JPS6218290A - 光学記録体 - Google Patents
光学記録体Info
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- JPS6218290A JPS6218290A JP60156596A JP15659685A JPS6218290A JP S6218290 A JPS6218290 A JP S6218290A JP 60156596 A JP60156596 A JP 60156596A JP 15659685 A JP15659685 A JP 15659685A JP S6218290 A JPS6218290 A JP S6218290A
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- JP
- Japan
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- absorbing substance
- formula
- substrate
- ring
- light absorbing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光学記録体く関する。
従来の技術
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。
光学記録の一例としては、光ディスクをあげる事ができ
る。
る。
一般に光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。
層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。
記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収によシ、
記録層のレーザー光の照射部分に分解、蒸発、溶解等の
熱的変形を生じることによシ行なわれ、そして記録され
た情報の再生は、レーザー光を照射することによシ、変
形が起きている部分と起きていない部分との反射率の差
を読み堆る事によシ行なわれる。
記録層のレーザー光の照射部分に分解、蒸発、溶解等の
熱的変形を生じることによシ行なわれ、そして記録され
た情報の再生は、レーザー光を照射することによシ、変
形が起きている部分と起きていない部分との反射率の差
を読み堆る事によシ行なわれる。
したがって、光学記録体の記録層としては、レーザー光
のエネルギーを効率良く吸収する必要があるため、記録
に使用する特定波長のレーザー光に対する吸収が大きい
事、そして、情報の再生を正確に行なうため、再生に使
用する特定波長のレーザー光に対する反射率が高い事が
必要である。
のエネルギーを効率良く吸収する必要があるため、記録
に使用する特定波長のレーザー光に対する吸収が大きい
事、そして、情報の再生を正確に行なうため、再生に使
用する特定波長のレーザー光に対する反射率が高い事が
必要である。
上記記録層に、光吸収物質として、シアニン系色素、ス
クワリリウム系色素、ナフトキノン系色素、７タロシア
ニン系色素等の有機化合物を用いることが提案されてい
るが、従来用いられているシアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素は、一般に安定性が悪く、長期間にわたる保
存が難しく、そして反射率が低いため情報が読み出しに
くい等の欠点があり、また、従来用いられているす７ト
キノン系色素は、半導体レーザーの波長（ｇ ００ ｎ
ｍ付近〕に吸収を有するが、保存安定性が悪く、長期間
に保存しておくと薄膜上で結晶が析出し、Ｏ／Ｎ （キ
ャリアレベル／ノイズレベル）比が低下するという欠点
な有している。
クワリリウム系色素、ナフトキノン系色素、７タロシア
ニン系色素等の有機化合物を用いることが提案されてい
るが、従来用いられているシアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素は、一般に安定性が悪く、長期間にわたる保
存が難しく、そして反射率が低いため情報が読み出しに
くい等の欠点があり、また、従来用いられているす７ト
キノン系色素は、半導体レーザーの波長（ｇ ００ ｎ
ｍ付近〕に吸収を有するが、保存安定性が悪く、長期間
に保存しておくと薄膜上で結晶が析出し、Ｏ／Ｎ （キ
ャリアレベル／ノイズレベル）比が低下するという欠点
な有している。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、レーザー光、％に半導体レーザー光による書
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好な光学記録体
を提供する事を目的とする。
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好な光学記録体
を提供する事を目的とする。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、基板と、下記一般式ＣＤで示される光吸収物
質を含有する記録層とからなる光学記録体をその要旨と
する。
質を含有する記録層とからなる光学記録体をその要旨と
する。
一般式〔１〕
Ｎ Ｏ
（式中、Ｒはハロゲン原子、アルキルチオ基、ヒドロキ
シアルキル基またはアラルキルオキシ基を表わし、環Ａ
は、ベンゼン環またはナフタレン環を表わし、ｎは／ま
たは−の整数を表わす。） 上記一般式ＣＤで示される本発明の光吸収物質において
Ｒとしてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子等のハロゲン原子；メチルチオ基、エチルチオ基、プ
ロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、オクチ
ルチオ基等のアルキルチオ基；ヒドロキシメチル基、ヒ
ドロキシエチル基、ヒドロキシアルキル基等のヒドロキ
シアルキル基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
、フェニルプロピルオキシ基等のアラルキルオキシ基が
挙げられる。
シアルキル基またはアラルキルオキシ基を表わし、環Ａ
は、ベンゼン環またはナフタレン環を表わし、ｎは／ま
たは−の整数を表わす。） 上記一般式ＣＤで示される本発明の光吸収物質において
Ｒとしてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子等のハロゲン原子；メチルチオ基、エチルチオ基、プ
ロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、オクチ
ルチオ基等のアルキルチオ基；ヒドロキシメチル基、ヒ
ドロキシエチル基、ヒドロキシアルキル基等のヒドロキ
シアルキル基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
、フェニルプロピルオキシ基等のアラルキルオキシ基が
挙げられる。
本発明で用いる一般式ＣＤで示される光吸収物質は、た
とえば、公知の方法（中森建夫、千葉恒雄、笠井俊保、
日本化学会誌、／９Ｉｒ／、（ｌコ）、ｐ／デ１６〜／
９２／ ）に従って、下記構造式〔■〕 で示される化合物と、下記一般式〔■〕（式中・Ｒ１環
Ａ及びｎは前記［１）式におけると同義を表わす。） で示されるア＝ ＩＪン誘導体とを有機溶媒中で加熱す
ることによ）容易に製造することができる。
とえば、公知の方法（中森建夫、千葉恒雄、笠井俊保、
日本化学会誌、／９Ｉｒ／、（ｌコ）、ｐ／デ１６〜／
９２／ ）に従って、下記構造式〔■〕 で示される化合物と、下記一般式〔■〕（式中・Ｒ１環
Ａ及びｎは前記［１）式におけると同義を表わす。） で示されるア＝ ＩＪン誘導体とを有機溶媒中で加熱す
ることによ）容易に製造することができる。
本発明の基板としては、ガラス、プラスチックス等があ
げられる。プラスチックスは、安全性、軽量性の点で好
適である。プラスチックスとしては、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂
、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
げられる。プラスチックスは、安全性、軽量性の点で好
適である。プラスチックスとしては、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂
、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
記録層の成膜方法としては、光吸収物質を基板上に真空
蒸着する方法、光吸収物質と樹脂溶液との混合物を基板
上に塗布する方法、光吸収物質を溶媒に溶解させて、基
板に塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられ
る。
蒸着する方法、光吸収物質と樹脂溶液との混合物を基板
上に塗布する方法、光吸収物質を溶媒に溶解させて、基
板に塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられ
る。
真空蒸着法としては、／×１０″″’ Ｔｏｒｒ以上、
好ましくはコＸ ／ ０−＠ＴＯｒｒ以上の高真空で、
抵抗加熱等によυ前記一般式（１）に示す光吸収物質を
加熱し、基板上に真空蒸着膜を得る方法を挙げることが
できる。膜厚は、コθＯ−ダ００θ人、特に２００〜コ
００θλが好ましい。
好ましくはコＸ ／ ０−＠ＴＯｒｒ以上の高真空で、
抵抗加熱等によυ前記一般式（１）に示す光吸収物質を
加熱し、基板上に真空蒸着膜を得る方法を挙げることが
できる。膜厚は、コθＯ−ダ００θ人、特に２００〜コ
００θλが好ましい。
塗布による製膜は、上記一般式ＣＩ３に示す光吸収物質
をバインダーとともに溶媒中に溶解または分散させたも
のをスピンコードする事によ）得られる。バインダーと
しては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、セルロース樹脂等が挙げられる。
をバインダーとともに溶媒中に溶解または分散させたも
のをスピンコードする事によ）得られる。バインダーと
しては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、セルロース樹脂等が挙げられる。
その際樹脂に対する光吸収物質の使用量の比率は／ Ｏ
ｗｔ％以上が望ましい。
ｗｔ％以上が望ましい。
また、溶媒としては、ジメチルホルムアミド、メチルセ
ルンルプ、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、
ジクコロメタン、クロロベンゼン等各種のものを用いる
事ができる。
ルンルプ、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、
ジクコロメタン、クロロベンゼン等各種のものを用いる
事ができる。
本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。
いし、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた本発明の光学記録体への記録は
、基体の両面または片面に設けた記録層に／μｍ程度に
集束したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光
をあてる事により行なう。レーザー光の照射された部分
には、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、
溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
、基体の両面または片面に設けた記録層に／μｍ程度に
集束したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光
をあてる事により行なう。レーザー光の照射された部分
には、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、
溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光にょシ、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
光源としては、Ｈθ−Ｍｅレーザー、Ａｒレーザー・半
導体レーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが
、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい
。
導体レーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが
、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい
。
半導体レーザーとしては、中心波長ｆＪＯｎｍｓ中心波
長７ｔＯｎｍｓそしてそれよシ短波長のレーザーを使用
する事ができる。
長７ｔＯｎｍｓそしてそれよシ短波長のレーザーを使用
する事ができる。
実施例
実施例／
本実施例で使用した下記式（ＩＶ）で示される本発明の
光吸収物質は下記の様にして合成した。
光吸収物質は下記の様にして合成した。
Ｓ−アミノ−桑３−ジシアノ−７−一す７トキノン２ｇ
（０，００９モル）をエタノールｔｏθＭに分散させ、
加熱還流下に一分間攪拌した。
（０，００９モル）をエタノールｔｏθＭに分散させ、
加熱還流下に一分間攪拌した。
次いで、ｐ−ヒドロキシェチルアニリンコ、ｊｇ（θ、
θ／１モル〕をエタノールλｏｏｕｔＫｆ／ＩＮした液
を還流下１０分間で滴下し、さらに、そのままの温度で
３０分間攪拌した。反応終了後、熱時濾過し、ｒ液を氷
冷し、得られた結晶を１環、エタノール洗浄、乾燥して
粗結晶を得た。
θ／１モル〕をエタノールλｏｏｕｔＫｆ／ＩＮした液
を還流下１０分間で滴下し、さらに、そのままの温度で
３０分間攪拌した。反応終了後、熱時濾過し、ｒ液を氷
冷し、得られた結晶を１環、エタノール洗浄、乾燥して
粗結晶を得た。
アセトニトリルよ）再結晶を行ない、下記式〔ＩＶ〕で
示される化合物（黒色粉末結晶、ｍｐコ４ｅｊ〜コ＋
ｒ ℃、アセトニトリル溶媒中でのλｍａｘ７６０ｎｒ
ｒＬ）０．ｇ ｐを得た。
示される化合物（黒色粉末結晶、ｍｐコ４ｅｊ〜コ＋
ｒ ℃、アセトニトリル溶媒中でのλｍａｘ７６０ｎｒ
ｒＬ）０．ｇ ｐを得た。
上記式（ＩＶ）に示す本発明の光吸収物質′％：ｌ×／
０−” Ｔｏｒｒの真空でコ０Ｏ０Ｃ〜３００℃に加
熱し、板厚／、２Ｎのメタアクリル樹脂板上に、真空蒸
着した。水晶振動式膜厚計による膜厚は、コｏｉｏＸで
あった。蒸着膜の最大吸収波長は、７デＯｎ７ＦＬであ
υビークは巾広かった。
０−” Ｔｏｒｒの真空でコ０Ｏ０Ｃ〜３００℃に加
熱し、板厚／、２Ｎのメタアクリル樹脂板上に、真空蒸
着した。水晶振動式膜厚計による膜厚は、コｏｉｏＸで
あった。蒸着膜の最大吸収波長は、７デＯｎ７ＦＬであ
υビークは巾広かった。
この蒸着膜に、中心波長ｔ ｊ Ｏｎ＠ の半導体レー
ザー光を出力ｕ ｆｉＷで、ビーム夜釣１μｍで照射し
た所、巾約／μｍ 、ピット長約ａμｍの輪郭の極めて
明瞭な孔（ピット）が形成された。キャリアレベル／ノ
イズレベル（０／ＮＪ比は、ｊ−ｄＢであった。
ザー光を出力ｕ ｆｉＷで、ビーム夜釣１μｍで照射し
た所、巾約／μｍ 、ピット長約ａμｍの輪郭の極めて
明瞭な孔（ピット）が形成された。キャリアレベル／ノ
イズレベル（０／ＮＪ比は、ｊ−ｄＢであった。
実施例コ
本実施例で使用した下記式（Ｖ）で示される本発明の光
吸収物質は、下記の様にして合成した。
吸収物質は、下記の様にして合成した。
ｊ−アミノ−λ、３−ジシアノー／、 ４ｔ−す７トキ
ノンコ、ｐ （０，００９モル）をエタノールｔ００ｄ
に分散させ、加熱還流下ＫＳ分間攪拌した。
ノンコ、ｐ （０，００９モル）をエタノールｔ００ｄ
に分散させ、加熱還流下ＫＳ分間攪拌した。
次いで、３−メチルチオアニリンコ、ｚ ｌ／（０，０
ｔ１モル）をエタノール／ 、ｔ ０１１ＬＩに溶解さ
せた液を還流下Ｓ分間で滴下し、そのままの温度で３Ｑ
分間攪拌した。反応終了後、熱時ｅ過を行ない、一つの
粗結晶を混合し、アセトニトリルより再結晶して、下記
式（Ｖ］で示される化合物（黒色粉末結晶、ｍｐ 、２
４３〜２６６℃、アセトニトリル溶液中でのλｒｎａｘ
７＆Ｏｎｍ）０．４１１の精製品を得た。
ｔ１モル）をエタノール／ 、ｔ ０１１ＬＩに溶解さ
せた液を還流下Ｓ分間で滴下し、そのままの温度で３Ｑ
分間攪拌した。反応終了後、熱時ｅ過を行ない、一つの
粗結晶を混合し、アセトニトリルより再結晶して、下記
式（Ｖ］で示される化合物（黒色粉末結晶、ｍｐ 、２
４３〜２６６℃、アセトニトリル溶液中でのλｒｎａｘ
７＆Ｏｎｍ）０．４１１の精製品を得た。
上記式［Ｖ］に示す本発明の光吸収物質を７×／ ０−
” ＴＯｒｒの真空でコｏｏ℃〜３００℃に加熱し、板
厚／２Ｂのメタアクリル樹脂板上に、真空蒸着した。水
晶振動式膜厚計による膜厚は、／９！ｆＯλであった。
” ＴＯｒｒの真空でコｏｏ℃〜３００℃に加熱し、板
厚／２Ｂのメタアクリル樹脂板上に、真空蒸着した。水
晶振動式膜厚計による膜厚は、／９！ｆＯλであった。
蒸着膜の最大吸収波長は７ ｇ ！ｒ ｎｍでめ）、ピ
ークは巾広かった。
ークは巾広かった。
この蒸着膜に、中心波長ｒ Ｊ Ｏｎｍの半導体レーザ
ー光を出力ｅ ７７ＬＷでビーム夜釣１μｍで照射した
所、巾約１μｍ、ビット長約−μｍの輪郭の極めて明瞭
な孔（ビット〕が形成された。
ー光を出力ｅ ７７ＬＷでビーム夜釣１μｍで照射した
所、巾約１μｍ、ビット長約−μｍの輪郭の極めて明瞭
な孔（ビット〕が形成された。
０／Ｎ比は！ｒ ＯｄＢであった。
実施例３〜ｌり
実施例／に準じて合成した第１表に示す本発明の光吸収
物質を実施例／に記載の方法に従ってメタアクリル樹脂
板上に蒸着した。水晶振動式膜厚計による膜厚は、コ０
０θ±１ｏｏＡ。
物質を実施例／に記載の方法に従ってメタアクリル樹脂
板上に蒸着した。水晶振動式膜厚計による膜厚は、コ０
０θ±１ｏｏＡ。
範囲内であった。
これらの本発明の光吸収物質のベンゼン溶媒中の最大吸
収波長、薄膜の最大吸収波長、半導体レーザー記録時の
○／Ｎ比、保存安定性を前記実施例１およびコの結果と
共に第１表に示す。
収波長、薄膜の最大吸収波長、半導体レーザー記録時の
○／Ｎ比、保存安定性を前記実施例１およびコの結果と
共に第１表に示す。
表中、保存安定性は、６０℃、ｇｏ４の恒温恒湿槽中で
ｉｏ日間保存した後の、半導体レーザーによる書き込み
性能（０７Ｎ比ンを示す。
ｉｏ日間保存した後の、半導体レーザーによる書き込み
性能（０７Ｎ比ンを示す。
ｉ／表
Claims (1)
- （１）基板と、下記一般式〔 I 〕で示される光吸収物
質を含有する記録層とからなる光学記録体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
〔 I 〕 （式中、Ｒはハロゲン原子、アルキルチオ基、ヒドロキ
シアルキル基またはアラルキルオキシ基を表わし、環Ａ
は、ベンゼン環またはナフタレン環を表わし、ｎは１ま
たは２の整数を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156596A JPS6218290A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 光学記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156596A JPS6218290A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 光学記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218290A true JPS6218290A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15631213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60156596A Pending JPS6218290A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 光学記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218290A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173391A (en) * | 1987-08-12 | 1992-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP60156596A patent/JPS6218290A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173391A (en) * | 1987-08-12 | 1992-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
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