JPS63227569A - 含金属インドアニリン系化合物 - Google Patents
含金属インドアニリン系化合物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学記録媒体に有用な含金属インドアニリン
系化合物に関する。
系化合物に関する。
レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
す\められている。
よび再生を可能とするため、近年、特にその開発がとり
す\められている。
光学記録の一例としては、光ディスクをあげることがで
きる。
きる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を生成させ
ることにより行なわれる。また、記録された情報の再生
は、レーザー光により変形が起きている部分と起きてい
ない部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる
。
録層に、1μm程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を生成させ
ることにより行なわれる。また、記録された情報の再生
は、レーザー光により変形が起きている部分と起きてい
ない部分の反射率の差を読み取ることにより行なわれる
。
したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。 。
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。 。
この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。
知られている。
例えば、特開昭3!−27033号公報には、基板上に
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、また分解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。
また、特開昭!♂−Ir33グーIr報にはフェナレン
系色素を、特開昭11−.2.2F723号公報にはナ
フトキノン系色素を記録層に設けたものが開示されてい
る。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点
の反面、反射率が低いという問題点を有している。反射
率が低いとレーザー光により記録された部分と未記録部
分との反射率に関係するコントラストは低くなり、記録
された情報の再生が困難となる。更に、一般に有機系色
素は保存安定性が劣るという問題点を有している。
系色素を、特開昭11−.2.2F723号公報にはナ
フトキノン系色素を記録層に設けたものが開示されてい
る。しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点
の反面、反射率が低いという問題点を有している。反射
率が低いとレーザー光により記録された部分と未記録部
分との反射率に関係するコントラストは低くなり、記録
された情報の再生が困難となる。更に、一般に有機系色
素は保存安定性が劣るという問題点を有している。
本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれている光記録用として有
用な含金属インドアニリン系化合物を提供することを目
的とするものである。
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれている光記録用として有
用な含金属インドアニリン系化合物を提供することを目
的とするものである。
本発明は、レーザー光線によって状態変化を生せしめる
ことによって記録再生を行々うだめの光学記録媒体の色
素として適した下記一般式(1)で表わされる新規な含
金属インドアニリン系化合物をその要旨とするものであ
る。
ことによって記録再生を行々うだめの光学記録媒体の色
素として適した下記一般式(1)で表わされる新規な含
金属インドアニリン系化合物をその要旨とするものであ
る。
一般式(1)
(式中、MはN1、OuまたはCO金属原子を表わし、
R1は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基を表わし
、Xは水素原子またはメチル基を表わし、R2及びR3
は低級アルキル基を表わし、2−は陰イオンを表わす。
R1は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基を表わし
、Xは水素原子またはメチル基を表わし、R2及びR3
は低級アルキル基を表わし、2−は陰イオンを表わす。
)
一般式(1E中、2−で表わされる陰イオンとしては、
たとえばニー、Br−1at−1ato’;等が挙げら
れ、またR2及びR3で表わされる低級アルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基等のアルキル基が挙げられ、これ
らのアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。
たとえばニー、Br−1at−1ato’;等が挙げら
れ、またR2及びR3で表わされる低級アルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基等のアルキル基が挙げられ、これ
らのアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。
前記一般式(1)で示される含金属インドアニリン系化
合物は、too−toonmの波長帯域で吸収を有し、
しかも分子吸収係数が104〜1011□−1である。
合物は、too−toonmの波長帯域で吸収を有し、
しかも分子吸収係数が104〜1011□−1である。
本発明の一般式(1)で示される含金属インドアニリン
系化合物の一般的合成は、たとえば、久保由治、佐々木
匡子、吉田勝平;日本化学会第33秋期年会講演予稿集
/りIt 、 63りの記載に準じて行なうことができ
る。すなわち、一般式(It) (式中、R1は前記定義に同じ。) で示される化合物に、下記一般式CIII)入 (式中、X、R”、R3は前記定義に同じ。)で示され
る化合物の塩酸塩を酸化的縮合を行ない、下記一般式〔
■〕 RA (式中、R1、R2、R3、Xは前記定義に同じ。)を
得た。次いで、上記化合物と下記一般式(V)M”Z−
・・・・・・・・・(V) (式中、M%2−は前記定義に同じ。)で示される金属
塩とを反応させることによって製造することができる。
系化合物の一般的合成は、たとえば、久保由治、佐々木
匡子、吉田勝平;日本化学会第33秋期年会講演予稿集
/りIt 、 63りの記載に準じて行なうことができ
る。すなわち、一般式(It) (式中、R1は前記定義に同じ。) で示される化合物に、下記一般式CIII)入 (式中、X、R”、R3は前記定義に同じ。)で示され
る化合物の塩酸塩を酸化的縮合を行ない、下記一般式〔
■〕 RA (式中、R1、R2、R3、Xは前記定義に同じ。)を
得た。次いで、上記化合物と下記一般式(V)M”Z−
・・・・・・・・・(V) (式中、M%2−は前記定義に同じ。)で示される金属
塩とを反応させることによって製造することができる。
本発明の含金属インドアニリン系化合物は光学記録媒体
の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基本的に
は基板と含金属インドアニリン系化合物を含む記録層と
から構成され、さらに必要に応じて基板上に下引き層を
また記録層上に保護層が設けられる。
の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基本的に
は基板と含金属インドアニリン系化合物を含む記録層と
から構成され、さらに必要に応じて基板上に下引き層を
また記録層上に保護層が設けられる。
用いる基板としては、使用するレーザー光に対して透明
または不透明のいずれでもよい。基板材料の材質として
は、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔状の金属
等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、プラスチ
ックが種々の点から好適である。プラスチックとしては
、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂
、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げら
れる。
または不透明のいずれでもよい。基板材料の材質として
は、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔状の金属
等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、プラスチ
ックが種々の点から好適である。プラスチックとしては
、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂
、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイ
ミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げら
れる。
光学記録媒体において情報記録層として本発明の含金属
インドアニリン系化合物を使用する際、膜厚は1100
X−ja、好ましくは1000八〜3μmである。成膜
法としては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブ
レード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に
行なわれている薄膜形成法で成膜することができる。
インドアニリン系化合物を使用する際、膜厚は1100
X−ja、好ましくは1000八〜3μmである。成膜
法としては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブ
レード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に
行なわれている薄膜形成法で成膜することができる。
また、必要に応じてバインダーを使用することもできる
。バインダーとしてはPTA、PVP。
。バインダーとしてはPTA、PVP。
ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラ
ール、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、樹
脂に対する含金属インドアニリン系化合物の量は重量比
で0.0 /以上あることが望ましい。スピナー法によ
り成膜の場合、回転数は100−100 Orpmが好
ましく、スピンコードの後、場合によっては、加熱ある
いは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。
ール、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、樹
脂に対する含金属インドアニリン系化合物の量は重量比
で0.0 /以上あることが望ましい。スピナー法によ
り成膜の場合、回転数は100−100 Orpmが好
ましく、スピンコードの後、場合によっては、加熱ある
いは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。
また、記録体の安定性や耐光性向上のために、−重項酸
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等)を含有していてもよい。更に、必要に応
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリール
メタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素など他系績の色素でもよい。
素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等)を含有していてもよい。更に、必要に応
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリール
メタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素など他系績の色素でもよい。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモ−日 − エタン、エチルセロソルブ、キシレン、クロロベンゼン
、シクロヘキサノン等の沸点i、zo〜/lO℃のもの
が好適に使用される。
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモ−日 − エタン、エチルセロソルブ、キシレン、クロロベンゼン
、シクロヘキサノン等の沸点i、zo〜/lO℃のもの
が好適に使用される。
光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。
片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。
面または、片面に設けた記録層に1μm程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
光学記録媒体に使用されるレーザー光はN2、He−C
14%Ar、 He−No、 ルビー、半導体、色素レ
ーザーなどがあげられるが、特に、軽量性、取扱いの容
易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好適
である。
14%Ar、 He−No、 ルビー、半導体、色素レ
ーザーなどがあげられるが、特に、軽量性、取扱いの容
易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザーが好適
である。
実施例
以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。
る実施例は本発明を限定するものではない。
実施例1
(a) !!!造例
下記構造式
で表わされるコーアミノーj−ジエチルアミノトルエン
ノ塩゛酸塩rrttngを水/!0.lに溶解させ、炭
酸水素す) IJウム、260■と水酸化ナトリウム0
.2 j fを加えて攪拌したのち、下記構造式 で表わされる化合物300■と水酸化ナトリウム0./
j 4 fを加えた水溶液100rxlを添加して、
3℃にて!チ次亜塩素酸ナトリウム4、.2 ff/を
滴下した。生成した沈殿を炉別した後カラムクロマト分
離(シリカゲル;展開溶媒、酢酸エチル−:べ/−ゼy
=/:/)l、、下記構造式 で表わされるj −(J’−メチル−≠′−ジエチルア
ミノフェニルイミノ) −2,1−キノリンキノンを得
た。(収率444,7%) 本化合物の融点は/it S−121℃で、可視部吸収
スペクトル(クロロホルム)は、λmaX & −2t
nm (gmaz /ざ+oo )であり、元素分析
結果は、下記の通シ分析値と計算値はよく合致していた
。
ノ塩゛酸塩rrttngを水/!0.lに溶解させ、炭
酸水素す) IJウム、260■と水酸化ナトリウム0
.2 j fを加えて攪拌したのち、下記構造式 で表わされる化合物300■と水酸化ナトリウム0./
j 4 fを加えた水溶液100rxlを添加して、
3℃にて!チ次亜塩素酸ナトリウム4、.2 ff/を
滴下した。生成した沈殿を炉別した後カラムクロマト分
離(シリカゲル;展開溶媒、酢酸エチル−:べ/−ゼy
=/:/)l、、下記構造式 で表わされるj −(J’−メチル−≠′−ジエチルア
ミノフェニルイミノ) −2,1−キノリンキノンを得
た。(収率444,7%) 本化合物の融点は/it S−121℃で、可視部吸収
スペクトル(クロロホルム)は、λmaX & −2t
nm (gmaz /ざ+oo )であり、元素分析
結果は、下記の通シ分析値と計算値はよく合致していた
。
1l−
(C能HztNsO)
次に、上記で得られたS−(λ′−メチルーv′−ジエ
チルアミノフェニルイミノ) −z、r −キノリンキ
ノン100■をタッチエタノールjOdに溶解したもの
に、N1(ato4)2・4H,0コr!、3■を水1
0m1に溶解したものを窒素雰凹気下で加え、室温で約
30分間攪拌した。
チルアミノフェニルイミノ) −z、r −キノリンキ
ノン100■をタッチエタノールjOdに溶解したもの
に、N1(ato4)2・4H,0コr!、3■を水1
0m1に溶解したものを窒素雰凹気下で加え、室温で約
30分間攪拌した。
得られた沈殿を吸引濾過し、水洗、乾燥し、下記構造式
で表わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。
で表わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。
12一
本化合物の融点は、2 F 、t−2u t ’Cであ
り、−可視部吸収スペクトル(クロロホルム中)は、λ
max 7りjnm(図−’ ) (’maX /2コ
000)前記(a)で製造した含金属インドアニリン系
化合物0./ tをテトラクロロエタン10tに溶解し
、0.22μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。こ
の溶1/2dをポリメチルメタクリレ−)(PMMA)
樹脂基板(j−2φ)の上に滴下し、スピナー法により
I OOrpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で
10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長はf OJ’
nmであシ、反射率は3l%(I J Onm )で
あった。スペクトルの形状は巾広かった。図−2に塗布
膜の吸収および反射のスペクトルを示す。
り、−可視部吸収スペクトル(クロロホルム中)は、λ
max 7りjnm(図−’ ) (’maX /2コ
000)前記(a)で製造した含金属インドアニリン系
化合物0./ tをテトラクロロエタン10tに溶解し
、0.22μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。こ
の溶1/2dをポリメチルメタクリレ−)(PMMA)
樹脂基板(j−2φ)の上に滴下し、スピナー法により
I OOrpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で
10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長はf OJ’
nmであシ、反射率は3l%(I J Onm )で
あった。スペクトルの形状は巾広かった。図−2に塗布
膜の吸収および反射のスペクトルを示す。
(C) 光記録法−l
上記(b)で得られた塗布膜に、中心波長I J On
mの半導体レーザー光を出力≠mWで照射した所、巾/
、Jりμm、ピット深さ7りOX(エリオニクス測定値
)の輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
mの半導体レーザー光を出力≠mWで照射した所、巾/
、Jりμm、ピット深さ7りOX(エリオニクス測定値
)の輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
また、この塗布膜に、中心波長7 r Onmの半導体
レーザー光を出力A mWで照射した所、巾/、F /
pm 、ピット深さttzzX、(エリオニクス測定
値)の輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
レーザー光を出力A mWで照射した所、巾/、F /
pm 、ピット深さttzzX、(エリオニクス測定
値)の輪郭の極めて明瞭なピットが形成された。
この塗布膜は高温高湿下(50℃、r0%RH)での促
進テストでio日以上安定であった。
進テストでio日以上安定であった。
(d) 記録媒体例−2
前記(a)で製造した含金属インドアニリン系化合物o
、i tをテトラクロロエタン10fに溶解し、01.
22μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液
!dを深さ7θ i、幅0,7μの紫外線硬化樹脂によ
る溝(グループ)つきPMMA樹脂基板(3インチ)上
に滴下し、スピナー法によりり00 rpmの回転数で
塗布した。塗布後、to℃で10分間乾燥した。
、i tをテトラクロロエタン10fに溶解し、01.
22μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液
!dを深さ7θ i、幅0,7μの紫外線硬化樹脂によ
る溝(グループ)つきPMMA樹脂基板(3インチ)上
に滴下し、スピナー法によりり00 rpmの回転数で
塗布した。塗布後、to℃で10分間乾燥した。
(θ)光記録法−2
上記記録媒体を成膜した5インチのPMMA樹脂基板を
4Im/eで回転させながら、中心波長f J Onm
の半導体レーザー光でパルス幅j 00 n5ecで照
射したところ、出力6 mWでC/N比jコ(iBを得
た。保存安定性(t。
4Im/eで回転させながら、中心波長f J Onm
の半導体レーザー光でパルス幅j 00 n5ecで照
射したところ、出力6 mWでC/N比jコ(iBを得
た。保存安定性(t。
℃、toチRH)も良好であった。
(f) 記録媒体例−3
前記(a)で製造した含金属インドアニリン系化合物θ
、/ 1をエチルセルソルブlOtに溶解し、0.22
μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液j
atを板厚1.−動の/、6μmピッチの溝(グループ
)つきポリカーボネート樹脂基板(射出成型品、3イン
チ)上に滴下し、スピナー法によシ♂00 rpmの回
転数で塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。
、/ 1をエチルセルソルブlOtに溶解し、0.22
μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液j
atを板厚1.−動の/、6μmピッチの溝(グループ
)つきポリカーボネート樹脂基板(射出成型品、3イン
チ)上に滴下し、スピナー法によシ♂00 rpmの回
転数で塗布した。塗布後、60℃で10分間乾燥した。
(g) 光記録法−3
上記記録媒体を成膜した5インチのポリ力一ボネート樹
脂基板を≠m/sで回転させながら、中心波長r j
Onmの半導体レーザー光でパルス幅! 00 n5e
cで照射したところ、出力A mWでO/N比、t O
dBを得た。保存安定性(40℃、lr o % RH
)も良好であった。
脂基板を≠m/sで回転させながら、中心波長r j
Onmの半導体レーザー光でパルス幅! 00 n5e
cで照射したところ、出力A mWでO/N比、t O
dBを得た。保存安定性(40℃、lr o % RH
)も良好であった。
実施例コ
(a)製造例
実施例/において下記構造式
で表わされる化合物l00111gの代りに、下記構造
式 で表わされる化合物14,1r2Ivを用いた以外は実
施例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属
インドア=lJン系化合物を得た。
式 で表わされる化合物14,1r2Ivを用いた以外は実
施例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属
インドア=lJン系化合物を得た。
16一
本化合物の融点はSOO℃以上であり、可視部の吸収ス
ペクトル(クロロホルム中)は、λmaw 76 A
nm (図−3)であった。
ペクトル(クロロホルム中)は、λmaw 76 A
nm (図−3)であった。
(b) 記録媒体例
前記(a)で製造した含金属インドアニリン系化合物を
実施例1に記載の方法に従って、溝(グループ)つきP
MMA樹脂基板上にスピナー法による塗布を行なった。
実施例1に記載の方法に従って、溝(グループ)つきP
MMA樹脂基板上にスピナー法による塗布を行なった。
塗布膜の最大吸収波長は77 r nmであり、スペク
トルの形状は巾広かった。
トルの形状は巾広かった。
(C) 光記録法
上記のPMMA樹脂基板を4Am/s で回転させなが
ら、中心波長7 t Onmの半導体レーザー光で、パ
ルス幅j 00 n5ecで照射したところ、出力6
mWでC/N比j OdBを得た。保存安定性(to℃
%♂0%RH)も良好であった。
ら、中心波長7 t Onmの半導体レーザー光で、パ
ルス幅j 00 n5ecで照射したところ、出力6
mWでC/N比j OdBを得た。保存安定性(to℃
%♂0%RH)も良好であった。
実施例3
(a)製造例
実施例1において、Ni (cto4 )2・JH,O
J r j、I 719の代、!7 K Cu (01
04)2 ・6 N20コtり■を用いた以外は実施例
1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属イン
ドアニリン系化合物を得た。
J r j、I 719の代、!7 K Cu (01
04)2 ・6 N20コtり■を用いた以外は実施例
1と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金属イン
ドアニリン系化合物を得た。
本化合物の融点は300℃以上であシ、可視部の吸収ス
ペクトル(クロロホルム−N、N −ジメチルホルムア
ミド混合溶媒中)は、λmax7り≠nmであシ、元素
分析結果は、下記の通シ、分析値と計算値はよく合致し
た。
ペクトル(クロロホルム−N、N −ジメチルホルムア
ミド混合溶媒中)は、λmax7り≠nmであシ、元素
分析結果は、下記の通シ、分析値と計算値はよく合致し
た。
(1)) 記録媒体例
前記(a)で得られた含金属インドアニリン系化合物を
実施例1に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板(!
コφ)の上にスピナー法による塗布を行なった。
実施例1に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板(!
コφ)の上にスピナー法による塗布を行なった。
塗布膜の最大吸収波長はf 00 nmであシ、スペク
トルの形状は巾広がった。
トルの形状は巾広がった。
(0) 光記録法
上記の塗布膜に、中心波長r 3o nmの半導体レー
ザー光を出力t mWで照射したところ、輪郭の明瞭な
ピットが形成された。
ザー光を出力t mWで照射したところ、輪郭の明瞭な
ピットが形成された。
この塗布膜の保存安定性(10℃、10%RE )は良
好であった。
好であった。
19一
実施例グ
(a)製造例
実施例1において、下記構造式
で表わされる化合物100mgの代夛に、下記構造式
で表わされる化合物lr+、、r■を用い、N1(C!
tO4)、 −JH202r !、J yngの代シに
au(czo4)2−+a2o 21り■を用いた以外
は、実施例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる
含金属インドアニリン系化合物を得た。
tO4)、 −JH202r !、J yngの代シに
au(czo4)2−+a2o 21り■を用いた以外
は、実施例1と同様に行ない、下記構造式で表わされる
含金属インドアニリン系化合物を得た。
吸収スペクトル(クロロホルム−N、N−ジメチルホル
ムアミド混合溶媒中)は、λIIIIILX760 n
m (図−弘)であシ、元素分析結果は、下記の通シ、
分析値と計算値はよく合致した。
ムアミド混合溶媒中)は、λIIIIILX760 n
m (図−弘)であシ、元素分析結果は、下記の通シ、
分析値と計算値はよく合致した。
(b)記録媒体例゛
前記(a)で製造した含金属インドアニリン系化合物を
実施例1に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板(j
、2φ)の上にスピナー法による塗布を行なった。
実施例1に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板(j
、2φ)の上にスピナー法による塗布を行なった。
゛塗布膜の最大吸収波長は7♂Onmであり、スペクト
ルの形状は巾広かった。
ルの形状は巾広かった。
(C)光記録法
上記の塗布膜に、中心波長7 r Onmの半導体レー
ザー光で照射したところ、輪郭の明瞭なピットを形成し
た。
ザー光で照射したところ、輪郭の明瞭なピットを形成し
た。
この塗布膜の保存安定性(3o℃、to%RH)は良好
であった。
であった。
実施例!
冥加例/に準じた方法によシ、一般式(1)で表わされ
る含金属インドアニリン系化合物を合成した。
る含金属インドアニリン系化合物を合成した。
クロロホルム溶液中での最大吸収波長(λmaX。
nm)を第1表に示′した。
本発明の含金属インドアニリン系化合物は、有機溶媒に
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あシ、シかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
シ且つ保存安定性にすぐれているので、光学記録媒体用
色素としては極めて有用なものである。
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あシ、シかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
シ且つ保存安定性にすぐれているので、光学記録媒体用
色素としては極めて有用なものである。
図−7、図−3及び図−≠は、本発明の者金属インドア
ニリン系化合物3例の可視部吸収スペクトルを表わすも
のであり、!Il]It+は吸光度、横軸は波長(nm
)を表わす。 図−コは、本発明の含金属インドアニリン系化合物7例
の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクトルを表わす
ものであシ、縦軸は左が吸光度、右が反射率を表わし、
横軸は波長(nm )を表わす。 図−1 波長(nn2) 図−2 5皮長(nm) 図−3 図−4
ニリン系化合物3例の可視部吸収スペクトルを表わすも
のであり、!Il]It+は吸光度、横軸は波長(nm
)を表わす。 図−コは、本発明の含金属インドアニリン系化合物7例
の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクトルを表わす
ものであシ、縦軸は左が吸光度、右が反射率を表わし、
横軸は波長(nm )を表わす。 図−1 波長(nn2) 図−2 5皮長(nm) 図−3 図−4
Claims (1)
- (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
〕 (式中、MはNi、CuまたはCo金属原子を表わし、
R^1は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基を表わ
し、Xは水素原子またはメチル基を表わし、R^2及び
R^3は低級アルキル基を表わし、Z^−は陰イオンを
表わす。) で示される含金属インドアニリン系化合物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62059777A JPH0764992B2 (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | 含金属インドアニリン系化合物 |
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US07/378,041 US4990433A (en) | 1987-03-14 | 1989-07-11 | Metal-containing indoaniline compound and optical recording medium employing the compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62059777A JPH0764992B2 (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | 含金属インドアニリン系化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63227569A true JPS63227569A (ja) | 1988-09-21 |
JPH0764992B2 JPH0764992B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=13123060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62059777A Expired - Lifetime JPH0764992B2 (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | 含金属インドアニリン系化合物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4873332A (ja) |
JP (1) | JPH0764992B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0310027A2 (en) * | 1987-10-02 | 1989-04-05 | Mitsubishi Kasei Corporation | Metal-containing indoaniline compound and optical recording medium employing the compound |
JPH02238059A (ja) * | 1989-03-11 | 1990-09-20 | Yoshiharu Kubo | 安定型インドアニリン系ロイコ色素 |
JPH02258414A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Asahi Glass Co Ltd | 雨どいを有する枠体付窓ガラスの製造法 |
JPH031339A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 光カード |
US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
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EP0458257B1 (en) * | 1990-05-21 | 1998-09-02 | TDK Corporation | Optical recording medium |
SE9101794L (sv) * | 1991-06-12 | 1992-12-13 | Haakan Rodin | Uppvaermningsbart golv |
JPH11208118A (ja) | 1997-11-20 | 1999-08-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体 |
KR20080003790A (ko) * | 2005-03-24 | 2008-01-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 광정보 기록매체 |
Family Cites Families (1)
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---|---|---|---|---|
JPS6161893A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-14 JP JP62059777A patent/JPH0764992B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-23 US US07/100,264 patent/US4873332A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-11 US US07/378,041 patent/US4990433A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0310027A3 (en) * | 1987-10-02 | 1990-11-22 | Mitsubishi Kasei Corporation | Metal-containing indoaniline compound and optical recording medium employing the compound |
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JPH031339A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 光カード |
US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
US5892042A (en) * | 1995-04-14 | 1999-04-06 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivative metal complexes used for transparent recording medium or optical recording medium |
US5919928A (en) * | 1995-04-14 | 1999-07-06 | Nippon Paper Industries, Co., Ltd. | Phenanthridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4990433A (en) | 1991-02-05 |
US4873332A (en) | 1989-10-10 |
JPH0764992B2 (ja) | 1995-07-12 |
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