JPH0269570A - ナフトキノンメチド系化合物 - Google Patents

ナフトキノンメチド系化合物

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JPH0269570A
JPH0269570A JP63222130A JP22213088A JPH0269570A JP H0269570 A JPH0269570 A JP H0269570A JP 63222130 A JP63222130 A JP 63222130A JP 22213088 A JP22213088 A JP 22213088A JP H0269570 A JPH0269570 A JP H0269570A
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JP
Japan
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compound
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optical recording
dyes
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JP63222130A
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Yoshiharu Kubo
由治 久保
Katsuhei Yoshida
勝平 吉田
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/382Contact thermal transfer or sublimation processes
    • B41M5/385Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by the transferable dyes or pigments
    • B41M5/39Dyes containing one or more carbon-to-nitrogen double bonds, e.g. azomethine

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学記録媒体に有用なナフトキノンメチド系
化合物に関する。
〔従来の技術〕
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
すすめられている。
光学記録の一例としては、光ディスクを挙げることがで
きる。
一般K、光ディスクは、円形の基体忙設けられた薄い記
録層に、/μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成する
ことにより行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー光により変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる。
したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。
例えば、特開昭!;!;−97033号公報には、基板
上にフタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示さ
れている。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が
低(、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し
、さらに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布に
よるコーティングに使用することができないという問題
点も有している。
また、特開昭3g−g33’l’1号公報にはフェナレ
ン系色素を、特開昭sg−コ、21I793号公報には
ナフトキノン系色素を記録層に設けたものが開示されて
いる。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利
点の反面、反射率が低いと(・5問題点を有している。
反射率が低いとレーザー光により記録された部分と未記
録部分との反射率に関係するコントラストは低くなり、
記録された情報の再生が困難となる。更に、一般に有機
系色素は保存安定性が劣るという問題点を有している。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれているナフトキノンメチ
ド系化合物を提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、レーザー光線によって状態変化を生せしめる
ことによって記録再生を行なうための光学的記録媒体の
色素として適した下記一般式〔■〕で表わされるナフト
キノンメチド系化合物をその要旨とするものである。
一般式CI) (式中、R1、R2およびR3は低級アルキル基を表わ
し、同じであっても異なっていてもよい。Xは水素原子
またはメトキシ基を表わす。)一般式〔■〕中、R1,
R”およびR3で表わされる低級アルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基等のアルキル基が挙げられ、これらのア
ルキル基は直鎖状でも分岐状でもよい。
前記一般式〔■〕で示されるナフトキノンメチド系化合
物は、1.00〜ざ00 nmの波長帯域で吸収を有し
、しかも分子吸光係数が104〜105crIL″″l
である。
本発明の一般式〔I〕で示されるナフトキノンメチド系
化合物は、例えば、下記構造式で表わされる化合物と一
般式(III (式中、R”、R2、R3およびXは前記定義に同じ。
)で表わされる化合物の塩酸塩とを酸化的縮合すること
によって製造することができる。
本発明のナフトキノンメチド化合物を用いた光学的記録
媒体は、基本的には基板とナフトキノンメチド系化合物
を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必
要忙応じて基板上に下引き層を、また記録層上に保護層
を設けることができる。
基板としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録材料の支持体として用いられ
るものが挙げられるが、プラスチックが種々の点から好
適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタ
アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニト
ロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
光学的記録媒体における情報記録層として本発明のナフ
トキノンメチド系化合物を使用する際、膜厚は100に
−j’μm、好ましくは70θ0A〜3μmである。成
膜法としては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクター
ブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に
行なわれている薄膜形成法で成膜することができる。ま
た、必要に応じてバインダーを使用することもできる。
バインダーとしてはポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、酢[セルロース、ポリビニルブチラール、ポリ
カーボネートなと既知のものが用いられ、バインダーに
対するナフトキノンメチド系化合物の量は重量比で0.
07以上であることが望ましい。スピナー法による成膜
の場合、回転数は5θO〜s o o o rpmが好
ましく、スピンコードの後、場合によっては、加熱ある
いは溶媒蒸気罠あてる等の処理を行なってもよい。また
、記録体の安定性や耐光性向上のために、−重項酸素ク
エンチャーとして遷移金属キレート化合物(たとえば、
アセチルアセトナートキレート、ビスフエニルジチオー
ル、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジ
ケトン等)を含有していてもよい。更に、必要に応じて
他の色素を併用することができる。他の色素としては別
の種類のナフトキノンメチド系色素でもよいし、トリア
リールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、スク
ワリリウム系色素など他系統の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシレ
ン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等の沸点7.2
0〜/Aθ℃のものが好適に使用される。
光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片
面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に/μm程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収によって分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることにより行なう。
本発明の光学的記録媒体について使用されるレーザー光
はN2、He−Cd 、 Ar 、 He−Ne 。
ルビー、半導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に
、軽量性、取扱いの容易さ、コンパクト性などの点から
半導体レーザーが好適である。
〔実施例〕
以下、実施例により、本発明を具体的に説明するが、か
かる実施例は本発明を限定するものではない。
実施例/ (a)  化合物製造例1 水酸化ナトリウムblIom9を溶解したアルカリ水溶
液に、下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩/、 OJ jjとトリエ
チルアミン0.3 mlと下記構造式で表わされる/−
ナフチルマロノニトリル、? A’ 11.lI■とを
加え、これらに次亜塩素酸ナトリウム水溶液/ ’l、
 g 9 mlを室温にて滴下した。滴下後10分間攪
拌した後、沈殿を戸別、乾燥した。シリカゲルカラム分
離(展開溶媒クロロホルム)後、エタノールで再結晶し
、下記構造式で表わされる化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(クロロホルム溶媒
中)を測定したところλmaxは?7Jnmであり、分
子吸光係数εmaxは5qoooであった。また、元素
分析結果は下記の通りであり、分析値は計算値とよく合
致していた。
(b)  記録媒体製造例1 前記化合物製造例/で得られたナフトキノンメチド系化
合物0.x gをテトラクロロエタン’ Ofi KM
解シ、o、sλμmのフィルターで戸遇して溶解液を得
た。この溶解液/ mlをポリメチルメタクリレ−)(
P M M A)樹脂基板(直径!r J m )の上
に滴下し、スピナー法により/ o o o rpmの
回転数で塗布した。塗布後60℃で70分間乾燥した。
塗布膜の最大吸収波長は770nmであり、反射率はコ
S%(fjOnm)であった。スペクトルの形状は幅広
であった。
(C)  光記録法/ 前記記録媒体製造例1で得られた塗布膜に、中心波長ざ
30 nmの半導体レーザー光を出力’ImWで照射し
たところ、輪郭の極めて明瞭なピントが形成された。
実施例コ (a)  化合物製造例コ 実施例/において下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩/、 03 iの代わりに
、下記構造式 %式%(3 で表わされる化合物の塩酸塩/、/ 39を用いたこと
以外は実施例/と同様に行ない、下記構造式で表わされ
るナフトキノンメチド系化合物を得た。
本化合物の可視部の吸収スペクトル(クロロホルム溶媒
中)を測定したところ、λmaxはt/Jnmであり、
分子吸光係数εmaxは1I2100であった。また、
元素分析結果は下記の通りであり、分析値は計算値とよ
く合致していた。
(b)  記録媒体製造例 前記化合物製造例−で得られたナフトキノンメチド系化
合物を実施例/と同様の方法によって、PMMA樹脂基
板(直径12 m )の上にスピナー法により塗布を行
なった。
塗布膜の最大吸収波長はglonmであり、スペクトル
の形状は幅広であった。
(C)  光記録法2 前記記録媒体製造例−で得られた塗布膜に、中心波長t
3θnmの半導体レーザー光を出力’ImWで照射した
ところ、輪郭の明瞭なピットが形成された。
この塗布膜の保存安定性(60℃、ざ0%RH)は良好
であった。
実施例3 実施例1の方法に準じて、一般式CI)で表わされるナ
フトキノンメチド系化合物を製造した。
これらの化合物のクロロホルム溶媒中でのλmaxを第
1衣に示す。
〔発明の効果〕
本発明のナフトキノンメチド系化合物は、有機溶媒に対
する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であ
り、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であり
且つ保存安定性尾すぐれているので、光学記録媒体用色
素として極めて有用なものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
    〕 (式中、R^1、R^2およびR^3は低級アルキル基
    を表わし、同じであっても異なっていてもよい。 Xは水素原子またはメトキシ基を表わす。)で示される
    ナフトキノンメチド系化合物。
JP63222130A 1988-09-05 1988-09-05 ナフトキノンメチド系化合物 Pending JPH0269570A (ja)

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JP63222130A JPH0269570A (ja) 1988-09-05 1988-09-05 ナフトキノンメチド系化合物

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JP63222130A JPH0269570A (ja) 1988-09-05 1988-09-05 ナフトキノンメチド系化合物

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JPH0269570A true JPH0269570A (ja) 1990-03-08

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ID=16777639

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JP63222130A Pending JPH0269570A (ja) 1988-09-05 1988-09-05 ナフトキノンメチド系化合物

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JP (1) JPH0269570A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004075221A3 (en) * 2003-02-19 2005-02-10 Cavendish Kinetics Ltd Micro fuse

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2004075221A3 (en) * 2003-02-19 2005-02-10 Cavendish Kinetics Ltd Micro fuse

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