JPS6267068A - シアニン化合物および光学記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学記録体に関する。

従来の技術 レーザーを用いた光学記録は、高密胛の情報記録保存お
よび再生を回部とするため、近年、特に、開開が１憧れ
ている。

光学記録の一例としては、光ディスクをあげる事ができ
る。

’ｌ’ｊに光ディスクは１円形の専゛−〆に設けられた
薄い記録層に、１μｍ稈変にＷ束したレーザー光を朋射
し、高密度の１〃報紀録を行なうものである。

記録は、照射さ７″Ｌタレーザーエ不ルギーの吸収によ
り、その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等
の熱的変形により生成し、そして記録された情報の再生
は、レーザー光により、変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差をｄみ取る事により行なわｎる
。

したがって、記録体としては、レーザー光のエネルギー
を効率良く、吸収する必要があるため、記録に便用ｔ／
）特定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報
の再生金正確に行なうため、再生に使用する特定波長の
レーザー光に対する反射率が宣い事が必要である。

また、記録、ワの成膜方法としては、塗布による方法が
量産性にすぐれ、低コス）（ヒを図れるため価値が高い
。

従来、この様な光学記録体（て使用する基板とじては、
ポリメタアクリル伊、脂、ポリカーボネート樹１［旨、
エポキシ朽！脂、ガラス等が１罰らｎている。

ポリメタアクリル１１１ｆｆｉは複知折が小さく、そし
て量産性に優れているが、軟化点が低いため高温での使
用に耐えず、又水分を吸蔵じやすいために作製した膜に
悪影ｔ！／を及ぼすという問題点を有している。

エポキシ樹脂は、　１１ｉｔ熱性に優ｎるが、射出成形
法による基板の複製は困爆であり、量産性が劣り、価格
が扁い。

カラスは耐熱性や水分を１及蔵しないなどの力ですぐｎ
ているが、溝つき基板全作製するには肴珠な方法？用い
る必要があり、ｊ産性が劣り、価格が高い。

ポリカーボネート樹脂は、上記３種の基板に比べ、軟１
ヒ点が高く、耐熱性にすぐれ、水分を吸収しＫくいなど
の点で記録媒体の保護にすぐれており、従来、欠点とい
わハできた複屈折が大きい、射出成形法による基板の作
成が困難といった点も改良さｎ、Ｄ金的にみて光学記録
体に使用する基板としてポリカーボネート樹脂が最も好
ましい。

このポリカーボネート樹脂に悪影！Ｊを与えないで、塗
布に使用できる溶剤としては、セルソルブ系溶剤が知ら
ｒｔているが、こｆＬまで、セルソルブ系溶剤に高濃度
に溶解し、塗布時に結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
、塗布膜の反射率が高く、高感度な光吸収物質は知らｎ
ておらず、光吸収物質の一つとして、従来知らｎている
シアニン色素は、セルソルブ系溶剤刑に対する溶解性が
不十分であるため、塗イＦ時に結晶化がおこり、熱的に
安定で反射率が晶く、高感度な記録媒体を得るには不十
分であった（ｖｉ開昭！ターお弓？λ号１箱開昭６９−
ｔ７０ター号、特開昭ｊター”ｙｉｒＰｓ号の各公報）
。

発明が解決しようとする開明点 本発明は、セルソルブ系溶剤に高濃度に溶留し、ポリカ
ーボネート樹脂基板への・、塗布時に結晶化も少なく、
かつ熱的に安定で、反射゛ぢが１惰く、半導体レーザー
光による書き込み感度が高いシアニン色ｔ！４ｔｌ−用
いた光学記録体全提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 本発明は、下記一般式〔！〕で示されるシアニン化合物
およびポリカーボネート樹脂基汲と。

下記一般式ＣＩ〕で示されるシアニン化合物を光吸収物
質として含有する記録層とからなることを特徴とする光
学記録体をその要旨とする。

一般式（１） ％式％） （式中、環ＡおよびＢは置換基を有していてもよいベン
ゼン環またはナフタレン環を表わし、−Ｘ−および−Ｙ
−は−８−１−〇−ｔたはアルキル基またはアルケニル
基を表わし％ｎはＯ−≠の整数を表わし、−Ｒ３および
−Ｒ４はＣ，〜Ｃ４のアルキル基を表わし、２−は陰イ
オンを表わす。） 上記一般式〔ｌ）て示される本発明の光学記録体におい
て、環ＡおよびＢのベンゼン項またはナフタレン環の１
〃換基の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子
等のノ・ロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル
基、トリフルオロメチル基等の・・ロゲン化アルキル潴
、メトキン基、エトキシ基等のアルコキン基、メトキシ
エトへ；シ、！ＩＳ−得のアルコキシアルコキシ基、エ
トキシエチル基等のアルコキシアルキル基等Ｚ＞ｌｉげ
らｎる。

Ｒ１おヨヒ−Ｒ２の０１〜ＴＥ、のアルキル基としては
、メチル基、エチル基、直鎖状または分枝状ノプロビル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基が挙げられ、アルケニル基としてはアリル基
、λ−メチルアＩＪル基、Ｊ−メチルセルソルブ、コー
プロモアリル基、３−ブロモアリル基、２−りａロアリ
ル基、３−クロロアリル基等が挙げらｚする。

−Ｒ３および−Ｒ４のＣ１〜Ｃ４のフルキル基としては
、メチル基、エチル基、直：Ａ状または分校状のプロピ
ル基、ブチル基が挙げられる。

２−の虐イオンとしては、　　Ｘ−、Ｂｒ−１Ｏ１−、
Ｃ１０４−１等を挙げることができる。

とｎらの化合物は、たとえば、下記一般式％式％） （式中、環Ａ、Ｂ、−Ｘ−および−Ｙ−は前記定義に同
に。） で示される化合物をそれぞれ下記一般式（ＩＶＩ、［Ｖ
’Ｉ ＣＨ３−ｃ）−８ｏ２０Ｃ２Ｈ４０（Ｃ２Ｈ４ｏ）ｎＲ
１・・・・・・・・・〔■〕ＣＨａＯ８ＯｚＯｃ２Ｈ４
０（Ｃ２Ｈ４０）、Ｒ”　　・・−・−・・ｔ”ｖｌ（
式中、〜Ｒ１、−Ｒ２およびｎは前記宕１に同じ。）で
示さＩＬるイシ合物を用いて４を級１ヒし１文献［Ｎ。

工、　Ｆｉｓｈｅｒ　ａｎｄ　Ｆ、Ｍ、　ｌａｍｏｒ、
　Ｊ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、　　／　Ｉり（７７３３
）〕記載の反応を用いて、下記構造式で示される化合物
と酢酸ナトリワムの存在下。

無水酢酸中で別懇することによって製選することができ
る。

塗布による記録層の成膜は、上記一般式〔ｌ〕に示すシ
アニン色素をそのままあるいはバインダーとともにセル
ソルブ系溶剤中に溶解させたものをスピンコードするこ
とにより得られる。

その際に使用するバインダーとしては、セルソルブ系溶
剤に溶解するものならば何でもよいが、；トロセルロー
ス樹脂、酢酸セルロース樹脂が好ましい。

セルソルブ系溶剤としてはメチルセルソルブ、エテルセ
ルソルブ、プロピルセルソルブ、プチルセルンルプ等が
挙げられる。

セルソルブ系溶剤に対するシアニン色素の比率は０．６
−１　ｗｔ％が鳴に好ましい。また、バインダーに対す
るシアニン色素の比率はｚＯｗｔ％以上が望ましい。

溶解させた溶液は０．３μ以下のフィルターでＰ遇する
ことが好ましい。

スピンコードの回転数はｊ　００−５０００　ｒｐｍが
好ましい。スピンコードの後、場合によっては７７０熱
心るいは溶媒蒸気にあてる等の処理全行なってもよい。

また、塗布膜の膜厚は、　３ｏｏ、ｔｓｏｏＸ　が８ま
しい。

また、記録体の安定性や耐光性向上のために一重項酸素
クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（アセチル
アセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリ
チルアルデヒドオキシム、ビスジブオーα−ジケトン等
）を含有していてもよい。

本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけＫｔｌ；ｌｒｆてもよい。

上記の様にして得らｎた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に／ｐｎ４ｉ′投に集束し
たレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあて
る事により行なう。レーザー光の照射さｎた部分には、
レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等
の記録層の熱的変形が起こる。

記録さｎた情報の再生は、レーザー光により、熱的′Ｘ
形が起きている部分と起さていない部分の反射率の差を
読み取る事により行なう。

光源としては、各種のレーザーを用いることができるが
１価格、大きさの点で、半導体レーザーが４９に好まし
い。半導体レーザーとしては、中心波長ｆ　Ｊ　Ｏｎｍ
　、中心波長７　ｒ　Ｏｎｍのレーザーが望ましい。

実施例 以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実権例は本発明を限定するものではない。

実施例１ 下記構造式〔■〕 で示される化合物／ｊ、？Ｗおよび下記構造式〔■〕で
示される化合物コ３．Ｏｆをノーθ℃で３時間反応させ
、冷却後アセトンコｏｏｗｔｍｎｏ、攪拌、濾過、乾燥
し、下記構造式〔Ｘ〕 ｃ２ａ４ｏｃＨｓ で示さするイビ合物コ／、ｊｆを得た。次いで式（Ｘ）
で示される上記化合物４．Ｊ？、下記構造式〔■〕 で示される化合物λ、り２および酢酸ナトリウム１、≠
２を還流している無水酢酸１ｊＯｄ中に添加し、攪拌し
た。ＩＱ分後、反応液をヨヮ化ナトリ９ムｉｆｆ含む水
７ｊＯｄ中に放出し、得らｎた結晶を濾過した。メタノ
ール１０ｄに懸濁し、加熱して溶解し、熱濾過、冷却し
て得らｎた沈殿をＰ遇し、下記構造式〔■〕で表わさｎ
す る緑青色結晶のシメニン色素ｆ：、／、λｆ得た。この
ものの溶液（りａａホルム）中の１ｍ１ＬＸは７　Ａ　
Ｏｎｍであった。

上記式〔■〕で示さｊる本発明のシアニン色素／ｌｆエ
チルセルソルブｊＯｆに溶解し。

Ｏ，コλμのフィルターでＰ１局し、溶解液を得た、こ
の溶液λｄを、深さ７００ｋ、巾０．７μの樗（グルー
プ）つきポリカーボネート樹脂基板（ｉ３ｏｔｍｆＩ３
）上に滴下し、／　２００　ｒｐｍの回転数で塗布した
。塗布後、６０℃で７０分間乾燥した。膜厚測定のため
、同一条件でカラス板に塗布してα−ステップによる膜
厚測定したところ。

ｔｊｏｏＸであった。塗布膜の最大吸収波長は７りＯｎ
ｍでめワピークは巾広かった。

この塗布膜に、中心波長ｒＪＯｒＬｍの半導体レーザー
光を出力ｔ　ｍｗでビーム径１μｍで照射した所、巾約
ｔｐｍ、　　ビット長約λμｍの輪郭の極めて明瞭な孔
（ピット）が形成さｎた。キャリキーレベル／ノイズレ
ベル（Ｃ／Ｎ　）　比ハ５２ｄＢであった。保存安定性
（ｔｏ℃、ｔｏ％　ＲＨ）も良好であつ九。

実施例− 下記構造式〔刈〕 で示ざｎる化合物ｊ、ｊｊｆおよび下記ｊｉｌｔ　４式
で示される化合物１４．６６ｆを１３０℃でグ時間反応
させ、冷却後、下記構造式ＤＩＦ で示さｆる化合９勿−１弘ｖ１酢酸ナトリ９ム１．ダ２
および無水酊迩／！ＯｄをｃＤ口し、還流しながらＩＯ
分間反応させた。反応終了後、反応液をヨウ化ナトリウ
ム３９を含む水１００ｗｌ中に放出し、得られた結晶を
濾過した。メタノール／ｒｄより再結晶して、下記構造
式〔Ｘ〕で表わされる緑青色結晶のシアニン色素／、Ｏ
ｆを得た。

このものの溶液（りｏｏホルム）中のλｍａｘは７　ｒ
　Ｏｎｍであった。

上記式（Ｅ）　Ｋ示す本発明のシアニン色素／ｆ、ニト
ロセルロース１．！　？　（タイセルｉｔ　Ｔ−社ＩＪ
　。

Ｒ８−λ０）ｆエチルセルソルブｊＯｆに溶解し、０．
２２μのフィルターで一過し、溶′ｐ１４准をイぞｔた
。

この溶液３ＪＩＩｊｔ−深、さｂｓｏＸ、巾０．７μの
溝（グループ）つきポリカーホネート樹）１旨基板（ｌ
ＪＯｍＧ３　）上Ｋ　／Ａ下し、　　／　、ｔ　００　
ｒｐｍの回転数で［有］布した。塗布後、６０℃で１０
分間乾燥した。膜厚測定のために、同様な方法でカラス
板に塗布し、α−ステップにより測定した所、膜厚ｌコ
ｏｏ”ｈであった。塗布膜の最大吸収波長はｒ　２０　
ｎｕｌｌであり、ピークは巾広かった。

この塗布膜に、中心波長Ｉ　Ｊ　Ｏｎｍの半導体レーザ
ー光’を出力６　ｍＷでビーム径／　ｐｍで照射しはｊ
　／　ｄＢであった。保存安定性（１０℃、♂Ｏ％ＲＨ
〕　　も良好であった。

比較例／−／−，２−２ 下記構造式〔項）　（ＸＶ）　（店］（Ｘｖｌｌ’）　
　で表わされるシアニン色素を実施例Ｉおよびコと同様
に塗布し、エチルセルソルブに対する溶解性、塗布膜の
結晶化、保存安定性、反射率、（ｊ／Ｎ比について比較
したところ、本発明の：ｉ′、弛例の方が著しり４＆ｎ
ていた。

実施例３ ユ 実殉例１およびコＶ（準じて合成した第六表に示す本発
明の光吸収物質を実施ｆ！ｌ　ｉとほぼ同様の県外でボ
１１カーホネート樹脂基板上Ｋｉ布した。

これらの本発明の光吸収物質のクロロ示ルム溶媒中の最
大吸収波長及び塗布膜の最大吸収波長を第−表に示す。

これらは′−ＪＬ廁例１／および−と同格にセルンルプ
系溶剤に高濃度に溶解し、塗布時に結晶化もなく、鈎ら
ｎ７１ｃ伶布膜は保存安定性もすぐね。

反射率が筒く、１１′ｌ感度でＣ７Ｎ比も良好であった
。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、環ＡおよびＢは置換基を有していてもよいベン
   ゼン環またはナフタレン環を表わし、−Ｘ−および−Ｙ
   −は−Ｓ−、−Ｏ−または▲数式、化学式、表等があり
   ます▼を表わし、−Ｒ＾１および−Ｒ＾２はＣ＿１〜Ｃ
   ＿■のアルキル基またはアルケニル基を表わし、ｎは０
   〜４の整数を表わし、−Ｒ＾３および−Ｒ＾４はＣ＿１
   〜Ｃ＿４のアルキル基を表わし、Ｚ＾−は陰イオンを表
   わす。）で示されるシアニン化合物。
2. （２）ポリカーボネート樹脂基板と、下記一般式〔 I
   〕で示されるシアニン化合物を光吸収物質として含有す
   る記録層とからなることを特徴とする光学記録体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、環ＡおよびＢは置換基を有していてもよいベン
   ゼン環またはナフタレン環を表わし、−Ｘ−および−Ｙ
   −は−Ｓ−、−Ｏ−または▲数式、化学式、表等があり
   ます▼を表わし、−Ｒ＾１および−Ｒ＾２はＣ＿１〜Ｃ
   ＿■のアルキル基またはアルケニル基を表わし、ｎは０
   〜４の整数を表わし、−Ｒ＾３および−Ｒ＾４はＣ＿１
   〜Ｃ＿４のアルキル基を表わし、Ｚ＾−は陰イオンを表
   わす。）