JPH0737181B2 - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
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- JPH0737181B2 JPH0737181B2 JP60193630A JP19363085A JPH0737181B2 JP H0737181 B2 JPH0737181 B2 JP H0737181B2 JP 60193630 A JP60193630 A JP 60193630A JP 19363085 A JP19363085 A JP 19363085A JP H0737181 B2 JPH0737181 B2 JP H0737181B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報記録層としてインドフエノール系色素を
有する光学的記録媒体に関するものである。
有する光学的記録媒体に関するものである。
詳しくは、半導体レーザーの発振波長の光エネルギーに
より物質状態の変化を利用して記録を行なう光学的記録
媒体に関するものである。
より物質状態の変化を利用して記録を行なう光学的記録
媒体に関するものである。
〔従来技術〕 この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。
知られている。
例えば、特開昭55−97033号公報には、基板上にフタロ
シアニン系色素の単層を設けたものが開示されている。
フタロシアニン系色素は感度が低い、分解点が高く蒸着
しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対する溶
解性が著しく低く、塗布によるコーテイングに使用する
ことができないという問題点も有している。
シアニン系色素の単層を設けたものが開示されている。
フタロシアニン系色素は感度が低い、分解点が高く蒸着
しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対する溶
解性が著しく低く、塗布によるコーテイングに使用する
ことができないという問題点も有している。
また、特開昭58−83344号公報にはフエナレン系色素
を、特開昭58−224793号公報にはナフトキノン系色素を
記録層に設けたものが開示されている。しかし、このよ
うな色素は蒸着しやすいという利点の反面、反射率が低
いという問題点を有している。反射率が低いとレーザー
光により記録された部分と未記録部分との反射率に関係
するコントラストは低くなり、記録された情報の再生が
困難となる。また、一般に有機系色素は保存安定性が劣
るという問題点を有している。
を、特開昭58−224793号公報にはナフトキノン系色素を
記録層に設けたものが開示されている。しかし、このよ
うな色素は蒸着しやすいという利点の反面、反射率が低
いという問題点を有している。反射率が低いとレーザー
光により記録された部分と未記録部分との反射率に関係
するコントラストは低くなり、記録された情報の再生が
困難となる。また、一般に有機系色素は保存安定性が劣
るという問題点を有している。
本発明は、蒸着が容易で、有機溶媒に対する溶解性が高
く、塗布によるコーテイングも可能で、しかも、反射率
が高く、コントラストが良好で保存性にすぐれている色
素を用いた光学的記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
く、塗布によるコーテイングも可能で、しかも、反射率
が高く、コントラストが良好で保存性にすぐれている色
素を用いた光学的記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
本発明は、レーザー光線によつて状態変化を生ぜしめる
ことによつて記録再生を行なうための光学的記録媒体に
あつて、基板にインドフエノール系色素を担持せしめた
ことを特徴とする光学的記録媒体にその要旨とするもの
である。
ことによつて記録再生を行なうための光学的記録媒体に
あつて、基板にインドフエノール系色素を担持せしめた
ことを特徴とする光学的記録媒体にその要旨とするもの
である。
本発明の光学的記録媒体に用いられるインドフエノール
系色素としては種々のものが挙げられるが、例えば下記
一般式〔Ｉ〕で示されるものが挙げられる。
系色素としては種々のものが挙げられるが、例えば下記
一般式〔Ｉ〕で示されるものが挙げられる。
（式中、 を表わし、−Ｋは置換もしくは、非置換の芳香族アミン
の残基を表わし、−Ｒは水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、置換もしくは非置換のアルキル基、置
換もしくは非置換のアルコキシ基、置換もしくは非置換
のアミノカルボニル基、置換もしくは非置換のカルボニ
ルアミノ基、置換もしくは非置換のアミノスルホニル
基、置換もしくは非置換のスルホニルアミノ基または置
換もしくは非置換のチオカルボニルアミノ基を表わ
す。） 一般式〔Ｉ〕中、Ｒで示されるアルキル基、アルコキシ
基、アミノカルボニル基、カルボニルアミノ基、アミノ
スルホニル基、スルホニルアミノ基またはチオカルボニ
ルアミノ基の置換基としては、例えば、チオシアナト
基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、
アルキルスルホニル基、ヒドロキシアルキルスルホニル
基、アルコキシスルホニル基、アルコキシアルコキシス
ルホニル基、アリルスルホニル基、アルコキシカルボニ
ル基、アルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシ
アルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシ基、ア
ルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキ
シ基等で置換されていてもよいフエニル基、ナフチル基
等のアリール基；アルキル基；ベンジル基等のアラルキ
ル基；テトラヒドロフルフリル基；シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基；フエニルアミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基等のアミノ基；ニトロチアゾ
リル基、ニトロベンゾチアゾリル基、アルキルチオチア
ゾアゾリル基、ジシアノアルキルジアゾリル基、ブロム
ベンゾチアゾール基等の窒素原子、酸素原子もしくは硫
黄原子を含む５員または６員の置換もしくは非置換の複
素環残基等を挙げることができる。
の残基を表わし、−Ｒは水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、置換もしくは非置換のアルキル基、置
換もしくは非置換のアルコキシ基、置換もしくは非置換
のアミノカルボニル基、置換もしくは非置換のカルボニ
ルアミノ基、置換もしくは非置換のアミノスルホニル
基、置換もしくは非置換のスルホニルアミノ基または置
換もしくは非置換のチオカルボニルアミノ基を表わ
す。） 一般式〔Ｉ〕中、Ｒで示されるアルキル基、アルコキシ
基、アミノカルボニル基、カルボニルアミノ基、アミノ
スルホニル基、スルホニルアミノ基またはチオカルボニ
ルアミノ基の置換基としては、例えば、チオシアナト
基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、
アルキルスルホニル基、ヒドロキシアルキルスルホニル
基、アルコキシスルホニル基、アルコキシアルコキシス
ルホニル基、アリルスルホニル基、アルコキシカルボニ
ル基、アルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシ
アルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシ基、ア
ルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキ
シ基等で置換されていてもよいフエニル基、ナフチル基
等のアリール基；アルキル基；ベンジル基等のアラルキ
ル基；テトラヒドロフルフリル基；シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基；フエニルアミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基等のアミノ基；ニトロチアゾ
リル基、ニトロベンゾチアゾリル基、アルキルチオチア
ゾアゾリル基、ジシアノアルキルジアゾリル基、ブロム
ベンゾチアゾール基等の窒素原子、酸素原子もしくは硫
黄原子を含む５員または６員の置換もしくは非置換の複
素環残基等を挙げることができる。
また、Ｋで示される置換もしくは非置換の芳香族アミン
と残基としては、例えば、テトラヒドロキノリン類、或
いは、下記一般式〔IV〕 （式中、−Ｘおよび−Ｙは水素原子、アルキル基、アシ
ルアミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、−R2および−R3は水素原子;C1〜C20の置換もしくは
非置換のアルキル基、アリール基またはシクロヘキシル
基を表わす。）で示される基等が挙げられる。式中、−
R2および−R3で示されるアルキル基、アリール基または
シクロヘキシル基の置換基としては、例えば、アルコキ
シ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシ基、アリルオキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリ
ル基等が挙げられる。
と残基としては、例えば、テトラヒドロキノリン類、或
いは、下記一般式〔IV〕 （式中、−Ｘおよび−Ｙは水素原子、アルキル基、アシ
ルアミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、−R2および−R3は水素原子;C1〜C20の置換もしくは
非置換のアルキル基、アリール基またはシクロヘキシル
基を表わす。）で示される基等が挙げられる。式中、−
R2および−R3で示されるアルキル基、アリール基または
シクロヘキシル基の置換基としては、例えば、アルコキ
シ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシ基、アリルオキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリ
ル基等が挙げられる。
前記一般式〔Ｉ〕で示されるインドフエノール系色素
は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸
収係数が104〜105cm-1である。
は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸
収係数が104〜105cm-1である。
また、上記一般式〔Ｉ〕で表わされるインドフエノール
系色素の中で好ましい色素としては、一般式〔II〕 （式中、 −R2、−R3−Ｘおよび−Ｙは前記と同義を表わし、−R1
は水素原子;C1〜C20の置換もしくは非置換のアルキル
基、アリール基またはシクロヘキシル基；窒素原子、酸
素原子または硫黄原子を含み５員または６員の置換もし
くは非置換の複素環残基を表わし、−Ａ−は−CONH−、
−NHCO−、−SO2NH−、−NHCONH−、−NHSO2NH−または
−NHCSNH−を表わす）で示されるインドフエノール系色
素、一般式 〔式中、−Ａ−は前記と同義を表わし、−Ｘ′および−
Ｙ′は水素原子、C1〜C4のアルキル基、C1〜C4のアシル
アミノ基、C1〜C4のアルコキシ基またはハロゲン原子を
表わし、−R7および−R8は水素原子、アラルキル基、シ
アノアルキル基または−（C2H4O）lR9（−R9はC1〜C10
のアルキル基を表わし、ｌは６≧ｌ≧０の整数、好まし
くは、４≧ｌ≧０の整数を表わす。）で示される基を表
わし、−R4、−R5および−R6は水素原子、ニトロ基、シ
アノ基、チオシアナト基、ハロゲン原子、アルキル基、
ヒドロキシ基、−（OC2H4）mOR10（−R10はアルケニル
基またはC1〜C10のアルキル基を表わし、ｍは６≧ｍ≧
０の整数、好ましくは、４≧ｍ≧０の整数を表わす。）
で示される基、−CO（OC2H4）nOR11（−R11はアルケニ
ル基またはC1〜C10のアルキル基を表わし、ｎは６≧ｎ
≧０の整数、好ましくは、４≧ｎ≧０の整数を表わす）
で示される基、−SO2R12（−R12はC1〜C10のアルキル
基、C3〜C10のアルコキシアルキル基、C2〜C10のヒドロ
キシアルキル基またはビニル基を表わす）で示される
基、または−SO3R13（−R13はC1〜C10のアルキル基、C3
〜C10のアルコキシアルキル基、C2〜C10のヒドロキシア
ルキル基またはビニル基を表わす。）で示される基を表
わし、−Ａ−は−CONH−または−SO2NH−を表わす。〕
で示されるインドフエノール系色素が挙げられる。
系色素の中で好ましい色素としては、一般式〔II〕 （式中、 −R2、−R3−Ｘおよび−Ｙは前記と同義を表わし、−R1
は水素原子;C1〜C20の置換もしくは非置換のアルキル
基、アリール基またはシクロヘキシル基；窒素原子、酸
素原子または硫黄原子を含み５員または６員の置換もし
くは非置換の複素環残基を表わし、−Ａ−は−CONH−、
−NHCO−、−SO2NH−、−NHCONH−、−NHSO2NH−または
−NHCSNH−を表わす）で示されるインドフエノール系色
素、一般式 〔式中、−Ａ−は前記と同義を表わし、−Ｘ′および−
Ｙ′は水素原子、C1〜C4のアルキル基、C1〜C4のアシル
アミノ基、C1〜C4のアルコキシ基またはハロゲン原子を
表わし、−R7および−R8は水素原子、アラルキル基、シ
アノアルキル基または−（C2H4O）lR9（−R9はC1〜C10
のアルキル基を表わし、ｌは６≧ｌ≧０の整数、好まし
くは、４≧ｌ≧０の整数を表わす。）で示される基を表
わし、−R4、−R5および−R6は水素原子、ニトロ基、シ
アノ基、チオシアナト基、ハロゲン原子、アルキル基、
ヒドロキシ基、−（OC2H4）mOR10（−R10はアルケニル
基またはC1〜C10のアルキル基を表わし、ｍは６≧ｍ≧
０の整数、好ましくは、４≧ｍ≧０の整数を表わす。）
で示される基、−CO（OC2H4）nOR11（−R11はアルケニ
ル基またはC1〜C10のアルキル基を表わし、ｎは６≧ｎ
≧０の整数、好ましくは、４≧ｎ≧０の整数を表わす）
で示される基、−SO2R12（−R12はC1〜C10のアルキル
基、C3〜C10のアルコキシアルキル基、C2〜C10のヒドロ
キシアルキル基またはビニル基を表わす）で示される
基、または−SO3R13（−R13はC1〜C10のアルキル基、C3
〜C10のアルコキシアルキル基、C2〜C10のヒドロキシア
ルキル基またはビニル基を表わす。）で示される基を表
わし、−Ａ−は−CONH−または−SO2NH−を表わす。〕
で示されるインドフエノール系色素が挙げられる。
本発明において、基板に担持せしめられるインドフエノ
ール系色素の一般的合成は、たとえば、P.W.Vittum and
G.H.Brown,J.Am.Soc.Chem.,682235（1946）の記載に準
じて行うことができる。
ール系色素の一般的合成は、たとえば、P.W.Vittum and
G.H.Brown,J.Am.Soc.Chem.,682235（1946）の記載に準
じて行うことができる。
本発明の光学的記録媒体は、基本的には基板と記録層と
から構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けることがで
きる。
から構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けることがで
きる。
本発明における基板としては、使用するレーザー光に対
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチツク、紙、板状または箔
状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、
プラスチツクが種々の点から好適である。プラスチツク
としては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられ
る。
して透明または不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチツク、紙、板状または箔
状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、
プラスチツクが種々の点から好適である。プラスチツク
としては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられ
る。
本発明の光学的記録媒体における情報記録層としてイン
ドフエノール系色素を使用する際、膜厚は100Å〜５μ
ｍ、好ましくは1000Å〜３μｍである。成膜法としては
真空蒸着法、スパツタリング法、ドクターブレード法、
キヤスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわれて
いる薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に
応じてバインダーを使用することもできる。バインダー
としてはPVA、PVP、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネートなど既知
のものが用いられ、樹脂に対するインドフエノール系色
素の量は重量比で0.01以上あることが望ましい。スピナ
ー法による成膜の場合、回転数は500〜5000rpmが好まし
く、スピンコートの後、場合によつては、加熱あるいは
溶媒蒸気にあてる等の処理を行なつてもよい。また、記
録体の安定性の耐光性向上のために、一重項酸素クエン
チヤーとして遷移金属キレート化合物（たとえば、アセ
チルアセトナートキレート、ビスフエニルジチオール、
サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケト
ン等）を含有していてもよい。更に、必要に応じて他の
色素を併用することができる。他の色素としては別の種
類のインドフエノール系色素でもよいし、トリアリール
メタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素など他系統の色素でもよい。
ドフエノール系色素を使用する際、膜厚は100Å〜５μ
ｍ、好ましくは1000Å〜３μｍである。成膜法としては
真空蒸着法、スパツタリング法、ドクターブレード法、
キヤスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわれて
いる薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に
応じてバインダーを使用することもできる。バインダー
としてはPVA、PVP、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネートなど既知
のものが用いられ、樹脂に対するインドフエノール系色
素の量は重量比で0.01以上あることが望ましい。スピナ
ー法による成膜の場合、回転数は500〜5000rpmが好まし
く、スピンコートの後、場合によつては、加熱あるいは
溶媒蒸気にあてる等の処理を行なつてもよい。また、記
録体の安定性の耐光性向上のために、一重項酸素クエン
チヤーとして遷移金属キレート化合物（たとえば、アセ
チルアセトナートキレート、ビスフエニルジチオール、
サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケト
ン等）を含有していてもよい。更に、必要に応じて他の
色素を併用することができる。他の色素としては別の種
類のインドフエノール系色素でもよいし、トリアリール
メタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素など他系統の色素でもよい。
ドクタープレード法、キヤスト法、スピナー法、浸漬
法、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成
する場合の塗布溶媒としては、プロモホルム、ジブロモ
エタン、エチルセロソルブ、キシレン、クロロベンゼ
ン、シクロヘキサノン等の沸点120〜160℃のものが好適
に使用される。
法、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成
する場合の塗布溶媒としては、プロモホルム、ジブロモ
エタン、エチルセロソルブ、キシレン、クロロベンゼ
ン、シクロヘキサノン等の沸点120〜160℃のものが好適
に使用される。
本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。
いし、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。
または、片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
本発明の光学的記録媒体について使用されるレーザー光
はN2、He−Cd、Ar、He−Ne、ルビー、半導体、色素レー
ザーなどがあげられるが、特に、軽量性、取扱いの容易
さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好適で
ある。
はN2、He−Cd、Ar、He−Ne、ルビー、半導体、色素レー
ザーなどがあげられるが、特に、軽量性、取扱いの容易
さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好適で
ある。
実施例 以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。
る実施例は本発明を限定するものではない。
実施例１ 下記構造式のインドフエノール系色素は２×10-5Torrの
真空下で、約80〜150℃に加熱し、板厚12mmのメタアク
リル樹脂（以下、PMMAと記す）基板上に真空蒸着した。
蒸着膜厚は水晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定の
結果、2015Åであつた。分光光度計による最大吸収波長
は、650nmであり、スペクトルの形状は、巾広かつた。
真空下で、約80〜150℃に加熱し、板厚12mmのメタアク
リル樹脂（以下、PMMAと記す）基板上に真空蒸着した。
蒸着膜厚は水晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定の
結果、2015Åであつた。分光光度計による最大吸収波長
は、650nmであり、スペクトルの形状は、巾広かつた。
インドフエノール系色素： このようにして得られた薄膜に、光源としてHe−Neレー
ザーを用いビーム径2.4μｍ、波長632.8nmで書き込みを
行なつたところ、均一かつ明瞭な形状のビツト（孔）が
得られた。キヤリヤーレベル／ノイズレベル（C/N）比
も45dBと良好であつた。
ザーを用いビーム径2.4μｍ、波長632.8nmで書き込みを
行なつたところ、均一かつ明瞭な形状のビツト（孔）が
得られた。キヤリヤーレベル／ノイズレベル（C/N）比
も45dBと良好であつた。
また、この記録媒体は、室内光中、温度40℃、湿度90％
と条件下で良好な保存性を示した。
と条件下で良好な保存性を示した。
実施例２ 下記構造式 で示されるインドフエノール系色素を、実施例１に記載
の方法に従つてPMMA基板上に真空蒸着した。
の方法に従つてPMMA基板上に真空蒸着した。
蒸着膜厚は、水晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定
の結果、2020Åであつた。
の結果、2020Åであつた。
分光光度計による最大吸収波長は、735nmであり、スペ
クトルの形状は、巾広かつた。
クトルの形状は、巾広かつた。
このようにして得られた薄膜に、光源として、中心波長
780nmの半導体レーザーを用い、ビーム径約１μｍで書
き込みを行なつたところ、均一かつ明瞭な形状のビツト
が得られた。C/N比も50dBと良好であつた。
780nmの半導体レーザーを用い、ビーム径約１μｍで書
き込みを行なつたところ、均一かつ明瞭な形状のビツト
が得られた。C/N比も50dBと良好であつた。
また、この記録媒体は、室内光中、温度40℃、湿度90％
の条件下で良好な保存性を示した。
の条件下で良好な保存性を示した。
実施例３ 下記構造式 で示される色素0.2gをクロロホルム20mlに溶解したもの
を厚さ1.1mmの厚さのガラス基板に回転塗布し、減圧下
し、100℃で乾燥させて厚さ0.2μｍの記録媒体を作成し
た。
を厚さ1.1mmの厚さのガラス基板に回転塗布し、減圧下
し、100℃で乾燥させて厚さ0.2μｍの記録媒体を作成し
た。
分光光度計による最大吸収波長は755nmでありスペクト
ルの形状は巾広かつた。
ルの形状は巾広かつた。
このようにして得られた記録媒体に、実施例１の方法に
従つて情報の記録を行なつたところ、均一かつ明瞭な形
状のビツトが得られた。
従つて情報の記録を行なつたところ、均一かつ明瞭な形
状のビツトが得られた。
実施例４ 実施例２において用いたインドフエノール系色素の代わ
りに下記第１表に示した化合物を使用して蒸着したとこ
ろ、下記第１表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源として半導体レ
ーザーを用いて書き込みを行なつたとろ均一かつ明瞭な
形状のピツトが得られた。C/N比も良好であり、保存性
も良好であつた。
りに下記第１表に示した化合物を使用して蒸着したとこ
ろ、下記第１表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源として半導体レ
ーザーを用いて書き込みを行なつたとろ均一かつ明瞭な
形状のピツトが得られた。C/N比も良好であり、保存性
も良好であつた。
実施例５ 実施例１において用いたインドフエノール系色素の代わ
りに以下の第２表に示した化合物を使用して蒸着したと
ころ、第２表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源としてHe−Neレ
ーザーを用いて書き込みを行なつたとろ、均一かつ明瞭
な形状のピツトが得られた。C/N比も良好で、かつ保存
性も良好であつた。
りに以下の第２表に示した化合物を使用して蒸着したと
ころ、第２表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源としてHe−Neレ
ーザーを用いて書き込みを行なつたとろ、均一かつ明瞭
な形状のピツトが得られた。C/N比も良好で、かつ保存
性も良好であつた。
実施例６ 下記構造式のインドフエノール系色素1gをジブロモエタ
ン50gに溶解し、0.22μのフイルターで過し、溶解液
を得た。この溶液2mlを、深さ700Å、巾0.7μの紫外線
硬化樹脂による溝（グルーブ）つきPMMA樹脂基板（120m
mφ）上に滴下し、スピナー法により1200rpmの回転数で
塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。同一条件で
ガラス板に塗布して、α−ステツプによる膜厚測定した
ところ、1500Åであつた。塗布膜の最大吸収液長は760n
mであり、スペクトルの形状は巾広かつた。
ン50gに溶解し、0.22μのフイルターで過し、溶解液
を得た。この溶液2mlを、深さ700Å、巾0.7μの紫外線
硬化樹脂による溝（グルーブ）つきPMMA樹脂基板（120m
mφ）上に滴下し、スピナー法により1200rpmの回転数で
塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。同一条件で
ガラス板に塗布して、α−ステツプによる膜厚測定した
ところ、1500Åであつた。塗布膜の最大吸収液長は760n
mであり、スペクトルの形状は巾広かつた。
イントフエノール系色素： この塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光を出
力6mWでビーム径１μｍで照射した所、巾約１μｍ、ピ
ツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭なピツトが形成され
た。C/N比は48dBであつた。保存安定性（60℃、80％R
H）も良好であつた。
力6mWでビーム径１μｍで照射した所、巾約１μｍ、ピ
ツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭なピツトが形成され
た。C/N比は48dBであつた。保存安定性（60℃、80％R
H）も良好であつた。
実施例７ 実施例６において用いたインドフエノール系色素の代わ
りに下記第３表に示した化合物を使用して塗布したとこ
ろ、下記第３表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源として半導体レ
ーザーを用いて書き込みを行なつたところ、均一かつ明
瞭な形状のピツトが得られた。C/N比も良好であり、保
存性も良好であつた。
りに下記第３表に示した化合物を使用して塗布したとこ
ろ、下記第３表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源として半導体レ
ーザーを用いて書き込みを行なつたところ、均一かつ明
瞭な形状のピツトが得られた。C/N比も良好であり、保
存性も良好であつた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 修一 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 黒瀬 裕 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−61893（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】レーザー光線によつて状態変化を生ぜしめ
ることによつて記録再生を行なうための光学的記録媒体
であつて、基板にインドフエノール系色素を担持せしめ
たことを特徴とする光学的記録媒体。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒
体において、インドフエノール系色素が、一般式〔Ｉ〕 （式中、 を表わし、−Ｋは置換もしくは非置換の芳香族アミンの
残基を表わし、−Ｒは水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、置換もしくは非置換のアルキル基、置換
もしくは非置換のアルコキシ基、置換もしくは非置換の
アミノカルボニル基、置換もしくは非置換のカルボニル
アミノ基、置換もしくは非置換のアミノスルホニル基、
置換もしくは非置換のスルホニルアミノ基または置換も
しくは非置換のチオカルボニルアミノ基を表わす）で示
されるインドフエノール系色素であるもの。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒
体において、インドフエノール系色素が、一般式〔II〕 （式中、 を表わし、−Ｘおよび−Ｙは水素原子、アルキル基、ア
シルアミノ基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、−R1は水素原子;C1〜C20の置換もしくは非置換のア
ルキル基、アリール基またはシクロヘキシル基；窒素原
子、酸素原子または硫黄原子を含む置換もしくは非置換
の５員または６員の複素環残基を表わし、−R2および−
R3は水素原子;C1〜C20の置換もしくは非置換のアルキル
基、アリール基またはシクロヘキシル基を表わし、−Ａ
−は−CONH−、−NHCO−、−SO2NH−、−NHCONH−、−N
HSO2NH−または−NHCSNH−を表わす）で示されるインド
フエノール系色素であるもの。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒
体において、インドフエノール系色素が、一般式〔II
I〕 〔式中、−Ｘ′および−Ｙ′は水素原子、C1〜C4のアル
キル基、C1〜C4のアシルアミノ基、C1〜C4のアルコキシ
基またはハロゲン原子を表わし、−R7および−R8は水素
原子、アラルキル基、シアノアルキル基または−（C2H4
O）lR9（−R9はC1〜C10のアルキル基を表わし、ｌは６
≧ｌ≧０の整数を表わす）で示される基を表わし、−
R4、−R5および−R6は水素原子、ニトロ基、シアノ基、
チオシアナト基、ハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキ
シ基、−（OC2H4）mOR10（−R10はアルケニル基またはC
1〜C10のアルキル基を表わし、ｍは６≧ｍ≧０の整数を
表わす）で示される基、−CO（OC2H4）nOR11（−R11は
アルケニル基またはC1〜C10のアルキル基を表わし、ｎ
は６≧ｎ≧０の整数を表わす）で示される基、−SO2R12
（−R12はC1〜C10のアルキル基、C3〜C10のアルコキシ
アルキル基、C2〜C10のヒドロキシアルキル基またはビ
ニル基を表わす）で示される基または−SO3R13（−R13
はC1〜C10のアルキル基、C3〜C10のアルコキシアルキル
基、C2〜C10のヒドロキシアルキル基またはビニル基を
表わす。）で示される基を表わし、−Ａ−は−CONH−ま
たは−SO2NH−を表わす。〕で示されるインドフエノー
ル系色素であるもの。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項記載の光学的記録媒
体において、一般式〔III〕で示されるインドフエノー
ル系色素が、式中、−R7または−R8の少くともいずれか
一方が（−C2H4）ｌ′R9（−R9は前記と同義を表わし、
ｌ′は４≧ｌ′≧２の整数を表わす。）で示される基を
表わすインドフエノール系色素であるもの。 - 【請求項６】特許請求の範囲第４項記載の光学的記録媒
体において、一般式〔III〕で示されるインドフエノー
ル系色素が、式中、−R4、−R5または−R6の少くともい
ずれか１つが−（OC2H4）mOR10（−R10およびｍは前記
と同義を表わす。）で示される基または−CO（OC2H4）n
OR11（R11およびｎは前記と同義を表わす。）で示され
る基を表わすインドフエノール系色素であるもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193630A JPH0737181B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193630A JPH0737181B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254850A JPS6254850A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0737181B2 true JPH0737181B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=16311136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60193630A Expired - Fee Related JPH0737181B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737181B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2681781B2 (ja) * | 1987-12-30 | 1997-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 熱転写シート |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP60193630A patent/JPH0737181B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254850A (ja) | 1987-03-10 |
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