JPH0276884A - 含金属ピリドフェノチアゾン系化合物 - Google Patents
含金属ピリドフェノチアゾン系化合物Info
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- JPH0276884A JPH0276884A JP63222131A JP22213188A JPH0276884A JP H0276884 A JPH0276884 A JP H0276884A JP 63222131 A JP63222131 A JP 63222131A JP 22213188 A JP22213188 A JP 22213188A JP H0276884 A JPH0276884 A JP H0276884A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ドフエノチアゾン系化合物に関する。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとシ
すすめられている。
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとシ
すすめられている。
光学記録の一例としては、光ディスクを挙げることがで
きる。
きる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことによシ行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー光によシ変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることによシ行なわれる。
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことによシ行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー光によシ変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることによシ行なわれる。
したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。
知られている。
例えば、特開昭5j−970JJ号公報には、基板上に
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
また、特開昭sg−ざ3.)4Q号公報にはフェナレン
系色素を、特開昭3g−2241793号公報にはす7
トキノン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点の
反面、反射率が低いという問題点を有している。反射率
が低いと一レーザー光により記録された部分と未記録部
分との反射率に関係するコントラストは低くなシ、記録
された情報の再生が困難となる。更に、−般に有機系色
素は保存安定性が劣るという問題点を有している。
系色素を、特開昭3g−2241793号公報にはす7
トキノン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点の
反面、反射率が低いという問題点を有している。反射率
が低いと一レーザー光により記録された部分と未記録部
分との反射率に関係するコントラストは低くなシ、記録
された情報の再生が困難となる。更に、−般に有機系色
素は保存安定性が劣るという問題点を有している。
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、光記録用として有用な新規な含
金属ピリドフェノチアゾン系化合物を提供することを目
的とするものである。
コーティングが可能で、光記録用として有用な新規な含
金属ピリドフェノチアゾン系化合物を提供することを目
的とするものである。
本発明は、レーザー光線によって状態変化を生ぜしめる
ことによって記録再生を行なうための光学記録媒体の色
素として適した下記−紋穴CDで表わされる新規な含金
属ピリドフェノチアゾン系化合物をその要旨とするもの
である。
ことによって記録再生を行なうための光学記録媒体の色
素として適した下記−紋穴CDで表わされる新規な含金
属ピリドフェノチアゾン系化合物をその要旨とするもの
である。
(式中、Mはニッケル、銅またはコバルト金属原子を表
わす。R1およびR2は低級アルキル基を表わし、同じ
であっても異なっていてもよい。
わす。R1およびR2は低級アルキル基を表わし、同じ
であっても異なっていてもよい。
R3は水素原子またはメチル基を表わす。Xは水素原子
または低級アルキル基を表わし、rは陰イオンを表わす
。nは/、コまたは3を表わし、mはO1/またはコを
表わす。つ 一般式III)中、R1およびR2で表わされる低級ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基が挙
げられ、これらのアルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でも
よい。Xとしては水素原子またはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の低
級アルキル基が挙げられ、これらのアルキル基は直鎖状
でも分岐鎖状でもよい。また、Z−で表わされる陰イオ
ンとしては、例えばI−+ Br−1CI−、ClO4
″″、5CN−、PFa−、BF4−等が挙げられる。
または低級アルキル基を表わし、rは陰イオンを表わす
。nは/、コまたは3を表わし、mはO1/またはコを
表わす。つ 一般式III)中、R1およびR2で表わされる低級ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基が挙
げられ、これらのアルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でも
よい。Xとしては水素原子またはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の低
級アルキル基が挙げられ、これらのアルキル基は直鎖状
でも分岐鎖状でもよい。また、Z−で表わされる陰イオ
ンとしては、例えばI−+ Br−1CI−、ClO4
″″、5CN−、PFa−、BF4−等が挙げられる。
前記−紋穴〔I〕で示される含金属ピリドフェノチアゾ
ン系化合物は、700〜900 nmの波長帯域で吸光
を有し、しかも分子吸光係数が/ 0’ 〜/ 050
m−’である。
ン系化合物は、700〜900 nmの波長帯域で吸光
を有し、しかも分子吸光係数が/ 0’ 〜/ 050
m−’である。
本発明の一般式〔■〕で示される含金属ピリドフェノチ
アゾン系化合物は、例えばまず−紋穴(式中、Yはハロ
ゲン原子を表わす、)で示される化合物と、下記−紋穴
(III)(式中、X、R’、R2は前記定義に同じ。
アゾン系化合物は、例えばまず−紋穴(式中、Yはハロ
ゲン原子を表わす、)で示される化合物と、下記−紋穴
(III)(式中、X、R’、R2は前記定義に同じ。
)で示される化合物の塩酸塩とを酸化的縮合させて下記
−紋穴[IV) (式中、Y、X、R’、R2は前記定義に同じ。9で示
される化合物を得、さらに下記構造式で示される化合物
をアルカリ存在下反応させて下記−紋穴〔v〕 (式中、R’ 、 R2,Xは前記定義に同じ。)で示
される化合物を得る。次いで、上記化合物と下記−紋穴
〔■〕 M”(Zジ2 ・・・・・・・・・ 〔■〕
(式中、 M、 Z−は前記定義に同じ。)で示される
金属塩とを反応させることによって製造することができ
る。
−紋穴[IV) (式中、Y、X、R’、R2は前記定義に同じ。9で示
される化合物を得、さらに下記構造式で示される化合物
をアルカリ存在下反応させて下記−紋穴〔v〕 (式中、R’ 、 R2,Xは前記定義に同じ。)で示
される化合物を得る。次いで、上記化合物と下記−紋穴
〔■〕 M”(Zジ2 ・・・・・・・・・ 〔■〕
(式中、 M、 Z−は前記定義に同じ。)で示される
金属塩とを反応させることによって製造することができ
る。
本発明の含金属ピリドフェノチアゾン系化合物は光学記
録媒体の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基
本的には基板と含金属ピリドフェノチアゾン系化合物を
含む記録層とから構成され、さらに必要に応じて基板上
に下引き層を、また記録層上に保護層か設けられる。
録媒体の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基
本的には基板と含金属ピリドフェノチアゾン系化合物を
含む記録層とから構成され、さらに必要に応じて基板上
に下引き層を、また記録層上に保護層か設けられる。
基板としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体として用いられ
るものが挙げられるが、プラスチックが種々の点から好
適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタ
アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニト
ロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体として用いられ
るものが挙げられるが、プラスチックが種々の点から好
適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタ
アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニト
ロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
光学記録媒体における情報記録層として本発明の含金属
ピリドフェノチアゾン系化合物を使用する際、膜厚はl
OOλ〜5μm、好ましくは1oooi〜3μmである
。成膜法としては真空蒸着法、スパノメリング法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等−
般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができる
。また、必要に応じてバインダーを使用することもでき
る。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ニトロ
セルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、バインダ
ーに対する含金属ピリドフェノチアゾン系化合物の量は
重量比で0.0 /以上であることが望ましい。スピナ
ー法による成膜の場合、回転数はSOO〜!; 000
rpmが好ましく、スピンコードの後、場合によって
は、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なって
もよい。また、記録体の安定性や耐好性向上のために、
−重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物
(たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエ
ニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジ
チオ−α−ジケトン等〕を含有していてもよい。更に、
必要に応じて他の色素を併用することができる。他の色
素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリ
アリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、ス
クワリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素など
他系統の色素でもよい。
ピリドフェノチアゾン系化合物を使用する際、膜厚はl
OOλ〜5μm、好ましくは1oooi〜3μmである
。成膜法としては真空蒸着法、スパノメリング法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等−
般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができる
。また、必要に応じてバインダーを使用することもでき
る。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ニトロ
セルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、バインダ
ーに対する含金属ピリドフェノチアゾン系化合物の量は
重量比で0.0 /以上であることが望ましい。スピナ
ー法による成膜の場合、回転数はSOO〜!; 000
rpmが好ましく、スピンコードの後、場合によって
は、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なって
もよい。また、記録体の安定性や耐好性向上のために、
−重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物
(たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエ
ニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジ
チオ−α−ジケトン等〕を含有していてもよい。更に、
必要に応じて他の色素を併用することができる。他の色
素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリ
アリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、ス
クワリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素など
他系統の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法によシ記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、・テトラクロロエタン、ブ
ロモホルム、ジブロモエタン、xチルセロンルフ、キシ
レン、クロロベンゼン、シク°ロヘキサノン等の沸点/
20〜/40℃のものが好適に使用される。
、特に、スピナー法等の塗布方法によシ記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、・テトラクロロエタン、ブ
ロモホルム、ジブロモエタン、xチルセロンルフ、キシ
レン、クロロベンゼン、シク°ロヘキサノン等の沸点/
20〜/40℃のものが好適に使用される。
光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。
片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または、片面に設けた記録層に/1tH程度に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
ることによシ行なう。レーザー光の照射された部分には
、レーザーエネルギーの吸収によって、分解、蒸発、溶
融等の記録層の熱的変形が起こる。
面または、片面に設けた記録層に/1tH程度に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
ることによシ行なう。レーザー光の照射された部分には
、レーザーエネルギーの吸収によって、分解、蒸発、溶
融等の記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光によシ、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることによシ行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることによシ行なう。
光学記録媒体に使用きれるレーザー光はN2、He−C
d 、 Ar、 He−Ne 、 ルビー、半導体、色
素レーザー等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱いの
容易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好
適である。
d 、 Ar、 He−Ne 、 ルビー、半導体、色
素レーザー等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱いの
容易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好
適である。
るが、かかる実施例は本発明を限定するものではない。
実施例/
(at 化合物裂造例/
下記構造式
で表わされる5、7−ジクロル−g−ヒドロキシキノリ
ン!; 00 m9 (2,J ’I mmol )と
水酸化ナトリウムy 90 mg (/ /、7 mm
oJ−)をAO’(:の水7omlに溶解させたものに
、下記構造式で表わされる一一アミノー5−ンエチルア
ミントルエンの塩酸塩へ〇 ? (’1. A g +
nmol )を水、yomlに溶解したものを加えて攪
拌し、60℃にて過硫酸アンモニウム八〇7?(グ、乙
ざmmol )を水、2 o mlに溶解したものを滴
下した。10分間攪拌し、室温まで冷却した後濾過した
。得られた沈殿を水洗し、乾燥させ、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製(展開溶媒クロロホルム:
アセトン=lO二/)し、エタノールで再結晶し下記構
造式 で表わされる3−(λ′−メチル=q′−ジエチルアミ
ノフェニルイミノ)−7−クロロキノリン−g−オンを
得た。
ン!; 00 m9 (2,J ’I mmol )と
水酸化ナトリウムy 90 mg (/ /、7 mm
oJ−)をAO’(:の水7omlに溶解させたものに
、下記構造式で表わされる一一アミノー5−ンエチルア
ミントルエンの塩酸塩へ〇 ? (’1. A g +
nmol )を水、yomlに溶解したものを加えて攪
拌し、60℃にて過硫酸アンモニウム八〇7?(グ、乙
ざmmol )を水、2 o mlに溶解したものを滴
下した。10分間攪拌し、室温まで冷却した後濾過した
。得られた沈殿を水洗し、乾燥させ、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製(展開溶媒クロロホルム:
アセトン=lO二/)し、エタノールで再結晶し下記構
造式 で表わされる3−(λ′−メチル=q′−ジエチルアミ
ノフェニルイミノ)−7−クロロキノリン−g−オンを
得た。
次に、上記で得られた5 (2/−メチルーダ′−ジ
エチルアミノフェニルイミノ)−7−クロロキノリン−
g−オン/ li’ (2,g Jmmoυをエタノー
ルλoomlに溶解させ、還流しながら、下記構造式 で表わされるコーアミノテオフェノール70gm9(3
,66皿o1.) と水酸化カリウム373m9(s
、 6A mmol ) を含むエタノールlIOm
lを添加し、70分間攪拌した。反応終了後、氷水約6
o o mlを注ぎ、得られた沈殿を濾過し、水洗した
。乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
溶媒 酢酸エテル:ベンゼン=/:/)にかけて精製し
、続いてベンゼンとn−ヘキサンの混合溶媒にて再結晶
して下記構造式 で表わされる化合物を得た。
エチルアミノフェニルイミノ)−7−クロロキノリン−
g−オン/ li’ (2,g Jmmoυをエタノー
ルλoomlに溶解させ、還流しながら、下記構造式 で表わされるコーアミノテオフェノール70gm9(3
,66皿o1.) と水酸化カリウム373m9(s
、 6A mmol ) を含むエタノールlIOm
lを添加し、70分間攪拌した。反応終了後、氷水約6
o o mlを注ぎ、得られた沈殿を濾過し、水洗した
。乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
溶媒 酢酸エテル:ベンゼン=/:/)にかけて精製し
、続いてベンゼンとn−ヘキサンの混合溶媒にて再結晶
して下記構造式 で表わされる化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(エタノール溶媒中
)を測定したところ最大吸収波長λmax g sグn
m、分子吸光係数εmaxは/1100であυ、元素分
析結果は下記の通り分析値と計算値はよく合致していた
。
)を測定したところ最大吸収波長λmax g sグn
m、分子吸光係数εmaxは/1100であυ、元素分
析結果は下記の通り分析値と計算値はよく合致していた
。
次に、上記で得られた化合物200 m9(0,417
mmol )を窒素ガスを封入したタワチェタノール1
00m1に溶解させ、攪拌しなからN1(ClO2)2
−6H20ti 3/ m9(/、1gmmol )を
含む水somlを添加し、室温にて30分間攪拌した。
mmol )を窒素ガスを封入したタワチェタノール1
00m1に溶解させ、攪拌しなからN1(ClO2)2
−6H20ti 3/ m9(/、1gmmol )を
含む水somlを添加し、室温にて30分間攪拌した。
この反応溶液を約3omlに濃縮し、水g 00 ml
に注ぐことにより得られた沈殿を濾過し、減圧乾燥して
下記構造式で表わされる含金属ピリドフェノチアゾン系
化合物を得た。(収率り7係〕 本化合物の可視部吸収スペクトル(エタノール溶媒中9
を測定したところ最大吸収波長λmaxはg 3g n
m 、分子吸光係数εmaxは5titiooであシ、
元素分析結果は下記の過多分析値と計算値はほぼ合致し
ていた。
に注ぐことにより得られた沈殿を濾過し、減圧乾燥して
下記構造式で表わされる含金属ピリドフェノチアゾン系
化合物を得た。(収率り7係〕 本化合物の可視部吸収スペクトル(エタノール溶媒中9
を測定したところ最大吸収波長λmaxはg 3g n
m 、分子吸光係数εmaxは5titiooであシ、
元素分析結果は下記の過多分析値と計算値はほぼ合致し
ていた。
(bl 記録媒体製造例/
前記化合物製造例1で製造した含金属ピリドフェノチア
ゾン系化合物o、itをテトラクロロエタン10?に溶
解し、0.22μmのフィルターで濾過し、溶解液を得
た。この溶解液/ meをポリメチルメタクリレ−)
(PMMA)樹脂基板(直径!;2B)の上に滴下し、
スピナー法によりg 00 rpmの回転数で塗布した
。
ゾン系化合物o、itをテトラクロロエタン10?に溶
解し、0.22μmのフィルターで濾過し、溶解液を得
た。この溶解液/ meをポリメチルメタクリレ−)
(PMMA)樹脂基板(直径!;2B)の上に滴下し、
スピナー法によりg 00 rpmの回転数で塗布した
。
塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収
波長はg 90 nmであった。スペクトルの形状は幅
広であった。
波長はg 90 nmであった。スペクトルの形状は幅
広であった。
(cl 光記録法/
前記記録媒体製造例/で得られた塗布膜に、中心波長g
30 nmの半導体レーザー光を出力’I mWで照
射したところ、輪郭の極めて明瞭なビットが形成された
。
30 nmの半導体レーザー光を出力’I mWで照
射したところ、輪郭の極めて明瞭なビットが形成された
。
実施例!
(al 化合物製造例コ
実施例/において下記構造式
%式%)
で表わされる化合物200m9の代りに、下記構造式
%式%)
で表わされる化合物/gOm9を用いたこと以外は実施
例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属ピ
リドフェノチアゾン系化合物を得た。
例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属ピ
リドフェノチアゾン系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(エタノール溶媒中
9を測定したところ最大吸収波長λmaxは7g、2n
m、分子吸光係数εmaxは4tJAOOであシ、元素
分析値は下記の通9分析値と計算値はほぼ合致していた
。
9を測定したところ最大吸収波長λmaxは7g、2n
m、分子吸光係数εmaxは4tJAOOであシ、元素
分析値は下記の通9分析値と計算値はほぼ合致していた
。
fbl 記録媒体製造例コ
前記化合物製造例コで製造した含金属ピリドフェノチア
ゾン系化合物を実施例/と同様の方法によって、P M
M A樹脂基板(直径52朋つの上にスピナー法によ
る塗布を行なった。塗布膜の最大吸収波長はgりo n
mであり、スペクトルの形状は幅広であった。
ゾン系化合物を実施例/と同様の方法によって、P M
M A樹脂基板(直径52朋つの上にスピナー法によ
る塗布を行なった。塗布膜の最大吸収波長はgりo n
mであり、スペクトルの形状は幅広であった。
(cl 光記録法コ
前記記録媒体製造例コで得られた塗布膜に中心波長g
J Onmの半導体レーザー光を出力/、mWで照射し
たところ、輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
J Onmの半導体レーザー光を出力/、mWで照射し
たところ、輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
実施例J
(al 化合物製造例J
実施例/において、N 1 (CI 04)2・乙H,
0+ 、、? / m9の代シにCu(CIO,)2−
AH20p 、?りm9を用いたこと以外は実施例1
と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属ピリド
フェノチアゾン系化合物を得た。
0+ 、、? / m9の代シにCu(CIO,)2−
AH20p 、?りm9を用いたこと以外は実施例1
と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属ピリド
フェノチアゾン系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(エタノール溶液中
りを測定したところ、最大吸収波長λr′r1aXはg
37 nmであり、元素分析結果は下記の通シ分析値
と計算値はほぼ合致した。
りを測定したところ、最大吸収波長λr′r1aXはg
37 nmであり、元素分析結果は下記の通シ分析値
と計算値はほぼ合致した。
(bl 記録媒体製造例3
前記化合物製造例Jで得られた含金属ピリドフェノチア
ゾン系化合物を実施例/と同様の方法によって、PMM
A樹脂基板(直径52朋)の上にスピナー法による塗布
を行なった。
ゾン系化合物を実施例/と同様の方法によって、PMM
A樹脂基板(直径52朋)の上にスピナー法による塗布
を行なった。
塗布膜の最大吸収波長はg g Onmであり、スペク
トルの形状は幅広であった。
トルの形状は幅広であった。
(cl 光記録法3
前記記録媒体製造例Jで得られた塗布膜に中心波長g
J Onmの半導体レーザー光を出力6mWで照射した
ところ、輪郭の明瞭なビットが形成された。
J Onmの半導体レーザー光を出力6mWで照射した
ところ、輪郭の明瞭なビットが形成された。
この塗布膜の保存安定性(乙O℃、gOチRH)は良好
であった。
であった。
実施例ダ
実施例/に準じた方法によシ、下記構造式で表わされる
含金属ピリドフェノチアゾン系化合物(屋グーコ、扁t
−39を合成した。
含金属ピリドフェノチアゾン系化合物(屋グーコ、扁t
−39を合成した。
これらのエタノール溶液中での最大吸収波長λmax
、 分子吸光係数εmaxおよび元素分析値を測定し
下記に示す。
、 分子吸光係数εmaxおよび元素分析値を測定し
下記に示す。
λmaX? ? ’I nm
λmax 7 g 、、? nm (εmax/9””
λmax g 2 g nm (εmaX23SOO)
〔発明の効果〕 本発明の含金属ピリドフェノチアゾン系化合物は、有機
溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが
可能であり、光学記録媒体用色素としては極めて有用な
ものである。
λmax g 2 g nm (εmaX23SOO)
〔発明の効果〕 本発明の含金属ピリドフェノチアゾン系化合物は、有機
溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが
可能であり、光学記録媒体用色素としては極めて有用な
ものである。
出 願 人 久 保 由 治吉 1)
勝 平 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名つ
勝 平 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名つ
Claims (1)
- (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・〔 I 〕 (式中、Mはニッケル、銅またはコバルト金属原子を表
わす。R^1およびR^2は低級アルキル基を表わし、
同じであっても異なっていてもよい。R^3は水素原子
またはメチル基を表わす。 Xは水素原子または低級アルキル基を表わし、Z^−は
陰イオンを表わす。nは1、2または3を表わし、mは
0、1または2を表わす。)で示される含金属ピリドフ
ェノチアゾン系化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63222131A JPH0276884A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 含金属ピリドフェノチアゾン系化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63222131A JPH0276884A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 含金属ピリドフェノチアゾン系化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0276884A true JPH0276884A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16777655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63222131A Pending JPH0276884A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 含金属ピリドフェノチアゾン系化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0276884A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5218120A (en) * | 1990-10-04 | 1993-06-08 | Basf Aktiengesellschaft | Quinolinemethine dyes |
US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63222131A patent/JPH0276884A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5218120A (en) * | 1990-10-04 | 1993-06-08 | Basf Aktiengesellschaft | Quinolinemethine dyes |
US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
US5892042A (en) * | 1995-04-14 | 1999-04-06 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivative metal complexes used for transparent recording medium or optical recording medium |
US5919928A (en) * | 1995-04-14 | 1999-07-06 | Nippon Paper Industries, Co., Ltd. | Phenanthridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
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