JPH0386583A - 光学記録媒体の製造法 - Google Patents
光学記録媒体の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学記録媒体の新規な製造法に関する。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存釦
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望1れ
ている。
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望1れ
ている。
光学記録の一例としては、光ディスクを挙げることがで
きる。特に、小型で信頼性が高く、安価な半導体レーザ
ーの出現に伴ない、コンパクトディスク(CD)等の再
生専用型光ディスク、次いでTe系無機材料を記録媒体
とする追記型光ディスクが実用化されてきた。これに対
して、新しい追記型媒体として検討されているレーザー
吸収色素を用いた有機色素系記録材料については、その
最大の特徴はスピンコード法等の塗布により成膜できる
点にあることから、常圧での高生産性によシ将来のコス
トダウンの可能性が期待されている。
きる。特に、小型で信頼性が高く、安価な半導体レーザ
ーの出現に伴ない、コンパクトディスク(CD)等の再
生専用型光ディスク、次いでTe系無機材料を記録媒体
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して、新しい追記型媒体として検討されているレーザー
吸収色素を用いた有機色素系記録材料については、その
最大の特徴はスピンコード法等の塗布により成膜できる
点にあることから、常圧での高生産性によシ将来のコス
トダウンの可能性が期待されている。
一般に光ディスクは、円形の透明基板に設けられた薄い
記録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、
高密度の情報記録を行なうものである。
記録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、
高密度の情報記録を行なうものである。
記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収により、
その個所に生じた記録層の分解、蒸発、溶解等の熱的変
形により生成し、そして記録された情報の再生は、レー
ザー光によシ、変形が起きている部分と起きていない部
分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる。
その個所に生じた記録層の分解、蒸発、溶解等の熱的変
形により生成し、そして記録された情報の再生は、レー
ザー光によシ、変形が起きている部分と起きていない部
分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる。
筐た、光ディスクの記録面には、正確な記録・再生を行
うため、案内溝があらかじめ形成されている。通常、こ
の案内溝はフォトポリマー法または射出成形法により形
成されるが、前者の場合、フォトポリマーから型取りす
るために生産性が悪く高価であるという欠点を有してい
た。後者の場合は、射出成形法によるために生産性にす
ぐれ、安価なディスクを生産できるが、射出成形法に使
用できる樹脂は、加熱時の流動性が必要なため材料に制
約があシ、一般に耐溶剤性が悪い。このような射出成形
プラスチック透明基板にレーザー吸収色素を溶液塗布に
よって薄膜形成させる場合、基板上の案内溝が塗布溶剤
に釦かされないことが必要であるが、塗布に使用できる
溶剤としては、従来はセロソルブ系溶剤が知られている
のみであった。(特開昭62−67068号公報)。
うため、案内溝があらかじめ形成されている。通常、こ
の案内溝はフォトポリマー法または射出成形法により形
成されるが、前者の場合、フォトポリマーから型取りす
るために生産性が悪く高価であるという欠点を有してい
た。後者の場合は、射出成形法によるために生産性にす
ぐれ、安価なディスクを生産できるが、射出成形法に使
用できる樹脂は、加熱時の流動性が必要なため材料に制
約があシ、一般に耐溶剤性が悪い。このような射出成形
プラスチック透明基板にレーザー吸収色素を溶液塗布に
よって薄膜形成させる場合、基板上の案内溝が塗布溶剤
に釦かされないことが必要であるが、塗布に使用できる
溶剤としては、従来はセロソルブ系溶剤が知られている
のみであった。(特開昭62−67068号公報)。
しかしながら、上記のような従来公知のセロソルブ系溶
剤に高濃度に溶解し得るレーザー吸収色素はほとんどな
いばかりか、かかるセロソルブ系溶剤は射出成形プラス
チック・透明基板に対しては基板を訃かすことなく均一
に塗布することは難しいという問題があった。
剤に高濃度に溶解し得るレーザー吸収色素はほとんどな
いばかりか、かかるセロソルブ系溶剤は射出成形プラス
チック・透明基板に対しては基板を訃かすことなく均一
に塗布することは難しいという問題があった。
合にも基板をむかすことなく均一に塗布可能で、しかも
、レーザー吸収色素を高濃度に溶解する溶剤を用いた、
光学記録媒体の新規な製造法の提供を目的とする。
、レーザー吸収色素を高濃度に溶解する溶剤を用いた、
光学記録媒体の新規な製造法の提供を目的とする。
本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭意研究を進め
た結果、射出成形プラスチック透明基板を用いた場合に
も基板をおかすことなく均一に塗布可能で、しかもレー
ザー吸収色素を高濃度に溶解し得る新規な溶剤としては
分子中に水酸基を有するエステル系化合物が好適である
ことを初めて見出し、本発明に到達した。すなわち、本
発明は、有機色素の有機溶媒溶液を透明基板上に塗布し
たのち乾燥して光学記録媒体を製造するに当り、前記有
機溶媒として分子中に水酸基を有するエステル系化合物
を用いることを特徴とする光学記録媒体の製造法を要旨
とするものである。
た結果、射出成形プラスチック透明基板を用いた場合に
も基板をおかすことなく均一に塗布可能で、しかもレー
ザー吸収色素を高濃度に溶解し得る新規な溶剤としては
分子中に水酸基を有するエステル系化合物が好適である
ことを初めて見出し、本発明に到達した。すなわち、本
発明は、有機色素の有機溶媒溶液を透明基板上に塗布し
たのち乾燥して光学記録媒体を製造するに当り、前記有
機溶媒として分子中に水酸基を有するエステル系化合物
を用いることを特徴とする光学記録媒体の製造法を要旨
とするものである。
本発明に使用する透明基板としては、ガラス、プラスチ
ック等が挙げられるが、種々の点からプラスチックが好
適である。プラスチックとしてはアクリル樹脂、メタク
リル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセ
ルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
ック等が挙げられるが、種々の点からプラスチックが好
適である。プラスチックとしてはアクリル樹脂、メタク
リル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセ
ルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。
特に好ましい誘明基板としては、量産性にすぐれ、実用
的なレベルの複屈折、軟化点、耐熱性を有している射出
成形ポリカーボネート樹脂基板、ポリメタクリル樹脂基
板が挙げられる。
的なレベルの複屈折、軟化点、耐熱性を有している射出
成形ポリカーボネート樹脂基板、ポリメタクリル樹脂基
板が挙げられる。
レーザー吸収色素としては、分子中に水酸基を有するエ
ステル系溶剤に高濃度に溶解するものが挙げられ、60
0〜900 nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分子
吸光係数か10〜1Q53”−1であるものが好適であ
る。
ステル系溶剤に高濃度に溶解するものが挙げられ、60
0〜900 nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分子
吸光係数か10〜1Q53”−1であるものが好適であ
る。
このような有機色素としては、7タロシアニン系色素、
ナフタロシアニン系色素、ホルマザンニッケル系色素、
シアニン系色素、ピコリン系色素、ナフトラクタム系色
素、アズレン系色素、スクワリリウム系色素、含金属イ
ンドアニリン系色素、含金属アゾ系色素、ジチオールニ
ッケル系色素、アントラキノン系色素、ビスアンスロン
系色素、フタロイルナフタルイミド系色素、シアノメチ
レンピコリン系色素、ナフトキノンメチド系色素、イン
ドアニリン系色素、ナフトキノン系色素、フェノチアジ
ン系色素、縮合環系色素等が挙げられる。
ナフタロシアニン系色素、ホルマザンニッケル系色素、
シアニン系色素、ピコリン系色素、ナフトラクタム系色
素、アズレン系色素、スクワリリウム系色素、含金属イ
ンドアニリン系色素、含金属アゾ系色素、ジチオールニ
ッケル系色素、アントラキノン系色素、ビスアンスロン
系色素、フタロイルナフタルイミド系色素、シアノメチ
レンピコリン系色素、ナフトキノンメチド系色素、イン
ドアニリン系色素、ナフトキノン系色素、フェノチアジ
ン系色素、縮合環系色素等が挙げられる。
更に、本発明にかける特に好渣しい有機色素としては、
例えば下記−数式CI) 、〔I) 、CIII)、(
IV)で表わされる色素化合物等が挙げられる。
例えば下記−数式CI) 、〔I) 、CIII)、(
IV)で表わされる色素化合物等が挙げられる。
−数式(1)
(式中、環A1釦よびB1は置換基を有していてもよい
ベンゼン層重たはナフタレン環を示し、R’ >よびR
2はC1〜C8のアルキル基!たはアルケニル基を示し
、nは0〜4の整数を示し、X−は陰イオンを示す。)
で表わされる化合物。
ベンゼン層重たはナフタレン環を示し、R’ >よびR
2はC1〜C8のアルキル基!たはアルケニル基を示し
、nは0〜4の整数を示し、X−は陰イオンを示す。)
で表わされる化合物。
一般式CI)
し、R3、R4、R5、R6は水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、ノ10メチル
基渣たはノ・ロゲン原子を示し R7、R8は水素原子
またはノ・ロゲ/原子を示す。)で表わされる化合物。
アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、ノ10メチル
基渣たはノ・ロゲン原子を示し R7、R8は水素原子
またはノ・ロゲ/原子を示す。)で表わされる化合物。
一般式CIII)
〔式中 R9、R10のうちのいずれか一つは−0(C
2H40)PH10(式中、R11は分枝していてもよ
いアルキル基を、pは1〜6の整数をそれぞれ表わす。
2H40)PH10(式中、R11は分枝していてもよ
いアルキル基を、pは1〜6の整数をそれぞれ表わす。
)を示し、他の一つは水素原子を示し、A3はVOまた
はCu、NiもしくはCo の金属原子を示す。〕で表
わされる化合物。
はCu、NiもしくはCo の金属原子を示す。〕で表
わされる化合物。
一般式〔■〕
(式中、Mは金属原子を示し、環A4 、 R3は置換
基を有していてもよく、Qは置換または非置換の芳香族
アミンの残基を示し、2−は陰イオンを示し、mは2ま
たは3の数を示す。)で表わされる含金属インドアニリ
ン系化合物。
基を有していてもよく、Qは置換または非置換の芳香族
アミンの残基を示し、2−は陰イオンを示し、mは2ま
たは3の数を示す。)で表わされる含金属インドアニリ
ン系化合物。
上記の一般式(1) 、(1) 、(1〕督よびCIV
)で表わされる有機色素に釦いて、環A’ &よび環B
1のベンゼン環!たはナフタレン環の置換基の例として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子
、メチル基、エチル基等のアルキル基、トリフルオロメ
チル基等のノ・ロゲン化アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基、メトキシエトキシ基等のアル
コキシアルコキシ基、エトキシエチル基等のアルコキシ
アルキル基等が挙げられる。
)で表わされる有機色素に釦いて、環A’ &よび環B
1のベンゼン環!たはナフタレン環の置換基の例として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子
、メチル基、エチル基等のアルキル基、トリフルオロメ
チル基等のノ・ロゲン化アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基、メトキシエトキシ基等のアル
コキシアルコキシ基、エトキシエチル基等のアルコキシ
アルキル基等が挙げられる。
!
R&よびRのC工〜C8のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、直鎖状筐たは分枝状+7)7’ロビル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基が挙げられ、アルケニル基としてはアリル基、
2−メチルアリル基、3−メチルアリル基、・2−ブロ
モアリル基、3−ブロモアリル基、2−クロロアリル基
、3−クロロアリル基等が挙げられる。
基、エチル基、直鎖状筐たは分枝状+7)7’ロビル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基が挙げられ、アルケニル基としてはアリル基、
2−メチルアリル基、3−メチルアリル基、・2−ブロ
モアリル基、3−ブロモアリル基、2−クロロアリル基
、3−クロロアリル基等が挙げられる。
R3、R4、R5、R6で示されるアルキル基としては
、メチル基、エチル基、直鎖状又は分岐状のプロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、オ
クチル基等のC1〜8のアルキル基が挙げられる。アル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、直鎖状又
は分岐状のプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘプチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオ
キシ基等のC1〜8のアルコキシ基が挙げられる。また
、アルコキシアルコキシ基としては、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、ブト
キシエトキシ基等が挙げられ、ハロメチル基としては、
クロロメチル基、ブロモメチル基等が挙げられる。ノ・
ロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子
、ヨウ素原子が挙げられる。
、メチル基、エチル基、直鎖状又は分岐状のプロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、オ
クチル基等のC1〜8のアルキル基が挙げられる。アル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、直鎖状又
は分岐状のプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘプチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオ
キシ基等のC1〜8のアルコキシ基が挙げられる。また
、アルコキシアルコキシ基としては、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、ブト
キシエトキシ基等が挙げられ、ハロメチル基としては、
クロロメチル基、ブロモメチル基等が挙げられる。ノ・
ロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子
、ヨウ素原子が挙げられる。
筐た、R7、R8で示されるノ・ロゲン原子としては、
フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子が挙げら
れる。
フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子が挙げら
れる。
筐た、Qで表わされる置換もしくは非置換の芳香族アミ
ンの残基としては、例えばテトラヒト、ロキノリン類、
又は−数式 (式中、R及びRはそれぞれ水素原子、)・ロゲン原子
、アルキル基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アルキ
ルスルホニルアミノ基又ハアルコキシカルボニルアミノ
基を表ワス。R12及びR13はそれぞれ、水素原子、
アルキル基、アリール基又はシクロヘキシル基を表わし
、そのアルキル基、アリール基又はシクロヘキシル基は
炭素数1〜20であシ、置換基として、例えばアルコキ
シ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシ基、アリルオキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリ
ル基等を有していてもよい。)で表わされる基が挙げら
れる。
ンの残基としては、例えばテトラヒト、ロキノリン類、
又は−数式 (式中、R及びRはそれぞれ水素原子、)・ロゲン原子
、アルキル基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アルキ
ルスルホニルアミノ基又ハアルコキシカルボニルアミノ
基を表ワス。R12及びR13はそれぞれ、水素原子、
アルキル基、アリール基又はシクロヘキシル基を表わし
、そのアルキル基、アリール基又はシクロヘキシル基は
炭素数1〜20であシ、置換基として、例えばアルコキ
シ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシ基、アリルオキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリ
ル基等を有していてもよい。)で表わされる基が挙げら
れる。
Mとしては、■族、lb族、lb族、la族、■a族、
Va族、■a族、■a族の金属原子が挙げられ、好まし
くはNi 、 Cu XCoの金属原子が挙げられる。
Va族、■a族、■a族の金属原子が挙げられ、好まし
くはNi 、 Cu XCoの金属原子が挙げられる。
環A4、環B3の置換基としては、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルアミノ基、ア
ルコキシカルボニルアミノ基、アルキルスルホニルアミ
ノ基等が挙げられる。
原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルアミノ基、ア
ルコキシカルボニルアミノ基、アルキルスルホニルアミ
ノ基等が挙げられる。
本発明の製造法に釦いて、塗布による記録層の成膜は、
前示一般式(1)、CI)、[11) hよび〔■〕で
表わされる有機色素を、その1渣あるいはバインダーと
ともに分子中に水酸基を有するエステル系溶剤中に溶解
させたものをスピンコードすることによシ実施される。
前示一般式(1)、CI)、[11) hよび〔■〕で
表わされる有機色素を、その1渣あるいはバインダーと
ともに分子中に水酸基を有するエステル系溶剤中に溶解
させたものをスピンコードすることによシ実施される。
その際使用するバインダーとしては、分子中に水酸基を
有するエステル系溶剤に溶解するものであればよい。
有するエステル系溶剤に溶解するものであればよい。
本発明に使用する分子中に水酸基を有するエステル系溶
剤としては、通常、炭素数3〜8の脂肪族の分子中に水
酸基を有するエステル系溶剤が挙げられ、例えば下記の
ものなどを挙げることができる。
剤としては、通常、炭素数3〜8の脂肪族の分子中に水
酸基を有するエステル系溶剤が挙げられ、例えば下記の
ものなどを挙げることができる。
CH3−CH−C00C4H,(n)。
H
H−CH−COOC4H8(n)。
1
H
HOCH2CH2−COOCH3
CH3−COOCH2CH20H。
C2H3−COOCH2CH20H9
(n) C3H7C00CH2CH20HHOCH2C
H2−COOC3H,(n)(i) C5H7−COO
CH2CH20HHOCH2CH2−COOC3H7(
i)(n) C4H3−COOCH2CH20HHOC
H2CH2−COOC4H0(n)HOCH2CH2−
COOC2H3 これらのうち、好ましいものとしては、沸点120〜1
90℃のもの、特に乳酸メチル、酢酸ヒドロキシエチル
、メチルグリコレート等が挙げられる。
H2−COOC3H,(n)(i) C5H7−COO
CH2CH20HHOCH2CH2−COOC3H7(
i)(n) C4H3−COOCH2CH20HHOC
H2CH2−COOC4H0(n)HOCH2CH2−
COOC2H3 これらのうち、好ましいものとしては、沸点120〜1
90℃のもの、特に乳酸メチル、酢酸ヒドロキシエチル
、メチルグリコレート等が挙げられる。
本発明の分子中に水酸基を有するエステル系溶剤に対す
る有機色素の比率は、特に好筐しくは0.5〜3.0重
量多である。また、バインダーに対する有機色素の比率
は10重重量板上が好オしい。
る有機色素の比率は、特に好筐しくは0.5〜3.0重
量多である。また、バインダーに対する有機色素の比率
は10重重量板上が好オしい。
このように有機色素を溶解させた溶液は、0.3μm以
下のフィルターで濾過することが好ましい。
下のフィルターで濾過することが好ましい。
スピンコードの回転数は500〜2000 rpm 7
5E好ましい。スピンコードの後、場合によっては加熱
あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。
5E好ましい。スピンコードの後、場合によっては加熱
あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。
筐た、塗布膜の膜厚は300〜3000Aが好筐しい。
更に、記録媒体の安定性や耐光性向上のために一重項酸
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(アセチ
ルアセトナート、ビスフエニルジチオール、サリチルア
ルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等のキレ
ート)を含有していてもよい。
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(アセチ
ルアセトナート、ビスフエニルジチオール、サリチルア
ルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等のキレ
ート)を含有していてもよい。
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けても
よいし、片面だけに設けてもよい。
よいし、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面筺たは、片面に設けた記録層に1μm程度に集束した
レーザー光、好1しくは、半導体レーザーの光をあてる
ことにより行なう。レーザー光の照射された部分には、
レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等
の記録層の熱的変形が起こる。
面筺たは、片面に設けた記録層に1μm程度に集束した
レーザー光、好1しくは、半導体レーザーの光をあてる
ことにより行なう。レーザー光の照射された部分には、
レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等
の記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることによシ行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることによシ行なう。
光源としては、各種のレーザーを用いることができるが
、価格、大きさの点で、半導体レザーが特に好ましい。
、価格、大きさの点で、半導体レザーが特に好ましい。
半導体レーザーとしては、中心波長830 nm 、中
心波長780 nmのレーザーが望渣しい。
心波長780 nmのレーザーが望渣しい。
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例によ
シ制限されるものではない。
本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例によ
シ制限されるものではない。
実施例1
下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物0、15
fを乳酸メチル1ofに溶解し、0.22μmのフィル
ターで濾過し、溶解液を得た。この溶液5ml を板厚
1.2mの1.6μmピッチの溝(グループ)つきポリ
カーボネート樹脂基板(射出成形品、直径5インチ)上
に滴下し、スピナー法により10 Q Orpmの回転
数で塗布した。塗布後、60℃で1o分間乾燥した。塗
布膜の最大吸収波長は800 nmであシ、反射率は3
6%(830nm)であった。
fを乳酸メチル1ofに溶解し、0.22μmのフィル
ターで濾過し、溶解液を得た。この溶液5ml を板厚
1.2mの1.6μmピッチの溝(グループ)つきポリ
カーボネート樹脂基板(射出成形品、直径5インチ)上
に滴下し、スピナー法により10 Q Orpmの回転
数で塗布した。塗布後、60℃で1o分間乾燥した。塗
布膜の最大吸収波長は800 nmであシ、反射率は3
6%(830nm)であった。
上記のように成膜した記録層を有する5インチの射出成
形ポリカーボネート樹脂基板を4m / sで回転させ
ながら、中心波長830 nmの半導体レーザー光で、
パルス幅200 n5ecで照射したところ、出力6.
5 mWでキャリアーレベル/ノイズレベル(C/N)
比62dBを得た。
形ポリカーボネート樹脂基板を4m / sで回転させ
ながら、中心波長830 nmの半導体レーザー光で、
パルス幅200 n5ecで照射したところ、出力6.
5 mWでキャリアーレベル/ノイズレベル(C/N)
比62dBを得た。
保存安定性(70℃、85%RH)も良好であった。
実施例2
下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物a、lsy
をメチルグリコレート10Fに溶解し、0.22μmの
フィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液5mlを
、板厚1.2鱈の1.6μmピッチのグループつきポリ
カーボネート樹脂基板(射出成形品、直径5インチ)上
に滴下し、スピナー法によりs o o rpmの回転
数で塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗
布膜の最大吸収波長は805 nmであう、反射率は3
5%(830nm)であった。
をメチルグリコレート10Fに溶解し、0.22μmの
フィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液5mlを
、板厚1.2鱈の1.6μmピッチのグループつきポリ
カーボネート樹脂基板(射出成形品、直径5インチ)上
に滴下し、スピナー法によりs o o rpmの回転
数で塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。塗
布膜の最大吸収波長は805 nmであう、反射率は3
5%(830nm)であった。
上記記録層を成膜した5インチのポリカーボネート樹脂
基板を4 m / aで′回転させながら、中心波長8
30 nmの半導体レーザー光でパルス幅500 n5
ecで照射したところ、出力6.5mWでC/N比60
dBを得た。保存安定性(70℃、85%RH)も良
好であった。
基板を4 m / aで′回転させながら、中心波長8
30 nmの半導体レーザー光でパルス幅500 n5
ecで照射したところ、出力6.5mWでC/N比60
dBを得た。保存安定性(70℃、85%RH)も良
好であった。
比較例1−1〜2−2
実施例1で示される含金属インドアニリン系色素を用い
、本発明の分子中に水酸基を有するエステル系溶剤を用
いた場合とそれ以外の従来の溶剤を用いた場合とについ
て、色素の溶解性、射出成形ポリカーボネート透明基板
への影響〔白化、溝ブレの有無〕、塗布膜の結晶化を比
較したところ、本発明の実施例の方が著しく優れていた
。
、本発明の分子中に水酸基を有するエステル系溶剤を用
いた場合とそれ以外の従来の溶剤を用いた場合とについ
て、色素の溶解性、射出成形ポリカーボネート透明基板
への影響〔白化、溝ブレの有無〕、塗布膜の結晶化を比
較したところ、本発明の実施例の方が著しく優れていた
。
筐た、実施例2で示される含金属インドアニリン系色素
を用い同様の比較を行ったところ、本発明の実施例の方
が著しく優れていた。
を用い同様の比較を行ったところ、本発明の実施例の方
が著しく優れていた。
以上の比較結果を下記第1表に筐とめて示す。
実施例3
上記式(V)で表わされるシアニン系色素12を酢酸ヒ
ドロキシエチル50Fに溶解L 、0.22μmのフィ
ルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液2mgを、深
さ700A、巾0.7μmのグループつき射出成形メタ
クリル樹脂基板(直径130鰭)上に滴下し、1200
rpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で10分
間乾燥した。膜厚測定のため、同一条件でガラス板に塗
布してα−ステップによる膜厚測定したところ、150
0Aであった。塗布膜の最大吸収波長は790 nmで
ありピークは巾広かった。
ドロキシエチル50Fに溶解L 、0.22μmのフィ
ルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液2mgを、深
さ700A、巾0.7μmのグループつき射出成形メタ
クリル樹脂基板(直径130鰭)上に滴下し、1200
rpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で10分
間乾燥した。膜厚測定のため、同一条件でガラス板に塗
布してα−ステップによる膜厚測定したところ、150
0Aであった。塗布膜の最大吸収波長は790 nmで
ありピークは巾広かった。
この塗布膜に、中心波長830 nmの半導体レーザー
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm1 ピット要約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔
(ピット)が形成された。C7N比は5zdBであった
。保存安定性(60℃、80%RH)も良好であった。
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm1 ピット要約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔
(ピット)が形成された。C7N比は5zdBであった
。保存安定性(60℃、80%RH)も良好であった。
実施例4
上記式(Vl)で表わされるシアニン系色素19とニト
ロセルロース1.5f(ダイセル化学社’JJ、R8−
20)を、下記構造式 で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤50
fに溶解し、0.22μmのフィルターで濾過し、溶解
液を得た。この溶液3ml を深さ650A、巾0.7
μmのグループつき射出成形メタクリル樹脂基板(直径
120m)上に滴下し、1500rpmの回転数で塗布
した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。膜厚測定の
ために、同様な方法でガラス板に塗布し、α−ステップ
によう測定したところ、膜厚1200Aであった。塗布
膜の最大吸収波長は820 nmであり、ピークは巾広
かった。
ロセルロース1.5f(ダイセル化学社’JJ、R8−
20)を、下記構造式 で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤50
fに溶解し、0.22μmのフィルターで濾過し、溶解
液を得た。この溶液3ml を深さ650A、巾0.7
μmのグループつき射出成形メタクリル樹脂基板(直径
120m)上に滴下し、1500rpmの回転数で塗布
した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。膜厚測定の
ために、同様な方法でガラス板に塗布し、α−ステップ
によう測定したところ、膜厚1200Aであった。塗布
膜の最大吸収波長は820 nmであり、ピークは巾広
かった。
この塗布膜に、中心波長830 nmの半導体レーザー
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm1 ビット要約2μmの輪郭の極めて明瞭なピ
ットが形成された。
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm1 ビット要約2μmの輪郭の極めて明瞭なピ
ットが形成された。
C/N比は51 dBであった。保存安定性(60℃、
80%RH)も良好であった。
80%RH)も良好であった。
実施例5
融点=180〜185℃
分子吸光係数(s):a2x1o’
マススペクトル: 628 (M+)
クロロホルム溶液中のλmaxニア20nm上記一般式
〔■〕で表わされる色素1.02を下記構造式 %式% で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤50
fに溶解し、0.22μmのフィルターで済過し、溶解
液を得た。この溶液2ml を、深さ700A、巾0.
7μmの紫外線硬化樹脂によるグループつきメタクリル
樹脂基板(直径12 (1m+)上に滴下し、スピナー
法により1o o o rpmの回転数で塗布した。塗
布後、60℃で10分間乾燥した。同一条件でガラス板
に塗布して、タリステップにょる膜厚測定したところ、
800Aであった。塗布膜の最大吸収波長は7051m
であり、反射率は33%(83゜nm)であった。スペ
クトルの形状は巾広かった。
〔■〕で表わされる色素1.02を下記構造式 %式% で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤50
fに溶解し、0.22μmのフィルターで済過し、溶解
液を得た。この溶液2ml を、深さ700A、巾0.
7μmの紫外線硬化樹脂によるグループつきメタクリル
樹脂基板(直径12 (1m+)上に滴下し、スピナー
法により1o o o rpmの回転数で塗布した。塗
布後、60℃で10分間乾燥した。同一条件でガラス板
に塗布して、タリステップにょる膜厚測定したところ、
800Aであった。塗布膜の最大吸収波長は7051m
であり、反射率は33%(83゜nm)であった。スペ
クトルの形状は巾広かった。
この塗布膜に、中心波長780 nmの半導体レーザー
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm、ピット要約2μmの輪郭の極めて明瞭なビッ
トが形成された。動特性評価でC/N比は51’dB
(8mW )と高く、保存安定性(60℃、80%R
H)も良好であった。
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm、ピット要約2μmの輪郭の極めて明瞭なビッ
トが形成された。動特性評価でC/N比は51’dB
(8mW )と高く、保存安定性(60℃、80%R
H)も良好であった。
実施例6
下記構造式
%式%
クロロホルム溶液中のλmaXニア90nmマススペク
トル:648(M) 融点:270〜275℃ で表わされる色素1.02を下記構造式%式% で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤50
Fに溶解し、0.22μmのフィルターで済過し、溶解
液を得た。この溶液2ml を、射出成り5ポリカーボ
ネート樹脂基板(直径130−)上に滴下し、スピナー
法により1000 rpmの回転数で塗布した。塗布後
、60℃でio分間乾燥した。同一条件でガラス板に塗
布して、タリステップによる膜厚測定したところ、75
0Aであった。得られた射出成形ポリカーボネート樹脂
基板の分光光度計による最大吸収波長は760 nmで
あり、600〜900nmに巾広い吸収スペクトルを有
し、近赤外線を有効に吸収していることを示した。
トル:648(M) 融点:270〜275℃ で表わされる色素1.02を下記構造式%式% で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤50
Fに溶解し、0.22μmのフィルターで済過し、溶解
液を得た。この溶液2ml を、射出成り5ポリカーボ
ネート樹脂基板(直径130−)上に滴下し、スピナー
法により1000 rpmの回転数で塗布した。塗布後
、60℃でio分間乾燥した。同一条件でガラス板に塗
布して、タリステップによる膜厚測定したところ、75
0Aであった。得られた射出成形ポリカーボネート樹脂
基板の分光光度計による最大吸収波長は760 nmで
あり、600〜900nmに巾広い吸収スペクトルを有
し、近赤外線を有効に吸収していることを示した。
この塗布膜に、中心波長830 nmの半導体レーザー
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm1 ピット要約2μmの輪郭の極めて明瞭なピ
ットが形成された。動特性評価でC/N比は50 dB
と高く、保存安定性(60℃、80%RH)も良好であ
った。
光を出力6mWでビーム径1μmで照射したところ、巾
約1μm1 ピット要約2μmの輪郭の極めて明瞭なピ
ットが形成された。動特性評価でC/N比は50 dB
と高く、保存安定性(60℃、80%RH)も良好であ
った。
実施例7
下記構造式
で表わされるナフタロシアニン系色素を下記構造式
%式%
で示される分子中に水酸基を有するエステル系溶剤に溶
解して2多の溶液を調製し、この溶液をスピンコード法
(回転数1000 rpm )によりグループ付きの射
出成形メタクリル樹脂基板上に塗布した。塗布された薄
膜(記録層)の最大吸収波長は840’nmであり、吸
収ピークは巾広かった。
解して2多の溶液を調製し、この溶液をスピンコード法
(回転数1000 rpm )によりグループ付きの射
出成形メタクリル樹脂基板上に塗布した。塗布された薄
膜(記録層)の最大吸収波長は840’nmであり、吸
収ピークは巾広かった。
この薄膜に、中心波長830 nmのレーザー光を出力
4mW、 ビーム径約1μmで照射したところ、巾約
1μm1 ピット長さ約2μmの輪郭の極めて明瞭なビ
ットが形成され、そのときのC/N比はs 1dBであ
った。また、その保存安定性は、温度60℃、相対湿度
so%の恒温・恒湿槽中で10日間保存した後の半導体
レーザー光による書き込み性能のC/N比によるとs
1 dBであった。
4mW、 ビーム径約1μmで照射したところ、巾約
1μm1 ピット長さ約2μmの輪郭の極めて明瞭なビ
ットが形成され、そのときのC/N比はs 1dBであ
った。また、その保存安定性は、温度60℃、相対湿度
so%の恒温・恒湿槽中で10日間保存した後の半導体
レーザー光による書き込み性能のC/N比によるとs
1 dBであった。
本発明の製造法によれば、レーザー吸収色素を高濃度に
溶解し、射出成形プラスチック透明基板を用いた場合に
も基板をかかす(白化、溝ダレ等)ことなく均一に塗布
可能であり、塗布時に結晶化もなく、得られた塗布膜は
保存安定性にすぐれ、反射率が高く、高感度でC/N比
も高い、光学記録媒体を工業的有利に製造し得る、とい
う顕著な効果を奏することができる。
溶解し、射出成形プラスチック透明基板を用いた場合に
も基板をかかす(白化、溝ダレ等)ことなく均一に塗布
可能であり、塗布時に結晶化もなく、得られた塗布膜は
保存安定性にすぐれ、反射率が高く、高感度でC/N比
も高い、光学記録媒体を工業的有利に製造し得る、とい
う顕著な効果を奏することができる。
Claims (1)
- (1)有機色素の有機溶媒溶液を透明基板上に塗布した
のち乾燥して光学記録媒体を製造するに当り、前記有機
溶媒として分子中に水酸基を有するエステル系化合物を
用いることを特徴とする光学記録媒体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1223178A JPH0386583A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光学記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1223178A JPH0386583A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光学記録媒体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0386583A true JPH0386583A (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=16794026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1223178A Pending JPH0386583A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 光学記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0386583A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006015414A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Silverbrook Research Pty Ltd | Synthetically expedient water-dispersible ir dyes |
US7699920B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-04-20 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink comprising gallium naphthalocyanine dye |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1223178A patent/JPH0386583A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006015414A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Silverbrook Research Pty Ltd | Synthetically expedient water-dispersible ir dyes |
US7148345B2 (en) | 2004-08-09 | 2006-12-12 | Silverbrook Research Pty Ltd | Synthetically expedient water-dispersible IR dyes having improved lightfastness |
US7699920B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-04-20 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink comprising gallium naphthalocyanine dye |
US7750147B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-07-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | Gallium naphthalocyanine dye |
US7837775B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-11-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet inks for printing coded data comprising naphthalocyanine dyes |
US7892339B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-02-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | IR-absorbing gallium naphthalocyanine dye |
US7959724B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-06-14 | Silverbrook Research Pty Ltd | Substrate having inkjet ink comprising naphthalocyanine dye disposed thereon |
US7964719B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-06-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet ink comprising gallium naphthalocyanine dye |
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