JPS6254850A

JPS6254850A - 光学的記録媒体

Info

Publication number: JPS6254850A
Application number: JP60193630A
Authority: JP
Inventors: Toshio Niwa; 俊夫丹羽; Yukichi Murata; 勇吉村田; Tetsuo Ozawa; 鉄男尾澤; Shuichi Maeda; 修一前田; Yutaka Kurose; 裕黒瀬
Original assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 1985-09-02
Filing date: 1985-09-02
Publication date: 1987-03-10
Anticipated expiration: 2010-04-26
Also published as: JPH0737181B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、情報記録層としてインドフェノール系色素を
有する光学的記録媒体に関するものである。

詳しくは、半導体レーザーの発振波長の光エネルギーに
よシ物質状態の変化を利用して記録を行なう光学的記録
媒体Ｋ［Ｗするものである。

〔従来技術〕

この種の光学的記録媒体としては、櫨々の構成のものが
知られている。

例えは、特開昭！ｊ−９７０３３号公報には、基板上に
７タロシアニン系色素の単槽を設けたものが開示されて
いる。フタロシアニン系色素は感度が低い、分解点が高
く蒸看しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対
する溶解性が著しく低く、塗布によるコーティングに使
用することができないという問題点も有している。

また、特開昭７　？　−ｒｊ３４ｔ４を号公報にはフエ
ナレン系色素を、特開昭！？−ムｄ２９３号公報にはす
７トキノン系色累を記録層に設けたものが開示されてい
る。しかし、このような色素は′＃看しやすいという利
点の反面、反射率が低込という問題点を有している。反
射率が低すとレーザー光によシ記録さ７″ｌた部分と未
ｇピ録部分との反射率ＶＣ関係するコントラストは低く
なシ、記録″：！−れた情報の得失が困難々なる。また
、一般に有機系色素は保存安定性が劣るという問題点を
有している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、蒸着が容易で、有磯浴媒に対する溶解性が高
く、蓋面によるコーティングも可能で、しかも、反射率
が高く、コントラストが良好で保存性にすぐれている色
素を用いた光学的記録媒体を提供することを目的とする
ものである。

〔問題点をγ＾決するだめの手段〕

本発明は、レーザー光巌によって状、態度化な生せしめ
ることによって記録褥生を行なうための光学的記録媒体
であって、基板にインドフェノール糸色素を担持せしめ
たことを特徴とする光学的記録媒体をその要旨とするも
のである。

本発明の光学的記録媒体に用いられるインドフェノール
系色素としては柚々のものが挙げられるが、例えば下記
一般式〔ＩＤで示されるものが挙げられる。

一には置換もしくは、非置換の芳香族アミンの残基な表
わし、−Ｒは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基、直換もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは
非を換のアルコキシ基、置換もしくは非置換のアミノカ
ルボニル基、置換もしくは非１１羨のカルボニルアミノ
基、置換もしくは非置換のアミンスルホニル基、置換も
しくは非置換のスルホニルアミノ基または置換もしくは
非置換のチオカルボニルアミノ基を表わす。）一般式［１）中、Ｒで示されるアルキル基、アルコキシ
基、アミノカルボニル基、カルボニルアミノ基、アミノ
スルホニル基、スルホニルアミノ基またはチオカルボニ
ルアミノ基の置換基としては、例えば、チオシアナト基
、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、ア
リルスルホニル基、ヒドロキシアルキルスルホニル基、
アルコキシスルホニル基、アルコキシアルコキシスルホ
ニル基、アリルスルホニル基、アルコキシカルボニル基
、アルコキシアルコキシカルボニル基、アルコキシアル
コキシアルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルコ
キシアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキシ基
等で置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基等の
アリール基：アルキル基：ベンジル基等のアラルキル基
：テトラヒドロフルフリル基ニジクロヘキシル基等のシ
クロアルキル基：フェニルアミ７基、アルキルアミノ基
、ジアルキルアミノ基等のアミン基−二トロチアゾリル
基、ニトロベンゾチアゾリル基、アルキルチオチアジア
ゾリル基、ジシアノアルキルジアゾリル基、ブロムベン
ゾチアゾール基等の窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原
子ケ含む５員または６負の置換もしくは非置換の複素環
残基等を拳げることかできる。

また、Ｋで示される置換もしくは非置換の芳香族アミン
の残基としては、例えは、テトラヒドロキノリン類、或
いは、下記一般式［ＩＤ（式中、−Ｘおよび−Ｙは水素
原子、アルキル基、アシルアミノ基、アルコキシ基また
はハロゲン原子を表わし、−圧および−Ｒｓは水素原子
；Ｃ１〜Ｃ２゜の置換もしくは非置換のアルキル基、ア
リール基またはシクロヘキシル基を表わす。）で示され
る基等が挙げられる。式中、　Ｒ２および−Ｒ３で示さ
れるアルキル基、アリール基またはシクロヘキシル基の
置換基としては、例えば、アルコキシ基、アルコキシア
ルコ中シ基、アルコキシアルコキシアルコキシ基、アリ
ルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、シアノ基
、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリル基等が挙げられる
、前記一般式［１）で示されるインドフェノール系色素は
、６００−ｆｏｏｎｍの成長（ｉｆ域で吸収を有し、し
かも分子吸収係数がｉｏ’〜／　０”　ｃｍ−’である
。

また、上記一般式〔ｌ〕で衣わされるインドフェノール
系色素の中で好ましい色素としては、一般式［ｎ］前記と同義を表わし、　Ｒ１は水素原子：Ｃ８〜Ｃ２０
の置換もしくは非置換のアルキル基、アリール基または
シクロヘキシル基；シ、素原子、酸素原子または硫黄原
子を含む！員または６員の置換もしくは非置換の複素環
残基を表わし、−Ａｍは一０ＯＮＨ−１−Ｎ）ｔｏｏ−
１−Ｓｏ、ＮＨ−１−ＮＨＣＯＮＨ−１−ＮＨ３０，Ｎ
Ｈ−または−ＮＨｌ？１ＳＮＨ−を表わす）で示される
インドフェノール系色〜、／薯一般弐　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　〇−〔式中、−Ａ−は前記と同
義を表わし、　Ｘ／および−Ｙ′は水素原子、ａ、　＋
　Ｃ，のアルキル基、０１〜Ｃ４のアシルアミノ基、Ｃ
７〜Ｃ４のアルコキシ基またはハロゲン原子を表わし、
−Ｒ７および−Ｒ８は水素原子、アラルキル基、シアノ
アルキル基または−（Ｃ２Ｈ，Ｏ）ｔＲ９（−Ｒ９はＣ
０〜Ｃ７゜のアルキル基を表わし、Ｊは６≧１≧０の整
数、好ましくは、グ≧１≧θの整数を表わす。）で示さ
れる基を表わし、　Ｒ４、−Ｒ３および−Ｒ６は水素原
子、ニトロ基、シアン基、チオシアナト基、ハロゲン原
子、アルキル基、ヒドロキシ基、−（ＱＣ，Ｈ，）、０
ＲＩ０（−ＲＩＧはアルケニル基または０１〜Ｃ１゜の
アルキル基を表わし、ｍはに≧ｍ≧０の整数、好ましく
は、Ｚ≧ｍ≧Ｏの整数を表わす。）で示される基、−Ｃ
ｏ（ＱＣ，Ｈ，）ｎＯＲＩ＋　（−Ｈ＋＋はアルケニル
基ブたはＣ８〜ＣＩ０のアルキル基を表わし、ｎは６≧
ｎ≧０のを数、好１しくは、グ≧ｎ≧Ｏの整数を表わす
。）で示される基、Ｓｏ、ＲＩ２　（−Ｒ１′は０１〜
Ｃ８゜のアルキル基、Ｃ３〜０１０のアルコキシアルキ
ル基、０２〜Ｃ８゜のヒドロキシアルキル基筒たはビニ
ル基を衣わす。）ロキシアルキル基またはビニル基を表
わす。）で示される基を表わし、−Ａｍは一０ＯＮＨ−
または−８Ｏ□Ｎ）（−を表わす。〕で示されるインド
フェノール系色素等が挙けられる。

本発明にお−て、基板に担持ぜしめられるインドフェノ
ール系色素の一般的合成は、たとえば、Ｐ、Ｗ、　Ｖｉ
ｔｔｕｍ　ａｎ４　Ｇ、ＨｏＢｒｏｗｎ、　Ｊ、　Ａｍ
、　Ｓｏｃ。

Ｏｈｅｍ、　、　ｔ？　、２−２３！　（／９４１−ｔ
）の記載に準じて行うことができる。

本発明の光学的記録媒体は、基本的には基板と記ａｔ−
とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基
板上に下引き層をまた記録ノー上に保護増を設けること
ができる。

本発明における基板としては、使用するレーザー光に対
して透明または不透明のいずれでもより０基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック１１紙、板状または
箔状の金属等の一般の記録羽村の支持体が挙げられるが
、プラスチックが極々の点から好適である。プラスチッ
クとしては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる
。

本発明の光学的記録媒体における情報記録層としてイン
ドフェノール系色素を使用する際、３μｍである。成膜
法としては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクター７
レード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に
行なわれている薄膜形成法で成膜する仁とができる。普
た、必要に応じてバインダーケ使用することもできる。

バインダーとしてはＰＶＡ、ＰＶＰ、ニトロセルロース
、詐取セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネートなど既知のものが用いられ、樹脂に対するインド
フェノール系色素の童は１ｊＬｆ比で０．０７以上ある
ことが望ましい。スピナー法による成膜の場合、回転数
は！００〜！θ００ｒｐｍが好着しく、スピンコードの
後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等
の処理を行なってもよい。また、記録体の安定性や耐光
性向上のために、−重項酸素クエンチャーとして遷移金
属キレート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキ
レート、ビスフェニルジチオール、丈すチルアルデヒド
オキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有してい
てもよい。更（（、心安に応じて他の色素を併用するこ
とができる。他の色素としては別の種類のインドフェノ
ール系色素でもよいし、トリアリールメタン糸色素、ア
ゾ東料、シアニン示色素、スクワリリウム糸色素など他
系状の色素でもよい。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、＆家法
、荷に、スピナー法等の塗布方法によ）記録層を形成す
る場合の塗布浴法としては、ブロモホルム、ジブロモエ
タン、エチルセロンルフ、キシレン、クロロベンゼン、
シクロヘキサノン等の汚点／２０〜／ＡＯ℃のものが好
適に使用される。

本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。

上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に／μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事によシ行なう。

本発明の光学的記録媒体について使用されるレーサー光
はＮ２）Ｈｅ−Ｃｄ、　Ａｒ　、　Ｈｅ−Ｎｏ、ルビー
、半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特に、軽
量性、取扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導
体レーザーが好適である。

実施例以下実施例によシこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。

実施例／下紀樽造式のインドフェノール系色素を２ｘ／θ−’　
Ｔｏｒｒの真空下で、約ｊｒＯ〜／！０℃に加熱し、板
厚／２龍のメタアクリル樹脂（以下、ＰＭＭＡと記す）
基板上に真空蒸着した。蒸着膜厚は水晶振動式膜厚計に
よる真空蒸Ｎ膜厚測定の結果、コ０／！Ａであった。分
光光度計による最大吸収成長は、ｔｊＯｎｍであり、ス
ペクトルの形状は、巾広かった。

インドフェノール系色素；このようにして得られた薄膜に、光源としてＨｅ−Ｎｅ
レーザーを用いビーム径コ、ダμｍ、波長ｄ３．２．／
ｎｍで曹き込みを行なったところ、均一かつ明瞭な形状
のピット（孔）が得られた。キャリヤーレベル／ノイズ
レベル（０／Ｎ）比もグｊ　ｄＢ　と良好であった。

また、この記録媒体は、室内光中、温度り０℃、湿度９
０チの条件下で良好な保存性を示した。

実施例コ下記構造式で示されるインドフェノール系色素を、実施例７に記載
の方法に従ってＰＭＭＡ基板上に真空蒸着した。

蒸層楓厚は、水晶奈動式族厚計による真空蒸層腺厚測定
の結果、−〇２θＡであった。

分光光度計による最大吸収波長は、７３！ｎｒｎであシ
、スペクトルの形状は、巾広かった。

このようにして得られた薄膜に、光源として、中心波長
７♂Ｏｎｍの半導体レーザーを用い、ビーム径約／μｍ
で書き込みを行なったところ、均一かつ明瞭な形状のピ
ットが得られた。Ｃ／Ｎ比もｊ　ＯｄＢと良好であった
。

また、この記録媒体は、室内光中、温度グθ℃、湿度９
０％の条件下で良好な保存性を示した。

実施例３下記構造式で示される色素Ｑ、コＩをクロロホルムコＯｄに溶解し
たものを厚さへ／朋の厚さのガラス基板に回転塗布し、
減圧下、７００℃で乾燥させて厚さ０．２μｍの記録媒
体を作成した。

分光光度計による最大吸収波長は７Ｊ’ｊｎｍであシス
ベクトルの形状は巾広かった。

このようにして得られた記録媒体に、実施例／の方法に
従って情報の記録を行なったところ、均一かつ明瞭な形
状のピットが得られた。

実施例弘実施例λにおいて用いたインドフェノール系色素の代わ
シに下記第１表に示した化合物を使用して蒸着したとこ
ろ、下記第７表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにして得られた薄膜に光源として半導体レ
ーザーを用いて畜き込みを行なったところ均一かつ明瞭
な形状のピットが得られた。Ｃ／Ｎ比も良好であり、保
存性も良好であった。

第１表実施例！実施例／において用いたインドフェノール系色素の代わ
シに以下の第２衣に示した化合物を使用して蒸着したと
ころ、第二表に示す最大吸収成長をもつ薄膜基板を得た
。このようにして得られた薄膜に光源としてＨｅ−１４
８レーザーを用いて薔き込みを行なったところ、均一か
つ明瞭な形状のビットが得られた。Ｏ／Ｎ比も良好で、
かつ、保存性も良好であった。

ｗＪλ表実施例６下記構造式の１７ドフ工ノール系色素／９をジブロモエ
タン！０９に溶解し、０．２２μのフィルターで一過し
、険解散を得た。この溶液λｄを、深さ７θＯＡ、巾０
．２μの紫外紛硬化樹月旨による溝（グループ（／λ０朋Ｚ）上に滴下し、スピナー法によシ／．２０
Ｏｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、６０℃でＩＯ分
間乾線上た。同一条件でガラス板に塗布して、α−ステ
ップによる膜厚測定したところ、／ΔθθＡであった。

途布膜の最大吸収波長は７　４　０　ｎｍであり、スペ
クトルの形状は巾広かった。

インドフェノール系色素：この塗布膜に、中心成長ｃｒ　３０　ｎｍの半導体レー
ザー光を出力ｔ　ｍＷでビーム径／μｍで照射した所、
巾約／μｍ、ビット艮約λμｍの輪郭の極めて明瞭なピ
ットが形成された。０７Ｎ比はダ♂ｄＢであった。保存
安定性（ｔＳＯ℃、／Ｑ％ＲＨ）も良好であった。

実施例？実施例≦において用いたインドフェノール系色素の代わ
邊に下記第３表に示した化合物を使用して塗布したとこ
ろ、下記第３表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板を得
た。このようにし１得られたれＶ膜に光源として半導体
レーザーを用いて書き込みを行なったところ、均一かつ
明瞭な形状のビットが得られた。Ｏ／　Ｎ比も良好であ
り、保存性も良好であった。

第３表

Claims

【特許請求の範囲】

（１）レーザー光線によつて状態変化を生ぜしめること
によつて記録再生を行なうための光学的記録媒体であつ
て、基板にインドフェノール系色素を担持せしめたこと
を特徴とする光学的記録媒体。
（２）特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体にお
いて、インドフェノール系色素が、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…………〔 I 〕（式中、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、
化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
があります▼を表わし、−Ｋは置換もしくは非置換の芳
香族アミンの残基を表わし、−Ｒは水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは非置換のアル
キル基、置換もしくは非置換のアルコキシ基、置換もし
くは非置換のアミノカルボニル基、置換もしくは非置換
のカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のアミノス
ルホニル基、置換もしくは非置換のスルホニルアミノ基
または置換もしくは非置換のチオカルボニルアミノ基を
表わす）で示されるインドフェノール系色素であるもの
。
（３）特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体にお
いて、インドフェノール系色素が、一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…………〔II〕（式中、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、
化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
があります▼を表わし、−Ｘおよび−Ｙは水素原子、ア
ルキル基、アシルアミノ基、アルコキシ基またはハロゲ
ン原子を表わし、−Ｒ＾１は水素原子；Ｃ＿１〜Ｃ＿２
＿０の置換もしくは非置換のアルキル基、アリール基ま
たはシクロヘキシル基；窒素原子、酸素原子または硫黄
原子を含む置換もしくは非置換の５員または６員の複素
環残基を表わし、−Ｒ＾２および−Ｒ＾３は水素原子；
Ｃ＿１〜Ｃ＿２＿０の置換もしくは非置換のアルキル基
、アリール基またはシクロヘキシル基を表わし、−Ａ−
は −ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＳＯ＿２ＮＨ−、−Ｎ
ＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＳＯ＿２ＮＨ−または−ＮＨＣＳ
ＮＨ−を表わす）で示されるインドフェノール系色素で
あるもの。
（４）特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体にお
いて、インドフェノール系色素が、一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…………〔II〕〔式中、−Ｘ′および−Ｙ′は水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿
４のアルキル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のアシルアミノ基、Ｃ
＿１〜Ｃ＿４のアルコキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、−Ｒ＾７および−Ｒ＾８は水素原子、アラルキル基
、シアノアルキル基または −（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）＿ｌＲ＾９（−Ｒ＾９はＣ＿１〜
Ｃ＿１＿０のアルキル基を表わし、ｌは６≧ｌ≧０の整
数を表わす）で示される基を表わし、−Ｒ＾４、−Ｒ＾
５および−Ｒ＾６は水素原子、ニトロ基、シアノ基、チ
オシアナト基、ハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキシ
基、−（ＯＣ＿２Ｈ＿４）＿ｍＯＲ＾１＾０（−Ｒ＾１
＾０はアルケニル基またはＣ＿１〜Ｃ＿１＿０のアルキ
ル基を表わし、ｍは６≧ｍ≧０の整数を表わす）で示さ
れる基、−ＣＯ（ＯＣ＿２Ｈ＿４）＿ｎＯＲ＾１＾１（
−Ｒ＾１＾１はアルケニル基またはＣ＿１〜Ｃ＿１＿０
のアルキル基を表わし、ｎは６≧ｎ≧０の整数を表わす
）で示される基、 −ＳＯ＿２Ｒ＾１＾２（−Ｒ＾１＾２はＣ＿１〜Ｃ＿１
＿０のアルキル基、Ｃ＿３〜Ｃ＿１＿０のアルコキシア
ルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿１＿０のヒドロキシアルキル基
またはビニル基を表わす）で示される基または−ＳＯ＿
３Ｒ＾１＾３（−Ｒ＾１＾３はＣ＿１〜Ｃ＿１＿０のア
ルキル基、Ｃ＿３〜Ｃ＿１＿０のアルコキシアルキル基
、Ｃ＿２〜Ｃ＿１＿０のヒドロキシアルキル基またはビ
ニル基を表わす。）で示される基を表わし、−Ａ−は−
ＣＯＮＨ−または−ＳＯ＿２ＮＨ−を表わす。〕で示さ
れるインドフェノール系色素であるもの。
（５）特許請求の範囲第４項記載の光学的記録媒体にお
いて、一般式〔III〕で示されるインドフェノール系色
素が、式中、−Ｒ＾７または−Ｒ＾８の少くともいずれ
か一方が−（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）＿ｌ＿′Ｒ＾９（−Ｒ＾
９は前記と同義を表わし、ｌ′は４≧ｌ′≧２の整数を
表わす。）で示される基を表わすインドフェノール系色
素であるもの。
（６）特許請求の範囲第４項記載の光学的記録媒体にお
いて、一般式〔III〕で示されるインドフェノール系色
素が、式中、−Ｒ＾４、−Ｒ＾５または−Ｒ＾６の少く
ともいずれか１つが−（ＯＣ＿２Ｈ＿４）＿ｍＯＲ＾１
＾０（−Ｒ＾１＾０およびｍは前記と同義を表わす。）
で示される基または−ＣＯ（ＯＣ＿２Ｈ＿４）＿ｎＯＲ
＾１＾１（−Ｒ＾１＾１およびｎは前記と同義を表わす
。）で示される基を表わすインドフェノール系色素であ
るもの。