JP2007313882A - 光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物 - Google Patents
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Abstract
【課題】440nm以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録及び再生が良好であり、且つ、保存性の良好な光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】第1基板12上に波長440nm以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な第1追記型記録層14を有する第1光情報記録媒体10Aであって、第1追記型記録層14が特定化合物を配位子とする金属錯体色素を含有する。
【選択図】図3
【解決手段】第1基板12上に波長440nm以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な第1追記型記録層14を有する第1光情報記録媒体10Aであって、第1追記型記録層14が特定化合物を配位子とする金属錯体色素を含有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体、情報記録方法及び前記光情報記録媒体に適した新規化合物に関する。特に、本発明は、波長440nm以下の短波長レーザ光を用いて情報を記録するのに適したヒートモード型の光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物(金属錯体)に関する。
従来から、レーザ光により1回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体(光ディスク)が知られている。この光ディスクは、追記型CD(所謂CD−R)とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上にメチン色素からなる記録層、金等の金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で設けられている。そして、このCD−Rへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光(通常は780nm付近の波長のレーザ光)をCD−Rに照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化(例えば、ピットの生成)が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録される。一方、情報の読み取り(再生)もまた記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位(記録部分)と変化しない部位(未記録部分)との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンTVが急速に普及している。また、HDTV(High Definition Television)の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のCD−R及び、可視レーザ光(630nm〜680nm)を記録用レーザとして高密度記録を可能としたDVD−Rは、大容量の記録媒体としての地位をある程度までは確保されるものの、将来の要求に対応できる程の充分大きな記録容量を有しているとは言えない。そこで、DVD−Rよりもさらに短波長のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば405nmの青色レーザを用いたBlu−ray方式と称する光記録ディスクが上市された。
従来、有機色素を含んだ記録層を有する光情報記録媒体において、記録層側から光反射層側に向けて波長530nm以下のレーザ光を照射することにより、情報の記録再生を行う記録再生方法が開示されている。
具体的には、記録層の色素として、ポルフィリン化合物、アゾ系色素、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素、トリメチンシアニン色素、ジシアノビニルフェニル骨格色素、クマリン化合物、ナフタロシアニン化合物等を用いた光ディスクに、青色(波長400〜430nm、488nm)又は青緑色(波長515nm)のレーザ光を照射することにより情報の記録再生を行う情報記録再生方法が提案されている。また、オキソノール色素を記録層の色素として用いた光ディスクに、550nm以下のレーザ光を照射することにより、情報の記録再生を行う情報記録再生方法が提案されている。
これら青色レーザ光に対応した記録ディスク用の色素の先行技術として以下の特許文献に記載のものが挙げられる。
しかしながら、本発明者の検討によれば、上記公報に記載された公知の色素を使用した光ディスクでは、耐光性や、記録特性が実用上満足できるものではなかった。本発明者らは、上記の問題が特定の構造の色素を使用すると解決できることを見出し、本発明を完成した。
本発明の目的は、440nm以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録及び再生が良好であり、且つ、保存性の良好な光情報記録媒体を提供することにある。
また、本発明の目的は、440nm以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録が可能な情報記録方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、440nm以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録が可能であり、且つ、保存性の良好な光情報記録媒体に適した化合物(金属錯体)を提供することにある。
本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。
[1] 基板上に波長440nm以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層が下記一般式(I)で表される化合物を配位子とする金属錯体を含有する光情報記録媒体。
前記記録層が下記一般式(I)で表される化合物を配位子とする金属錯体を含有する光情報記録媒体。
一般式(I):
[2] 前記一般式(I)においてY2によって形成される5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環が、窒素原子を含まないことを特徴とする[1]記載の光情報記録媒体。
[3] 前記一般式(I)の配位子が下記一般式(IIa)で表される化合物であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式(IIa):
[式中、Yは5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環を形成する原子群を表し、R1、R2、R3は独立に水素原子又は置換基を表す。]
[4] 前記一般式(I)の配位子が下記一般式(IIb)で表される化合物であることを特徴とする[1]記載の光情報記録媒体。
[4] 前記一般式(I)の配位子が下記一般式(IIb)で表される化合物であることを特徴とする[1]記載の光情報記録媒体。
一般式(IIb):
[式中、Yは5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環を形成する原子群を表し、R1、R2、R3は独立に水素原子または置換基を表す。]
[5] 前記一般式(IIb)においてYによって形成される5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環が、窒素原子を含まないことを特徴とする[4]記載の光情報記録媒体。
[5] 前記一般式(IIb)においてYによって形成される5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環が、窒素原子を含まないことを特徴とする[4]記載の光情報記録媒体。
[6] 前記一般式(I)で表される化合物を配位子とする金属錯体が下記一般式(IIIa)で表される化合物であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式(IIIa):
[式中、点線は配位結合を表す。X、Yはそれぞれ独立に5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環を形成する原子群を表す。Mは、Ni,Cu,Co,Zn,Al,Fe,Pd,Cr,Mnのいずれかである。]
[7] 前記一般式(I)で表される化合物を配位子とする金属錯体が下記一般式(IIIb)で表される化合物であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式(IIIb):
[式中、点線は配位結合を表す。X、Yはそれぞれ独立に5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環を形成する原子群を表す。Mは、Ni,Cu,Co,Zn,Al,Fe,Pd,Cr,Mnのいずれかである。]
[8] 前記基板は、表面に50〜600nmのトラックピッチのプリグルーブを有する透明な円盤状基板であり、前記記録層は、前記基板のうち、前記プリグルーブが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする[1]〜[7]のいずれか1項に記載の光情報記録媒体。
[9] 前記記録層とは別に、金属からなる光反射層が設けられていることを特徴とする[1]〜[8]のいずれか1項に記載の光情報記録媒体。
[10] 前記記録層とは別に、保護層が設けられていることを特徴とする[1]〜[9]のいずれか1項に記載の光情報記録媒体。
また、本発明は、[1]〜[10]のいずれかに記載の光情報記録媒体に、波長440nm以下のレーザ光を照射して情報を記録することを特徴とする。
また、本発明は、波長440nm以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式(IVa)で表される化合物(金属錯体)であることを特徴とする。
一般式(IVa):
[式中、点線は配位結合を表す。Aは、下記群1aから選ばれるいずれかを形成する原子群である。MはNi,Cu,Co,Zn,Crのいずれかである。
群1a
それぞれにおいてRa、Rb、Rcは水素原子又は置換基を表す。それぞれの置換基同士で連結して環を形成してもよい。なお、*はアゾ基と結合する位置を表す。]
また、本発明は、波長440nm以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式(IVb)で表される化合物(金属錯体)であることを特徴とする。
また、本発明は、波長440nm以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式(IVb)で表される化合物(金属錯体)であることを特徴とする。
一般式(IVb):
[式中、点線は配位結合を表す。Aは、下記群1bから選ばれるいずれかを形成する原子群である。Mは、Ni,Cu,Co,Zn,Crのいずれかである。
群1b
それぞれにおいてRa、Ra’、Rb、Rb’は水素原子又は置換基を表す。それぞれの置換基同士で連結して環を形成してもよい。なお、*はアゾ基と結合する位置を表す。]
本発明の光情報記録媒体の記録層に含まれる金属錯体の配位子及び、本発明の化合物(金属錯体)の配位子の特徴としては、(1)CO2基又はSO2基を含むヘテロ環を構造中に含むことと、(2)モノアニオン配位子であるために、2価の金属イオンに配位した場合に電荷を中和するための対イオンを必要としない、中性錯体となることにある。
CO2基又はSO2基を含むヘテロ環を構造中に含む配位子を用いることによって、該金属錯体が加熱されて分解する際の分解率が高くなり、とりわけヒートモードで記録を行う光情報記録媒体の記録用色素として好適であった。また、中性錯体となることによっても、熱分解後に残存する対イオン部分が無いために該金属錯体が加熱されて分解する際の分解率が高くなって記録色素として好適であるに加え、疎水性が高まることによって該金属錯体を含有する光情報記録媒体の湿熱堅牢性が高まるという、予想外の効果が現れた。
ちなみに、米国特許第4,960,870号明細書において、本発明の化合物(金属錯体)に類似した、SO2基を含むヘテロ環を構造中に含むアゾ染料を配位子とする金属錯体が開示されているが、該公報においては、配位子となるアゾ染料がジアニオンとして金属に配位し、金属錯体部分以外に電荷を中和するための対イオンを要するもののみが記載されている。
また、文献「WO2006/013214 A1」において、光情報記録媒体用として好適とされる中性のアゾ金属錯体が開示されており、該文献のアゾ染料は解離して金属に配位する酸素原子が置換された炭素原子に隣接して窒素原子が置換することを特徴としているが、このような構造のヘテロ環を含むアゾ染料を配位子とする金属錯体の熱分解特性は、我々の求めるものに対し不充分であった。
以上説明したように、本発明に係る光情報記録媒体によれば、440nm以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録及び再生が良好であり、且つ、保存性も良好となる。
また、本発明に係る情報記録方法によれば、440nm以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録が可能となる。
また、本発明に係る化合物(金属錯体)を用いることにより、良好な記録特性を示し、且つ、保存性も良好な光情報記録媒体を得ることができる。特に、CD−RやDVD−Rの場合よりも、短波長のレーザ光を用いて上記効果が得られることから、より高密度の情報記録媒体及び記録再生法を提供することができる。
本発明の光情報記録媒体は、記録層が下記一般式(Ia)の化合物を配位子とする金属錯体を含有することを特徴とする。
一般式(Ia):
式中、X、Yはそれぞれ独立に5員又は6員の、さらに縮合環を有していてもよいヘテロ環を形成する原子群を表す。
また、本発明の光情報記録媒体は、記録層が下記一般式(Ib)の化合物を配位子とする金属錯体を含有することを特徴とする。
一般式(Ib):
式中、X、Yはそれぞれ独立に5員又は6員の、さらに縮合環を有していてもよいヘテロ環を形成する原子群を表す。
一般式(Ia)及び一般式(Ib)において、Xで形成されるヘテロ環の例として以下のものが挙げられる(式(X−1)〜式(X−10)参照)。それぞれにおいて、R1、R2、R3は水素原子又は置換基を表す。なお、*はアゾ基と結合する位置を表す。
式(X−1)〜(X−10)のうち、一般式(Ia)及び(Ib)のXで形成されるヘテロ環は、その安定性と波長適性の観点から式(X−1)で表されるヘテロ環であることが好ましい。
式(X−1)において、R1,R2、R3が置換基である場合の例として以下のものが挙げられる。
(1) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基(例、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、t−ブチル、シクロヘキシル、メトキシエチル、エトキシカルボニルエチル、シアノエチル、ジエチルアミノエチル、ヒドロキシエチル、クロロエチル、アセトキシエチル、トリフルオロメチル等);
(2) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルケニル基(例、ビニル等);
(3) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルキニル基(例、エチニル等);
(4) 炭素数6〜18(好ましくは炭素数6〜10)の置換もしくは無置換のアリール基(例、フェニル、4−メチルフェノル、4−メトキシフェニル、4−カルボキシフェニル、3,5−ジカルボキシフェニル等);
(5) 炭素数7〜18(好ましくは炭素数7〜12)の置換もしくは無置換のアラルキル基(例、ベンジル、カルボキシベンジル等);
(6) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のアシル基(例、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、クロロアセチル等);
(7) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のアルキル又はアリールスルホニル基(例、メタンスルホニル、p−トルエンスルホニル等);
(8) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルキルスルフィニル基(例、メタンスルフィニル、エタンスルフィニル、オクタンスルフィニル等);
(9) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルコキシカルボニル基(例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル等);
(10) 炭素数7〜18(好ましくは炭素数7〜12)のアリールオキシカルボニル基(例、フェノキシカルボニル、4−メチルフェノキシカルボニル、4−メトキシフェニルカルボニル等);
(11) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のアルコキシ基(例、メトキシ、エトキシ、n−ブトキシ、メトキシエトキシ等);
(12) 炭素数6〜18(好ましくは炭素数6〜10)の置換もしくは無置換のアリールオキシ基(例、フェノキシ、4−メトキシフェノキシ等);
(13) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルキルチオ基(例、メチルチオ、エチルチオ等);
(14) 炭素数6〜10(好ましくは炭素数6〜8)のアリールチオ基(例、フェニルチオ等);
(15) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のアシルオキシ基(例、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、ベンゾイルオキシ、クロロアセチルオキシ等);
(16) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のスルホニルオキシ基(例、メタンスルホニルオキシ等);
(17) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基(例、メチルカルバモイルオキシ、ジエチルカルバモイルオキシ等);
(18) 無置換のアミノ基、もしくは炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換アミノ基(例、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、n−ブトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、メチルスルファモイルアミノ、フェニルスルファモイルアミノ、エチルカルボニルアミノ、エチルチオカルボニルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、クロロアセチルアミノ、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等);
(19) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアミド基(例、アセトアミド、アセチルメチルアミド、アセチルオクチルアミド等);
(20) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のウレイド基(例、無置換のウレイド、メチルウレイド、エチルウレイド、ジメチルウレイド等);
(21) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のカルバモイル基(例、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、n−ブチルカルバモイル、t−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル、ピロリジノカルバモイル等);
(22) 無置換のスルファモイル基もしくは炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換スルファモイル基(例、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等);
(23) ハロゲン原子(例、フッ素、塩素、臭素等);
(24) 水酸基;
(25) メルカプト基;
(26) ニトロ基;
(27) シアノ基;
(28) カルボキシル基;
(29) スルホ基;
(30) ホスホノ基(例、ジエトキシホスホノ等);
(31) ヘテロ環基(例、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、モルホリン環、ピペリジン環、ピロリジン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、及びクマリン環等)。
(2) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルケニル基(例、ビニル等);
(3) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルキニル基(例、エチニル等);
(4) 炭素数6〜18(好ましくは炭素数6〜10)の置換もしくは無置換のアリール基(例、フェニル、4−メチルフェノル、4−メトキシフェニル、4−カルボキシフェニル、3,5−ジカルボキシフェニル等);
(5) 炭素数7〜18(好ましくは炭素数7〜12)の置換もしくは無置換のアラルキル基(例、ベンジル、カルボキシベンジル等);
(6) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のアシル基(例、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、クロロアセチル等);
(7) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のアルキル又はアリールスルホニル基(例、メタンスルホニル、p−トルエンスルホニル等);
(8) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルキルスルフィニル基(例、メタンスルフィニル、エタンスルフィニル、オクタンスルフィニル等);
(9) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)のアルコキシカルボニル基(例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル等);
(10) 炭素数7〜18(好ましくは炭素数7〜12)のアリールオキシカルボニル基(例、フェノキシカルボニル、4−メチルフェノキシカルボニル、4−メトキシフェニルカルボニル等);
(11) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のアルコキシ基(例、メトキシ、エトキシ、n−ブトキシ、メトキシエトキシ等);
(12) 炭素数6〜18(好ましくは炭素数6〜10)の置換もしくは無置換のアリールオキシ基(例、フェノキシ、4−メトキシフェノキシ等);
(13) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアルキルチオ基(例、メチルチオ、エチルチオ等);
(14) 炭素数6〜10(好ましくは炭素数6〜8)のアリールチオ基(例、フェニルチオ等);
(15) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のアシルオキシ基(例、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、ベンゾイルオキシ、クロロアセチルオキシ等);
(16) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のスルホニルオキシ基(例、メタンスルホニルオキシ等);
(17) 炭素数2〜18(好ましくは炭素数2〜8)の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基(例、メチルカルバモイルオキシ、ジエチルカルバモイルオキシ等);
(18) 無置換のアミノ基、もしくは炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換アミノ基(例、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、n−ブトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、エチルチオカルバモイルアミノ、メチルスルファモイルアミノ、フェニルスルファモイルアミノ、エチルカルボニルアミノ、エチルチオカルボニルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、クロロアセチルアミノ、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等);
(19) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)のアミド基(例、アセトアミド、アセチルメチルアミド、アセチルオクチルアミド等);
(20) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のウレイド基(例、無置換のウレイド、メチルウレイド、エチルウレイド、ジメチルウレイド等);
(21) 炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換もしくは無置換のカルバモイル基(例、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、n−ブチルカルバモイル、t−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル、ピロリジノカルバモイル等);
(22) 無置換のスルファモイル基もしくは炭素数1〜18(好ましくは炭素数1〜8)の置換スルファモイル基(例、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等);
(23) ハロゲン原子(例、フッ素、塩素、臭素等);
(24) 水酸基;
(25) メルカプト基;
(26) ニトロ基;
(27) シアノ基;
(28) カルボキシル基;
(29) スルホ基;
(30) ホスホノ基(例、ジエトキシホスホノ等);
(31) ヘテロ環基(例、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、モルホリン環、ピペリジン環、ピロリジン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、及びクマリン環等)。
R1、R2として好ましくは炭素数1〜18のアルキル基であり、最も好ましくはメチル基である。
R3として好ましくは炭素数6〜18の置換もしくは無置換のアリール基又はヘテロ環基であり、最も好ましくは炭素数6〜10の置換もしくは無置換のアリール基である。
一般式(Ia)のYで形成されるヘテロ環の例として以下のものが挙げられる(式(Y−1a)〜式(Y−8a)参照)。なお、それぞれにおいてRa、Rb、Rc、Rdは、水素原子又は置換基をあらわす。それぞれの置換基同士で連結して環を形成してもよい。なお、*はアゾ基と結合する位置を表す。
式(Y−1a)、式(Y−5a)のRa、Rb、Rcの例としては、上述のR1、R2、R3の例として挙げたものが挙げられる。
一般式(Ia)のYで形成されるヘテロ環は、その安定性と波長適性の観点から式(Y−1a)又は式(Y−5a)で表されるヘテロ環であることが好ましい。
式(Y−1a)において、Ra、Rbが連結して環を形成することが好ましい。より好ましくは炭素数3〜7の飽和炭素環を形成するものであり、最も好ましくはシクロペンタン環又はシクロヘキサン環を形成するものである。
式(Y−5a)において、Rcとして好ましくは炭素数1〜18のアルキル基、炭素数6〜18の置換もしくは無置換のアリール基又はヘテロ環基であり、最も好ましくは炭素数6〜10の置換もしくは無置換のアリール基である。
また、一般式(Ib)のYで形成されるヘテロ環の例として以下のものが挙げられる(式(Y−1b)〜式(Y−8b)参照)。なお、それぞれにおいてRa、Ra’、Rb、Rb’、Rcは水素原子又は置換基を表す。それぞれの置換基同士で連結して環を形成してもよい。なお、*はアゾ基と結合する位置を表す。
式(Y−1b)〜式(Y−8b)のRa、Ra’、Rb、Rb’、Rcの例としては、上述のR1,R2、R3の例として挙げたものが挙げられる。
一般式(Ib)のYで形成されるヘテロ環は、その安定性と波長適性の観点から式(Y−1b)、式(Y−2b)又は式(Y−3b)であることが好ましい。
式(Y−1b)において、Ra、Rbが連結して環を形成することが好ましい。より好ましくは炭素数6〜18の置換もしくは無置換のアリール基又はヘテロ環基を形成する場合であり、最も好ましくは炭素数6〜10の置換もしくは無置換のアリール基を形成する場合である。
式(Y−2b)において、Ra、Rbが連結して環を形成することが好ましい。より好ましくは炭素数3〜7の飽和炭素環を形成するものであり、最も好ましくはシクロペンタン環又はシクロヘキサン環を形成するものである。
式(Y−3b)において、Ra、Ra’が連結して環を形成することが好ましい。より好ましくは炭素数3〜7の飽和炭素環を形成するものであり、最も好ましくはシクロペンタン環又はシクロヘキサン環を形成するものである。Rb、Rb’は水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数6〜18の置換もしくは無置換のアリール基又はヘテロ環基であることが好ましく、最も好ましくは水素原子である。
上述した一般式(Ia)及び(Ib)の配位子が配位する金属は、配位可能なものであればその種類を問わないが、好ましくはNi,Cu,Co,Zn,Al,Fe,Pd,Cr,Mnであり、より好ましくはNi,Cu,Co,Zn,Crであり、最も好ましくはNi又はCuである。
先ず、本発明で用いられる一般式(Ia)で表される配位子の例を以下に具体的に挙げるが(式(I−1a)〜式(I−16a)参照)、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明で用いられる一般式(Ia)で表される具体的な金属錯体の例を図1に示す。本発明の金属錯体は、配位子と中心金属イオンとの組み合わせてなるものであり、図1のものについては、配位子2に対して金属イオン1の割合で錯体を形成する。
また、本発明で用いられる一般式(Ib)で表される配位子の例を以下に具体的に挙げるが(式(I−1b)〜式(I−16b)参照)、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明で用いられる一般式(Ib)で表される具体的な金属錯体の例を図2に示す。本発明の金属錯体は、配位子と中心金属イオンとの組み合わせてなるものであり、図2のものについては、配位子2に対して金属イオン1の割合で錯体を形成する。
<光情報記録媒体の様態>
本発明の光情報記録媒体は、図3に示す第1の様態に係る光情報記録媒体(以下、単に第1光情報記録媒体10Aと記す)と、図4に示す第2の様態に係る光情報記録媒体(以下、単に第2光情報記録媒体10Bと記す)であることが好ましい。
本発明の光情報記録媒体は、図3に示す第1の様態に係る光情報記録媒体(以下、単に第1光情報記録媒体10Aと記す)と、図4に示す第2の様態に係る光情報記録媒体(以下、単に第2光情報記録媒体10Bと記す)であることが好ましい。
第1光情報記録媒体10Aは、図3に示すように、厚さ0.7〜2mmの第1基板12上に、色素を含有する第1追記型記録層14と、厚さ0.01〜0.5mmのカバー層16とをこの順に有する。具体的には、例えば第1基板12上に、第1光反射層18と、第1追記型記録層14と、バリア層20と、第1接着層22と、カバー層16とをこの順に有する。
第2光情報記録媒体10Bは、図4に示すように、厚さ0.1〜1.0mmの第2基板24上に、色素を含有する第2追記型記録層26と、厚さ0.1〜1.0mmの保護基板28とをこの順に有する。具体的には、例えば第2基板24上に、第2追記型記録層26と、第2光反射層30と、第2接着層32と、保護基板28とをこの順に有する。
第1光情報記録媒体10Aにおいては、図3に示すように、第1基板12に形成される第1プリグルーブ34のトラックピッチが50〜500nm、溝幅が25〜250nm、溝深さが5〜150nmであることが好ましい。
第2光情報記録媒体10Bにおいては、図4に示すように、第2基板24に形成される第2プリグルーブ36のトラックピッチが200〜600nm、溝幅が50〜300nm、溝深さが30〜200nmであり、ウォブル振幅が10〜50nmであることが好ましい。
第1光情報記録媒体10Aは、図3に示すように、少なくとも第1基板12と、第1追記型記録層14と、カバー層16とを有する様態であり、まず、これらに必須の部材について順に説明する。
〔第1光情報記録媒体10Aの第1基板12〕
図3に示すように、好ましい第1光情報記録媒体10Aの第1基板12には、トラックピッチ、溝深さ、溝幅(半値幅:溝の深さの1/2の地点における溝の幅)及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有する第1プリグルーブ34(案内溝)が形成されていることが必須である。この第1プリグルーブ34は、CD−RやDVD−Rに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、第1光情報記録媒体10Aを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
図3に示すように、好ましい第1光情報記録媒体10Aの第1基板12には、トラックピッチ、溝深さ、溝幅(半値幅:溝の深さの1/2の地点における溝の幅)及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有する第1プリグルーブ34(案内溝)が形成されていることが必須である。この第1プリグルーブ34は、CD−RやDVD−Rに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、第1光情報記録媒体10Aを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
第1プリグルーブ34のトラックピッチは、50〜500nmの範囲であることが必須であり、上限値が420nm以下であることが好ましく、370nm以下であることがより好ましく、330nm以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、100nm以上であることが好ましく、200nm以上であることがより好ましく、260nm以上であることがさらに好ましい。
トラックピッチが50nm未満では、第1プリグルーブ34を正確に形成することが困難になる上、クロストークが発生しやすくなり、500nmを超えると、記録密度が低下する。
第1プリグルーブ34の溝幅(半値幅)は、25〜250nmの範囲であることが適当であり、さらに、上限値が200nm以下であることが好ましく、170nm以下であることがより好ましく、150nm以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、50nm以上であることが好ましく、80nm以上であることがより好ましく、100nm以上であることがさらに好ましい。
第1プリグルーブ34の溝幅が25nm未満では、成形時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、250nmを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
第1プリグルーブ34の溝深さは、5〜150nmの範囲であることが適当であり、上限値が100nm以下であることが好ましく、70nm以下であることがより好ましく、50nm以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、10nm以上であることが好ましく、20nm以上であることがより好ましく、28nm以上であることがさらに好ましい。
第1プリグルーブ34の溝深さが5nm未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、150nmを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
また、第1プリグルーブ34の溝傾斜角度は、上限値が80°以下であることが好ましく、70°以下であることがより好ましく、60°以下であることがさらに好ましく、50°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、20°以上であることが好ましく、30°以上であることがより好ましく、40°以上であることがさらに好ましい。
第1プリグルーブ34の溝傾斜角度が20°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、80°を超えると、第1基板12の成形(射出成形等)が困難となる。
第1光情報記録媒体10Aにおいて用いられる第1基板12としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
具体的には、ガラス;ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂;ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキシ樹脂;アモルファスポリオレフィン;ポリエステル;アルミニウム等の金属;等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
これらの樹脂を用いた場合、射出成形を用いて第1基板12を作製することができる。
また、第1基板12の厚さは、0.7〜2mmの範囲であることが適当であり、0.9〜1.6mmの範囲であることが好ましく、1.0〜1.3mmとすることがより好ましい。
なお、後述する第1光反射層18が設けられる側の第1基板12の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、N−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;シランカップリング剤等の表面改質剤;を挙げることができる。
下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法によって、第1基板12の表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は、一般に0.005〜20μmの範囲にあり、好ましくは0.01〜10μmの範囲である。
〔第1光情報記録媒体10Aの第1追記型記録層14〕
好ましい第1光情報記録媒体10Aの第1追記型記録層14は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上又は後述する第1光反射層18上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、第1追記型記録層14は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。
好ましい第1光情報記録媒体10Aの第1追記型記録層14は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上又は後述する第1光反射層18上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、第1追記型記録層14は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。
塗布液中の色素の濃度は、一般に0.01〜15質量%の範囲であり、好ましくは0.1〜10質量%の範囲、より好ましくは0.5〜5質量%の範囲、最も好ましくは0.5〜3質量%の範囲である。
塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン;ジクロルメタン、1,2−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素;ジメチルホルムアミド等のアミド;メチルシクロヘキサン等の炭化水素;テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル;エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール;2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;等を挙げることができる。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、酸化防止剤、UV吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
塗布の際、塗布液の温度は23〜50℃の範囲であることが好ましく、24〜40℃の範囲であることがより好ましい。
このようにして形成された第1追記型記録層14の厚さは、グルーブ38(第1基板12において凸部)上で、300nm以下であることが好ましく、250nm以下であることがより好ましく、200nm以下であることがさらに好ましく、180nm以下であることが特に好ましい。下限値としては30nm以上であることが好ましく、50nm以上であることがより好ましく、70nm以上であることがさらに好ましく、90nm以上であることが特に好ましい。
また、第1追記型記録層14の厚さは、ランド40(第1基板12において凹部)上で、400nm以下であることが好ましく、300nm以下であることがより好ましく、250nm以下であることがさらに好ましい。下限値としては、70nm以上であることが好ましく、90nm以上であることがより好ましく、110nm以上であることがさらに好ましい。
さらに、グルーブ38上の第1追記型記録層14の厚さt1と、ランド40上の第1追記型記録層14の厚さt2との比(t1/t2)は、0.4以上であることが好ましく、0.5以上であることがより好ましく、0.6以上であることがさらに好ましく、0.7以上であることが特に好ましい。上限値としては、1未満であることが好ましく、0.9以下であることがより好ましく、0.85以下であることがさらに好ましく、0.8以下であることが特に好ましい。
塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子;を挙げることができる。第1追記型記録層14の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して0.01倍量〜50倍量(質量比)の範囲にあり、好ましくは0.1倍量〜5倍量(質量比)の範囲にある。
また、第1追記型記録層14には、該第1追記型記録層14の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭58−175693号公報、同59−81194号公報、同60−18387号公報、同60−19586号公報、同60−19587号公報、同60−35054号公報、同60−36190号公報、同60−36191号公報、同60−44554号公報、同60−44555号公報、同60−44389号公報、同60−44390号公報、同60−54892号公報、同60−47069号公報、同63−209995号公報、特開平4−25492号公報、特公平1−38680号公報及び同6−26028号公報等の各公報、ドイツ特許350399号明細書、そして日本化学会誌1992年10月号第1141頁等に記載のものを挙げることができる。
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常0.1〜50質量%の範囲であり、好ましくは、0.5〜45質量%の範囲、さらに好ましくは、3〜40質量%の範囲、特に好ましくは5〜25質量%の範囲である。
〔第1光情報記録媒体10Aのカバー層16〕
好ましい第1光情報記録媒体10Aのカバー層16は、上述した第1追記型記録層14又は後述するバリア層20上に、接着剤や粘着剤等からなる第1接着層22を介して貼り合わされる。
好ましい第1光情報記録媒体10Aのカバー層16は、上述した第1追記型記録層14又は後述するバリア層20上に、接着剤や粘着剤等からなる第1接着層22を介して貼り合わされる。
第1光情報記録媒体10Aにおいて用いられるカバー層16としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂;ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキシ樹脂;アモルファスポリオレフィン;ポリエステル;三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率80%以上であることを意味する。
また、カバー層16は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長400nm以下の光をカットするためのUV吸収剤及び/又は500nm以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
さらに、カバー層16の表面物性としては、表面粗さが2次元粗さパラメータ及び3次元粗さパラメータのいずれも5nm以下であることが好ましい。
また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層16の複屈折は10nm以下であることが好ましい。
カバー層16の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長や第1対物レンズ42のNAにより、適宜、規定されるが、第1光情報記録媒体10Aにおいては、0.01〜0.5mmの範囲内であり、0.05〜0.12mmの範囲であることがより好ましい。
また、カバー層16と第1接着層22とを合わせた総厚は、0.09〜0.11mmであることが好ましく、0.095〜0.105mmであることがより好ましい。
なお、カバー層16の光入射面には、第1光情報記録媒体10Aの製造時に、光入射面が傷つくことを防止するためのハードコート層44(保護層)が設けられていてもよい。
第1接着層22に用いられる接着剤としては、例えばUV硬化樹脂、EB硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にUV硬化樹脂を使用することが好ましい。
接着剤としてUV硬化樹脂を使用する場合は、該UV硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層20の表面に供給してもよい。また、作製される第1光情報記録媒体10Aの反りを防止するため、第1接着層22を構成するUV硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなUV硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業(株)社製の「SD−640」等のUV硬化樹脂を挙げることができる。
接着剤は、例えば、バリア層20からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層16を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層16との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
このような接着剤からなる第1接着層22の厚さは、0.1〜100μmの範囲が好ましく、より好ましくは0.5〜50μmの範囲、さらに好ましくは10〜30μmの範囲である。
また、第1接着層22に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、2−エチルヘキシルアクリレート、n−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度(Tg)や架橋密度を変えることができる。
上記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。かかるイソシアネート系架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−1,5−ジイソシアネート、o−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートL、コロネートHL、コロネート2030、コロネート2031、ミリオネートMR、ミリオネートHTL;武田薬品社製のタケネートD−102、タケネートD−110N、タケネートD−200、タケネートD−202;住友バイエル社製のデスモジュールL、デスモジュールIL、デスモジュールN、デスモジュールHL;等を挙げることができる。
粘着剤は、バリア層20からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層16を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層16の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤の塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層16に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
このような粘着剤からなる第1接着層22の厚さは、0.1〜100μmの範囲が好ましく、より好ましくは0.5〜50μmの範囲、さらに好ましくは10〜30μmの範囲である。
〔第1光情報記録媒体10Aにおけるその他の層〕
好ましい第1光情報記録媒体10Aは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上述の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層としては、例えば、第1基板12の裏面(第1追記型記録層14の形成面に対する裏面)に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、第1基板12と第1追記型記録層14との間に設けられる第1光反射層18(後述)、第1追記型記録層14とカバー層16との間に設けられるバリア層20(後述)、第1光反射層18と第1追記型記録層14との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂などを用いて形成される。
好ましい第1光情報記録媒体10Aは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上述の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層としては、例えば、第1基板12の裏面(第1追記型記録層14の形成面に対する裏面)に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、第1基板12と第1追記型記録層14との間に設けられる第1光反射層18(後述)、第1追記型記録層14とカバー層16との間に設けられるバリア層20(後述)、第1光反射層18と第1追記型記録層14との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂などを用いて形成される。
なお、これら必須及び任意の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。
〔第1光情報記録媒体10Aにおける第1光反射層18〕
第1光情報記録媒体10Aにおいて、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、第1基板12と第1追記型記録層14との間に、第1光反射層18を形成することが好ましい。
第1光情報記録媒体10Aにおいて、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、第1基板12と第1追記型記録層14との間に、第1光反射層18を形成することが好ましい。
第1光反射層18は、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
第1光反射層18の層厚は、一般的には10〜300nmの範囲とし、50〜200nmの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、70%以上であることが好ましい。
反射率が高い光反射性物質としては、Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは2種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Au、Ag、Alあるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、Au、Agあるいはこれらの合金である。
〔第1光情報記録媒体10Aにおけるバリア層20(中間層)〕
第1光情報記録媒体10Aにおいては、第1追記型記録層14とカバー層16との間にバリア層20を形成することが好ましい。
第1光情報記録媒体10Aにおいては、第1追記型記録層14とカバー層16との間にバリア層20を形成することが好ましい。
バリア層20は、第1追記型記録層14の保存性を高める、第1追記型記録層14とカバー層16との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。
バリア層20に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
具体的には、Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ZnS、MoO2、GeO2、TeO、SiO2、TiO2、ZuO、ZnS−SiO2、SnO2、ZnO−Ga2O3が好ましく、ZnS−SiO2、SnO2、ZnO−Ga2O3がより好ましい。
また、バリア層20は、真空蒸着、DCスパッタリング、RFスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、RFスパッタリングを用いることがさらに好ましい。
バリア層20の厚さは、1〜200nmの範囲であることが好ましく、2〜100nmの範囲であることがより好ましく、3〜50nmの範囲であることがさらに好ましい。
次に、第2光情報記録媒体10Bについて図4を参照しながら説明する。
ここで、第2光情報記録媒体10Bは、貼り合わせ型の層構成を有する光情報記録媒体であり、その代表的な層構成としては、下記の通りである。
(1) 第1の層構成は、図4に示すように、第2基板24上に、第2追記型記録層26、第2光反射層30、第2接着層32を順次形成し、第2接着層32上に保護基板28を設ける構成である。
(2) 第2の層構成は、図示しないが、第2基板24上に、第2追記型記録層26、第2光反射層30、保護層、第2接着層32を順次形成し、第2接着層32上に保護基板28を設ける構成である。
(3) 第3の層構成は、図示しないが、第2基板24上に、第2追記型記録層26、第2光反射層30、保護層、第2接着層32、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板28を設ける構成である。
(4) 第4の層構成は、図示しないが、第2基板24上に、第2追記型記録層26、第2光反射層30、保護層、第2接着層32、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板28を設ける構成である。
(5) 第5の層構成は、図示しないが、第2基板24上に、第2追記型記録層26、第2光反射層30、第2接着層32、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板28を設ける構成である。
なお、上記(1)〜(5)の層構成は単なる例示であり、当該層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもかまわない。また、第2追記型記録層26は、保護基板28側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。さらに、各層は1層で構成されても複数層で構成されてもよい。
ここでは、第2光情報記録媒体10Bとして、図4に示すように、第2基板24上に、第2追記型記録層26、第2光反射層30、第2接着層32、保護基板28をこの順に有する構成のものを例にとって、以下にその説明をする。
〔第2光情報記録媒体10Bの第2基板24〕
第2光情報記録媒体10Bにおける第2基板24には、トラックピッチ、溝幅(半値幅)、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有する第2プリグルーブ36(案内溝)が形成されていることが必須である。この第2プリグルーブ36は、CD−RやDVD−Rに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、第2光情報記録媒体10Bを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
第2光情報記録媒体10Bにおける第2基板24には、トラックピッチ、溝幅(半値幅)、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有する第2プリグルーブ36(案内溝)が形成されていることが必須である。この第2プリグルーブ36は、CD−RやDVD−Rに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、第2光情報記録媒体10Bを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
第2プリグルーブ36のトラックピッチは、200〜600nmの範囲であることが適当であり、上限値が500nm以下であることが好ましく、450nm以下であることがより好ましく、430nm以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、300nm以上であることが好ましく、330nm以上であることがより好ましく、370nm以上であることがさらに好ましい。
トラックピッチが200nm未満では、第2プリグルーブ36を正確に形成することが困難になる上、クロストークが発生しやすくなり、600nmを超えると、記録密度が低下する。
第2プリグルーブ36の溝幅(半値幅)は、50〜300nmの範囲であることが適当であり、上限値が250nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがより好ましく、180nm以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、100nm以上であることが好ましく、120nm以上であることがより好ましく、140nm以上であることがさらに好ましい。
第2プリグルーブ36の溝幅が50nm未満では、成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、300nmを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
第2プリグルーブ36の溝深さは、30〜200nmの範囲であることが適当であり、上限値が170nm以下であることが好ましく、140nm以下であることがより好ましく、120nm以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、40nm以上であることが好ましく、50nm以上であることがより好ましく、60nm以上であることがさらに好ましい。
第2プリグルーブ36の溝深さが30nm未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、200nmを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
第2光情報記録媒体10Bにおいて用いられる第2基板24としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができ、具体例及び好ましい例は、第1光情報記録媒体10Aの第1基板12と同様である。
また、第2基板24の厚さは、0.1〜1.0mmの範囲であることが適当であり、0.2〜0.8mmの範囲であることが好ましく、0.3〜0.7mmの範囲であることがより好ましい。
なお、後述する第2追記型記録層26が設けられる側の第2基板24の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましく、該下塗層の材料、塗布法及び層厚の具体例及び好ましい例は、第1光情報記録媒体10Aの下塗層と同様である。
〔第2光情報記録媒体10Bの第2追記型記録層26〕
好ましい第2光情報記録媒体10Bの第2追記型記録層26に関する詳細な説明は、第1光情報記録媒体10Aの第1追記型記録層14に関するものと同様である。
好ましい第2光情報記録媒体10Bの第2追記型記録層26に関する詳細な説明は、第1光情報記録媒体10Aの第1追記型記録層14に関するものと同様である。
〔第2光情報記録媒体10Bの第2光反射層30〕
第2光情報記録媒体10Bにおいて、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、第2追記型記録層26上に第2光反射層30を形成することがある。第2光情報記録媒体10Bの第2光反射層30に関する詳細は、第1光情報記録媒体10Aの第1光反射層18と同様である。
第2光情報記録媒体10Bにおいて、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、第2追記型記録層26上に第2光反射層30を形成することがある。第2光情報記録媒体10Bの第2光反射層30に関する詳細は、第1光情報記録媒体10Aの第1光反射層18と同様である。
〔第2光情報記録媒体10Bの第2接着層32〕
好ましい第2光情報記録媒体10Bにおける第2接着層32は、第2光反射層30と、保護基板28との密着性を向上させるために形成される任意の層である。
好ましい第2光情報記録媒体10Bにおける第2接着層32は、第2光反射層30と、保護基板28との密着性を向上させるために形成される任意の層である。
第2接着層32を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、なかでもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「SD−640」、「SD−347」等のUV硬化性樹脂(UV硬化性接着剤)を挙げることができる。また、第2接着層32の厚さは、弾力性を持たせるため、1〜1000μmの範囲が好ましい。
〔第2光情報記録媒体10Bの保護基板28〕
好ましい第2光情報記録媒体10Bにおける保護基板28(ダミー基板)は、上述した第2基板24と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板28の厚さとしては、0.1〜1.0mmの範囲であることを要し、0.2〜0.8mmの範囲であることが好ましく、0.3〜0.7mmの範囲であることがより好ましい。
好ましい第2光情報記録媒体10Bにおける保護基板28(ダミー基板)は、上述した第2基板24と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板28の厚さとしては、0.1〜1.0mmの範囲であることを要し、0.2〜0.8mmの範囲であることが好ましく、0.3〜0.7mmの範囲であることがより好ましい。
〔第2光情報記録媒体10Bの保護層(図示せず)〕
第2光情報記録媒体10Bは、その層構成によっては、第2光反射層30や第2追記型記録層26等を物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
第2光情報記録媒体10Bは、その層構成によっては、第2光反射層30や第2追記型記録層26等を物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
保護層に用いられる材料の例としては、ZnS、ZnS−SiO2、SiO、SiO2、MgF2、SnO2、Si3N4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。UV硬化性樹脂の場合には、そのまま若しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、UV光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、さらに帯電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には0.1μm〜1mmの範囲にある。
〔第2光情報記録媒体10Bにおけるその他の層〕
第2光情報記録媒体10Bは、本発明の効果を損なわない範囲において、上述の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。このような他の任意の層の詳細な説明は、第1光情報記録媒体10Aにおけるその他の層と同様である。
第2光情報記録媒体10Bは、本発明の効果を損なわない範囲において、上述の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。このような他の任意の層の詳細な説明は、第1光情報記録媒体10Aにおけるその他の層と同様である。
<光情報記録方法>
本発明の光情報記録方法は、第1光情報記録媒体10A又は第2光情報記録媒体10Bを用いて、例えば、次のように行われる。
本発明の光情報記録方法は、第1光情報記録媒体10A又は第2光情報記録媒体10Bを用いて、例えば、次のように行われる。
第1光情報記録媒体10Aにおいては、先ず、第1光情報記録媒体10Aを定線速度(0.5〜10m/秒)又は定角速度にて回転させながら、カバー層16側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光46を、開口数NAが例えば0.85の第1対物レンズ42を介して照射する。このレーザ光46の照射により、第1追記型記録層14がレーザ光46を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化(例えば、ピットの生成)が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
同様に、第2光情報記録媒体10Bにおいては、先ず、第2光情報記録媒体10Bを定線速度(0.5〜10m/秒)又は定角速度にて回転させながら、第2基板24側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光46を、開口数NAが例えば0.65の第2対物レンズ48を介して照射する。このレーザ光46の照射により、第2追記型記録層26がレーザ光46を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化(例えば、ピットの生成)が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
本実施の形態においては、記録用のレーザ光46として390〜450nmの範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が用いられる。好ましい光源としては390〜415nmの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長850nmの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長425nmの青紫色SHGレーザー光を挙げることができる。特に、記録密度の点で390〜415nmの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、第1光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側あるいは保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
<化合物の合成>
本発明の金属錯体の配位子となるアゾ染料は、一般のアゾ染料の合成法に倣い、合成することができる。例えば、特開昭63−202666号公報に記載されている合成法に倣って合成することが可能である。
本発明の金属錯体の配位子となるアゾ染料は、一般のアゾ染料の合成法に倣い、合成することができる。例えば、特開昭63−202666号公報に記載されている合成法に倣って合成することが可能である。
以下に、本発明の化合物の合成例を示す。この他の本発明の化合物も類似の方法によって合成できる。
〔合成例1〕配位子(I−1a)のプロトン付加体合成
配位子(I−1a)のプロトン付加体の化合物の合成は、下記スキームに従って行った。
配位子(I−1a)のプロトン付加体の化合物の合成は、下記スキームに従って行った。
4−アミノアンチピリン 2.1gを2N塩酸16mlに溶解し、亜硝酸ナトリウム 0.72gの水溶液2mlを氷冷下で滴下する。得られたジアゾニウム塩水溶液を、(Cp−1) 1.8gのピリジン溶液30mlに氷冷下で加え、撹拌しつつ室温まで昇温する。生成する結晶をろ過した後、水洗して(I−1a)のプロトン付加体 3.1gを得た。構造はNMRにて確認した。
1H NMR(DMSO−d6):δ=1.5(m,2H),1.7〜1.8(m,4H),2.0(t,4H),2.6(s,3H),3.2(s,3H),7.3〜7.6(m,5H)
〔合成例2〕配位子(I−5a)のプロトン付加体合成
配位子(I−5a)のプロトン付加体の合成は、下記スキームに従って行った。
配位子(I−5a)のプロトン付加体の合成は、下記スキームに従って行った。
4−アミノアンチピリン 2.1gを2N塩酸16mlに溶解し、亜硝酸ナトリウム 0.72gの水溶液2mlを氷冷下で滴下する。得られたジアゾニウム塩水溶液を、(Cp−2) 1.9gのピリジン溶液30mlに氷冷下で加え、撹拌しつつ室温まで昇温する。希塩酸を加えて生成する結晶をろ過した後、水洗して(I−5a)のプロトン付加体3.4gを得た。構造はNMRにて確認した。
1H NMR(DMSO−d6):δ=2.5(s,3H),3.2(s,3H),3.8(s,3H),7.1(dd,2H),7.4(m,3H),7.5〜7.6(m,2H),7.9〜8.0(dd,2H)
〔合成例3〕金属錯体(S−1a)の合成
配位子(I−1a)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.11gをエタノール12mlに加え、加熱還流しつつ酢酸銅0.12gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−1a) 0.38gを得た。
配位子(I−1a)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.11gをエタノール12mlに加え、加熱還流しつつ酢酸銅0.12gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−1a) 0.38gを得た。
溶液吸収極大(アセトニトリル)=405nm
〔合成例4〕金属錯体(S−5a)の合成
配位子(I−5a)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.11gをエタノール15mlに加え、加熱還流しつつ酢酸ニッケル0.15gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−5a) 0.50gを得た。
配位子(I−5a)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.11gをエタノール15mlに加え、加熱還流しつつ酢酸ニッケル0.15gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−5a) 0.50gを得た。
溶液吸収極大(アセトニトリル)=433nm
〔合成例5〕配位子(I−1b)のプロトン付加体合成
配位子(I−1b)のプロトン付加体の化合物の合成は、下記スキームに従って行った。
配位子(I−1b)のプロトン付加体の化合物の合成は、下記スキームに従って行った。
4−アミノアンチピリン 2.1gを2N塩酸16mlに溶解し、亜硝酸ナトリウム 0.72gの水溶液2mlを氷冷下で滴下する。得られたジアゾニウム塩水溶液を、(Cp−1) 1.8gのピリジン溶液30mlに氷冷下で加え、撹拌しつつ室温まで昇温する。生成する結晶をろ過した後、水洗して(I−1b)のプロトン付加体 2.5gを得た。構造はNMRにて確認した。
1H NMR(DMSO−d6):δ=2.5(s,3H),3.2(s,3H),7.3〜7.4(m,3H),7.5〜7.6(m,2H),7.6〜7.8(m,4H),8.6(s,1H)
〔合成例6〕配位子(I−2b)のプロトン付加体合成
配位子(I−2b)のプロトン付加体の合成は、下記スキームに従って行った。
配位子(I−2b)のプロトン付加体の合成は、下記スキームに従って行った。
4−アミノアンチピリン 2.1gを2N塩酸16mlに溶解し、亜硝酸ナトリウム 0.72gの水溶液2mlを氷冷下で滴下する。得られたジアゾニウム塩水溶液を, (Cp−2) 2.0gのピリジン溶液30mlに氷冷下で加え、撹拌しつつ室温まで昇温する。希塩酸を加えて生成する結晶をろ過した後、水洗して(I−2b)のプロトン付加体2.9gを得た。構造はNMRにて確認した。
1H NMR(DMSO−d6):δ=1.4(m,1H),1.5〜1.8(m,5H),2.0(m,4H),2.4(s,3H),3.2(s,3H),7.3〜7.4(m,3H),7.5〜7.6(m,2H)
〔合成例7〕金属錯体(S−1b)の合成
配位子(I−1b)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.11gをエタノール12mlに加え、加熱還流しつつ酢酸銅0.12gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−1b) 0.47gを得た。
配位子(I−1b)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.11gをエタノール12mlに加え、加熱還流しつつ酢酸銅0.12gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−1b) 0.47gを得た。
溶液吸収極大(アセトニトリル)=454nm
〔合成例8〕金属錯体(S−5b)の合成
配位子(I−2b)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.10gをエタノール12mlに加え、加熱還流しつつ酢酸ニッケル0.15gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−5b) 0.50gを得た。
配位子(I−2b)のプロトン付加体 0.5g、酢酸ナトリウム0.10gをエタノール12mlに加え、加熱還流しつつ酢酸ニッケル0.15gの水溶液3mlを滴下する。室温まで放冷し、生成する結晶をろ過した後、水洗して金属錯体(S−5b) 0.50gを得た。
溶液吸収極大(アセトニトリル)=388nm
以下、本発明の実施例を示す。
[実施例1〜5、実施例11〜15]
<光情報記録媒体(第1光情報記録媒体10A)の製造>
(第1基板12の作製)
厚さ1.1mm、外径120mm、内径15mmでスパイラル状の第1プリグルーブ34(トラックピッチ:320nm、溝幅:オングルーブ幅120nm、溝深さ:35nm、溝傾斜角度:65°、ウォブル振幅:20nm)を有するポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板(第1基板12)を作製した。射出成形時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング(351nm)を用いて行われた。
<光情報記録媒体(第1光情報記録媒体10A)の製造>
(第1基板12の作製)
厚さ1.1mm、外径120mm、内径15mmでスパイラル状の第1プリグルーブ34(トラックピッチ:320nm、溝幅:オングルーブ幅120nm、溝深さ:35nm、溝傾斜角度:65°、ウォブル振幅:20nm)を有するポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板(第1基板12)を作製した。射出成形時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング(351nm)を用いて行われた。
(第1光反射層18の形成)
第1基板12上に、Unaxis社製Cubeを使用し、Ar雰囲気中で、DCスパッタリングにより、膜厚100nmの真空成膜層としてのAPC光反射層(Ag:98.1質量%、Pd:0.9質量%、Cu:1.0質量%)を形成した。第1光反射層18の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
第1基板12上に、Unaxis社製Cubeを使用し、Ar雰囲気中で、DCスパッタリングにより、膜厚100nmの真空成膜層としてのAPC光反射層(Ag:98.1質量%、Pd:0.9質量%、Cu:1.0質量%)を形成した。第1光反射層18の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
(第1追記型記録層14の形成)
図1に示す化合物(S−1a)、(S−2a)、(S−3a)、(S−5a)、(S−10a)、図2に示す化合物(S−1b)、(S−2b)、(S−3b)、(S−5b)又は(S−11b)それぞれ2gを、別個に2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール100ml中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、第1光反射層18上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数300〜4000rpmまで変化させながら23℃、50%RHの条件で塗布した。その後、23℃、50%RHで1時間保存して、第1追記型記録層14(グルーブ38上の厚さ120nm、ランド40上の厚さ170nm)を形成した。
図1に示す化合物(S−1a)、(S−2a)、(S−3a)、(S−5a)、(S−10a)、図2に示す化合物(S−1b)、(S−2b)、(S−3b)、(S−5b)又は(S−11b)それぞれ2gを、別個に2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール100ml中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、第1光反射層18上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数300〜4000rpmまで変化させながら23℃、50%RHの条件で塗布した。その後、23℃、50%RHで1時間保存して、第1追記型記録層14(グルーブ38上の厚さ120nm、ランド40上の厚さ170nm)を形成した。
第1追記型記録層14を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、第1基板12を垂直のスタックポールにスペーサで間をあけながら支持し、80℃で1時間保持して行った。
(バリア層20の形成)
その後、第1追記型記録層14上に、Unaxis社製Cubeを使用し、Ar雰囲気中で、RFスパッタリングによりZnO−Ga2O3(ZnO:Ga2O3=7:3(質量比))からなる、厚さ5nmのバリア層20を形成した。
その後、第1追記型記録層14上に、Unaxis社製Cubeを使用し、Ar雰囲気中で、RFスパッタリングによりZnO−Ga2O3(ZnO:Ga2O3=7:3(質量比))からなる、厚さ5nmのバリア層20を形成した。
(カバー層16の貼り合わせ)
カバー層16としては、内径15mm、外径120mmで、片面に粘着剤が塗布してあるポリカーボネート製フィルム(帝人ピュアエース、厚さ:80μm)を用い、該粘着剤層(第1接着層22)とポリカーボネート製フィルム(カバー層16)との厚さの合計が100μmとなるように設定した。
カバー層16としては、内径15mm、外径120mmで、片面に粘着剤が塗布してあるポリカーボネート製フィルム(帝人ピュアエース、厚さ:80μm)を用い、該粘着剤層(第1接着層22)とポリカーボネート製フィルム(カバー層16)との厚さの合計が100μmとなるように設定した。
そして、バリア層20上に、該バリア層20と粘着剤層(第1接着層22)とが当接するようにカバー層16を載置した後、そのカバー層16を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。
(比較例1〜2)
化合物(S−1a)の代わりに以下の比較化合物(A)又は(B)を用いた以外は、実施例1と全く同様な方法で第1光情報記録媒体10Aを作成した。
化合物(S−1a)の代わりに以下の比較化合物(A)又は(B)を用いた以外は、実施例1と全く同様な方法で第1光情報記録媒体10Aを作成した。
これにより、実施例1〜5、11〜15、比較例1〜2の第1光情報記録媒体10Aが作製された。
<光情報記録媒体(第1光情報記録媒体10A)の評価>
(C/N(搬送波対雑音比)評価)
作製した第1光情報記録媒体10Aを、波長405nmのレーザ光46を出射し、且つ、NA=0.85の第1対物レンズ42を有するピックアップを搭載した記録再生評価機(パルステック社製:DDU1000)を用い、クロック周波数66MHz、線速5.28m/secにて、0.16μmの信号(2T)を記録、再生し、スペクトルアナライザ(パルステックMSG2)にて(記録後の)C/Nを測定した。記録はグルーブ内に行っており、使用した記録色素の吸収波長とレーザ波長の関係次第で、記録後の反射率が記録前よりも高くなる場合と、低くなる場合とがあったが、高い方の反射率に対する低い方の反射率の割合をその変化率をC/Nとして読み取った。結果を図5に示す。
(C/N(搬送波対雑音比)評価)
作製した第1光情報記録媒体10Aを、波長405nmのレーザ光46を出射し、且つ、NA=0.85の第1対物レンズ42を有するピックアップを搭載した記録再生評価機(パルステック社製:DDU1000)を用い、クロック周波数66MHz、線速5.28m/secにて、0.16μmの信号(2T)を記録、再生し、スペクトルアナライザ(パルステックMSG2)にて(記録後の)C/Nを測定した。記録はグルーブ内に行っており、使用した記録色素の吸収波長とレーザ波長の関係次第で、記録後の反射率が記録前よりも高くなる場合と、低くなる場合とがあったが、高い方の反射率に対する低い方の反射率の割合をその変化率をC/Nとして読み取った。結果を図5に示す。
[実施例6〜10、実施例16〜20]
<光情報記録媒体(第2光情報記録媒体10B)の製造>
(第2基板24の作製)
厚さ0.6mm、外径120mm、内径15mmでスパイラル状の第2プリグルーブ36(トラックピッチ:400nm、溝幅:170nm、溝深さ:100nm、溝傾斜角度:65°、ウォブル振幅:20nm)を有するポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板(第2基板24)を作製した。射出成形時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング(351nm)を用いて行われた。
<光情報記録媒体(第2光情報記録媒体10B)の製造>
(第2基板24の作製)
厚さ0.6mm、外径120mm、内径15mmでスパイラル状の第2プリグルーブ36(トラックピッチ:400nm、溝幅:170nm、溝深さ:100nm、溝傾斜角度:65°、ウォブル振幅:20nm)を有するポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板(第2基板24)を作製した。射出成形時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング(351nm)を用いて行われた。
(第2追記型記録層26の形成)
図1に示す化合物(S−1a)、(S−2a)、(S−3a)、(S−5a)、(S−10a)、図2に示す化合物(S−1b)、(S−2b)、(S−3b)、(S−5b)又は(S−11b)それぞれ2gを、別個に2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール100ml中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、第2基板24上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数300〜4000rpmまで変化させながら23℃、50%RHの条件で塗布した。その後、23℃、50%RHで1時間保存して、第2追記型記録層26(グルーブ45上の厚さ170nm、ランド47上の厚さ120nm)を形成した。
図1に示す化合物(S−1a)、(S−2a)、(S−3a)、(S−5a)、(S−10a)、図2に示す化合物(S−1b)、(S−2b)、(S−3b)、(S−5b)又は(S−11b)それぞれ2gを、別個に2,2,3,3−テトラフルオロプロパノール100ml中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、第2基板24上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数300〜4000rpmまで変化させながら23℃、50%RHの条件で塗布した。その後、23℃、50%RHで1時間保存して、第2追記型記録層26(グルーブ45上の厚さ170nm、ランド47上の厚さ120nm)を形成した。
第2追記型記録層26を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、第2基板24を垂直のスタックポールにスペーサで間をあけながら支持し、80℃で1時間保持して行った。
(第2光反射層30の形成)
第2追記型記録層26上に、Unaxis社製Cubeを使用し、Ar雰囲気中で、DCスパッタリングにより、膜厚100nmの真空成膜層としてのAPC光反射層(Ag:98.1質量%、Pd:0.9質量%、Cu:1.0質量%)を形成した。第2光反射層30の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
第2追記型記録層26上に、Unaxis社製Cubeを使用し、Ar雰囲気中で、DCスパッタリングにより、膜厚100nmの真空成膜層としてのAPC光反射層(Ag:98.1質量%、Pd:0.9質量%、Cu:1.0質量%)を形成した。第2光反射層30の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
(保護基板28の貼り合わせ)
第2光反射層30上に、スピンコートにより、紫外線硬化樹脂(SD661、大日本インキ製)を塗布し、ポリカーボネート製の保護基板28(プリグルーブを形成していない以外は第2基板24と同様のもの)を貼り合わせ、紫外線を照射して、硬化させた。
第2光反射層30上に、スピンコートにより、紫外線硬化樹脂(SD661、大日本インキ製)を塗布し、ポリカーボネート製の保護基板28(プリグルーブを形成していない以外は第2基板24と同様のもの)を貼り合わせ、紫外線を照射して、硬化させた。
作製した第2光情報記録媒体10Bにおける紫外線硬化樹脂からなる第2接着層32の厚さは、25μmであった。
(比較例3〜4)
化合物(S−1a)の代わりに上述した比較化合物(A)又は(B)を用いた以外は、実施例6と全く同様な方法で第2光情報記録媒体10Bを作成した。
化合物(S−1a)の代わりに上述した比較化合物(A)又は(B)を用いた以外は、実施例6と全く同様な方法で第2光情報記録媒体10Bを作成した。
これにより、実施例6〜10、16〜20、比較例3〜4の第2光情報記録媒体10Bが作製された。
<光情報記録媒体(第2光情報記録媒体10B)の評価>
(C/N(搬送波対雑音比)評価)
作製した第2光情報記録媒体10Bを、波長405nmのレーザ光46を出射し、且つ、NA=0.65の第2対物レンズ48を有するピックアップを搭載した記録再生評価機(パルステック社製:DDU1000)を用い、クロック周波数64.8MHz、線速6.6m/secにて、0.2μmの信号(2T)を記録、再生し、スペクトルアナライザ(パルステックMSG2)にて(記録後の)C/Nを測定した。記録はグルーブ内に行っており、使用した記録色素の吸収波長とレーザ波長の関係次第で、記録後の反射率が記録前よりも高くなる場合と、低くなる場合とがあったが、高い方の反射率に対する低い方の反射率の割合をその変化率をC/Nとして読み取った。結果を図6に示す。
(C/N(搬送波対雑音比)評価)
作製した第2光情報記録媒体10Bを、波長405nmのレーザ光46を出射し、且つ、NA=0.65の第2対物レンズ48を有するピックアップを搭載した記録再生評価機(パルステック社製:DDU1000)を用い、クロック周波数64.8MHz、線速6.6m/secにて、0.2μmの信号(2T)を記録、再生し、スペクトルアナライザ(パルステックMSG2)にて(記録後の)C/Nを測定した。記録はグルーブ内に行っており、使用した記録色素の吸収波長とレーザ波長の関係次第で、記録後の反射率が記録前よりも高くなる場合と、低くなる場合とがあったが、高い方の反射率に対する低い方の反射率の割合をその変化率をC/Nとして読み取った。結果を図6に示す。
図5及び図6の結果から、本発明の化合物を含有する記録層からなる第1光情報記録媒体10A(実施例1〜5、11〜15)及び第2光情報記録媒体10B(実施例6〜10、16〜20)は、比較例1〜4に比べて高い再生信号強度が得られることがわかる。
さらに、実施例1〜5、11〜15に係る第1光情報記録媒体10A、実施例6〜10、16〜20に係る第2光情報記録媒体10B、比較例1及び2に係る第1光情報記録媒体10A、比較例3及び4に係る第2光情報記録媒体10Bに、40000ルクスのXe光を24時間照射したところ、実施例1〜5、11〜15に係る第1光情報記録媒体10A、実施例6〜10、16〜20に係る第2光情報記録媒体10Bでは、すべて記録信号の読み取りが可能であったのに対し、比較例1及び2に係る第1光情報記録媒体10A、比較例3及び4に係る第2光情報記録媒体10Bでは、記録信号を読み取ることができなかった。この結果から、実施例1〜5、11〜15に係る第1光情報記録媒体10A、実施例6〜10、16〜20に係る第2光情報記録媒体10Bは、比較例1及び2に係る第1光情報記録媒体10A、比較例3及び4に係る第2光情報記録媒体10Bに比べて高い耐光性を示すことがわかる。
なお、本発明に係る光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
10A…第1光情報記録媒体 10B…第2光情報記録媒体
12…第1基板 14…第1追記型記録層
16…カバー層 18…第1光反射層
20…バリア層 22…第1接着層
24…第2基板 26…第2追記型記録層
28…保護基板 30…第2光反射層
32…第2接着層 44…ハードコート層
12…第1基板 14…第1追記型記録層
16…カバー層 18…第1光反射層
20…バリア層 22…第1接着層
24…第2基板 26…第2追記型記録層
28…保護基板 30…第2光反射層
32…第2接着層 44…ハードコート層
Claims (13)
- 請求項1記載の光情報記録媒体において、
前記一般式(I)においてY2によって形成される5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環が、窒素原子を含まないことを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項4記載の光情報記録媒体において、
前記一般式(IIb)においてYによって形成される5員又は6員の縮環されてもよいヘテロ環が、窒素原子を含まないことを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光情報記録媒体において、
前記基板は、表面に50〜600nmのトラックピッチのプリグルーブを有する透明な円盤状基板であり、
前記記録層は、前記基板のうち、前記プリグルーブが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の光情報記録媒体において、
前記記録層とは別に、金属からなる光反射層が設けられていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の光情報記録媒体において、
前記記録層とは別に、保護層が設けられていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の光情報記録媒体に、波長440nm以下のレーザ光を照射して情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007097577A JP2007313882A (ja) | 2006-04-14 | 2007-04-03 | 光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物 |
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JP2006126858 | 2006-04-28 | ||
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008239731A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Fujifilm Corp | アゾ色素およびアゾ化合物 |
WO2009145097A1 (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 三菱化学メディア株式会社 | アゾ金属キレート色素及び光記録媒体 |
WO2009148171A1 (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-10 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
-
2007
- 2007-04-03 JP JP2007097577A patent/JP2007313882A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009145097A1 (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 三菱化学メディア株式会社 | アゾ金属キレート色素及び光記録媒体 |
JP2010007066A (ja) * | 2008-05-30 | 2010-01-14 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | アゾ金属キレート色素及び光記録媒体 |
WO2009148171A1 (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-10 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
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