WO2006098385A1

WO2006098385A1 - 光情報記録媒体および情報記録方法

Info

Publication number: WO2006098385A1
Application number: PCT/JP2006/305170
Authority: WO
Inventors: Kousuke Watanabe; Tetsuya Watanabe
Original assignee: Fuji Film Corporation
Priority date: 2005-03-16
Filing date: 2006-03-15
Publication date: 2006-09-21
Also published as: EP1859952A1; CN101052533A; KR20070112361A; US20070298219A1; TW200641885A

Description

2 mの青色レーザーを用いた Blu— ray方式と称する光記録ディスクが市販された。

[0004] 有機色素を含む記録層を有する光情報記録媒体にお!、て、記録層側から光反射層側に向けて波長 530nm以下のレーザー光を照射することにより、情報の記録再生を行う記録再生方法が開示されている。具体的には、記録層の色素として、ポルフィリンィ匕合物、ナフタロシア-ンィ匕合物等を用いた光ディスクに、青色 (波長 400〜430 nm、 488nm)又は青緑色（波長 515nm)のレーザー光を照射することにより情報の記録再生を行う情報記録再生方法が提案されて！ヽる。

[0005] 先行技術に、青色レーザーによる記録、再生が可能な光学記録媒体として、記録層にポルフィリン系化合物を用いたものが提案されて、る。

特許文献 1 特開平 11 - - 334207号公報

特許文献 2特開 2001 - — 138634号公報

特許文献 3特開平 11 - - 58957号公報

特許文献 4特開 2001 - — 143317号公報

特許文献 5特開 2001 - — 287465号公報

特許文献 6特開 2003- — 272234号公報

特許文献 7特開 2003- — 272259号公報

特許文献 8特開 2004- — 58365号公報

特許文献 9特開 2004- — 111011号公報

特許文献 10：特開 2004— 160742号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] 特開平 11— 334207号公報に記載されるポルフィリン系化合物を用いた光学記録媒体であれば、 488nmの青色レーザーによる記録、再生が可能であるが、 400-4 lOnmの青色レーザーを用いた場合、良好な記録再生特性は得られない。また、特開 2001— 138634号公報に記載されるオタタエチル白金ポルフィリンにおいては、有機溶媒に対する溶解性が非常に悪ぐ塗布による記録層の形成が困難であり安価な光学記録媒体を作製することが困難であり、また、 400〜410nmの青色レーザーを用いた場合、良好な記録再生特性は得られない。そこで、 400〜410nmの青色レ 3 一ザ一光照射による情報の記録再生を良好に行うことを可能にする有機色素の開発が望まれている。

[0007] 特開平 11— 334207号公報に具体的に記載されているポルフィリン系化合物はポルフィリン核の中心に水素原子、 Mg、 Ni、 Co、 Fe、 Cu、 Zn、 Cr、 In、 Mnなどを有している化合物である力本発明のようにポルフィリンの中心金属を白金（Pt)にすることによって他の元素（水素原子、 Mg、 Ni、 Co、 Fe、 Cu、 Zn、 Cr、 In、 Mnなど）に比ベて溶液吸収極大波長および膜吸収極大波長が短波長となり、これにより屈折率 n および消衰係数 kが適切な値となり、その結果 400〜410nmの青色レーザーにおいて良好な記録再生特性が得られるようになることが判明した。

[0008] 特開 2001 138634号公報に記載されるオタタエチル白金ポルフィリンにおいては、有機溶媒に対する溶解性が非常に悪ぐ塗布による記録層の形成が困難であり安価な光学記録媒体を作製することが困難であるが、本発明における好ましい置換基を用いることにより、溶解性が改善されて有機溶剤による塗布が可能となり、さらに均質で良好な膜が形成できるようになる。

[0009] また、良好な記録再生特性が得るためには、記録層の 400〜410nmのレーザー光の発振波長における屈折率 nおよび消衰係数 k力 n≥ 2. 0と 0. 01≤k≤0. 4を同時に満たすことが望ましぐその為には記録層に用いる本発明の化合物において、溶液吸収極大波長と膜吸収極大波長がいずれも 350ηπ！〜 385nmであることが必要である。この理由は、溶液吸収極大波長が 385nmより大きい化合物は、 405nm におけるモル吸光係数が大きくなり易ぐ 0. 01≤k≤0. 4を満たすことが困難である力である。

[0010] 本発明は、 400〜410nmのレーザー光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、記録再生特性 (特に感度、変調度）に優れた光情報記録媒体を提供することにある。又、そのような光情報記録媒体を作製することのできる色素を提供することである。

課題を解決するための手段

[0011] 本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。

[0012] [1] 基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を 4 有する光情報記録媒体にぉ、て、該記録層中に下記一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有することを特徴とする光情報記録媒体。

一般式 (I)

[0013] [化 1]

[0014] 一般式 (I)にお、て、 R^U〜R¹⁸は各々独立に水素原子または置換基を表す。

[2] 該記録層中に一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有し、かつ、該一般式 (I)で表される白金ポルフィリンにおける溶液吸収スペクトルの最大ピーク波長と膜吸収スペクトルの最大ピーク波長がいずれも 350nm〜385nmであることを特徴とする [1]に記載の光情報記録媒体。

[3] 該記録層中に一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有し、かつ、該記録層の 440nm以下のレーザー光の発振波長における屈折率 nおよび消衰係数 k力 n≥2.0と 0.01≤k≤0.4を同時に満たすことを特徴とする [1]または [2]に記載の光情報記録媒体。

[4] 該基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体にぉ、て、該記録層中に下記一般式 (Π)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有することを特徴とする [1]〜 [3]の、ずれかに記載の光情報記録媒体。

一般式 (Π)

[0015] [化 2] 5

一般式 (Π)にお、て、〜！^はそれぞれ独立して置換または無置換のアルキル基を表す。但し、 R²¹〜R²⁸のうち少なくとも一つの置換基は、さらにヒドロキシル基、力ルボキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチォ基、アルコキシカルボ-ル基、アルキルチオカルボ-ル基、アルキルアミノカルボ -ル基、ヘテロ環基の、ずれかによつて置換された基である。

[5] 該基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体にぉ、て、該記録層中に下記一般式 (ΠΙ)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有することを特徴とする [1]〜 [3]の、ずれかに記載の光情報記録媒体。

一般式 (III)

[化 3]

6 一般式 (m)において、 R³¹〜R³⁸はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基を表す。但し、 R³¹〜R³⁸のうち少なくとも一つの置換基は、さらにヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボ-ル基、ァルキルチオカルボ-ル基、アルキルアミノカルボ-ル基、ヘテロ環基のいずれかによつて置換された基である。

[6] 該記録層とは別に金属力なる光反射層が設けられていることを特徴とする [ [ 1]〜 [5]の、ずれかに記載の光情報記録媒体。

[7] 該記録層とは別に保護層が設けられていることを特徴とする [1]〜[6]のいずれかに記載の光情報記録媒体。

[8] 該基板が、その表面にトラックピッチ 0. 2mm〜0. 5mmのプリグループを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プリグループが形成された側の表面に設けられて、ることを特徴とする [1]〜 [7]の、ずれかに記載の光情報記録媒体。

発明の効果

[0017] 本発明の光情報記録媒体は、特定の白金ポルフィリン化合物を記録層の記録材料として用いることにより、波長 440nm以下の短波長レーザー光、とりわけ汎用性の高 V、405nm付近のレーザー光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、かつ高変調度といった良好な記録再生特性を有する、という効果を奏する。即ち、従来の CD— Rや DVD— Rよりも高密度での情報の記録が可能となり、更に大容量の情報の記録が可能となる。

図面の簡単な説明

[0018] [図 1]化合物（3)の 2, 2, 3, 3—テトラフルォロプロパノール溶液吸収スペクトル

[図 2]化合物（3)の膜吸収スペクトル

[図 3]化合物（E)のクロ口ホルム溶液吸収スペクトル

[図 4]化合物 (E)の蒸着膜吸収スペクトル

[図 5]化合物（B)の 2, 2, 3, 3—テトラフルォロプロパノール溶液吸収スペクトル [図 6]化合物（B)の膜吸収スペクトル

発明を実施するための最良の形態 7

[0019] 以下、本発明の光情報記録媒体及び情報記録方法の実施の形態、および化合物について詳細に説明する。

[0020] 本発明の光情報記録媒体は、基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に一般式 (I )で表される白金ポルフィリン (色素）を少なくとも一つ含有する光情報記録媒体である。

[0021] 本発明に係るポルフィリン系化合物を示す前記一般式 (I)において、 R^U〜R¹⁸は各々独立に水素原子または置換基を表す。置換基の例として、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、ァルケ-ル基（シクロアルケ- ル基、ビシクロアルケ二ル基を含む）、アルキ-ル基、ァリール基、ヘテロ環基、シァノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、シリルォキシ基、ヘテロ環ォキシ基、ァシルォキシ基、力ルバモイルォキシ基、アルコキシカルボ-ルォキシ基、ァリールォキシカルボ-ルォキシ基、アミノ基（アルキルアミノ基、ァリールアミノ基を含む）、ァシルァミノ基、ァミノカルボ-ルァミノ基、アルコキシカルボ-ルァミノ基、ァリールォキシカルボ-ルァミノ基、スルファモイルァミノ基、ァルキル及びァリールスルホ -ルァミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、ァリールチォ基、ヘテロ環チォ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びァリールスルフィ -ル基、アルキル及びァリールスルホ-ル基、ァシル基、ァリールォキシカルボ-ル基、アルコキシカルボ-ル基、力ルバモイル基、ァリール及びへテロ環ァゾ基、イミド基、ホスフイノ基、ホスフィエル基、ホスフィエルォキシ基、ホスフィエルアミノ基、またはシリル基が挙げられる。また、 R¹¹と R¹²、 R¹³と R"、 R¹⁵と R¹⁶、 R¹⁷と R¹⁸はそれぞれ互いに結合しても良い。

[0022] 更に詳しくは、 R^U〜R¹⁸としてハロゲン原子 (例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基 [直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基 (好ましくは炭素数 1から 30のアルキル基、例えばメチル、ェチル、 n—プロピル、イソプロピル、 t—ブチル、 n—ォクチル、エイコシル、 2—クロロェチル、 2—シァノエチル、 2—ェチルへキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数 3 力 30の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロへキシル、シクロべ 8 ンチル、 4—n—ドデシルシクロへキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数 5 から 30の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数 5から 30のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ [1, 2, 2]ヘプタンー2 ィル、ビシクロ [2, 2, 2]オクタンー3 ィル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基)もこのような概念のアルキル基を表す。 ]、アルケニル基 [直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、ァルケ-ル基 (好ましくは炭素数 2から 30の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビュル、ァリル、プレニル、ゲラ -ル、ォレイル）、シクロアルケ-ル基（好ましくは、炭素数 3から 30の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数 3から 30のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、 2 シクロペンテン— 1—ィル、 2—シクロへキセン— 1—ィル）、ビシクロアルケ-ル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケ-ル基、好ましくは、炭素数 5から 30の置換もしくは無置換のビシクロアルケ-ル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ [2, 2, 1]ヘプト— 2—ェン — 1—ィル、ビシクロ [2, 2, 2]ォクト 2 ェン一 4—ィル）を包含するものである。 ]、アルキ-ル基 (好ましくは、炭素数 2から 30の置換または無置換のアルキ-ル基、例えば、ェチニル、プロパルギル、トリメチルシリルェチュル基）、ァリール基 (好ましくは炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリール基、例えばフエ-ル、 p トリル、ナフチル、 m—クロ口フエ-ル、 o へキサデカノィルァミノフエ-ル）、ヘテロ環基（好ましくは 5または 6員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のへテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数 3から 3 0の 5もしくは 6員の芳香族のへテロ環基である。例えば、 2 フリル、 2 チェ-ル、 2 —ピリミジ -ル、 2—ベンゾチアゾリル）、シァノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、 t ブトキシ、 n—ォクチルォキシ、 2—メトキシェトキシ）、ァリールォキシ基 (好ましくは、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールォキシ基、例えば、フエノキシ、 2—メチルフエノキシ、 4—tーブチ 9 ルフエノキシ、 3 -トロフエノキシ、 2—テトラデカノィルァミノフエノキシ）、シリルォキシ基 (好ましくは、炭素数 3から 20のシリルォキシ基、例えば、トリメチルシリルォキシ、 t—プチルジメチルシリルォキシ）、ヘテロ環ォキシ基 (好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のへテロ環ォキシ基、 1 フエ-ルテトラゾールー 5—ォキシ、 2 ーテトラヒドロビラ-ルォキシ）、ァシルォキシ基 (好ましくはホルミルォキシ基、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のアルキルカルボ-ルォキシ基、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールカルボ-ルォキシ基、例えば、ホルミルォキシ、ァセチルォキシ、ビバロイルォキシ、ステアロイルォキシ、ベンゾィルォキシ、 p—メトキシフエ二ルカルボニルォキシ）、力ルバモイルォキシ基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換の力ルバモイルォキシ基、例えば、 N, N ジメチルカルバモイルォキシ、 N, N ジェチルカルバモイルォキシ、モルホリノカルボニルォキシ、 N, N ジー n ーォクチルァミノカルボニルォキシ、 N— n—ォクチルカルバモイルォキシ）、アルコキシカルボニルォキシ基 (好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換アルコキシカルボ-ルォキシ基、例えばメトキシカルボ-ルォキシ、エトキシカルボ-ルォキシ、 t ブトキシカルボニルォキシ、 n—ォクチルカルボ二ルォキシ）、ァリールォキシカルボニルォキシ基 (好ましくは、炭素数 7から 30の置換もしくは無置換のァリールォキシカルボ-ルォキシ基、例えば、フエノキシカルボ-ルォキシ、 p—メトキシフエノキシカルポ-ルォキシ、 p—n—へキサデシルォキシフエノキシカルボ-ルォキシ）、ァミノ基、アルキルアミノ基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、例えば、メチルアミ入ジメチルァミノ）、ァリールアミノ基 (炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァ-リノ基、例えばァ-リ入 N—メチルーァ-リ入ジフエ-ルアミノ）、ァシルァミノ基 (好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルカルボ-ルァミノ基、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールカルボ-ルァミノ基、例えば、ホルミルァミノ、ァセチルアミ入ビバロイルアミ入ラウロイルアミ入ベンゾィルアミ入 3, 4, 5—トリー n—ォクチルォキシフエニルカルボ二ルァミノ）、ァミノカルボニルァミノ基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のァミノカルボ-ルアミ入例えば、力ルバモイルァミノ、 N, N—ジメチルァミノカルボニルァミノ、 N, N ジェチルァミノカルボニルアミ入モルホリノカルボニルァミノ）、 10 アルコキシカルボ-ルァミノ基 (好ましくは炭素数 2から 30の置換もしくは無置換アルコキシカルボ-ルァミノ基、例えば、メトキシカルボ-ルアミ入エトキシカルボ-ルアミ入 t ブトキシカルボニルァミノ、 n—ォクタデシルォキシカルボニルアミ入 N—メチルーメトキシカルボ-ルァミノ）、ァリールォキシカルボ-ルァミノ基 (好ましくは、炭素数 7から 30の置換もしくは無置換のァリールォキシカルボ-ルァミノ基、例えば、フエノキシカルボニルァミノ、 p クロ口フエノキシカルボニルァミノ、 m— n—ォクチルォキシフエノキシカルボ-ルァミノ）、スルファモイルァミノ基 (好ましくは、炭素数 0から 30 の置換もしくは無置換のスルファモイルァミノ基、例えば、スルファモイルアミ入 N, N ージメチルアミノスルホニルァミノ、 N— n—ォクチルアミノスルホニルァミノ）、アルキル及びァリールスルホニルァミノ基 (好ましくは炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルスルホ -ルァミノ基、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールスルホ -ルァミノ基、例えば、メチルスルホ -ルアミ入ブチルスルホ -ルアミ入フエ- ルスルホニルァミノ、 2, 3, 5 トリクロ口フエニルスルホニルアミ入 p—メチルフエニルスルホニルァミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、ェチルチオ、 n—へキサデシルチオ）、ァリールチオ基 (好ましくは炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリ一ルチオ、例えば、フエ-ルチオ、 p—クロ口フエ-ルチオ、 m—メトキシフエ-ルチオ )、ヘテロ環チォ基 (好ましくは炭素数 2から 30の置換または無置換のへテロ環チォ基、例えば、 2 べンゾチアゾリルチオ、 1 フエ-ルテトラゾールー 5—ィルチオ）、スルファモイル基 (好ましくは炭素数 0から 30の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、 N ェチルスルファモイル、 N— (3—ドデシルォキシプロピル）スルファモィル、 N, N ジメチルスルファモイル、 N ァセチルスルファモイル、 N—ベンゾィルスルファモイル、 N— (Ν '—フヱ-ルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキル及びァリールスルフィエル基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換または無置換のアルキルスルフィエル基、 6から 30の置換または無置換のァリールスルフィエル基、例えば、メチルスルフィエル、ェチルスルフィ -ル、フエ-ルスルフィ -ル、 ρ—メチルフヱ-ルスルフィ -ル）、アルキル及びァリールスルホ -ル基（好ましくは、炭素数 1 から 30の置換または無置換のアルキルスルホ-ル基、 6から 30の置換または無置換 1 1 のァリールスルホ-ル基、例えば、メチルスルホ -ル、ェチルスルホ -ル、 t ブチルスノレホニノレ、 S ブチノレスノレホニノレ、フエ-ノレスノレホニノレ、ピリジノレスノレホニノレ、 p—メチルフヱ-ルスルホ-ル）、ァシル基 (好ましくはホルミル基、炭素数 2から 30の置換または無置換のアルキルカルボ-ル基、、炭素数 7から 30の置換もしくは無置換のァリールカルボ-ル基、炭素数 4から 30の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボ- ル基と結合しているへテロ環カルボ-ル基、例えば、ァセチル、ビバロイル、 2—クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾィル、 p—n—ォクチルォキシフエニルカルボニル、 2—ピリジルカルボ-ル、 2—フリルカルボ-ル）、ァリールォキシカルボ-ル基（好ましくは、炭素数 7から 30の置換もしくは無置換のァリールォキシカルボニル基、例えば、フエノキシカルボニル、 o クロロフエノキシカルボニル、 m—二トロフエノキシ力ノレボ -ル、 p—t—ブチルフエノキシカルボ-ル）、アルコキシカルボ-ル基（好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換アルコキシカルボ-ル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、 t ブトキシカルボニル、 n—ォクタデシルォキシカルボ -ル）、力ルバモイル基 (好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換の力ルバモイル、例えば、力ルバモイル、 N—メチルカルバモイル、 N, N ジメチルカルバモィル、 N, N—ジ—n—ォクチルカルバモイル、 N— (メチルスルホ -ル）力ルバモイル )、ァリール及びへテロ環ァゾ基 (好ましくは炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールァゾ基、炭素数 3から 30の置換もしくは無置換のへテロ環ァゾ基、例えば、フエニルァゾ、 p クロ口フエニルァゾ、 5 ェチルチオ一 1, 3, 4 チアジアゾールー 2—ィルァゾ）、イミド基 (好ましくは、 N—スクシンイミド、 N フタルイミド）、ホスフイノ基 (好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のホスフイノ基、例えば、ジメチルホスフィ入ジフエ-ルホスフィ入メチルフエノキシホスフイノ）、ホスフィエル基（好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のホスフィエル基、例えば、ホスフィ- ル、ジォクチルォキシホスフィエル、ジエトキシホスフィエル）、ホスフィエルォキシ基（好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のホスフィエルォキシ基、例えば、ジフエノキシホスフィエルォキシ、ジォクチルォキシホスフィエルォキシ）、ホスフィエルアミノ基 (好ましくは、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のホスフィエルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィエルアミ入ジメチルァミノホスフィエルアミノ）、またはシリル 12 基 (好ましくは、炭素数 3から 30の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、 tーブチルジメチルシリル、フエ-ルジメチルシリル）が挙げられる。

[0023] 上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボ-ルアミノスルホ-ル基、ァリールカルボ-ルアミノスルホ -ル基、アルキルスルホ -ルァミノカルボ -ル基、ァリールスルホ -ルァミノカルボ-ル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルァミノカルボニル、 p—メチルフヱニルスルホニルァミノカルボニル、ァセチルアミノスルホ -ル、ベンゾィルアミノスルホ -ルが挙げられる。また、 R^U〜R¹⁸は更に置換基によって置換されて、ても良、。

[0024] R^U〜R¹⁸として好ましくはハロゲン原子、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のァルキル基、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリール基、 5または 6員の置換もしくは無置換のへテロ環基、シァノ基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールアミノ基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数 2から 30の置換または無置換のアルキルカルボ-ル基、炭素数 7から 30の置換もしくは無置換のァリールカルボ-ル基、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、炭素数 7から 30 の置換もしくは無置換のァリールォキシカルボ-ル基、炭素数 1から 30の置換または無置換のアルキルスルホ-ル基、 6から 30の置換または無置換のァリールスルホ- ル基であり、より好ましくは、炭素数 1から 30のアルキル基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数 6から 30の置換もしくは無置換のァリールァミノ基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数 2から 30の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数 2から 30の置換もしくは無置換のアルコキシカルボ-ル基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルチオ基であり、さらに好ましくは、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、または炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキルチォ基である。

[0025] 本発明の化合物の一般式 (I)で表される化合物の好ま、形態は、一般式 (Π)ま 13 たは一般式 (III)であり、一般式 (ΠΙ)であることがより好ま、。

[0026] 一般式 (Π)につ、て説明する。 R²¹〜R²⁸はそれぞれ独立して炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。但し、 R²¹〜R²⁸のうち少なくとも一つの置換基は、さらにヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボ-ル基、アルキルチオカルボ- ル基、アルキルアミノカルボ-ル基、ヘテロ環基のいずれかによつて置換されたアルキノレ基である。

[0027] R²¹〜R²⁸のうち少なくとも一つの置換基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、無置換のァミノ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、メルカプト基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のアルキルチオカルボ-ル基、置換もしくは無置換のアルキルアミノカルボ-ル基、置換もしくは無置換のへテロ環基のヽずれかによつて置換されたアルキル基であり、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のへテロ環基の、ずれかによつて置換されたアルキル基であることが好ましぐ置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基の、ずれかによつて置換されたアルキル基であることがより好ましぐ置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基のいずれかによつて置換されたアルキル基であることがさらに好ましく、置換もしくは無置換のアルコキシ基によって置換されたアルキル基であることが特に好ましい。

[0028] 一般式 (III)につ、て説明する。 R³¹〜R³⁸はそれぞれ独立して炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のアルコキシ基、または炭素数 1から 30の置換もしくは無置換のァルキルチオ基を表す。但し、 R³¹〜R³⁸のうち少なくとも一つの置換基は、さらにヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、ァルキルチオ基、アルコキシカルボ-ル基、アルキルチオカルボ-ル基、アルキルアミノカルボ-ル基、ヘテロ環基の、ずれかによつて置換された基である。

[0029] R³¹〜R³⁸のうち少なくとも一つの置換基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、無置 14 換のァミノ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、メルカプト基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のアルキルチオカルボ-ル基、置換もしくは無置換のアルキルアミノカルボ-ル基、置換もしくは無置換のへテロ環基のヽずれかによつて置換された基 (アルコキシ基またはアルキルチオ基)であり、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換のへテロ環基の、ずれかによつて置換された基であることが好ましぐ置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基のいずれかによつて置換された基であることがより好ましぐ置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアルキルアミノ基の、ずれかによつて置換された基であることがさらに好ましく、置換もしくは無置換のアルコキシ基によって置換された基であることが特に好まし、。

[0030] 一般式 (I)で表される白金ポルフィリンにおける溶液吸収スペクトルの最大ピーク波長と膜吸収スペクトルの最大ピーク波長はいずれも 350〜385nmであり、溶液吸収スペクトルの最大ピーク波長と膜吸収スペクトルの最大ピーク波長の好ましい波長の範囲は 360〜380nmであり、より好ましくは 365〜380nmである。この理由は、屈折率 nがより大きな値となり、変調度が大きくなりやすぐ記録特性が良好になるからである。上記の吸収スペクトル測定に用いる溶媒はいずれの溶剤でもよいが、 2, 2, 3, 3 ーテトラフルォロプロパノールまたはクロ口ホルムが好ましぐ本発明では 2, 2, 3, 3 ーテトラフルォロプロパノールまたはクロ口ホルムを溶媒として用いて得た値とする。上記の膜吸収スペクトル測定に用いる膜は白金ポルフィリンを含有する膜なら、いずれでもよいが、白金ポルフィリンの溶液 (好ましくは溶剤、例えば 2, 2, 3, 3—テトラフルォロプロパノール)をスピンコート法等により塗布して形成された膜であり、光情報記録媒体における白金ポルフィリン含有記録層でもよぐ形成された膜は結晶状態でも、非晶質 (アモルファス)状態でもよいが、好ましくは非晶質 (アモルファス)状態である。膜の厚みは特に制限ないが、本発明では 10〜300nmの膜厚の値を採用する。

[0031] 一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有する記録層の 440nm 15 以下のレーザー光の発振波長における屈折率 nおよび消衰係数 kは、 n≥2. 0と 0. 01≤k≤0. 4を同時に満たすことが必要である。

[0032] 屈折率 nおよび消衰係数 kの好ましい範囲としては n≥ 2. 1と 0. l≤k≤0. 4を同時に満たすことであり、より好ましい範囲としては n≥ 2. 1と 0. 2≤k≤0. 4を同時に満たすことであり、さらに好ましい範囲としては n≥ 2. 1と 0. 3≤k≤0. 4を同時に満たすことである。上記の好ましい範囲では、変調度が大きくなり記録特性が良好になる力である。

[0033] 以下に、本発明で用いられるポルフィリン系化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

[0034] [化 4]

16

化合物（1 ) 化合物 (2)

化合物 (3)

化合物 (4)

化合物（5)

化合物 (6) 17

化合物 (7〉

化合物 (9) 化合物（10)

化合物 (11)

[0036] 本発明に対する比較化合物を以下に示す。

[0037] [化 6] 18

化合物 (A) 化合物 (B)

化合物 (F) 記録媒体 > 19 本発明の光情報記録媒体は、態様 [1]：厚さ 0. 7〜2mmの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ 0. 01-0. 5mmのカバー層と、をこの順に有する光情報記録媒体または態様 [2] :厚さ 0. 1〜1. Ommの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ 0. 1〜1. Ommの保護基板と、をこの順に有する光情報記録媒体であることが好ましい。態様 [1]においては前記基板に形成されるプリグループのトラックピッチ力 S50〜500nm、溝幅力 S25〜250nm、溝深さが 5〜150nmであることが好ましぐ態様 [2]においては前記基板に形成されるのプリグループのトラックピッチが 200〜600mn、溝幅力 50〜300ηπι、溝深さ力 30〜200ηπιであり、ク才ブノレ振幅力 10〜50nmであることが好まし!/、。

態様 [1]の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層を有する態様であり、まずこれらに必須の部材について順に説明する。

[0039] 〔態様 [1]の基板〕

好ましい態様 [1]の基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びゥォブル振幅の、ずれもが下記の範囲である形状を有するプリグループ (案内溝）が形成されていることが必須である。このプリグループは、 CD— Rや DVD— Rに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。

[0040] プリグループのトラックピッチは、 200〜500nmの範囲であることが必須であり、上限値が 420nm以下であることが好ましぐ 370nm以下であることがより好ましぐ 330 nm以下であることが更に好ましい。また、下限値は、 260nm以上であることが好ましい。

トラックピッチが 200nm未満では、プリグループを正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、 500nmを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。

[0041] プリグループの溝幅（半値幅）は、 25〜250nmの範囲であることが必須であり、上限値が 200nm以下であることが好ましぐ 170nm以下であることがより好ましぐ 150 nm以下であることが更に好ましい。また、下限値は、 50nm以上であることが好ましく、 80nm以上であることがより好ましぐ lOOnm以上であることが更に好ましい。 20 プリグループの溝幅が 25nm未満では、成型時に溝が十分に転写されな力つたり、記録のエラーレートが高くなつたりすることがあり、 250nmを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。

[0042] プリグループの溝深さは、 5〜150nmの範囲であることが必須であり、上限値が 10 Onm以下であることが好ましぐ 70nm以下であることがより好ましぐ 50nm以下であることが更に好ましい。また、下限値は、 10nm以上であることが好ましぐ 20nm以上であることがより好ましぐ 28nm以上であることが更に好ましい。

プリグループの溝深さが 5nm未満では、十分な記録変調度が得られな!/、ことがあり、 150nmを超えると、反射率が大幅に低下することがある。

[0043] また、プリグループの溝傾斜角度は、上限値が 80° 以下であることが好ましぐ 75 ° 以下であることがより好ましぐ 70° 以下であることが更に好ましぐ 65° 以下であることが特に好ましい。また、下限値は、 20° 以上であることが好ましぐ 30° 以上であることがより好ましぐ 40° 以上であることが更に好ましい。

プリグループの溝傾斜角度が 20° 未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、 80° を超えると、成型が困難となる。

[0044] 本発明におヽて用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。

具体的には、ガラス;ポリカーボネート、ポリメチルメタタリレート等のアクリル榭脂；ポリ塩化ビュル、塩ィ匕ビニル共重合体等の塩ィ匕ビュル系榭脂；エポキシ榭脂；ァモルファスポリオレフイン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。

上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリォレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性榭脂が好ましぐポリカーボネートが特に好ましい。

これらの榭脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。

また、基板の厚さは、 0. 7〜2mmの範囲であることを要し、 0. 9〜1. 6mmの範囲であることが好ましぐ 1. 0〜1. 3mmとすることがより好ましい。 21

[0045] なお、後述する光反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。

該下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタタリレート、アクリル酸 'メタクリル酸共重合体、スチレン '無水マレイン酸共重合体、ポリビュルアルコール、 N—メチロールアクリルアミド、スチレン 'ビュルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビュル、塩素化ポリオレフイン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビュル'塩ィ匕ビュル共重合体、エチレン '酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることがでさる。

下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エタストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は、一般に 0. 005〜 20 μ mの範囲にあり、好ましくは 0. 01〜： LO μ mの範囲である。

[0046] 〔態様 [1]の追記型記録層〕

好ましい態様 [1]の追記型記録層は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上又は後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥すること〖こより形成される。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよぐ重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。

塗布液中の色素の濃度は、一般に 0. 01〜15質量％の範囲であり、好ましくは 0. 1〜10質量％の範囲、より好ましくは 0. 5〜5質量％の範囲、最も好ましくは 0. 5〜3 質量％の範囲である。

[0047] 塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸ェチル、セロソルブアセテート等のエステル;メチルェチルケトン、シクロへキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、 1, 2—ジクロルェタン、クロ口ホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド;メチルシクロへキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、ェチルェ一テル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジォキサン等のエーテル；エタノール、 n—プロパノール、イソプロパノール、 n—ブタノール、ジアセトンアルコール 22 等のアルコール； 2, 2, 3, 3—テトラフルォロプロパノール、ォクタフルォロペンタノ一ル、へキサフルォロブタノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテノレ、エチレングリコーノレモノエチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテル等のダリコールエーテル類；等を挙げることができる。

上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、酸化防止剤、 UV吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

[0048] 塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。

塗布の際、塗布液の温度は 23〜50°Cの範囲であることが好ましぐ 24〜40°Cの範囲であることがより好ましぐ中でも、 24〜37°Cの範囲であることが特に好ましい。

[0049] このようにして形成された追記型記録層の厚さは、グループ (前記基板にぉ、て凸部）上で、 300nm以下であることが好ましぐ 250nm以下であることがより好ましぐ 2 OOnm以下であることが更に好ましぐ 180nm以下であることが特に好ましい。下限値としては 30nm以上であることが好ましぐ 50nm以上であることがより好ましぐ 70η m以上であることが更に好ましぐ 90nm以上であることが特に好ましい。

また、追記型記録層の厚さは、ランド上 (前記基板において凹部）で、 400nm以下であることが好ましぐ 300nm以下であることがより好ましぐ 250nm以下であることが更に好ましい。下限値としては、 70nm以上であることが好ましぐ 90nm以上であることがより好ましく、 1 lOnm以上であることが更に好まし、。

更に、グループ上の追記型記録層の厚さ Zランド上の追記型記録層の厚さの比は、 0. 4以上であることが好ましぐ 0. 5以上であることがより好ましぐ 0. 6以上であることが更に好ましぐ 0. 7以上であることが特に好ましい。上限値としては、 1未満であることが好ましく、 0. 9以下であることがより好ましぐ 0. 85以下であることが更に好ましぐ 0. 8以下であることが特に好ましい。

[0050] 塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系榭脂、ポリ塩化ビュル、ポリ塩化 23 ビ-リデン、ポリ塩ィ匕ビニル 'ポリ酢酸ビュル共重合体等のビニル系榭脂、ポリアタリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル榭脂、ポリビュルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ榭脂、ブチラール榭脂、ゴム誘導体、フエノール'ホルムアルデヒド榭脂等の熱硬化性榭脂の初期縮合物等の合成有機高分子；を挙げることができる。追記型記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して 0. 01倍量〜 50倍量 (質量比）の範囲にあり、好ましくは 0. 1倍量〜5倍量 (質量比）の範囲にある。

[0051] また、追記型記録層には、該追記型記録層の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クェンチヤ一が用いられる。本発明にお、てもこの一重項酸素クェンチヤ一を混合させることによって更なる耐光性の向上が期待できる。一重項酸素クェンチヤ一としては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。

前記一重項酸素クェンチヤ一等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常 0. 1〜50質量％の範囲であり、好ましくは、 0. 5〜45質量％の範囲、更に好ましくは、 3〜40質量％の範囲、特に好ましくは 5〜25質量％の範囲である。

[0052] 〔態様 [1]のカバー層〕

好ましい態様 [1]のカバー層は、上述した追記型記録層又は後述するバリア層上に、接着剤や粘着剤を介して貼り合わされる。

本発明において用いられるカバー層としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタタリレート等のアクリル榭脂；ポリ塩化ビュル、塩ィ匕ビュル共重合体等の塩ィ匕ビ二ル系榭脂；エポキシ榭脂；ァモルファスポリオレフイン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。

なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率 80%以上であることを意味する。

[0053] また、カバー層は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、 500nm以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。 24 更に、カバー層の表面物性としては、表面粗さが 2次元粗さパラメータ及び 3次元粗さパラメータの、ずれも 5nm以下であることが好まし、。

また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層の複屈折は 10 nm以下であることが好まし、。

[0054] カバー層の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長や NAにより、適宜、規定されるが、本発明においては、 0. 01〜0. 5mmの範囲内であり、 0. 05 〜0. 12mmの範囲であることがより好ましい。

また、カバー層と、接着剤又は粘着剤からなる層と、を合わせた総厚は、 0. 09〜0 . 11mmであることが好ましぐ 0. 095〜0. 105mmであることがより好ましい。

なお、カバー層の光入射面には、光情報記録媒体の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層 (ハードコート層）が設けられていてもよい。

[0055] カバー層を貼り合せるために用いられる接着剤は、例えば UV硬化榭脂、 EB硬化榭脂、熱硬化榭脂等を使用することが好ましぐ特に UV硬化榭脂を使用することが好ましい。

接着剤として UV硬化榭脂を使用する場合は、該 UV硬化榭脂をそのまま、若しくはメチルェチルケトン、酢酸ェチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンザからバリア層表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成する UV硬化榭脂は硬化収縮率の小さヽものが好ましい。このような UV硬化榭脂としては、例えば、大日本インキ化学工業 (株)社製の「SD— 640」等の UV硬化榭脂を挙げることができる。

[0056] 接着剤は、例えば、ノリア層からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。

このような接着剤からなる接着剤層の厚さは、 0. 1〜： LOO /z mの範囲が好ましぐより好ましくは 0. 5〜50 /ζ πιの範囲、更に好ましくは 10〜30 /ζ πιの範囲である。

[0057] また、カバー層を貼り合せるために用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。力かるアクリル系の粘着剤としては、 2—ェチルへキシルァク 25 リレート、 n—ブチルアタリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアタリレートやメタタリレート、例えば、メチルアタリレート、ェチルアタリレート、メチルメタタリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アタリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルェチルアタリレート、グリシジルアタリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度 (Tg)や架橋密度を変えることができる。

[0058] 上記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシァネート系架橋剤が挙げられる。力かるイソシァネート系架橋剤としては、トリレンジイソシァネート、 4, 4，一ジフエ-ルメタンジイソシァネート、へキサメチレンジイソシァネート、キシリレンジイソシァネート、ナフチレン 1, 5 ジイソシァネート、 o トノレイジンイソシァネート、イソホロンジイソシァネート、トリフエ-ルメタントリイソシァネート等のイソシァネート類、また、これらのイソシァネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシァネート類の縮合によって生成したポリイソシァネート類を使用することができる。これらのイソシァネート類の巿販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネート L、コロネー卜 HL、コロネー卜 2030、コロネー卜 2031、ミリオネー卜 MR、ミリオネー卜 HTL ;武田薬品社製のタケネート D— 102、タケネート D—110N、タケネート D— 200、タケネート D— 202 ;住友バイエル社製のデスモジュール L、デスモジュール IL、デスモジユール?^、デスモジュール HL；等を挙げることができる。

[0059] 粘着剤は、ノリア層からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。

また、カバー層に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。このような粘着剤からなる粘着剤層の厚さは、 0. 1〜： LOO mの範囲が好ましく、より好ましくは 0. 5〜50 /ζ πιの範囲、更に好ましくは 10〜30 /ζ πιの範囲である。

[0060] 〔態様 [1]におけるその他の層〕

好ま、態様 [1]の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわな、範囲にぉ、て 26 は、上述の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。力かる他の任意の層としては、例えば、基板の裏面（追記型記録層形成面側に対する裏面）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板と追記型記録層との間に設けられる光反射層（後述)、追記型記録層とカバー層との間に設けられるバリア層（後述)、該光反射層と追記型記録層との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、かかるレーベル層は、紫外線硬化榭脂、熱硬化性榭脂、及び熱乾燥榭脂などを用いて形成される。

なお、これら必須及び任意の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。

[0061] 〔態様 [1]における光反射層〕

好ましい態様 [1]の光情報記録媒体において、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板と追記型記録層との間に、光反射層を形成することが好ましい。

光反射層は、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。光反射層の層厚は、一般的には 10〜300nmの範囲とし、 50〜200nmの範囲とすることが好ましい。

なお、前記反射率は、 70%以上であることが好ましい。

[0062] 反射率が高!、光反射性物質としては、 Mg、 Se、 Y、 Ti、 Zr、 Hf、 V、 Nb、 Ta、 Cr、 Mo、 W、 Mn、 Re、 Fe、 Co、 Niゝ Ru、 Rh、 Pd、 Ir、 Pt、 Cu、 Ag、 Au、 Zn、 Cd、 Al、 Ga、 In、 Si、 Ge、 Te、 Pb、 Po、 Sn、 Bi等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、 Cr、 Ni、 Pt、 Cu、 Ag、 Au、 Al及びステンレス鋼である。特に好ましくは、 Au、 Ag、 A1あるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、 Au、 Agあるいはこれらの合金である。

[0063] 〔態様 [1]におけるバリア層（中間層）の形成工程〕

好ましい態様 [1]の光情報記録媒体においては、追記型記録層とカバー層との間にバリア層を形成することが好まし、。 27 該ノリア層は、追記型記録層の保存性を高める、追記型記録層とカバー層との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられるノリア層に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。

具体的には、 Zn、 Si、 Ti、 Te、 Sn、 Mo、 Ge等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物力らなる材料が好ましぐ ZnS、 MoO、 GeO、 TeO、 SiO、 TiO、 ZuO、 ZnS— Si

2 2 2 2

O、 SnO、 ZnO-Ga Oが好ましぐ ZnS -SiO、 SnO、 ZnO-Ga Oがより好ま

2 2 2 3 2 2 2 3 しい。

[0064] また、バリア層は、真空蒸着、 DCスパッタリング、 RFスパッタリング、イオンプレーテイングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましぐ RFスパッタリングを用いることが更に好ましい。

本発明におけるバリア層の厚さは、 l〜200nmの範囲であることが好ましぐ 2〜10 Onmの範囲であることがより好ましぐ 3〜50nmの範囲であることが更に好ましい。

[0065] 次に好ま、態様 [2]の光情報記録媒体につ!、て説明する。

ここで、態様 [2]の光情報記録媒体は、貼り合わせ型の層構成を有する光情報記録媒体であり、その代表的な層構成としては、下記の通りである。

(1)第 1の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設ける構成である。

(2)第 2の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設ける構成である。

(3)第 3の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設ける構成である。

(4)第 4の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設ける構成である。

(5)第 5の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順 28 次形成し、該光反射層上に保護基板を設ける構成である。

なお、上記（1)〜（5)の層構成は単なる例示であり、当該層構成は上述の順番のみでなぐ一部を入れ替えてもよいし、一部を省略しても力まわない。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよぐその場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。更に、各層は 1層で構成されても複数層で構成されてもよい。

本発明の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板をこの順に有する構成のものを例にとって、以下にその説明をする。

[0066] 〔態様 [2]の基板〕

好ましい態様 [2]における基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びゥォブル振幅の、ずれもが下記の範囲である形状を有するプリグループ (案内溝）が形成されていることが必須である。このプリグループは、じ0—1^ゃ0¥0—1^に比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。

[0067] プリグループのトラックピッチは、 200〜500nmの範囲であることが必須であり、上限値が 450nm以下であることが好ましぐ 430nm以下であることが更に好ましい。また、下限値は、 300nm以上であることが好ましぐ 330nm以上であることがより好ましく、 370nm以上であることが更に好ましい。

[0068] プリグループの溝幅（半値幅）は、 50〜300nmの範囲であることが必須であり、上限値が 250nm以下であることが好ましぐ 200nm以下であることがより好ましぐ 180 nm以下であることが更に好ましい。また、下限値は、 lOOnm以上であることが好ましく、 120nm以上であることがより好ましぐ 140nm以上であることが更に好ましい。プリグループの溝幅が 50nm未満では、成型時に溝が十分に転写されな力つたり、記録のエラーレートが高くなつたりすることがあり、 300nmを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られ 29 ないことがある。

[0069] プリグループの溝深さは、 30〜200nmの範囲であることが必須であり、上限値が 1 70nm以下であることが好ましぐ 140nm以下であることがより好ましぐ 120nm以下であることが更に好ましい。また、下限値は、 40nm以上であることが好ましぐ 50nm 以上であることがより好ましぐ 60nm以上であることが更に好ましい。

プリグループの溝深さが 30nm未満では、十分な記録変調度が得られな!/、ことがあり、 200nmを超えると、反射率が大幅に低下することがある。

[0070] 好ましい態様 [2]において用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられてヽる各種の材料を任意に選択して使用することができ、具体例及び好ましヽ例は態様 [ 1 ]の基板と同様である。

また、基板の厚さは、 0. 1〜1. Ommの範囲であることを要し、 0. 2〜0. 8mmの範囲であることが好ましぐ 0. 3〜0. 7mmの範囲であることがより好ましい。

[0071] なお、後述する追記型記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましぐ該下塗層の材料、塗布法及び層厚の具体例及び好まし、例は態様 [ 1 ]の下塗層と同様である。

[0072] 〔態様 [2]の追記型記録層〕

好ましい態様 [2]の追記型記録層に関する詳細な説明は、態様 [1]の追記型記録層に関するものと同様である。

[0073] 〔態様 [2]の光反射層〕

好ましい態様 [2]において、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層上に光反射層を形成することがある。態様 [2]の光反射層に関する詳細は態様 [1]の光反射層と同様である。

[0074] 〔態様 [2]の接着層〕

好ましい態様 [2]における接着層は、上記光反射層と、保護基板との密着性を向上させるために形成される任意の層である。

接着層を構成する材料としては、光硬化性榭脂が好ましぐなかでもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性榭脂としては、例えば、大日本インク社製の「SD— 640」、「SD— 347」等の UV硬化性榭脂（ 30

UV硬化性接着剤)を挙げることができる。また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、 1〜： LOOO /z mの範囲が好ましい。

[0075] 〔態様 [2]の保護基板〕

好ましい態様 [2]における保護基板 (ダミー基板)は、上述した基板と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板の厚さとしては、厚さ 0. 1〜1. Om mの範囲であることを要し、 0. 2〜0. 8mmの範囲であることが好ましぐ 0. 3〜0. 7 mmの範囲であることがより好まし!/、。

[0076] 〔態様 [2]の保護層〕

好ましい態様 [2]の光情報記録媒体は、その層構成によっては、光反射層や追記型記録層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。保護層に用いられる材料の例としては、 ZnS、 ZnS-SiO、 SiO、 SiO、 MgF、 S

2 2 2 nO、 Si N等の無機物質、熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂、 UV硬化性榭脂等の有

2 3 4

機物質を挙げることができる。

保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。

[0077] また、保護層として、熱可塑性榭脂、熱硬化性榭脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥すること〖こよつても形成することができる。 UV硬化性榭脂の場合には、そのまま若しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、 UV光を照射して硬化させることによつても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、 UV吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。

保護層の層厚は一般には 0. 1 μ m〜lmmの範囲にある。

[0078] 〔態様 [2]のその他の層〕

好ま、態様 [2]の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわな!/、範囲にお!、ては、上述の層にカ卩え、他の任意の層を有していてもよい。力かる他の任意の層の詳細な説明は態様 [ 1 ]のその他の層と同様である。

[0079] <光情報記録方法 > 31 本発明の光情報記録方法は、好ましい態様 [1]または [2]の光情報記録媒体を用いて、例えば、次のように行われる。まず光情報記録媒体を定線速度 (0. 5〜： LOm Z秒)または定角速度にて回転させながら、基板側あるいは保護層側力も半導体レ一ザ一光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化 (例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。本発明においては、記録光として 390〜450nmの範囲の発振波長を有する半導体レーザー光が用いられる。好ましい光源としては 390〜415nmの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光、中心発振波長 850nmの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長 425nmの青紫色 SHGレーザー光を挙げることができる。特に記録密度の点で 390〜415nmの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光を用いることが好ま、。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ一光を基板側あるいは保護層側力照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

[0080] [実施例]

次に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

実施例 1

[0081] [化合物（3)の合成]

[0082] [化 7]

化合物化合物 (3) 32

[0083] へマトポルフィリン 8gをメタノール 80mlに溶解させ、そこへ硫酸 0. 7mlをカ卩えて 12 時間加熱還流させた。反応液を水 500mlに流し込むことで沈殿を生成させ、ろ過後水で洗浄することによりィ匕合物（3' ) 6. lgを得た。

次にィ匕合物（3, ) 4g、 K PtCl 7. 6gをメタノーノレ 80ml、水 20ml、トノレェン 20ml

2 4

の混合溶媒中で 8時間加熱還流させた。反応液に酢酸ェチル Z水を加えて分液操作を施し、有機層をセライトろ過した後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー (溶離液;ジクロロメタン Zメタノール = 99/1)にて精製することでィ匕合物（3) 360mgを得た。得られた化合物は MALDI— MSにより同定した。 [ M— H]+=848

[0084] [化合物 (B)の合成]

[0085] [化 8]

化合物（B)

[0086] 化合物（3，）0. 7g、 Co (OAc) ·4Η 00. 27gをクロ口ホルム 7ml、メタノール 3ml

2 2

の混合溶媒中で 2時間加熱還流させた。溶媒を留去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー (溶離液;ジクロロメタン Zメタノール = 98/2)にて精製することで化合物（B) 420mgを得た。得られたィ匕合物は MALDI— TOFMSにより同定した。 [M— H]+= 712

[0087] [化合物 (C)の合成]

[0088] [化 9] 33

化合物 (C)

[0089] 化合物（C)は上記スキームの通り、 Synthesis, 795 (1995)の方法を参考に合成した。

得られた化合物は MALDI—TOFMSにより同定した。 [M— H]+ = 999 また、化合物（12)については上記の同文献記載の化合物であり、同文献の方法により合成できる。化合物（7)につ、ては化合物（12)を用いて上記化合物（3)と同様にして合成できる。

[0090] [化 10]

34

化合物（12)

[0091] [化合物（D)の合成]

[0092] [化 11]

化合物 (D)

化合物 (C)

[0093] 得られた化合物は MALDI—TOFMSにより同定した。 [M— H]+= 1060

実施例 2

[0094] <光情報記録媒体 1の製造 >

(基板の作製）

厚さ 1. 1mm、外径 120mm、内径 15mmでスパイラル状のプリグループ（トラックピツチ： 320nm、溝幅：オングルーブ幅 120nm、溝深さ： 35nm、溝傾斜角度： 65° 、ゥォブル振幅： 20nm)を有する、ポリカーボネート榭脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（351 nm)を用いて行なわれた。

[0095] (光反射層の形成） 35 基板上に、 Unaxis社製 Cubeを使用し、 Ar雰囲気中で、 DCスパッタリングにより、膜厚 lOOnmの真空成膜層としての APC光反射層（Ag : 98. 1質量％、Pd: 0. 9質量％、 Cu: l. 0質量％)を形成した。光反射層の膜厚の調整は、スパッタ時間内で行つた o

[0096] (追記型記録層の形成）

表 1に示す化合物 0. 2gを、 2, 2, 3, 3—テトラフルオロー 1 プロパノール 10ml中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、光反射層上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数 300〜4000rpmまで変化させながら 2 3°C、 50%RHの条件で塗布した。その後、 23°C、 50%RHの条件で 1時間保存して、追記型記録層（グループ上の厚さ 120nm、ランド上の厚さ 170nm)を形成した。伹し、化合物（D)、（E)の場合は溶剤に難溶性のためディスクの作製が不可能であつた。

[0097] 追記型記録層を形成した後、クリーンオーブンにてァニール処理を施した。了ニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスぺーサ一で間をあけながら支持し、 80 でで 1時間保持して行った。

[0098] (バリア層の形成）

その後、追記型記録層上に、 Unaxis社製 Cubeを使用し、 Ar雰囲気中で、 RFスパッタリングにより ZnO— Ga O (ZnO : Ga O = 7 : 3 (質量比））カらなる、厚さ511111

2 3 2 3

のバリア層を形成した。

[0099] (カバー層の貼り合わせ）

カバー層としては、内径 15mm、外径 120mmで、片面に粘着剤が塗設してあるポリカーボネート製フィルム (帝人ピュアエース、厚さ： 80 m)を用い、該粘着剤層とポリカーボネート製フィルムとの厚さの合計が 100 mとなるように設定した。

そして、ノリア層上に、該ノリア層と粘着剤層とが当接するようにカバー層を載置した後、そのカバー層を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。

これにより、実施例 1〜2、比較例 1〜5の光情報記録媒体が作製された。

[0100] 比較例 1には特開 2001— 138634号公報に記載の化合物 34に相当する。

[0101] <光情報記録媒体 1の評価 > 36

(1) C/N (搬送波対雑音比)評価

作製した光情報記録媒体を、 403nmレーザ、 NAO. 85ピックアップを積んだ記録再生評価機（パルステック社製： DDU 1000)を用い、クロック周波数 66MHz、線速 5. 28mZsにて、 0. 16 mの信号（2T)を記録、再生を行い、記録ピットの読み取りを行った。なお、本評価は、本発明の光情報記録方法を用いたものであり、記録はグループ上に行った。結果を表 1に示す。

[0102] [表 1] 表 1

* 2 , 2 , 3 , 3—テトラフロロプロパノーノレ中

**クロ口ホノレム中

***蒸着膜での値

****1,2-ジクロロェタンを溶媒として塗布膜を作製

[0103] 上記表 1の結果から、本発明化合物を用いた (本発明例 1〜2)場合には、比較ィ匕合物 1〜4で表されるサンプルを用いた場合に比べて、ずれも記録再生特性に優れることがゎカゝる。

[0104] 得られたィ匕合物の溶液吸収スペクトル、膜吸収スペクトルを測定した。結果を図 1〜 37

6に示す。

[0105] 特開平 11-334207号公報範疇の化合物である下記化合物 (G)〜(L) (Mは表 2参照) について溶液吸収スペクトルを測定した。結果を表 2に示す。表 2より、化合物 (G)〜( L)の吸収最大ピーク波長は化合物 (B)と同等、もしくは、化合物 (B)より長波長であることがわかる。よって、化合物 (G)〜(L)は n≥2. 0と 0. 01≤k≤0. 4を同時に満たすことはない。これらの結果から、 M = Ptのときに吸収最大ピークが他の金属に比べて特異的に短波長となり、 n≥2. 0と 0. 01≤k≤0. 4を同時に満たすことができることがわかる。

[0106] [化 12]

化合物 (G)〜（し）

[0107] [表 2]

表 2

* 2， 2 , 3 , 3—テトラフルオロー 1一プロパノール中 38 産業上の利用可能性

[0108] 本発明の光情報記録媒体は、青色レーザー用光情報記録媒体として有用である。本発明の化合物は、青色レーザー用光情報記録媒体以外に、顔料、写真用材料、 UV吸収材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルタ一等にも適用可能である。

[0109] 本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。

本出願は、 2005年 3月 16日出願の日本特許出願 (特願 2005— 075553)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

Claims

39 請求の範囲基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体にぉ、て、該記録層中に下記一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有することを特徴とする光情報記録媒体。一般式 (I)

[化 1]

一般式 (I)において、 R^U〜R¹⁸は各々独立に水素原子または置換基を表す。

[2] 該記録層中に下記一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有し、かつ、該一般式 (I)で表される白金ポルフィリンにおける溶液吸収極大波長と膜吸収極大波長がいずれも 350ηπ！〜 385nmであることを特徴とする請求項 1に記載の光情報記録媒体。

[3] 該記録層中に一般式 (I)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有し、かつ、該記録層の 440nm以下のレーザー光の発振波長における屈折率 nおよび消衰係数 k力 n≥2. 0と 0. 01≤k≤0. 4を同時に満たすことを特徴とする請求項 1または 2 に記載の光情報記録媒体。

[4] 該基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体にぉ、て、該記録層中に下記一般式 (Π)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有することを特徴とする請求項 1〜3のいずれかに記載の光情報記録媒体。

一般式 (II)

[化 2] 40

一般式 (Π)において、 R ¹〜！^はそれぞれ独立して置換または無置換のアルキル基を表す。但し、 R²¹〜R²⁸のうち少なくとも一つの置換基は、さらにヒドロキシル基、力ルボキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチォ基、アルコキシカルボ-ル基、アルキルチオカルボ-ル基、アルキルアミノカルボ -ル基、ヘテロ環基の、ずれかによつて置換された基である。

[5] 該記録層とは別に金属からなる光反射層が設けられていることを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の光情報記録媒体。

[6] 該記録層とは別に保護層が設けられていることを特徴とする請求項 1〜5のいずれかに記載の光情報記録媒体。

[7] 該基板が、その表面にトラックピッチ 0. 2mm〜0. 5mmのプリグループを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プリグループが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする請求項 1〜6のいずれかに記載の光情報記録媒体。

[8] 該基板上に 440nm以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体にぉ、て、該記録層中に下記一般式 (ΠΙ)で表される白金ポルフィリンを少なくとも一つ含有することを特徴とする請求項 1〜3のいずれかに記載の光情報記録媒体。

一般式 (III)

[化 3] 41

一般式 (m)において、 R³¹〜R³⁸はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基を表す。但し、 R³¹〜R³⁸のうち少なくとも一つの置換基は、さらにヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボ-ル基、ァルキルチオカルボ-ル基、アルキルアミノカルボ-ル基、ヘテロ環基のいずれかによつて置換された基である。

[9] 該記録層とは別に金属からなる光反射層が設けられていることを特徴とする請求項 8に記載の光情報記録媒体。

[10] 該記録層とは別に保護層が設けられて、ることを特徴とする請求項 8または 9に記載の光情報記録媒体。

[11] 該基板が、その表面にトラックピッチ 0. 2 μ m〜0. 5 μ mのプリグループを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プリグループが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする請求項 8〜 10のいずれかに記載の光情報記録媒体。