JPS61197280A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPS61197280A
JPS61197280A JP60038440A JP3844085A JPS61197280A JP S61197280 A JPS61197280 A JP S61197280A JP 60038440 A JP60038440 A JP 60038440A JP 3844085 A JP3844085 A JP 3844085A JP S61197280 A JPS61197280 A JP S61197280A
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Japan
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atom
copolymer
optical recording
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黒岩 顕彦
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Terufumi Kamijo
上條 輝文
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背景 技術分野 未発明は、光記録媒体、特にヒートモー ドの光記録媒
体に関する。
先行技術 光記録媒体は 媒体と3き込みないし読み出しへ、トが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等ア点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
1tTする光記録媒体であり、その1例とI7て、レー
ザー等の記録光で媒体の一部を融解 除去等して、ピッ
トと称される小穴を形成して、Ijき込みを行い、この
ピントにより情報を記録し、このピンl”を読み出し光
で検出して読み出しを行うピント形成タイプのものがあ
る。
このようなど、1・形成タイプの媒体 特にそのうち、
装置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものに
おいては、これまで、Teを1一体とする材料を記録層
とするものが大半をしめている。
しかし、近年、Te系材料が有害であること、そしてよ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Te系にかえ1色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している。
例えば、He−Neレーザー用としては。
スクワリリウム色素〔特開昭56−48221 号 V
B、 Jipson  and  C,R,Jones
、  J、Vac、  Sci。
Technol、、 1B (1) +05 (198
1) )や、金属フタロシアニン色素(特開昭57−8
2094号、同57−820959)などを用いるもの
がある。
また 金fatフタロシアニン色素を寥導体レーザー用
として使用した例(特開昭58−813795号)もあ
る。
これらは、いずれも色素を蒸着により記録層11し膜と
したものであり、媒体製造上、Te系と大差はない。
しかし、色g JN着膜のレーザーに対する反射率は一
般に小さく、反射光量のピントによる変化(減少)によ
って読み出し信号をうる。現在行われている通常の方式
では、大きなS/N比をうろことかできない。
また、記録層を拘持した透明基体を、記録層が々・1向
するようにして一体化した、いわゆるエアーサンI・イ
ワナ構造の媒体とし、ノS体をとお1、て11;き込み
および読み出しを行うと、i呻き込み感度を丁げずに記
録層の保護ができ、かつ記録畜度も大きくなる点で有利
であるが、このような記録再生方式も、色素蒸着膜では
不可能である。
これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち(ポリメチルメタクリレートで1 、5) 
、 また、表面反射率がある程度大きく(同 4%)、
記録層の基・体をとおしての反射率が5例えばポリメチ
ルメタクリレートでは60%程度以下になるため、低い
反射率しか示さない記録層では検出できないからである
色素へ着Vからなる記録層の、読み出しのS/N比を向
上させるためには、通常、基体と記録層との間に、A文
等のへ着反射■りを介在させている。
この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてS/N比を向
上させるためのものであり、ピット形成により反射膜が
露出して反射率が増大したり、あるいは場合によっては
1反射膜を除去して反射率を減少させるものであるが、
当然のことながら、基体をとおしての記録再生はできな
い。
同様ニ、特IJFI 昭55−181890号ニi:t
 、  I R−132色素(コダ、り社製)とポリ酢
酸ビニルとからなる記録層、また、特開昭57−74’
845号には、1、トージエチル−2,2’−トリ力ル
ポシアニンイオタイトとニトロセルロースとからなる記
録層 さらには K、Y、Lav、 et at、、 
Appl、 Phys。
Lett、 39 (9) 718 (1981)には
、 3.3゛−ジエチル川2−アセチルチアテトラカル
ボシアニンとポリ酢酸ビニルとからなる記録層など1色
素と樹脂とからなる記録層を塗布法によって設層した々
V体が開示されている。
しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体X面側からの記録再生ができ
ない点で1色素法着膜の場合と同様の欠点をもつ。
このように1基体をとおしての記録再生が可能であり、
Te系材料からなる記録層をもつ媒体との〃換性を有す
る。有機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには、有
機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。
しかし、従来 反射層を積層せずに、有機材料の中層に
て高い反射率を示す例はきわめて少ない。
例えば、チアゾール系やキノリン系等のシア二ノ色トや
メロシアニノ色素でも1高反Q4率乃≦/l<される旨
か報告〔111木他、第27回 I芯用物理゛/:会予
稿集 1p−P−9(1980) ] されており こ
れ番こもとづく提案か特開昭58−112790号(こ
なごれているが、これら色素は、特に塗膜としてjQ層
したときに、溶剤に対する溶解度が小ごく、また結晶化
しやすく、さらには読み出し九番こ勾してきわめて不安
定でたたちしこ脱色してしまい 刀++、]に供しえな
い。
このような実状に鑑み、本発明者ら6士、先に 溶剤に
対する溶解度が高く、結晶化も少なく かつ熱的に安定
であって、塗膜の反射率力く晶いインドレニン系のシア
ニン色素をΦ層膜として田いる旨を提案している(特願
昭57−134397号 回 57−134170号)
また インドレニン系、あるいはチアゾール系 キノリ
ン系、セレナゾール系等の他の・シアニン色素にお、い
ても、長鎖アルキル基を分子中に導入して 溶解性の改
善と結晶化の防1F力くI±かられることを提案してい
る(特願昭57−182589 %、同57−1777
76号等)。
さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色(
再生劣化)を防市するために、シアニン色素にクエンチ
ャ−を添加する旨の提案を行っている(特願昭57−1
88832号、同57−168048号等)。
ごらに スチリル系、インドリル系、ピリリウム、チア
ピリリウム、セレナピリリウムないし、テルロピリリウ
ム系、ポリメチン系等の色素にクエンチャ−を添加して
、再生劣化が減少する旨の提案も行っている(特願昭5
8−181357吟、同58−1813Ei8号、同5
8−181369号、同58−183454吟、同58
−183455号、同58−183458壮)。
また、さらに、再生劣化がきわめて少なく、耐温性が良
好な記録層として、色素カチオンとクエンチャ−アニオ
ンとの結合体を含む記録層の提案も行っている(特願昭
59−14848号等)。
このような記録層に含まれる種々の色素の中で、フタロ
シアニン化合物は、光、熱、湿度等いずれに対しても安
定であり、堅牢性に優れている。
しかし、フタロシアニン化合物を記録層として用いた場
合、近赤外および赤外域に吸収がなく、このような範囲
の記録光では、記録層へのJI:き込みが困難であった
II  発明の目的 未発明の目的は、光記録媒体を構成する記録層が 光、
熱、湿度、いずれに対しても安定であり、堅牢性に優れ
、しかも近赤外および赤外域の記録光によっても使用可
能な光記録媒体を提(共することにある。
■ 発明の開示 このような+1的は、下記の本発明によって達成される
すなわち、!発明は、 式(+) M k−p c + OR+  )   (y)  1
B−。
または 式(II) Mk−Pc(−X+  −R2−X2  )+1< o
 R3)   (Y ) 1G−2M −fi1(戊(
+)および(rB中1Mは水素原子、金属もしくは半金
属原子またはM、Xを表わす。
MlはIIIB金属原子を表わし、Xはハロゲン原子を
表わす。
kはMが水素原子または金属原子であるときにはその原
子価の1/2の逆数を表わし、MがMlであるときには
1である。
Pcはフタロシアニン核を表わす。
R1およびR3は、それぞれ、置換または非置換の脂肪
族基、脂環式基、芳香族基または複素環基を表わす。
R2は置換または非置換の2価の脂肪族基脂環式基、芳
香族基または複素環基を表わす。
X+ およびX2 ハ、 ツレツレ、O,S。
Se、TeまたはNT (Tは水素原子、アルキルgま
たはアリール基を表わす、)を表わす。
Yは水素原子またtオハロゲン原子を表わす。
nは5〜16.fiは1〜8、mはO〜14のII−の
整数を表わす) で示されるフタコシアニン化合物を含む記録層をノ、(
体トに有することを特徴とする光記録媒体。
■ 発明の具体的構成 以下1本発明の具体的構成について詳細に説明中る。
本発明の光記録媒体の記録層は、下記の式(IT)また
は(If)で示されるようなフタロシアニン化合物を含
んでいる。
式(1) %式%) 式(II) M k −P c +X 1− R2−X 2 ) a
(OR3)   (y)、8−、、見−1上記式(1)
および(TI)において1Mは水素原子−5金屈もしく
は半金属原子またはM、Xを表わす、。
MlはIIIB金属原子を表わし、Xはハロゲン原子を
表わす。
金属または半金属原子としては1例えば。
Zn、Pb、Cu、Ni、Fe、Co、Sr。
Ca、Yb、Li、Ag、Ru、Sm、Tb、DV、U
、Tl、Cs、Pd、Nd、Ga。
I n、Sn、S i、Pt、Mn、Ge、Be、A文
、V、 S n、 Mg、 T i等:であり、このな
かでCu、Ni、Co、Fe。
Zn、AI、pt、v、水素が好まシイ。
MlはmB金金属原子AfL、Ga、In。
T4’)であり、このなかで特にAJI、Ga、Inが
好ましい。
Xはハロゲン原子、例えばF、C文、Br。
I等: であり、なかでもC1,Br、Iが好ましい。
kは1Mが水素原子または金属原子であるときには、そ
の原子価の1/2の逆数を表わし。
入を鴇ぐ入4H”/−fIk!L4111ul+去9P
cは、下記式(m)で表わされるフタロシアニン核であ
る。
式  (III) E記式(III)で、−OR+ 、 −X、R2X2−1−0R3もL<はYが置換する位置
は1〜16のいずれかである。
R1およびR3は1価、R2は2価であって、炭素数1
〜20の置換もしくは非置換の脂肪族基、脂環式基、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、エチレン基、プロピレン基、ブ
チレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ベンジル基、
フェネチル基、シクロヘキシル基、アリル基、ドデシル
基。
−CH2CH2CH=CH−CH2−、シクロヘキセン
Xi、 C2H40,インプロペニル基、−C2H4−
C見、−CH2−NH2等: 炭素数6〜24の置換もしくは非置換の万香族基、例え
ば、フェニル基、トリル基、フェニレン基、ナフチレン
基、メトキシフェニル基、ナフチル基、塩化 フェニル基、キシリル基、00C2H5、!−>  C
H2C見、<J>  CH20Hスナリルノ、(、シン
ナミル基、フェネチル基、メチルフェ二L/ :/ )
に、−CP−COOCH3’9:置換もしくは非置換の
複素環基 例えば ピリンル基、ピロリル基、キノリル
基 フリル基、フルフリル基、フェニルノ、(ピペリジ
ル基、ピリミジル基等; である。
Yは 水素原子; ハロゲン原子1例えば、C交、Br、■F等: であり、なかでも、H,CfL、Br、Iが好ましい。
XlおよびX2は、それぞれ、0.S。
Se、TeまたはNT(Tは水素原子、アルギルノ、(
またはアリール基を表わす。)である。
nは、5〜16の正の整数を表わし、なかでも8〜16
であることが好ましい。
見は1〜8、mはO〜14の正の整数を表わす。
以rに本発明のフタロシアニン化合物の具体例を挙げる
(1)オクタ−3,6−(4−メチル フェノキシ)−Cube (2)オクタ−3,6−(メトキシ) CuPC (3) *’)’)−3、6−(−0C2Hs )Cu
Pc (4)オクタ−3、6−(−0C387)Cure (5)オクタ−3,6(OC4Hg) H2Pc (6)オクタ−3、6−(−0−Q )CuPc (7)オクタ−3,6−(−0<> C2゛H5) C
ure (8)*’)9−3.6− (−0<> +11)N1
ce (!3) デカ−(−0<> OCH3)CoPc (10)デカ−(−QCs Hn ) −H2P cC
ore (12)ペンタデカ−(−0C2H5)H2Pc (13)ペンタデカ−(−0−Q−COOCH3)Pb
Pc (14)ペンタデカ−(−0C3H7)ZnPC (15)オクタ−3,6−(−09OCH3)H2Pc (16)ペンタデカ−(−0〇) −Cu P cCu
Pc (18)ペンタデカ−(−0−C2HFI )CuPc (19)ペンタデカ−(−0−CH3)CuPc (20:)”?ツタデカー (−0−CH3)−H2P
c (21)ペンタデカ−(−0<> ’ CH3) Cu
Pc (22)べ゛ンタデカー(−o00CH3)H2Pc (23)へキサデカ−(−□0) −Cu P c(2
4)へキサデカ=(−0<:> CH3)H2Pc (25)へキサデカ−(−0−CH3)CuPc 、1 (26)へキサデカ−(−0−C2Hs)−Cu  P
  ’c (27)オクタ−3,6− (28)オクタ−3,6− (29)へキサデカ−(−0C3H7)FePc CuPc (31)オクタ−3,6− (OC2H3)テトラ−4,5− ジー4 、5− (−0−Ca Hl)  0−)(3
3)へキサデカ−(−0,、<)−CH3)モノ−(3
4)オクタ−3、6−(−0CH3) −A 見 C交
 Pc 、(35) オ’)ター3 、6− (−0C2Hs 
) −I  nc  fL Pc (36)オクタ−3,6−(−0<3)−GaCjLP
c (37)オクタ−3、6−(−0C3H7) −nBr
Pc (38)オクタ−3、6−(−0C2Hs ) −T 
交 C交 Pc (38)オクタ−3,6− (40)デカ−(−0−45CH3) −AuB  rPc (41’)”’デカー (−0−C2H5)  A立I
reaBrPc ψ (43)ペンタデカ−(−00文) InC交 Pc (44)ペンタデカ−(−0−Cp−OCH3)A 文
 C立 Pc (45)ペンタデカ−(−04D OC2H5)CaC
文 Pc    ′ (4B)ペンタデカ−(−0−C2Hs)nIPc (47)ペンタデカ−(−0−C2H5)aIPc InC交 Pc (49’) へキサデカ−(−00) G acu P
 ’c(50)にキサデカ−(−〇−C2Hs)nBr
Pc (51)ヘキサデカ−(−0C3H7)A 旦 C交 
Pc (52)へキサデカ=(−0<>CH3)aBrPc (53)へキサデカ−(−0−Q−C文)A 立 B 
 rPc (54)つ7デカー (−〇−C2Hs )InC込 
Pc (55)オクタ−3,6= (−0−C2Hs)テトラ−4,5− ジー(−0−C5H+o−0) (57)へキサデカ−(−0−C)−CH3) モ/ 
−較発明のフタロシア二/化合物は、−股に次のスキー
ムに従う方法で合成することかできる。
スキーム1 n  RI  O−K”  +Mk  P c  (Y
)  IG+  M −Pc(−OR,)n (Y) 
IG −n160〜180 °C2lhr、   k+
副生成物 この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次のように
行なう。
反応生成物を100°Cに冷却し、エタ/−ルで希釈し
た後、室温に戻して濾過する。  この成層したものを
エタノールで洗浄し、さらにエタノール−水溶液で洗t
’!I L、乾燥する。 こうして得られた組生成物を
シリカカラムでトルエンによって展開し、分離して精製
する。
スキーム2 L i2 P c(−OR4) 16 + nMkY2
7にこの場合の反応生成物の精製は、スキーム1と同様
に行う。
スキーム3 L i2 Pc(−OR+ ) IG + nM+ X
Y2アミルアルコール中 13o、c、 Ihr  =MI X−Pc(7OR+
 ) n (Y) +e−0この場合の反応生成物の精
製は、スキームlと同様に行う。
次に 本発明のフタロシアニン化合物の合成例を挙げる
合成例1. イへ    3 の エタノール 12gとKOH6gとをキノリン中で14
5°Cにて2時間反応させた。 これ番こCuPc(C
1)+s  7gを加え、160〜180℃にて2時間
反応させた。 得られた反応生成物を100℃に冷却し
た後、エタノール(E t OH)で希釈して室温に戻
し、濾過した。 絽別した。ものをEtOHで洗浄し、
さらにE t 0H−H20(1: 1)溶液で洗浄し
乾燥した。
このようにして得られた粗生成物をシリカカラムでトル
エンによって展開し1分離、精製した。 これを2回繰
り返して目的物を得た。
収    率    35 % 元、靴分析 CON   Cu 計算fL^/%  49.52  +1.01 9.8
3 5.46実測値/%  47.21 11.31 
9.89 5.52吸収極大  入max 7LOnm(スピンナー塗布に より0.1鉢m厚の薄膜を形成 して測定) 合成例2.  六ヒ   6 の ′ 合成例1と同様にして目的物を得た。
収    1   42% 元素分析 CON   Cu 計算値/%  82.05 8.27  ?、24 4
.lQ実測値/%  80.03 8.41  ?、2
1 4.24合成例3.  六    15 − 合成例1と同様にして目的物を得た。
収    率    18% 元素分析 CON    H 計算値/%  59.81 14.50  B、34 
3.29実AI−値/%  80.21 14.01 
111.52 3.Oi合成例4.  へ化−11 合成例1と同様にして目曽物を得た。
収    率    19 、7% 元素分析 CHN   Cu 計算値/%  73.7?  3.33 4.85 2
.75実測値/%  71.8B  3.71 4.8
3 2.98合成例5.  八    18 合成例1と同様にして目的物を得た。
□収 門′□ 元素分析 。
CHN      Cu 計算値7%  58.58 5.91 8.82 5.
00実測値/%  58.62 5.81 8.80 
5.031モルと、エタノール(E t OH)  4
モルとを130℃で3時間反応させ、 を得た。 この化合物4モルに Li” (QCs Hll)−2モルを加えて、130
℃で2時間反応させ Li2 Pc+0Et)IGを得た。 さらに、この化
合物1モルにCaCu5  1モルを加えてアミルアル
コール中で120 ’cで2 時間反応させ、目的物を
得た。
精製は実施例1と同様に行なった。
収    率    23 、9% 元素分析 CHN   Cu 計算値/%  80.02 8.25 8,75 4.
98実′411  イ直 / %     60.+4
    8.20    8.89    4.91吸
収極大  入max 810nm(スピンナー塗布に より0.1鉢m厚の薄膜を形成 して411定) 合成例7.  六 会  28 合成例6と同様にして目的物を得た。
収    率    33 、5 % 元素分析 CHN   C。
1什 n  イ[lT  /  %     87.7
9    2.82    5.f35    2.!
37実測値/%  8B、99 2,85 5.70 
2.91合成例8.  云ヒ  (23の 合成例6と同様にして目的物を得た。
収    率    19.8% 元素分析 CHN   Cu 計算値/%  75.02 3.91 5.47 3.
10実測値/%  73.82 3.93 5.52 
3.08合成例9.  八    29 合成例6と同様にして目的物を得た。
収    率    28 、4% 元素分析 CHN   Fe 計算値/%  [(4,187,497,493,73
実測値/%  B2.94 7.45 7.38 3.
84合成例to、   へ化   3o の合成例6と
同様にして目的物を得た。
収    率    36.4% 元素分析 CHN   Cu 計算値/%  80.91 3.93 39.30 2
.23実測値/%  82.90 3.92 39.1
0 2.21エタノール(EtOH)4モルとを140
℃。
2時間で反応させ、 この化合物4モルにL i ”(OC5HH)−2モル
を加えて150℃で2時間反応させ。
L i 2 P c (−OE t ) IGを得た。
 さらに、この化合物1モルにInC131モルを加え
て。
アミルアルコール中で130℃で1時間反応させ、目的
物を得た。 この反応生成物を100℃に冷却した後、
エタノール(E t OH)で希釈して室温に戻し、濾
過した。 濾別したものをEtOHで洗浄し、さらにE
 t 0H−H20(1: 1)溶液で洗浄し、乾燥し
た。 このようにして得られた粗生成物をシリカカラム
でトルエンによって展開し、分離、精製して目的物を得
た。
収率 18.6% 元素分析 CHN   In 計算値7%54.44 5.e7  7.94 8.1
4実測値/%54.52 5.88   ?、!31 
8.18吸収極大  入wax 830 nm (スピンナー塗布により0.1 鉢mH
の薄膜を形成 して測定) 合成例12   六ヒ   35  の合成例11と同
様にして目的物を得た。
収率 23.2% 元素分析 CHN   In 計算値7%44.88 3,10  8.f38 8.
90実測値/%43.92 3.11  8.88 8
.94合成例13   六ヒ   36  のへ合成例
11と同様にして目的物を得た。
収率 28.4% 元素分析 CHN   Ga 計算値7%58.94 2.48  8,88 4.2
8実1111値/%57.94 2.47   B、!
31 4.30合成例14  例へ化合 (39の 或
合成例11と同様にして目的物を得た。
収率 31.8% 元素分析 CHN   Ga 計算値7%6f(,252,7B   5.52 3.
44実測値/%E15.84 2.72  5.58 
3.49合成例15   六    48 βナフトール16モルとKOH16モルとをキノリン中
で140℃にて゛1時間反応させた。
これにIn0文Pc(CL;L)+s1モルを加え、1
60〜180℃にて1時間反応させた。
得られた反応生成物の精製は合成例11と同様に行った
収率 23.6% 元素分析 CHN   In 計算値7%78.52 3.82  3.82 3.9
1実測値/%77.94 3.85  3.88 3.
89吸収極大  入rsax 840n■(スピンナー塗布により 0.1体重厚の薄膜を形成 して測定) 合成例16   八 −44 合成例15と同様にして目的物を得た。
収率 28.5% 元素分析 CHNA立 合成例15と同様にして目的物を得た。
収率 22.8% 元素分析 CHN   In 計算値7%37.29 3.10   B、22 6.
37実測値/%37.11 3.12  6.21 8
.39合成例18   六    54゜ 合成例15と同様にして目的物を得た。
収率 29.4% 元素分析 CHN   In 計算値7%48.15 4.17  8.49 8.7
1実測値/%48.83 4,19  8.51 8.
70このようなフタロシアニン化合物は、2種以り用い
てもよい。 また本発明の効果をそこなわない範囲で、
他の色素と組み合わせて記録層を形成してもよい。
記録層中には、必要に応じ、樹脂が含まれていてもよい
用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性ないし熱可
塑性樹脂が好適である。
これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。
1)ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4−メチルペンテ
ン−1など。
II)ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレンーフロヒレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−1共重合体、エチレン−無水マレイン酸共重合体、
エチレンプロピレンターポリマー(EFT)など。
この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。
1ii)塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと塩化ビニルとの共重合体、アクリロニトリル
−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重合
したものなど。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
iv) 塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロケン化ビニル共重合体など。
この場合、共重合比は、任意のものとすることができる
V)ポリスチレン vi)スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合体(AS樹
脂)、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共重合
体(ABS樹脂)、スチレン−無水マレイン酸共重合体
(S MA樹脂)、スチレン−アクリル酸エステル−ア
クリルアミド共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
(SBR)、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、スチ
レン−メチルメタアクリレ−1共重合体など。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
マii)スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、2
,5−ジクロルスチレン、α。
β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセナフ
テン、ビニルアントラセンなと、あるいはこれらの共重
合体、例えば、α−メチルスチレンとメタクリル酸エス
テルとの共重合体。
マ1ii)クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共ffi合体。
ix)テルペン樹脂ないしピッライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピッライト
りアクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。
式         RIO CH−C− 鳳 −0R2D ■ 上記式において、R10は、水素原子またはアルキル基
を表わし、R20は、置換または非置換のアルキル基を
表わす。 この場合、L2式において、R10は、水素
原子または炭素原子数1〜4の低級アルキル基、特に水
素原子またはメチル基であることが好ましい。
また、R20は、置換、非置換いずれのアルキル基であ
ってもよいが、アルキル基の炭素原子数は1〜8である
ことが好ましく、また、R20が置換アルキル基である
ときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ハ
ロゲン原子またはアミン基(特に、ジアルキルアミノ基
)であることが好ましい。
このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、丑記式で示される原子団
の1種または2種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。
菫i)ポリ7クリロニトリル xii)アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、アクリロニト
リル−アクリル酸ブチル共重合体など。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
冨1ii)ダイアセトンアクリルアミドポリマーアクリ
ロこトリルにア七トンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。
xii)ポリ酢酸ビニル 菫マ)酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。
共重合比は任意のものであってよい。
xii)ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。
冨マii)ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン6、ナイロン
6−6、ナイロン6−10゜ナイロン6−12.ナイロ
ン9、ナイロン11、ナイロン12、ナイロン13等の
通常のホモナイロンの他、ナイロン676−6/6−1
0、ナイロン6/6−6/12、ナイロン6/6−6/
11等の重合体や、場合によっては変性ナイロンであっ
てもよい。
!マ1ii)ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸
、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル醜などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。
そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は。
特に好適である。
さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用される
X目)ポリビニルアセタール系樹脂 ボリヒニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセタール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。
この場合、ポリビニルアセタール系樹脂の7セタ一ル化
度は任意のものとすることができる。
xx)ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。
特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂 とりわけ、アルキレン
グリコールとアルキレンジイソシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。
xxi)ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合物
、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプロ
ピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。
冨xii)セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース。
ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、エ
チルヒドロキシエチルセルロースなど、セルロースの各
種エステル、エーテルないしこれらの混合体。
!!百i)ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロバンカーポネート等の各種ポリ
カーボネート。
xxiマ)アイオノマー メタクリル酸、アクリル酸などのNa。
Li、Zn、Mg塩など。
!Xマ)ケトン樹脂 例えば、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。
!!マ1)!Pシレン樹脂 例工ば、m−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。
!!v目)石油樹脂 C5系、C9系、C3−C9共重合系、ジシクロペンタ
ジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体な
ど。
!!マ肯i)」−記 i)〜!!マ■)の2種以上のブ
レンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド体
なお、樹脂の分子量等は、種々のものであってよい。
このような樹脂と、前記の色素とは、通常。
m f&比で1対0.1−100の広範な量比にて設層
される。
なお、このような記録層中には、別途他のクエンチャ−
1例えば、特願昭58−1813E18号等に記載した
ものが含有されてもよい。
このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。
そして、記録層の厚さは、通常、0.02〜10用m程
度とされる。
なお、このような記録層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種可・W剤、界面活性
剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、酸化
防止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。
このような記録層を設層するには、基体上に、所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。
なお、塗布に用いる溶媒としては、例えば、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトール
アセテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステ
ル系2メチルセロンルブ、エチルセロソルブ等のエーテ
ル系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジグロ
ロエタン等のハロゲン化アルキル系、アルカン系、脂環
系、アルコール系などを用いればよい。
このような記録層を設層する基体の材質としては、書き
込み光および読み出し光に対し実質的に透明なものであ
れば、特に制限はなく、各種樹脂、ガラス等いずれであ
ってもよい。
また、その形状は使用用途に応じ、テープ。
カード、ドラム、ベルト等いずれであってもよい。
なお、基体は、通常、トラッキング用の溝を有する。
また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチルメタクリ
レート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルサルフォン
、メチルペンテンポリマー等の、みぞ付きないしみぞな
し基体が好適である。
これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝
導度等を改善するために、基体上に下地層を形成するこ
とが好ましい。 下地層の材質としては、Si、Ti、
A1.Zr。
In、Ni、Ta等の有機錯化合物や有機多官能性化合
物を塗布、加熱乾燥して形成された酸化物であることが
好ましい。
この他、各種感光性樹脂等下地層として用いることもで
きる。
また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層保護層、
ハーフミラ一層などを設けることもできる。
本発明の媒体は、このような基体の一面上に上記の記録
層を有するものであっても゛よく、その両面に記録層を
有するものであってもよい。
また、基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつかないようにすることもできる。
また、このような所定の間隙に、シリコーン樹脂等を充
填して、密着型にすることもできる。
■ 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において ゛記録光
をパルス状に照射する。 このとき記録層中の色素の発
熱により1色素が融解等し、ビットが形成される。
このように形成されたビットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反射
光を検出することにより読み出される。゛ この場合、記録および読み出しは、主に、基体側から基
体をとおして行う。
そして、一旦記録層に形成したビットを光ないし熱で消
去し、再書き込みを行うこともできる。
なお、記録ないし読み出し光としては、半導体レーザー
等を用いることができる。
■ 発明の具体的効果 本発明によれば、読み出し光による再生劣化がきわめて
小さくなる。
そして、耐光性も向上し2明室保存による特性劣化が少
なく、さらに耐熱性、耐酸化性、耐湿性にも優れる。
そして、消去および再書き込みを行うようなときにも特
性の劣化が少ない、さらには、保存性も向上する。
また、近赤外および赤外域の記録光によっても、容易に
Sき込みができる。
また、反射層を積層しなくても、基体をとおして書き込
みと読み出しを良好に行うことができる。
■ 発明の具体的実施例 以F1本発明の具体的実施例を示し1本発明をさらに詳
細に説]J1する。
実施例1 ド記表1に示されるフタロシアニン化合物を用い、フタ
ロシアニン化合物0.05gをトルエン等の有機溶剤2
.7gに溶解して、濾過した後、直径30cmの案内溝
付アクリルディスク基板上に、0.08pmの厚さにス
ピンナーを用いて塗布設層して、各種媒体をえた。
なお、用いたフタロシアニン化合物は上記にて例示した
No、のものを用いた。
このようにして作製した各媒体を、900r、p、m、
にて回転させながら、半導体レーザーを用いて、基板裏
面側から書き込みを行った。
この場合、集光部出力は10mW、周波数は2MHzで
ある。
次いで、半導体レーザーを読み出し光とし、基板をとお
しての反射光を検出してヒユーレットパラカード社製の
スペクトラムアナライザーにて、ハント巾30KHzで
C/N比を測定した。
これらの結果を表1に示す。
表        1 1  例示化合物(7)     582  例示化合
物(10)    573  例示化合物(12)  
  594  例示化合物(15)    585  
例示化合物(17)    596  例示化合物(2
3)    607  例示化合物(24)    6
08  例示化合物(26)    599  例示化
合物(27)    5810  例示化合物(30)
    5911  例示化合物(34)    59
12  例示化合物(36)    5 a13  例
示化合物(39)    5814  例示化合物(4
4)    5915  例示化合物(48)    
6016  例示化合物(49)    5917  
例示化合物(51)    5818  例示化合物(
53)    5919  例示化合物(55)   
 s 5110 例示化合物(57)    5811
1  バナジルフタロシアニン 38表1の結果から、
本発明の効果があきらかである。
出願人  ティーディーケイ株式会社 代理人  弁理士  石 井 陽 −−(、−・ 工1;(シ;:二ゞ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ または、 式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ {式( I )および(II)中、Mは水素原子、金属もし
    くは半金属原子またはM_1Xを表わす。 M_1はIIIB金属原子を表わし、Xはハロゲン原子を
    表わす。 kはMが水素原子または金属原子であるときにはその原
    子価の1/2の逆数を表わし、MがM_1であるときに
    は1である。 Pcはフタロシアニン核を表わす。 R_1およびR_3は、それぞれ、置換または非置換の
    脂肪族基、脂環式基、芳香族基または複素環基を表わす
    。 R_2は置換または非置換の2価の脂肪族基、脂環式基
    、芳香族基または複素環基を表わす。 X_1およびX_2は、それぞれ、O、S、Se、Te
    またはNT(Tは水素原子、アルキル基またはアリール
    基を表わす。)を表わす。 Yは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 nは5〜16、lは1〜8、mは0〜14の正の整数を
    表わす} で示されるフタロシアニン化合物を含む記録層を基体上
    に有することを特徴とする光記録媒体。
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