JPS633062A

JPS633062A - インドフエノ−ル系化合物及び該化合物を含む光学的記録媒体

Info

Publication number: JPS633062A
Application number: JP61146560A
Authority: JP
Inventors: Yukichi Murata; 勇吉村田; Shuichi Maeda; 修一前田; Yukiyo Kimura; 木村　享代
Original assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 1986-06-23
Filing date: 1986-06-23
Publication date: 1988-01-08
Anticipated expiration: 2010-08-16
Also published as: JPH0776308B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、インドフェノール系化合物および該化合物を
用いた光学的記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

レーザーを用いた光学記録は、高密波の情報配分保存お
よび再生を可能とするため、近年。

特にその開発がとりす〜められている。

光学記録の一例としては１元ディスクをあげることかで
きる。

一般に１元ディスクは１円形の基体に設けられた薄い記
録層に、１μｍ程度に集束したレーザー党を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー党エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に１分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことにより行なわれる。また、記録された情報ノ再生は
、レーザー元により変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる。

したがって、光学記録媒体としては、レーザー元のエネ
ルギーを効率よ（吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー元に苅する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー元に対する反射率が高いことが必要とな
る。

この梅の光学的記録媒体としては１種々の構成のものが
知られている。

例えば、特開昭５！−’１７０．７３号公報には、基板
上にフタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示さ
れている。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が
低く、また分解点が高（蒸着しにくい等の問題点を有し
、さらに有機溶媒に対する溶解性が著しく低（、塗布に
よるコーティングに使用することができないという問題
点も有している。

また、特開昭！ｔ−ｔＪＪ４ｔ’１号公報にはフェナレ
ン系色素を、特開昭！ｒざ−２，２’１７９．３号公報
にはナフトキノン系色素を記録層に設けたものが開示さ
れている。しかし、このような色素は蒸着しやすいとい
う利点の反面１反射率が低いという問題点を有している
。反射率が低いとレーザー元により記録された部分と未
記録部分との反射率に関係するコントラストは低（なり
、記録された情報の再生が困難となる。更に、−般に有
機系色素は保存安定性が劣るという問題点を宵している
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、蒸着が容易で、有機溶媒に対する溶解性が高
く、塗布によるコーティングも可能で、しかも１反射率
が高く、コントラストが良好で保存性にすぐれているイ
ンドフェノール系化合物及びそれを用いた光学的記録媒
体を提併することを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、レーザー光線によって状態変化を生せしめる
ことによって配分再生を行なうだめの光学的記録媒体の
色素として適した下記−数式［Ｉ］で表わされるインド
フェノール系化合物及びそれを基板に担持させた光学的
記録媒体をその要旨とするものである。

一般式ＣＩＩ芹、Ｒ為には置換もしくは、非置換の芳香族アミンの残基を表わ
し　Ｈｔ、　Ｈｚ、　Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、
二）ｏ基、ｌ１ｉｉ換もしくは非置換のアルキル基、置
換もしくは非置換のアルコキシ基、置換もしくは非置換
のアミノカルボニル基、置換もしくは非置換のカルボニ
ルアミノ基、置換もしくは非置換のアミンスルホニル基
、置換もしくは非置換のスルホニルアミノ基または置換
もしくは非置換のチオカルボニルアミノ基を表わす。）一般式ＣＩ）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３で示されるアルキル
基、アルコキシ基、アミノカルボニル基、カルボニルア
ミノ基、アミノスルホニル基、スルホニルアミノ基また
はチオカルボニルアミノ基の置換基としては１例えば、
チオシアナト基。

ニトロ基、ハロゲン原子、シアン基、アルキル基、アル
キルスルホニル基、ヒドロキシアルキルスルホニル基、
アルコキシスルホニル基、アルコキシアルコキラスルホ
ニル基、アリルスルホニル基、アルコキシカルボニル基
、アルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシアル
コキシアルコキシカルボニル基、アルコキシ基。

アルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコ
キシ基等で置換されていてもよいフェニル基、ナフチル
基等のアリール基；アルキル基；ベンジル基等のアラル
キル基；テトラヒドロフルフリル基ニジクロヘキシル基
等のシクロアルキル基；フェニルアミノ基、アルキルア
ミノ基、ジアルキルアミノ基等のアミノ基；ニトロチア
ゾリル基、ニトロベンゾチアゾリル基。

アルキルチオチアシアシリｙ基、ジシアノアルキルジア
ゾリル基、ブロムベンゾチアゾール基等の窒素原子、酸
素原子もしくは硫黄原子を含むｊ員または６員の置換も
しくは非置換の複素環残基等を挙げることができる。

また、にで示される置換もしくは非置換の芳香族アミン
の残基としては１例えば、テトラヒドロキノリン頌、或
いは、下記−数式〔■〕（式中、ＸおよびＹは水素厘子
、アルキル基。

アシルアミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表
わし　Ｒ４および犯は水素原子：Ｃ１〜０２０の置換も
しくは非置換のアルキル基、ア１）−ル基またはシクロ
ヘキシル基を表わす。）で示される基等が挙げられる。

式中、−Ｒ４および−Ｒ５で示されるアルキル基、アリ
ール基またはシクロヘキシル基の置換基としては１例え
ば。

アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシア
ルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリール基、
アリールオキン基、シアン基。

ヒドロキシ基、テトラヒドロフリル基等が挙げられる。

前記−数式ＣＤで示されるインドフェノール系化合物は
、ｔｏｏ−ｇｏｏｎｍの波長帯域で吸収を有し、しかも
分子吸収係数が１０４〜１０’α−１である。

本発明の一故式〔Ｉ〕で示されるインドフェノール系化
合物の一般的合成は、たとえば　Ｐ、　Ｗ。

Ｖｉｔｔｕｍ　ａｎｄ　Ｇ、　Ｂ、　Ｂｒｏｗｎ、　Ｊ
、　Ａｍ、　Ｂｏａ、　Ｃｈｅｍ、　、　４１．２ｘＪ
！（／ｑｌｌｂ）の記載に迎じて行うことができる。

本発明の光学的記録媒体は、基本的には基板とインドフ
ェノール系化合物を含む記録層とから構成されるもので
あるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層をまた記
録層上に保ｄ層を設けることができる。

本発明における基板としては、使用するレーザー元に対
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラヌ、プラスチック、紙、板状または箔
状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられろが、
グラスチックが種々の点から好適である。プラスチック
としては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂。

酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリイミド樹脂。

エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。

本発明の光学的記録媒体における情報記録層としてイン
ドフェノール系化合物を使用する際。

膜厚はｉｏｏλ〜３μｍ、好ましくは１ｏｏｏλ〜３μ
ｍである。成膜法としては真空蒸着法。

スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、
スピナー法、浸漬法など一般に行なわれている薄膜形成
法で成膜することができる。

また、必要に応じてバインダーを使用することもできる
。バインダーとしてはＰＭ７Ａ、ＰＶＰ。

ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラ
ール、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、樹
脂に対するインドフェノール系化合物の量はＭＱ比で０
．０７以上あることが望ましい。スピナー法により成膜
の場合０回転数は！　００−Ｓ−！；　０００　ｒｐｍ
が好ましく、２ビンコートの後、場合によっては、　７
１Ｄ熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なっても
よい。また、記録体の安定性やＩＴｒｔ元性向土性向上
に、−重項酸累クエンチャ−として遷移金属キレート化
合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フエニルジチオール、サリチルアルデヒドオキンム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等）を含有していてもよい。更
に、必１ｃ応じて他の色素を併用することができる。他
の色素としては別の種類のインドフェノール系色素でも
よいし、トリアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニ
ン系色素、スクワリリウム系色素など他系統の色素でも
よい。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては。

テトラクロロエタン、ブロモホルム、ジブロモエタン、
エチルセロツル７”、−］１−シレン、クロロベンゼン
、シクロヘキサノン等の沸虞／コ０〜ｉｂｏ℃のものが
好適に使用されろ。

本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設げてもよい。

上記の様にして得られた記録体への記録は。

基体の両面または、片面に設けた記録層に／μｍ程度に
集束したレーザー元、好ましくは、半導体レーザーの元
をあてる事により行なう。レーザー元の照射された部分
には、レーザーエネルギーの吸収による１分解、蒸発、
洛融等の記録層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーデ−党により。

熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率
の差を読み取る事により行なう。

本発明の光学的記録媒体について便用されるレーザー元
はＮ２　、　Ｈｅ−Ｃｄ　、　Ａｒ　、Ｈｅ−Ｎｏ　、
　／ｌ／ビー、半導体１色素レーザーなどがあげられる
が、特に、軽量性、取扱いの容易さ、コンパクト性など
の点から半導体レーザーが好適である。

実施例以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。

実施例１（ａ）製造例下記構造式Ｃ１で表わされる化合物ｏ、ｔｔ２ｇをＤＭ’ＦユＯｍｌに
那え、攪拌した。シアン化カリウムｏ、ｉｇを水ユ５ゴ
に俗解した液を加え、室温でコ時間反応させた。次いで
ＤＤＱ、（ジシアノジクロロベンゾキノン）Ｏ，コＳｇ
を那えて室温で２時間反応させた。反応終了後、水ｒｍ
ｌを添加し、生成した結晶を濾過、水洗した後乾燥し、
下記構造式で表わされるインドフェノール系化合物ｏ、
ａｓｊｉ（ｑｇ％）を得た。

０１、　　　　ＯＨ３本化合物の可視部吸収スペクトル（アセトン中）は、λ
ｍＦＬＸ　７　／θｎｍ　（図−ｌ）であり。

マススペクトルは下記の通りであった。（測定条件：’
ｔｏｅｖ、ｉｚｏ℃）ｍ／ｅ　　、？　６３．　Ｊ　Ａ　！ｒ（Ｍ”−ＩＨ２
）Ｊｆ　ｇ、　３！；０　（Ｍ”　−１−Ｈ２−ＣＨＦ
２）　（ｂａｓｅ　ｐａａＪ（１））　　記録媒体例前記構造式のインドフェノール系化合物を：ｌ　Ｘ　／
　０−５　Ｔｏｒｒ　ｃｒ）真空下で、約ｔＯ〜／、３
−０℃に卵熱し、板厚／、　２１．のメタアクリル樹脂
（以下、ＰＭＭ八と記す）基板上に真空蒸着した。蒸着
膜厚は水晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定の結果
、２０／Ｊλであった。

分光光度計による最大吸収波長は、７３θｎｍであり、
スペクトルの形状は、＠広かった。

この塗布膜に、中心波長７　ｇ　Ｑ　ｎｍの半導体レー
ザー元を出力４ｍＷでビーム径／μｍで照射した所１幅
約／μｍ、ビット長約−μｍの輪郭の極めて明瞭なピッ
トが形成された。

Ｃ／Ｎ比、保存安定性（６０℃、ｔｏ％ＲＨ）は良好で
あった。

実施例コ（ａ）製造例下記構造式で表わされろ化合物θ、１ＩｒｙをＤＭＦｌｏｒｎｌに
刃口えて攪拌し、更に、シアン化カリウムθ、／Ｉを水
−、！ｒ　ｄ　Ｉｃ溶解した液を加えて室温で２時間反
応させた。反応後、ＤＤＱｏ、２ｔＪを加え、更に、室
温で２時間反応させた。

反応後、濾過し、水洗、乾燥して下記構造式で安わされ
るインドフェノール系化合物０．４１ｇ（ざ３％）を得
た。

本化合物の可視部吸収スペクトル（アセトン中）は、λ
ｍａｘａ／ｌｎｍ（図−一）であり。

マススペクトルは下記の通りであった。（測定条件ニア
０ｅＶ、　　コｊＯ℃）ｍ／ｅ　　、７　ｔ　４’　（Ｍ　−Ｈ２）３６デ（Ｍ
”−Ｈ２−ＯＨ３）　（ｂａｓｅ　ｐｅａｋ）（１））
　　記録媒体例前記構造式のインドフェノール系化合物／ｌをジブロモ
エタンｈｏｇに溶解し、０．２２μのフィルターで濾過
し、溶解液を得た。この溶ｇ、−ＩＩＬｌを、深さ７０
０λ１幅０．７μの紫外縁硬化樹脂による溝（グループ
）つきＰＭＭＡ樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピ
ナー法により／　２０　Ｏｒｐｍの回転数で塗布した。

塗布後、ｂｏ℃で１０分間乾燥した。

同−条件でガラス板に塗布して、α−ステップによろ膜
厚測定したところ、１００λであった。塗布膜の最大吸
収波長はＡ　Ｊ　ｏ　ｎｍであり、スペクトルの形状は
幅広かった。

このようにして得られた薄膜に１元源としてＨｅ−Ｎｅ
レーザーを用いビーム径コ、ｌＩμｍ。

波長Ａ３λ、ｙｎｍで書き込みを行なったところ、均一
かつ明瞭な形状のピット（孔）が得られた。キャリヤー
レベル／ノイズレベル（０／Ｎ　）比および保存安定性
も良好であった。

実施例Ｊ（ａ）製造例実施例−において下記構造式で辰わされる化合物０．≠５ｇの代りに、下記構造式で表わされろ化合物ｏ、ｌＩｇｇを用いた以外は実施例
−と同様に行ない、下記構造式で表わされるインドフェ
ノール系化合物ｏ、ｕｌを得た。

本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
は、λｍａｘ４，１０ｎｍ（図−３）であり、マススペ
クトルは下記の通りであった。（測定条件’、７ＱｅＶ
、　　ユＳＯ℃）ｍ／ｅ　　　１Ｉ０２（Ｈ＋Ｈ，）（
ｂａｓｅ　　ｐｅａｋ）３ｔり（Ｍ　＋Ｅｚ　　Ｏ”３
）（ｂ）記録媒体例前記構造式で示されるインドフェノール系化合物を、実
施例コに記載の方法に従って溝（グループ）つきＰＭＭ
Ａ樹脂基板上にスピナー法による塗布を行なった。

塗布膜厚は、タリステップ法による膜厚測定したところ
、１００λであった。塗布膜の最大吸収波長はＡ　Ｊ　
Ｏｎｍであり、スペクトルの形状は幅広かった。

このようにして得られた薄膜に１元源としてＨｅ−Ｎｅ
レーザーを用い、ビーム径コ、ｌＩｐｍ。

波長６３コ、ｙｎｍで書き込みを行なったところ、均一
かつ明瞭な形状のビット（孔）が得られた。ＣＺＮ比お
よび保存安定性も良好であった。

実施例ダ（ＩＬ）製造例実施例Ｊにおいて下記構造式で表わされる化合物ｏ、ｑｓｇの代りに下記構造式で表わされる化合物ｏ、ｒｏｇを用いた以外は実施例３
と同様に行ない、下記構造式で表わされるインドフェノ
ール系化合物ｏ、ｌＩｒｇを得た。

本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
はλｍａｘＡＡＯｎｍ（図−１Ｉ）であった。

（１））　　記録媒体例前記構造式で示されるインドフェノール系化合物を、実
施例コに記載の方法に従って。

溝（グループ）つきＰＭＭＡ樹脂基板上にスピナー法に
よる塗布を行なった。

塗布膜厚は、タリステップ法による膜厚測定したところ
、７！；０λであった。塗布膜の最大吸収波長は４　／
ｓ　Ｏｎｍであり、スペクトルの形状は悟広かった。

このようＫして得られた薄膜に、＋源としてＨｅ−Ｎｅ
レーザーを用い、ビーム径コ、ｌＩμｍ。

波長６Ｊコ、ｔｎｍで書き込みを行なったところ、均一
かつ明瞭な形状のビット（孔）が得られたＪＣ！／Ｎ比
および保存性も良好であった。

実施例Ｓ実施例／において用いたインドフェノール系化合物の代
わりに下記第１表に示した化合物を便用して蒸着したと
ころ、下記第１表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を
得た。このようにして得られた薄膜に光源としてｌ１ｌ
ｅ−Ｎｅレーザーまたは半導体レーザーを用いて書き込
みを行なったところ均一かつ明瞭な形状のビットが得ら
れた。Ｃ／Ｎ比も良好であり、保存性も良好であった。

Ｗ、１表実施例６実施例コにおいて用いたインドフェノール系化合物の代
わりに下記第２表に示した化合物を使用して塗布したと
ころ、下記第２表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を
得た。このようにして得られた薄膜に光源としてＨｅ−
Ｎｅレーザーまたは半導体レーザーを用いて書き込みを
行なったところ、均一かつ明瞭な形状のビットが得られ
た。Ｃ／Ｎ比も良好であり、保存性も良好であった。

第−表〔発明の効果〕本発明のインドフェノール系化合物は、蒸着が容易であ
り、また育成溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコ
ーティングも可能であり、しかも１反射率が高く、コン
トラストが良好であり且つ保存安定性にすぐれているの
で、該化合物を用いた光学記録媒体は極めて有用なもの
である。

【図面の簡単な説明】

図−７〜図−グは１本発明のインドフェノール系化合物
ダ例の可視部吸収スペクトルを表」すものであり、縦軸
は吸？度、横軸は波長（ｎｍ）を表わす。出頒人　三菱化成工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼……………〔 I 〕（式中、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、
化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
があります▼を表わし、Ｋは置換もしくは非置換の芳香
族アミンの残基を表わし、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは非置換
のアルキル基、置換もしくは非置換のアルコキシ基、置
換もしくは非置換のアミノカルボニル基、置換もしくは
非置換のカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のア
ミノスルホニル基、置換もしくは非置換のスルホニルア
ミノ基、または置換もしくは非置換のチオカルボニルア
ミノ基を表わす。）で示されるインドフェノール系化合物。
（２）一般式〔 I 〕においてＫが一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼……………〔II〕（式中、ＸおよびＹは水素原子、アルキル基、アシルア
ミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、Ｒ
＾４およびＲ＾５は水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿２＿０の置
換もしくは非置換のアルキル基、アリール基またはシク
ロヘキシル基を表わす。）で示される特許請求の範囲第
１項記載のインドフェノール系化合物。
（３）レーザー光線によつて状態変化を生ぜしめること
によつて記録再生を行なうための光学的記録媒体であつ
て、基板に一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼……………〔 I 〕（式中、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、
化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
があります▼を表わし、−Ｋは置換もしくは非置換の芳
香族アミンの残基を表わし、−Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３
は水素原子ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは非置
換のアルキル基、置換もしくは非置換のアルコキシ基、
置換もしくは非置換のアミノカルボニル基、置換もしく
は非置換のカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換の
アミノスルホニル基、置換もしくは非置換のスルホニル
アミノ基または置換もしくは非置換のチオカルボニルア
ミノ基を表わす）で示されるインドフェノール系化合物
を含有する記録層を設けたことを特徴とする光学的記録
媒体。
（４）一般式〔 I 〕においてＫが一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼……………〔II〕（式中、ＸおよびＹは水素原子、アルキル基、アシルア
ミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、Ｒ
＾４およびＲ＾５は水素原子：Ｃ＿１〜Ｃ＿２＿０の置
換もしくは非置換のアルキル基、アリール基またはシク
ロヘキシル基を表わす。）で示されるインドフェノール
系化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の光学的記録媒体。