JPH0276884A - 含金属ピリドフェノチアゾン系化合物 - Google Patents

含金属ピリドフェノチアゾン系化合物

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JPH0276884A
JPH0276884A JP63222131A JP22213188A JPH0276884A JP H0276884 A JPH0276884 A JP H0276884A JP 63222131 A JP63222131 A JP 63222131A JP 22213188 A JP22213188 A JP 22213188A JP H0276884 A JPH0276884 A JP H0276884A
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JP
Japan
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compound
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metal
pyridophenothiazone
compound represented
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JP63222131A
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Yoshiharu Kubo
由治 久保
Katsuhei Yoshida
勝平 吉田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ドフエノチアゾン系化合物に関する。
〔従来の技術〕
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとシ
すすめられている。
光学記録の一例としては、光ディスクを挙げることがで
きる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことによシ行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー光によシ変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることによシ行なわれる。
したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。
例えば、特開昭5j−970JJ号公報には、基板上に
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
また、特開昭sg−ざ3.)4Q号公報にはフェナレン
系色素を、特開昭3g−2241793号公報にはす7
トキノン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点の
反面、反射率が低いという問題点を有している。反射率
が低いと一レーザー光により記録された部分と未記録部
分との反射率に関係するコントラストは低くなシ、記録
された情報の再生が困難となる。更に、−般に有機系色
素は保存安定性が劣るという問題点を有している。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、光記録用として有用な新規な含
金属ピリドフェノチアゾン系化合物を提供することを目
的とするものである。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明は、レーザー光線によって状態変化を生ぜしめる
ことによって記録再生を行なうための光学記録媒体の色
素として適した下記−紋穴CDで表わされる新規な含金
属ピリドフェノチアゾン系化合物をその要旨とするもの
である。
(式中、Mはニッケル、銅またはコバルト金属原子を表
わす。R1およびR2は低級アルキル基を表わし、同じ
であっても異なっていてもよい。
R3は水素原子またはメチル基を表わす。Xは水素原子
または低級アルキル基を表わし、rは陰イオンを表わす
。nは/、コまたは3を表わし、mはO1/またはコを
表わす。つ 一般式III)中、R1およびR2で表わされる低級ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基が挙
げられ、これらのアルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でも
よい。Xとしては水素原子またはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の低
級アルキル基が挙げられ、これらのアルキル基は直鎖状
でも分岐鎖状でもよい。また、Z−で表わされる陰イオ
ンとしては、例えばI−+ Br−1CI−、ClO4
″″、5CN−、PFa−、BF4−等が挙げられる。
前記−紋穴〔I〕で示される含金属ピリドフェノチアゾ
ン系化合物は、700〜900 nmの波長帯域で吸光
を有し、しかも分子吸光係数が/ 0’ 〜/ 050
m−’である。
本発明の一般式〔■〕で示される含金属ピリドフェノチ
アゾン系化合物は、例えばまず−紋穴(式中、Yはハロ
ゲン原子を表わす、)で示される化合物と、下記−紋穴
(III)(式中、X、R’、R2は前記定義に同じ。
)で示される化合物の塩酸塩とを酸化的縮合させて下記
−紋穴[IV) (式中、Y、X、R’、R2は前記定義に同じ。9で示
される化合物を得、さらに下記構造式で示される化合物
をアルカリ存在下反応させて下記−紋穴〔v〕 (式中、R’ 、 R2,Xは前記定義に同じ。)で示
される化合物を得る。次いで、上記化合物と下記−紋穴
〔■〕 M”(Zジ2      ・・・・・・・・・ 〔■〕
(式中、 M、 Z−は前記定義に同じ。)で示される
金属塩とを反応させることによって製造することができ
る。
本発明の含金属ピリドフェノチアゾン系化合物は光学記
録媒体の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基
本的には基板と含金属ピリドフェノチアゾン系化合物を
含む記録層とから構成され、さらに必要に応じて基板上
に下引き層を、また記録層上に保護層か設けられる。
基板としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体として用いられ
るものが挙げられるが、プラスチックが種々の点から好
適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタ
アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニト
ロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
光学記録媒体における情報記録層として本発明の含金属
ピリドフェノチアゾン系化合物を使用する際、膜厚はl
OOλ〜5μm、好ましくは1oooi〜3μmである
。成膜法としては真空蒸着法、スパノメリング法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等−
般に行なわれている薄膜形成法で成膜することができる
。また、必要に応じてバインダーを使用することもでき
る。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ニトロ
セルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、
ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、バインダ
ーに対する含金属ピリドフェノチアゾン系化合物の量は
重量比で0.0 /以上であることが望ましい。スピナ
ー法による成膜の場合、回転数はSOO〜!; 000
 rpmが好ましく、スピンコードの後、場合によって
は、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なって
もよい。また、記録体の安定性や耐好性向上のために、
−重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物
(たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフエ
ニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジ
チオ−α−ジケトン等〕を含有していてもよい。更に、
必要に応じて他の色素を併用することができる。他の色
素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリ
アリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、ス
クワリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素など
他系統の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法によシ記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、・テトラクロロエタン、ブ
ロモホルム、ジブロモエタン、xチルセロンルフ、キシ
レン、クロロベンゼン、シク°ロヘキサノン等の沸点/
20〜/40℃のものが好適に使用される。
光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または、片面に設けた記録層に/1tH程度に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
ることによシ行なう。レーザー光の照射された部分には
、レーザーエネルギーの吸収によって、分解、蒸発、溶
融等の記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光によシ、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることによシ行なう。
光学記録媒体に使用きれるレーザー光はN2、He−C
d 、 Ar、 He−Ne 、 ルビー、半導体、色
素レーザー等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱いの
容易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好
適である。
るが、かかる実施例は本発明を限定するものではない。
実施例/ (at  化合物裂造例/ 下記構造式 で表わされる5、7−ジクロル−g−ヒドロキシキノリ
ン!; 00 m9 (2,J ’I mmol )と
水酸化ナトリウムy 90 mg (/ /、7 mm
oJ−)をAO’(:の水7omlに溶解させたものに
、下記構造式で表わされる一一アミノー5−ンエチルア
ミントルエンの塩酸塩へ〇 ? (’1. A g +
nmol )を水、yomlに溶解したものを加えて攪
拌し、60℃にて過硫酸アンモニウム八〇7?(グ、乙
ざmmol )を水、2 o mlに溶解したものを滴
下した。10分間攪拌し、室温まで冷却した後濾過した
。得られた沈殿を水洗し、乾燥させ、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製(展開溶媒クロロホルム:
アセトン=lO二/)し、エタノールで再結晶し下記構
造式 で表わされる3−(λ′−メチル=q′−ジエチルアミ
ノフェニルイミノ)−7−クロロキノリン−g−オンを
得た。
次に、上記で得られた5  (2/−メチルーダ′−ジ
エチルアミノフェニルイミノ)−7−クロロキノリン−
g−オン/ li’ (2,g Jmmoυをエタノー
ルλoomlに溶解させ、還流しながら、下記構造式 で表わされるコーアミノテオフェノール70gm9(3
,66皿o1.)  と水酸化カリウム373m9(s
、 6A mmol )  を含むエタノールlIOm
lを添加し、70分間攪拌した。反応終了後、氷水約6
o o mlを注ぎ、得られた沈殿を濾過し、水洗した
。乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
溶媒 酢酸エテル:ベンゼン=/:/)にかけて精製し
、続いてベンゼンとn−ヘキサンの混合溶媒にて再結晶
して下記構造式 で表わされる化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(エタノール溶媒中
)を測定したところ最大吸収波長λmax g sグn
m、分子吸光係数εmaxは/1100であυ、元素分
析結果は下記の通り分析値と計算値はよく合致していた
次に、上記で得られた化合物200 m9(0,417
mmol )を窒素ガスを封入したタワチェタノール1
00m1に溶解させ、攪拌しなからN1(ClO2)2
−6H20ti 3/ m9(/、1gmmol )を
含む水somlを添加し、室温にて30分間攪拌した。
この反応溶液を約3omlに濃縮し、水g 00 ml
に注ぐことにより得られた沈殿を濾過し、減圧乾燥して
下記構造式で表わされる含金属ピリドフェノチアゾン系
化合物を得た。(収率り7係〕 本化合物の可視部吸収スペクトル(エタノール溶媒中9
を測定したところ最大吸収波長λmaxはg 3g n
m 、分子吸光係数εmaxは5titiooであシ、
元素分析結果は下記の過多分析値と計算値はほぼ合致し
ていた。
(bl  記録媒体製造例/ 前記化合物製造例1で製造した含金属ピリドフェノチア
ゾン系化合物o、itをテトラクロロエタン10?に溶
解し、0.22μmのフィルターで濾過し、溶解液を得
た。この溶解液/ meをポリメチルメタクリレ−) 
(PMMA)樹脂基板(直径!;2B)の上に滴下し、
スピナー法によりg 00 rpmの回転数で塗布した
塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収
波長はg 90 nmであった。スペクトルの形状は幅
広であった。
(cl  光記録法/ 前記記録媒体製造例/で得られた塗布膜に、中心波長g
 30 nmの半導体レーザー光を出力’I mWで照
射したところ、輪郭の極めて明瞭なビットが形成された
実施例! (al  化合物製造例コ 実施例/において下記構造式 %式%) で表わされる化合物200m9の代りに、下記構造式 %式%) で表わされる化合物/gOm9を用いたこと以外は実施
例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属ピ
リドフェノチアゾン系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(エタノール溶媒中
9を測定したところ最大吸収波長λmaxは7g、2n
m、分子吸光係数εmaxは4tJAOOであシ、元素
分析値は下記の通9分析値と計算値はほぼ合致していた
fbl  記録媒体製造例コ 前記化合物製造例コで製造した含金属ピリドフェノチア
ゾン系化合物を実施例/と同様の方法によって、P M
 M A樹脂基板(直径52朋つの上にスピナー法によ
る塗布を行なった。塗布膜の最大吸収波長はgりo n
mであり、スペクトルの形状は幅広であった。
(cl  光記録法コ 前記記録媒体製造例コで得られた塗布膜に中心波長g 
J Onmの半導体レーザー光を出力/、mWで照射し
たところ、輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
実施例J (al  化合物製造例J 実施例/において、N 1 (CI 04)2・乙H,
0+ 、、? / m9の代シにCu(CIO,)2−
 AH20p 、?りm9を用いたこと以外は実施例1
と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属ピリド
フェノチアゾン系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(エタノール溶液中
りを測定したところ、最大吸収波長λr′r1aXはg
 37 nmであり、元素分析結果は下記の通シ分析値
と計算値はほぼ合致した。
(bl  記録媒体製造例3 前記化合物製造例Jで得られた含金属ピリドフェノチア
ゾン系化合物を実施例/と同様の方法によって、PMM
A樹脂基板(直径52朋)の上にスピナー法による塗布
を行なった。
塗布膜の最大吸収波長はg g Onmであり、スペク
トルの形状は幅広であった。
(cl  光記録法3 前記記録媒体製造例Jで得られた塗布膜に中心波長g 
J Onmの半導体レーザー光を出力6mWで照射した
ところ、輪郭の明瞭なビットが形成された。
この塗布膜の保存安定性(乙O℃、gOチRH)は良好
であった。
実施例ダ 実施例/に準じた方法によシ、下記構造式で表わされる
含金属ピリドフェノチアゾン系化合物(屋グーコ、扁t
−39を合成した。
これらのエタノール溶液中での最大吸収波長λmax 
、  分子吸光係数εmaxおよび元素分析値を測定し
下記に示す。
λmaX? ? ’I nm λmax 7 g 、、? nm (εmax/9””
λmax g 2 g nm (εmaX23SOO)
〔発明の効果〕 本発明の含金属ピリドフェノチアゾン系化合物は、有機
溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが
可能であり、光学記録媒体用色素としては極めて有用な
ものである。
出  願 人   久  保  由  治吉  1) 
勝  平 代 理 人 弁理士 長谷用  − (ほか7名つ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・〔 I 〕 (式中、Mはニッケル、銅またはコバルト金属原子を表
    わす。R^1およびR^2は低級アルキル基を表わし、
    同じであっても異なっていてもよい。R^3は水素原子
    またはメチル基を表わす。 Xは水素原子または低級アルキル基を表わし、Z^−は
    陰イオンを表わす。nは1、2または3を表わし、mは
    0、1または2を表わす。)で示される含金属ピリドフ
    ェノチアゾン系化合物。
JP63222131A 1988-09-05 1988-09-05 含金属ピリドフェノチアゾン系化合物 Pending JPH0276884A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218120A (en) * 1990-10-04 1993-06-08 Basf Aktiengesellschaft Quinolinemethine dyes
US5792863A (en) * 1995-04-14 1998-08-11 Nippon Paper Industries Co., Ltd. Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium

Cited By (4)

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US5892042A (en) * 1995-04-14 1999-04-06 Nippon Paper Industries Co., Ltd. Acridine derivative metal complexes used for transparent recording medium or optical recording medium
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