JPS61197281A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体　特にヒートモードの光記録媒体
に関する。

先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため１種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。

このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その１例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うピント形成タイプのものがある。

このようなど、ト形成タイプの媒体、特にそのうち、装
、７ｉを小型化できる半導体レーザーを光源とするもの
においては、これまで、Ｔｅを１一体とする材料を記録
層とするものが大半をしめている。

しかし、近年、Ｔｅ系材料が有害であること　そしてよ
り高感度化する必要があること、より製造コス）・を安
価にする必要があることがら、Ｔｅ系にかえ１色素を主
とした有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案
や報告が増加している。

例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザー用としては、スクワリリウ
ム色素〔特開昭５８−４８２２１号　Ｖ。

Ｂ、’Ｊｉｐｓｏｎ　　ａｎｄ　　Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ
、Ｊ、Ｖａｃ、　　Ｓｃｉ。

Ｔｅｃｈｎａｌ、、１８　（１）　１０５　’（１９８
１）　’）や、金属フタロ／アニン色素（特開昭５７−
８２０９４号、同５７−８２０９５号）などを用いるも
のがある。

また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用した例（特開昭５８−８８７９５号）もある。

これらは、いずれも色素を基若により記録層ｉ４膜とし
たものであり、媒体製造上、Ｔｅ系と大・差はない。

しかし、色素基着膜のレーザーに対する反射率は一般に
小さく、反射光耶のピントによる変化（減少）によって
読み出し信号をうる、現在性われている通常の方式では
、大きなＳ、／Ｎ比をうることかできない。

また、記録層を１日持した透明基体を、記録層が対向す
るようにして一体化した、いわゆるエアーサンドイッチ
構造の媒体とし、基体をとおしてＳき込みおよび読み出
しを行うと、書き込み感度を下げずに記録層の保護がで
き、かつ記録密度も犬きくなる点で有利であるが、この
ような記録再生方式も、色素３７ｊ膜では不可能である
。

これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち（ポリメチルメタクリレートで１．５）、ま
た、表面反射率がある程度大きく（回　４％）、記録層
の基体をとおしての反射率が、例えばポリメチルメタク
リレートでは６０％程度以丁になるため、低い反射率し
か示さない記録層では検出できないからである。

色素基着膜からなる記録層の、読み出しのＳ／Ｎ比を向
」二させるためには、通常、基体と記録層との間に、Ａ
文等の基若反射膜を介在させている。

この場合、／Ａ着反射膜は、反射率をＬげてＳ／Ｎ比を
向」―させるためのものであり、ピット形成により反射
膜が露出して反射率が増大したり、あるいは場合によっ
ては１反射膜を除去して反射−Ｖを減少させるものであ
るが、当然のことながら、基体をとおしての記録再生は
できない。

同様に、特開昭５５−［１８９０号ニハ、　　Ｉ　Ｒ−
ｔ３２色素（コダック社製）とポリ酢酸ビニルとからな
る記録層、また、特開昭５７−７４８４５号には、１、
ドージェチル−２，２′−）リカルポシアニンイオタイ
ドとニド０セルロースとからなる記録層　さらにはに、
Ｙ、Ｌａｗ、　ｅｔ　ａｌ、、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ
。

Ｌｅｔｔ、　３９　（９）　？＋８　（１９８１）には
、　３，３′−ジエチル−１２−アセチルチアテトラ力
ルポシアニノとポリ酢酸ビニルとからなる記録層など、
色素と樹脂とからなる記録層を塗布法によって設層した
媒体か開示されている。

しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生ができ
ない点で、色素法着膜の場合と同様の欠点をもつ。

このように、Ｊ、（体をとおしての記録再生が可能であ
り、Ｔｅ系材料からなる記録層をもつ媒体とのｑ換性を
有する、有機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには
、有機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。

しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材よ１の中層
にて高い反射率を示す例はきわめて少ない。

わずかに、バナジルフタロシアニンの法Ｆｊ膜か、；’
＋ｉ反射−←を示す旨か報告ＣＰ、Ｋｉｖｉｔｓ　、　
ｅｔａｌ、。

Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｐａｒｔ　Ａ　２［ｉ　（２
）　１０１　（１９８１）　、特開昭５５−９７０３３
じ一〕されているか、おそらく昇草温度か高いためであ
ろうと思われるが、書き込み感度が低い。

また、チアゾール系やキノリン系等のシアニ／色、艇め
メロシアこン色素でも、高反射率が示される旨が報告〔
山木他、第２７回　応用物理学会Ｙ・編集　１ｐ−Ｐ−
９（１９８０）　〕　されており、これｔこもとづ〈提
案が特開昭５８−１１２７９０号になされているが、こ
れら色素は、特に塗膜として設層したときに、溶剤に対
する溶解度が小さく、また結晶化しやすく、さらには読
み出し光に対してきわめて不安定でただちに脱色してし
まい。

実用に供しえない。

このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、溶剤に封
する溶解度が高く、結晶化も少なく２かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が高いインドレニン系のシアニン
色素を単層膜として用いる旨を提案している（特願昭５
７−１３４３９７弓、回　５７−１３４１７０号）。

また、インドレニン系、あるいはチアゾール系、キノリ
ノ系、セレナゾール系等の他のシアニン色素においても
、長鎖アルキル基を分子中に導入して、溶解性の改善と
結晶化の防止がはかられることを提案している（特願昭
５７−１８２５８９号、同　５７−１７７７７６号等）
。

さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色（
再生劣化）を防１トするために。

ノア二ン色素にクエンチャ−を添加する旨の提案を行っ
ている（特願昭５７−１６８８３２号、同５７−１６８
０４８号等）。

さらに、スチリル系、インドリル系、ピリリウム、チア
ピリリウム、セレナピリリウムないしテルロピリリウム
系、ポリメチン系等の色素にクエンチャ−を添加して、
再生劣化が減少する旨の提案も行っている（特願昭５８
−１８１３５７号、同　５８−１８１３６８号、同　５
８−１８１３６９号。

回５８−１８３４５４号、同５８−１８３４５５号、同
５８−１８３４５８号）。

また、さらに　１１）牛劣化かきわめて少なく、耐温性
が良好な記録層として、色素カチオンとクエンチャ−ア
ニオンとの結合体を含む記録層の提案も行っている（特
願昭５９−１４８’４８号′Ｖ−）。

このような記録層に含まれる種々の色素の中で、フタロ
シアニン化合物は３光、熱、湿度等いずれに対しても安
定であり、堅牢性に優れている。

しかし、フタロンアニン化合物を記録層として用いた場
合、近赤外および赤外域に吸収がなく、このような範囲
の記録光では、記録層への、Ｉ：き込みか困難であった
。

ＩＩ　　発明の［］目 的発明の目的は、光記録媒体を構成する記録層が、光、
熱、湿度等いずれに対しても安定であり、堅′１′性に
優れ、しかも近赤外および赤外域の記録光によっても使
用可能な光記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は　下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、 式ＣＩ） ＭＸ−Ｐ　ｃ＋５Ｒ１）ｎ　　（Ｙ）１６−ｎまたは 式（ＩＩ　） ＭＸ−Ｐ　ｃ＋Ｘｌ　−Ｒ２−Ｘ２　　）ａ（ＳＲ３）
　　ＩＩＩＹ１６　　−２ｌ　　−ｍ（式（１）および
（ＩＩ）中、ＭはｍＢ金属原子を表わす。

Ｘはハロゲン原子を表わす。

Ｐｃはフタロシアニン核を表わす。

Ｒ１およびＲ３は、それぞれ、置換もしくは非置換の脂
肪族基、脂環式基、芳香族基または複素環基を表わす。

Ｒ２は置換もしくは非置換の２価の脂肪族基、脂環式基
、芳香族基または複素環基を表す。

Ｘ　＋　；ＨヨＵ　Ｘ２　ハ、　ツレぞれ、ＯＳ、Ｓｅ
、ＴｅまたはＮＴ　（Ｔは水素原子、アルキルノ、（ま
たはアリル基）を表す。

Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表す。

ｎは５〜１６．Ｑ　は１〜８．ｍはＯ〜１４の正の整数
を表わす。） で示５れるフタロシアニン化合物を含む記録層をノ、（
体４−に有することを特徴とする光記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体の記録層は、下記の式（１）または
式（ＩＩ　）で示されるようなフタロシアニン化合物を
含んでいる。

式（Ｉ） ＭＸ−Ｐｃ（−ＳＲ＋　）ｎ　　（Ｙ）１６−ｎまたは 式（ＩＩ　） ＭＸ−Ｐ　Ｃ（−ＸＩ　　−Ｒ２−Ｘ２　　）ａ（ＳＲ
３）　ｍ　　Ｙ１６　−２ｌ　　−厘り２式（Ｉ）およ
び（ＩＩ　）において、Ｍは、ｍＢ金属原子（ＡＭ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｔｊｌ）であり、このなかで特にＡｉ、Ｇａ
、Ｉｎが好ましい。

又はハロゲン原子　例えばＦ、ＣＭ、Ｂｒ。

１等：であり、なかでもＣ１，Ｂｒ、Ｉが好ましい。

Ｐｃは下記式（ＩＩＩ）で表わされるフタロシアニン核
である。

式（ｍ） 上記式（ｍ）で、−５Ｒ，。

ＸＩ　Ｒ２Ｘ２−１−３　Ｒ３モＬ　＜　ハＹカ置換す
る位置は１−１６のいずれかである。

Ｒ１およびＲ３は１価、Ｒ２は２価であって、）々ふ数
１〜２０の置換もしくは非置換の脂肪族基、脂環式基例
えば、メチル基、エチル基、プロピルノ＾、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシルノＳ、ベンジル基、エチレン基、
プロピレンツ＾、ブチレンツＳ、ペンチル基、ヘキシル
基、フェネチル基、シクロヘキシル基、アリル基、ドデ
シルＪ、（、 −ＣＨ２ｃ）（２ｃ）（＝ｃ）Ｉ−ＣＨ２−、シクロヘ
キシル基、−Ｃ２Ｈ４０，インプロペニル基、−Ｃ２Ｈ
４−０文、−ＣＨ２−ＮＨ２等：１に素数６〜２４の置
換もしくは非置換の芳香族ノ、（１例えば、フェニル基
、トリルノ＾、メトキンフェニル基、ナフチル基、塩化
フェニル基、＊　シＩＪ　ル基、−ｃ＞ＯＣ２Ｈ５、フ
ェ三し／基　ナフチレン基、 ＜）ＣＨ２Ｃ文、（Ｘ１＞　ＣＨ２０Ｈ、スチリル基、
ンンナミル基、フェネチル甚。

メチルフェニレン基、０ｃ００ｃＨ３等；置換もしくは
非置換の複素環基、例えば、ピリシルノ、（、ピロリル
基、キノリル基、フリル基　フルフリルノル、チェニル
ノ、（、ピペリジル基、ピリミジル基等； である。

Ｙは、水素原子： ハロゲン原子、例えば、０文、Ｂｒ、１．Ｆ等； であり、なかでも　Ｈ，０文、Ｂｒ、Ｉが好ましい。

Ｘ　＋　オヨＵ　Ｘ　２　ハ、　’ｆ−レソレ、ＯｌＳ
、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＴ　（Ｔは水素原子、アルキル」
、（またはアリール基）を表す。

ｎは、５〜１６の正の整数を表わし、なかでも８〜１６
であることが好ましい。

Ｑは１〜８、　ｍは０〜１４の正の整数を表す。

以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例を挙げる
。

（１）　　オクタ−３，６−（−ＳＣＨ３）−ＡｆＬＣ
Ｉ　Ｐｃ（２）　　オクタ−３，６−（−５Ｃ２Ｈｈ　
）−Ｉｎ　ＣＪＬ　Ｐｃ（３）　　オクタ−３，Ｅｉ−
（−９＜＞　）−Ｇａ　ＣＩ　Ｐｃ（４）　　オクタ−
３，８−（−Ｓ　Ｃ２Ｈ５）−ＡＬ；ＬＣ見Ｐｃ（５）
　　オクタ−３，６−（−Ｓ　Ｃ３Ｈ７）−Ｉｎ　Ｃｌ
　Ｐｃ（６）　　オクタ−３，８−（−Ｓ＜＞　ＣＨ３
）　　Ａ文ＢｒＰｃ（７）　　デカ−（−５−４！＞　
　Ｃ１）　Ｉｎ　ＣｆＬ　Ｐｃ（８）　　デカ−（−５
＜＞　ＯＣＨ３）　ＧａＩＰｃ：（９）　　ウンデカ−
（−９００Ｃ２Ｈｓ　）Ｔ４　　ＣＩ　Ｐｃ（１０）　
　ヘア　））　デカ−（−５−ｃ＞ＣＯＯＣＨ３）Ａ交
　　Ｃ！；Ｌ　Ｐｃ （１１）ペンタデカ−（−５＜＞　ＧＯ（１１）ＧａＢ
ｒＰｃ（１２）ペンタデカ−（−９＜＞　Ｎ　Ｍｅ２）
ＩｎＩＰｃ（１３）へキサデカ−（−９−Ｃ２Ｈ５）　
ＩｎＣＪＩ　Ｐｃ１１１Ｃ！；Ｌ　Ｐｃ （１５）へキサデカ−（−Ｓ−Ｃ３Ｈ７）　ＧａＢｒＰ
ｃ（１６）へキサデカ−（−Ｓ−Ｃ３Ｈ７）ＡＭ　Ｂｒ
Ｐｃ（１７）　　ドデカ−（−５＜＞　ＯＣＨ３）　Ｉ
ｎ　ＣｆＬＰｃ（＋８）へキサデカ−（−５−Ｃ）−Ｃ
）１３　）　ＩｎＢｒＰｃ（１９）へキサデカ−（−Ｓ
−Ｃ）−Ｃ１）　Ｇａ１Ｐｃ（２０）へキサデカ−Ｃ−
Ｓ−ＣＨ３）Ａｌｌ　ＢｒＰｃ（２１）　　オクタ−３
，８−（−３−Ｃ２Ｈ５）Ａｎ　　ＣｆＬ　Ｐｃ ジ（−Ｓ−（ｈ　　Ｈ＋ｎ　−９）　Ｉｎ　Ｃ文Ｐｃ（
２３）へキサデカ−（−Ｓ＜＞　ＣＨ３）Ａ旦　ＢｒＰ
ｃ 本発明のフタロシアニン化合物は、一般に次のスキーム
に従う方法で合成することができる。

スキームｌ Ｌ　ｉ２　Ｐｃ（−５Ｒ１）　＋Ｇ　＋ＭＸＹ２スキー
ム２ ｎＲＩ　Ｓ−Ｋ”　　＋　　ｒｖｌＸＰｃ　（Ｙ）　１
６精製はスキームｌの場合と同様に行う。

この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次のように
行う。

反応生成物を１００℃に冷却し、エタノールで希釈した
後、室温に戻して癌過する。　この濾別したものをエタ
ノールで洗浄し、さらにエタノール−水溶液で洗浄し、
乾燥する。　こうして得られた粗生成物をシリカカラム
でトルエンによって展開し、分離して精製する。

次に１本発明のフタロシアニン化合物の合成例を挙げる
。

合成例１　　例示化合物（１３）の合成１モルと、エチ
ルメルカプタン（ＥｔＳＨ）４モルとを１３０℃で２時
間で反応させ、を得た。

この化合物４モルにＬ　ｉ”　　（ＯＣ５Ｈｕ）−２モ
ルを加えてｌ　４０　’Ｃで２時間反応させ。

Ｌ　ｉ２　Ｐｃ（−５Ｅ　ｔ）＋Ｇを得た。　　さらに
。

この化合物１モルにＩｎＣ！；Ｌ３１モルを加えて　ア
ミルアルコール中で１３０℃で２１間反応させ、［］的
物を得た。　得られた反応生成物を１００℃に冷却した
後、エタノール（Ｅ　ｔ　ＯＨ）で希釈して室温に戻し
、癌過した。　濾別したものをＥｔＯＨで洗浄し、さら
ニＥ　ｔ　０Ｈ−Ｈ２０（１：　１）溶液で洗浄し、乾
燥した。　　このようにして得られた粗生成物をシリカ
カラムでトルエンによって展開し、分離　精製して目的
物を得た。

収　　　　率　　　　　　１８　、５％元素分析 ＣＨＮ　　　Ｉｎ 計算４１６７％　４７．３１　４．９３　　８．９０　
７．０７実１１１１１値／％　４５．９８　４．９５　
　　Ｂ、９２　７．０５吸収極大　　゛入ｍａｘ ８３０ｎｍ（スピンナー塗布に より０．１ルｍ厚の薄膜を形成 して測定） 合成例２　　例示化合物（２）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。

収　　　　率　　　　　　２３．４％ 元素分析 ＣＨＮ　　　Ｉｎ 計　算　イー１　／　％　　　４０．８１　　　　２．
８２　　　　　７．９０’８．１０実測値／％　４０．
７９　２．８３　　７．８５　８．０４合歳例３　　例
示化合物（３）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。

収　　　　率　　　　　　２１．８％ 元素分析 ＣＨＮ　　　Ｇａ 計算値７％　５４．６３　２．２８　　　Ｂ、３７　３
．９？実測値／％　５４．９５　２．２８　　　Ｂ、３
５　３．９９合成例４　　例示化合物（７）の合成 合成例１と同様にして目的物を得た。

収　　　　率　　　　　　２１　、９％元ふ分析 ＣＨＮ　　　Ｉｎ 計算値７％　４８．１２　　＋、７４　　４．８８　５
．０１実測値／％　４８．９５　１．７２　　４．８２
　４．９８合成例５　　例示化合物（１４）の合成２−
チオナフトール１８モルとＫＯＨ１８モルとをキノリン
中で１４０℃にて１時間反応させた。　これにＩ　ｎｃ
ＭＰｃ　（ＣｆＬ）＋ｓ　１モルを加え、１６０〜１８
０℃にて１時間反応させた。　得られた反応生成物は合
成例１と同様に精製した。

収　　　　率　　　　　　２３．８％ 元素分析 Ｃ−ＨＮ　　　　Ｉｎ １汁　３二［イＡ／　　％　　　７２．２０　　　　３
，５１　　　　　３．５１　　　３．８０実′Ａ１１ｌ
値／％　７１．２１　３．５４　　３，５２　３．５９
吸収極大　　　入ｍａｘ ８４０　ｎ　ｍ　（スピンナー塗４ｊにより０．１μｍ
厚の薄りＱを形成 して測定） 合成例６　　例示化合物（１５）の合成合成例５と同様
にして目的物を得た。

収　　　　Ｊ　　　　　　２９．４　％元素分析 ＣＨＮ　　　Ｇａ 計算値７％　５１．９９　６．０７　　　Ｅｌ。０７　
３．７８実Ａ１１ｌ値／％　５０．９２　１３．０９　
　　Ｂ、０８　３．７４合成例７　　例示化合物（６）
の合成 合成例５と同様にして目的物を得た。

収　　　　率　　　　　　１７　２％ 元素分析 ＣＨＮＡ立 計算値／％　４７．４４　２．５２　　５．０３　１．
２＋実測値／％　４７．３５　２．５３　　５．０１　
　＋、２１合成例８　　例示化合物（１７）の合成合成
例５と同様にして目的物を得た。

収　　　　率　　　　　　１２　、８　％元素分析 ＣＨＮ　　　Ｉｎ 計算値７％　５７．７８　１，４９　　４．６５　４．
７７実Ａ１１ｌ値／％　５７．９２　１．４８　　４．
８３　４．７５このようなフタロシアニン化合物は、２
挿具１−用いてもよく、また本発明の効果をそこなわな
い範囲で、他の色素と組み合わせて記録層を形成しても
よい。

記に層中には、必要に応じ、樹脂が含まれていてもよい
ぶ 用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性ないし熱可
・塑性樹脂が好適である。

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。

ｉ）ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１など。

１１）ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合・体、エチレン−
アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共
重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブ
テン−１ＪＩＨ重合体、エチレン−無水マレイン酸共Ｔ
ｔ　合体、エチレンプロピレンターポリマー（ＥＦＴ）
など。

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。

１ｉｉ）塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、１裏工化ビ
ニル−塩化ビこリチン共重合体、塩化ビニル−無水マレ
イン酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリ
ル酸エステルと１ｎ化ビニルとの共重合体、アクリロニ
トリル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重
合体、エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体
、エチレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフ
ト重合したものなど。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

１マ）１１１化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−７クリロニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共屯合体など。

この場合、共重合比は、任意のものとすることができる
。

マ）ポリスチレン マｉ）スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合体（ＡＳ樹
脂）、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共重合
体（ＡＢＳ樹脂）、スチレン−無水マレイン酸共東合体
（ＳＭＡ樹脂）、スチレン−アクリル酸エステルーアク
リルアミド共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体（
ＳＢＲ）、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、スチレ
ン−メチルメタアクリレート共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

マｉｉ）スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２
．５−ジクロルスチレン、α。

β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセナフ
テン、ビニルアントラセンなど、あるいはこれらの共重
合体、例えば、α−メチルスチレンとメタクリル酸エス
テルとの共重合体。

マ目１）クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共重合体。

ｉｘ）テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライト
。

Ｘ）アクリル樹脂 特にド記式で示される原子団を含むものが好ましい。

す 」−記式において、ＲＩｎは、水素原子またはアルキル
基を表わし、Ｒ２１１は、置換または非置換のアルキル
基を表わす。　この場合、上記式において、ＲＩｎは、
水素原子または炭素原子数１〜４の低級アルキル基、特
に水素原子またはメチル基であることが好ましい。

また　Ｒ２０は、置換、非置換いずれのアルキル基であ
ってもよいが、アルキル基の炭素原ｆ−数は１〜８であ
ることが好ましく、また、Ｒ２Ｔ＋が置換アルキル基で
あるときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基
、ハロゲン原子またはアミン基（特に、ジアルキルアミ
７基）であることが好ましい。

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子団
の１種または２種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル・樹脂を構成する
ことになる。

冨ｉ）ポリアクリロニトリル ｘｉｉ）アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、アクリロニト
リル−アクリル酸ブチル共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｘｉｉｉ）ダイア七トンアクリルアミドポリマーアクリ
ロニトリルにア七トンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。

！　ｉｖ）ポリ酢酸ビニル Ｉマ）酢酸ビニル共１合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。

共重合比は任意のものであってよい。

！マ１）ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。

ｘｖｉｉ）ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン６、＋イ＊ン
６−６、ｆ　イ０７６−１０、ナイロン６−１２．ナイ
ロン９、ナイロン１１、ナイロン１２．ナイロン１３等
の通常のホモナイロンの他、ナイロン６／６−６７６−
１０、ナイロン６／６−６／１２、ナイロ：／　６　／
　６−６　／　１１等の重合体や、場合によっては変性
ナイロンであってもよい。

Ｘマ１ｉｉ）ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酎、アジピン酸
、セパステン耐等の脂肪族二ｔ！４基酸、あるいはイソ
フタル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各
種二塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレング
リコール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類
との縮合物や、共縮合物が好適である。

そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は、特に好適である。

さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリブタル樹脂を、脂肪醜、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用される
。

ｇｉｇ）ポリヒニルアセタール系樹脂 ポリヒニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リヒニルホルマール、ポリヒニルアセタール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。

この場合、ポリヒニルアセタール系樹脂の７セタ一ル化
度は任意のものとすることかできる。

ｘｘ）ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱＝ｒ塑性ポリウレタノ樹脂。

特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアルキレンジインシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。

ｘｘｉ）ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環用合物
、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプロ
ピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。

ｘｘ口）セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース。

ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、エ
チルヒドロキシエチルセルロースナト、セルロースの各
種エステル、エーテルないしこれらの混合体。

ｘｘｉｉｉ）ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロパンカーポネート等の各種ポリ
カーボネート。

ｘｘｉｖ）アイオノマー メタクリル酸、アクリル酸などのＮａ。

Ｌｉ、Ｚｎ、Ｍｇ塩など。

！！Ｖ）ケトン樹脂 例えば、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。

ｘｘｖ　ｉ　）キシレン樹脂 例えば１ｍ−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。

Ｘ！マ１１）石油樹脂 Ｃ５系、Ｃ９系、Ｃ５−ｃ、、共張合系、ジシクロペン
タジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体
など。

ｘｘｖｉ口）ｈ記　ｉ）〜ｘｘｘｘｉｉｉ２挿具りのブ
レンド体、またはその他の熱ａｒ塑性樹脂とのブレンド
体。

なお、樹脂の分子斌等は、種々のものであってよい。

このような樹脂と、前記の色朱とは、通常、屯１′、１
比で１対０．１〜１００（７）広Ｑ　すｊ、ｊ比ニテ設
層される。

なお、このような記録層中には、別途他のクエンチャ−
１例えば、特願昭５８−１８１３６８壮等に記載したも
のが含有されてもよい。

このような記録層を設層するには、一般に常法（ご従い
塗設すればよい。

そして、記録層の厚さは、通常、０．０２〜１０ｇｍ程
度とされる。

なお、このような記録層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種＋Ｔｆ塑剤、界面活
性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、酸
化防止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。

このような記録層を設層するには、基体上に　所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。

なお　塗布に用いる溶媒としては、例えば、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトール
アセテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステ
ル系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテ
ル系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロ
ロエタン等のハロゲン化アルキル系、アルカン系、脂環
系、アルコール系などを用いればよい。

このような記録層を設層する基体の材質としては、古き
込み光および読み出し光に対し実質的に透明なものであ
れば、特に制限はなく、各種樹脂、ガラス等いずれであ
ってもよい。

また、その形状は使用用途に応じ、テープ。

カード、ドラム、ベルト等いずれであってもよい。

なお、基体は、通常、トラッキング用の溝を有する。

また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチルメタクリ
レート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリサル７オン樹脂、ポリエーテルサルフォン
、メチルペンテンポリマー等の、みぞ付きないしみぞな
し基体が好適である。

これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝
導度等を改善するために、基体上にＦ地層を形成するこ
とが好ましい。　下地層の材質としては、Ｓｉ、Ｔｉ、
ＡＭ、Ｚｒ。

Ｉｎ、Ｎｉ、Ｔａ等の有機錯化合物や有機多官能性化合
物を塗布、加熱乾燥して形成された酸化物であることが
好ましい。

この他、各種感光性樹脂等下地層として用いることもで
きる。

また、記録層丘には、必要に応じ、各種最上層保護層、
ハーフミラ一層などを設けることもできる。

本発明の媒体は、このような基体の一面上にｌ−記の記
録層を有するものであってもよく、その両面に記録層を
有するものであってもよい。

また、基体の一面上に記録層を塗設したものを２つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつかないようにすることもできる。

また、このような所定の間隙に、シリコーン樹脂等を充
填して密着型にすることもでき■　発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において記録光をパ
ルス状に照射する。　このとき記録層中の色素の発熱に
より、色素が融解等し、ピットが形成される。

このように形成されたピットは、媒体の走行ないし回転
下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反射光を検
出することにより読み出される。

この場合、記録および読み出しは、主に基体側から基体
をとおして行う。

そして、一旦記録層に形成したピットを光ないし熱で消
去し、再書き込みを行うこともできる。

なお、記録ないし読み出し光としては、半導体レーザー
等を用いることができる。

■　発明の具体的効果 本発明によれば、読み出し光による再生劣化かきわめて
小さくなる。

そして、耐光性も向丘し、明室保存による特性劣化が少
なく、さらに耐熱性、ｎｗ酸化性、１酎湿性にも優れる
。

そして、消去および再書き込みを行うようなときにも特
性の劣化が少ない。　さらには、保存性も向ヒする。

また、近赤外および赤外域の記録光によっても、容易に
書き込みができる。

また、反射層を積層しなくても、基体をとおして書き込
みと読み出しを良好に行うことができる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し１本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 下記表１に示されるフタロシアニン化合物を用い、フタ
ロシアニン化合物０　、０５　ｇ　ヲトルエン等の有機
溶剤２．７ｇに溶解して　濾過した後、直径３０ｃｍの
案内溝付アクリルディヌクノ、（板トに、０．０８ｐｍ
の厚さにスビノナー塗布設層して、各種媒体をえた。

なお、用いたフタロシアニン化合物はＦ記にて例示した
Ｎｏ、のちのを用いた。

このようにして作製した各媒体を、９００ｒｐｆｆｉに
て回転させながら、半導体レーザーを用いて、基板裏面
側から書き込みを行った。　この場合、集光部出力は１
０＋ｓＷ、周波数は２　ＭＨｚである。

次いで、半導体レーザーを読み出し光とし、基板をとお
しての反射光を検出してヒユーレットパラカート社製の
スペクトラムアナライザーにて、バンド巾３０　ＫＨｚ
でＣ／Ｎ比を測定した。

これらの結果を表１に示す。

表　　　　　　１ サンプル　フタロシアニン　　Ｃ／Ｎ比Ｎｏ、　　　　
　　　　　化　　合　　物　　　　　　（ｄＢ）１１　
　　　バナジル　　　　　３８ （比較）　　　フタロシアニン 表１の結果から、本発明の効果があきらかである。

出願人　　ティーディーケイ株式会社 〆１　・　　−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）式（ I ） ＭＸ−Ｐｃ−（ＳＲ＿１）＿ｎ（Ｙ）＿１＿６＿−＿ｎ または 式（II） ＭＸ−Ｐｃ−（Ｘ＿１−Ｒ＿２−Ｘ＿２）＿ｌ （ＳＲ＿３）＿ｍＹ＿１＿６＿−＿２＿ｌ＿−＿ｍ ｛式（ I ）および（II）中、ＭはIIIＢ金属原子を表わ
   す。 Ｘはハロゲン原子を表わす。 Ｐｃはフタロシアニン核を表わす。 Ｒ＿１およびＲ＿３は、それぞれ、置換もしくは非置換
   の脂肪族基、脂環式基、芳香族基または複素環基を表わ
   す。 Ｒ＿２は置換もしくは非置換の２価の脂肪族基、脂環式
   基、芳香族基または複素環基を表す。 Ｘ＿１およびＸ＿２は、それぞれ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ
   またはＮＴ（Ｔは水素原子、アルキル基またはアリール
   基）を表す。 Ｙは水素原子またはハロゲン原子を表す。 ｎは５〜１６、ｌは１〜８、ｍは０〜１４の正の整数を
   表わす。｝ で示されるフタロシアニン化合物を含む記録層を基体上
   に有することを特徴とする光記録媒体。