JP2507759B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は，レーザー光線によって情報を書き込んだ
り，読取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する
ものである。
り，読取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する
ものである。
（従来の技術） 従来，レーザー光線を用いて情報を記録する媒体には
種々のものがあるが，その一つにレーザー光線を基板上
の記録層に照射することによって，照射部分を局部的に
加熱し，融解，蒸発または分解等の物理的変化を起させ
情報を記録するものがある。
種々のものがあるが，その一つにレーザー光線を基板上
の記録層に照射することによって，照射部分を局部的に
加熱し，融解，蒸発または分解等の物理的変化を起させ
情報を記録するものがある。
これまで基板上の記録層として,As,Te,Se,Ti等の金属
や合金の薄膜層が使用されてきた。このような記録層を
有する光学記録媒体は，一般に比較的書き込み感度が高
く，また記録再生の光学系が小型にできる半導体レーザ
ーにも適用することができるが，熱伝導率が大きい，反
射率が小さい等の理由で記録時にレーザー光線のエネル
ギーを効率よく利用できず，高速走査で記録するには大
出力のレーザー光線が必要となる場合がある。また，こ
れらの記録層は化学的に不安定であり，空気中で劣化さ
れることがある。
や合金の薄膜層が使用されてきた。このような記録層を
有する光学記録媒体は，一般に比較的書き込み感度が高
く，また記録再生の光学系が小型にできる半導体レーザ
ーにも適用することができるが，熱伝導率が大きい，反
射率が小さい等の理由で記録時にレーザー光線のエネル
ギーを効率よく利用できず，高速走査で記録するには大
出力のレーザー光線が必要となる場合がある。また，こ
れらの記録層は化学的に不安定であり，空気中で劣化さ
れることがある。
この様なことから，近年比較的長波長（例えば780nm
以上）のレーザー光線を用いて，基板上の有機薄膜層に
情報を書き込んだり読み取ったりする光記録媒体の研究
がなされている。
以上）のレーザー光線を用いて，基板上の有機薄膜層に
情報を書き込んだり読み取ったりする光記録媒体の研究
がなされている。
この様な有機薄膜層は，半導体レーザーを用いて融
解，蒸発または分解等によって容易に小さな凹部（ピッ
ト）を形成できる利点を持っている。
解，蒸発または分解等によって容易に小さな凹部（ピッ
ト）を形成できる利点を持っている。
有機薄膜層を基板の上に形成させ，レーザー光線を用
いて情報を記録，再生する光ディスクとして特開昭57-8
2093,特開昭58-56892,特開昭60-89842,特開昭60-150243
等の各号公報がすでに公知である。しかしながら，半導
体レーザー光線に対して吸収係数が大きい，記録感度の
高い光記録媒体として完全に満足できるものは開発され
ていないのが実情である。
いて情報を記録，再生する光ディスクとして特開昭57-8
2093,特開昭58-56892,特開昭60-89842,特開昭60-150243
等の各号公報がすでに公知である。しかしながら，半導
体レーザー光線に対して吸収係数が大きい，記録感度の
高い光記録媒体として完全に満足できるものは開発され
ていないのが実情である。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は，化学的，物理的に安定でレーザー光線で高
感度で記録再生できる安価な特定のフタロシアニン系化
合物を用いた光記録媒体を提供するものである。
感度で記録再生できる安価な特定のフタロシアニン系化
合物を用いた光記録媒体を提供するものである。
〔発明の構成〕 （問題を解決するための手段） 本発明者等は鋭意研究を行った結果，基板上に特定の
構造を有するフタロシアニン系化合物を含有する記録層
を有する光記録媒体が優れた種々の特性を有することを
見出し，本発明を完成するに到った。
構造を有するフタロシアニン系化合物を含有する記録層
を有する光記録媒体が優れた種々の特性を有することを
見出し，本発明を完成するに到った。
即ち本発明は基板上に下記一般式〔Ｉ〕で示される特
定のフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以上を含
有する記録層を形成させることを特徴とする。
定のフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以上を含
有する記録層を形成させることを特徴とする。
一般式〔Ｉ〕 式中，A1,A2,A3,A4はそれぞれ独立に下記式で示され
るいずれかの含窒素複素環を表す。
るいずれかの含窒素複素環を表す。
X1,X2,X3,X4はそれぞれ独立に水素原子，ハロゲン原
子，シアノ基，ニトロ基，カルボン酸基，スルホン酸
基，置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基，置換もし
くは未置換の芳香族炭化水素基，置換もしくは未置換の
芳香族複素環基，−OR1，−SR2， −NHCOR9，−CO2R10，−Ｎ＝Ｎ−R11 （ここで，R1ないしR11は水素原子，置換もしくは未置
換の脂肪族炭化水素基，置換もしくは未置換の芳香族炭
化水素基または置換もしくは未置換の芳香族複素環基を
表す。） Ｍは水素原子，またはハロゲン原子，酸素原子を有し
てもよい金属原子または（OR12）p,（OSiR13R14R15）ｑ
を有してもよい金属原子を表す。（ここでR12,R13,R14,
R15はR1ないしR11と同様。p,qは０ないし２の整数を表
す。） k,l,mおよびｎはそれぞれ独立に０ないし４の整数を
表す。
子，シアノ基，ニトロ基，カルボン酸基，スルホン酸
基，置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基，置換もし
くは未置換の芳香族炭化水素基，置換もしくは未置換の
芳香族複素環基，−OR1，−SR2， −NHCOR9，−CO2R10，−Ｎ＝Ｎ−R11 （ここで，R1ないしR11は水素原子，置換もしくは未置
換の脂肪族炭化水素基，置換もしくは未置換の芳香族炭
化水素基または置換もしくは未置換の芳香族複素環基を
表す。） Ｍは水素原子，またはハロゲン原子，酸素原子を有し
てもよい金属原子または（OR12）p,（OSiR13R14R15）ｑ
を有してもよい金属原子を表す。（ここでR12,R13,R14,
R15はR1ないしR11と同様。p,qは０ないし２の整数を表
す。） k,l,mおよびｎはそれぞれ独立に０ないし４の整数を
表す。
更に置換基について説明すると，X1,X2,X3,X4は水素
原子または塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子等のハロゲ
ン原子，シアノ基，ニトロ基，カルボン酸基，スルホン
酸基またはメチル基，エチル基,t−ブチル基,n−ステア
リル基，トリクロルメチル基，アハノメチル基，ヒドロ
キシメチル基等の置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素
基，フェニル基，ナフチル基，アントリル基,2−メチル
フェニル基,4−クロルメチル基,4−ジメチルアミノナフ
チル基等の置換もしくは未置換の芳香族炭化水素基，ま
たはピリジル基，カルバゾリル基，ジベンゾフリル基，
ベンゾチアゾリル基,4−メチルピリジル基等の置換もし
くは未置換の芳香族複素環基，メトキシ基，エトキシ
基，ステアリルオキシ基，フェノキシ基，ヘキシルチオ
基,t−ブチルチオ基，フェニルチオ基，アミノ基,n−ブ
チルアミノ基，ジエチルアミノ基，ジフェニルアミノ
基，ジベンジルアミノ基， 等であるが，これらの置換基に限定されるものではな
い。
原子または塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子等のハロゲ
ン原子，シアノ基，ニトロ基，カルボン酸基，スルホン
酸基またはメチル基，エチル基,t−ブチル基,n−ステア
リル基，トリクロルメチル基，アハノメチル基，ヒドロ
キシメチル基等の置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素
基，フェニル基，ナフチル基，アントリル基,2−メチル
フェニル基,4−クロルメチル基,4−ジメチルアミノナフ
チル基等の置換もしくは未置換の芳香族炭化水素基，ま
たはピリジル基，カルバゾリル基，ジベンゾフリル基，
ベンゾチアゾリル基,4−メチルピリジル基等の置換もし
くは未置換の芳香族複素環基，メトキシ基，エトキシ
基，ステアリルオキシ基，フェノキシ基，ヘキシルチオ
基,t−ブチルチオ基，フェニルチオ基，アミノ基,n−ブ
チルアミノ基，ジエチルアミノ基，ジフェニルアミノ
基，ジベンジルアミノ基， 等であるが，これらの置換基に限定されるものではな
い。
Ｍは,H,Na,Li,Cu,Fe,Co,Ni,Zn,Mn,Pb,Si,Mg,Al-Cl,In
-Cl,Ti＝O,V＝O,Si(OC2H5)2Al-OnC5H11,Si〔OSi(C
H3)3〕２等を表すが，これらに限定されるものではな
い。
-Cl,Ti＝O,V＝O,Si(OC2H5)2Al-OnC5H11,Si〔OSi(C
H3)3〕２等を表すが，これらに限定されるものではな
い。
k,l,mおよびｎはそれぞれ独立に０ないし４の整数を
表すが好ましくは１ないし２である。
表すが好ましくは１ないし２である。
上記一般式〔Ｉ〕で表わされるフタロシアニン化合物
は，可視から近赤外領域に大きな吸収を有し，レーザー
光線による記録再生に好適である。
は，可視から近赤外領域に大きな吸収を有し，レーザー
光線による記録再生に好適である。
本発明で使用する上記一般式〔Ｉ〕で表わされるフタ
ロシアニン系化合物は，一般には下記一般式〔II〕で示
されるニトリル類と各種金属塩（無金属フタロシアニン
系化合物の場合は使用しない。）とを好ましくは有機溶
媒中で加熱することにより製造することができる。
ロシアニン系化合物は，一般には下記一般式〔II〕で示
されるニトリル類と各種金属塩（無金属フタロシアニン
系化合物の場合は使用しない。）とを好ましくは有機溶
媒中で加熱することにより製造することができる。
一般式〔II〕 式中，A5,X5はそれぞれ一般式〔Ｉ〕中のA1ないしA4,
X1ないしX4と同様であり,rは０ないし４の整数を表す。
X1ないしX4と同様であり,rは０ないし４の整数を表す。
これらのフタロシアニン系化合物の製造には，アルコ
ール類，グリコール類，キシレン，キノリン，α−クロ
ルナフタレン，ニトロベンゼン，スルホラン,N,N−ジメ
チルホルムアミド等の一般の有機溶媒を広く使用するこ
とができるが無溶媒でも得られる。
ール類，グリコール類，キシレン，キノリン，α−クロ
ルナフタレン，ニトロベンゼン，スルホラン,N,N−ジメ
チルホルムアミド等の一般の有機溶媒を広く使用するこ
とができるが無溶媒でも得られる。
また，溶媒としてアルカリやジアザビシクロウンデセ
ン（DBU），シクロヘキシルアミン等の有機アミンを使
用した方が好ましい場合がある。
ン（DBU），シクロヘキシルアミン等の有機アミンを使
用した方が好ましい場合がある。
また，原料となる金属塩は，種々の金属塩が使用でき
る。
る。
以下に本発明で使用する一般式〔Ｉ〕で表わされるフ
タロシアニン系化合物代表例を更に具体的にあげるが，
本発明は以下の代表例に限定されるものではない。
タロシアニン系化合物代表例を更に具体的にあげるが，
本発明は以下の代表例に限定されるものではない。
本発明において，記録層を設ける基板材料としては，
ガラス，プラスチック，紙，金属板等種々の材料を使用
することができる。
ガラス，プラスチック，紙，金属板等種々の材料を使用
することができる。
プラスチックとしては，塩化ビニル樹脂，アクリル酸
樹脂，ポリエステル樹脂，ポリエチレン樹脂，ポリアミ
ド樹脂，ポリカーボネート樹脂，エポキシ樹脂，メタク
リル酸樹脂，酢酸ビニル樹脂，ニトロセルロース，ポリ
プロピレン樹脂，ポリエチレンテレフタレート樹脂，フ
ェノール樹脂，及びこれらの共重合体などがあげられ
る。
樹脂，ポリエステル樹脂，ポリエチレン樹脂，ポリアミ
ド樹脂，ポリカーボネート樹脂，エポキシ樹脂，メタク
リル酸樹脂，酢酸ビニル樹脂，ニトロセルロース，ポリ
プロピレン樹脂，ポリエチレンテレフタレート樹脂，フ
ェノール樹脂，及びこれらの共重合体などがあげられ
る。
本発明の特定のナフタロシアニン化合物を含有する記
録層を基板上に形成する方法としては，真空蒸着法，ス
パッタリング法，イオンプレート法，キャスト法，スピ
ナー法，スプレーコート法，ブレードコーティング法,L
B法等の化学的，機械的方法がある。
録層を基板上に形成する方法としては，真空蒸着法，ス
パッタリング法，イオンプレート法，キャスト法，スピ
ナー法，スプレーコート法，ブレードコーティング法,L
B法等の化学的，機械的方法がある。
本発明ではスピナー法が最も好ましい。また必要に応
じて高分子バインダーと混合することもできる。高分子
バインダーとしては，上記基板材料に使用するプラスチ
ック類を使用することができる。
じて高分子バインダーと混合することもできる。高分子
バインダーとしては，上記基板材料に使用するプラスチ
ック類を使用することができる。
スピナー法で塗工する場合には，フタロシアニン化合
物をアルコール類，ケトン類，アミド類，スルホキシド
類，エーテル類，エステル類，脂肪族ハロゲン化炭化水
素類，芳香族炭化水素類等の一般の有機溶媒に分散また
は溶解して塗布する。この時場合によっては高分子バイ
ンダーを加える。基板上に形成するナフタロシアニンを
含む記録層は,10μｍ以下で，好ましくは500Å〜２μｍ
以下である。塗布した後，クロロホルム，テトラヒドロ
フラン，トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらすことによ
って，薄膜の吸収波長を長波長にシフトして，レーザー
光に対する感度を著しく向上することができる場合もあ
る。
物をアルコール類，ケトン類，アミド類，スルホキシド
類，エーテル類，エステル類，脂肪族ハロゲン化炭化水
素類，芳香族炭化水素類等の一般の有機溶媒に分散また
は溶解して塗布する。この時場合によっては高分子バイ
ンダーを加える。基板上に形成するナフタロシアニンを
含む記録層は,10μｍ以下で，好ましくは500Å〜２μｍ
以下である。塗布した後，クロロホルム，テトラヒドロ
フラン，トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらすことによ
って，薄膜の吸収波長を長波長にシフトして，レーザー
光に対する感度を著しく向上することができる場合もあ
る。
また，これらの記録層を保護するために，Al2O3,Si
O2,SiO,SnO2，等の無機化合物を蒸着して保護層を設け
てもよい。保護層として基板材料に用いるポリマーを塗
布してもよい。
O2,SiO,SnO2，等の無機化合物を蒸着して保護層を設け
てもよい。保護層として基板材料に用いるポリマーを塗
布してもよい。
本発明で得られる光記録媒体は,He-Neレーザー光線は
勿論，ルビー,Ar,半導体レーザー光線等の各種レーザー
光線によって書込み，読み出しの記録再生ができる。
勿論，ルビー,Ar,半導体レーザー光線等の各種レーザー
光線によって書込み，読み出しの記録再生ができる。
次に本発明を実施例により，更に具体的に説明する
が，本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
例中部は重量部である。
が，本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
例中部は重量部である。
（実施例） 〔合成例1;化合物No.1の合成〕 上記構造のニトリル3.9部，塩化ニッケル0.65部，ジ
アザビシクロウンデセン（DBU）3.0部をｎ−アミルアル
コール50部に加え６時間還流した後，メタノール500部
で希釈，生成物をロ別し，メタノール，アセトンで洗浄
した後,1％塩酸水,1％水酸化ナトリウム水溶液で洗浄
し，化合物No.1 3.0部が得られた。
アザビシクロウンデセン（DBU）3.0部をｎ−アミルアル
コール50部に加え６時間還流した後，メタノール500部
で希釈，生成物をロ別し，メタノール，アセトンで洗浄
した後,1％塩酸水,1％水酸化ナトリウム水溶液で洗浄
し，化合物No.1 3.0部が得られた。
〔合成例2;化合物No.3の合成〕 上記構造のニトリル4.7部，三塩化バナジウム0.8部を
キノリン70部に加え,180〜190℃で５時間加熱，攪拌し
た後，メタノール500部で希釈，生成物をメタノール，
アセトンで洗浄し,1％塩酸水,1％水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄し，化合物No.3 2.7部が得られた。
キノリン70部に加え,180〜190℃で５時間加熱，攪拌し
た後，メタノール500部で希釈，生成物をメタノール，
アセトンで洗浄し,1％塩酸水,1％水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄し，化合物No.3 2.7部が得られた。
〔合成例3;化合物No.8の合成〕 合成例２において使用したニトリルを上記構造のニト
リル4.7部に変え，合成例２と同様に合成，精製し，化
合物No.8 2.4部が得られた。
リル4.7部に変え，合成例２と同様に合成，精製し，化
合物No.8 2.4部が得られた。
〔合成例4;化合物No.9の合成〕 合成例１において使用したニトリルを上記構造のニト
リル6.4部に変え，合成例１において使用した塩化ニッ
ケルを塩化第一スズ0.9部に変え，合成例１と同様に合
成，精製し，化合物No.9 5.2部が得られた。
リル6.4部に変え，合成例１において使用した塩化ニッ
ケルを塩化第一スズ0.9部に変え，合成例１と同様に合
成，精製し，化合物No.9 5.2部が得られた。
実施例１ メチルセロソルブ100重量部に化合物No.3 3重量部を
溶解し，この溶液をポリカーボネート樹脂基板上に500r
pmスピナーコーティング法で塗布した後,90〜100℃で１
時間乾燥して約7000Åの記録層を得た。
溶解し，この溶液をポリカーボネート樹脂基板上に500r
pmスピナーコーティング法で塗布した後,90〜100℃で１
時間乾燥して約7000Åの記録層を得た。
この様にして製作した光学記録媒体をターンテーブル
に取りつけターンテーブルを1600rpmで回転しながら，
スポットサイズ0.6μに集束した5mWおよび8MHzのガリウ
ム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザー光線（830nm）
を記録層にトラック状に照射して記録を行なった。記録
を完了した記録層は，鮮明なピットが電子顕微鏡で観察
された。またこの光記録媒体を低出力ガリウム−アルミ
ニウム−ヒ素半導体レーザー光線を入射し，反射光の検
知を行なったところ実用に十分なS/N比を有する波形を
示した。
に取りつけターンテーブルを1600rpmで回転しながら，
スポットサイズ0.6μに集束した5mWおよび8MHzのガリウ
ム−アルミニウム−ヒ素半導体レーザー光線（830nm）
を記録層にトラック状に照射して記録を行なった。記録
を完了した記録層は，鮮明なピットが電子顕微鏡で観察
された。またこの光記録媒体を低出力ガリウム−アルミ
ニウム−ヒ素半導体レーザー光線を入射し，反射光の検
知を行なったところ実用に十分なS/N比を有する波形を
示した。
実施例２ 市販のニトロセルロース樹脂３重量部をメチルエチル
ケトン10重量部に溶解し，化合物No.1 5重量部，および
ジクロロメタン200重量部を上記の樹脂溶液と混合，溶
解した。この溶液をパイレックス基板上に500rpmスピナ
ーコーティング法により塗布し,90℃の温度で２時間乾
燥し，約900Åの記録層を得た。
ケトン10重量部に溶解し，化合物No.1 5重量部，および
ジクロロメタン200重量部を上記の樹脂溶液と混合，溶
解した。この溶液をパイレックス基板上に500rpmスピナ
ーコーティング法により塗布し,90℃の温度で２時間乾
燥し，約900Åの記録層を得た。
この様にして製作した光学記録媒体を実施例１と同様
に記録を行ったところ，この記録層は鮮明なピットが電
子顕微鏡で観察され，また，実施例１と同様な入射レー
ザー光線の反射光の検知を行なったところ実用に十分な
S/N比を有する波形を示した。
に記録を行ったところ，この記録層は鮮明なピットが電
子顕微鏡で観察され，また，実施例１と同様な入射レー
ザー光線の反射光の検知を行なったところ実用に十分な
S/N比を有する波形を示した。
実施例３ 真空度10-7Torrで，厚さ1mmのアクリル基板上に基板
温度を室温にし，化合物No.8を蒸着し膜厚を800Åとし
た。
温度を室温にし，化合物No.8を蒸着し膜厚を800Åとし
た。
この様にして作製した光記録媒体を実施例１と同様に
記録を行なったところ，この記録層は鮮明なピットが電
子顕微鏡で観察され，また，実施例１と同様な入射レー
ザー光線の反射光の検知を行なったところ実用に十分な
S/N比を有する波形を示した。
記録を行なったところ，この記録層は鮮明なピットが電
子顕微鏡で観察され，また，実施例１と同様な入射レー
ザー光線の反射光の検知を行なったところ実用に十分な
S/N比を有する波形を示した。
実施例４ エチルセロソルブ100重量部に化合物No.9 3.5重量部
を溶解し，この溶液をポリカーボネート樹脂基板上に50
0rpmスピナーコーティング法で塗布した後，減圧下80〜
90℃で１時間乾燥して約600Åの記録層を得た。
を溶解し，この溶液をポリカーボネート樹脂基板上に50
0rpmスピナーコーティング法で塗布した後，減圧下80〜
90℃で１時間乾燥して約600Åの記録層を得た。
このようにして作製した光学記録媒体を実施例１と同
様に記録を行ったところ，この記録層は鮮明なピットが
電子顕微鏡で観察され，また，実施例１と同様な入射レ
ーザー光線の反射光の検知を行ったところ実用に十分な
S/N比を有する波形を示した。
様に記録を行ったところ，この記録層は鮮明なピットが
電子顕微鏡で観察され，また，実施例１と同様な入射レ
ーザー光線の反射光の検知を行ったところ実用に十分な
S/N比を有する波形を示した。
本発明は以上のような構成よりなり，化学的，物理的
に安定でレーザー光線で高感度で記録再生できる特徴を
有する。
に安定でレーザー光線で高感度で記録再生できる特徴を
有する。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−34791（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130983（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に下記一般式〔Ｉ〕で示されるフタ
ロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する有
機薄膜層を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式〔Ｉ〕 式中，A1,A2,A3,A4はそれぞれ独立に下記式で示される
いずれかの含窒素複素環を表す。 X1,X2,X3,X4はそれぞれ独立に水素原子，ハロゲン原
子，シアノ基，ニトロ基，カルボン酸基，スルホン酸
基，置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基，置換もし
くは未置換の芳香族炭化水素基，置換もしくは未置換の
芳香族複素環基，−OR1，−SR2， −NHCOR9，−CO2R10，−Ｎ＝Ｎ−R11 （ここで，R1ないしR11は水素原子，置換もしくは未置
換の脂肪族炭化水素基，置換もしくは未置換の芳香族炭
化水素基または置換もしくは未置換の芳香族複素環基を
表す。） Ｍは水素原子，またはハロゲン原子，酸素原子を有して
もよい金属原子または（OR12）p,（OSiR13R14R15）ｑを
有してもよい金属原子を表す。（ここでR12,R13,R14,R
15はR1ないしR11と同様。p,qは０ないし２の整数を表
す。） k,l,mおよびｎはそれぞれ独立に０ないし４の整数を表
す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261382A JP2507759B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261382A JP2507759B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103495A JPH01103495A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2507759B2 true JP2507759B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=17361072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62261382A Expired - Lifetime JP2507759B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507759B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013088486A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Adeka Corp | 近赤外線吸収性合成樹脂組成物 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2545558B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1996-10-23 | 東洋インキ製造株式会社 | 光学記録媒体 |
| US7138391B2 (en) * | 2004-08-09 | 2006-11-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Hydrophilizable and hydrophilic cyanine dyes |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62261382A patent/JP2507759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013088486A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Adeka Corp | 近赤外線吸収性合成樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01103495A (ja) | 1989-04-20 |
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