CN101146687A - 光学信息记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息。在所述光学信息记录介质中，所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，并且这种染料的抗衡阳离子(Y^t+)是吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的阳离子染料。在所述式中，A、B、C和D各自表示吸电子基团。A和B或C和D可以相互结合以形成环。如果这些基团不相互结合，则这些基团是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团。R表示次甲基碳上的取代基，并且m表示0至1的整数。n表示0至2m+1的整数。如果n为2或更大，则多个R可以彼此相同或不同，并且R和R可以结合在一起以形成环。Y^t+表示t价阳离子，并且t表示1至4的整数。

Description

光学信息记录介质

技术领域

本发明涉及能够使用激光束记录并且复制信息的光学记录介质，涉及光学信息记录方法，并且涉及适用的新型化合物。特别是，本发明涉及适用于通过使用波长短于440nm的短波长激光束记录信息的热模式(heat-mode type)型光学信息记录介质。

背景技术

只能通过用激光束一次性记录信息的光学信息记录介质(即，光盘)是常规上已知的。这种光盘也被称为一次写入多次读取CD(所谓CD-R)。CD-R的典型结构由以下列顺序层压的层形成：透明盘状衬底；设置在衬底上的包含次甲基染料的记录层；由金属如金制成的光反射层；以及由树脂制成的保护层。通过使用近红外激光束(通常为波长在780nm附近的激光束)辐照CD-R，进行在CD-R上的信息记录。通过吸收激光束，记录层的被辐照部分的温度升高，并且导致改变记录层的光学特性的物理或化学变化(例如凹坑的形成)，从而记录信息。另一方面，信息的读取(复制)也通过辐照用于记录的相同波长的激光束进行。通过检测记录层的光学特性改变的部分(记录部分)与其光学特性不变的部分(未记录部分)之间的反射率差别复制信息。

近年来，网络如互联网和高保真显像(high-vision)TV得到迅速普及。此外，HDTV(高清晰度电视)的传播近在咫尺，所以对用于廉价并且简单记录图像信息的高容量记录介质的需求渐增。尽管上述CD-R和能够通过使用可见激光束(630nm至680nm)作为用于记录的激光束实现高密度记录的DVD-R作为高容量记录介质占有一席之地，但是不能说CD-R和DVD-R具有能够应付未来需求的足够大的记录容量。因此，通过使用波长比DVD-R更短的激光束提高记录密度，具有更高的记录容量的光盘在开发。例如，使用405nm蓝激光束的称为″蓝光″盘的光学记录盘已经投入市场。

作为相关的常规技术，可以提到日本公布未审查专利申请2002-52825(专利文件1)。这份文件描述了一个实施方案，其中将靛苯胺螯合物-金属配合物和氧杂菁(氧杂菁)染料以1∶10的重量/重量的比率一起混合并且使用。

发明内容

本发明将要解决的问题

在上述专利文件1中，靛苯胺螯合物-金属配合物起着抗褪色剂即褪色抑制剂的作用。通常，如在专利文件1中，用于含染料记录层的抗褪色剂的量小。

对于实验，许多种染料化合物和抗褪色剂已经被组合在一起。然而，仍然没有获得具有足够的记录特性、耐光性和复制耐久性的光学信息记录介质。

本发明的一个目的是提供一种用于蓝激光束的信息记录介质，所述信息记录介质具有在不损害记录/复制特性的情况下提高的耐光性、复制耐久性和溶解度，并且提供使用这种信息记录介质的信息记录方法。

解决问题的方法

本发明人坚持不懈地持续研究，并且与常规的技术知识相反，尝试增加记录层的抗褪色剂含量。结果，本发明人使用后述的本发明的结构解决了所述问题。

通过使用下列结构有利地达到了本发明的目的。

[1]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由下式(1)表示的氧杂菁染料以及与所述由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料，并且所述由式(1)表示的氧杂菁染料的含量基于所述记录层的总质量为30质量％或更大：

式(1)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；并且

n表示0至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以相互结合以形成环。

[2]如[1]中所述的光学信息记录介质，其中所述由式(1)表示的氧杂菁染料的含量基于所述记录层的总质量为70质量％或更大。

[3]如[1]或[2]中所述的光学信息记录介质，其中所述与由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料是氧杂菁染料。

所述氧杂菁染料的含量基于所述记录层的为100质量％的总质量。在大多数情况下，为了将所述由式(1)表示的氧杂菁染料的混合物量设定为30质量％，推荐将所述由式(1)表示的氧杂菁染料以及与所述由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料以30∶70的质量比混合以制备染料涂布液。

[4]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层基本上由式(1′)表示的氧杂菁染料制成：

式(1′)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；并且

n表示0至3的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环。

[5]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层能够记录信息，

其中所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料：

式(1)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；并且

n表示0至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以相互结合以形成环。

[6]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，条件是在式(1)的范围以外的氧杂菁染料不共存于所述记录层中：

式(1)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；并且

n表示0至2m+l的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环。

[7]如[1]至[6]中任一项所述的光学信息记录介质，其中在式(1)或(1′)中由A和B以及由C和D形成至少一个环，并且通过将A和B结合在一起形成的环和通过将C和D结合在一起形成的环不同时具有下列部分结构(Z-1)和(Z-2)。

部分结构(Z-1)    部分结构(Z-2)

[8]如[1]至[3]中任一项所述的光学信息记录介质，其中在式(1)或(1′)中，通过将A和B结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个表示，或通过将C和D结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个表示： (下式中，“Partial structure”指“部分结构”)

Partial structure(Z-3) Partial structure(Z-4) Partial structure(Z-5)

Partial structure(Z-6) Partial structure(Z-7) Partial structure(Z-8)

Partial structure(Z-9) Partial structure(Z-10) Partial structure(Z-11)

Partial structure(Z-12) Partial structure(Z-13) Partial structure(Z-14)

其中在所述部分结构中，*表示结合位置；并且

R³表示氢原子或取代基，并且多个R³可以彼此相同或不同，并且所述多个R³可以通过连接基团连接在一起。

[9]如[1]至[3]和[5]至[8]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述氧杂菁染料的m为1。

[10]如[1]至[9]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的吸收最大值的波长比用于记录的激光束更长。

[11]如[1]至[10]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的吸收最大值在415nm至500nm的范围内。

[12]如[1]至[11]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+为金属配合物阳离子。

[13]如[1]至[12]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由式(2)至式(5)中的任何一个表示的金属配合物的阳离子：

式(2)

其中M^m3+表示与氮原子和氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

R³³和R³⁴各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q2表示0至2的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²，或R³³和R³⁴，或R³²和R³³，或R³²和R³⁴可以相互结合以形成环；并且

当q2为2时，R³⁵和R³⁵可以彼此相同或不同，并且可以相互结合以形成环：

式(3)

其中M^m3+表示与氮原子和/或氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

R³³和R³⁴各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基；

Q₃表示形成含氮杂环环的基团；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q2表示0至2的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²，或R³³和R³⁴，或R³²和R³³，或R³²和R³⁴可以相互结合以形成环；并且

当q2为2时，R³⁵和R³⁵可以彼此相同或不同，并且可以相互结合以形成环：

式(4)

其中M^m3+表示与氮原子和氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q2表示0至2的整数；

q3表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q2为2时，R³⁵和R³⁵可以彼此相同或不同，并且可以相互结合以形成环，并且

当q3为2或更大时，两个或更多个R32可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环：

式(5)

其中M^m3+表示与氮原子结合的m3价金属阳离子；

R³²、R³⁵和R³⁶各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q4表示0至4的整数；

q5表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环；

当q4为2或更大时，两个或更多个R³⁵可以彼此相同或不同，并且R³⁵和R³⁵可以结合在一起以形成环，并且

当q5为2或更大时，两个或更多个R³⁶可以彼此相同或不同，并且R³⁶和R³⁶可以结合在一起以形成环。

[14]如[13]所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由[13]的式(2)表示的金属配合物阳离子。

[15]如[13]所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由[13]的式(3)表示的金属配合物阳离子。

[16]如[13]所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由[13]的式(4)或式(5)表示的金属配合物阳离子。

[17]如[13]所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由[13]的式(4)表示的金属配合物阳离子。

[18]如[13]所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由[13]的式(5)表示的金属配合物阳离子。

[19]如[12]至[18]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是金属配合物阳离子，并且在所述金属配合物阳离子中的金属是Cu、Ni、Fe、Co和Mn中的任何一种。

[20]如[1]至[19]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述阳离子染料的最大吸收峰λ最大表示为500nm≤λ_最大，所述阳离子染料的膜吸收最大值波长与所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的膜吸收最大值波长相比在更长的波长范围内。

[21]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(8)表示的氧杂菁染料，条件是在式(8)的范围以外的氧杂菁染料不共存于所述记录层中：

式(8)

其中阴离子部分的吸收最大值在415nm至500nm的范围内；

Y^t+是金属Cu、Ni、Fe、Co和Mn中的任何一种的t价金属配合物阳离子，并且Y^t+的最大吸收峰λ最大表示为500nm≤λ_最大；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；并且

n表示0至3的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环；并且

t是1至4的整数。

[22]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(9)表示的氧杂菁染料，条件是在式(9)的范围以外的氧杂菁染料不共存于所述记录层中：

式(9)

其中阴离子部分的吸收最大值在415nm至500nm的范围内；

Y^t+是金属Cu、Ni、Fe、Co和Mn中的任何一种的t价金属配合物阳离子，并且Y^t+的最大吸收峰λ_最大表示为500nm≤λ_最大；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B、和/或C和D可以相互结合以形成环，并且具有至少一个环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团，并且通过将A和B结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个表示，或通过将C和D结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个表示；

R表示次甲基碳上的取代基；并且

n表示0至3的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以相互结合以形成环：

(其中的“Partial structrure”表示“部分结构”)

Partial structure(Z-3) Partial structure(Z-4) Partial structure(Z-5)

Partial structure(Z-6) Partial structure(Z-7) Partial structure(Z-8)

Partial structure(Z-9) Partial structure(Z-10) Partial structure(Z-11)

Partial structure(Z-12) Partial structure(Z-13) Partial structure(Z-14)

其中R³表示氢原子或取代基，并且多个R³可以彼此相同或不同，并且所述多个R³可以通过连接基团连接在一起。

[23]一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含金属配合物，所述金属配合物包含由式(10)或式(11)表示的金属配合物阳离子，条件是不必要求用来给所述金属配合物配对的阴离子是氧杂菁染料阴离子：

式(10)

其中M^m3+表示与氮原子和氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q2表示0至2的整数；

q3表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q2为2时，两个或更多个R³⁵可以彼此相同或不同，并且R³⁵和R³⁵可以结合在一起以形成环；并且

当q3为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环：

式(11)

其中M^m3+表示与氮原子结合的m3价金属阳离子；

R³²、R³⁵和R³⁶各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q4表示0至4的整数；

q5表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环；

当q4为2或更大时，两个或更多个R³⁵可以彼此相同或不同，并且R³⁵和R³⁵可以结合在一起以形成环，并且

当q5为2或更大时，两个或更多个R³⁶可以彼此相同或不同，并且R³⁶和R³⁶可以结合在一起以形成环。

[24]如[1]至[23]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学信息记录介质包含除所述抗衡阳离子Y^t+以外的染料，所述染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内。

[25]如[1]至[23]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学信息记录介质包含除所述抗衡阳离子Y^t+以外的金属配合物。

[26]如[25]所述的光学信息记录介质，其中与所述抗衡阳离子y^t+不同的金属配合物是在350nm至1300nm的波长范围内的摩尔消光系数(ε)为1,000dm³mol^-1cm^-1或更小的金属配合物。

[27]如[1]至[25]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学信息记录介质包含除所述抗衡阳离子Y^t+以外的金属配合物染料，所述金属配合物染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内。

[28]如[27]所述的光学信息记录介质，其中与所述抗衡阳离子Y^t+不同的所述金属配合物染料是甲(formazan)配合物、水杨醛配合物、偶氮配合物和具有所述由式(2)至式(5)表示的金属配合物阳离子的配合物中的任何一种。

[29]如[1]至[28]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述由式(1)表示的氧杂菁染料的所述阴离子部分由式(6)表示：

式(6)

其中A和C各自表示吸电子基团；

G、J、K和V各自表示取代基，条件是A、G、和K和/或C、J、和V可以结合在一起以形成稠合环；

R表示在次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；

n表示O至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且R和R可以结合在一起以形成环；

Y^t+表示t价阳离子；并且

t是1至4的整数。

[30]如[1]至[29]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学信息记录介质除所述记录层以外还具有由金属制成的光反射层。

[31]如[1]至[30]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学信息记录介质除所述记录层以外还具有保护层。

[32]如[1]至[31]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述衬底是表面配置有预制凹槽的透明盘状衬底，所述预制凹槽具有0.2μm至0.5μm的磁道间距，并且将所述记录层安置在其上形成有所述预制凹槽的那一侧的表面上。

本发明的效果

因为将本发明的特定化合物用于记录层，所以可以获得一种信息记录介质，所述信息记录介质能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的记录层记录信息，并且即使在完成记录之后，也能够在不损害记录/复制特性的情况下保持高耐光性和高复制耐久性。另外，因为具有防止光褪色的作用的抗衡阳离子是在本发明的特定化合物中的氧杂菁染料的抗衡离子，所以获得再循环性能和生产优点。

根据上述[4]，可以单独使用所述染料，因此可以获得优异的再循环性能。更具体而言，通常在光盘生产过程中通过使用涂布液形成含染料记录层。如果将从衬底向外散布的化合物重复再收集并且再涂覆到衬底上，则氧杂菁染料和金属配合物之间的质量比发生变化。因此，不利地，存在的担心是该变化将影响记录特性和耐光性，从而导致生产缺点(再循环性能的问题)。然而，根据[4]的结构，有利地，不出现这种问题。

具体实施方式

本发明是具有记录层的光学信息记录介质，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息。

在本发明中，术语“吸收最大值”表示在化合物的膜吸收光谱中的最大波长。在本发明中，使用2，2，3，3-四氟-1-丙醇作为溶剂。将通过溶解获得的含染料液体涂覆到衬底上，并且干燥。之后，使用UV-3100PC(由ShimadzuCorporation生产)测量通过涂覆并且干燥所述液体形成的膜的膜吸收光谱。氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值与允许具有作为抗衡阳离子没有吸收的阳离子(例如Et₃N⁺H)的氧杂菁的吸收最大值相同。换句话说，吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的阳离子染料表示吸收最大值与下列氧杂菁染料(例如，下面提到的化合物(23))的吸收最大值相比在更长的波长一侧的阳离子染料，所述氧杂菁染料被允许具有作为抗衡阳离子没有吸收的阳离子(例如Et₃N⁺H)。化合物(23)

在[1](为本发明的第一方面，并且陈述“所述光学信息记录介质的特征在于记录层包含由下式(1)表示的氧杂菁染料和不同于由所述式(1)表示的氧杂菁染料的染料，并且由所述式(1)表示的氧杂菁染料的含量基于所述记录层的总质量为30质量％或更大”)中，所述由式(1)表示的氧杂菁染料的含量基于记录层的总质量优选为70质量％或更大，更优选为90质量％或更大，并且最优选为100质量％。

优选地，与由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料是氧杂菁染料。

在记录层的总质量为100质量％的条件下计算氧杂菁染料的含量。例如，通常为了将由式(1)表示的氧杂菁染料的混合物含量设定为30质量％，推荐将由式(1)表示的氧杂菁染料以及与由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料以30∶70的质量比混合以制备染料涂布液。

在[4](为本发明的第四方面，并且陈述“所述光学信息记录介质的特征在于所述记录层基本上由式(1’)表示的氧杂菁染料制成”)中，由式1’表示的氧杂菁染料的含量优选为70％或更大，更优选90％或更大，还更优选为95％或更大，最优选为100质量％。在这种情况下，优选地，不同于由式1’表示的氧杂菁染料的染料是氧杂菁染料。

将描述氧杂菁染料。在本发明中，将氧杂菁染料定义为具有阴离子生色团的多次甲基染料。这种氧杂菁染料由下式(1)表示，在记录特性方面是优良的。

式(1)

在该式中，A、B、C、和D各自表示吸电子基团。A和B和/或C和D可以相互结合以形成环。如果这些不相互结合，则这些是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团。R表示在次甲基碳上的取代基。m表示0至1的整数。n表示0至2m+1的整数。如果n为2或更大，则多个R可以彼此相同或彼此不同，并且可以相互结合以形成环。Y^t+表示t价阳离子。t表示1至4的整数。

式(1)包括由阴离子的局域化位置中的符号差别(notational difference)引起的多个互变异构体。特别是，如果A、B、C、和D中的任何一个是“-CO-E”(其中E是取代基)，则通常以使负电荷定位在氧原子上这种方式表示这种基团。例如，如果D是“-CO-E”，则下面提到的式(7)是在式(1)中包括的通用表示法(common representation)。

式(7)

式(7)中的A、B、C、R、m、n、Y^t+和t是以与式(1)中的那些相同的方式定义的。

以下将描述由式(1)表示的氧杂菁染料。在式(1)中，A、B、C和D各自表示吸电子基团。A和B和/或C和D可以相互结合以形成环。如果这些不相互结合，则这些是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团。A、B、C、和D可以彼此相同或彼此不同。如果这些不相互结合，则由A、B、C、和D表示的吸电子基团的哈米特取代基常数σρ值各自独立地落入优选0.30至0.85，并且更优选0.35至0.80的范围内。

在例如Chem.Rev.91，165(1991)和由其引用的参考文件中提到了哈米特取代基常数σρ值(以下简称为“σρ值”)。可以根据在该出版物中描述的方法获得在此没有提到的值。

由A、B、C、和D表示的吸电子基团的优选具体实例包括氰基、硝基、含1至10个碳原子的酰基(例如，乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基和苯甲酰基)、含2至12个碳原子的烷氧羰基(例如，甲氧羰基、乙氧羰基、异丙氧羰基、丁氧羰基和癸氧羰基)、含7至11个碳原子的芳氧羰基(例如，苯氧羰基)、含1至10个碳原子的氨基甲酰基(例如，甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、苯基氨基甲酰基)、含1至10个碳原子的烷基磺酰基(例如，甲磺酰基)、含6至10个碳原子的芳基磺酰基(例如，苯磺酰基)、含1至10个碳原子的烷氧基磺酰基(例如，甲氧基磺酰基)、含1至10个碳原子的氨磺酰基(例如，乙基氨磺酰基、苯基氨磺酰基)、含1至10个碳原子的烷基亚磺酰基(例如，甲亚磺酰基和乙亚磺酰基)、含6至10个碳原子的芳基亚磺酰基(例如，苯亚磺酰基)、含1至10个碳原子的烷基次磺酰基(例如，甲次磺酰基和乙次磺酰基)、含6至10个碳原子的芳基次磺酰基(例如，苯次磺酰基)、卤原子、含2至10个碳原子的炔基(例如，  乙炔基)、含2至10个碳原子的二酰基氨基(例如，二乙酰基氨基)、磷酰基、羧基、和5元或6元杂环基(例如，2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基、和4-嘧啶基)。

A、B、C、D、和R中的每一个还可以具有取代基。作为该取代基的实例，可以提到与上述作为由式(1)中的R表示的一价取代基的实例相同的取代基。

优选地，对于用于光盘的染料，出于热分解的观点，A和B或C和D结合在一起以形成环。

优选地，通过将A和B结合在一起形成的环具有下列部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个，或者备选地，通过将C和D结合在一起形成的环具有下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个。更优选地，通过将A和B结合在一起形成的环具有下列部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个，同时通过将C和D结合在一起形成的环具有下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个。

(其中，“Partial structure”表示“部分结构”)

Partial structure(Z-3) Partial structure(Z-4) Partial structure(Z-5)

Partial structure(Z-6) Partial structure(Z-7) Partial structure(Z-8)

Partial structure(Z-9) Partial structure(Z-10) Partial structure(Z-11)

Partial structure(Z-12) Partial structure(Z-13) Partial structure(Z-14)

[在所述部分结构中，R³表示氢原子或取代基。多个R³可以彼此相同或彼此不同。R³和R³可以通过连接基团连接在一起。]

可以提到与上述由A、B、C和D表示的基团相同的基团作为由式(7)的E表示的取代基。同样适用它的优选范围。

由式(1)中的R表示的在次甲基碳上的取代基的实例包括含1至20个碳原子的链或环状烷基(例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、和正丁基)、含6至18个碳原子的取代或未取代的芳基(例如，苯基、氯苯基、茴香基、甲苯甲酰基、2，4-二叔戊基、1-萘基)、链烯基(例如，乙烯基和2-甲基乙烯基)、炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基和2-苯基乙炔基)、卤原子(例如，F、C1、Br和I)、氰基、羟基、羧基、酰基(例如，乙酰基、苯甲酰基、水杨酰基和戊酰基)、烷氧基(例如，甲氧基、丁氧基和环己氧基)、芳氧基(例如，苯氧基和a-萘氧基)、烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、苄硫基、3-甲氧基丙硫基)、芳硫基(例如，苯硫基和4-氯苯硫基)、烷基磺酰基(例如，甲磺酰基和丁磺酰基)、芳基磺酰基(例如，苯磺酰基和对甲苯磺酰基)、含1至10个碳原子的氨基甲酰基、含1至10个碳原子的酰胺基、含2至12个碳原子的酰亚胺基、含2至10个碳原子的酰氧基、含2至10个碳原子的烷氧羰基和杂环基(例如，芳族杂环，如吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基和吡唑基以及脂族杂环，如吡咯烷环、哌啶环、吗啉环、吡喃环、噻喃环、二噁烷环和二硫杂环戊烷(dithiolan)环)。

R的优选实例包括卤原子、含1至8个碳原子的链或环状烷基、含6至10个碳原子的芳基、含1至8个碳原子的烷氧基、含6至10个碳原子的芳氧基和含3至10个碳原子的杂环基。特别是，其优选实例包括氯原子、含1至4个碳原子的烷基(例如，甲基、乙基和异丙基)、苯基、含1至4个碳原子的烷氧基(例如，甲氧基和乙氧基)、苯氧基、含4至8个碳原子的含氮杂环基(例如，4-吡啶基，苯并噁唑-2-基和苯并噻唑-2-基)。

m表示0至1的整数。优选地，m是1。

优选地，当m＝1时，通过将A和B结合在一起形成的环和通过将C和D结合在一起形成的环不同时具有下列部分结构(Z-1)和(Z-2)。原因在于吸收波长变得极其长于440nm或更短的记录激光束波长。这种更长的吸收波长不适于记录。

部分结构(Z-1)    部分结构(Z-2)

n表示0至2m+1的整数。如果n为2或更大，则多个R可以彼此相同或彼此不同。R和R可以相互结合在一起以形成环。此时，环原子数优选为4至8，并且特别是优选为5或6。成环原子优选为碳原子、氧原子或氮原子，并且特别是优选为碳原子。

Y^t+表示t价阳离子。t表示1至4的整数。t优选为1、2和3中的任何一个，更优选为2或3并且还更优选为2。

可以提到日本公布未审查专利申请H10-297103所公开的氧杂菁染料的阴离子部分作为用于本发明的由式(1)表示的氧杂菁染料的阴离子部分的具体实例。还可以提到下列化合物作为其具体实例，但是本发明不限于这些。

如果如在(A-24)、(A-25)、(A-26)、(A-45)和(A-46)中结合每一个均由式(1)表示的两个氧杂菁染料的阴离子部分，则相对于以这种方式结合的两个氧杂菁染料的阴离子部分，Y^t+的数量达到2/t。

在式(8)和(9)中的A、B、C、R、m、n、y^t+和t是以与式(1)中相同的方式定义的。同样适用它的优选范围。

将给出阳离子染料的描述，所述阳离子染料的吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内。根据氧杂菁染料的吸收最大波长，对吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的阳离子染料，优选400nm或更大，更优选450nm或更大并且还更优选500nm或更大。原因在于在优选范围内的阳离子染料可以容易高效率地使氧杂菁染料的阴离子部分的激发态衰减，结果可以预期到耐光性的大大提高，或者原因在于单重激发态氧是以高效率衰减的。

吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的阳离子染料的实例包括二铵(diimmonium)、菁和金属配合物阳离子(例如，在配体中具有偶氮化合物，甲

、二吡咯基甲烷(dipyrromethene)、卟啉、酞菁、靛苯胺、异二氢吲哚、喹啉醌或苯二胺的金属配合物阳离子、)。

可以提到具有由日本公布未审查专利申请2002-240433公开的结构的化合物作为上述“二铵"。优选的“二铵"的具体实例包括下列阳离子。这些的每一个也适合作为不同于Y^t+的染料，所述染料的吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内。

将描述菁。可以提到在下列文献中描述的化合物作为菁：“CyanineDyes and Related Compounds(John Wjley&Sons，New York，London，published in 1964)”，包含于“Chemistry of Heterocyclic Compound”丛书中。可以提到由下列专利文献公开的菁的阳离子部分作为本发明中的菁的具体优选实例：日本公布未审查专利申请4-201482和5-217219、日本专利2811442、日本公布未审查专利申请2001-232945和日本专利申请2000-103547。

优选地，吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的阳离子染料是金属配合物阳离子染料。将描述金属配合物。在本发明中的金属配合物指其中金属和配体结合在一起的化合物。所述金属的金属原子的实例包括Mg，Al，Si，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，Ge，As，Sr，Y，Zr，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Ba，Pr，Eu，Yb，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt，Au，Hg，Tl，Pb，Bi，和Th。

优选地，所述金属配合物是过渡金属配合物。本发明中的过渡金属配合物指其中过渡金属和配体结合在一起的化合物。过渡金属为从周期表的IIIa至VIII和Ib中的任何一个，并且是各自具有未充满的d电子壳层的元素。尽管不强加特别限制，但是过渡金属优选为Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，Re和Pt，更优选为Mn，Fe，Co，Ni，Cu和Zn，还更优选为Mn，Fe，Co，Ni和Cu，并且特别是优选为Co，Ni和Cu。

对于配体，优选地，配体的吸收最大波长比氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大波长更长。这些配体的实例包括偶氮化合物、甲

、二吡咯基甲烷(dipyrromethene)、卟啉、酞菁、靛苯胺和喹啉醌。

即使配体的吸收最大波长不比氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大波长更长，也存在其中通过与金属配位出现新的过渡态的情况，所以得到的金属配合物的吸收最大波长变得比氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大波长更长。这种情况也是优选的。这些配体的实例包括含氮杂环配体(，例如，联吡啶配体、菲咯啉配体、苯基吡啶配体、吡唑基吡啶配体、苯并咪唑基吡啶配体、皮考啉酸配体、噻吩基吡啶配体、吡唑基吡啶配体，咪唑基吡啶配体、三唑基吡啶配体、吡唑基苯并噁唑配体和它们的稠合环(例如，苯基喹啉配体、苯并噻吩基吡啶配体和联喹啉配体))。

例如，可以提到在下列文献中描述的配体作为与上述用于本发明的配体不同的配体：“Photochemistry and Photophysics of CoordinationCompounds”，由Springer-Verlag出版，由H.Yersin在1987年撰写；或“Organometallic Chemistry-Base and its Application-”，由Shokabo出版，由Akio Yamamoto在1982年撰写。所述配体的具体实例包括卤素配体(例如，氯配体和氟配体)、二酮配体(例如，乙酰基丙酮配体)、腈配体(例如，乙腈配体)、CO配体、异腈配体(例如，叔丁基异腈配体)、磷配体(例如，膦衍生物、亚磷酸酯衍生物和次亚磷酸酯(phosphinine)衍生物)和羧酸配体(例如，乙酸配体)。

将描述部分结构(Z-3)至(Z-14)。R³表示氢原子或取代基。多个R³可以彼此相同或彼此不同。R³和R³可以通过连接基团连接在一起。优选地，R³是取代基。尽管不强加特别限制，但是作为该取代基，可以提到与上述由R表示的取代基相同的取代基。

将描述式(2)。M^m3+的实例包括Mg²⁺，Al³⁺，Mn²⁺，Fe²⁺，Fe³⁺，Ni²⁺，Ni³⁺，Cu²⁺，Zn²⁺，Ga³⁺，Ru²⁺，Rh³⁺，pd²⁺，Os²⁺，Ir³⁺和pt²⁺。优选地，M^m3+的实例包括Mg²⁺，Al³⁺，Mn²⁺，Fe²⁺，Fe³⁺，C0²⁺，C0³⁺，Ni²⁺，Ni³⁺，Cu²⁺，Zn²⁺和Ru²⁺。更优选地，其实例包括Mn²⁺，Fe²⁺，Fe³⁺，Co²⁺，Co³⁺，Ni²⁺，Ni³⁺，Cu²⁺和Zn²⁺。还更优选地，其实例包括Mn²⁺，Fe²⁺，Fe³⁺，Co²⁺，Co³⁺，Ni²⁺，Ni³⁺和Cu²⁺。其特别优选的实例包括Co²⁺，Co³⁺，Ni²⁺，Ni³⁺和Cu²⁺。

由式(2)中的R³²和R³⁵表示的取代基的优选实例包括含1至20个碳原子的烷基、含6至14个碳原子的芳基、含1至10个碳原子的杂环基、含1至20个碳原子的烷氧基、含6至14个碳原子的芳氧基、含1至20个碳原子的烷基次磺酰基(sulfenyl)、含6至14个碳原子芳基次磺酰基、含1至20个碳原子的烷基磺酰基、含6至14个碳原子芳基磺酰基、含2至21个碳原子的酰基、含1至25个碳原子的氨基甲酰基、含0至32个碳原子的氨磺酰基、含1至20个碳原子的烷氧羰基、含7至15个碳原子的芳氧羰基、含2至21个碳原子的酰基氨基、含1至20个碳原子的磺酰基氨基、含0至32个碳原子的氨基、氰基、硝基、羟基、羧基、磺基和卤原子。更优选其实例包括含1至16个碳原子的烷基、含6至10个碳原子的芳基、含1至7个碳原子的杂环基、含1至16个碳原子的烷氧基、含6至10个碳原子的芳氧基、含1至16个碳原子的烷基磺酰基、含6至10个碳原子芳基磺酰基、含2至17个碳原子的酰基、含1至19个碳原子的氨基甲酰基、含0至20个碳原子的氨磺酰基、含1至17个碳原子的烷氧羰基、含7至11个碳原子的芳氧羰基、含2至17个碳原子的酰基氨基、含1至16个碳原子的磺酰基氨基、含0至16个碳原子的氨基、氰基、羧基、磺基和卤原子。特别是，其优选实例包括含1至12个碳原子的烷基、含1至5个碳原子的含氮杂环基、含1至12个碳原子的烷氧基、含1至15个碳原子的氨基甲酰基、含1至13个碳原子的烷氧羰基、含2至13个碳原子的酰基氨基和卤原子。如果q为2或大于2的整数，则R2和R2可以相互结合在一起以形成环。R³²可以被取代基进一步取代。

在式(2)中，由R³³或R³⁴表示的烷基优选为含1至20个碳原子的烷基、更优选为含1至16个碳原子的烷基，并且特别是优选为含1至12个碳原子烷基。在式(3)中，由R³³或R³⁴表示的芳基优选为含6至14个碳原子的芳基、更优选为含6至10个碳原子的芳基，并且特别是优选为苯基。在式(3)中，由R³³或R³⁴表示的杂环基优选为含1至10个碳原子的杂环基、更优选为含1至7个碳原子的杂环基，并且特别是优选为含1至5个碳原子的含氮杂环基。R³³和R³⁴可以被取代基进一步取代。

最优选地，在式(2)中，R³³或R³⁴各自为含1至5个碳原子的烷基。如果R³³和R³⁴，或R³²和R³³，或R³²和R³⁴结合在一起以形成环，则它的环原子数的优选为5或6。

在式(2)中，q1优选为0至2，并且更优选为0至1。q2优选为0或1并且更优选为1。t3优选为1至3并且更优选为2或3。

在式(2)中，由R³²表示的取代基还可以具有取代基。可以提到下列基团作为该取代基。所述取代基的实例包括含1至20个碳原子的链或环状烷基(例如，甲基、乙基、异丙基和环己基)、含6至18个碳原子的芳基(例如，苯基、氯苯基、2，4-二叔戊基苯基和1-萘基)、含7至18个碳原子的芳烷基(例如，苄基和茴香基)、含2至20个碳原子的链烯基(例如，乙烯基和2-甲基乙烯基)、含2至20个碳原子的炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基和2-苯基乙炔基)、卤原子(例如，F、Cl、Br和I)、氰基、羟基、羧基、含2至20个碳原子的酰基(例如，乙酰基、苯甲酰基、水杨酰基和戊酰基)、含1至20个碳原子的烷氧基(例如，  甲氧基、丁氧基和环己氧基)、含6至20个碳原子的芳氧基(例如，苯氧基、1-萘氧基和甲苯甲酰基)、含1至20个碳原子的烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、苄硫基和3-甲氧基丙硫基)、含6至20个碳原子的芳硫基(例如，苯硫基和4-氯苯硫基)、含1至20个碳原子的烷基磺酰基(例如，甲磺酰基和丁磺酰基)、含6至20个碳原子的芳基磺酰基(例如，苯磺酰基和对甲苯磺酰基)、含1至17个碳原子的氨基甲酰基(例如，未取代的氨基甲酰基、甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、正丁基氨基甲酰基和二甲基氨基甲酰基)、含1至16个碳原子的酰胺基(例如，  乙酰胺和苯甲酰胺)、含2至10个碳原子的酰氧基(例如，乙酰氧基和苯甲酰氧基)、含2至10个碳原子的烷氧羰基(例如，甲氧羰基和乙氧羰基)和5或6元杂环基(例如，芳族杂环，如吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基或吡唑基和杂环，如吡咯烷环、哌啶环、吗啉环、吡喃环、噻喃环、二噁烷环或二硫杂环戊烷环)。

在式(2)中由R³²表示的取代基的取代基的更优选实例包括含1至16个碳原子的链或环状烷基、含6至14个碳原子的芳基、含1至16个碳原子的烷氧基、含6至14个碳原子的芳氧基、卤原子、含2至17个碳原子的烷氧羰基、含1至10个碳原子的氨基甲酰基、含1至10个碳原子的酰胺基、含1至16个碳原子的烷基磺酰基和含6至10个碳原子的芳基磺酰基。其还更优选的实例包括含1至10个碳原子的链或环状烷基、含7至13个碳原子的芳烷基、含6至10个碳原子的芳基、含1至10个碳原子的烷氧基、含6至10个碳原子的芳氧基、氯原子、含2至11个碳原子的烷氧羰基、含1至7个碳原子的氨基甲酰基、含1至8个碳原子的酰胺基、含1至12个碳原子的烷基磺酰基、和苯基磺酰基。特别是其优选实例包括含3至10个碳原子的链-支化的或环状的烷基、含1至8个碳原子的烷氧基、含3至9个碳原子的烷氧羰基、苯基、和含1至8个碳原子的烷基磺酰基。

可以提到下列具体实例作为用于本发明的由式(2)表示的金属配合物阳离子的实例。然而，本发明不限于这些。

将描述式(3)。以与式(2)的M^m3+相同的方式定义式(3)的M^m3+，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的R³²和R³⁵相同的方式定义式(3)的R³²和R³⁵，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的R³³和R³⁴相同的方式定义式(3)的R³³和R³⁴，并且同样适用于它的优选范围。

Q₃表示形成含氮杂环环的基团。尽管对Q₃不强加特别限制，但是优选由Q₃形成5至7元环，更优选形成5或6元环，并且还更优选形成6元环。优选地，使用取代或未取代的亚烷基或取代或未取代的亚烯基作为连接基团，但是对其不强加特别限制。

以与式(2)的q1和q2相同的方式定义式(3)的q1和q2，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的t3相同的方式定义式(3)的t3，并且同样适用于它的优选范围。

除在日本公布未审查专利申请2004-90564中作为具体实例引证并且描述的化合物的阳离子部分以外，还可以提到下列具体实例作为用于本发明的由式(3)表示的金属配合物阳离子的具体实例。然而，本发明不限于这些。

将描述式(4)和式(10)。以与式(2)的M^m3+相同的方式定义式(4)和(10)的M^m3+，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的R³²和R³⁵相同的方式定义式(4)和(10)的R³²和R³⁵，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的q2相同的方式定义式(4)和(10)的q2，并且同样适用于它的优选范围。

式(4)和(10)的q3表示0至3的整数，并且优选为0至2，更优选为1至2，并且还更优选为1。

以与式(2)的t3相同的方式定义式(4)和(10)的t3，并且同样适用于它的优选范围。

可以提到下列金属配合物阳离子作为式(4)和(10)的具体实例。然而，本发明不限于这些。

将描述式(5)和(11)。以与式(2)的M^m3+相同的方式定义式(5)和(11)的M^m3+，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的R³²和R³⁵相同的方式定义式(5)和(11)的R³²、R³⁵和R³⁶，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的R³³和R³⁴相同的方式定义式(5)和(11)的R³³和R³⁴，并且同样适用于它的优选范围。

以与式(2)的q1相同的方式定义式(5)和(11)的q1，并且同样适用于它的优选范围。

式(5)和(11)的q4表示0至4的整数，并且优选为0至3中的任何一个，更优选为0至2中的任何一个，更优选为0或1并且特别是优选为0。

式(5)和(11)的q5表示0至3的整数，并且优选为0至2中的任何一个，更优选为0或1并且还更优选为0。

以与式(2)的t3相同的方式定义式(5)和(11)的t3，并且同样适用于它的优选范围。

可以提到下列金属配合物阳离子作为式(5)和(11)的具体实例。然而，本发明不限于这些。

有利地，还预期其中用O原子代替式(5)和(11)的S原子的金属配合物阳离子表现出与式(5)和(11)的金属配合物阳离子相同的性能。

除上述金属配合物阳离子以外，还可以提到下列苯二胺配合物作为抗衡阳离子Y^t+。

优选地，通过m＝1的事实定义式(1)的氧杂菁染料的阴离子部分。更优选地，通过m＝1的事实、通过将A和B结合在一起形成的环是部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个的事实和通过将C和D结合在一起形成的环是部分结构(Z-9)至(Z-1 4)中的任何一个的事实定义式(1)的氧杂菁染料的阴离子部分。还更优选地，通过m＝1的事实、通过将A和B结合在一起形成的环是部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个的事实、通过将C和D结合在一起形成的环是部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个的事实和吸收最大值在415nm至500nm的范围内的事实定义式(1)的氧杂菁染料的阴离子部分。

优选地，Y^t+是金属配合物阳离子。更优选地，Y是由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物阳离子。还更优选地，Y^t+是由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物阳离子，并且M^m3+是Co²⁺、Co³⁺、Ni²⁺、Ni³⁺或Cu²⁺。

优选地，在式(1)中m＝1，并且Y^t+是金属配合物阳离子。更优选地，在式(1)中m＝1，并且通过将A和B结合在一起形成的环是部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个，并且通过将C和D结合在一起形成的环是下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个，并且Yt+是由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物阳离子。还更优选地，在式(1)中m＝1，并且通过将A和B结合在一起形成的环是部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个，并且通过将C和D结合在一起形成的环是下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个，并且吸收最大值在415nm至500nm的范围内，并且Y^t+是由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物阳离子，并且M^m3+是Co²⁺、Co³⁺、Ni²⁺、Ni³⁺或Cu²⁺。

还优选包含除抗衡阳离子Y^t+以外的染料，所述染料的吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内。更优选地，这种染料是含有上述二铵或上述金属配合物阳离子的染料。还更优选地，这种染料是含有上述金属配合物阳离子的染料。

如果包含除抗衡阳离子Y^t+以外的金属配合物，则不同于抗衡阳离子的金属配合物可以是摩尔消光系数(ε)在350nm至1300nm的波长范围内为1,000dm³mol^-1cm^-1或更小的金属配合物，或可以包含吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的金属配合物染料。

可以提到下列化合物作为摩尔消光系数(ε)在350nm至1300nm的波长范围内为1 0,000dm³mol^-1cm^-1或更小的金属配合物的优选具体实例。然而，本发明不限于这些。

如果包含除抗衡阳离子Y^t+以外的金属配合物，则优选包含吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的金属配合物染料。

优选地，如果包含除抗衡阳离子以外的金属配合物，则吸收最大值与氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的金属配合物染料是甲

配合物、水杨醛配合物、偶氮配合物和由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物中的任何一种金属配合物染料。更优选地，所述金属配合物染料是水杨醛配合物、偶氮配合物和由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物中的任何～种金属配合物染料。还更优选地，所述金属配合物染料是偶氮配合物或由式(2)、(3)、(4)、(5)、(10)和(11)表示的金属配合物中的任何一种金属配合物染料。特别是，优选地，金属配合物染料是偶氮配合物的金属配合物染料。

可以提到下列化合物作为偶氮金属配合物的优选具体实例。然而，本发明不限于这些。

可以提到具有水杨醛配体的金属配合物作为优选具体实例。然而，本发明不限于这些。

可以提到下列化合物作为甲

配合物的优选具体实例。

对于不同于抗衡阳离子的金属配合物，可以提到下列化合物作为上面没有提到的金属配合物。然而，本发明不限于这些金属配合物。

优选地，式(1)的氧杂菁染料的阴离子部分也由式(6)表示。将描述式(6)。以与式(1)的A和C相同的方式定义式(6)的A和C。

G、J、K和V各自表示取代基。对该取代基不强加特别限制，并且优选地，通过A或C和连接基团形成稠合环结构。对该稠合环结构不强加特别限制。该稠合环结构优选为(5元环+5元环)结构或(5元环+6元环)结构，并且更优选为(5元环+5元环)结构。优选地，形成的环结构是芳环。

以与式(1)的R、n、Y^t+和t相同的方式定义式(6)的R、n、Y^t+和t，并且同样适用于它的优选范围。

式(6)的m表示0至1的整数，并且优选为0。

优选地，式(6)表示由下列结构(Z-13)和(Z-14)表示的氧杂菁染料阴离子。

[在式中，R⁴表示氢原子或取代基，并且优选为取代基。多个R⁴可以彼此相同或彼此不同。]

可以提到上述R的取代基作为由R⁴表示的取代基。

可以提到下列化合物作为由式(6)表示的氧杂菁染料的阴离子部分的具体实例。然而，本发明不限于这些。

可以提到下列化合物和表1的化合物作为式(1)的具体实例。然而，本发明不限于这些。

Compound(1)

Compound(2)

Compound(3)

Compound(4)

Compound(5)

Compound(19)

Compound(20)

(上面的“compound”表示“化合物”)

表1

化合物	氧杂菁染料的阴离子部分	t	阳离子染料
				化合物(6)	(A-10)	2	(C-9)
化合物(7)	(A-17)	2	(C-15)
				化合物(8)	(A-28)	2	(C-11)
化合物(9)	(A-29)	2	(C-16)
				化合物(10)	(A-18)	2	(C-16)
化合物(11)	(A-19)	2	(C-17)
				化合物(12)	(A-28)	2	(C-18)
化合物(13)	(A-21)	2	(C-19)
				化合物(14)	(A-28)	2	(C-3)
化合物(15)	(A-41)	2	(C-9)
				化合物(16)	(A-42)	2	(C-14)
化合物(17)	(A-43)	2	(C-3)
				化合物(18)	(A-44)	2	(C-13)
化合物(21)	(A-31)	2	(C-18)
				化合物(22)	(A-48)	2	(C-8)

优选地，与上述由式(1)表示的氧杂菁染料一起使用并且与由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料是氧杂菁染料。将给出与由式(1)表示的氧杂菁染料一起使用的氧杂菁染料的描述。在本发明中，将氧杂菁染料定义为具有阴离子生色团的多次甲基染料。特别适合使用下面提到的由式(1)表示的氧杂菁染料，因为这种氧杂菁染料在记录特性方面是优异的。

式(1)

在式中，A、B、C和D各自表示吸电子基团，并且A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6。A和B或备选地C和D可以相互结合在一起以形成环。R表示在次甲基碳上的取代基。m表示0至3的整数。n表示0至2m+1的整数。当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或彼此不同。R和R可以结合在一起以形成环。Y^t+表示t价阳离子。t表示1至10的整数。

式(I)包括由阴离子的局域化的位置的符号差别引起的多个互变异构体。特别是，如果A、B、C和D中的任何一个是“-CO-E”(其中E是取代基)，则通常以使负电荷定位在氧原子上这种方式表示这种基团。例如，如果D是“-CO-E”，则下面提到的式(II)是在式(I)中包括的共同表示法。

式(II)

式(II)中的A、B、C、R、m、n、Y^t+和t是以与式(I)中的那些相同的方式定义的。

将给出上述由式(I)表示的氧杂菁染料的描述。在式(II)中，A、B、C和D各自表示吸电子基团，并且A和B的哈米特取代基常数σρ之和以及C和D的哈米特取代基常数σρ之和各自大于0.6。A、B、C和D可以彼此相同或彼此不同。A和B或备选地C和D可以相互结合在一起以形成环。由A、B、C和D表示的吸电子基团的哈米特取代基常数σρ值各自独立地在优选为0.30至0.85，并且更优选为0.35至0.80的范围内。

在例如Chem.Rev.91，165(1991)和由其引用的参考文件中提到了哈米特取代基常数σρ值(以下简称为“σρ值”)。可以根据在该出版物中描述的方法获得在此没有提到的值。当A和B(C和D)通过结合在一起形成环时，A(C)的σρ值表示-A-B-H(-C-10D-H)基团的σρ值，而B(D)的σρ值表示-B-A-H(-D-C-H)基团的σρ值。在这种情况下，因为所述基团在结合方向上彼此不同，σρ值彼此不同。

由A、B、C和D表示的吸电子基团的优选具体实例包括氰基、硝基、含1至10个碳原子的酰基(例如，乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基和苯甲酰基)、含2至12个碳原子的烷氧羰基(例如，甲氧羰基、乙氧羰基、异丙氧羰基、丁氧羰基和癸氧羰基)、含7至11个碳原子的芳氧羰基(例如，苯氧羰基)、含1至10个碳原子的氨基甲酰基(例如，甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基和苯基氨基甲酰基)、含1至10个碳原子的烷基磺酰基(例如，甲磺酰基)、含6至10个碳原子的芳基磺酰基(例如，苯磺酰基)、含1至10个碳原子的烷氧基磺酰基(例如，甲氧基磺酰基)、含1至10个碳原子的氨磺酰基(例如，乙基氨磺酰基和苯基氨磺酰基)、含1至10个碳原子的烷基亚磺酰基(例如，甲亚磺酰基和乙亚磺酰基)、含6至10个碳原子的芳基亚磺酰基(例如，苯亚磺酰基)、含1至10个碳原子的烷基次磺酰基(例如，甲次磺酰基和乙次磺酰基)、含6至10个碳原子的芳基次磺酰基(例如苯次磺酰基)、卤原子、含2至10个碳原子的炔基(例如，乙炔基)、含2至10个碳原子的二酰基氨基(例如，二乙酰基氨基)、磷酰基、羧基和5或6元杂环基(例如，2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基和4-嘧啶基)。

在通式(I)中，由R表示的在次甲基碳上的取代基的实例包括：含1-20个碳原子的链烷基或环烷基(例如，甲基，乙基，正丙基，异丙基，和正丁基)，含6-18个碳原子的取代或未取代的芳基(例如，苯基，氯苯基，茴香基，甲苯基，2，4-二叔戊基，和1-萘基)，烯基(例如，乙烯基和2-甲基乙烯基)，炔基(例如，乙炔基，2-甲基乙炔基，和2-苯基乙炔基)，卤素原子(例如，F，Cl，Br，I)，氰基，羟基，羧基，酰基(例如，乙酰基，苯甲酰基，水杨酰基，和戊酰基)，烷氧基(例如，甲氧基，丁氧基，和环己基氧基)，芳氧基(例如，苯氧基和1-萘氧基)，烷基硫基(例如，甲基硫基，丁基硫基，苄基硫基，和3-甲氧基丙基硫基)，和芳基硫基(例如，苯基硫基和4-氯苯基硫基)。

由R表示的在次甲基碳上的取代基的实例还包括烷基磺酰基(例如，甲磺酰基和丁磺酰基)、芳基磺酰基(例如，苯磺酰基和对甲苯磺酰基)、含1至10个碳原子的氨基甲酰基、含1至10个碳原子的酰胺基、含2至12个碳原子的酰亚胺基、含2至10个碳原子的酰氧基、含2至10个碳原子的烷氧羰基和杂环基(例如，芳族杂环，如吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基和吡唑基以及脂族杂环，如吡咯烷环、哌啶环、吗啉环、吡喃环、噻喃环、二噁烷环和二硫杂环戊烷环)。

R的优选实例包括卤原子、含1至8个碳原子的链或环状烷基、含6至10个碳原子的芳基、含1至8个碳原子的烷氧基和含6至10个碳原子的芳氧基以及含3至10个碳原子的杂环基。特别是，R的优选实例包括氯原子、含1至4个碳原子的烷基(例如，甲基、乙基和异丙基)、苯基、含1至4个碳原子的烷氧基(例如，甲氧基和乙氧基)、苯氧基和含4至8个碳原子的含氮杂环基(例如，4-吡啶基、苯并噁唑-2-基和苯并噻唑-2-基)。

n表示0至2m+1的整数。如果n为2或更大，则多个R可以彼此相同或彼此不同。R和R可以结合在一起以形成环。此时，环原子数优选为4至8，并且特别优选为5或6。成环原子优选为碳原子、氧原子或氮原子，并且特别优选为碳原子。

A、B、C、D和R可以进一步具有取代基。可以提到与在式(I)中由R表示的一价取代基相同的取代基作为这种取代基的实例。

对于一起用于光盘的氧杂菁染料，出于热分解的观点，优选A和B、或C和D结合在一起以形成环。可以提到下列实例作为这种环的实例。在这些实例中，Ra、Rb和Rc各自独立地表示氢原子或取代基。

优选的环是由AA-8、AA-9、AA-10、AA-11、AA-12、AA-13、AA-14、AA-17、AA-36、AA-39、AA-41和AA-57表示的那些环。更优选的环是由AA-8、AA-9、AA-10、AA-13、AA-14、AA-17和AA-57表示的那些环。

最优选的环是由AA-9、AA-10、AA-13、AA-17和AA-57表示的那些环。

以与上面提到的由R表示的那些相同的方式定义由Ra、Rb和Rc表示的取代基。Ra、Rb和Rc可以结合在一起以形成碳环或杂环。所述碳环的实例包括饱和或不饱和的4至7元碳环，如环己基环、环戊基环、环己烷环和苯环。杂环的实例包括饱和或不饱和的4至7元杂环，如哌啶环、哌嗪环、吗啉环、四氢呋喃环、呋喃环、噻吩环、吡啶环和吡嗪环。这些碳环或杂环可以被进一步取代。以与上面提到的由R表示的取代基相同的方式定义能够进一步被取代的基团。

在式(I)中，m表示0至3的整数。m值大大改变氧杂菁染料的吸收波长。需要根据用于记录和复制的激光的振荡波长设计具有最佳吸收波长的染料。在这方面，选择m值中的任何一个是重要的。如果用于记录和复制的激光的中心振荡波长为780nm(即，在用于CD-R记录的半导体激光中)，则在式(I)中m优选为2或3。如果中心振荡波长为635nm或650nm(在用于DVD-R记录的半导体激光中)，则m优选为1或2。如果中心振荡波长为550nm或更小(例如，在中心振荡波长为405nm的蓝-紫半导体激光中)，则m优选为0或1。

优选地，本发明的光学信息记录介质具有下列模式。

模式(1)：光学信息记录介质，其在厚度为0.7mm至2mm的衬底上，从衬底侧依次具有一次写入型含染料记录层和厚度为0.01mm至0.5mm的覆盖层

模式(2)：光学信息记录介质，其在厚度为0.1mm至1.0mm的衬底上，从衬底侧依次具有一次写入型含染料记录层和厚度为0.1mm至1.0mm的保护层

优选地，在模式(1)中，在衬底中形成的预制凹槽的磁道间距为200nm至500nm，凹槽宽度为25nm至250nm，并且凹槽深度为5nm至150nm。优选地，在模式(2)中，在衬底中形成的预制凹槽的磁道间距为200nm至600nm，凹槽宽度为50nm至300nm，凹槽深度为30nm至150nm，并且摆动振幅为5nm至50nm。

模式(1)的光学信息记录介质至少具有衬底、一次写入型记录层和覆盖层。将逐一描述形成这些元件的材料。

[模式(1)的衬底]

对于模式(1)的衬底，绝对必需具有带有磁道间距、凹槽宽度(即，半值宽度)、凹槽深度和摆动振幅中的每一个落入下列范围内的形状的预制凹槽(即，导槽)。形成这种预制凹槽以获得比CD-R或DVD-R更高的记录密度。例如，在使用本发明的光学信息记录介质作为与蓝-紫激光相适应的介质时，这是有利的。

对于预制凹槽的磁道间距，绝对必需落入200nm至500nm的范围内。其上限值优选为420nm或更小，更优选为370nm或更小并且还更优选为330nm或更小。其下限值优选为260nm或更大。如果磁道间距小于200nm，则将难以精确地形成预制凹槽，并且存在其中出现串扰问题的情况。如果磁道间距超过500nm，则在某些情况下将不利地降低记录密度。

对于预制凹槽的凹槽宽度(半值宽度)，绝对必需落入25nm至250nm的范围内。其上限值优选为240nm或更小，更优选230nm或更小并且还更优选220nm或更小。其下限值优选为50nm或更大，更优选为80nm或更大，并且更优选为100nm或更大。如果预制凹槽的凹槽宽度小于25nm，则在成型时凹槽将不充分地移动，或者在某些情况下记录中的错误率将增大。如果凹槽宽度超过250nm，则凹槽将不会以在成型时的相同方式充分地移动，并且在记录中形成的凹坑将扩大，从而导致串扰。

对于预制凹槽的凹槽深度，绝对必需落入5nm至150nm的范围内。其上限值优选为85nm或更小，更优选为80nm或更小并且还更优选为75nm或更小。其下限值优选为10nm或更大，更优选为20nm或更大，并且更优选为28nm或更大。如果预制凹槽的凹槽深度小于5nm，则在某些情况下不能获得足够的记录调制度。如果凹槽深度超过150nm，则在某些情况下将大大降低反射率。

预制凹槽的凹槽倾角的上限值优选为80°或更小，更优选为75°或更小，还更优选为70°或更小，并且特别优选为65°或更小。其下限值优选为20°或更大，更优选为30°或更大，并且还更优选为40°或更大。

如果预制凹槽的凹槽倾角小于20°，则在某些情况下不能获得足够的跟踪误差信号振幅。如果其凹槽倾角超过80°，则模塑不能令人满意地进行。

用作常规的光学信息记录介质的衬底材料的各种材料可以被任意选择，并且用于在本发明中使用的衬底。

该材料的具体实例包括玻璃；丙烯酸类树脂，如聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯基树脂，如聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；环氧树脂；非晶态聚烯烃；聚酯；和金属，如铝。在必要时可以将这些一起使用。

出于耐湿性、尺寸稳定性和低成本的观点，在这些材料之中优选热塑性树脂，如非晶态聚烯烃或聚碳酸酯。其中，特别优选聚碳酸酯。如果使用这些树脂，则可以通过使用注模制备衬底。

对于衬底的厚度，必需落入0.7mm至2mm的范围内。衬底的厚度优选为0.9mm至1.6mm，并且更优选为1.0mm至1.3mm。

优选地，在其上安置后述光反射层一侧上的基材的表面上形成底涂层以提高平面度并且提高粘附力。

底涂层的材料的实例包括高分子材料，如聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸酯-甲基丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羟甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纤维素、聚氯乙烯、氯化聚烯烃、聚酯、聚酰亚胺、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯或聚碳酸酯；和表面改性剂，如硅烷偶联剂。

可以通过下列方法形成底涂层：首先将上面提到的材料溶解或分散于适合的溶剂中以制备涂布液，然后根据涂布方法，如旋涂法、浸涂法或挤压涂布法，将得到的涂布溶液涂覆到衬底的表面上。

底涂层的厚度通常为0.005μm至20μm，并且优选为0.01μm至10m。[模式(1)的一次写入型记录层]

通过下列方法形成模式(1)的一次写入型记录层：将染料与例如粘合剂一起溶解于适合的溶剂中以制备涂布液，之后将得到的涂布液涂覆到衬底或稍后描述的光反射层上以形成涂膜，并且干燥。在此，可以将一次写入型记录层形成为单层结构或多层结构。如果将一次写入型记录层形成为多层结构，则将在其上涂覆涂布液的步骤进行多次。

在涂布液中的染料的浓度落入通常为0.01％至15质量％，优选为0.1％至10质量％，更优选为0.5％至5质量％，并且最优选为0.5％至3质量％的范围内。

用于制备涂布液的溶剂的实例包括：酯如乙酸丁酯、乳酸乙酯或乙酸溶纤剂；酮如甲基乙基酮、环已酮和甲基异丁基酮；氯代烃如二氯甲烷、1，2-二氯乙烷或氯仿；酰胺如二甲基甲酰胺；烃如甲基环己烷；醚如四氢呋喃、乙醚或二噁烷；醇如乙醇、正丙醇、异丙醇或正丁醇、双丙酮醇；氟-基溶剂如2，2，3，3-四氟-1-丙醇；和二醇醚如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚或丙二醇单甲醚。

考虑到使用的染料的溶解度，可以通过单一物质或通过将两种或更多种物质组合在一起使用所述溶剂。还可以根据预期应用将各种添加剂如抗氧化剂、UV吸收剂、增塑剂和润滑剂加入到所述涂布液中。

液体涂布方法的实例包括喷涂法、旋涂法、浸渍法、辊涂法、刮涂法、刮刀辊法和丝网印刷法。

在涂布时，涂布液的温度优选为23℃至50℃，更优选为24℃至40℃，并且特别优选为24℃至37℃。

一次写入型记录层在岸台(land)(即，衬底的凸部)上的厚度落入优选为300nm或更小，更优选为250nm或更小，还更优选为200nm或更小，并且特别优选为180nm或更小的范围内。其下限值优选为lnm或更大，更优选为3nm或更大，还更优选为5nm或更大，并且特别优选为7nm或更大。

一次写入型记录层在凹槽(即，衬底的凹部)上的厚度优选为400nm或更小，更优选为300nm或更小，还更优选为250nm或更小。其下限值优选为10nm或更大，更优选为20nm或更大，并且还更优选为25nm或更大。

一次写入型记录层在岸台上的厚度与一次写入型记录层在凹槽上的厚度的比率优选为0.1或更大，更优选为0.13或更大，还更优选为0.15或更大，并且特别优选为0.17或更大。其上限值优选小于1，更优选为0.9或更小，还更优选为0.85或更小，并且特别优选为0.8或更小。

如果涂布液包含粘合剂，则粘合剂的实例包括：天然有机高分子物质，如明胶、纤维素衍生物、葡聚糖、松香和橡胶；和合成有机聚合物，包括烃-基树脂如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚异丁烯，乙烯基-基树脂如聚氯乙烯、聚偏1，1-二氯乙烯和聚氯乙烯-聚乙酸乙烯酯共聚物，丙烯酸类树脂如聚丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯，以及热固性树脂，如聚乙烯醇、氯化聚乙烯、环氧树脂、丁醛树脂、橡胶衍生物以及酚醛树脂的预缩合物。如果将粘合剂与用于一次写入型记录层的材料一起使用，则使用的粘合剂的量相对于染料落入通常为0.01至50倍(以质量计)，并且优选为0.1至5倍(以质量计)的范围内。

为了进一步提高一次写入型记录层的耐光性，一次写入型记录层可以包含各种褪色抑制剂。通常将单重激发态氧猝灭剂作为褪色抑制剂使用。在本发明中，通过随其混合这种单重激发态氧猝灭剂，可以预期进一步提高耐光性。可以使用被专利文件1公开的物质作为单重激发态氧猝灭剂。

使用的褪色抑制剂如单重激发态氧猝灭剂的量相对于染料的量落入通常为0.1质量％至50质量％，优选为0.5质量％至45质量％，更优选为3质量％至40质量％，并且特别优选为5质量％至25质量％的范围内。

[模式(1)的覆盖层]

在其间使用粘合剂或粘合材料将模式(1)的覆盖层粘合到一次写入型记录层或后述阻挡层上。

只要覆盖层是由透明材料制成的膜，对覆盖层没有强加特别限制。用于覆盖层的材料的优选实例包括丙烯酸类树脂，如聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯-基树脂，如聚氯乙烯和氯乙烯共聚物；环氧树脂，非晶态聚烯烃；聚酯；以及三乙酸纤维素。在这些材料之中，更优选使用聚碳酸酯或三乙酸纤维素。

在此所用的术语“透明”指对于记录和复制信息的光的透射率为80％或更大。

只要不减弱本发明的效果，覆盖层可以包含各种添加剂。例如，容许包含截除波长为400nm或更小的光的UV吸收剂和/或截除波长为500nm或更大的光的染料。

对于覆盖层的表面物理性质，优选地，表面粗糙度具有5nm或更小的二维粗糙度参数和5nm或更小的三维粗糙度参数。

出于用于记录和复制信息的光的聚光度的观点，覆盖膜的双折射优选为10nm或更小。

根据发射用于记录和复制信息的激光束的波长和“NA”，适当地设定覆盖层的厚度。在本发明中，覆盖层的厚度优选为0.01mm至0.5mm，并且更优选为0.05mm至0.12mm。

包括覆盖层的厚度和粘合剂或粘合材料的厚度的总厚度优选为0.09mm至0.11mm，并且更优选为0.095mm至0.105mm。

在制备光学信息记录介质时，覆盖层的光入射表面可以配置有保护层(硬涂层)，由此防止光入射表面受到损害。

优选地，对于用其将覆盖层粘合到记录层或阻挡层上的粘合剂，使用UV固化性树脂，EB固化性树脂、热固性树脂等。特别是，优选地，为此使用UV固化性树脂。

如果使用UV固化性树脂作为粘合剂，则可以将UV固化性树脂从分配器中直接涂覆到阻挡层的表面上，或者备选地，可以将其溶于适当的溶剂如甲基乙基酮或乙酸乙酯中以制备涂布液，并且可以在其上涂覆得到的涂布液。为了防止制备的光学信息记录介质翘曲，优选使用用来制备粘合层的收缩率小的UV固化性树脂。例如，可以提到由Dainippon Ink andChemicals，Inc.生产的“SD-640(商品名)”作为UV固化性树脂。

优选地，例如，将粘合剂以预定量涂覆到阻挡层的表面上以将其粘合到覆盖层上，之后在其上放置覆盖层，之后根据旋涂法使粘合剂展开以在将要被粘合的表面和覆盖层之间变得均匀，并且使粘合剂硬化。

由粘合剂制成的粘合层的厚度优选为0.1μm至100μm，更优选为0.5μm至50μm，还更优选为10μm至30μm。

可以使用丙烯酸类-基、橡胶-基或硅-基粘合材料粘合覆盖层。出于透明度和耐久性的观点，优选使用丙烯酸类-基粘合材料。丙烯酸类-基粘合材料的优选实例是主要由丙烯酸2-乙基己酯或丙烯酸正丁酯组成，并且通过下列方法获得的化合物：使短链丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸甲酯与可以作为和交联剂交联的位置的丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺衍生物、马来酸、丙烯酸羟乙酯、或丙烯酸缩水甘油酯共聚以提高内聚力。适当地调节在主要组分、短链组分和增加交联位置的组分之间的混合比率和种类，从而可以改变玻璃化转变温度(Tg)和交联密度。

例如，可以提到异氰酸酯-基交联剂作为与上面提到的粘合材料一起使用的交联剂。异氰酸酯-基交联剂的实例包括异氰酸酯，如甲苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、萘-1，5-二异氰酸酯、甲苯胺异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯和三苯基甲烷三异氰酸酯；由这些异氰酸酯中的任何一种和多元醇获得的产物；和通过使这些异氰酸酯缩合制备的聚异氰酸酯。这些异氰酸酯的可商购产品的实例包括每一种均由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生产的ColonateL、Colonate HL、Colonate 2030、Colonate 2031、Millionate MR和MillionateHTL；每一种均由Takeda Pharmaceutical Company Limited生产的TakenateD-102、Takenate D-110N、Takenate D-200和Takenate D-202；和每一种均由Sumitomo Bayer Urethane Co.，Ltd.生产的Desmodule L、Desmodule IL、Desmodule N和Desmodule HL。

可以的是将粘合材料以预定量均匀地涂覆到阻挡层的将要被粘合的表面上，之后在其上放置覆盖层，并且使粘合材料硬化。备选地，可以的是将粘合材料以预定量均匀地预涂覆到覆盖层的一侧上以形成粘合材料的涂膜，之后将得到的涂膜粘合到将要被粘合的表面上，并且使粘合材料硬化。

备选地，可以将预先配置有粘合层的可商购粘合剂膜用于覆盖层。

由这种粘合材料制成的粘合层的厚度优选为0.1μm至100μm、更优选为0.5μm至50μm并且还更优选为10μm至30μm。

[在模式(1)中的其它层]

只要不减弱本发明的效果，除上面提到的必要层以外，模式(1)的光学信息记录介质还可以具有其它任意层。其它任意层的实例包括具有需要的图像并且在衬底的背表面上(即，在与其上形成一次写入型记录层一侧相对的非形成表面一侧)形成的标签层、安置在衬底和一次写入型记录层之间的光反射层(稍后描述)、安置在一次写入型记录层和覆盖层之间的阻挡层(稍后描述)和安置在光反射层和一次写入型记录层之间的界面层。标签层可以由例如紫外线固化性树脂、热固性树脂或热干燥树脂制成。

这些必要和任意层可以各自具有单层结构或多层结构。

[在模式(1)中的光反射层]

在模式(1)的光学信息记录介质中，优选在衬底和一次写入型记录层之间形成光反射层以提高对激光束的反射率或提供提高记录和复制特性的功能。

可以通过将对激光具有高反射率的光反射材料进行真空沉积处理、溅射处理或离子电镀处理，在衬底上形成光反射层。

光发射层的厚度通常为10nm至300nm，并且优选为50nm至200nm。

优选地，反射率为70％或更大。

具有高反射率的光反射材料的实例包括不锈钢、半金属和金属，如Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、A1、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi。这些光反射材料可以单独使用，或者可以以其两种或更多种组成的组合的形式使用，或者可以以合金的形式使用。其中优选使用Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不锈钢。特别是，优选使用Au、Ag、Al或它们的合金。最优选使用Au、Ag或它们的合金。

[在模式(1)中的阻挡层(中间层)]

在模式(1)的光学信息记录介质中，优选在一次写入型记录层和覆盖层之间形成阻挡层。安置阻挡层以提高一次写入型记录层的可存储性，提高在一次写入型记录层和覆盖层之间的粘附性，调节反射率并且调节热导率。只要材料能够透过用于记录和复制信息的光，并且只要可以实现上面提到的功能，对用于阻挡层的材料不强加特别限制。例如，用于阻挡层的材料通常对气体或水分具有低渗透性并且优选为电介质材料。

优选地，该材料的具体实例包括Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge等的氮化物、氧化物、碳化物和硫化物，更优选为ZnS、MoO₂、GeO₂、TeO、SiO₂、TiO₂、ZuO、ZnS-SiO₂、SnO₂和ZnO-Ga₂O₃，并且还更优选为ZnS-SiO₂、SnO₂、ZnO-Ga₂O₃和SiO₂。

可以根据真空成膜方法，如真空沉积、DC溅射、RF溅射或离子电镀形成阻挡层。特别是，优选使用溅射法。

阻挡层的厚度优选为1nm至200nm、更优选为2nm至100nm并且还更优选为3nm至50nm。

接着，将描述模式(2)的光学信息记录介质。

模式(2)的光学信息记录介质是具有共同粘合型层结构的光学信息记录介质。其典型的层结构如下。

(1)第一种层结构的特征在于在衬底上依次形成一次写入型记录层、光反射层和粘合层，并且在所述粘合层上安置保护片。

(2)第二种层结构的特征在于在衬底上依次形成一次写入型记录层、光反射层、保护层和粘合层，并且在所述粘合层上安置保护片。

(3)第三种层结构的特征在于在衬底上依次形成一次写入型记录层、光反射层、保护层、粘合层和保护层，并且在所述保护层上安置保护片。

(4)第四种层结构的特征在于在衬底上依次形成一次写入型记录层、光反射层、保护层、粘合层、保护层和光反射层，并且在所述光反射层上安置保护片。

(5)第五种层结构的特征在于在衬底上依次形成一次写入型记录层、光反射层、粘合层和光反射层，并且在所述光反射层上安置保护片。

这些层结构(1)至(5)只是几个实例，因此在不限于上面提到的顺序的情况下，可以在其中进行替换，或者可以去除结构元件中的一些。另外，还可以在保护片一侧形成一次写入型记录层。如果这样的话，则光学信息记录介质可以是能够从两面记录和复制信息的双面介质。另外，每一层可以是单层或由多个层组成的多层。

以下将以其中在衬底上从该衬底侧依次形成一次写入型记录层、光反射层、粘合层和保护片的层结构之一作为实例，详细描述模式(2)的光学信息记录介质。

[模式(2)的衬底]

模式(2)的衬底绝对需要具有预制凹槽(导槽)，所述预制凹槽(导槽)具有每一个均落入下列范围内的磁道间距、凹槽宽度(半值宽度)、凹槽深度和摆动振幅。安置所述预制凹槽以获得比CD-R或DVD-R更高的记录密度。例如，在使用这种光学信息记录介质作为与蓝-紫激光相适应的介质时，本发明的光学信息记录介质是适合的。

预制凹槽的磁道间距绝对需要是200nm至600nm。其上限值优选为450nm或更小，并且更优选为430nm或更小。其下限值优选为300nm或更大，更优选为330nm或更大，并且还更优选为370nm或更大。如果磁道间距小于200nm，则难以精确地形成预制凹槽并且在某些情况下将出现串扰的问题。如果磁道间距超过600nm，则在某些情况下将不利地降低记录密度。

预制凹槽的凹槽宽度(半值宽度)绝对需要是50至300nm。其上限值优选为290nm或更小，更优选为280nm或更小，并且还更优选为250nm或更小。其下限值优选为100nm或更大，更优选120nm或更大，并且还更优选为140nm或更大。如果预制凹槽的凹槽宽度小于50nm，则凹槽将不会在模塑时充分地移动，或者在某些情况下增加在记录中的出错率。如果其凹槽宽度超过300nm，则在记录过程中形成的凹坑的扩大将导致串扰，或者在某些情况下不能获得足够的调制度。

预制凹槽的凹槽深度绝对需要是30至150nm。其上限值优选为140nm或更小，更优选为130nm或更小，并且还更优选为120nm或更小。其下限值优选为40nm或更大，更优选为50nm或更大，并且还更优选为60nm或更大。如果预制凹槽的凹槽深度小于30nm，则在某些情况下不能获得足够的记录调制度。如果其凹槽深度超过150nm，则在某些情况下大大降低反射率。

在常规的光学信息记录介质中用作衬底材料的各种材料之一可以任意用于在模式(2)中使用的衬底。其具体实例和优选实例与在模式(1)的衬底中相同。

衬底的厚度必需是0.1mm至1.0mm，优选为0.2mm至0.8mm，并且更优选为0.3mm至0.7mm。

优选地，在其上安置后述一次写入型记录层一侧的衬底表面上形成底涂层以提高平面度并且提高粘附力。底涂层的材料、涂布方法和底涂层的厚度的具体实例和优选实例与模式(1)的底涂层的那些相同。

[模式(2)的一次写入型记录层]

关于模式(2)的一次写入型记录层的详情与模式(1)的一次写入型记录层的那些相同。

[模式(2)的光反射层]

在模式(2)中，存在的情况是其中在一次写入型记录层上形成光反射层以提高对激光束的反射率或提供提高记录和复制特性的功能。关于模式(2)的光反射层的详情与模式(1)的光反射层的那些相同。

[模式(2)的粘合层]

在模式(2)中的粘合层是形成以改善光反射层和后述保护片之间的粘附的任意层。

优选地，使用光固化性树脂作为粘合层的材料。特别是，优选使用硬化收缩率小的材料以防止光盘翘曲。可以提到UV固化性树脂(UV固化性粘合剂)，如由Dainippon Ink and Chemicals，Incorporated生产的“SD-640”或“SD-661”作为光固化性树脂。优选地，粘合层的厚度优选为1μm至1000μm以允许粘合层具有弹性。

[模式(2)的保护片]

模式(2)的保护片(假(dummy)片)的材料和形状与上面提到的衬底相同。保护片的厚度必需是0.1mm至1.0mm，优选为0.2mm至0.8mm，并且更优选为0.3mm至0.7mm。

[模式(2)的保护层]

根据介质的层结构，模式(2)的光学信息记录介质具有保护层以在物理和化学上保护光反射层和一次写入型记录层。

用于保护层的材料的实例包括无机材料，如ZnS、ZnS-SiO₂、SiO、SiO₂、MgF₂、SnO₂和Si₃N₄；以及有机材料，如热塑性树脂、热固性树脂和UV固化性树脂。

通过例如在其间使用粘合剂将通过塑料挤出法得到的膜粘合到光反射层上，可以形成保护层。备选地，可以根据真空沉积法、溅射法或涂布法安置保护层。

如果将热塑性树脂或热固性树脂用于这种保护层，则将这种树脂溶于适当的溶剂中以制备涂布液，涂覆并且干燥得到的涂布液，从而形成保护层。如果为此使用UV固化性树脂，则将这种树脂直接涂覆并且硬化，或者备选地溶于适当的溶剂中以制备涂布液，并且涂覆得到的涂布液，并且通过使用UV光辐照使其硬化，从而形成保护层。还可以为了任何目的将各种添加剂，如抗静电剂、抗氧化剂和UV吸收剂加入到这些涂布液中。

保护层的厚度通常为0.1μm至1mm。

[模式(2)的其它层]

只要任意层不减弱本发明的效果，除上面提到的必要层以外，模式(2)的光学信息记录介质还可以具有其它任意层。关于任意层的详情与关于模式(1)的其它层的那些相同。

接着，将给出在本发明的光学信息记录介质上记录电子信息的方法(以下也称为“光学信息记录方法”)的描述。

通过使用上面提到的优选模式(1)或模式(2)的光学信息记录介质，例如以下列方法记录电子信息。首先，在使光学信息记录介质以固定的线速度(0.5至10m/秒)或以固定的角速度旋转的同时，从衬底侧或保护层侧发射记录光束，如半导体激光束。记录层吸收发射的光束，并且局部经历温度的升高。结果，发生物理或化学变化(例如，凹坑的产生)。因此，推测起来，通过改变它的光学性质记录信息。在本发明中，优选使用振荡波长落入440nm或更短的范围内的半导体激光束作为记录光。

光源的优选实例包括振荡波长落入390至415nm的范围内的蓝-紫半导体激光束和中心振荡波长为425nm的蓝-紫SHG激光束，所述蓝-紫SHG激光束是通过使用光波导器，将中心振荡波长为850nm的红外半导体激光束减半得到的。特别是，出于记录密度的观点，优选使用振荡波长落入390至415nm的范围内的蓝-紫半导体激光束。通过在使光学信息记录介质以与上述相同的固定线速度旋转的同时，从衬底侧或保护层侧发射半导体激光束并且检测它的反射光，可以复制以这种方式记录的信息。

[实施例]

下面通过参考实施例更详细地描述本发明。然而，在不偏离本发明的精髓的情况下，本发明不限于下列实施例。在此，只要不进行特殊说明，术语“份”与质量标准有关。

合成实施例1：化合物(5)的合成(其中的“compound”表示“化合物”)

将0.51gNiCl₂·6H₂O溶于10ml甲醇中，并且在搅拌的同时将1.50g化合物(L-1)加入其中。在搅拌片刻之后，将化合物(L-3)加入其中，并且在室温下搅拌2小时。在减压下蒸馏出甲醇，之后加入水，之后进行析出、抽吸和过滤，结果获得化合物(5)。

MALDI-TOF-MS：443.2(负)，697.5(正)

合成实施例2：化合物(12)的合成(其中的“compound”表示“化合物”)

将5ml甲醇加入到0.21g化合物(L-4)中，并且在搅拌的同时，加入包含0.30g化合物(L-3)的5ml甲醇溶液。将混合物加热并且回流1小时，并且使其回到室温。加入40ml蒸馏水，并且获得沉淀物。将沉淀物抽吸并且过滤，结果获得化合物(12)。产量为0.37g。

如果适当地选择反应溶剂或反应温度，则通过使用其它氧杂菁染料的阴离子部分或其它金属配合物阳离子，可以以与化合物(5)中相同的方法进行合成。

-染料的吸收光谱-

将2g根据本发明的金属配合物化合物[化合物5]加入并且溶于100ml2，2，3，3-四氟-1-丙醇。然后涂覆并且干燥得到的含染料液体。之后，通过UV-3100PC(由Shimadzu Corporation生产)测量干燥的涂膜的膜吸收光谱。结果示于表2中。

实施例1

光学信息记录介质的制备

-衬底的制备-

制备由聚碳酸酯树脂制成的注射模塑衬底，所述衬底具有螺旋形预制凹槽(磁道间距：400nm，凹槽宽度：190nm，凹槽深度：90nm，凹槽倾角：65°和摆动振幅：20nm)，具有0.6mm的厚度、120mm的外径和15mm的内径。通过使用激光截除(351nm)进行在注射模塑过程中使用的压模的控制。

-一次写入型记录层的形成-

将2g上述合成的金属配合物化合物[化合物5]加入并且溶于100ml2，2，3，3-四氟-l-丙醇，并且制备八种含染料涂布液。根据旋涂法，在将转数从300r.p.m.改变为4000r.p.m.的同时，在23℃和50％RH的条件下将上述制备的含染料涂布液涂覆到每一个彼此不同的衬底的预制凹槽一侧上。之后，将该液体在23℃和50％RH的条件下保持1小时，并且形成一次写入型记录层。

以这种方式形成一次写入型记录层，然后使用清洁炉进行退火处理。以在通过隔体隔开的同时将衬底固定在垂直的堆杆上这种方式，将退火处理在80℃下进行一小时。

-光反射层的形成-

通过使用由Unaxis Co.Ltd.生产的“Cube”，根据DC溅射法，在Ar气氛中，在一次写入型记录层上形成ANC光反射层(Ag：98.1原子％，Nd：0.7原子％，Cu：0.9原子％)，即厚度为100nm的真空成膜层。通过溅射时间调节光反射层的厚度。

-保护片的粘合-

通过旋涂将紫外固化性树脂(由Dainippon Ink and Chemicals，Incorporated.生产的SD-640)进一步涂覆到光反射层上以形成粘合层。将聚碳酸酯制成的保护片(除保护片没有预制凹槽以外，该保护片具有与衬底相同的结构)粘合到得到的粘合层上，并且通过使用紫外线辐照硬化，从而制备发明3的光学信息记录介质。此时，由紫外线固化性树脂制成的粘合层的厚度为25μm。

实施例2

以与实施例1的发明3的光学信息记录介质相同的方法制备发明4的光学信息记录介质，不同之处在于由如下表2中所示的下述化合物(5)+化合物(E)[化合物(5)∶化合物(E)＝1∶1[质量比]]代替用于在实施例1中的“一次写入型记录层的形成”的金属配合物化合物。此外，以与实施例1的发明3的光学信息记录介质相同的方法制备发明5和6的光学信息记录介质，不同之处在于由化合物(5)+化合物(E)[化合物(5)∶化合物(E)＝3∶7[质量比]]以及由化合物(5)+化合物(E)[化合物(5)∶化合物(E)＝7∶3[质量比]]代替实施例1的金属配合物化合物。

(比较例1和2)

以与实施例1的发明3的光学信息记录介质相同的方法制备用于比较的光学信息记录介质，不同之处在于由如下表2中所示的下述化合物(A)+化合物(B)[化合物(A)∶化合物(B)＝1∶10[质量比]](比较例1)和由下述化合物(C)+化合物(D)[化合物(C)∶化合物(D)＝1∶10[质量比]](比较例2)代替用于在实施例1中的“一次写入型记录层的形成”的金属配合物化合物。

<光学信息记录介质的评价>

(测量和评价)

如下评价在发明3至6以及比较例1和2中制备的光学信息记录介质。测量和评价结果示于下表2中。

1.记录和复制特性

使用示波器(由IWATSU TEST INSTRUMENTS CORPORATION生产的SS-7825)观测在记录后获得的信号波形，并且将其设定为导波(guide)，根据该导波评价记录和复制特性(耐光性)。

在实施例和比较例中制备的每一个光学信息记录介质中，通过使用405nm激光以及具有NA0.65拾波器的记录和复制评价装置(PulstecIndustrial Co.，Ltd.生产的“DDU-1000”)，以6.61m/s的线速度、64.8MHz的时钟频率记录并复制1.122μm的信号(11T)。在记录之后，使用示波器(由IWATSU TEST INSTRUMENTS CORPORATION生产的“SS-7825”)观测波形。在凹槽上记录信号。复制功率为0.5mW。通过使用耐光性测试仪(FAL-25AX-HCBECL型号，使用石英+#275滤光器，由Suga Test InstrumentsCo.，Ltd.生产)，以氙光将经过记录的光学信息记录介质辐照十小时。之后，再次进行复制操作，并且以与上述相同的方式观测在光辐照后获得的记录波形。如果在记录波形观测中信号波形是矩形的，则这表示波形为对于实际应用是适宜的“R”。

2.复制耐久性

在每次光学信息记录介质中，以与在“1.记录和复制特性”中相同的方式进行记录。之后，记录连续进行30分钟。之后，使用示波器(由IWATSUTEST INSTRUMENTS CORPORATION生产的“SS-7825”)观测记录波形，并且在记录部分的反射率变化的大小之间进行比较(复制耐久性测试)。

表2

	化合物	阴离子部分的吸收λ最大(nm)	阳离子部分的吸收λ最大(nm)	记录和复制特性(在从Xe灯发射光前)波形	记录和复制特性(在从Xe灯发射光后10小时)波形	记录和复制特性(在复制后30分钟)记录凹坑的记录部分的反射率的变化
							发明3	化合物(5)	453	785	R	R	小
发明4	化合物(5)+化合物(E)(质量比1∶1)	-	-	R	R	小
							比较例1	化合物(A)+化合物(B)(质量比1∶10)	-	-	R	R	大
比较例2	化合物(C)+化合物(D)(质量比1∶10)	-	-	R	R	大
							发明5	化合物(5)+化合物(E)(质量比3∶7)	-		R	R	中等
发明6	化合物(5)+化合物(E)(质量比7∶3)	-	-	R	R	小

对发明3至6进行再循环性能测试。结果，发明4至6各自被认为具有适中的再循环性能，并且证实发明3的再循环性能是优异的。(下面中的“Comparative compound”表示“比较化合物”)

Comparative compound(A)

Comparative compound(B)

Comparative compound(C)

Comparative compound(D)

Comparative compound(E)

[实施例1]

通过使用化合物(6)、(7)、(9)、(12)、(16)、(17)和(21)代替发明3的化合物(5)，以与实施例1中相同的方法制备光学信息记录介质。结果，这些光学信息记录介质是在没有任何问题的情况下制备的，并且表现出优异的记录和复制特性，优异的耐光性和优异的复制耐久性。

[实施例2]

通过使用化合物(6)、(7)、(9)、(12)、(16)、(17)和(21)代替发明4和6的化合物(5)，以与发明4和6中相同的方法制备光学信息记录介质。结果，同样，这些光学信息记录介质是在没有任何问题的情况下制备的，并且表现出优异的记录和复制特性，优异的耐光性和优异的复制耐久性。

[实施例3]

通过使用生产线生产实施例1的光学信息记录介质。将其再循环性能与比较例1和2一起评价。结果，在比较例1和2中发生化合物的混合比率的变化。另一方面，实施例1的发明3是单组分，因此在再循环性能方面是优异的。

此外，通过使用通过将(C-25)、(C-28)和(C-32)以10质量％的比率加入到化合物(5)中获得的化合物，以与实施例1中相同的方法在没有任何问题的情况下制备光学信息记录介质。同样，这些光学信息记录介质表现出优异的记录和复制特性，优异的耐光性和优异的复制耐久性。

如上表2中所示，本发明的化合物在记录和复制特性以及耐光性方面全部都是优良的。从复制耐久性的测试结果看出，在本发明的每一个光学信息记录介质中凹坑都能够被读取，而比较例的光学信息记录介质在读取凹坑的过程中有问题。

从表2的结果看出，应理解本发明的光学信息记录介质在记录和复制特性、耐光性和复制耐久性方面全部都是优异的，并且在实践中相对于在日本公布未审查专利申请2002-52825中包括的化合物是优选的。

工业适用性

本发明用于与蓝激光束相适应的光学信息记录介质，并且用于通过使用这些光学信息记录介质获得的记录信息的方法。

本发明是参考具体实施例被详细描述的。然而，对于本领域技术人员显而易见的是可以不偏离本发明的要旨和范围德情况下不同地修改或改变本发明。

本申请基于2005年3月24日提交给日本专利局的日本专利申请2005-086593，该日本专利申请的全部内容通过引用结合在此。

Claims (26)

1.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料以及与所述由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料，并且所述由式(1)表示的氧杂菁染料的含量基于所述记录层的总质量为30质量％或更大：

式(1)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；并且

n表示0至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以相互结合以形成环。

2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其中所述由式(1)表示的氧杂菁染料的含量基于所述记录层的总质量为70％或更大。

3.根据权利要求1或2所述的光学信息记录介质，其中所述与由式(1)表示的氧杂菁染料不同的染料是氧杂菁染料。

4.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层基本上由式(1′)表示的氧杂菁染料制成：

式(1′)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；并且

n表示0至3的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环。

5.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料：

式(1)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；并且

n表示0至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环。

6.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，条件是在式(1)的范围以外的氧杂菁染料不共存于所述记录层中：

式(1)

其中Y^t+表示t价阳离子染料，所述t价阳离子染料的吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；

m表示0至1的整数；并且

n表示0至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学信息记录介质，其中在式(1)或(1′)中由A和B以及由C和D形成至少一个环，并且通过将A和B结合在一起形成的环和通过将C和D结合在一起形成的环不同时具有下列部分结构(Z-1)和(Z-2)。

部分结构(Z-1)              部分结构(Z-2)

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光学信息记录介质，其中在式(1)或(1′)中，通过将A和B结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个表示，或通过将C和D结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个表示：

部分结构(Z-3)                部分结构(Z-4)                部分结构(Z-5)

部分结构(Z-6)                部分结构(Z-7)                部分结构(Z-8)

部分结构(Z-9)                部分结构(Z-10)               部分结构(Z-11)

部分结构(Z-12)               部分结构(Z-13)               部分结构(Z-14)

其中在所述部分结构中，^*表示结合位置；并且

R³表示氢原子或取代基，并且多个R³可以彼此相同或不同，并且所述多个R³可以通过连接基团连接在一起。

9.根据权利要求1至3和5至8中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述氧杂菁染料的m为1。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的吸收最大值的波长比用于记录的激光束更长。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的吸收最大值在415nm至500nm的范围内。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+为金属配合物阳离子。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由式(2)至式(5)中的任何一个表示的金属配合物的阳离子：

式(2)

其中M^m3+表示与氮原子和氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

R³³和R³⁴各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q2表示0至2的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²、或R³³和R³⁴、或R³²和R³³、或R³²和R³⁴可以相互结合以形成环；并且

当q2为2时，R³⁵和R³⁵可以彼此相同或不同，并且可以相互结合以形成环：

式(3)

其中M^m3+表示与氮原子和/或氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

R³³和R³⁴各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基；

Q₃表示形成含氮杂环的基团；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q2表示0至2的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²、或R³³和R³⁴、或R³²和R³³、或R³²和R³⁴可以相互结合以形成环；并且

当q2为2时，R³⁵和R³⁵可以彼此相同或不同，并且可以相互结合以形成环：

式(4)

其中M^m3+表示与氮原子和氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q2表示0至2的整数；

q3表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q2为2时，R³⁵和R³⁵可以彼此相同或不同，并且可以相互结合以形成环，并且

当q3为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环：

式(5)

其中M^m3+表示与氮原子结合的m3价金属阳离子；

R³²、R³⁵、和R³⁶各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q4表示0至4的整数；

q5表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环；

当q4为2或更大时，两个或更多个R³⁵可以彼此相同或不同，并且R³⁵和R³⁵可以结合在一起以形成环，并且

当q5为2或更大时，两个或更多个R³⁶可以彼此相同或不同，并且R³⁶和R³⁶可以结合在一起以形成环。

14.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由权利要求13的式(2)表示的金属配合物阳离子。

15.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由权利要求13的式(3)表示的金属配合物阳离子。

16.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由权利要求13的式(4)或式(5)表示的金属配合物阳离子。

17.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由权利要求13的式(4)表示的金属配合物阳离子。

18.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是由权利要求13的式(5)表示的金属配合物阳离子。

19.根据权利要求12至18中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述抗衡阳离子Y^t+是金属配合物阳离子，并且在所述金属配合物阳离子中的金属是Cu、Ni、Fe、Co和Mn中的任何一种。

20.根据权利要求1至19中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述阳离子染料的最大吸收峰λ_最大表示为500nm≤λ_最大，所述阳离子染料的膜吸收最大值波长与所述氧杂菁染料的所述阴离子部分的膜吸收最大值波长相比在更长的波长范围内。

21.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由下式(8)表示的氧杂菁染料，条件是在式(8)的范围以外的氧杂菁染料不共存于所述记录层中：

式(8)

其中阴离子部分的吸收最大值在415nm至500nm的范围内；

Y^t+是金属Cu、Ni、Fe、Co和Mn中的任何一种的t价金属配合物阳离子，并且Y^t+的最大吸收峰λ_最大表示为500nm≤λ_最大；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团；

R表示次甲基碳上的取代基；并且

n表示0至2m+1的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以结合在一起以形成环；并且

t是1至4的整数。

22.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含由式(9)表示的氧杂菁染料，条件是在式(9)的范围以外的氧杂菁染料不共存于所述记录层中：

式(9)

其中阴离子部分的吸收最大值在415nm至500nm的范围内；

Y^t+是金属Cu、Ni、Fe、Co和Mn中的任何一种的t价金属配合物阳离子，并且Y^t+的最大吸收峰λ_最大表示为500nm≤λ_最大；

t表示1至4的整数；

A、B、C和D各自表示吸电子基团，条件是A和B和/或C和D可以相互结合以形成环，并且具有至少一个环，并且在A和B以及C和D不相互结合时，A和B以及C和D是其中A和B的哈米特σρ值之和以及C和D的哈米特σρ值之和各自大于0.6的吸电子基团，并且所述通过将A和B结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-3)至(Z-8)中的任何一个表示，或所述通过将C和D结合在一起形成的环由下列部分结构(Z-9)至(Z-14)中的任何一个表示；

R表示次甲基碳上的取代基；

n表示0至3的整数，当n为2或更大时，多个R可以彼此相同或不同，并且所述多个R可以相互结合以形成环；并且

t为1至4的整数：

部分结构(Z-3)               部分结构(Z-4)                部分结构(Z-5)

部分结构(Z-6)               部分结构(Z-7)                部分结构(Z-8)

部分结构(Z-9)               部分结构(Z-10)               部分结构(Z-11)

部分结构(Z-12)                部分结构(Z-13)                  部分结构(Z-14)

其中R³表示氢原子或取代基，并且多个R³可以彼此相同或不同，并且所述多个R³可以通过连接基团连接在一起。

23.一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，所述记录层能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息，

其中所述记录层包含金属配合物，所述金属配合物包含由式(10)或式(11)表示的金属配合物阳离子，条件是不必要求用来给所述金属配合物配对的阴离子是氧杂菁染料阴离子：

式(10)

其中M^m3+表示与氮原子和氧原子结合的m3价金属阳离子；

R³²和R³⁵各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q2表示0至2的整数；

q3表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q2为2时，两个或更多个R³⁵可以彼此相同或不同，并且R³⁵和R³⁵可以结合在一起以形成环；并且

当q3为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环：

式(11)

其中M^m3+表示与氮原子结合的m3价金属阳离子；

R³²、R³⁵、和R³⁶各自独立地表示取代基；

m3表示1至3的整数；

q1表示0至4的整数；

q4表示0至4的整数；

q5表示0至3的整数；并且

t3表示1至3的整数，

当q1为2或更大时，两个或更多个R³²可以彼此相同或不同，并且R³²和R³²可以结合在一起以形成环；

当q4为2或更大时，两个或更多个R³⁵可以彼此相同或不同，并且R³⁵和R³⁵可以结合在一起以形成环，并且

当q5为2或更大时，两个或更多个R³⁶可以彼此相同或不同，并且R³⁶和R³⁶可以结合在一起以形成环。

24.根据权利要求1至20中任一项所述的光学信息记录介质，除所述记录层以外，所述光学信息记录介质还具有由金属制成的光反射层。

25.根据权利要求1至21中任一项所述的光学信息记录介质，除所述记录层以外，所述光学信息记录介质还具有保护层。

26.根据权利要求1至22中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述衬底是表面配置有预制凹槽的透明盘状衬底，所述预制凹槽具有0.2μm至0.5μm的磁道间距，并且将所述记录层安置在其上形成有所述预制凹槽的那一侧的表面上。