JPS62216795A - 光学記録体 - Google Patents
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- JPS62216795A JPS62216795A JP61061869A JP6186986A JPS62216795A JP S62216795 A JPS62216795 A JP S62216795A JP 61061869 A JP61061869 A JP 61061869A JP 6186986 A JP6186986 A JP 6186986A JP S62216795 A JPS62216795 A JP S62216795A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザー光等を用いる高密度の情報記録保存
及び同記録再生を可能にするだめの光学記録体に関する
ものである。
及び同記録再生を可能にするだめの光学記録体に関する
ものである。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存及
び再生を可能とするため、近年、特に、開発が望−まれ
ている。
び再生を可能とするため、近年、特に、開発が望−まれ
ている。
（従来の技術）
レーザー光等を用いる光学記録体の一例としては、光デ
ィスクを挙げることができる。一般に光ディスクは、円
形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ８度に集束
したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うもの
でちる。すなわち記録は、照射されたレーザーエネルギ
ーの吸収によりその開所に生じた記録層の分解、蒸発、
溶解等の熱的変形により生成し、そして記録された情報
の再生は、レーザー光により変形が起きている部分と起
きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行わ
れる。
ィスクを挙げることができる。一般に光ディスクは、円
形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ８度に集束
したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うもの
でちる。すなわち記録は、照射されたレーザーエネルギ
ーの吸収によりその開所に生じた記録層の分解、蒸発、
溶解等の熱的変形により生成し、そして記録された情報
の再生は、レーザー光により変形が起きている部分と起
きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行わ
れる。
したがって、記録体としては、レーザー光のエネルギー
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと、及び情
報の再生を正確に行うため、再生に吏用する特定波長の
レーザー光に対する反射率が高いことが必要である。
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと、及び情
報の再生を正確に行うため、再生に吏用する特定波長の
レーザー光に対する反射率が高いことが必要である。
このような光学記録体としては、これ壕で、各種の金属
、金属化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提案さ
れているが、これらの薄膜は、空気酸化を受けやすく、
長期間の保存が困難であったり、紫外部や可視部の光に
対して感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠点
があった。
、金属化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提案さ
れているが、これらの薄膜は、空気酸化を受けやすく、
長期間の保存が困難であったり、紫外部や可視部の光に
対して感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠点
があった。
（発明が解決しようとする問題点）
一方、有機の色素化合物を用いた光学記録体としては、
例えば特開昭５９−２４６９２号公報、特開昭５９−６
７０９２号公報、特開昭５９−７１８９５号公報、特開
昭５８−８３３４４号公報、特開昭５８−２２４７９３
号公報等には、例えばシアニン系色素、スクワリリウム
系色素、ナフトキノン系色素等が提案されている。しか
しながら、これら従来の有機色素化合物には、一般に安
定性が悪く、長期間にわたる保存が難しく、さらには反
射率が低いため記録された情報を読みだしにくいなどの
問題点があった。
例えば特開昭５９−２４６９２号公報、特開昭５９−６
７０９２号公報、特開昭５９−７１８９５号公報、特開
昭５８−８３３４４号公報、特開昭５８−２２４７９３
号公報等には、例えばシアニン系色素、スクワリリウム
系色素、ナフトキノン系色素等が提案されている。しか
しながら、これら従来の有機色素化合物には、一般に安
定性が悪く、長期間にわたる保存が難しく、さらには反
射率が低いため記録された情報を読みだしにくいなどの
問題点があった。
また、フタロンアニン系化合物は、一般に耐候性が優れ
ているため、光学記録体用としても種々の提案（例え（
ず特開昭５５−９７０３３号公報等）がなされてきた。
ているため、光学記録体用としても種々の提案（例え（
ず特開昭５５−９７０３３号公報等）がなされてきた。
しかしながら、従来光学記録体用として提案されてきた
Ｓｎフタロシアニン、ＶＯフタロシアニン、Ｐｂフタロ
シアニン、ＡｌＣｌフタロシアニン等には、蒸着性が悪
いため均一な膜面を得にくい、結晶変態により吸収ピー
クが容易に変化する、８００ｎｍ前後の吸収強度が小さ
い等の問題点があり、未だ満足すべき光学記録体は得ら
れていないのが現状である。
Ｓｎフタロシアニン、ＶＯフタロシアニン、Ｐｂフタロ
シアニン、ＡｌＣｌフタロシアニン等には、蒸着性が悪
いため均一な膜面を得にくい、結晶変態により吸収ピー
クが容易に変化する、８００ｎｍ前後の吸収強度が小さ
い等の問題点があり、未だ満足すべき光学記録体は得ら
れていないのが現状である。
本発明は、上記のような従来の問題点を解決しうる有機
色素化合物を用いた、レーザー光、とりわけ半導体レー
ザー光による書き込み感度が高く、反射率が高く、かつ
保存安定性の良好な光学記録体の提供を目的とする。
色素化合物を用いた、レーザー光、とりわけ半導体レー
ザー光による書き込み感度が高く、反射率が高く、かつ
保存安定性の良好な光学記録体の提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、基板上にハロゲン化スズフタロシアニンを真
空蒸着して得られる記録層を設けたことを特徴とする光
学記録体を要旨とするものである。かかる本発明の光学
記録体としては、ハロゲン化スズフタロシア二／が一般
Ｅ （１）（式中、ＡはＳｎＢｒ２又はＳｎＩ２を表わ
す。）で示される化合物であるものかがましく、更には
ハロゲン化スズフタロシアニンが前足−１（１）におけ
るＡがＳｎＩ２を表わす場合の化合物でちるものが特に
好ましい。
空蒸着して得られる記録層を設けたことを特徴とする光
学記録体を要旨とするものである。かかる本発明の光学
記録体としては、ハロゲン化スズフタロシア二／が一般
Ｅ （１）（式中、ＡはＳｎＢｒ２又はＳｎＩ２を表わ
す。）で示される化合物であるものかがましく、更には
ハロゲン化スズフタロシアニンが前足−１（１）におけ
るＡがＳｎＩ２を表わす場合の化合物でちるものが特に
好ましい。
本発明で用いられる上記のハロゲン化スズフタロシア二
／は、フタロニトリルドア・ロゲン化第−スズとを、２
−クロロナフタレン中で２５０°Ｃに加熱する公知の方
法により容易に合成することができる。
／は、フタロニトリルドア・ロゲン化第−スズとを、２
−クロロナフタレン中で２５０°Ｃに加熱する公知の方
法により容易に合成することができる。
本発明の光学記録体における基板の材料としては、ガラ
ス、プラスチックス等が挙げられるが、なかでもプラス
チックスは、安全性、＠置注等の点で好適である。プラ
スチ、クスとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル嶺
脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキン樹脂等が挙げられる
。
ス、プラスチックス等が挙げられるが、なかでもプラス
チックスは、安全性、＠置注等の点で好適である。プラ
スチ、クスとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル嶺
脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキン樹脂等が挙げられる
。
かかる基板上に設ける記録層の成膜方法としては、基板
上にハロゲン化スズフタロシアニンを真空蒸着する方法
を採り、この場合の真空蒸着法としては、例えば１．
Ｘ １０ ＝ Ｔｏｒｒ以上、好ましくは２Ｘ１０−’
Ｔｏｒｒ以上の高真空下、抵抗加熱又はその他の方法
で前足一般式〔Ｉ〕で示される［化合物を約３００°Ｃ
に加熱し、基板上に真空蒸着膜を得る方法が挙げられる
。膜厚は、２００〜５．０００穴、特に好ましくは５０
０〜λｏｏｏｚである。
上にハロゲン化スズフタロシアニンを真空蒸着する方法
を採り、この場合の真空蒸着法としては、例えば１．
Ｘ １０ ＝ Ｔｏｒｒ以上、好ましくは２Ｘ１０−’
Ｔｏｒｒ以上の高真空下、抵抗加熱又はその他の方法
で前足一般式〔Ｉ〕で示される［化合物を約３００°Ｃ
に加熱し、基板上に真空蒸着膜を得る方法が挙げられる
。膜厚は、２００〜５．０００穴、特に好ましくは５０
０〜λｏｏｏｚである。
本発明の光学記録体の記録層は、基板の両面に設けても
よいし、片１■だけに設けてもよい。
よいし、片１■だけに設けてもよい。
上記のようにして得られた記録体への記録は、基体の両
面又は片面に設けた記録層に１μｍ程度′に集束したレ
ーザー光、好ましくは半導体レーザー光をあてることに
より行う。すなわち、レーザー光の照射された部分には
、レーザーエネルギーの吸収による記録層の分解、蒸発
、溶融等の熱的変形を起こすことによって記録が行われ
る。
面又は片面に設けた記録層に１μｍ程度′に集束したレ
ーザー光、好ましくは半導体レーザー光をあてることに
より行う。すなわち、レーザー光の照射された部分には
、レーザーエネルギーの吸収による記録層の分解、蒸発
、溶融等の熱的変形を起こすことによって記録が行われ
る。
記録された情報の再生は、レーザー光（でより、記録層
における上記の熱的変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
における上記の熱的変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
光源としては、Ｈｅ −Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、
半導体レーザー等の各種のレーザーを用いることができ
るが、価格と大きさの点で半導体レーザーが特に好まし
い。半導体レーザーとしては、中心波長８３０ ｎｍ
、 中心波長７８０ ｎｍ。
半導体レーザー等の各種のレーザーを用いることができ
るが、価格と大きさの点で半導体レーザーが特に好まし
い。半導体レーザーとしては、中心波長８３０ ｎｍ
、 中心波長７８０ ｎｍ。
そしてそれより短波長のレーザーを使用することができ
る。
る。
（実施例）
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例によ
り制限されるものではない。
本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例によ
り制限されるものではない。
なお、「チ」は特に断らない限り「重量係」である。
実施Ｐ７リ １
（５）光吸収物質の合成
本発明で用いる特に好ましい光吸収物質として下記構造
式（ＩＤ で示されるヨウ化スズフタロシアニ／色素の合成を次に
ようにして行った。
式（ＩＤ で示されるヨウ化スズフタロシアニ／色素の合成を次に
ようにして行った。
フタロニトリル６．４０５’（０，０５モル）、ヨウ化
第−スズ６．９９ｆ（０，０１８モル）をα−クロロナ
フタンン４０ｍ１中に分散させ、加熱還流下２時間かく
拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、メタノ
ール１００ｍＱを加え還流下３０分間かく拌した。反応
液を熱濾過し、得られた結晶を５０％エチルアルコール
水容液２００ｍｇ中に分散させ、還流下１時間かく拌後
、熱濾過した。得られた結晶をテトラヒドロフラン２０
０ｍ１ 中に分散させ、還流下１時間かく拌後、熱・
濾過した。得られた結晶について、テトラヒドロフラン
による同様の処理をさらに２回くり返し、前爪構造式（
ＩＩ）で示される化合物（α−クロロナフタレン溶媒中
での極大吸収波長は７０８旧ｎ）５．８１１ を得た
。得られた結晶のケイ光Ｘ線によるスズ、ヨウ素の含有
量の分析値及び理論値を下記第１表に示す。
第−スズ６．９９ｆ（０，０１８モル）をα−クロロナ
フタンン４０ｍ１中に分散させ、加熱還流下２時間かく
拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、メタノ
ール１００ｍＱを加え還流下３０分間かく拌した。反応
液を熱濾過し、得られた結晶を５０％エチルアルコール
水容液２００ｍｇ中に分散させ、還流下１時間かく拌後
、熱濾過した。得られた結晶をテトラヒドロフラン２０
０ｍ１ 中に分散させ、還流下１時間かく拌後、熱・
濾過した。得られた結晶について、テトラヒドロフラン
による同様の処理をさらに２回くり返し、前爪構造式（
ＩＩ）で示される化合物（α−クロロナフタレン溶媒中
での極大吸収波長は７０８旧ｎ）５．８１１ を得た
。得られた結晶のケイ光Ｘ線によるスズ、ヨウ素の含有
量の分析値及び理論値を下記第１表に示す。
第 １ 茂
（Ｉ３） 光学記録体
上記（５）で得られた前爪構造式〔■〕で示される光吸
収物？Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒの真空下、約３００℃
に加熱し、板厚１．２１のメタクリル樹脂基板上に真空
蒸着した。水晶振動式膜厚計により測定した膜厚は１５
００λであり、又膜面は顕微鏡で観察したところ均質で
あった。この蒸着膜の極大吸収波長は７６０ ｎｍであ
り、又この樹脂基板の蒸着を施していない面から光を入
射させることにより測定した８００ｎｍでの蒸着膜の反
射率は５５係であった。
収物？Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒの真空下、約３００℃
に加熱し、板厚１．２１のメタクリル樹脂基板上に真空
蒸着した。水晶振動式膜厚計により測定した膜厚は１５
００λであり、又膜面は顕微鏡で観察したところ均質で
あった。この蒸着膜の極大吸収波長は７６０ ｎｍであ
り、又この樹脂基板の蒸着を施していない面から光を入
射させることにより測定した８００ｎｍでの蒸着膜の反
射率は５５係であった。
上記の蒸着膜に、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー
光を出力４ｍＷ、ビーム径約１μｍで照射したところ、
巾約１μｍ１ビット長さ約２μｍの輪郭の極めて明瞭な
孔（ピット）が形成され、その時のキャリアレベル／ノ
イズレベル比（Ｃ／Ｎ比）は５１ｄＢであった。又、保
存安定性は、温度６０℃、相対湿度８０係の恒湿槽中で
１０日間保存した後の半導体レーザー光による書き込み
性能のキャリアレベル／ノイズレベル比（Ｃ／Ｎ比）に
よると５１ｄＢであった。
光を出力４ｍＷ、ビーム径約１μｍで照射したところ、
巾約１μｍ１ビット長さ約２μｍの輪郭の極めて明瞭な
孔（ピット）が形成され、その時のキャリアレベル／ノ
イズレベル比（Ｃ／Ｎ比）は５１ｄＢであった。又、保
存安定性は、温度６０℃、相対湿度８０係の恒湿槽中で
１０日間保存した後の半導体レーザー光による書き込み
性能のキャリアレベル／ノイズレベル比（Ｃ／Ｎ比）に
よると５１ｄＢであった。
実施例２
囚 光吸収物質の合成
本発明で用いる好ましい光吸収物質として下記構造式Ｃ
Ｉ） で示される臭化スズフタロンアニン色素の合成を、実施
レリｌのＧＡ）に準じて行った。得られた前爪構造式（
１）で示される光吸収物質（α−クロロナフタレン溶媒
中での極大吸収波長は７０８ｎｍ）のケイ光Ｘ線による
スズ、臭素の含有量の分析値及び理論値を下記第２表に
示す。
Ｉ） で示される臭化スズフタロンアニン色素の合成を、実施
レリｌのＧＡ）に準じて行った。得られた前爪構造式（
１）で示される光吸収物質（α−クロロナフタレン溶媒
中での極大吸収波長は７０８ｎｍ）のケイ光Ｘ線による
スズ、臭素の含有量の分析値及び理論値を下記第２表に
示す。
第 ２ 表
但）光学記録体
上記穴で得られた前爪構造式（ＩＩＩ）で示される光吸
収物質を、実施例１とほぼ同様の条件で、メタクリル樹
脂基板上に真空蒸着した。得られた膜厚は水晶振動膜厚
計６１１定によシ１ｓｔｏＸであり、膜面は顕微鏡観察
により均質であった。
収物質を、実施例１とほぼ同様の条件で、メタクリル樹
脂基板上に真空蒸着した。得られた膜厚は水晶振動膜厚
計６１１定によシ１ｓｔｏＸであり、膜面は顕微鏡観察
により均質であった。
この蒸着膜の極大吸収波長は７６０ｎｍであり、又実施
例１と同様にして測定したこの蒸着膜の８００ｎｍでの
反射率はｓｏ％であった。
例１と同様にして測定したこの蒸着膜の８００ｎｍでの
反射率はｓｏ％であった。
上記の蒸着膜に、中心波長７８０ ｎｍの半導体レーザ
ー光を実施例１の（Ｂ）におけると同様にして照射した
ところ、明瞭な孔（ピット）が形成され、その時のＣ／
Ｎ比は４８ｄＢであった。又、保存安定性は、実施例１
の（１３）におけると同様にして保存後の半導体レーザ
ー光による書き込み性能のＣ／Ｎ比によると４７ｄＢで
あった。
ー光を実施例１の（Ｂ）におけると同様にして照射した
ところ、明瞭な孔（ピット）が形成され、その時のＣ／
Ｎ比は４８ｄＢであった。又、保存安定性は、実施例１
の（１３）におけると同様にして保存後の半導体レーザ
ー光による書き込み性能のＣ／Ｎ比によると４７ｄＢで
あった。
比紋例１
（５）光吸収物質の合成
下記構造式〇）
で示されるスズフタロシアニン色素の合成を次のように
して行った。
して行った。
フタロニトリル１０ｆとスズ粉末４７の混合物を加熱し
、３００℃で３時間かく拌した。得られた反応液を室温
まで冷却した後、過剰のスズ粉末を取り除いた。得られ
た結晶をアルコール２００ｍＢ中に分散させ、還流下１
時間かく拌後熱濾過しだ。得られた結晶をテトラヒドロ
フラン２００ｍ（（中に分散させ、還流下１時間かくシ
゛１゛後、熱濾過した。得られた結晶について、テトラ
ヒドロフランによる同様の処理をさらに２回くシ返し、
前爪構造式（Ｖ）で示される化合物（α−クロロナフタ
レン溶媒中での極大吸収波長は７０８ｎｍ）３．５ ？
を得た。得られた結晶のケイ光Ｘ線によるスズの含有量
の分析値及び理論（直を下記第３表に示す。
、３００℃で３時間かく拌した。得られた反応液を室温
まで冷却した後、過剰のスズ粉末を取り除いた。得られ
た結晶をアルコール２００ｍＢ中に分散させ、還流下１
時間かく拌後熱濾過しだ。得られた結晶をテトラヒドロ
フラン２００ｍ（（中に分散させ、還流下１時間かくシ
゛１゛後、熱濾過した。得られた結晶について、テトラ
ヒドロフランによる同様の処理をさらに２回くシ返し、
前爪構造式（Ｖ）で示される化合物（α−クロロナフタ
レン溶媒中での極大吸収波長は７０８ｎｍ）３．５ ？
を得た。得られた結晶のケイ光Ｘ線によるスズの含有量
の分析値及び理論（直を下記第３表に示す。
第 ３ 表
の）光学記録体
上記（５）で得られた前爪溝造式〔■〕で示される光吸
収物質を、Ｉ Ｘ １０ ’−５Ｔｏｒｒ の真空下
、約４５０°Ｃに加熱し、板厚１． ’ｌ ｒＲ＋１の
メタクリル樹脂基板上に真空蒸着した。加熱の温度は、
３００°Ｃ前後では全く蒸着膜が得られず、実施例１及
び２に比べ高温が必要であった。水晶脹動式膜厚計によ
り測定した膜厚は、１５８０人でちった。
収物質を、Ｉ Ｘ １０ ’−５Ｔｏｒｒ の真空下
、約４５０°Ｃに加熱し、板厚１． ’ｌ ｒＲ＋１の
メタクリル樹脂基板上に真空蒸着した。加熱の温度は、
３００°Ｃ前後では全く蒸着膜が得られず、実施例１及
び２に比べ高温が必要であった。水晶脹動式膜厚計によ
り測定した膜厚は、１５８０人でちった。
又、得られた膜面を顕微鏡で観察しだところ膜面ば不均
一であり、微結晶が点在していた。この蒸着膜の極太吸
収波長は７２０１ｍであり、実施例１及び２の場合に比
べて短波長であった。
一であり、微結晶が点在していた。この蒸着膜の極太吸
収波長は７２０１ｍであり、実施例１及び２の場合に比
べて短波長であった。
この蒸着膜に、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光
を実施例１と同様の方法で照射したが、ピット（孔）の
生成は認められなかった。
を実施例１と同様の方法で照射したが、ピット（孔）の
生成は認められなかった。
（発明の効果）
以上の結果から明らかなように、本発明の光学記９．体
は、・・ロゲン化スズフタロシアニン、好ましくは臭化
スズフタロ７アニン、特に好ましくはヨウ化スズフタロ
ンアニンを基板上に真空蒸着して均質な記録層を設けえ
たことによって、半導体ンーザー光による書き込み感度
が高く、反射率が高く、かつ保存安定性も良好である、
という工業的価値ある顕著な効果を奏するものである。
は、・・ロゲン化スズフタロシアニン、好ましくは臭化
スズフタロ７アニン、特に好ましくはヨウ化スズフタロ
ンアニンを基板上に真空蒸着して均質な記録層を設けえ
たことによって、半導体ンーザー光による書き込み感度
が高く、反射率が高く、かつ保存安定性も良好である、
という工業的価値ある顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- （１）基板上にハロゲン化スズフタロシアニンを真空蒸
着して得られる記録層を設けたことを特徴とする光学記
録体。 - （２）ハロゲン化スズフタロシアニンが、一般式〔 I
〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
〔 I 〕 （式中、ＡはＳｎＢｒ＿２又はＳｎＩ＿２を表わす。）
で示される化合物である特許請求の範囲第１項記載の光
学記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61061869A JPS62216795A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光学記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61061869A JPS62216795A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光学記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216795A true JPS62216795A (ja) | 1987-09-24 |
Family
ID=13183559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61061869A Pending JPS62216795A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光学記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02208838A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP61061869A patent/JPS62216795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02208838A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
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