KR20080003790A

KR20080003790A - 광정보 기록매체

Info

Publication number: KR20080003790A
Application number: KR1020077021551A
Authority: KR
Inventors: 코우스케 와타나베; 테츠야 와타나베; 케이타 타카하시; 카즈토시 카타야마; 치사토 오바라
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2005-03-24
Filing date: 2006-03-23
Publication date: 2008-01-08
Also published as: EP1862328A1; TW200639853A; US20090029092A1; WO2006101177A1; CN101146687A

Abstract

440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체를 제공한다.

기록층 중에 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하고, 또한 상기 색소의 카운터 양이온(Y^t+)이 상기 색소 음이온 부위의 흡수극대보다 장파장 여역에 흡수극대를 갖는 양이온성 색소인 광정보 기록매체이다.

일반식(1)

식중, A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B(및 C와 D)의 하멧의 σp치의 합계가 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, Y^t+는 t가의 야이온을, t는 1~4의 정수를 나타낸다.]

광정보 기록매체

Description

광정보 기록매체{OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM}

본 발명은 레이저광을 이용하여 정보의 기록 및 재생이 가능한 광정보 기록매체 및 정보 기록방법, 및 이것에 적합한 신규 화합물에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 파장 440nm 이하의 단파장 레이저광을 이용하여 정보를 기록하는 것에도 적합한 히트모드형의 광정보 기록매체에 관한 것이다.

종래부터, 레이저광에 의해 1회에 한하여 정보의 기록이 가능한 광정보 기록매체(광디스크)가 알려져 있다. 이 광디스크는 추기형 CD(소위 CD-R)라고도 칭하고, 그 대표적인 구조는 투명한 원반형상 기판 상에 메틴 색소로 이루어진 기록층, 금 등의 금속으로 이루어진 광반사층, 또한 수지제의 보호층이 이 순서로 적층상태로 형성되어 있다. 그리고, 이 CD-R로의 정보의 기록은 근적외 영역의 레이저광(통상은 780nm 부근 파장의 레이저광)을 CD-R에 조사함으로써 행해지고, 기록층의 조사 부분이 그 광을 흡수하여 국소적으로 온도 상승하여, 물리적 또는 화학적 변화(예컨대, 피트의 생성)가 생겨서 그 광학적 특성을 변화시킴으로써 정보가 기록된다. 한편, 정보의 읽기(재생)도 또한 기록용 레이저광과 동일한 파장의 레이저광을 조사함으로써 행해지고, 기록층의 광학적 특성이 변화된 부위(기록 부분)와 변화되지 않은 부위(미기록 부분)의 반사율 차이를 검출함으로써 정보가 재생된다.

최근, 인터넷 등의 네트워크나 하이비전 TV가 급속하게 보급되고 있다. 또한, HDTV(High Definition Television)의 방영도 임박하여 있어, 화상 정보를 저렴하고 간편하게 기록하기 위한 대용량의 기록매체의 요구가 높아지고 있다. 상술한 CD-R 및 가시 레이저광(630nm~680nm)을 기록용 레이저로 하여 고밀도 기록을 가능하게 한 DVD-R은 대용량의 기록매체로서의 지위를 어느 정도까지는 확보하고 있지만, 장래의 요구에 대응할 수 있는 정도의 충분히 큰 기록 용량을 갖고 있다고는 말할 수 없다. 여기에서, DVD-R보다도 더욱 단파장의 레이저광을 사용함으로써 기록밀도를 향상시켜, 보다 큰 기록 용량을 구비한 광디스크의 개발이 진행되어, 예컨대 405nm의 청색 레이저를 사용한 Blu-ray 방식이라고 하는 광기록 디스크가 출시되었다.

선행 기술로서 일본 특허공개 2002-52825호 공보가 있고, 그 실시예에서는 인도아닐린 킬레이트 금속착체와 옥소놀 색소를 중량비 1:10로 배합해서 사용하는 것이 개시되어 있다.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2002-52825호 공보

상기 선행 기술문헌에서는 인도아닐린 킬레이트 금속착체는 퇴색 방지제로서 기능하고 있다. 통상, 색소 기록층에 퇴색 방지제를 사용할 경우에는 상기 선행 기술문헌과 같이 소량 사용한다.

그러나, 다종의 색소 화합물, 퇴색 방지제의 조합을 시도하여도, 아직 충분한 기록 특성, 내광성 및 재생 내구성을 달성할 수 있는 광정보 기록매체를 얻기 에는 이르지 않았다.

본 발명의 목적은 기록 재생특성을 손상시키지 않는 내광성 및 재생 내구성, 및 용해성이 향상된 청색 레이저광 대응의 정보 기록매체 및 이것을 사용한 정보의 기록방법을 제공하는 것이다.

여기에서, 본 발명자는 더욱 예의 검토하여, 상기 종래의 기술 상식에 반하여, 기록층에 있어서의 퇴색 방지제의 함유량을 다량으로 하는 것을 시도하여, 이하의 본 발명의 구성을 채용함으로써 상기 과제를 해결하기에 이르렀다.

본 발명의 과제는, 이하의 구성에 의해 바람직하게 달성되었다.

[1] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서,

상기 기록층이 하기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소를 함유하고, 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 상기 기록층의 전체 질량을 기준으로 하여 30질량% 이상인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1)

[식중, Y^t+은 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 t가의 양이온성 색소이고, t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

[2] 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 상기 기록층의 전체 질량을 기준으로 하여 70질량% 이상인 것을 특징으로 하는 [1]에 기재된 광정보 기록매체.

[3] 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소가 옥소놀 색소인 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]에 기재된 광정보 기록매체.

상기 함유량은 기록층의 전체 질량을 100질량%(기준)로 하였다. 또한, 통상 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 배합량을 30질량%으로 하기 위해서는, 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소를 질량비 30:70로 혼합하여 색소 도포액을 조제하면 좋다.

[4] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서,

상기 기록층이 실질적으로 일반식(1')으로 표시되는 옥소놀 색소로 이루어진 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1')

[식중, Y^t+은 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 t가의 양이온성 색소이고, t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

[5] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서, 상기 기록층 중에 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1)

[6] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서, 상기 기록층 중에 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.(단, 상기 기록층 중에는 일반식(1)의 범위외의 옥소놀 색소는 공존하지 않는다.)

일반식(1)

[7] 상기 일반식(1) 또는 (1')에 있어서, A와 B 및 C와 D로 형성되는 환을 1개 이상 갖고, A와 B가 연결되어 형성되는 환 및 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-1)와 (Z-2)를 동시에 갖지 않는 것을 특징으로 하는 [1]~[6]에 기재된 광정보 기록매체.

[8] 상기 일반식(1) 또는 (1')에 있어서, A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나를 나타내거나, 또는 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나를 나타내는 것을 특징으로 하는 [1]~[3]에 기재된 광정보 기록매체.(*은 결합 위치를 나타냄)

[부분구조 중, R³은 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. 복수의 R³은 서로 같거나 달라도 좋다. 또한, R³ 상호간은 연결기를 통해서 서로 결합해도 좋다.]

[9] 상기 옥소놀 색소의 m이 1인 것을 특징으로 하는 [1]~[3], [5]~[8] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[10] 상기 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대가 기록 레이저 파장보다도 장파장인 것을 특징으로 하는 [1]~[9]에 기재된 광정보 기록매체.

[11] 상기 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대가 415nm 이상 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 [1]~[10] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[12] 상기 카운터 양이온 Y^t+가 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [1]~[11] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[13] 상기 카운터 양이온 Y^t+가 일반식(2)~일반식(5) 중 어느 하나로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [1]~[12] 중 어느 하나에 기재된 기재된 광정보 기록매체.

일반식(2)

[식중, M^m3+은 질소원자 및 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, R³³ 및 R³⁴는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환기를 나타낸다. m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간, R³³과 R³⁴, R³²와 R³³, R³²와 R³⁴는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(3)

[식중, M^m3+은 질소원자 및/또는 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 치환기를 나타내고, R³³ 및 R³⁴는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환기를 나타낸다. Q₃은 질소 함유 헤테로환을 형성하는 기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간, R³³과 R³⁴, R³²와 R³³, R³²와 R³⁴는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(4)

[식중, M^m3+은 질소원자 및 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, q3은 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q3 이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(5)

[식중, M^m3+은 질소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³², R³⁵ 및 R³⁶은 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q4는 0~4의 정수를 나타내고, q5는 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q4가 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q5가 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³⁶은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁶ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

[14] 상기 카운터 양이온 Y^t+는 [13]에 기재된 일반식(2)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [13]에 기재된 광정보 기록매체.

[15] 상기 카운터 양이온 Y^t+는 [13]에 기재된 일반식(3)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [13]에 기재된 광정보 기록매체.

[16] 상기 카운터 양이온 Y^t+는 [13]에 기재된 일반식(4)~일반식(5) 중 어느 하나로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [13]에 기재된 광정보 기록매체.

[17] 상기 카운터 양이온 Y^t+는 [13]에 기재된 일반식(4)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [13]에 기재된 광정보 기록매체.

[18] 상기 카운터 양이온 Y^t+는 [13]에 기재된 일반식(5)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 [13]에 기재된 광정보 기록매체.

[19] 상기 카운터 양이온 Y^t+는 금속착체의 양이온이고, 또한 금속착체의 양이온에 있어서의 금속이 Cu, Ni, Fe, Co, Mn 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 [12]~[18]에 기재된 광정보 기록매체.

[20] 상기 옥소놀 색소 음이온 부위의 막흡수 극대 파장보다 장파장 영역에 막흡수 극대 파장을 갖는 양이온성 색소의 최대 흡수피크 λmax가 500nm≤λmax인 것을 특징으로 하는 [1]~[19] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[21] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서, 상기 기록층 중에 하기 일반식(8)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.(단, 상기 기록층 중에는 하기 일반식(8)의 범위외의 옥소놀 색소는 공존하지 않는다.)

일반식(8)

[식중, 음이온 부위의 흡수 극대는 415nm 이상 500nm 이하이고, Y^t+은 Cu, Ni, Fe, Co, Mn 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 t가의 금속착체의 양이온이고, Y^t+의 최대 흡수피크 λmax는 500nm≤λmax이다. t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

[22] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서, 상기 기록층 중에 하기 일반식(9)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.(단, 상기 기록층 중에는 하기 일반식(9)의 범위외의 옥소놀 색소는 공존하지 않는다.)

일반식(9)

[식중, 음이온 부위의 흡수 극대는 415nm 이상 500nm 이하이고, Y^t+은 Cu, Ni, Fe, Co, Mn 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 t가의 금속착체의 양이온이고, Y^t+의 최대 흡수피크 λmax는 500nm≤λmax이다. t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 1개 이상의 환을 갖고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나를 나타내거나, 또는 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나를 나타낸다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

[부분구조 중, R³은 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. 복수개의 R³은 서로 같거나 달라도 좋다. 또한 R³ 상호간은 연결기를 통해서 서로 결합해도 좋다.]

[23] 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서, 상기 기록층 중에 일반식(10), 일반식(11) 중 어느 하나로 표시되는 금속착체의 양이온을 함유하는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.(단, 상기 금속착체와 쌍을 이루는 음이온은 옥소놀 색소 음이온이 아니어도 좋다.)

일반식(10)

[식중, M^m3+은 질소원자 및 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, q3은 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q3이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(11)

[24] 상기 카운터 양이온 Y^t+와는 별개로 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 [1]~[23] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[25] 상기 카운터 양이온 Y^t+와는 별개로 금속착체를 함유하는 것을 특징으로 하는 [1]~[23] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[26] 상기 카운터 양이온 Y^t+와는 다른 금속착체가 350~1300nm의 파장 영역에서의 몰흡광 계수(ε)가 1,000dm³mol^-1cm^-1 이하인 금속착체인 것을 특징을 하는 [25]에 기재된 광정보 기록매체.

[27] 상기 카운터 양이온 Y^t+와는 별개로 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 금속착체 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 [1]~[25]에 기재된 광정보 기록매체.

[28] 상기 카운터 양이온 Y^t+와는 다른 금속착체 색소가 일반식(2)~일반식(5)으로 표시되는 금속착체 양이온을 갖는 것, 아조 착체, 살리실알데히드 착체, 포르마잔 착체인 것을 특징으로 하는 [27]에 기재된 광정보 기록매체.

[29] 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 음이온 부위가 일반식(6)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 [1]~[28] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

일반식(6)

[식중 A, C는 전자흡인성 기를 나타내고, G, J, K, V는 치환기를 나타내고, A와 G와 K 및/또는 C와 J와 V는 서로 연결되어 축환을 형성하고 있어도 좋다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, Y^t+는 t가의의 양이온을 나타내고, t는 1~4의 정수를 나타낸다.]

[30] 상기 기록층과는 별개로 금속으로 이루어진 광반사층이 형성되어 있는 [1]~[29] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[31] 상기 기록층과는 별개로 보호층이 형성되어 있는 [1]~[30] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

[32] 상기 기판이 그 표면에 트랙피치 0.2㎛~0.5㎛의 프리그루브를 갖는 투명한 원반형상 기판이고, 기록층이 상기 프리그루브가 형성된 측의 표면에 형성되어 있는 [1]~[31] 중 어느 하나에 기재된 광정보 기록매체.

기록층에 본 발명의 특정 화합물을 사용함으로써, 기록 재생특성을 손상시키지 않고, 또한 기록후에 있어서도 높은 내광성 및 재생 내구성을 가진 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 정보 기록매체를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 특정 화합물에서는 광퇴색 방지 효과를 갖는 카운터 양이온이 옥소놀 색소의 카운터 이온으로 되어 있기 때문에, 리사이클 적성이 있어서 제조상 유리하다.

상기 [4]에 의하면, 색소를 1종 단독으로 사용하는 것이 가능해서, 리사이클 적성이 우수하다. 즉, 일반적으로 광디스크의 제조공정에서는 도포액을 이용하여 색소 기록층을 형성하지만, 기판의 밖으로 비산한 화합물의 회수와 재도포를 반복하여 행하면, 옥소놀 색소와 금속착체의 질량비가 변화되어 기록특성, 내광성에 영향을 줄 수 있다는 문제가 염려되어 제조상 불리하다(리사이클 적성의 문제). 그러나, 상기 [4]의 구성에서는 그러한 문제가 생기지 않으므로 유리하다.

본 발명은 기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체이다.

본 발명에 있어서의 흡수 극대란, 화합물의 막흡수 스펙트럼에 있어서의 극대 파장을 나타낸다. 본 발명에서는 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올을 용매로서 사용하고, 용해하여 얻어진 색소 함유액을 기판에 도포하고, 건조시킨 후, 건조후의 도포막의 막흡수 스펙트럼을 UV-3100PC(Shimadzu Corporation 제품)를 사용하여 측정하였다. 또한, 옥소놀 색소의 음이온 부위의 흡수 극대란, 카운터 양이온으로서 흡수를 가지지 않는 양이온(예컨대, Et₃N⁺H)을 가진 옥소놀 색소의 흡수 극대와 동일하다. 즉, 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 양이온성 색소란, 카운터 양이온으로서 흡수를 가지지 않는 양이온(예컨대, Et₃N⁺H)을 가진 옥소놀 색소(예컨대, 하기 화합물(23))의 흡수 극대 파장보다도 장파장측에 흡수 극대를 갖는 양이온성 색소이다.

상기 [1]의 「상기 기록층이 하기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소를 함유하고, 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 상기 기록층의 전체 질량을 기준으로 하여 30질량% 이 상인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체」에 대해서, 바람직하게는 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 상기 기록층의 전체 질량을 기준으로 하여 70질량% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상, 가장 바람직하게는 100%이다.

또, 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소가 옥소놀 색소인 것이 바람직하다.

상기 함유량은 기록층의 전체 질량을 100질량%(기준)로 하였다. 예컨대, 통상 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 배합량을 30질량%로 하기 위해서는 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소를 질량비 30:70로 혼합해서 색소 도포액을 조제하면 좋다.

상기 [4]의 「상기 기록층이 실질적으로 일반식(1')으로 표시되는 옥소놀 색소로 이루어진 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체」에 대해서, 바람직하게는 상기 일반식(1')으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 70질량% 이상, 보다 바람직하게는90% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상, 가장 바람직하게는 100질량%이다. 이 때, 일반식(1')으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소는 옥소놀 색소가 바람직하다.

옥소놀 색소에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서 옥소놀 색소란, 음이온성 발색단을 갖는 폴리메틴 색소로 정의한다. 이것은 기록 특성이 우수하고, 하기 일반식(I)으로 표시된다.

일반식(1)

[식중 A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, Y^t+는 t가의의 양이온을 나타내고, t는 1~4의 정수를 나타낸다.]

일반식(1)은 음이온의 국재 위치의 표기의 차이에 의한 복수의 토토머를 포함하는 것이지만, 특히 A, B, C, D 중 어느 하나가 -CO-E(E는 치환기)일 경우, 산소원자위 상에 음전하를 국재시켜서 표기하는 것이 일반적이다. 예컨대, D가 -CO-E일 경우, 표기로는 하기 일반식(7)이 일반적이고, 이러한 표기의 것도 일반식(1)에 포함된다.

일반식(7)

일반식(7)에 있어서의 A, B, C, R, m, n, Y^t+, t의 정의는 일반식(1)과 동일하다.

이하, 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소에 대해서 설명한다. 일반식(1)에 있어서, A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. A, B, C 및 D는 각각 동일하여도 좋고, 또한 달라도 좋다. 서로 결합하지 않은 경우에는 A, B, C 및 D로 표시되는 전자흡인성 기의 하멧의 치환기 정수 σp치는 각각 독립적으로 0.30~0.85의 범위에 있는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.35~0.80의 범위이다.

하멧의 치환기 정수 σp치(이하, σp치라고 함)는, 예컨대 Chem. Rev. 91, 165(1991) 및 이것에 인용되어 있는 참고 문헌에 기재되고 있고, 기재되어 있지 않은 것에 관해서도 동 문헌에 기재된 방법에 의해 구하는 것이 가능하다.

A, B, C 및 D로 표시되는 전자흡인성 기의 바람직한 구체예로는 시아노기, 니트로기, 탄소원자수 1~10개의 아실기(예, 아세틸, 프로피오닐, 부티릴, 피발로일, 벤조일), 탄소원자수 2~12개의 알콕시카르보닐기(예, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 이소프로폭시카르보닐, 부톡시카르보닐, 데실옥시카르보닐), 탄소원자수7~11개의 아릴옥시카르보닐기(예, 페녹시카르보닐), 탄소원자수 1~10개의 카르바모일기(예, 메틸카르바모일, 에틸카르바모일, 페닐카르바모일), 탄소원자수 1~10개의 알킬술포닐기(예, 메탄술포닐), 탄소원자수 6~10개의 아릴술포닐기(예, 벤젠 술포닐), 탄소원자수 1~10개의 알콕시술포닐기(예, 메톡시술포닐), 탄소원자수 1~10개의 술파모일기(예, 에틸술파모일, 페닐술파모일), 탄소원자수 1~10개의 알킬술피닐기(예, 메탄술피닐, 에탄술피닐), 탄소원자수 6~10개의 아릴술피닐기(예, 벤젠술피닐), 탄소원자수 1~10개의 알킬술페닐기(예, 메탄술페닐, 에탄술페닐), 탄소원자수 6~10개의 아릴술페닐기(예, 벤젠술페닐), 할로겐 원자, 탄소원자수 2~10개의 알키닐기(예, 에티닐), 탄소원자수 2~10개의 디아실아미노기(예, 디아세틸아미노), 포스포릴기, 카르복실기, 5원 또는 6원의 헤테로환기(예컨대, 2-벤조티아졸릴, 2-벤조옥사졸릴, 3-피리딜, 5-(1H)-테트라졸릴, 4-피리미딜) 을 열거할 수 있다.

A, B, C, D 및 R은 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 치환기의 예로는 일반식(1)에 있어서의 R로 표시되는 1가의 치환기의 예로서 먼저 열거한 것과 동일한 것을 열거할 수 있다.

광디스크에 사용되는 색소로는 열분해성의 관점으로부터 A와 B, 또는 C와 D가 연결되어 환을 형성하는 것이 바람직하다.

A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나 이거나, 또는 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나인 것이 바람직하다. A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나이고, 또한 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나인 것이 보다 바람직하다.

일반식(7)의 E로 표시되는 치환기로는 상기 A, B, C, D로 표시되는 기와 같은 기가 열거되고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(1)에 있어서, R로 표시되는 메틴탄소 상의 치환기로는, 예컨대 이하에 기재된 것을 열거할 수 있다. 탄소원자수 1~20개의 쇄상 또는 환상 알킬기(예컨대, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸), 탄소원자수 6~18개의 치환 또는 무치환의 아릴기(예컨대, 페닐, 클로로페닐, 아니실, 톨루일, 2,4-디-t-아밀, 1-나프틸), 알케닐기(예컨대, 비닐, 2-메틸비닐), 알키닐기(예컨대, 에티닐, 2-메틸에티닐, 2-페닐에티닐), 할로겐 원자(예컨대, F, Cl, Br, I), 시아노기, 히드록실기, 카르복실기, 아실기(예컨대, 아세틸, 벤조일, 살리실로일, 피발로일), 알콕시기(예컨대, 메톡시, 부톡시, 시클로헥실옥시), 아릴옥시기(예컨대, 페녹시, 1-나프톡시), 알킬티오기(예컨대, 메틸티오, 부틸티오, 벤질티오, 3-메톡시프로필티오), 아릴티오기(예컨대, 페닐티오, 4-클로로페닐티오), 알킬술포닐기(예컨대, 메탄술포닐, 부탄술포닐), 아릴술포닐기(예컨대, 벤젠술포닐, 파라-톨루엔술포닐), 탄소원자수 1~10개의 카르바모일기, 탄소원자수 1~10개의 아미드기, 탄소원자수 2~12개의 이미드기, 탄소원자수 2~10개의 아실옥시기, 탄소원자수 2~10개의 알콕시카르보닐기, 헤테로환기(예컨대, 피리딜, 티에닐, 푸릴, 티아졸릴, 이미다졸릴, 피라졸릴 등의 방향족 헤테로환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 모르폴린환, 피란환, 티오피란환, 디옥산환, 디티올란환 등의 지방족 헤테로환)이다.

R로서 바람직한 것은 할로겐 원자, 탄소원자수 1~8개의 쇄상 또는 환상 알킬기, 탄소원자수 6~10개의 아릴기, 탄소원자수 1~8개의 알콕시기, 탄소원자수 6~10개의 아릴옥시기, 탄소원자수 3~10의 헤테로환기이고, 특히 염소원자, 탄소원자수 1~4개의 알킬기(예: 메틸, 에틸, 이소프로필), 페닐, 탄소원자수 1~4개의 알콕시기(예: 메톡시, 에톡시), 페녹시, 탄소원자수 4~8개의 질소 함유 헤테로환기(예: 4-피리딜, 벤조옥사졸-2-일, 벤조티아졸-2-일)이 바람직하다.

m은 0~1의 정수를 나타내고, 1인 것이 바람직하다.

m=1일 때, A와 B가 연결되어 형성되는 환 및 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-1)와 (Z-2)를 동시에 갖지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는 흡수파장이 440nm 이하의 기록 레이저 파장에 대하여 극단적으로 장파장이 되어버 려 기록에 적합하지 않기 때문이다.

n은 0~2m+1의 정수를 나타내지만, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성해도 좋다. 이 때, 환원의 수는 4~8개가 바람직하고, 특히 5 또는 6개가 바람직하고, 환의 구성원자는 탄소원자, 산소원자 또는 질소원자가 바람직하고, 특히 탄소원자가 바람직하다.

Y^t+는 t가의 양이온을 나타낸다. t는 1~4의 정수를 나타내고, 1~3의 정수인 것이 바람직하고, 2 또는 3인 것이 보다 바람직하고, 2인 것이 더욱 바람직하다.

본 발명에 사용되는 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 음이온 부위의 구체예로는 일본 특허공개 평10-297103호 공보에 기재된 옥소놀 색소의 음이온 부위를 열거할 수 있고, 또 이하의 예시 화합물도 구체예로서 열거되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.

(A-24)~(A-26), (A-45) 및 (A-46)과 같이, 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 음이온 부위가 2개 연결되어 있는 경우에는, 2개의 옥소놀 색소가 연결된 음이온 부위의 수에 대하여, Y^t+의 수는 2/t가 된다.

일반식(8), 일반식(9)에 있어서의 A, B, C, R, m, n, Y^t+, t의 정의는 일반식(1)과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 양이온성 색소에 대해서 설명한다. 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 양이온성 색소의 흡수 극대는 옥소놀 색소의 흡수 극대 파장에도 의하지만, 400nm 이상인 것이 바람직하고, 450nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 500nm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 그 이유는, 바람직한 범위에 있는 양이온성 색소의 쪽이 옥소놀 색소 음이온 부위의 여기상태를 효율적으로 실활시키기 쉽고, 그 결과 내광성의 대폭적인 향상을 기대할 수 있기 때문이거나, 또는 일중항 산소를 효율적으로 실활시키기 때문이다.

옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 양이온성 색소로는 디임모늄, 시아닌, 금속착체의 양이온(예컨대, 아조 화합물, 포르마잔 , 디피로메텐, 포르피린, 프탈로시아닌, 인도아닐린, 이소인돌린, 퀴놀린 퀴논, 페닐렌 디아민 등을 배위자에 갖는 금속착체의 양이온)이 열거된다.

상기 디임모늄으로는, 일본 특허공개 2002-240433호에 열거되어 있는 구조의 것이 열거된다. 디임모늄의 바람직한 구체예로는 이하의 양이온이 열거된다. 또한, 이들은 Y^t+과는 다른 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 색소로도 바람직하다.

시아닌에 대해서 설명한다. 시아닌으로는 복소환식 화합물의 화학(The Chemistry of Heterocycic Compound) 시리즈의 시아닌 색소와 그 주변 화합물(Cyanine Dyes and Related Compounds. John Wjley & Sons. New York, London, 1964년 발행)에 기재된 화합물이 열거된다. 본 발명에 있어서의 시아닌의 바람직한 구체예로는 일본 특허공개 평4-201482호, 일본 특허공개 평5-217219호, 제2811442호, 일본 특허공개 2001-232945호, 일본 특허출원 2000-103547호에 기재된 시아닌의 양이온 부위가 열거된다.

옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 양이온성 색소로는 금속착체의 양이온인 것이 바람직하다. 금속착체에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서의 금속착체란 금속과 배위자가 결합한 화합물을 나타낸다. 금속으로는, 금속원자로서는 Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Ba, Pr, Eu, Yb, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi, Th 등이 열거된다.

금속착체는 전이금속착체인 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 전이금속착체란 전이금속과 배위자가 결합한 화합물을 나타낸다. 전이금속이란 주기율표의 IIIa~VIII 및 Ib에 있고, 불완전 d전자 껍데기를 가지는 원소이다. 전이금속으로는 특별하게 한정되지 않지만, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Re, Pt가 바람직하고, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn이 보다 바람직하고, Mn, Fe, Co, Ni, Cu가 더욱 바람직하고, Co, Ni, Cu가 특히 바람직하다.

배위자로는 배위자 자신의 흡수 극대 파장이 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 파장 보다도 장파장인 것이 바람직하다. 이러한 배위자로는 아조 화합물, 포르마잔 , 디피로메텐, 포르피린, 프탈로시아닌, 인도아닐린, 퀴놀린퀴논 등이 열거된다.

또한, 배위자 자신의 흡수 극대 파장이 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 파장보다도 장파장이 아니어도 금속에 배위함으로써 새로운 전이상태가 발현되어, 형성된 금속착체의 흡수 극대 파장이 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 파장 보다도 장파장으로 되는 경우도 있고, 이러한 경우도 바람직하다. 이러한 배위자의 예 로서 질소 함유 헤테로환 배위자(예컨대, 비피리딜 배위자, 페난트롤린 배 위자, 페닐피리딘 배위자, 피라졸릴피리딘 배위자, 벤즈이미다졸릴피리딘 배위자, 피콜린산 배위자, 티에닐피리딘 배위자, 피라졸릴피리딘 배위자, 이미다졸릴 피리딘 배위자, 트리아졸릴피리딘 배위자, 피라졸릴 벤조옥사졸 배위자, 및 이들의 축환체(예컨대, 페닐퀴놀린 배위자, 벤조티에닐피리딘 배위자, 비퀴놀린 배위자 등) 등이 열거된다.

본 발명에서 사용되는 상기 이외의 배위자로는, 예컨대 「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer-Verlag사 H. Yersin저, 1987년 발행, 「유기금속화학-기초와 응용」쇼카보사사, 야마모토 아키오저, 1982년 발행 등에 기재된 배위자가 열거되고, 그 구체예로서 할로겐 배위자(염소 배위자, 불소 배위자 등), 디케톤 배위자(예컨대, 아세틸아세톤 배위자), 니트릴 배위자(예컨대, 아세토니트릴 배위자 등), CO 배위자, 이소니트릴 배위자(예컨대, t-부틸이소니트릴 배위자 등), 인 배위자(예컨대, 포스핀 유도체, 아인산 에스테르 유도체, 포스피닌 유도체 등), 카르복실산 배위자(예컨대, 아세트산 배위자 등) 등이 열거된다.

부분구조(Z-3)~(Z-14)에 대해서 설명한다. R³은 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. 복수의 R³은 서로 같거나 달라도 좋다. 또한, R³ 상호간은 연결기를 통해서 서로 결합해도 좋다. R³은 치환기인 것이 바람직하다. 치환기로는 특별하게 한정되지 않지만, 상기 R로 표시되는 치환기와 동일한 것이 열거된다.

일반식(2)에 대해서 설명한다. M^m3+으로는 Mg²⁺, Al³⁺, Mn²⁺, Fe²⁺, Fe³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺, Zn²⁺, Ga³⁺, Ru²⁺, Rh³⁺, Pd²⁺, Os²⁺, Ir³⁺, Pt²⁺ 등이 열거되고, Mg²⁺, Al³⁺, Mn²⁺, Fe²⁺, Fe³⁺, Co²⁺, Co³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺, Zn²⁺, Ru²⁺인 것이 바람직하고, Mn²⁺, Fe²⁺, Fe³⁺, Co²⁺, Co³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺, Zn²⁺인 것이 보다 바람직하고, Mn²⁺, Fe²⁺, Fe³⁺, Co²⁺, Co³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺인 것이 더욱 바람직하고, Co²⁺, Co³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺인 것이 특히 바람직하다.

일반식(2)에 있어서, R³² 및 R³⁵로 표시되는 치환기의 바람직한 예로는 탄소원자수 1~20개의 알킬기, 탄소원자수 6~14개의 아릴기, 탄소원자수 1~10개의 헤테로환기, 탄소원자수 1~20개의 알콕시기, 탄소원자수 6~14개의 아릴옥시기, 탄소원자수 1~20개의 알킬술페닐기, 탄소원자수 6~14개의 아릴술페닐기, 탄소원자수 1~20개의 알킬술포닐기, 탄소원자수 6~14개의 아릴술포닐기, 탄소원자수 2~21개의 아실기, 탄소원자수 1~25개의 카르바모일기, 탄소원자수 0~32개의 술파모일기, 탄소원자수 1~20개의 알콕시카르보닐기, 탄소원자수 7~15개의 아릴옥시카르보닐기, 탄소원자수 2~21개의 아실아미노기, 탄소원자수 1~20개의 술포닐아미노기, 탄소원자수 0~32개의 아미노기, 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 카르복시기, 술포기 및 할로겐 원자를 열거할 수 있지만, 더욱 바람직한 것은 탄소원자수 1~16개의 알킬기, 탄소원자수 6~10개의 아릴기, 탄소원자수 1~7개의 헤테로환기, 탄소원자수 1~16개의 알콕시기, 탄소원자수 6~10개의 아릴옥시기, 탄소원자수 1~16개의 알킬술포닐기, 탄소원자수 6~10개의 아릴술포닐기, 탄소원자수 2~17개의 아실기, 탄소원자수 1~19개의 카르바모일기, 탄소원자수 0~20개의 술파모일기, 탄소원자수 1~17개의 알콕시카르보닐기, 탄소원자수 7~11개의 아릴옥시카르보닐기, 탄소원자수 2~17개의 아실아미노기, 탄소원자수 1~16개의 술포닐아미노기, 탄소원자수 0~16개의 아미노기, 시아노기, 카르복시기, 술포기 및 할로겐 원자이고, 특히 바람직한 것은 탄소원자수 1~12개의 알킬기, 탄소원자수 1~5개의 질소 함유 헤테로환기, 탄소원자수 1~12개의 알콕시기, 탄소원자수 1~15개의 카르바모일기, 탄소원자수 1~13개의 알콕시카르보닐기, 탄소원자수 2~13개의 아실아미노기 및 할로겐 원자이다. q가 2 이상의 정수일 경우에는, R² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. 또한, R³²는 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다.

일반식(2)에 있어서, R³³ 또는 R³⁴로 표시되는 알킬기로서 바람직한 것은 탄소원자수 1~20개의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 탄소원자수 1~16개의 알킬기이고, 특히 탄소원자수 1~12개의 알킬기가 바람직하다. 일반식(3)에 있어서, R³³ 또는 R³⁴로 표시되는 아릴기로서 바람직한 것은 탄소원자수 6~14개의 아릴기이고, 더욱 바람직하게는 탄소원자수 6~10개의 아릴기이고, 특히 페닐이 바람직하다. 일반식(3)에 있어서, R³³ 또는 R³⁴로 표시되는 헤테로환기로서 바람직한 것은 탄소원자수 1~10개의 헤테로환기이고, 더욱 바람직하게는 탄소원자수 1~7개의 헤테로환기이고, 특히 탄소원자수 1~5개의 질소 함유 헤테로환기가 바람직하다. 또한 R³³, R³⁴는 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다.

일반식(2)에 있어서, R³³ 및 R³⁴는 양쪽 모두 탄소원자수 1~5개의 알킬기인 경우가 가장 바람직하고, R³³과 R³⁴, R³²와 R³³, 또는 R³²와 R³⁴가 서로 연결되어 환을 형성하는 경우, 그 환원의 수는 5 또는 6이 바람직하다.

일반식(2)에 있어서, q1은 0~2가 바람직하고, 0~1이 더욱 바람직하다. q2는 0 또는 1이 바람직하고, 1이 보다 바람직하다. t3은 1~3이 바람직하고, 2 또는 3이 더욱 바람직하다.

일반식(2)에 있어서, R³²로 표시되는 치환기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 그 치환기의 예로는 이하에 기재된 것을 열거할 수 있다. 상기 치환기의 예로는 탄소원자수 1~20개의 쇄상 또는 환상 알킬기(예컨대, 메틸, 에틸, 이소프로필, 시클로헥실), 탄소원자수 6~18개의 아릴기(예컨대, 페닐, 클로로페닐, 2,4-디-t-아밀페닐, 1-나프틸), 탄소원자수 7~18개의 아랄킬기(예컨대, 벤질, 아니실), 탄소원자수 2~20개의 알케닐기(예컨대, 비닐, 2-메틸비닐), 탄소원자수 2~20개의 알키닐기(예컨대, 에티닐, 2-메틸에티닐, 2-페닐에티닐), 할로겐 원자(예컨대, F, Cl, B, Ir, I), 시아노기, 히드록실기, 카르복실기, 탄소원자수 2~20개의 아실기(예컨대, 아세틸, 벤조일, 살리실로일, 피발로일), 탄소원자수 1~20개의 알콕시기(예컨대, 메톡시, 부톡시, 시클로헥실옥시), 탄소원자수 6~20개의 아릴옥시기(예컨대, 페녹시, 1-나프톡시, 톨루오일), 탄소원자수 1~20개의 알킬티오기(예컨대, 메틸티오, 부틸티오, 벤질티오, 3-메톡시프로필티오), 탄소원자수 6~20개의 아릴티오기(예컨대, 페닐티오, 4-클로로페닐티오), 탄소원자수 1~20개의 알킬술포닐기(예컨대, 메탄 술포닐, 부탄 술포닐), 탄소원자수 6~20개의 아릴술포닐기(예컨대, 벤젠 술포닐, 파라톨루엔 술포닐), 탄소원자수 1~17개의 카르바모일기(예컨대, 무치환의 카르바모일, 메틸카르바모일, 에틸카르바모일, n-부틸카르바모일, 디메틸카르바모일), 탄소원자수 1~16개의 아미드기(예컨대, 아세트아미드, 벤즈아미드), 탄소원자수 2~10개의 아실옥시기(예컨대, 아세톡시, 벤조일옥시), 탄소원자수 2~10개의 알콕시카르보닐기(예컨대, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐), 5 또는 6원의 헤테로환기(예컨대, 피리딜, 티에닐, 푸릴, 티아졸릴, 이미다졸릴, 피라졸릴 등의 방향족 헤테로환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 모르폴린환, 피란환, 티오피란환, 디옥산환, 디티올란환 등의 헤테로환)이 열거된다.

일반식(2)에 있어서, R³²로 표시되는 치환기의 치환기로서 보다 바람직한 것은 탄소원자수 1~16개의 쇄상 또는 환상 알킬기, 탄소원자수 6~14개의 아릴기, 탄소원자수 1~16개의 알콕시기, 탄소원자수 6~14개의 아릴옥시기, 할로겐 원자, 탄소원자수 2~17개의 알콕시카르보닐기, 탄소원자수 1~10개의 카르바모일기, 탄소원자수 1~10개의 아미드기, 탄소원자수 1~16개의 알킬술포닐기, 탄소원자수 6~10개의 아릴술포닐기이고, 그 중에서도 바람직한 것은 탄소원자수 1~10개의 쇄상 또는 환 상 알킬기, 탄소원자수 7~13개의 아랄킬기, 탄소원자수 6~10개의 아릴기, 탄소원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소원자수 6~10개의 아릴옥시기, 염소원자, 탄소원자수 2~11개의 알콕시카르보닐기, 탄소원자수 1~7개의 카르바모일기, 탄소원자수 1~8개의 아미드기, 탄소원자수 1~12개의 알킬술포닐기, 페닐술포닐기이고, 특히 바람직한 것은 탄소원자수 3~10개의 쇄상 분기 또는 환상 알킬기, 탄소원자수 1~8개의 알콕시기, 탄소원자수 3~9개의 알콕시카르보닐기, 페닐기, 탄소원자수 1~8개의 알킬술포닐기이다.

본 발명에 사용되는 일반식(2)으로 표시되는 금속착체의 양이온의 구체예로는 다음의 구체예를 열거할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

일반식(3)에 대해서 설명한다. 일반식(3) 중의 M^m3+은 일반식(2) 중의 M^m3+과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(3) 중의 R³² 및 R³⁵는 일반식(2) 중의 R³² 및 R³⁵과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(3) 중의 R³³ 및 R³⁴는 일반식(2) 중의 R³³ 및 R³⁴와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

Q₃은 질소 함유 헤테로환을 형성하는 기를 나타낸다. Q₃으로는 특별하게 한정되지 않지만, Q₃에 의해 5~7원환을 형성하는 것이 바람직하고, 5 또는 6원환을 형성하는 것이 보다 바람직하고, 6원환을 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 연결기로는 특별하게 한정되지 않지만, 치환 또는 무치환의 알킬렌, 치환 또는 무치환의 알케닐렌이 바람직하다.

일반식(3) 중의 q1 및 q2는 일반식(2) 중의 q1 및 q2와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(3) 중의 t3은 일반식(2) 중의 t3과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

본 발명에 사용되는 일반식(3)으로 표시되는 금속착체의 양이온의 구체예로는 일본 특허공개 2004-90564호 공보의 구체예로서 인용 및 기재되어 있는 화합물의 양이온 성분 이외에, 이하의 구체예를 열거할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

일반식(4) 및 일반식(10)에 대해서 설명한다. 일반식(4) 및 (10) 중의 M^m3+은 일반식(2) 중의 M^m3+과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(4) 및 (10) 중의 R³² 및 R³⁵는 일반식(2) 중의 R³² 및 R³⁵과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(4) 및 (10) 중의 q2는 일반식(2) 중의 q2와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(4) 및 (10) 중의 q3은 0~3의 정수를 나타내고, 0~2가 바람직하고, 1~2가 보다 바람직하고, 1이 더욱 바람직하다.

일반식(4) 및 (10) 중의 t3은 일반식(2) 중의 t3와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(4) 및 (10)의 구체예로는 이하의 금속착체의 양이온이 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

일반식(5) 및 (11)에 대해서 설명한다. 일반식(5) 및 (11) 중의 M^m3+은 일반식(2) 중의 M^m3+과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(5) 및 (11) 중의 R³², R³⁵ 및 R³⁶은 일반식(2) 중의 R³² 및 R³⁵과 동일 한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(5) 및 (11) 중의 R³³ 및 R³⁴는 일반식(2) 중의 R³³ 및 R³⁴와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(5) 및 (11) 중의 q1은 일반식(2) 중의 q1과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(5) 및 (11) 중의 q4는 0~4의 정수를 나타내고, 0~3이 바람직하고, 0~2가 보다 바람직하고, 0~1이 더욱 바람직하고, 0이 특히 바람직하다.

일반식(5) 및 (11) 중의 q5는 0~3의 정수를 나타내고, 0~2가 바람직하고, 0~1이 보다 바람직하고, 0이 더욱 바람직하다.

일반식(5) 및 (11) 중의 t3은 일반식(2) 중의 t3과 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(5) 및 (11)의 구체예로는 이하의 금속착체의 양이온이 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

상기 일반식(5) 및 (11) 중의 S원자가 O원자로 치환된 금속착체의 양이온도 일반식(5) 및 (11)과 동일한 성능을 나타내는 것을 기대할 수 있어 바람직하다.

상기 카운터 양이온 Y^t+로는 상기 금속착체의 양이온 이외에도 이하와 같은 페닐렌디아민 착체가 열거된다.

일반식(1)의 옥소놀 색소의 음이온 부위는 m=1인 것이 바람직하고, m=1이고 또한 A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나이고, 또한 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나인 것이 보다 바람직하고, m=1이고, 또한 A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나이고, 또한 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나이고, 또한 흡수 극대가 415nm 이상 500nm 이하인 것이 더욱 바람직하다.

Y^t+는 금속착체의 양이온인 것이 바람직하고, 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것이 보다 바람직하고, 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체의 양이온이고, 또한 M^m3+가 Co²⁺, Co³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺인 금속착체의 양이온이 더욱 바람직하다.

일반식(1)은 m=1이고, 또한 Y^t+가 금속착체의 양이온인 것이 바람직하고, m=1이고, 또한 A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나이고, 또한 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나이고, 또한 Y^t+가 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것이 보다 바람직하고, m=1이고, 또한 A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나이고, 또한 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나이고, 또한 흡수 극대가 415nm 이상 500nm 이하이고, 또한 Y^t+가 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체의 양이온이고, 또한 M^m3+가 Co²⁺, Co³⁺, Ni²⁺, Ni³⁺, Cu²⁺인 것이 더욱 바람직하다.

상기 카운터 양이온 Y^t+와는 별개로 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 색소를 함유하는 것도 바람직하다. 이러한 색소로서 상기 디임모늄, 상기 금속착체의 양이온을 포함하는 색소가 보다 바람직하고, 상기 금속착체의 양이온인 것이 더욱 바람직하다.

상기 카운터 양이온 Y^t+와는 별개로 금속착체를 함유하는 경우, 상기 카운터 양이온과는 다른 금속착체는 350~1300nm의 파장 영역에서의 몰흡광 계수(ε)가 1,000dm³mol^-1cm^-1 이하인 금속착체이거나, 또는 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 금속착체 색소를 함유해도 좋다.

350~1300nm의 파장 영역에서의 몰흡광 계수(ε)가 10,000dm³mol^-1cm^-1 이하인 금속착체의 바람직한 구체예로는 이하의 화합물이 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

상기 카운터 양이온 Y^t+와는 별개로 금속착체를 함유하는 경우, 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 금속착체 색소를 함유하는 경우가 바람직하다.

상기 카운터 양이온과는 별개로 금속착체를 함유하는 경우, 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 금속착체 색소는 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체, 아조 착체, 살리실알데히드 착체, 포르마잔 착체 중 어느 하나인 것이 바람직하고, 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체, 아조 착체, 살리실알데히드 착체인 것이 보다 바람직하고, 일반식(2)~일반식(5), (10), (11)으로 표시되는 금속착체, 아조 착체인 것이 더욱 바람직하고, 아조 착체인 것이 특히 바람직하다.

아조 금속착체의 바람직한 구체예로는 이하의 화합물이 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

살리실알데히드 배위자를 갖는 금속착체의 바람직한 구체예로는 이하의 화합물이 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

포르마잔 착체의 바람직한 구체예로는 이하의 화합물이 열거된다.

상기 카운터 양이온과는 다른 금속착체에 대해서, 상기 이외의 금속착체로서 이하의 화합물이 열거된다. 단, 본 발명에 있어서의 금속착체는 이것들에 한정되는 것은 아니다.

일반식(1)의 옥소놀 색소 음이온 부위는 일반식(6)으로 표시되는 것도 바람직하다. 일반식(6)에 대해서 설명한다. 일반식(6) 중의 A, C는 일반식(1) 중의 A, C와 동일한 의미이다.

G, J, K, V는 치환기를 나타낸다. 치환기로는 특별하게 한정되지 않지만, A 또는 C와 연결기를 통해서 축환 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 축환 구조로는 특별하게 한정되지 않지만, 바람직하게는 5원환+5원환 또는 5원환+6원환이고, 더욱 바람직하게는 5원환+5원환이다. 형성되는 환구조는 방향족환인 것이 바람직하다.

일반식(6) 중의 R, n, Y^t+, t는 일반식(1) 중의 R, n, Y^t+, t와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.

일반식(6) 중의 m은 0~1의 정수를 나타내고, 0이 바람직하다.

일반식(6)은 이하의 구조(Z-13), (Z-14)로 표시되는 옥소놀 색소 음이온인 것이 바람직하다.

[식중, R⁴는 수소원자 또는 치환기를 나타내고, 치환기인 것이 바람직하다. 복수의 R⁴는 서로 같거나 달라도 좋다.]

R⁴로 표시되는 치환기로는 상기 R에서 열거한 치환기가 열거된다.

일반식(6)으로 표시되는 옥소놀 색소 음이온 부위는 이하의 예시 화합물도 구체예로서 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

일반식(1)의 구체예로는 이하의 화합물 및 표 1에 나타내는 화합물이 열거되지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.

상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 병용되는 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소로는 옥소놀 색소가 바람직하다. 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 병용되는 옥소놀 색소에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서 옥소놀 색소란, 음이온성 발색단을 갖는 폴리메틴 색소로 정의한다. 기록 특성이 우수한 점에서, 하기 일반식(I)으로 표시되는 옥소놀 색소가 특히 적합하게 사용된다.

일반식(I)

식중, A, B, C 및 D는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이고, A와 B 또는 C와 D는 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~3의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, Y^t+은 t가의 양이온을 나타내고, t는 1~10의 정수를 나타낸다.

일반식(I)은 음이온의 국재 위치의 표기의 차이에 의한 복수의 토토머를 포함하는 것이지만, 특히 A, B, C, D 중 어느 하나가 -CO-E(E는 치환기)일 경우, 산소원자 상에 음전하를 국재시켜서 표기하는 것이 일반적이다. 예컨대, D가 -CO-E일 경우, 표기로는 하기 일반식(II)이 일반적이고, 이러한 표기의 것도 일반식(I)에 포함된다.

일반식(II)

일반식(II)에 있어서의 A, B, C, R, m, n, Y^t+, t의 정의는 일반식(I)과 동일하다.

이하, 상기 일반식(I)으로 표시되는 옥소놀 색소에 대해서 설명한다. 일반식(II)에 있어서, A, B, C 및 D는 A와 B의 하멧의 치환기 정수 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 치환기 정수 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기를 나타낸다. A, B, C 및 D는 각각 동일하여도 좋고, 또한 달라도 좋다. 또한, A와 B,또는 C와 D는 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. A, B, C 및 D로 표시되는 전자흡인성 기의 하멧의 치환기 정수 σp치는 각각 독립적으로 0.30~0.85의 범위에 있는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.35~0.80의 범위이다.

하멧의 치환기 정수 σp치(이하, σp치라고 함)는, 예컨대 Chem. Rev. 91, 165(1991) 및 이것에 인용되어 있는 참고 문헌에 기재되고 있고, 기재되어 있지 않는 것에 대해서도 동 문헌에 기재된 방법에 의해 구하는 것이 가능하다. A와 B(C와 D)가 연결되어 환을 형성하고 있는 경우, A(C)의 σp치는 -A-B-H(-C-10D-H)기의 σp치를 의미하고, B(D)의 σp치는 -B-A-H(-D-C-H)기의 σp치를 의미한다. 이 경우, 양자는 결합의 방향이 다르기 때문에 σp치는 다르다.

A, B, C 및 D로 표시되는 전자흡인성 기의 바람직한 구체예로는 시아노기, 니트로기, 탄소원자수 1~10개의 아실기(예, 아세틸, 프로피오닐, 부티릴, 피발로일, 벤조일), 탄소원자수 2~12개의 알콕시카르보닐기(예, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 이소프로폭시카르보닐, 부톡시카르보닐, 데실옥시카르보닐), 탄소원자수7~11개의 아릴옥시카르보닐기(예, 페녹시카르보닐), 탄소원자수 1~10개의 카르바모일기(예, 메틸카르바모일, 에틸카르바모일, 페닐카르바모일), 탄소원자수 1~10개의 알킬술포닐기(예, 메탄술포닐), 탄소원자수 6~10개의 아릴술포닐기(예, 벤젠술포닐), 탄소원자수 1~10개의 알콕시술포닐기(예, 메톡시술포닐), 탄소원자수 1~10개의 술파모일기(예, 에틸술파모일, 페닐술파모일), 탄소원자수 1~10개의 알킬술피닐기(예, 메탄술피닐, 에탄술피닐), 탄소원자수 6~10개의 아릴술피닐기(예, 벤젠술피닐), 탄소원자수 1~10개의 알킬술페닐기(예, 메탄술페닐, 에탄술페닐), 탄소원자수 6~10개의 아릴술페닐기(예, 벤젠술페닐), 할로겐 원자, 탄소원자수 2~10개의 알키닐기(예, 에티닐), 탄소원자수 2~10개의 디아실아미노기(예, 디아세틸아미노), 포스포릴기, 카르복실기, 5원 또는 640원의 헤테로환기(예컨대, 2-벤조티아졸릴, 2-벤조옥사졸릴, 3-피리딜, 5-(1H)-테트라졸릴, 4-피리미딜)을 열거할 수 있다.

일반식(I)에 있어서, R로 표시되는 메틴탄소 상의 치환기로는, 예컨대 이하에 기재된 것을 열거할 수 있다. 탄소원자수 1~20개의 쇄상 또는 환상 알킬기(예컨대, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸), 탄소원자수 6~18개의 치환 또는 무치환의 아릴기(예컨대, 페닐, 클로로페닐, 아니실, 톨루일, 2,4-디-t-아밀, 1-나프틸), 알케닐기(예컨대, 비닐, 2-메틸비닐), 알키닐기(예컨대, 에티닐, 2-메틸에티닐, 2-페닐에티닐), 할로겐 원자(예컨대, F, Cl, Br, I), 시아노기, 히드록실기, 카르복실기, 아실기(예컨대, 아세틸, 벤조일, 살리실로일, 피발로일), 알콕시기(예컨대, 메톡시, 부톡시, 시클로헥실옥시), 아릴옥시기(예컨대, 페녹시, 1-나프톡시), 알킬티오기(예컨대, 메틸티오, 부틸티오, 벤질티오, 3-메톡시프로필티오), 아릴티오기(예컨대, 페닐티오, 4-클로로페닐티오),

알킬술포닐기(예컨대, 메탄 술포닐, 부탄 술포닐), 아릴술포닐기(예컨대, 벤젠 술포닐, 파라톨루엔 술포닐), 탄소원자수 1~10개의 카르바모일기, 탄소원자수 1~10개의 아미드기, 탄소원자수 2~12개의 이미드기, 탄소원자수 2~10개의 아실옥시기, 탄소원자수 2~10개의 알콕시카르보닐기, 헤테로환기(예컨대, 피리딜, 티에닐, 푸릴, 티아졸릴, 이미다졸릴, 피라졸릴 등의 방향족 헤테로환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 모르폴린환, 피란환, 티오피란환, 디옥산환, 디티올란환 등의 지방족 헤테로환)이다.

n은 0~2m+1의 정수를 나타내지만, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성해도 좋다. 이 때, 환원의 수는 4~8원이 바람직하고, 특히 5원 또는 6원이 바람직하고, 환의 구성 원자는 탄소원자, 산소원자 또는 질소원자가 바람직하고, 특히 탄소원자가 바람직하다.

A, B, C, D 및 R은 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 치환기의 예로는 일반식(I)에 있어서의 R로 표시되는 1가의 치환기의 예로서 먼저 열거한 것과 동일한 것을 열거할 수 있다.

광디스크에 사용되는 병용되는 옥소놀 색소로는 열분해성의 관점으로부터 A와 B, 또는 C와 D가 연결되어 환을 형성하는 것이 바람직하고, 이러한 환의 예로서 이하와 같은 것이 열거된다. 또한, 예시 중 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환기를 나타낸다.

바람직한 환은 AA-8, AA-9, AA-10, AA-11, AA-12, AA-13, AA-14, AA-17, AA-36, AA-39, AA-41, 및 AA-57로 표시되는 것이다. 더욱 바람직하게는, AA-8, AA-9, AA-10, AA-13, AA-14, AA-17 및 AA-57로 표시되는 것이다. 가장 바람직하게는, AA-9, AA-10, AA-13, AA-17 및 AA-57로 표시되는 것이다.

RA, Rb 및 Rc로 표시되는 치환기는 각각 상기 R로 표시되는 치환기로서 열거한 것과 동일한 의미이다. 또한, Ra, Rb 및 Rc는 각각 서로 연결되어 탄소환 또는 복소환을 형성해도 좋다. 탄소환으로는, 예컨대 시클로헥실환, 시클로펜틸환, 시클로헥센환, 및 벤젠환 등의 포화 또는 불포화의 4~7원 탄소환을 열거할 수 있다. 또한, 복소환으로는, 예컨대 피페리딘환, 피페라진환, 모르폴린환, 테트라히드로푸란환, 푸란환, 티오펜환, 피리딘환, 및 피라진환 등의 포화 또는 불포화의 4~7원 복소환을 열거할 수 있다. 이들 탄소환 또는 복소환은 더 치환되어 있어도 좋다. 더 치환할 수 있는 기로는 상기 R로 표시되는 치환기로서 열거한 것과 동일한 의미이다.

일반식(I)에 있어서, m은 0~3의 정수이지만, 이 m의 값에 따라 상기 옥소놀 색소의 흡수파장이 크게 변화한다. 기록재생에 사용하는 레이저의 발진파장에 따라 최적의 흡수파장의 색소를 설계할 필요가 있지만, 이 점에 있어서 m의 값의 선택이 중요하다. 기록재생에 사용하는 레이저의 중심 발진파장이 780nm인 경우(CD-R 기록용 반도체 레이저), 일반식(I)에 있어서 m은 2 또는 3이 바람직하고, 중심 발진파장이 635nm 또는 650nm인 경우(DVD-R 기록용의 반도체 레이저), m은 1 또는 2가 바람직하고, 중심 발진파장이 550nm 이하인 경우(예컨대, 중심 발진파장 405nm의 청자색 반도체 레이저)는 m은 0 또는 1이 바람직하다.

본 발명의 광정보 기록매체는 이하에 나타내는 형태가 바람직하다.

형태(1): 두께 0.7~2mm의 기판 상에 색소를 함유하는 추기형 기록층과, 두께 0.01~0.5mm의 커버층을 기판측으로부터 순차적으로 갖는 광정보 기록매체

형태(2): 두께 0.1~1.0mm의 기판 상에 색소를 함유하는 추기형 기록층과 두께 0.1 ~1.0mm의 보호기판을 기판측으로부터 순차적으로 갖는 광정보 기록매체

상기 형태(1)에 있어서는 기판에 형성되는 프리그루브의 트랙피치가 200~500nm, 홈폭이 25~250nm, 홈깊이가 5~150nm인 것이 바람직하고, 상기 형태(2)에 있어서는 기판에 형성되는 프리그루브의 트랙피치가 200~600nm, 홈폭이 50~300nm, 홈깊이가 30~150nm이고, 워블 진폭이 5~50nm인 것이 바람직하다.

상기 형태(1)의 광정보 기록매체는 적어도 기판, 추기형 기록층, 및 커버층을 갖는 형태이고, 이것들을 구성하는 재료에 대해서 순차적으로 설명한다.

[형태(1)의 기판]

형태(1)의 기판에는 트랙피치, 홈폭(반치폭), 홈깊이, 및 워블 진폭 모두가 하기의 범위인 형상을 갖는 프리그루브(안내홈)가 형성되어 있는 것이 필수이다. 이 프리그루브는 CD-R나 DVD-R과 비교해서 보다 높은 기록밀도를 달성하기 위해서 형성한 것이고, 예컨대 본 발명의 광정보 기록매체를 청자색 레이저에 대응하는 매체로서 사용할 경우에 바람직하다.

프리그루브의 트랙피치는 200~500nm의 범위인 것이 필수이고, 상한치가 420nm 이하인 것이 바람직하고, 370nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 330nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한 하한치는 260nm 이상인 것이 바람직하다. 트랙피치가 200nm 미만에서는 프리그루브를 정확하게 형성하는 것이 곤란해짐과 아울러, 크로스 토크의 문제가 발생하는 일이 있고, 500nm를 초과하면 기록밀도가 저하하는 문제가 생기는 경우가 있다.

프리그루브의 홈폭(반치폭)은 25~250nm의 범위인 것이 필수이고, 상한치가 240nm 이하인 것이 바람직하고, 230nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 220nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한 하한치는 50nm 이상인 것이 바람직하고, 80nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 100nm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 프리그루브의 홈폭이 25nm 미만에서는 성형시에 홈이 충분하게 전사되지 않거나 기록의 에러율이 높아지거나 하는 일이 있고, 250nm를 초과하면 마찬가지로 성형시에 홈이 충분하게 전사되지 않거나, 기록시에 형성되는 피트가 넓어져 버려 크로스 토크의 원인이 되는 경우가 있다.

프리그루브의 홈깊이는 5~150nm의 범위인 것이 필수이고, 상한치가 85nm 이하인 것이 바람직하고, 80nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 75nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한 하한치는 10nm 이상인 것이 바람직하고, 20nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 28nm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 프리그루브의 홈깊이가 5nm 미만에서는 충분한 기록 변조도가 얻어지지 않는 경우가 있고, 150nm를 초과하면 반사율이 대폭 저하하는 경우가 있다.

또한, 프리그루브의 홈경사 각도는 상한치가 80°이하인 것이 바람직하고, 75°이하인 것이 보다 바람직하고, 70°이하인 것이 더욱 바람직하고, 65°이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 하한치는 20°이상인 것이 바람직하고, 30°이상인 것이 보다 바람직하고, 40°이상인 것이 더욱 바람직하다.

프리그루브의 홈경사 각도가 20°미만에서는 충분한 트랙킹 에러 신호 진폭이 얻어지지 않는 경우가 있고, 80 °을 초과하면 성형이 곤란하게 된다.

본 발명에 사용되는 기판으로는 종래의 광정보 기록매체의 기판재료로서 사용되고 있는 각종의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있다.

구체적으로는, 유리; 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴수지; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지; 에폭시 수지; 비결정질 폴리올레핀; 폴리에스테르; 알루미늄 등의 금속; 등을 열거할 수 있고, 소망에 따라 이들을 병용해도 좋다.

상기 재료 중에서는 내습성, 치수안정성 및 저가격 등의 점에서, 비결정질 폴리올레핀, 폴리카보네이트 등의 열가소성 수지가 바람직하고, 폴리카보네이트가 특히 바람직하다. 이들 수지를 사용했을 경우, 사출성형을 이용하여 기판을 제조할 수 있다.

또한, 기판두께는 0.7~2mm의 범위인 것을 요하고, 0.9~1.6mm의 범위인 것이 바람직하고, 1.0~1.3mm으로 하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 후술하는 광반사층이 형성되는 측의 기판표면에는 평면성의 개선, 접착력의 향상의 목적에서, 언더코트층을 형성하는 것이 바람직하다.

언더코트층의 재료로는, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 아크릴산·메타크릴산 공중합체, 스티렌·무수 말레산 공중합체, 폴리비닐알콜, N-메티롤아크릴아미드, 스티렌·비닐톨루엔 공중합체, 클로로술폰화 폴리에틸렌, 니트로셀룰로오스, 폴리염화비닐, 염소화 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리이미드, 아세트산비닐·염화비닐 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트 등의 고분자 물질; 실란커플링제 등의 표면개질제;를 열거할 수 있다.

언더코트층은 상기 재료를 적당한 용제에 용해 또는 분산시켜서 도포액을 조제한 후, 이 도포액을 스핀 코트, 딥 코트, 압출 등의 도포법에 의해 기판 표면에 도포함으로써 형성할 수 있다.

언더코트층의 층두께는 일반적으로 0.005~20㎛의 범위에 있고, 바람직하게는 0.01~10㎛의 범위이다.

[형태(1)의 추기형 기록층]

형태(1)의 추기형 기록층은 색소를 결합제 등과 함께 적당한 용제에 용해하여 도포액을 조제하고, 이어서 이 도포액을 기판 상에 또는 후술하는 광반사층 상에 도포해서 도막을 형성한 후, 건조함으로써 형성된다. 여기에서, 추기형 기록층은 단층이어도 또는 중층이어도 좋고, 중층 구조의 경우 도포액을 도포하는 공정이 복수회 행해지게 된다.

도포액 중의 색소의 농도는 일반적으로 0.01~15질량%의 범위이고, 바람직하게는 0.1~10질량%의 범위, 더욱 바람직하게는 0.5~5질량%의 범위, 가장 바람직하게는 0.5~3질량%의 범위이다.

도포액의 조제에 사용하는 용제로는, 예컨대 아세트산 부틸, 락트산 에틸, 셀로솔브 아세테이트 등의 에스테르; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤; 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화 탄화수소; 디메틸포름아미드 등의 아미드; 메틸시클로헥산 등의 탄화수소; 테트라히드로푸란, 에틸에테르, 디옥산 등의 에테르; 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올 디아세톤알콜 등의 알콜; 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올 등의 불소계 용제; 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 글리콜 에테르류; 등을 열거할 수 있다.

용제는 사용하는 색소의 용해성을 고려해서 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 도포액 중에는 산화방지제, UV 흡수제, 가소제, 윤활제 등 각종의 첨가제를 목적에 따라서 더 첨가해도 좋다.

도포방법으로는 스프레이법, 스핀코트법, 딥법, 롤코트법, 블래이드 코트법, 닥터롤법, 스크린 인쇄법 등을 열거할 수 있다.

도포시, 도포액의 온도는 23~50℃의 범위인 것이 바람직하고, 24~40℃의 범위인 것이 보다 바람직하고, 그 중에서도 24~37℃의 범위인 것이 특히 바람직하다.

추기형 기록층의 두께는 랜드(상기 기판에 있어서 볼록부) 상에서 300nm 이하인 것이 바람직하고, 250nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 200nm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 180nm 이하인 것이 특히 바람직하다. 하한치로는 1nm 이상인 것이 바람직하고, 3nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 5nm 이상인 것이 더욱 바람직하고, 7nm 이상인 것이 특히 바람직하다.

또한, 추기형 기록층의 두께는 그루브상(상기 기판에 있어서 오목부)에서 400nm 이하인 것이 바람직하고, 300nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 250nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 하한치로는 10nm 이상인 것이 바람직하고, 20nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 25nm 이상인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 랜드상의 추기형 기록층의 두께/그루브상의 추기형 기록층의 두께의 비는 0.1 이상인 것이 바람직하고, 0.13 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.15 이상인 것이 더욱 바람직하고, 0.17 이상인 것이 특히 바람직하다. 상한치로는 1 미만인 것이 바람직하고, 0.9 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.85 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.8 이하인 것이 특히 바람직하다.

도포액이 결합제를 함유하는 경우, 상기 결합제의 예로는 젤라틴, 셀룰로오스 유도체, 덱스트란, 로진, 고무 등의 천연 유기 고분자 물질; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이소부틸렌 등의 탄화수소계 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐·폴리아세트산비닐 공중합체 등의 비닐계 수지, 폴리아크릴산메틸, 폴리메타크릴산메틸 등의 아크릴수지, 폴리비닐알콜, 염소화 폴리에틸렌, 에폭시 수지, 부티랄 수지, 고무 유도체, 페놀·포름알데히드 수지 등의 열경화성 수지의 초기 축합물 등의 합성 유기 고분자;를 열거할 수 있다. 추기형 기록층의 재료로서 결합제를 병용할 경우에, 결합제의 사용량은 일반적으로 색소에 대하여 0.01배량~50배량(질량비)의 범위에 있고, 바람직하게는 0.1배량~5배량(질량비)의 범위에 있다.

또한, 추기형 기록층에는 추기형 기록층의 내광성을 더욱 향상시키기 위해서 각종의 퇴색 방지제를 함유시킬 수 있다. 퇴색 방지제로는 일반적으로 일중항 산소켄처가 사용된다. 본 발명에 있어서도, 이 일중항 산소켄처를 혼합시킴으로써 내광성의 향상을 더욱 기대할 수 있다. 일중항 산소켄처로는 상기 특허문헌 1에 기재된 것을 이용할 수 있다.

상기 일중항 산소켄처 등의 퇴색 방지제의 사용량은 색소의 양에 대하여 통상 0.1~50질량%의 범위이고, 바람직하게는 0.5~45질량%의 범위, 더욱 바람직하게는 3~40질량%의 범위, 특히 바람직하게는 5~25질량%의 범위이다.

[형태(1)의 커버층]

형태(1)의 커버층은 상술한 추기형 기록층 또는 후술하는 배리어층 상에 접착제나 점착재를 통해서 접합된다.

커버층으로는 투명한 재질의 필름이면 특별하게 한정되지 않지만, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지; 에폭시 수지; 비결정질 폴리올레핀; 폴리에스테르; 3아세트산 셀룰로오스 등을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 폴리카보네이트 또는 3아세트산 셀룰로오스를 사용하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 「투명」이란, 기록 및 재생에 사용할 수 있는 광에 대하여 투과율 80% 이상인 것을 의미한다.

또한, 커버층은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 각종의 첨가제가 함유되어 있어도 좋다. 예컨대, 파장 400nm 이하의 광을 커트하기 위한 UV흡수제 및/또는 500nm 이상의 광을 커트하기 위한 색소가 함유되어 있어도 좋다.

또한, 커버층의 표면물성으로는 표면조도가 2차원 조도 파라미터 및 3차원 조도 파라미터 모두 5nm 이하인 것이 바람직하다.

또한, 기록 및 재생에 사용되는 광의 집광도의 관점에서 커버층의 복굴절은 10nm 이하인 것이 바람직하다.

커버층의 두께는 기록 및 재생을 위해 조사되는 레이저광의 파장이나 NA에 따라 적당하게 규정되지만, 본 발명에 있어서는 0.01~0.5mm의 범위내이고, 0.05~0.12mm의 범위인 것이 보다 바람직하다.

또한, 커버층과 접착제 또는 점착제로 이루어진 층을 합한 총 두께는 0.09~0.11mm인 것이 바람직하고, 0.095~0.105mm인 것이 보다 바람직하다.

또한, 커버층의 광입사면에는 광정보 기록매체의 제조시에 광입사면이 손상되는 것을 방지하기 위한 보호층(하드코트층)이 형성되어 있어도 좋다.

커버층을 접합하기 위해서 사용되는 접착제는, 예컨대 UV경화 수지, EB경화 수지, 열경화 수지 등을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 UV경화 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

접착제로서 UV경화 수지를 사용하는 경우에는 상기 UV경화 수지를 그대로 또는 메틸에틸케톤, 아세트산 에틸 등의 적당한 용제에 용해하여 도포액을 조제하고, 디스펜서로부터 배리어층 표면에 공급해도 좋다. 또한, 제작되는 광정보 기록매체의 휘어짐을 방지하기 위해서, 접착층을 구성하는 UV경화 수지는 경화 수축률이 작은 것이 바람직하다. 이러한 UV경화 수지로는, 예컨대 Dainippon Ink and Chemicals, Inc. 제품 「SD-640」등의 UV경화 수지를 열거할 수 있다.

접착제는, 예컨대 배리어층으로 이루어진 피접합면 상에 소정량 도포하고, 그 위에 커버층을 적재한 후, 스핀 코트에 의해 접착제를 피접합면과 커버층 사이에 균일해지도록 편 후, 경화시키는 것이 바람직하다.

접착제로 이루어진 접착제층의 두께는 0.1~100㎛의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5~50㎛의 범위, 더욱 바람직하게는 10~30㎛의 범위이다.

또한, 커버층을 접합하기 위해서 사용되는 점착제로는 아크릴계, 고무계, 실리콘계의 점착제를 사용할 수 있지만, 투명성, 내구성의 관점에서 아크릴계의 점착제가 바람직하다. 이러한 아크릴계의 점착제로는 2-에틸헥실 아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트 등을 주성분으로 하고, 응집력을 향상시키기 위해서 단쇄의 알킬 아크릴레이트나 메타크릴레이트, 예컨대 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트와, 가교제와의 가교점이 될 수 있는 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴아미드 유도체, 말레산, 히드록실에틸 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트 등을 공중합한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 주성분, 단쇄성분, 및 가교점을 부가하기 위한 성분의 혼합비율, 종류를 적당하게 조절함으로써, 유리전이온도(Tg)나 가교 밀도를 변경할 수 있다.

상기 점착제와 병용하는 가교제로는, 예컨대 이소시아네이트계 가교제가 열거된다. 이소시아네이트계 가교제로는, 예컨대 톨릴렌 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 나프틸렌-1,5-디이소시아네이트, o-톨루이딘 이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 트리페닐메탄 트리이소시아네이트 등의 이소시아네이트류, 또한 이것들의 이소시아네이트류와 폴리알콜의 생성물, 또한 이소시아네이트류의 축합에 의해 생성된 폴리이소시아네이트류를 사용할 수 있다. 이들 이소시아네이트류의 시판되어 있는 상품으로는 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. 제품의 Colonate L, Colonate HL, Colonate 2030, Colonate 2031, Milionate MR, Milionate HTL;Takeda Pharmaceutical Company Limited 제품의 Takenate D-102, Takenate D-110N, Takenate D-200, Takenate D-202; Sumitomo Beyer Urethane Co., Ltd. 제품의 Desmodule L, Desmodule IL, Desmodule N, Desmodule HL; 등을 열거할 수 있다.

점착제는 배리어층으로 이루어진 피접합면 상에 소정량, 균일하게 도포하고, 그 위에 커버층을 적재한 후 경화시켜도 좋고, 미리 커버층의 한 면에 소정량을 균일하게 도포해서 점착제 도막을 형성해 두고, 상기 도막을 피접합면에 접합시키고, 그 후에 경화시켜도 좋다.

또한, 커버층에 미리 점착제층이 형성된 시판의 점착 필름을 사용해도 좋다. 이러한 점착제로 이루어진 점착제층의 두께는 0.1~100㎛의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.5~50㎛의 범위, 더욱 바람직하게는 10~30㎛의 범위이다.

[형태(1)에 있어서의 그 밖의 층]

형태(1)의 광정보 기록매체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서는 상기 필수 층 이외에, 다른 임의의 층을 갖고 있어도 좋다. 다른 임의의 층으로는, 예컨대 기판의 이면(추기형 기록층이 형성된 측과 반대측의 비형성면측)에 형성되는 소망의 화상을 갖는 레벨층이나, 기판과 추기형 기록층 사이에 형성되는 광반사층(후술함), 추기형 기록층과 커버층 사이에 형성되는 배리어층(후술함), 상기 광반사층과 추기형 기록층 사이에 형성되는 계면층 등이 열거된다. 여기에서, 상기 레벨층은 자외선 경화 수지, 열경화성 수지, 및 열건조 수지 등을 이용하여 형성할 수 있다.

또한, 상기한 필수 및 임의의 층은 모두 단층이어도 또는 다층 구조이어도 좋다.

[형태(1)에 있어서의 광반사층]

형태(1)의 광정보 기록매체에서는 레이저광에 대한 반사율을 높이거나, 기록 재생 특성을 개량하는 기능을 부여하기 위해서, 기판과 추기형 기록층 사이에 광반사층을 형성하는 것이 바람직하다.

광반사층은 레이저광에 대한 반사율이 높은 광반사성 물질을 진공증착, 스퍼터링 또는 이온 플레이팅함으로써 기판 상에 형성할 수 있다.

광반사층의 층두께는 일반적으로는 10~300nm의 범위로 하고, 50~200nm의 범위로 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 반사율은 70% 이상인 것이 바람직하다.

반사율이 높은 광반사성 물질로는 Mg, Se, Y, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi 등의 금속 및 반금속 또는 스테인레스강을 열거할 수 있다. 이들 광반사성 물질은 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상의 조합하여 또는 합금으로 하여 사용해도 좋다. 이들 중에서 바람직한 것은 Cr, Ni, Pt, Cu, Ag, Au, Al 및 스테인레스강이다. 특히 바람직하게는 Au, Ag, Al 또는 이것들의 합금이고, 가장 바람직하게는 Au, Ag 또는 이것들의 합금이다.

[형태(1)에 있어서의 배리어층(중간층)]

형태(1)의 광정보 기록매체에 있어서는, 추기형 기록층과 커버층 사이에 배리어층을 형성하는 것이 바람직하다.

상기 배리어층은 추기형 기록층의 보존성을 높이고, 추기형 기록층과 커버층의 접착성을 향상시키고, 반사율을 조정하고, 열전도율을 조정하는 등 때문에 형성된다.

배리어층에 사용되는 재료로는 기록 및 재생에 사용되는 광을 투과하는 재료이고, 상기의 기능을 발현할 수 있는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예컨대 일반적으로는 가스나 수분의 투과성이 낮은 재료이고, 유전체인 것이 바람직하다.

구체적으로는, Zn, Si, Ti, Te, Sn, Mo, Ge 등의 질화물, 산화물, 탄화물, 황화물로 이루어진 재료가 바람직하고, ZnS, MoO₂, GeO₂, TeO, SiO₂, TiO₂, ZuO, ZnS-SiO₂, SnO₂, ZnO-Ga₂O₃가 바람직하고, ZnS-SiO₂, SnO₂, ZnO-Ga₂O₃, SiO₂가 보다 바람직하다.

또한, 배리어층은 진공증착, DC 스퍼터링, RF 스퍼터링, 이온 도금 등의 진공 성막법에 의해 형성될 수 있다. 그 중에서도, 스퍼터링을 사용하는 것이 보다 바람직하다.

배리어층의 두께는 1~200nm의 범위가 바람직하고, 2~100nm의 범위가 보다 바람직하고, 3~50nm의 범위가 더욱 바람직하다.

다음에, 형태(2)의 광정보 기록매체에 대해서 설명한다.

형태(2)의 광정보 기록매체는 접합형의 층구성을 갖는 광정보 기록매체로서, 그 대표적인 층구성은 하기와 같다.

(1) 제 1의 층구성은 기판 상에 추기형 기록층, 광반사층, 접착층을 순차 형성하고, 접착층 상에 보호기판을 형성한 구성이다.

(2) 제 2의 층구성은 기판 상에 추기형 기록층, 광반사층, 보호층, 접착층을 순차 형성하고, 접착층 상에 보호기판을 형성한 구성이다.

(3) 제 3의 층구성은 기판 상에 추기형 기록층, 광반사층, 보호층, 접착층, 보호층을 순차 형성하고, 상기 보호층 상에 보호기판을 형성한 구성이다.

(4) 제 4의 층구성은 기판 상에 추기형 기록층, 광반사층, 보호층, 접착층, 보호층, 광반사층을 순차 형성하고, 상기 광반사층 상에 보호기판을 형성한 구성이다.

(5) 제 5의 층구성은 기판 상에 추기형 기록층, 광반사층, 접착층, 광반사층을 순차 형성하고, 상기 광반사층 상에 보호기판을 형성한 구성이다.

또한, 상기 (1)~(5)의 층구성은 단순한 예시이고, 층구성은 상기 순서 뿐만 아니라, 일부를 교체해도 좋고, 일부를 생략해도 좋다. 또한, 추기형 기록층은 보호기판측에도 형성되어 있어도 좋고, 이 경우 양면으로부터의 기록, 재생이 가능한 광정보 기록매체로 된다. 또한, 각 층은 1층으로 구성되어도 복수층으로 구성되어도 좋다.

상기 중, 형태(2)의 광정보 기록매체로서 기판 상에 추기형 기록층, 광반사층, 접착층, 보호기판을 기판측으로부터 순차적으로 갖는 구성을 예로 이하에 상세하게 설명을 한다.

[형태(2)의 기판]

형태(2)에 있어서의 기판에는 트랙피치, 홈폭(반치폭), 홈깊이, 및 워블 진폭 모두가 하기의 범위인 형상을 갖는 프리그루브(안내홈)가 형성되어 있는 것이 필수이다. 이 프리그루브는 CD-R나 DVD-R에 비해서 보다 높은 기록밀도를 달성하기 위해서 형성한 것으로, 예컨대 본 발명의 광정보 기록매체를 청자색 레이저에 대응하는 매체로서 사용하는 경우에 적합하다.

프리그루브의 트랙피치는 200~600nm의 범위인 것이 필수이고, 상한치가 450nm 이하인 것이 바람직하고, 430nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 하한치는 300nm 이상인 것이 바람직하고, 330nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 370nm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 트랙피치가 200nm 미만에서는, 프리그루브를 정확하게 형성하는 것이 곤란함과 아울어, 크로스 토크의 문제가 발생하는 경우가 있고, 600nm를 초과하면 기록밀도가 저하하는 문제가 발생하는 경우가 있다.

프리그루브의 홈폭(반치폭)은 50~300nm의 범위인 것이 필수이고, 상한치가 290nm 이하인 것이 바람직하고, 280nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 250nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 하한치는 100nm 이상인 것이 바람직하고, 120nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 140nm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 프리그루브의 홈폭이 50nm 미만에서는 성형시에 홈이 충분하게 전사되지 않거나, 기록의 에러율이 높아지거나 하는 경우가 있고, 300nm를 초과하면 기록시에 형성되는 피트가 넓어져 버려서 크로스 토크의 원인이 되거나, 충분한 변조도가 얻어지지 않는 경우가 있다.

프리그루브의 홈깊이는 30~150nm의 범위인 것이 필수이고, 상한치가 140nm 이하인 것이 바람직하고, 130nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 120nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 하한치는 40nm 이상인 것이 바람직하고, 50nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 60nm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 프리그루브의 홈깊이가 30nm 미만에서는 충분한 기록 변조도가 얻어지지 않는 경우가 있고, 150nm를 초과하면 반사율이 대폭 저하하는 경우가 있다.

형태(2)에서 사용되는 기판으로는 종래의 광정보 기록매체의 기판재료로서 사용되고 있는 각종의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있고, 구체예 및 바람직한 예는 형태(1)의 기판과 동일하다.

또한, 기판두께는 0.1~1.0mm의 범위인 것을 요하고, 0.2~0.8mm의 범위인 것이 바람직하고, 0.3~0.7mm의 범위인 것이 보다 바람직하다.

또한, 후술하는 추기형 기록층이 형성되는 측의 기판표면에는 평면성의 개선, 접착력의 향상의 목적에서 언더코트층을 형성하는 것이 바람직하고, 상기 언더코트층의 재료, 도포법 및 층두께의 구체예 및 바람직한 예는 형태(1)의 언도코트층과 동일하다.

[형태(2)의 추기형 기록층]

형태(2)에 있어서의 추기형 기록층에 관한 상세한 것에 대해서는 형태(1)의 추기형 기록층과 같다.

[형태(2)의 광반사층]

형태(2)에 있어서, 레이저광에 대한 반사율을 높이거나 기록 재생특성을 개량하는 기능을 부여하기 위해서, 추기형 기록층 상에 광반사층을 형성하는 경우가 있다. 형태(2)의 광반사층에 관한 상세한 것은 형태(1)의 광반사층과 동일하다.

[형태(2)의 접착층]

형태(2)에 있어서의 접착층은 상기 광반사층과 후술하는 보호기판의 밀착성을 향상시키기 위해서 형성되는 임의의 층이다.

접착층을 구성하는 재료로는 광경화성 수지가 바람직하고, 그 중에서도 디스크의 휘어짐을 방지하기 위해서 경화 수축률이 작은 것이 바람직하다. 이러한 광경화성 수지로는, 예컨대 Dainippon Ink and Chemicals, Inc. 제품의 「SD-640」, 「SD-661」등의 UV경화성 수지(UV경화성 접착제)를 열거할 수 있다.

또한, 접착층의 두께는 탄력성을 갖게 하기 위해서, 1~1000㎛의 범위가 바람직하다.

[형태(2)의 보호기판]

형태(2)에 있어서의 보호기판(더미 기판)은 상기한 기판과 같은 재질이고, 동일한 형상의 것을 사용할 수 있다. 보호기판의 두께로는 두께 0.1~1.0mm의 범위인 것을 필요로 하고, 0.2~0.8mm의 범위인 것이 바람직하고, 0.3~0.7mm의 범위인 것이 보다 바람직하다.

[형태(2)의 보호층]

형태(2)의 광정보 기록매체는 그 층구성에 따라서는, 광반사층이나 추기형 기록층 등을 물리적 및 화학적으로 보호할 목적에서 보호층이 형성되는 경우가 있다.

보호층에 사용되는 재료의 예로는 ZnS, ZnS-Si0₂, Si0, Si0₂, MgF₂, SnO₂, Si₃N₄ 등의 무기물질, 열가소성 수지, 열경화성 수지, UV경화성 수지 등의 유기물질을 열거할 수 있다.

보호층은, 예컨대 플라스틱의 압출가공으로 얻어진 필름을 접착제를 통해서 광반사층 상에 접합함으로써 형성할 수 있다. 또한, 진공증착, 스퍼터링, 도포 등 의 방법에 의해 형성되어도 좋다.

또한, 보호층으로서 열가소성 수지, 열경화성 수지를 사용하는 경우에는, 이들을 적당한 용제에 용해하여 도포액을 조제한 후, 이 도포액을 도포하고, 건조 함으로써도 형성할 수 있다. UV 경화성 수지의 경우에는 그대로 또는 적당한 용제에 용해하여 도포액을 조제한 후, 이 도포액을 도포하고, UV광을 조사해서 경화시킴으로써도 형성할 수 있다. 이들 도포액 중에는 대전방지제, 산화방지제, UV흡수제 등의 각종 첨가제를 목적으로 따라서 더 첨가해도 좋다.

보호층의 층두께는 일반적으로는 0.1㎛~1mm의 범위에 있다.

[형태(2)의 그 밖의 층]

형태(2)의 광정보 기록매체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서는 상기 필수 층 이외에, 다른 임의의 층을 갖고 있어도 좋다. 다른 임의의 층의 상세에 대해서는 상기 형태(1)의 그 밖의 층과 동일하다.

다음에, 본 발명의 광정보 기록매체에 전자정보를 기록하는 방법(이하, 광정보 기록방법이라고도 함)에 대해서 설명한다.

전자정보를 기록은 상기한 바람직한 형태(1) 또는 형태(2)의 광정보 기록매체를 이용하여, 예컨대 다음과 같이 행하여진다. 우선, 광정보 기록매체를 정선속도(0.5~10m/초) 또는 정각속도로 회전시키면서, 기판측 또는 보호층측에서 반도체 레이저광 등의 기록용 광을 조사한다. 이 광의 조사에 의해, 기록층이 이 광을 흡수해서 국소적으로 온도 상승하고, 물리적 또는 화학적 변화(예컨대, 피트의 생성)가 발생하여 그 광학적 특성을 변화시킴으로써 정보가 기록된다고 생각된다. 본 발명에 있어서는, 기록광으로서 440nm 이하의 범위의 발진파장을 갖는 반도체 레이저광이 바람직하게 사용되고, 바람직한 광원으로는 390~415nm의 범위의 발진파장을 갖는 청자색 반도체 레이저광, 중심 발진파장 850nm의 적외 반도체 레이저광을 광도파로 소자를 사용해서 절반의 파장으로 한 중심 발진파장 425nm의 청자색 SHG 레이저광을 열거할 수 있다. 특히, 기록밀도의 점에서 390~415nm의 범위의 발진파장을 갖는 청자색 반도체 레이저광을 사용하는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이 기록된 정보의 재생은 광정보 기록매체를 상기와 동일한 정선속도로 회전시키면서 반도체 레이저광을 기판측 또는 보호층측에서 조사하고, 그 반사광을 검출함으로써 행할 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 주지를 넘지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 기재하지 않는 한, 「부」는 질량기준이다.

합성예 1: 화합물(5)의 합성

NiCl₂·6H₂O 0.51g을 메탄올 10㎖에 용해시켜, 교반하면서 화합물(L-1) 1.50g을 첨가하였다. 얼마간 교반시킨 후, 화합물(L-3)을 첨가해서 실온에서 2시간교반하였다. 메탄올을 감압 증류제거하고, 물을 가하여 침전시키고, 흡인 여과함으로써 화합물(5)을 얻었다.

MALDI-TOF-MS: 443.2(nega), 697.5(posi)

합성예 2: 화합물(12)의 합성

화합물(L-4) 0.21g에 메탄올 5㎖을 가하고, 교반하면서 화합물(L-3) 0.30g을 함유하는 메탄올 용액 5㎖을 첨가하였다. 1시간 가열 환류시킨 후, 실온으로 되돌려 증류수 40㎖을 가하여 침전물을 얻었다. 침전물을 흡인 여과함으로써, 화합물(12)을 얻었다. 수량 0.37g.

다른 옥소놀 색소 음이온 부위나 다른 금속착체의 양이온을 사용하여도, 반응용매나 반응온도를 적절하게 선택하면, 화합물(5)과 동일한 방법으로 합성할 수 있다.

-색소의 흡수 스펙트럼-

본 발명에 따른 금속착체 화합물[화합물(5)] 2g을 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올 100㎖ 중에 첨가, 용해하여 얻어진 색소 함유액을 도포하고, 건조시킨 후, 건조후의 도포막의 막흡수 스펙트럼을 UV-3100PC(Shimadzu Corporation 제품)을 이용하여 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.

실시예 1

광정보 기록매체의 제작

-기판의 제작-

두께 0.6mm, 외경 120mm, 내경 15mm에서 나선형 프리그루브(트랙피치 : 400nm, 홈폭: 190nm, 홈깊이: 90nm, 홈경사 각도: 65°, 워블 진폭: 20nm)를 갖는 폴리카보네이트 수지로 이루어진 사출 성형기판을 제작하였다. 사출 성형시에 사용된 스탬퍼의 마스터링은 레이저커팅(351nm)을 이용하여 행해진 것이다.

-추기형 기록층의 형성-

상기에서 합성한 금속착체 화합물[화합물(5)] 2g을 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올 100㎖ 중에 첨가해서 용해하고, 8종의 색소 함유 도포액을 조제하였다. 그리고, 상기에서 얻은 각각의 별도의 기판의 프리그루브를 갖는 측에 조제한 색소 함유 도포액을 스핀 코트법에 의해 회전수 300~4000rpm까지 변화시키면서 23℃, 50%RH의 조건에서 도포하였다. 그 후, 23℃, 50%RH에서 1시간 보존하여 추기형 기록층을 형성하였다.

추기형 기록층을 형성한 후, 클린 오븐에서 아닐링처리를 실시하였다. 아닐링처리는 기판을 수직 스택폴(stack pole)에 스페이서로 간격을 두면서 지지하고, 80℃에서 1시간 유지하여 행하였다.

-광반사층의 형성-

추기형 기록층 상에, Unaxis Co., Ltd. 제품의 큐브(Cube)를 사용하여, Ar 분위기 중에서 DC 스퍼터링에 의해 막두께 100nm의 진공 성막층으로서의 ANC 광반사층(Ag: 98.1at%, Nd: 0.7at%, Cu: 0.9at%)을 형성하였다. 광반사층의 막두께의 조정은 스퍼터링 시간에 따라 행하였다.

-보호기판의 접합-

광반사층 상에 스핀 코트에 의해 자외선 경화 수지(SD640, Dainippon Ink and Chemicals, Inc. 제품)를 더 도포해서 접착층으로 하고, 폴리카보네이트제의 보호기판(프리그루브를 형성하지 않은 이외는 상기 기판과 동일한 것)을 접합하고, 자외선을 조사하여 경화시켜서 본 발명 3의 광정보 기록매체를 제작하였다. 이 때, 자외선 경화 수지로 이루어진 접착층의 두께는 25㎛이었다.

실시예 2

실시예 1에 있어서, 「추기형 기록층의 형성」에 사용한 금속착체 화합물을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 하기 화합물(5)+화합물(E)[화합물(5):화합물(E)=1:1[질량비]]로 대신한 이외는, 실시예 1의 본 발명 3과 마찬가지로 하여, 본 발명 4의 광정보 기록매체를 제작하였다. 또한, 화합물(5)+화합물(E)[화합물(5):화합물(E)=3:7[질량비]] 및 화합물(5)+화합물(E)[화합물(5):화합물(E)=7:3[질량비]]로 대신한 이외는, 실시예 1의 본 발명 3과 마찬가지로 하여, 본 발명 5 및 6의 광정보 기록매체를 제작하였다.

(비교예 1~2)

실시예 1에 있어서, 「추기형 기록층의 형성」에 사용한 금속착체 화합물을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 하기 화합물(A)+화합물(B)[화합물(A):화합물(B)=1:10[질량비]](비교예 1), 하기 화합물(C)+화합물(D)[화합물(C):화합물(D)=1:10[질량비]](비교예 2)로 대신한 이외는, 실시예 1의 본 발명 3과 마찬가지로 하여, 비교의 광정보 기록매체를 제작하였다.

<광정보 기록매체의 평가>

(측정·평가)

본 발명 3~6, 비교예 1, 2에서 제작한 광정보 기록매체에 대해서, 하기의 평가를 행하였다. 측정 평가의 결과는 하기 표 2에 나타낸다.

-1. 기록 재생특성-

오실로스코프(SS-7825, IWATSU TEST INSTRUMENTS CORPORATION 제품)로 기록후의 신호파형의 관찰을 행하고, 기록 재생특성(내광성)을 평가하는 지표로 하였다.

실시예, 비교예에서 제작한 각광정보 기록매체를 405nm 레이저, NA0.65 픽업을 구비한 기록재생 평가기(DDU1000, Pulstec Industrial Co., Ltd. 제품)를 이용하여, 클록 주파수 64.8MHz, 선속 6.61m/s에서, 1.122㎛의 신호(11T)를 기록, 재생하고, 오실로스코프(SS-7825, IWATSU TEST INSTRUMENTS CORPORATION 제품)로 기록후의 파형을 관찰하였다. 또한, 기록은 그루브 상에 행하고, 재생 파워 0.5mW로 하였다. 또한, 기록후의 광정보 기록매체를 내광성 시험기(FAL-25AX-HCBECL형, 석영+#275필터 사용, Suga Test Instruments Co., Ltd. 제품)를 이용하여 제논광을 10시간 조사한 후, 다시 재생을 행하고, 상기와 같은 방법으로 조사후의 기록 파형의 관찰을 하였다. 기록 파형의 관찰에 있어서, 신호파형이 직사각형일 경우, 「파형이 “○"」인 것을 나타내고, 실용상 바람직하다.

-2. 재생 내구성-

각 광정보 기록매체에 대해서, 상기 「1. 기록 재생특성」과 마찬가지로 하여 기록한 후, 30분간 연속 재생을 행하고, 그 후에 오실로스코프(SS-7825, IWATSU TEST INSTRUMENTS CORPORATION 제품)로 기록 파형의 관찰을 행하고, 기록부 반사율의 변화의 대소를 비교하였다(재생 내구성 시험).

상기 본 발명 3~6에 관해서는 리사이클 적성시험을 행하였지만, 이러한 리사이클 적성에서는 본 발명 4~6에서는 적당한 적성이었지만, 본 발명 3에서는 리사이클 적성이 우수한 것이 확인되었다.

비교 화합물(A)

비교 화합물(B)

비교 화합물(C)

비교 화합물(D)

비교 화합물(E)

[실시예 1]

본 발명 3의 화합물(5) 대신에, 화합물(6), (7), (9), (12), (16), (17), (21)을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 광정보 기록매체를 제작하였다. 그 결과, 광정보 기록매체를 지장없이 제작할 수 있고, 이것들의 광정보 기록매체도 우수한 기록 재생특성, 내광성, 재생 내구성을 나타내었다.

[실시예 2]

본 발명 4 및 6의 화합물(5) 대신에, 화합물(6), (7), (9), (12), (16), (17), (21)을 이용하여 본 발명 4 및 6과 마찬가지로 광정보 기록매체를 제작하였다. 그 결과, 각 광정보 기록매체를 지장없게 제작할 수 있고, 이들 광정보 기록매체도 우수한 기록 재생특성, 내광성, 재생 내구성을 나타내었다.

[실시예 3]

실시예 1의 광정보 기록매체를 제조라인을 이용하여 제작하였다. 그리고, 비교예 1 및 2와 함께, 리사이클 적성을 평가한 바, 비교예 1, 2는 화합물의 혼합비가 변화된 것에 비하여, 실시예 1의 본 발명 3이 단일 성분이고, 리사이클 적성이 우수한 것을 알았다.

또한, 화합물(5)에 (C-25), (C-28), (C-32)을 각각 10질량%의 비율로 첨가한 것을 이용하여도, 실시예 1과 동일한 방법으로 광정보 기록매체를 지장없이 제작할 수 있었다. 이들 광정보 기록매체도 우수한 기록 재생특성, 내광성, 재생 내구성을 나타내었다.

상기 표 2에 나타내듯이, 본 발명의 화합물에서는 모두 기록 재생특성 및 내광성이 양호하였다. 또한, 재생 내구성의 시험 결과로부터는, 본 발명의 광정보 기록매체에서는 모두 피트의 읽기를 할 수 있었던 것에 비하여, 비교예의 광정보 기록매체에서는 피트의 읽기에 지장이 있었다.

상기 표 2의 결과로부터, 본 발명의 광정보 기록매체의 경우에는 모두 기록 재생특성, 내광성, 재생 내구성이 양호하고, 일본 특허공개 2002-52825호 공보에서 실시된 화합물에 비해서 실용상 바람직한 것을 알 수 있다.

본 발명은 청색 레이저광 대응의 광정보 기록매체 및 상기 광정보 기록매체 를 이용하여 얻어지는 정보의 기록방법에 사용된다.

본 발명을 상세하게 또 특정한 실시형태를 참조해서 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하는 않고 각종의 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에 있어서 명확하다.

본 출원은 2005년 3월 24일 출원의 일본 특허출원(일본 특허출원 2005-086593호)에 기초한 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 하여 원용한다.

Claims

기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서:

상기 기록층이 하기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소와 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소를 함유하고, 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 상기 기록층의 전체 질량을 기준으로 하여 30질량% 이상인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1)

[식중, Y^t+은 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 t가의 양이온성 색소이고, t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내 고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]
제 1 항에 있어서, 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소의 함유량이 상기 기록층의 전체 질량을 기준으로 하여 70질량% 이상인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소 이외의 색소가 옥소놀 색소인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서:

상기 기록층이 실질적으로 일반식(1')으로 표시되는 옥소놀 색소로 이루어진 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1')

[식중, Y^t+은 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 t가의 양이온성 색소이고, t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]
기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서: 상기 기록층 중에 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1)

[식중, Y^t+은 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대 를 갖는 t가의 양이온성 색소이고, t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]
기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서: 상기 기록층 중에 일반식(1)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는(단, 상기 기록층 중에는 일반식(1)의 범위외의 옥소놀 색소는 공존하지 않는다) 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(1)

[식중, Y^t+은 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대 보다 장파장 영역에 흡수 극대를 갖는 t가의 양이온성 색소이고, t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전 자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, m은 0~1의 정수를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 일반식(1) 또는 (1')에 있어서, A와 B 및 C와 D로 형성되는 환을 1개 이상 갖고, A와 B가 연결되어 형성되는 환 및 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-1)와 (Z-2)를 동시에 갖지 않는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 일반식(1) 또는 (1')에 있어서, A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나를 나타내거나, 또는 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z- 14) 중 어느 하나를 나타내는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

(*은 결합 위치를 나타냄)

[부분구조 중, R³은 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. 복수의 R³은 서로 같거나 달라도 좋다. 또한, R³ 상호간은 연결기를 통해서 서로 결합해도 좋다.]
제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 옥소놀 색소의 m이 1인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대가 기록 레이저 파장보다도 장파장인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 옥소놀 색소 음이온 부위의 흡수 극대가 415nm 이상 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매 체.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 일반식(2)~일반식(5) 중 어느 하나로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(2)

[식중, M^m3+은 질소원자 및 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, R³³ 및 R³⁴는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환기를 나타낸다. m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간, R³³과 R³⁴, R³²와 R³³, R³²와 R³⁴는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(3)

[식중, M^m3+은 질소원자 및/또는 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 치환기를 나타내고, R³³ 및 R³⁴는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환기를 나타낸다. Q₃은 질소 함유 헤테로환을 형성하는 기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같 거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간, R³³과 R³⁴, R³²와 R³³, R³²와 R³⁴는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(4)

[식중, M^m3+은 질소원자 및 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, q3은 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q3 이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(5)

[식중, M^m3+은 질소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³², R³⁵ 및 R³⁶은 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q4는 0~4의 정수를 나타내고, q5는 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q4가 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q5가 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³⁶은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁶ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]
제 13 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 제 13 항에 기재된 일반식(2)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 13 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 제 13 항에 기재된 일반식(3)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 13 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 제 13 항에 기재된 일반식(4)~일반식(5) 중 어느 하나로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 13 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 제 13 항에 기재된 일반식(4)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 13 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 제 13 항에 기재된 일반식(5)으로 표시되는 금속착체의 양이온인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 카운터 양이온 Y^t+는 금속착체의 양이온이고, 또한 금속착체의 양이온에 있어서의 금속이 Cu, Ni, Fe, Co, Mn 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 옥소놀 색소 음이온 부위의 막흡수 극대 파장보다 장파장 영역에 막흡수 극대 파장을 갖는 양이온성 색소의 최대 흡수피크 λmax가 500nm≤λmax인 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서: 상기 기록층 중에 하기 일반식(8)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는(단, 상기 기록층 중에는 하기 일반식(8)의 범위외의 옥소놀 색소는 공존하지 않는다) 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(8)

[식중, 음이온 부위의 흡수 극대는 415nm 이상 500nm 이하이고, Y^t+은 Cu, Ni, Fe, Co, Mn 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 t가의 금속착체의 양이온이고, Y^t+의 최 대 흡수피크 λmax는 500nm≤λmax이다. t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, n은 0~2m+1의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, t는 1~4의 정수를 나타낸다.]
기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서: 상기 기록층 중에 하기 일반식(9)으로 표시되는 옥소놀 색소를 함유하는(단, 상기 기록층 중에는 하기 일반식(9)의 범위외의 옥소놀 색소는 공존하지 않는다) 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(9)

[식중, 음이온 부위의 흡수 극대는 415nm 이상 500nm 이하이고, Y^t+은 Cu, Ni, Fe, Co, Mn 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 t가의 금속착체의 양이온이고, Y^t+의 최대 흡수피크 λmax는 500nm≤λmax이다. t는 1~4의 정수를 나타낸다. A, B, C 및 D는 전자흡인성 기를 나타내고, A와 B 및/또는 C와 D는 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, 1개 이상의 환을 갖고, 서로 결합하지 않은 경우에는 A와 B의 하멧의 σp치의 합계 및 C와 D의 하멧의 σp치의 합계가 각각 0.6 이상으로 되는 전자흡인성 기이다. A와 B가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-3)~(Z-8) 중 어느 하나를 나타내거나, 또는 C와 D가 연결되어 형성되는 환이 이하의 부분구조(Z-9)~(Z-14) 중 어느 하나를 나타낸다. R은 메틴탄소 상의 치환기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타내고, n이 2 이상의 정수일 때 복수개의 R은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, t는 1~4의 정수를 나타낸다.]

[부분구조 중, R³은 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. 복수개의 R³은 서로 같거나 달라도 좋다. 또한 R³ 상호간은 연결기를 통해서 서로 결합해도 좋다.]
기판 상에 440nm 이하의 레이저광 조사에 의한 정보의 기록이 가능한 기록층을 갖는 광정보 기록매체로서: 상기 기록층 중에 일반식(10), 일반식(11) 중 어느 하나로 표시되는 금속착체 양이온으로 이루어진 금속착체를 함유하는(단, 상기 금속착체와 쌍을 이루는 음이온은 옥소놀 색소 음이온이 아니어도 좋다) 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.

일반식(10)

[식중, M^m3+은 질소원자 및 산소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³² 및 R³⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q2는 0~2의 정수를 나타내고, q3은 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q2가 2일 경우 2개의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q3이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다.]

일반식(11)

[식중, M^m3+은 질소원자와 결합하는 m3가의 금속 양이온을 나타낸다. R³², R³⁵ 및 R³⁶은 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, m3은 1~3의 정수를 나타내고, q1은 0~4의 정수를 나타내고, q4는 0~4의 정수를 나타내고, q5는 0~3의 정수를 나타내고, t3은 1~3의 정수를 나타낸다. q1이 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³²는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³² 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q4가 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³⁵는 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁵ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋다. q5가 2 이상의 정수일 경우 2개 이상의 R³⁶은 서로 같거나 달라도 좋고, 또한 R³⁶ 상호간은 서로 연결되어 환을 형성하고 있 어도 좋다.]
제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록층과는 별개로 금속으로 이루어진 광반사층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록층과는 별개로 보호층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.
제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 그 표면에 트랙피치 0.2㎛~0.5㎛의 프리그루브를 갖는 투명한 원반형상 기판이고, 기록층이 상기 프리그루브가 형성된 측의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광정보 기록매체.