ＪＬｍに形成することができる。
報記録媒体が示されている。この記録媒体が、第１図の
記録媒体と異なるところは、記録層１２上に、コントラ
ストを向上させるために、さらに光反射層１５が形成さ
れている点である。この反射層１５は、Ａ１． Ａｇ、
Ｎｆ、 Ｃｒ、 Ｘｌ−Ｃｒ 、旧−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｃ
ｒ等の金属または合金で構成することができる。反射層
１５は真空蒸着法、スパッタ法等により厚さ０．１〜２
ＪＬｍに形成することができる。
実施例 １
式（Ｉ）においてＭが塩素化アルミニウムであるナフト
フタロシアニンを、チムニ−タイプのタンタルポートを
用いて、２ 、 ＯＸ １０−ラＴｏｒｒの真空下で、
３ｎｍ／分の速度で、１．６１Ｌｍピッチのグループが
形成されたポリカーボネート基板上に蒸着させた。厚さ
は約８０ｎｍであった。この記録層の上に接着剤を介し
てカバー基板を設け、第１図に示す構成の記録媒体を得
た。
フタロシアニンを、チムニ−タイプのタンタルポートを
用いて、２ 、 ＯＸ １０−ラＴｏｒｒの真空下で、
３ｎｍ／分の速度で、１．６１Ｌｍピッチのグループが
形成されたポリカーボネート基板上に蒸着させた。厚さ
は約８０ｎｍであった。この記録層の上に接着剤を介し
てカバー基板を設け、第１図に示す構成の記録媒体を得
た。
実施例 ２
式（Ｉ）においてＭが塩素化アルミニウムであるナフト
フタロシアニンとＭがコバルトであるナフトフタロシア
ニンとを重量比４：ｌで混合し、実施例１と同様の条件
で厚さ約７５ｎｍの記録層を形成した。以後同様に第１
図に示す構成の記録媒体を得た。
フタロシアニンとＭがコバルトであるナフトフタロシア
ニンとを重量比４：ｌで混合し、実施例１と同様の条件
で厚さ約７５ｎｍの記録層を形成した。以後同様に第１
図に示す構成の記録媒体を得た。
実施例 ３
式（Ｉ）においてＭが塩素化スズであるナフトフタロシ
アニンを２ 、５ｘｌ ＯＴａｒｔの真空下で、３ｎｍ
／分の速度で、実施例１と同様のボリカーボネート基板
上に厚さ７０ｎｍに蒸着させた。ついで、アルミニウム
を蒸着により５０ｎｍの厚さに形成した。この反射層の
上に接着剤を介してカバー基板を設け、第２図に示す構
成の記録媒体を得た。
アニンを２ 、５ｘｌ ＯＴａｒｔの真空下で、３ｎｍ
／分の速度で、実施例１と同様のボリカーボネート基板
上に厚さ７０ｎｍに蒸着させた。ついで、アルミニウム
を蒸着により５０ｎｍの厚さに形成した。この反射層の
上に接着剤を介してカバー基板を設け、第２図に示す構
成の記録媒体を得た。
実施例 ４
式（Ｉ）においてＭがアルミニウムであるナフトフタロ
シアニンを１．０ｘｌＯＴｏｒｒの真空下で、３ｎｍ／
分の速度で、ポリメチルメタクリレート基板上に厚さ７
０ｎｍに蒸着させた。ついで、式（Ｉ）においてＭがコ
バルトであるナフトフタロシアニンを同様の条件で厚さ
５０ｎｍに形成した。この記録層の上に接着剤を介して
力／（一基板を設け、第２図に示す構成の記録媒体を得
た。
シアニンを１．０ｘｌＯＴｏｒｒの真空下で、３ｎｍ／
分の速度で、ポリメチルメタクリレート基板上に厚さ７
０ｎｍに蒸着させた。ついで、式（Ｉ）においてＭがコ
バルトであるナフトフタロシアニンを同様の条件で厚さ
５０ｎｍに形成した。この記録層の上に接着剤を介して
力／（一基板を設け、第２図に示す構成の記録媒体を得
た。
以上のように得られた各記録媒体に対して、基板側から
６ｍＷ出力の、１．２ｇｍスボー／ ）に絞った８３０
ｎｍ波長の半導体レーザで媒体速度６ｍ／秒で書込み（
記録）をおこない、また０゜８ｍＷの再生光により読出
しく再生）をおこなつた。そのときのＣＮ値、基板側か
らの反射率および耐久性を以下の表１に示す。また、Ｘ
線回折パターンを第３図に、ＤＳＣパターンを第４図に
および記録前後の分光曲線を第５図にそれぞれ示す。な
お、＄３図において、記録後のＸ線回折分析データは、
ピークが２８が２４．０００’のときであり、そのとき
ｄは３７０５Ａであった。
６ｍＷ出力の、１．２ｇｍスボー／ ）に絞った８３０
ｎｍ波長の半導体レーザで媒体速度６ｍ／秒で書込み（
記録）をおこない、また０゜８ｍＷの再生光により読出
しく再生）をおこなつた。そのときのＣＮ値、基板側か
らの反射率および耐久性を以下の表１に示す。また、Ｘ
線回折パターンを第３図に、ＤＳＣパターンを第４図に
および記録前後の分光曲線を第５図にそれぞれ示す。な
お、＄３図において、記録後のＸ線回折分析データは、
ピークが２８が２４．０００’のときであり、そのとき
ｄは３７０５Ａであった。
表 １
哀１争・・基板側から分光光度計による８３０ｎｍにお
ける５°反射率 第２番・・１ｍＷの再生光で６ｍ／秒で１５０万回再生
後のＣＮ値 哀３・・・５５℃、湿度８５％で１５００時間後のＣＮ
値 ［発明の効果］ 以上説明した構成によるこの発明の相変化型光情報記録
媒体は、記録層を破壊することなく記録再生をおこなう
ことができるので、記録層の分解、昇華等による記録層
の汚染、付着物の発生等が生じない。そのため、ノイズ
の発生や信頼性の低下が防止される。また、記録層が熱
伝導率の低い有機色素化合物で形成されていることから
、均一に情報を記録でき、高密度記録が可能であるとと
もに、無機金属系記録層のようにサビや基板との間のク
ラック発生による耐久性、信頼性の低下が防止できる。
ける５°反射率 第２番・・１ｍＷの再生光で６ｍ／秒で１５０万回再生
後のＣＮ値 哀３・・・５５℃、湿度８５％で１５００時間後のＣＮ
値 ［発明の効果］ 以上説明した構成によるこの発明の相変化型光情報記録
媒体は、記録層を破壊することなく記録再生をおこなう
ことができるので、記録層の分解、昇華等による記録層
の汚染、付着物の発生等が生じない。そのため、ノイズ
の発生や信頼性の低下が防止される。また、記録層が熱
伝導率の低い有機色素化合物で形成されていることから
、均一に情報を記録でき、高密度記録が可能であるとと
もに、無機金属系記録層のようにサビや基板との間のク
ラック発生による耐久性、信頼性の低下が防止できる。
また、記録層上に反射層を設けた記Ｍｇ体にあっては、
コントラストが向上する。
コントラストが向上する。
第１図は、この発明の第１の態様に係る相変化型光情−
報記録媒体の断面図、第２図は、この発明の第２の態様
に係る相変化型光情報記録媒体の断面図、第３図は、こ
の発明の各実施例に係る光情報記録媒体の記録層のＸ線
回折パター９図、第４図は、この発明の各実施例に係る
光情報記録媒体の記録層の熱分析パターン図、および第
５図は、この発明の各実施例に係る光情報記録媒体の記
録層の記録前後における分光パターン図。 １１−−一基板、１２−−−記録層、１４０．カバー基
板、１５１１・・反射層 ）ワｌ
報記録媒体の断面図、第２図は、この発明の第２の態様
に係る相変化型光情報記録媒体の断面図、第３図は、こ
の発明の各実施例に係る光情報記録媒体の記録層のＸ線
回折パター９図、第４図は、この発明の各実施例に係る
光情報記録媒体の記録層の熱分析パターン図、および第
５図は、この発明の各実施例に係る光情報記録媒体の記
録層の記録前後における分光パターン図。 １１−−一基板、１２−−−記録層、１４０．カバー基
板、１５１１・・反射層 ）ワｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板と、該基板上に形成され、エネルギーによって
相変化しそれによって光学的特性が変化する光情報記録
層とを備えた相変化型光情報記録媒体において、該記録
層は、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで、Ｒは▲数式、化学式、表等があります▼また
は▲数式、化学式、表等があります▼Ｘはハロゲン原子
、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシル基
、カルボキシル基、アルコキシ基、アリル基またはアル
キルカルボキシル基、ｍは０〜８の整数、Ｍは２つの水
素原子または金属もしくは金属化合物）で示される有機
色素化合物を含むことを特徴とする相変化型光情報記録
媒体。 ２、記録層が、有機色素化合物の単独膜、混合膜または
積層膜からなる請求項１の相変化型光情報記録媒体。 ３、記録層上に反射層を形成した請求項１または２記載
の相変化型光情報記録媒体。 ４、有機色素化合物が、Ｒが▲数式、化学式、表等があ
ります▼である化合物を２０重量％以上含む請求項１、
２または３記載の相変化型光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63007955A JPH01184189A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 相変化型光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63007955A JPH01184189A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 相変化型光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184189A true JPH01184189A (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=11679914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63007955A Pending JPH01184189A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 相変化型光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121133A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Tdk Corp | 光記録媒体および光記録再生方法 |
| JP2012171878A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Saitama Univ | ｔｅｔｒａｋｉｓ−アリル置換フタロシアニンおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63007955A patent/JPH01184189A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121133A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Tdk Corp | 光記録媒体および光記録再生方法 |
| JP2012171878A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Saitama Univ | ｔｅｔｒａｋｉｓ−アリル置換フタロシアニンおよびその製造方法 |
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