JPS62246590A - ジチオフエノレ−ト系錯体及び同錯体を含有する光学記録媒体 - Google Patents
ジチオフエノレ−ト系錯体及び同錯体を含有する光学記録媒体Info
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- JPS62246590A JPS62246590A JP61087140A JP8714086A JPS62246590A JP S62246590 A JPS62246590 A JP S62246590A JP 61087140 A JP61087140 A JP 61087140A JP 8714086 A JP8714086 A JP 8714086A JP S62246590 A JPS62246590 A JP S62246590A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(荀発明の目的
(産業上の利用分野)
本発明はジチオフェノレート系錯体及び同錯体を含有す
る光学記録媒体に関する。
る光学記録媒体に関する。
(従来の技術)
レーデ−を用いる光学記録は、高密度の情報記録保存及
び再生が可能なために、近年、特に開発が望まれている
。そして、光学記録の一例としては光ディスクがあげら
れる。
び再生が可能なために、近年、特に開発が望まれている
。そして、光学記録の一例としては光ディスクがあげら
れる。
一般に1光デイスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、1μW&程度に集束したレーデ−光を照射し、
高密度の情報記録を行なうものである。
録層に、1μW&程度に集束したレーデ−光を照射し、
高密度の情報記録を行なうものである。
その記録は、照射されたレーデ−エネルギーの吸収によ
シ、その個所に生じた記録層の分解、蒸発、溶解等の熱
的変形が生成することにょシ行なわれる。また、その記
録された情報の再生は、レーデ−光によシ変形が起きて
いる部分と、起きていない部分の反射率の差を読み取る
ことにょシ行なわれる。
シ、その個所に生じた記録層の分解、蒸発、溶解等の熱
的変形が生成することにょシ行なわれる。また、その記
録された情報の再生は、レーデ−光によシ変形が起きて
いる部分と、起きていない部分の反射率の差を読み取る
ことにょシ行なわれる。
したがって、記録媒体としては、レーザー光のエネルギ
ーを効率よく吸収する必要があるために、記録に使用す
る特定波長のレーデ−光に対する吸収が大きいこと、情
報の再生を正確に行なうために、再生に使用する特定波
長のレーデ−光に対する反射率が高いことが必要である
。
ーを効率よく吸収する必要があるために、記録に使用す
る特定波長のレーデ−光に対する吸収が大きいこと、情
報の再生を正確に行なうために、再生に使用する特定波
長のレーデ−光に対する反射率が高いことが必要である
。
従来、この種の光学記録媒体としては、種々の化合物を
用いたものが知られている。
用いたものが知られている。
たとえば、特開昭55−97033号公報には、基板上
にフタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示され
ている。しかし、フタロシアニン系色素、は感度が低く
、分解点が高くて蒸着しにくい等の問題点があシ、さら
に有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布によるコ
ーティングに使用できない問題点がある。
にフタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示され
ている。しかし、フタロシアニン系色素、は感度が低く
、分解点が高くて蒸着しにくい等の問題点があシ、さら
に有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布によるコ
ーティングに使用できない問題点がある。
また、特開昭58−83344号公報には7工ナレン系
色素を、特開昭58−224793号公報にはす7トキ
ノン系色素を記録I−として設けたものが開示されてい
る。しかし、これらの色素は蒸着しゃすい利点がある反
面において、反射率が低いという問題点がある。反射率
が低いとレーデ−光によ〕記録された部分と未記録部分
との反射率にもとづくコントラストが低くなシ、記録さ
れた情報の再生が困廟となる。
色素を、特開昭58−224793号公報にはす7トキ
ノン系色素を記録I−として設けたものが開示されてい
る。しかし、これらの色素は蒸着しゃすい利点がある反
面において、反射率が低いという問題点がある。反射率
が低いとレーデ−光によ〕記録された部分と未記録部分
との反射率にもとづくコントラストが低くなシ、記録さ
れた情報の再生が困廟となる。
また、特開昭59−24692号公報、特開昭59−6
7092号公報、特開昭59−71895号公報には、
シアニン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は塗布によるコーティングが
容易である反面において、耐光性及び再生光による劣化
しゃすい問題点がある。
7092号公報、特開昭59−71895号公報には、
シアニン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は塗布によるコーティングが
容易である反面において、耐光性及び再生光による劣化
しゃすい問題点がある。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが容易で、しかも耐光性及び再生光に対す
る耐性に優れた色素を提供すること、及び同色素を含有
する光学記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。
コーティングが容易で、しかも耐光性及び再生光に対す
る耐性に優れた色素を提供すること、及び同色素を含有
する光学記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。
(b)発明の構成
(問題点を解決するための手段)
本′発明者等は前記の問題点を解決するために種種研究
を重ね九結果、特定の化学構造を有する新規なジチオフ
ェノレート系錯体がその目的に適することを見出し、本
発明に到達したのである。
を重ね九結果、特定の化学構造を有する新規なジチオフ
ェノレート系錯体がその目的に適することを見出し、本
発明に到達したのである。
すなわち、本発明のジチオフェノレート系錯体は、一般
式 (式中、R’、R2,R’及びR4はそれぞれ水素原子
、ハロダン原子又はアルキル基を示し、 R’、R’、
R’及びR8はそれぞれ置換基若しくは置換原子を有し
ていてもよいアルキル基又キアリール基を示し、Mは金
属原子を示す。) で嵌わされる錯体である。
式 (式中、R’、R2,R’及びR4はそれぞれ水素原子
、ハロダン原子又はアルキル基を示し、 R’、R’、
R’及びR8はそれぞれ置換基若しくは置換原子を有し
ていてもよいアルキル基又キアリール基を示し、Mは金
属原子を示す。) で嵌わされる錯体である。
また、本発明の光学記録媒体は、前記一般式(1)で表
わされるジチオフェノレート系錯体を含有する光学記録
媒体である。
わされるジチオフェノレート系錯体を含有する光学記録
媒体である。
本発明の前記一般式(1)で表わされるジチオフェノレ
ート系錯体は、たとえば一般式 〔式中、R、R、R及びRは、それぞれ前記一般式(1
)Kおけるそれらと同一のものを示す。〕で表わされる
ジチオール誘導体と、一般式%式% (式中、Mは前記一般式(1)におけるMと同一のもの
を示し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子等のハ
ロゲン原子を示す。) で表わされる金属ハロゲン化物とを反応させたのち、さ
らに一般式 〔式中、R、R、R及びRはそれぞれ前記一般式([)
Kおけるそれらと同一のものを示し、Xは前記一般式(
ト)におけるXと同一のものを示す。〕で表わされるホ
スホニウム塩を反応させることKよシ製造することがで
きる。
ート系錯体は、たとえば一般式 〔式中、R、R、R及びRは、それぞれ前記一般式(1
)Kおけるそれらと同一のものを示す。〕で表わされる
ジチオール誘導体と、一般式%式% (式中、Mは前記一般式(1)におけるMと同一のもの
を示し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子等のハ
ロゲン原子を示す。) で表わされる金属ハロゲン化物とを反応させたのち、さ
らに一般式 〔式中、R、R、R及びRはそれぞれ前記一般式([)
Kおけるそれらと同一のものを示し、Xは前記一般式(
ト)におけるXと同一のものを示す。〕で表わされるホ
スホニウム塩を反応させることKよシ製造することがで
きる。
前me、 一般式(1) 又ハ(II) Kオff ル
R1,R2,Rs及ヒR4の具体例としては、水素原子
、塩素原子や臭素原子等のハロゲン原子、メチル基、エ
チル基、プロビル基又はブチル基等のアルキル基があげ
られる。
R1,R2,Rs及ヒR4の具体例としては、水素原子
、塩素原子や臭素原子等のハロゲン原子、メチル基、エ
チル基、プロビル基又はブチル基等のアルキル基があげ
られる。
また、前記一般式(1)又は(fV) KおけるR55
R’ #R7及びRの具体例としては、置換基若しくは
置換原子を有していてもよいアルキル基、好ましくは炭
素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよいア
リール基がめげられる。そのアルキル基の置換基若しく
は置換原子としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキ
シ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシ基、塩素原子
や臭素原子等のハ、ログン原子、フェニル基等の7リー
ル基、1.3−ジオキサン等のへテロ環基、カル−キシ
ル基、エチレン基等がめげられる。そして、アリール基
の有しうる置換基としてはアルキル基があげられる。
R’ #R7及びRの具体例としては、置換基若しくは
置換原子を有していてもよいアルキル基、好ましくは炭
素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよいア
リール基がめげられる。そのアルキル基の置換基若しく
は置換原子としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキ
シ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシ基、塩素原子
や臭素原子等のハ、ログン原子、フェニル基等の7リー
ル基、1.3−ジオキサン等のへテロ環基、カル−キシ
ル基、エチレン基等がめげられる。そして、アリール基
の有しうる置換基としてはアルキル基があげられる。
また、前記一般式(1)又は(I[[)におけるMで示
される金属原子としては、たとえばN I T Cu
e Z n * Pb eCo、Pt、Atc、Fe等
があげられる。
される金属原子としては、たとえばN I T Cu
e Z n * Pb eCo、Pt、Atc、Fe等
があげられる。
また、前記一般式(りで表わされる本発明のジチオフェ
ノレート系錯体の具体例としては、たとエバビス(1,
2−ジチオフェノレート)ニッケルメチルトリフェニル
ホスホニウム、ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェ
ノレート)二、ケルエチルトリフェニルホスホニウム、
ビス(1,4−ジメチル−2,3−ジテオフェノレート
)二、ケル(fl)ブチルトリフェニルホスホニウム、
ビス(1,2,3,4−テトラメチル−5,6−ジチオ
フェノレート)ニッケル(−)オクチルトリフェニルホ
スホニウム、ビス(1−クロロ−3,4−ジチオフェノ
レート)ニッケルメトキシエチルトリフェニルホスホニ
ウム、ビス(1,2,3,4−テトラクロロ−5,6−
ジチオフェノレート)二、ケルメチルトリフェニルホス
ホニウム、ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェ/L
/−))コバルトメチル)9フエニルホスホニウム、ビ
ス(1−メチル−3,4−ジチオフェノL/−))白金
テ) t (n)ブチルホスホニウム、ビス(1−メチ
ル−3,4−−/チオフェノレート)パラジウムトリメ
チルフェニルホスホニウム、ビス(l−メチル−3,4
−ジチオフェノレート)金メチルトリシクロへキシルホ
スホニクム、ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェノ
レート)フェロメチルトリーp−トリルホスホニウム、
ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェノレート)ニッ
ケルアリルトリフェニルホスホニウム、ビス(1−メチ
ル−3t4− ’)チオフェノレート)二、ケルベンジ
ルトリフェニルホスホニウム、ビス(1−メチル−3,
4−−/チオフェノレート)ニッケルプロモグ四ピルト
リフェニルホスホニウム、ビス(1−メチル−3,4−
ジチオフェノレート)ニッケルー4−力ル?キシツチル
トリフェニルホスホニウム等があげられる。
ノレート系錯体の具体例としては、たとエバビス(1,
2−ジチオフェノレート)ニッケルメチルトリフェニル
ホスホニウム、ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェ
ノレート)二、ケルエチルトリフェニルホスホニウム、
ビス(1,4−ジメチル−2,3−ジテオフェノレート
)二、ケル(fl)ブチルトリフェニルホスホニウム、
ビス(1,2,3,4−テトラメチル−5,6−ジチオ
フェノレート)ニッケル(−)オクチルトリフェニルホ
スホニウム、ビス(1−クロロ−3,4−ジチオフェノ
レート)ニッケルメトキシエチルトリフェニルホスホニ
ウム、ビス(1,2,3,4−テトラクロロ−5,6−
ジチオフェノレート)二、ケルメチルトリフェニルホス
ホニウム、ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェ/L
/−))コバルトメチル)9フエニルホスホニウム、ビ
ス(1−メチル−3,4−ジチオフェノL/−))白金
テ) t (n)ブチルホスホニウム、ビス(1−メチ
ル−3,4−−/チオフェノレート)パラジウムトリメ
チルフェニルホスホニウム、ビス(l−メチル−3,4
−ジチオフェノレート)金メチルトリシクロへキシルホ
スホニクム、ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェノ
レート)フェロメチルトリーp−トリルホスホニウム、
ビス(1−メチル−3,4−ジチオフェノレート)ニッ
ケルアリルトリフェニルホスホニウム、ビス(1−メチ
ル−3t4− ’)チオフェノレート)二、ケルベンジ
ルトリフェニルホスホニウム、ビス(1−メチル−3,
4−−/チオフェノレート)ニッケルプロモグ四ピルト
リフェニルホスホニウム、ビス(1−メチル−3,4−
ジチオフェノレート)ニッケルー4−力ル?キシツチル
トリフェニルホスホニウム等があげられる。
本発明のジチオフェノレート系錯体(1)は広範囲の種
々の溶媒に対して可溶である。たとえばクロロホルム、
ジクロルメタン、ジクロルエタン、ジブロムエタン、テ
トラクロルエタン等の含ハロゲン炭化水素系溶媒;ジエ
チルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメ
トキシエタン等のエーテル系s媒u酢酸エチル、エチル
セルソルブアセテート等のエステル系溶媒;アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶媒:アセトアミド、N、N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン等のアミド系ヴ 溶媒:メ気ノール、エタノール、メチルセルソルフ等の
アルコール系溶s :ベンゼン、トルエン、キシレン、
クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジメチルス
ルホキシドなどに可溶である。
々の溶媒に対して可溶である。たとえばクロロホルム、
ジクロルメタン、ジクロルエタン、ジブロムエタン、テ
トラクロルエタン等の含ハロゲン炭化水素系溶媒;ジエ
チルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメ
トキシエタン等のエーテル系s媒u酢酸エチル、エチル
セルソルブアセテート等のエステル系溶媒;アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶媒:アセトアミド、N、N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン等のアミド系ヴ 溶媒:メ気ノール、エタノール、メチルセルソルフ等の
アルコール系溶s :ベンゼン、トルエン、キシレン、
クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジメチルス
ルホキシドなどに可溶である。
本発明のジチオフェノレート系錯体(1)は、光学記録
媒体用の色素として優れているし、また−重環酸素クエ
ンチャーとしての作用がア〕、シたがってシアニン系色
素等の耐光性向上剤としても使用することができる。
媒体用の色素として優れているし、また−重環酸素クエ
ンチャーとしての作用がア〕、シたがってシアニン系色
素等の耐光性向上剤としても使用することができる。
次に、本発明の光学記録媒体は、前記一般式(1)で嵌
わされるジチオフェノレート系錯体を含有する媒体であ
るが、以下その一例として光ディスクについて主として
詳述する。
わされるジチオフェノレート系錯体を含有する媒体であ
るが、以下その一例として光ディスクについて主として
詳述する。
本発明の光学記録媒体用の基板としては、使用するレー
ザー光に対して透明又は不透明のいずれであってもよい
。基板の材質としては、ガラス、プラスチ、り、紙、板
状若しくは箔状の金属等の、一般にこの種の記録媒体用
の支持体が使用できるが、安全性、軽量性等の点からし
てプラスチックが好ましい。その基板用のグラスチック
としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹
脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、プリカーゴネー
ト樹脂、プリエステル樹脂、ぼりエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、−リスチレン樹脂等が
あげられる。
ザー光に対して透明又は不透明のいずれであってもよい
。基板の材質としては、ガラス、プラスチ、り、紙、板
状若しくは箔状の金属等の、一般にこの種の記録媒体用
の支持体が使用できるが、安全性、軽量性等の点からし
てプラスチックが好ましい。その基板用のグラスチック
としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹
脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、プリカーゴネー
ト樹脂、プリエステル樹脂、ぼりエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、−リスチレン樹脂等が
あげられる。
これらの基板上にジチオフェノレート系錯体(1)を含
有する記録媒体層を形成せしめる成膜方法としては、基
板上にジチオフェノレート系錯体(1)を真空蒸着する
方法、錯体(1)の溶媒溶液、又は錯体(1)とバイン
ダー樹脂との混合溶媒溶液を基板上に塗布する方法、こ
れらの溶液に基板を浸漬する方法等があるが、本発明の
錯体(りが溶媒に対する溶解性に優れているので、溶媒
溶液又はバインダー樹脂との混合溶媒溶液を塗布又は浸
漬する方法、特にスピナー法で塗布する方法が好ましい
。
有する記録媒体層を形成せしめる成膜方法としては、基
板上にジチオフェノレート系錯体(1)を真空蒸着する
方法、錯体(1)の溶媒溶液、又は錯体(1)とバイン
ダー樹脂との混合溶媒溶液を基板上に塗布する方法、こ
れらの溶液に基板を浸漬する方法等があるが、本発明の
錯体(りが溶媒に対する溶解性に優れているので、溶媒
溶液又はバインダー樹脂との混合溶媒溶液を塗布又は浸
漬する方法、特にスピナー法で塗布する方法が好ましい
。
その場合に使用するバインダー樹脂としては、たとえば
?リイミド樹脂、4リアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーがネート樹
脂、セルロース系樹脂などがあげられる。バインダー樹
脂とジチオフェノレート系錯体(りとの比率は、樹脂に
対する錯体(1)の比率で10重量−以上が望ましい。
?リイミド樹脂、4リアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーがネート樹
脂、セルロース系樹脂などがあげられる。バインダー樹
脂とジチオフェノレート系錯体(りとの比率は、樹脂に
対する錯体(1)の比率で10重量−以上が望ましい。
スピナー法で成膜する場合の回転数は500〜5000
rpmが好ましく、スピンコード後に場合ニよっては
加熱或いは溶媒蒸気にあてるなどの処理を行なってもよ
い。
rpmが好ましく、スピンコード後に場合ニよっては
加熱或いは溶媒蒸気にあてるなどの処理を行なってもよ
い。
本発明の記録媒体層には、前記錯体(1)に、必要に応
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は、たとえばスクアリリウム系色素、トリアリールメタ
ン系色素、アゾ系色素、シアニア系色1g、シアニン系
色素、インドフェノール系色素があげられる。
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は、たとえばスクアリリウム系色素、トリアリールメタ
ン系色素、アゾ系色素、シアニア系色1g、シアニン系
色素、インドフェノール系色素があげられる。
記録媒体層を形成せしめる丸めの塗布方法としては、前
記のスピナー法以外に、たとえばドクターブレード法、
キャスト法、浸漬法なども使用することができる。塗布
溶液用の溶媒としては、たとえばブロモホルム、ジブロ
モエタン、エチルセロソルツ、キシレン、クロロベンゼ
ン、シクロヘキサノン等がめげられ、特に沸点が120
〜160℃の範囲の溶媒が好適に使用される。
記のスピナー法以外に、たとえばドクターブレード法、
キャスト法、浸漬法なども使用することができる。塗布
溶液用の溶媒としては、たとえばブロモホルム、ジブロ
モエタン、エチルセロソルツ、キシレン、クロロベンゼ
ン、シクロヘキサノン等がめげられ、特に沸点が120
〜160℃の範囲の溶媒が好適に使用される。
本発明の記録媒体は、記録層を基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。
いし、片面だけに設けてもよい。
本発明の記録媒体への記録は、基体の両面又は片面に設
けられた記録層に、1μm程度に集束したレーザー光、
好ましくは半導体レーザー光t−当てることによシ行な
われる。レーデ−光の照射された部分には、分解、蒸発
、溶融等の記録層の熱的変形が生じ、記録されることに
なる。
けられた記録層に、1μm程度に集束したレーザー光、
好ましくは半導体レーザー光t−当てることによシ行な
われる。レーデ−光の照射された部分には、分解、蒸発
、溶融等の記録層の熱的変形が生じ、記録されることに
なる。
記録された情報の再生は、レーザー光により熱的変形が
起きている部分と、起きていない部分との反射率の差を
読み取ることによシ行なわれる。
起きている部分と、起きていない部分との反射率の差を
読み取ることによシ行なわれる。
記録媒体の記録及び再生に使用される光源のレーデ−と
しては、H・−N・レーデ−1Arレーザー、半導体レ
ーデ−等の各種のレーザーがあるが、価格、大きさなど
の点で、半導体レーザーが特に好ましい。半導体レーザ
ーとしては、中心波長830nm、中心波長780 a
mのもの、そしてそれよシ短波長のものを使用すること
ができる。
しては、H・−N・レーデ−1Arレーザー、半導体レ
ーデ−等の各種のレーザーがあるが、価格、大きさなど
の点で、半導体レーザーが特に好ましい。半導体レーザ
ーとしては、中心波長830nm、中心波長780 a
mのもの、そしてそれよシ短波長のものを使用すること
ができる。
(実施例)
以下に、実施例をあげてさらに詳述する。
実施例1
金属カリウム0.269f無水エタノール15@Jに溶
解し、その中に攪拌しながらトルエン−3,4−ジチオ
ール0.51を加え、次いでメチルトリフェニルホスホ
ニウムプロミド1.1gを加え、室温下で1時間攪拌し
たのち、氷水で冷却してから一過、乾燥して構造式 を有するビス(1−メチル−3,4−ジチオフェル−)
)ニッケルメチルトリフェニルホスホニウムを得た。こ
の化合物は融点が143〜144℃であシ、クロロホル
ム中でのλmaxが874 nmであった・ この化合物をテトラクロルエタンに溶解して、2.0i
li量多溶液とし、スピナー法(回転数100゜rpm
)によυメタクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚が90
0Xの薄膜を形成せしめた。この薄膜の最大吸収波長は
920 nmであシ、ピークは巾が広かった。
解し、その中に攪拌しながらトルエン−3,4−ジチオ
ール0.51を加え、次いでメチルトリフェニルホスホ
ニウムプロミド1.1gを加え、室温下で1時間攪拌し
たのち、氷水で冷却してから一過、乾燥して構造式 を有するビス(1−メチル−3,4−ジチオフェル−)
)ニッケルメチルトリフェニルホスホニウムを得た。こ
の化合物は融点が143〜144℃であシ、クロロホル
ム中でのλmaxが874 nmであった・ この化合物をテトラクロルエタンに溶解して、2.0i
li量多溶液とし、スピナー法(回転数100゜rpm
)によυメタクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚が90
0Xの薄膜を形成せしめた。この薄膜の最大吸収波長は
920 nmであシ、ピークは巾が広かった。
この薄膜に、中心波長830 nmの半導体レーザー光
を出力4−で、ビーム径約1μmで照射したとζろ、巾
約1μm1ピ、ト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(
ビット)が形成され、その記録は耐光性及び再生光に対
する耐性が良好であった。
を出力4−で、ビーム径約1μmで照射したとζろ、巾
約1μm1ピ、ト長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔(
ビット)が形成され、その記録は耐光性及び再生光に対
する耐性が良好であった。
実施例2〜7
実施例IK記載の方法に準じて、第1鍼に示す種々のジ
チオフェノレート系錯体を製造した。得られた各錯体の
アセトン中でのλWaXは第1表に示すとおシであった
。
チオフェノレート系錯体を製造した。得られた各錯体の
アセトン中でのλWaXは第1表に示すとおシであった
。
第 1 表
第1表に示す実施例2〜9において製造した各錯体を使
用し、実施例1に準じて薄膜を形成し、実施例1と同様
にして半導体レーザーによる記録を行ったところ、いず
れも明瞭なビットが形成され、耐光性及び再生光に対す
る耐性が良好であったQ (、)発明の効果 本発明のジテオフェノレート系錯体は有機溶媒に対する
溶解性に優れ、塗布による記録I−の形成が容易であシ
、シかも得られる記録層は耐光性及び再生光に対する耐
性に優れている。
用し、実施例1に準じて薄膜を形成し、実施例1と同様
にして半導体レーザーによる記録を行ったところ、いず
れも明瞭なビットが形成され、耐光性及び再生光に対す
る耐性が良好であったQ (、)発明の効果 本発明のジテオフェノレート系錯体は有機溶媒に対する
溶解性に優れ、塗布による記録I−の形成が容易であシ
、シかも得られる記録層は耐光性及び再生光に対する耐
性に優れている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3及びR^4はそれぞれ
水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示し、R^5
、R^6、R^7及びR^8はそれぞれ置換基若しくは
置換原子を有していてもよいアルキル基又はアリール基
を示し、Mは金属原子を示す。) で表わされるジチオフェノレート系錯体。 2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3及びR^4はそれぞれ
水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示し、R^5
、R^6、R^7及びR^8はそれぞれ置換基若しくは
置換原子を有していてもよいアルキル基又はアリール基
を示し、Mは金属原子を示す。) で表わされるジチオフェノレート系錯体を含有する光学
記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61087140A JPS62246590A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ジチオフエノレ−ト系錯体及び同錯体を含有する光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61087140A JPS62246590A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ジチオフエノレ−ト系錯体及び同錯体を含有する光学記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62246590A true JPS62246590A (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=13906662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61087140A Pending JPS62246590A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ジチオフエノレ−ト系錯体及び同錯体を含有する光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62246590A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2003002500A1 (ja) * | 2001-06-28 | 2004-10-14 | 日本ゼオン株式会社 | シクロアルキルアルキルエーテル化合物を含有してなる溶剤及びシクロアルキルアルキルエーテル化合物の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62123192A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | テトラアルキルホスホニウムビス(1,2−ベンゼンジチオラト)ニツケレ−ト誘導体 |
JPS62158779A (ja) * | 1986-01-04 | 1987-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 赤外線吸収性組成物 |
JPS62181381A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-08-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 近赤外線吸収組成物 |
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1986
- 1986-04-17 JP JP61087140A patent/JPS62246590A/ja active Pending
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