JPS6216190A - 光学記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、光学記録体に関する。 従来の技術 レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。 光学記録の一例としては、光ディスクをあげる事ができ
る。 一般に光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層Ｋ、／μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報配備を行なうものである。 記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収によル、
記録層のレーザー光の照射部分に分解、蒸発、溶解等の
熱的変形を生じること【より行なわれ、そして記録され
た情報の再生は、レーザー光を照射することにより、変
形が起きている部分と起きていない部分との反射率の差
を読み取る事によ）行なわれる。 したがって、記録体としては、レーザー光のエネルギー
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、そして、
情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定波
長のレーザー光に対する反射率が高い事が必要である。 上記記録層に、光吸収物質として、シアニン系色素、ス
クワリリウム系色素、フタロシアニン系色素等の有機化
合物を用いることが提案されているが、従来用いられて
いるシアニン系色素、スクワリリウム系色素は、一般に
安定性が悪く、長期間にわたる保存が難しく、そして反
射率が低いため情報が読み出しにくい等の欠点を有して
おシ、また、従来用いられているす７トキノン系色素は
、半導体レーザーの波長＜１１００ｎ付近）に吸収を有
するが、保存安定性が悪く、長期間保存しておくと、薄
膜上で結晶が析出し、Ｏ／Ｎ（キャリアレベル／ノイズ
レベル）比が低下するという欠点を有している。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、レーザー光、特に半導体レーザー光による書
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好な光学記録体
を提供する事を目的とする。 問題を解決するための手段 本発明は、基板と、下記一般式（１）で示される光吸収
性物質を含有する記録層とからなる光学記録体をその要
旨とする。 一般式Ｃ１） Ｒｔ　　　　　　　Ｒ４ 、を表わし、ｎはＯまたは／を表わし、Ｒは水素原子ま
たは置換されていてもよいアルキル基もしくはアルケニ
ル基を表わし、Ｒ１、Ｒ１、ｙおよび汗は水素原子、ア
ルキル基またはハロゲン原子を表わす。） 上記一般式〔１〕で示される本発明の光吸収物質のＲに
おいて、置換されていてもよいアルキル基の例としては
、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の直鎖状
ないし分枝状のアルキル基；メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基等のアルコキシアルキ
ル基；メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基等のアルコキシアルコキシアルキル基；ヒドロキ
シエチル基、ヒドロキシプロピル基等のヒドロキシアル
キル基；メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボ
ニルエチル基等のアルコキシカルボニルアルキル基；メ
トキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニル
オキシエチル基等のフルコキシカルボニルオキシアルキ
ル基；アセチルオキシエチル基、プロピオニルオキシエ
チル基等のアシルオキシアルキル基；シアノエチル基、
クロロエチル基、テトラヒドロフルフリル基等がめげら
着 れ、ｙ換されていてもよいアルケニル基の例としてはア
リル基、コークロロアリル基、コーメチルアリル基、コ
ープロモアリル基、３−メチルアリル基等があげられる
。 Ｈｔ、Ｈｔ、Ｒ８およびＲ４としては水素原子のほかメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル
基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子のハ
ロゲン原子が挙げられる。 本発明で用いる一般式〔■〕で示される光吸収物質は、
たとえば、公知の方法に従い、下記構造式

〔０〕 で示される化合物２モルと下記一般式Ｅｌ）ＩＲ４ （式中、ＸｑｎＳＲ’ＳＲ”、Ｒ１および？は前記（１
）式におけると同義を表わす。） で示されるアニリン誘導体１モルとを有機溶媒中で加熱
することにより容易に製造することができる。 本発明の基板材料としては、ガラス、プラスチックス等
からげられる。プラスチックスは、安全性、軽蓋件の点
で好適である。プラスチックスとしては、アクリル樹脂
、メタクリル樹脂、脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等が挙げられる。 記録層の成膜方法としては、光吸収物質を基板上に真空
蒸着する方法、光吸収物質を樹脂溶液との混合物を基板
上に塗布する方法、光吸収物質を溶媒に溶解させて、基
板に塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられ
る。 真空蒸着法としては、／×１０″″’　Ｔｏｒｒ以上、
好ましくは、コＸ　／　０−”　ＴＯｒｒ以上の高真空
で、抵抗加熱等により前記一般式〔ｌ）に示す光吸収物
質を加熱し、基板上にＡ望＃ＭＭを得る方法を挙げるこ
とができる。膜厚は１．２００−弘０００λ、特に５θ
ｏ−２ｏｏｏＸが好ましい。 塗布による成膜は、上記一般式［’ｌ）に示す光吸収物
質をバインダーとともに溶媒中に、溶解または分散させ
たものをスピンコードする事によシ得られる。バインダ
ーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、セルロース樹脂等が挙けられる。 その際樹脂に対する光吸収物質の使用量の比率は７０ｗ
ｔ４以上が望ましい。 また、溶媒としては、ジメチルホルムアミド、メチルセ
ルソルブ、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、
ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のものを用いる
事ができる。 本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。 上記の様にして得られた光学記録体への記録は、基体の
両面または、片面に設けた記録層に７μｍ程度に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
る事によシ行なう。 レーザー光の照射された部分には、レーザーエネルギー
の吸収による、分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形
が起こる。 記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。 光源としては、Ｈθ−Ｎｏレーザー、Ａｒレーザー、半
導体レーザー等の各イ主のレーザーを用いる事ができる
が、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好まし
い。 半導体レーサーとしては、中心波長ｇＪＯｎｍ。 中心波長７ざＯｎｍ　、そしてそれより短波長のレーザ
ーを使用する事ができる。 実施例 実施例１ 本実施例で使用した下記式ＣＩＶ）で示される本発明の
光吸収物質は下記の様にして合成した。 Ｓ−アミノ−２，Ｊ−ジシアノ−／、弘−ナフトキノン
ｊ　ｇ（０，０／　ｊモル）をエタノールざ００ゴに分
散させ、加熱還流下にＪ′ｊ＋間攪拌した。 ｐ、ｐ’−ジアミノジフェニルメタン７．３’１ｉ（ｏ
、ｏｏｑモル）をエタノールｑ　００　ｍｌに溶解した
液を還流下１０分間で滴下し、さらに、そのままの温度
で３θ分間攪拌した。反応終了後、熱時ｆ過し、ｒ液を
氷冷し、得られた結晶をｆ似にエタノール洗浄、乾燥し
て黒色粉末結晶θ、ｌＩを得た。水晶のｍｐは３−θ℃
以上ｔＩ。 アセトニトリル溶媒中のλｍａｘ　７６θｎｍ　であっ
た。 上記式［１ｖ）　Ｋ示す本発明の光吸収物質を／×／θ
−＠Ｔｏｒｒの真空で３００℃〜ｐ　ｏ　ｏ　’（、に
加熱し、板厚／コ市のメタアクリル樹脂板上に、真空蒸
着した。水晶振動式膜厚計による膜厚は、コｏｏｏＸで
おった。蒸着膜の最大吸収成長は、りｇ　Ｏｎ＠　　で
あυビークは巾広かった。 この蒸着膜Ｋ、中心波長１．７０　ｎｍ　の半導体レー
ザー光を出力＆ｍＷで、ビーム径約／　Ｉｔｍで照射し
た所、巾約１μｍ、ピット長約−μｍの輪１５の極めて
明瞭な孔（ビット）が形成された。Ｏ／　Ｎ比は、！　
ＯｄＢ　でめった。 実施例−〜／ｇ 実施例／に準じて合成した第１表に示す本発明の光吸収
物質を実施例／に記載の方法に従ってメタアクリル樹脂
板上に蒸着した。水晶振動式膜厚計による膜厚は、−〇
〇〇±１０ＯＸの範囲内であった。 これらの本発明の光吸収物質のベンゼン溶媒中の最大吸
収波長、薄膜の最大吸収波長、半導体レーザー記録時の
Ｏ／Ｎ比、保存安定性な前記実施例１の結果と共に第１
表に示す。表中、保存安定性は、６０℃、１０％の恒温
恒湿槽中で／θ日間保存した後の、半導体レーザーによ
る書き込み性能（０／Ｎ比）を示す。 第　　ｌ　　表

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、下記一般式〔 I 〕で示される光吸収物
   質を含有する記録層とからなる光学記録体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・〔 I 〕 （式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、▲数式、化学式、表等が
   あります▼または−ＣＨ＿３−を表わし、ｎは０または
   １を表わし、Ｒは水素原子または置換されていてもよい
   アルキル基もしくはアルケニル基を表わし、Ｒ＾１、Ｒ
   ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４は水素原子、アルキル基また
   はハロゲン原子を表わす。）