JPS63223068A - ナフトキノンメチド系化合物 - Google Patents
ナフトキノンメチド系化合物Info
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- JPS63223068A JPS63223068A JP62056233A JP5623387A JPS63223068A JP S63223068 A JPS63223068 A JP S63223068A JP 62056233 A JP62056233 A JP 62056233A JP 5623387 A JP5623387 A JP 5623387A JP S63223068 A JPS63223068 A JP S63223068A
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- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 title claims description 21
- -1 Naphthoquinone methide compound Chemical class 0.000 title claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 16
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N methanide Chemical compound [CH3-] LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- ORIHZIZPTZTNCU-VMPITWQZSA-N 2-[(E)-hydroxyiminomethyl]phenol Chemical compound O\N=C\C1=CC=CC=C1O ORIHZIZPTZTNCU-VMPITWQZSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000006166 lysate Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC(CC=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 210000002374 sebum Anatomy 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001003 triarylmethane dye Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なナフトキノンメチド系化合物に関する
。
。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
す\められている。
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
す\められている。
光学記録の一例としては、光ディスクをあげることがで
きる。
きる。
一般に、元ディスクは、円形の1体に設けられた薄す記
録層に、/μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が缶底する
ことにより行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー九九より変形が起きている部分と起きていな
り部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる。
録層に、/μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が缶底する
ことにより行なわれる。また、記録された情報の再生は
、レーザー九九より変形が起きている部分と起きていな
り部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる。
したがって、光学記#媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録罠使用
する特定の波長のレーザー九九対する吸収が大きいこと
、情報の8庄を正確に行なうため、再生に使用する特定
波量のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録罠使用
する特定の波長のレーザー九九対する吸収が大きいこと
、情報の8庄を正確に行なうため、再生に使用する特定
波量のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。
この櫨の光学記録媒体としては、種々の構成のものが知
られて込る。
られて込る。
例えば、特開昭jj−97033号公報には、4&上に
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感贋が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感贋が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
また、特開昭!?−/3お1号公報にはフェナレン系色
素を、特開昭!?−λ2ダ7り3号公報にはナフトキノ
ン系色素を記録層に設けたものが開示されている。しか
し、このような色素は蒸着しやすいという利点の反面、
反射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
とレーザー光により記録された部分と未記録部分との反
射率に関係するコントラストは低くなり、記録された情
報の再庄が困難となる。更に、一般に有機系色素は保存
安定性が劣るという問題点を有している。
素を、特開昭!?−λ2ダ7り3号公報にはナフトキノ
ン系色素を記録層に設けたものが開示されている。しか
し、このような色素は蒸着しやすいという利点の反面、
反射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
とレーザー光により記録された部分と未記録部分との反
射率に関係するコントラストは低くなり、記録された情
報の再庄が困難となる。更に、一般に有機系色素は保存
安定性が劣るという問題点を有している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれているナフトキノンメチ
ド系化合物を提供することを目的とするものである。
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれているナフトキノンメチ
ド系化合物を提供することを目的とするものである。
c問題点を解決するための手段〕
本発明は、レーザー光線によって状態変化を生せしめる
ことによって記録再生を行なうための光学記録媒体の色
素として適した下記一般式〔■〕で表わされるナフトキ
ノンメチド系化合物をその賛旨とするものである。
ことによって記録再生を行なうための光学記録媒体の色
素として適した下記一般式〔■〕で表わされるナフトキ
ノンメチド系化合物をその賛旨とするものである。
一般式(1)
(式中、RはONまたはC0NH,を表わし、Xは水素
原子または、アルキル憂を表わし、R1及びR2は低級
アルキル基を表わす。) 前記一般式[”l]で示されるナフトキノンメチド系化
合物は、600−roonrnの波長帯域で吸収を有し
、しかも分子吸収係数が104〜105倒−1である。
原子または、アルキル憂を表わし、R1及びR2は低級
アルキル基を表わす。) 前記一般式[”l]で示されるナフトキノンメチド系化
合物は、600−roonrnの波長帯域で吸収を有し
、しかも分子吸収係数が104〜105倒−1である。
本発明の一般式[1)で示されるナフトキノンメチド系
化合物の一般的合成は、たとえば、一般式[1)] (式中、R及び2は前記定義に同じ。)で表わされる化
合物と一般式〔1■〕 (式中、X、Y、R1及びR情家前記定義に同じ。)で
表わされる化合物の塩酸塩とを酸化的縮合することによ
って製造することができる。
化合物の一般的合成は、たとえば、一般式[1)] (式中、R及び2は前記定義に同じ。)で表わされる化
合物と一般式〔1■〕 (式中、X、Y、R1及びR情家前記定義に同じ。)で
表わされる化合物の塩酸塩とを酸化的縮合することによ
って製造することができる。
本発明のナフトキノンメチド化合物を用いた光学的記録
媒体は、基本的には基板とナフトキノンメチド系化合物
を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必
要に応じて基板上に下引き層を、また記録層上に保ml
−を設けることができる。
媒体は、基本的には基板とナフトキノンメチド系化合物
を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必
要に応じて基板上に下引き層を、また記録層上に保ml
−を設けることができる。
本発明における基板としては、使用するレーザー光に対
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔
状の金l14寺の一般の記冑材料の支持体が挙げられる
が、プラスチックが種々の点から好適である。プラスチ
ックとしては、アクリル樹脂こメタアクリル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔
状の金l14寺の一般の記冑材料の支持体が挙げられる
が、プラスチックが種々の点から好適である。プラスチ
ックとしては、アクリル樹脂こメタアクリル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
光学記録媒体における情報記録I−としてすフトキノン
メチド系化合物を使用する際・膜厚は100A 〜jp
m、好ましくは/θO0A〜3μmでめる。成膜歇とし
ては真使蒸看法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、l!2漬法など一般に行
なわれてbる博展形取法で底膜するととズパできる。ま
た、心安に応じてバインダーン使用することもできる。
メチド系化合物を使用する際・膜厚は100A 〜jp
m、好ましくは/θO0A〜3μmでめる。成膜歇とし
ては真使蒸看法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、l!2漬法など一般に行
なわれてbる博展形取法で底膜するととズパできる。ま
た、心安に応じてバインダーン使用することもできる。
バインダーとしてはPVA、PVP、ニトロセルロース
、酢敞セルロース、ポリビニルプチラール、ポリカーボ
ネートなど既知のものか用いられ、便脂に対するナフト
キノンメチド系化合物の量は′tLf比で0.0/以上
あることが埴る まし騒。スピナー法によI成層の場合、回転数は!00
〜よ000 rpmが好ましく、スピンコードの後、場
合によっては、刀口熱あるいは浴媒蒸気にあてる等の処
理を行なってもLい。また、記録体の安定性や耐光性向
上のためK、−重積酸素クエンチャーとして遷s衾楓キ
レート化合物(たとえば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α−ジケトン等)を含有していても
よい。更に、必安に応じて他の色素を併用することがで
きる。他の色素としては別の種類のナフトキノンメチド
系色素でもよりし、トリアリールメタン系色素、アゾ染
料、シアニン系色素、スクワリリウム系色素など他系統
の色素でもよい。
、酢敞セルロース、ポリビニルプチラール、ポリカーボ
ネートなど既知のものか用いられ、便脂に対するナフト
キノンメチド系化合物の量は′tLf比で0.0/以上
あることが埴る まし騒。スピナー法によI成層の場合、回転数は!00
〜よ000 rpmが好ましく、スピンコードの後、場
合によっては、刀口熱あるいは浴媒蒸気にあてる等の処
理を行なってもLい。また、記録体の安定性や耐光性向
上のためK、−重積酸素クエンチャーとして遷s衾楓キ
レート化合物(たとえば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α−ジケトン等)を含有していても
よい。更に、必安に応じて他の色素を併用することがで
きる。他の色素としては別の種類のナフトキノンメチド
系色素でもよりし、トリアリールメタン系色素、アゾ染
料、シアニン系色素、スクワリリウム系色素など他系統
の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に1スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、フロ
モホルム、シフロモエタン、エチルセロンルプ、キシレ
ン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等0)mA/、
20〜/6θ℃のものが好適に使用される。
、特に1スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、フロ
モホルム、シフロモエタン、エチルセロンルプ、キシレ
ン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等0)mA/、
20〜/6θ℃のものが好適に使用される。
光学記録踪体の記録層は、!vi仮の両面に設けてもよ
hし、片面だけに設けてもより0 上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または、片面に設けた記録層に/μm程度に東来した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。
hし、片面だけに設けてもより0 上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または、片面に設けた記録層に/μm程度に東来した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きてbる部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
が起きてbる部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
本発明の光学的記録媒体について使用されるレーザー光
はN2、He−Cd、 Ar、 He−Ne 、 )L
、ビー、半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特
に、軽輩性、取扱いの谷易さ、コンパクト性などの点か
ら半導体レーザーが好適である。
はN2、He−Cd、 Ar、 He−Ne 、 )L
、ビー、半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特
に、軽輩性、取扱いの谷易さ、コンパクト性などの点か
ら半導体レーザーが好適である。
実施例
以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。
る実施例は本発明を限定するものではない。
実施例/
(a) 裂造例
水酸化ナトリウム≦グ0岬を溶解したアルカリ水#液に
下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩?!?qとトリエチルアミ
ン0.3−と下記構造式 で表わされる/−ナフチルマロノニトリル3/4tβ■
を加え、これらに次亜塩素酸ナトリウム水溶液/4tJ
り―を室温にて滴下した。
下記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩?!?qとトリエチルアミ
ン0.3−と下記構造式 で表わされる/−ナフチルマロノニトリル3/4tβ■
を加え、これらに次亜塩素酸ナトリウム水溶液/4tJ
り―を室温にて滴下した。
滴下後10分間撹拌した後、沈殿をp別、乾燥させた。
シリカゲルカラム分離(展囲浴謀クロロホルム)後、エ
タノールP+結晶し、下記構造式で表わされる化合物を
得た。(収率j/%) 本化合物の融点は、/3j〜/3≦℃であす、可視部の
吸収スペクトル(クロロホルムであり、分析値は計31
)値とよく合致した。
タノールP+結晶し、下記構造式で表わされる化合物を
得た。(収率j/%) 本化合物の融点は、/3j〜/3≦℃であす、可視部の
吸収スペクトル(クロロホルムであり、分析値は計31
)値とよく合致した。
(0,1−入)
(1)) 記録媒体例−/
前記製造例(IL)で得られたナフトキノンメチド系化
合物0./ j Iをテトラクロロエタン109に溶解
し、O,コλμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。
合物0./ j Iをテトラクロロエタン109に溶解
し、O,コλμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。
この溶液/dをポリメチルメタクリレ−)(PMMA)
樹脂基板(!λ9)の上に滴下し、スピナー法により1
)00rpの回転数で塗布した。塗布後、60℃で70
分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は770 nmで
あり、反射率はコrfy(J”JOnm )であった。
樹脂基板(!λ9)の上に滴下し、スピナー法により1
)00rpの回転数で塗布した。塗布後、60℃で70
分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は770 nmで
あり、反射率はコrfy(J”JOnm )であった。
スペクトルの形状は巾広かった。図−2に塗布膜の吸収
および反射のスペクトルを示す。
および反射のスペクトルを示す。
(0) 光記録法−/
この塗7fh展に、中心波長t j Onmの半導体レ
ーザー光を出力u mWで照射した所、巾へ12μm、
ビット探さ /aa2A(エリオニクス測定値)の輪郭
の極めて明瞭なピ′シトが形成された。
ーザー光を出力u mWで照射した所、巾へ12μm、
ビット探さ /aa2A(エリオニクス測定値)の輪郭
の極めて明瞭なピ′シトが形成された。
この塗布膜は高温高湿下(、gθ℃、?QチRH)での
促進テストで20日以上安定であった。
促進テストで20日以上安定であった。
(d) 記録媒体例−一
前記製造例(a)で得られたナフトキノンメチド系化合
物0./ Iをテトラクロロエタン10Iに杉解し、O
o−一μのフィルターでP遇し、溶解液を得た。この溶
液!dを深さ700ム、幅θ、2μの紫外M硬化樹脂に
よる擲(グループ)つきPMMム樹脂基板(1インチ)
上に胸下し、スピナー法により/ 00 rpmの回転
数で塗布した。塗布後、ぶ0℃で70分間乾燥した。
物0./ Iをテトラクロロエタン10Iに杉解し、O
o−一μのフィルターでP遇し、溶解液を得た。この溶
液!dを深さ700ム、幅θ、2μの紫外M硬化樹脂に
よる擲(グループ)つきPMMム樹脂基板(1インチ)
上に胸下し、スピナー法により/ 00 rpmの回転
数で塗布した。塗布後、ぶ0℃で70分間乾燥した。
(e) 元記録法−一
上1d記録媒体を成膜した1インチのPMMム樹脂基板
を41 m/′aで回転させながら、中心波長♂J O
nmの半導体レーザー元でパルス幅j00nsecで照
射したところ、出力6 mWでO/N比、tOdβな得
た。保存安定性(40℃、?O%RH)も良好でありた
。
を41 m/′aで回転させながら、中心波長♂J O
nmの半導体レーザー元でパルス幅j00nsecで照
射したところ、出力6 mWでO/N比、tOdβな得
た。保存安定性(40℃、?O%RH)も良好でありた
。
実施例コ
(a) 製造例
実施例/において下記構造式
で表わされる化合物の塩酸塩rjrlqの代わりに、下
記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩6りowgを用いた以外は
実施例/と同51に行ない、下記構造式で表わされるナ
フトキノンメチド系化合物を得た。(収率−rs> 本化合物の融点は///〜/13℃であり、可視部の吸
収スペクトル(クロ京ホルム中)は、λmax 7コ−
nm(gJrjθθ)(図−3)であり、元素分析結果
は、下記の通りであり、計算値とよく合致した。
記構造式 で表わされる化合物の塩酸塩6りowgを用いた以外は
実施例/と同51に行ない、下記構造式で表わされるナ
フトキノンメチド系化合物を得た。(収率−rs> 本化合物の融点は///〜/13℃であり、可視部の吸
収スペクトル(クロ京ホルム中)は、λmax 7コ−
nm(gJrjθθ)(図−3)であり、元素分析結果
は、下記の通りであり、計算値とよく合致した。
(020”+6’4 )
申ン 記録媒体例
前記製造例(a)で侍られたナフトキノンメチド系化合
物を実施例/に記載の方法に従って、PMMA樹脂基&
(!=Δ)の上にスピナー法により塗布を行なりた。
物を実施例/に記載の方法に従って、PMMA樹脂基&
(!=Δ)の上にスピナー法により塗布を行なりた。
塗布膜の最大吸収波長は7 j OnInであり、反射
率は22%(d’ j Onm )であった。スペクト
ルの形状は中広かった。図−弘に塗布膜の吸収および反
射のスペクトルを示す。
率は22%(d’ j Onm )であった。スペクト
ルの形状は中広かった。図−弘に塗布膜の吸収および反
射のスペクトルを示す。
(C)光記録法
上記の塗布膜に、中心波長rJ Onmの半導体レーザ
ー光を出力4tmWで照射し九ところ、輪郭の明瞭なピ
ットが形成された。
ー光を出力4tmWで照射し九ところ、輪郭の明瞭なピ
ットが形成された。
こり塗布膜の保存安定性(60℃、10チRE )は良
好であった。
好であった。
実施例3
実施例/の方法に準じて、一般式〔1)で代表されるナ
フトキノンメチド系化合物を合成した。
フトキノンメチド系化合物を合成した。
これらの化合物のクロロホルムf#孫中でのλwaxを
第1表に示す。
第1表に示す。
第1表
〔発明の効果〕
本発明のナフトキノンメチド系化合物は、有機#媒に対
する#層性が高く、塗布によるコーティングが可能であ
り、しかも、反射率が読く、コントラストが良好であり
且つ保存安定性にすぐれてbるので、光学記録媒体用色
素として極めて有用なものである。
する#層性が高く、塗布によるコーティングが可能であ
り、しかも、反射率が読く、コントラストが良好であり
且つ保存安定性にすぐれてbるので、光学記録媒体用色
素として極めて有用なものである。
図−/、及び図−Jは、本発明のナフトキノンメチド系
化合物−例の可視部吸収スペクトルを表わすものであり
、縦軸は吸光度、横軸は波長(nm )を表わす。 図−一及び、図−ダは、本発明のナフトキノンメチド系
化合物−例の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクト
ルを表わすものであり、縦軸は左が吸光度、右が反射率
を表わし、横軸は波長(nm )を表わす。 出 願 人 盲 出 勝 平
(ほか−名) 代 理 人 弁理士 長谷用 − 〇ミか1名) 巴−1 成長(nprt)’ 図−2 展長(nm) 固−3 9良長(nm)
化合物−例の可視部吸収スペクトルを表わすものであり
、縦軸は吸光度、横軸は波長(nm )を表わす。 図−一及び、図−ダは、本発明のナフトキノンメチド系
化合物−例の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクト
ルを表わすものであり、縦軸は左が吸光度、右が反射率
を表わし、横軸は波長(nm )を表わす。 出 願 人 盲 出 勝 平
(ほか−名) 代 理 人 弁理士 長谷用 − 〇ミか1名) 巴−1 成長(nprt)’ 図−2 展長(nm) 固−3 9良長(nm)
Claims (1)
- (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、RはCN、またはCONH_2を表わし、Xは
水素原子またはアルキル基を表わし、R^1及びR^2
は低級アルキル基を表わす。) で示されるナフトキノンメチド系化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62056233A JPH0816199B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ナフトキノンメチド系化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62056233A JPH0816199B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ナフトキノンメチド系化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63223068A true JPS63223068A (ja) | 1988-09-16 |
JPH0816199B2 JPH0816199B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13021385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62056233A Expired - Lifetime JPH0816199B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ナフトキノンメチド系化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0816199B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232651A (ja) * | 1989-03-04 | 1990-09-14 | Konica Corp | 新規なシアンカプラー |
EP0941990A2 (de) * | 1998-03-09 | 1999-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Azamethinen sowie Azamethine selbst |
US7035200B2 (en) * | 2002-02-07 | 2006-04-25 | Verification Technologies, Inc. | Optical disk copy-protection using an optically changeable security material |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62056233A patent/JPH0816199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232651A (ja) * | 1989-03-04 | 1990-09-14 | Konica Corp | 新規なシアンカプラー |
EP0941990A2 (de) * | 1998-03-09 | 1999-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Azamethinen sowie Azamethine selbst |
EP0941990A3 (de) * | 1998-03-09 | 2002-07-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Azamethinen sowie Azamethine selbst |
US7035200B2 (en) * | 2002-02-07 | 2006-04-25 | Verification Technologies, Inc. | Optical disk copy-protection using an optically changeable security material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0816199B2 (ja) | 1996-02-21 |
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