JP2004210763A - エチレン化合物及び構造、及びそれを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法 - Google Patents

エチレン化合物及び構造、及びそれを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法 Download PDF

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建文 陳
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Abstract

【課題】エチレン化合物、構造、及び、それを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）の化学構造を有するエチレン誘導体からなるエチレン化合物。
Figure 2004210763

具体的には、たとえば下記構造の化合物が例示される。
Figure 2004210763

並びに、信号表面を有する透明基板と、その基板の信号表面上に形成された記録層に、上記のエチレン化合物を用いることを特徴とする高密度青色レーザ記憶媒体。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願は、２００２年１２月３１日に出願された台湾出願番号９１１３７９７０の優先権の利益を請求する。
【０００２】
本発明は、光学記憶媒体に関連する。特に、本発明は、エチレン化合物、及び構造、及びそれを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
インターネットの急速な進歩、コンピューター性能の向上に伴い、多量に有益な種々の情報を、回収し、記録することができる。コンピューターの処理速度は、コンピューターの発明の初期の時代において、数式だけを処理する状況から、テキスト、グラフィックス、音、静的な画像、高質動画の処理する状況へと着実に促進している。
情報を蓄える情報記憶媒体は、初めの間は、紙テープを使用することから
現在までの間に、磁気テープ、ハードディスク、一連の光学記憶媒体、例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）へと発展した。
【０００４】
記憶媒体などの光学記憶媒体を使用する利益は、光学記憶媒体が磁気テープより高い記憶密度を有することである。さらに、光学記憶媒体の低価格、かつ高書き込み速度は、エレクトロニクス市場の迅速な成長へ実質的な道を開いた。顧客の需要を満足するために、フィルム産業、コンピュータ産業、米国ＴＶ放送局の１つは、１９９８年の秋にＨＤＴＶプログラムを放送することを試みた。この情報は、誰もがＨＤＴＶに相当する特別のビデオ、オーディオ効果を楽しむことができるように顧客が、動画を記録するためのより高い容量の記憶媒体を要求することをほのめかしている。約１３３分の持続時間を有するＨＤＴＶフィルムに対して、１５ＧＢ／サイドの記憶容量は、丁度十分である。従来のＤＶＤディスクの容量は、次世代のＨＤＴＶに相当する特定のビデオ及びオーディオ効果を楽しむ要求を満足するのに十分でないため、結果として、より高い記憶容量を有するディスクドライブシステムは、別の解決法と考えることができる。現在、記憶密度を向上させるいくつかの方式及び方法が調査されてきており、方法は、光学ピックアップヘッドのレーザー源の波長が、より短い波長範囲へシフトすること、すなわち、レーザー源の波長をより短くすることである。近年において、窒化ガリウム（ＧａＮ）系の青色レーザー源が上手く開発され、青色レーザーのビームは、より高い開口（ＮＡ）光学レンズによってより小さくなり、それゆえ、ユニット当たりの記録密度は、実質的に向上した。青色レーザーを使用するディスク装置を適用するために、Ｓｏｎｙ及びＰｈｉｌｉｐｓは、共通の高密度青色レーザーディスク用の規格（Ｂｌｕ−ｒａｙディスク構造）を明確にした。高ＮＡ（０．８５）に適合するために、高密度青色レーザーディスクのディスク構造の設計は、従来のディスクのものと異なっている。図１に示すように、まず、反射層１０２が、約１．１ｍｍの厚さの基板上にスパッタされ、その後、例えば、有機又は無機材料からなる記録層１０４が反射層上１０２へ形成され、最終的に、厚さ約０．１ｍｍのカバー層１０６が記録層１０４上へ形成される。読み取り操作において、レーザーの光学ピックアップヘッドから照射されたレーザービームが、基板１００によってもはや読み込めず、カバー層１０６の表面から読まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、エチレン化合物、構造、及びそれを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法を提供する。
【０００６】
本発明のエチレン化合物は、青色レーザー源用の高密度を有する。さらに、本発明のエチレン化合物は、有機溶媒において優れた溶解性を有し、それゆえ、エチレン化合物は、有機溶媒へ容易に溶解し、均質な溶液を形成することができ、均質な溶液を使用することによって、優れた品質の被膜を金属表面に形成することができる。したがって、本発明は、青色レーザーディスク構造を作るための簡単な手段と方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
ここで、具体的に大まかに説明したように、本発明は、以下の化学構造を有するエチレン誘導体からなるエチレン化合物であって、
【化１３】
Figure 2004210763
置換基Ｘが、水素原子、シアノ基、アセト−エステル基、メトキシカルボニル基からなる群から選択することができ、アセト−エステル基が、上述に示されるような化学構造（２）を有し、
置換基Ｒ１は、１〜８つの炭素（Ｃ１−８）を有するアルキル基からなる群から選択することができ、
置換基Ｚが、水素原子、シアノ基、アセト−エステル基、メトキシカルボニル基からなる群から選択され、アセト−エステル基が上述に示されるような化学構造（３）を有し、
置換基Ｒ２は、１〜８つの炭素（Ｃ１−８）を有するアルキル基からなる群から選択される１とすることができる。置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物から選択され、当該化合物が、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基を含み、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数（Ｃ１−８）を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニレート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基からなる同じか又は異なる基である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明のエチレン化合物は、これまでの短波長青色レーザー（４０５ｎｍの波長を有する）に非常に高い感度を有する。そして、有機溶媒中の優れた溶解性を有する本発明のエチレン化合物は、スピンコートプロセスにおいて非常に有益である。さらに、本発明のエチレン化合物は、低コストで容易に合成される。さらに、本発明のエチレン化合物の最大吸光度は、化学構造を変化させることによって容易に変えることができる。
【０００９】
本発明は、少なくとも第一基板と、記録層と、カバー層とから構成することができる高青色レーザー記憶媒体を提供する。第一基板は、信号表面を形成する透明基板である。記録層は、記録層の材料が本発明のエチレン化合物からなることを特徴とし、第一基板信号表面上に形成される。カバー層は、記録層上に形成される。
【００１０】
本発明の高密度青色レーザー記憶媒体において、誘電体層は、カバー層と記録層との間に形成され、反射層は、第一基板と記録層との間に形成される。あるいは、第二基板が、カバー層の代わりに形成され、反射層が、第二基板と記録層との間に形成される。誘電体層の材料は、限定されないが、硫化亜鉛二酸化珪素（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、又はシリカエーロゲルからなることができる。反射層の材料は、限定されないが、金、銀、アルミニウム、シリコン、銅、銀又はチタンの合金、銀及びクロムの合金、銀及び銅の合金、又はいくつかの他の合金材料からなることができる。
【００１１】
本発明は、本発明のエチレン化合物を使用した高密度青色レーザー記憶媒体を生産する製造方法を提供する。この方法において、信号表面を有する第一透明基板が提供される。化学構造（１）を有する本発明のエチレン化合物からなる化合物は、溶媒中に溶解し染料溶液を得る。その後、染料溶液は、第一透明基板上へ被覆される。それから、生じた構造物を加熱し、加熱プロセス後、被覆層は、記録層へ移され、その後、カバー層は、記録層上へ形成される。
【００１２】
本発明の高密度青色レーザー記憶媒体を生産する製造方法において、カバー層を形成する工程前に誘電層を記録層上へ形成することができ、又は、カバー層を形成する工程前に反射層を記録層上に形成することができ、第二基板はカバー層の代わりである。第二基板を接着する方法は、スピンコート、スクリーン印刷、ホットメルト接着剤コーティング、又は二重面を有するテープ接着を含むことができる。第一透明基板上へ染料溶媒を被膜する方法は、スピンコーティング方法、ロールプレスコーティング方法、ディプコーティング方法、又はインクジェットプリンティング方法を含む。
【００１３】
本発明の高密度青色レーザー記憶媒体は、動作を保存及び取り込むための波長が５００ｎｍより低い短波長レーザーに対して高感度である。さらに、本発明のエチレン化合物は、有機溶媒中でかなり溶解性を有し、それゆえ、エチレン化合物は、有機溶媒中に容易に溶解し、均質な溶液を形成し、当該均質な溶液を使用することによって、優れた品質の被膜を金属表面に形成することができ、それゆえ、加工性を増加させることができる。さらにまた、本発明のエチレン化合物は、容易に低コストで合成されることに加えて、本発明のエチレン化合物の光吸収特性は、化学構造を変えることによって容易に変えることができる。
【００１４】
前述の一般的説明と以下の詳細な説明の両方とも例であり、クレームされた本発明のさらなる説明を与えることを意図するものと理解されるべきである。
【００１５】
添付の図面は、本発明の更なる理解を提供するために含められ、本発明の一部として組み込まれ、構成される。図面は、説明とともに、本発明の実施態様を図説し、本発明の原理を説明するために役立つ。
【００１６】
本発明は、エチレン化合物を有する高密度青色レーザー記憶媒体を提供する。本発明のエチレン化合物は、以下の化学構造からなり、
【化１４】
Figure 2004210763
置換基Ｘが、水素原子、シアノ基、アセト−エステル基、メトキシカルボニル基、又は上述に示されるような化学構造（２）を有する基からなる群から選択することができ、
置換基Ｒ１は、限定されないが、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなり、置換基Ｚが、水素原子、シアノ基、アセト−エステル基、メトキシカルボニル基、上述に示されるような化学構造（３）を有する基からなる群から選択することができ、置換基Ｒ２は、限定されないが、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなる。置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物から選択され、当該化合物が、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基を含み、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数（Ｃ１−８）を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニレート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基からなる同じか又は異なる基である。
【００１７】
以下、本発明のエチレン化合物を製造する合成方法の説明である。エチレン化合物の合成は、マロンニトリル又はマロン酸ジメチルエステルを有するアルデヒド基を含む出発材料の脱水反応からなる。
【００１８】
まず、化学構造（４）、（５）、又は（６）を有する化合物：
【化１５】
Figure 2004210763
を、エチレン化合物の有機溶媒中で脱水する。化学構造（４）、（５）、又は（６）において、置換基Ｘは、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基からなる群から選択される１つであり、置換基Ｒ１及びＲ２は、１〜８つの炭素を有するアルキル基を含む同じか又は異なる化学基からなることができる。置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物から選択することができ、当該化合物は、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基を含み、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数（Ｃ１−８）を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニレート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基からなる同じか又は異なる基である。
【００１９】
次に、本発明のエチレン化合物は、以下のような脱水化学反応によって合成される。
【化１６】
Figure 2004210763
【００２０】
今、実験実施例１〜１３は、本発明を説明するために以下に説明されるが、本発明の特許請求の範囲は、実験実施例１〜１３に限定されない。
【００２１】
実施例１
出発物質４−（ジメチルアミノ）ベンゾアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、オレンジの固体を得た。オレンジの固体は、加熱によって真空乾燥され、約７０％の収率を達成した。オレンジ固体ＥＣ−１の化学構造を、以下に示す。
【化１７】
Figure 2004210763
【００２２】
アルコール中の化合物ＥＣ−１のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長４３４ｎｍで観察した。
【００２３】
実施例２
出発物質４−メチルオキシ）ベンゾアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、黄色の固体を得た。黄色の固体は、加熱によって真空乾燥され、約７５％の収率を達成した。黄色固体ＥＣ−２の化学構造を、以下に示す。
【化１８】
Figure 2004210763
【００２４】
アルコール中の化合物ＥＣ−２のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長３４７ｎｍで観察した。
【００２５】
実施例３
出発物質フェロセネカルボキシアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、こげ茶色の固体を得た。こげ茶色の固体を、加熱によって真空乾燥し、約７２％の収率を達成した。暗い茶色固体ＥＣ−３の化学構造を、以下に示す。
【化１９】
Figure 2004210763
【００２６】
アルコール中の化合物ＥＣ−３のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長３４１ｎｍで観察した。
【００２７】
実施例４
出発物質４−クロロベンズアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、茶色の固体を得た。茶色の固体を、加熱によって真空乾燥し、約７９％の収率を達成した。茶色固体ＥＣ−４の化学構造を、以下に示す。
【化２０】
Figure 2004210763
【００２８】
アルコール中の化合物ＥＣ−４のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長３１６ｎｍで観察した。
【００２９】
実施例５
出発物質４−ターシャリーブチルベンズアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、茶色の固体を得た。茶色の固体を、加熱によって真空乾燥し、約６５％の収率を達成した。茶色固体ＥＣ−５の化学構造を、以下に示す。
【化２１】
Figure 2004210763
【００３０】
アルコール中の化合物ＥＣ−５のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約３２３ｎｍで観察した。
【００３１】
実施例６
出発物質４−（１−ピロリジノ）ベンズアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、オレンジ色の固体を得た。オレンジ色の固体を、加熱によって真空乾燥し、約６０％の収率を達成した。オレンジ色固体ＥＣ−６の化学構造を、以下に示す。
【化２２】
Figure 2004210763
【００３２】
アルコール中の化合物ＥＣ−６のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約４３４ｎｍで観察した。
【００３３】
実施例７
出発物質４−エチルベンズアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、薄茶色の固体を得た。薄茶色の固体を、加熱によって真空乾燥し、約６３％の収率を達成した。薄茶色固体ＥＣ−７の化学構造を、以下に示す。
【化２３】
Figure 2004210763
【００３４】
アルコール中の化合物ＥＣ−７のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約３２３ｎｍで観察した。
【００３５】
実施例８
出発物質Ｎ−エチル‐３‐カルバゾールカルボキシアルデヒド０．０１モル、マロンニトリル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）の１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。
反応を完了したとき、黄色がかった茶色の固体を得た。黄色がかった固体を、加熱によって真空乾燥し、約７８％の収率を達成した。黄色がかった茶色固体ＥＣ−８の化学構造を、以下に示す。
【化２４】
Figure 2004210763
【００３６】
アルコール中の化合物ＥＣ−８のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約４０７ｎｍで観察した。
【００３７】
実施例９
出発物質１−アダマンタンカルボキシクロリド０．０１モル、２−［（４‐ヒドロキシフェニル）メチレン］マロンニトリル０．０１モル、及び酢酸ナトリウム１ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）２０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、こげ茶色の固体を得た。こげ茶色の固体を、加熱によって真空乾燥し、約５６％の収率を達成した。こげ茶色の固体ＥＣ−９の化学構造を、以下に示す。
【化２５】
Figure 2004210763
【００３８】
アルコール中の化合物ＥＣ−９のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約３５４ｎｍで観察した。
【００３９】
実施例１０
出発物質４−（ジメチルアミノ）ベンズアルデヒド０．０１モル、マロン酸ジメチルエステル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをＰＭ１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、黄色の固体を得た。黄色の固体を、濃縮し、約５５％の収率を達成した。黄色の固体ＥＣ−１０の化学構造を、以下に示す。
【化２６】
Figure 2004210763
【００４０】
アルコール中の化合物ＥＣ−１０のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約３３８ｎｍで観察した。
【００４１】
実施例１１
出発物質４−（１‐ピロリジノ）ベンズアルデヒド０．０１モル、マロン酸ジメチルエステル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをＰＭ１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、オレンジ色の固体を得た。オレンジ色の固体を、濃縮し、約６２％の収率を達成した。オレンジ色の固体ＥＣ−１１の化学構造を、以下に示す。
【化２７】
Figure 2004210763
【００４２】
アルコール中の化合物ＥＣ−１１のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約３４５ｎｍで観察した。
【００４３】
実施例１２
出発物質４−アントラアルデヒド（ａｎｔｈｒａｌｄｅｈｙｄｅ）０．０１モル、マロン酸ジメチルエステル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをＰＭ１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、黄色の固体を得た。黄色の固体を、濃縮し、約５８％の収率を達成した。黄色の固体ＥＣ−１２の化学構造を、以下に示す。
【化２８】
Figure 2004210763
【００４４】
アルコール中の化合物ＥＣ−１２のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約４０１ｎｍで観察した。
【００４５】
実施例１３
出発物質４−ジメチルアミノベンズアルデヒド０．０１モル、マロン酸ジメチルエステル０．０１モル、及びピリジン１．５ｇをＰＭ１０ｍＬに溶解し、ＰＭの還流温度へ８時間加熱した。反応を完了したとき、黄色の固体を得た。黄色の固体を、濃縮し、約５３％の収率を達成した。黄色の固体ＥＣ−１３の化学構造を、以下に示す。
【化２９】
Figure 2004210763
【００４６】
アルコール中の化合物ＥＣ−１３のサンプルを、紫外（ＵＶ）／可視スペクトルメータに流し、最大吸収を波長約４０１ｎｍで観察した。
【００４７】
実施例１〜１３に述べた方法から得られたエチレン化合物を、例えば、アルコール中でエチレン化合物を、エチレン化合物のアルコールへの割合を約０．０５〜０．１の範囲内とする条件下で行なう再結晶をすることによって精製する。
【００４８】
実施例１〜１３に述べた方法から得られた合成エチレン化合物を熱比重分析器（ＴＧＡ）及びＵＶ／可視スペクトロメータによって測定し、熱分解温度（すなわち、５ｗｔ％の熱重量損失の温度）及び分光学特性（例えば、薄膜又は溶液の最大吸収波長）を測定した。結果を以下の表１に示す。表１において、実施例２の化合物ＥＣ−２のＵＶ／可視スペクトル及びＴＧＡのプロフィールを、それぞれ、図２及び３に示す。実施例１０の化合物ＥＣ−１０のＵＶ／可視スペクトル及びＴＧＡのプロフィールを、それぞれ、図４及び５に示す。実施例１１の化合物ＥＣ−１１のＵＶ／可視スペクトル及びＴＧＡのプロフィールを、それぞれ、図６及び７に示す。
【００４９】
【表１】
Figure 2004210763
【００５０】
表１の結果は、本発明のエチレン化合物は、５００ｎｍ未満の波長を有する短波長レーザー、とりわけ、 （４０５ｎｍの波長を有する）短波長青色レーザーを使用して保存又は読み込み操作用の記憶媒体を製造するのに適する。
【００５１】
本発明の化合物ＥＣ−１１を使用する記録層のスピンコート方法は、以下のように説明される。実施例１１の化合物ＥＣ−１１は、溶媒２，２，３，３、−テトラフルオロプロパノールに溶解され、好ましくは２ｗｔ％のエチレン化合物溶液を調製する。エチレン化合物の溶液は、透明基板上にスピンコートされ、透明基板上に１つもランド構造が形成されないことが好ましい。測定された被膜層の屈折率ｎは、約１．７、及び被膜された層の誘電定数ｋは、約０．０８である。
【００５２】
本発明のエチレン化合物は、（４０５ｎｍの波長を有する）短波長青色レーザーに高感度である。エチレン化合物は、有機溶媒中かなり溶解するので、それらは、スピンコート方法を使用して金属表面上に優れた品質のスピンコート層を形成する能力を有する。さらに、エチレン化合物は、低コストで容易に合成することができる。さらにまた、その最大吸収波長を化学構造を変えることによって容易に変えることができるので、本発明のエチレン化合物の用途をより広範囲のものとしている。
【００５３】
本発明のエチレン化合物を使用する高密度貯蔵媒体を生産するための製造方法は、以下の実施例１４〜１８に説明する。図８〜１２は、実験実施例１４〜１８に述べる製造方法を使用することによって高密度青色レーザー記憶媒体の構造を図説する。
【００５４】
実施例１４
図８に関して、ランド又はグルーブ、ピットを有し、かつ記録データのない透明基板などの基板２００を準備する。基板２００に含まれるランド又はプレカーブピットは、レーザーのピックアップヘッドのレーザートラッキング用シグナル表面を与える。基板２００の材料は、たとえば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリル（ＰＭＭＡ）、メタロセン系環状オレフィン共重合体（ｍＣＯＣ）などを含む。
【００５５】
本発明のエチレン化合物は、有機溶媒又は色素染料溶液に溶解する。有機溶媒は、限定されないが、１〜６までの炭素数を有するアルコール、１〜６までの炭素数を有するケトン、１〜６までの炭素数を有するエーテル、ジブチルエーテル（ＤＢＥ）、ハロゲン化合物、アミド、又はメチルシクロへキサン（ＭＣＨ）からなる。１〜６までの炭素数を有するアルコールの例は、限定されないが、たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、１〜６までの炭素数を有するエーテルアルコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルアセテート、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノール、又はヘキサフルオロブタノールを含む。１〜６までの炭素数を有するケトンの例は、限定されないが、例えば、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、又は３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどを含む。ハロゲン化合物の例は、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン又は１−クロロブタンなどを含む。アミドは、ジメチルホルムアミド（ＤＨＦ）又はジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）を含む。色素染料溶液中のポリマーの例は、限定されないが、キチン、セルロース（例えば、セルロースエステル、ニトロセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等）、ポリビニルブチラールを含む。
【００５６】
本発明のエチレン化合物を含む上記溶液は、限定されないが、例えば、スピンコート方法、ロールプレス方法、ディップコーティング方法、インクジェットプリンティング方法、などを含めコーティング方法を使用することによって基板２００上に被膜される。生じた構造物は、加熱工程を経て、基板２００上に記録層２０２エチレン化合物を形成する。
【００５７】
最終的に、約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４は記憶層２０２に渡って被膜され、その結果、高密度青色レーザー記憶媒体の製造が完成する。
【００５８】
上述したディスクの製造方法を使用することによって、具体例として本発明の化合物ＥＣ−１１を取り上げると、ＥＣ−１１は、２，２，３，３テトラフルオロプロパノールに溶解し、好ましくは２ｗｔ％の溶液エチレン化合物が調製される。上述の溶液エチレン化合物を、約３０ｍｍの深さを有するランドと、約０．３５ｕｍのトラックピッチからなる基板２００上にスピンコートする。その後、生じた構造物は加熱工程を経て記録層２０２を形成する。最終的に約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４を記録層２０２上へ被膜する。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体が完成する。上記方法から生産されたディスクの反射率は、約１０％である。
【００５９】
実施例１５
図９に関して、ランド又はプレカーブピットからなる基板２００を準備する。本発明のエチレン化合物は、有機溶媒又はエチレン化合物ポリマー溶液に溶解し、溶液を形成する。上述の溶液は、基板２００上に形成される。生じた構造物は、加熱工程を経て、基板２００に渡ってエチレン化合物からなら記録層２０２を形成する。次いで、誘電層２０６が記録層２０２上へ形成される。誘電層２０６の材料は、限定されないが、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、又はシリカエーロゲルからなる。最終的に、約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４は誘電層２０６上に被膜される。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体の製造が完成する。
【００６０】
上述したディスクの製造方法を使用することによって、具体例として本発明の化合物ＥＣ−１１を取り上げると、ＥＣ−１１は、２，２，３，３テトラフルオロプロパノールに溶解し、好ましくは２ｗｔ％のエチレン化合物溶液が調製される。エチレン化合物の溶液を、約３０ｍｍの深さを有するランドと、約０．３５ｕｍのトラックピッチからなる基板２００上にスピンコートする。生じた構造物は、加熱工程を経て記録層２０２を形成する。次いで約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４を記録層２０２上へ被膜する。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体が完成する。上記方法を使用して生産されたディスクの反射率は、約１５％である。
【００６１】
実施例１５
図１０に関して、ランド又はプレカーブピットからなる基板２００を準備する。基板２００に含まれるランド又はプレカーブピットは、レーザーのピックアップヘッドのレーザートラッキング用信号表面を提供する。次いで、反射層２０８が基板２００上に形成される。反射層２０８の材料は、限定されないが、金、銀、アルミニウム、シリコン、銅、銀とチタニウムの合金、銀とクロムの合金、銀と銅の合金又はいくつかの他の合金材料からなる。本発明のエチレン化合物は、有機溶媒又は色素染料溶液に溶解し、溶液を形成する。上記溶液を、例えば、スピンコート方法、ロールプレス方法、ディップコーティング方法、インクジェットプリンティング方法、などの従来法を使用して、反射層２０８上に被膜する。その後、生じた構造物は、加熱工程を経て、反射層２０８上のエチレン化合物からなる記録層２０２を形成する。最終的には、例えば０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４を、誘電層２０６上にコートする。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体の製造が完成する。
【００６２】
上述したディスクの製造方法を使用することによって、具体例として本発明の化合物ＥＣ−１１を取り上げると、化合物ＥＣ−１１は、２，２，３，３テトラフルオロプロパノールに溶解し、好ましくは２ｗｔ％の溶液が調製される。上述の溶液を、約３０ｍｍの深さ、及び約０．３５ｕｍのトラックピッチを有するランドを有する基板２００上に形成された約５０ｎｍの厚さを有する銀の層からなる反射層２０８上に被膜される。生じた構造物は、加熱工程を経て記録層２０２を形成する。最終的に、約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４を記録層２０２上へ被膜する。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体が完成する。上記方法を使用して生産されたディスクの反射スペクトルを図１３に示し、ディスクの反射率は、４０５ｎｍの波長で約５４％である。
【００６３】
実施例１７
図１１に関して、ランド又はプレカーブピットからなる基板２００を準備する。基板２００におけるランド又はプレカーブピットは、レーザーのピックアップヘッドのレーザートラッキング用信号表面を提供する。次いで、反射層２０８が基板２００上に形成される。本発明のエチレン化合物は、有機溶媒又は色素染料溶液に溶解し、溶液を形成する。本発明のエチレン化合物を含む上記溶液を、反射層２０８上に被膜する。それから、生じた構造物は、加熱工程を経て、エチレン化合物からなる記録層２０２を形成する。誘電層２０６を、記録層２０２上に形成する。最終的に、約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４を誘電層２０６上にコートする。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体の製造が完成する。
【００６４】
上述したディスクの製造方法を使用することによって、具体例として本発明の化合物ＥＣ−１１を取り上げると、化合物ＥＣ−１１は、２，２，３，３テトラフルオロプロパノールに溶解し、好ましくは２ｗｔ％の溶液が調製される。化合物ＥＣ−１１を含む上述の溶液を、約３０ｍｍの深さ、及び約０．３５ｕｍのトラックピッチを有するランドを有する基板２００上に形成された約５０ｎｍの厚さを有する銀からなる反射層２０８上にスピンコートされる。それから、
生じた構造物は、加熱工程を経て記録層２０２を形成する。誘電層２０６は、記録層２０２上に形成される。最終的に、約０．１ｍｍの厚さを有するカバー層２０４を記録層２０２上へ被膜する。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体の製造が完成する。上記ディスクの反射率は、約６４％である。
【００６５】
実施例１８
図１２に関して、ランド又はプレカーブピットからなる基板２００を準備する。基板２００におけるランド又はプレカーブピットは、レーザーのピックアップヘッドのレーザートラッキング用信号表面を提供する。本発明のエチレン化合物は、有機溶媒又は色素染料溶液、及び誘導体の溶液に溶解する。本発明のエチレン化合物を含む上記溶液を、基板２００上に被膜する。生じた構造物は、加熱工程を経て、基板２００上に記録層２０２エチレン化合物を形成する。次いで、反射層２０８を、記録層２０２上に形成する。最終的に、別の透明基板２１０をその上の反射層２０８に渡って接着する。こうして、高密度青色レーザー記憶媒体の製造が完成する。
透明基板２１０の材料は、限定されないが、ポリエステル、ポリカーネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、メタリセン系環状オレフィンコポリマー（ｍＣＯＣ）からなる。基板２００の反射層２０８への接着方法は、スピンコーティング、スクリーンプリンティング、ホットメルトグルーコーティング、両面性のテープ接着（ｄｏｕｂｌｅ ｓｉｄｅｄ ｔａｐｅ ａｄｈｅｓｉｏｎ）を含む。
【００６６】
【発明の効果】
本発明で述べた高密度青色記憶媒体は、波長が、保存及び書き込み操作を行なうのに５００ｎｍ未満の短波長レーザーを提供する。本発明のエチレン化合物、及びエチレン化合物からなる高密度青色レーザー記憶媒体は、約４０５ｎｍのレーザー波長へ高感度である。さらに、本発明のエチレン化合物は、有機溶媒にかなり可溶であり、金属層の表面に優れた膜を形成し、加工性が増加する。さらに、本発明のエチレン化合物は、低コストで容易に合成することができる。本発明のエチレン化合物の吸収は、化学構造を変えることによって容易に変えることができ、それゆえ、所望の吸収を有する記録層を製造することができる。
【００６７】
本発明の範囲又は要旨を逸脱することなしに本発明の構造物に種々の修正、バリエーションを加えることは当業者にとって明白であろう。前述の観点から、本発明の修正及びバリエーションを包含する本発明は、特許請求の範囲及びそれと同等の範囲に内にあること意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ディスクの読み取り操作システムの断面図を示す。
【図２】図２は、化合物ＥＣ−２に対する紫外（ＵＶ）／可視吸収スペクトルを示す。
【図３】図３は、化合物ＥＣ−２の熱比重分析（ＴＧＡ）グラフを示す。
【図４】図４は、化合物ＥＣ−１０に対するＵＶ／可視吸収スペクトルを示す。
【図５】図５は、化合物ＥＣ‐１０に対するＴＧＡグラフを示す。
【図６】図６は、化合物ＥＣ−１１に対するＵＶ／可視吸収スペクトルを示す。
【図７】図７は、化合物ＥＣ−１１に対するＴＧＡグラフを示す。
【図８】図８は、本発明の別の好ましい実施態様による記憶媒体の構造の断面を示す。
【図９】図９は、本発明の別の好ましい実施態様による記憶媒体の構造の断面を示す。
【図１０】図１０は、本発明のさらに別の好ましい実施態様による記憶媒体の構造の断面を示す。
【図１１】図１１は、本発明のさらに別の好ましい実施態様による記憶媒体の構造の断面を示す。
【図１２】図１２は、本発明のさらに別の好ましい実施態様による記憶媒体の構造の断面を示す。
【図１３】図１３は、化合物ＥＣ−１１から製造したディスクの反射スペクトルを示す

Claims (7)

  1. 以下の化学構造を有するエチレン誘導体からなるエチレン化合物であって、
    Figure 2004210763
    置換基Ｘが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（２）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなる群から選択され、
    置換基Ｒ１は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなり、
    置換基Ｚが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（２）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなる群から選択され、
    置換基Ｒ２は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなり、
    置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物からなり、当該化合物が、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基からなり、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニラート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基からなる同じか又は異なる基であることを特徴とするエチレン化合物。
  2. 信号表面を有する第一透明基板と、前記第一透明基板の信号表面上に形成された記録層とからなる高密度青色レーザー記憶媒体であって、
    記録層が、以下に示す化学構造を有するエチレン誘導体からなり、
    Figure 2004210763
    置換基Ｘが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（２）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなる群から選択され、
    置換基Ｒ１は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなり、
    置換基Ｚが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（３）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなる群から選択され、
    置換基Ｒ２は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなり、
    置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物からなり、当該化合物が、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基からなり、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニレート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基からなる同じか又は異なる基であることを特徴とする高密度青色レーザー記憶媒体。
  3. 反射層が第一透明基板と記録層との間に形成されることを特徴とする請求項２記載の高密度青色レーザー記憶媒体。
  4. 高密度青色レーザー記憶媒体が、さらに、第一透明基板と記録層との間に形成された反射層と、
    記録層上に形成されたカバー層と、
    前記カバー層と記録層との間に形成された誘電体層と、からなることを特徴とする請求項２記載の高密度青色レーザー記憶媒体。
  5. 高密度青色レーザー記憶媒体が、さらに、記録媒体上に形成された第二基板と、
    第二基板と記録層との間に形成された反射層とからなる請求項２記載の高密度青色レーザー記憶媒体。
  6. 少なくとも以下に示す化学構造を有するエチレン誘導体からなる記録層であって、
    Figure 2004210763
    置換基Ｘが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（２）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなる群から選択され、
    置換基Ｒ１は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなる群から選択され、
    置換基Ｚが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（３）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなり、
    置換基Ｒ２は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなる群から選択され、
    置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物からなり、当該化合物が、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基からなり、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニレート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基からなる同じか又は異なる基であることを特徴とする高密度青色レーザー記憶媒体。
  7. 高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法であって、
    信号表面を有する第一透明基板を提供し、
    以下に示す化学構造を有するエチレン誘導体であり、
    Figure 2004210763
    置換基Ｘが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（２）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなる群から選択され、
    置換基Ｒ１は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなる群から選択され、
    置換基Ｚが、水素原子、シアノ基、メトキシカルボニル基、又は以下に示されるような化学構造（３）を有する基：
    Figure 2004210763
    からなり、
    置換基Ｒ２は、１〜８つの炭素を有するアルキル基からなる群から選択され、
    置換基Ｙは、置換基を有するか又は有しない化合物からなり、当該化合物が、単環式芳香族炭化水素基、多環式芳香族炭化水素、複素環基、及びフェロセニル基からなり、かつ、置換基が、水素原子、ハロゲン原子、１〜８つの炭素数を有するアルキル基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するアルコキシ基、１〜８つの炭素数を有するカルボキシル基、アミノ基、置換基を有するアミノ基、１〜８つの炭素数を有するアルキレート基、フェニレート基、カルボキシル基、ニトロ基、アダマンチル基、アゾ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、シアネ−ト基、シアノ基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、複素環基、イソチオシアネ−ト基、イソシアノ基、イソシアネ−ト基、ニトロソ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、スルフィニル基、フルフォニル基、シリル基、チオシアネート基、フェロセニル基であることを特徴とするエチレン誘導体からなるエチレン化合物の溶液を形成し、
    前記エチレン化合物溶液を前記第一透明基板上に被膜し、
    被膜工程後、加熱工程を行い記録層を形成し、カバー層を記録層上に被膜することを特徴とする高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法。
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