JPH0239991A - 光学記録媒体 - Google Patents
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- JPH0239991A JPH0239991A JP63190931A JP19093188A JPH0239991A JP H0239991 A JPH0239991 A JP H0239991A JP 63190931 A JP63190931 A JP 63190931A JP 19093188 A JP19093188 A JP 19093188A JP H0239991 A JPH0239991 A JP H0239991A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザー光線によって、情報を書込んだり、
読み取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。
読み取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。
(従来の技術)
従来から、レーザー光線を用いて、情報を記録し。
読み取る光学記録媒体としては9種々のものが知られて
いる。その一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照
射して、照射部分に融解、蒸発1分解などの変化を生じ
させて記録を行なうものがある。
いる。その一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照
射して、照射部分に融解、蒸発1分解などの変化を生じ
させて記録を行なうものがある。
このような光学記録媒体の記録層としては、As。
Te、Se、Tiなどの金属や合金の薄膜層が用いられ
てきた。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学
記録媒体は、一般に、書込み感度が高く。
てきた。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学
記録媒体は、一般に、書込み感度が高く。
記録再生光学系を小型化できる半導体レーザーを適用で
きると言う特長があるが、熱伝導率が大であるなどの理
由により、記録時にレーザー光線のエネルギーを効率よ
く利用できないという欠点があった。
きると言う特長があるが、熱伝導率が大であるなどの理
由により、記録時にレーザー光線のエネルギーを効率よ
く利用できないという欠点があった。
また、これらの記録層は、化学的に不安定であり。
劣化することがあった。
このため、特開昭57−82093号公報、特開昭58
−56892号公報、特開昭60.−89842号公報
、特開昭60−150243号公報などにより、記録層
として有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば780
nm以上のレーザー光線により情報の書込みや読取りを
行なう光学記録媒体が提案された。このような光学記録
媒体では、記録再生光学系の小型化が可能な半導体レー
ザーによる融解、蒸発2分解などによって、有機薄膜層
に容易に微小な四部(ピット)を形成させることができ
るものの。
−56892号公報、特開昭60.−89842号公報
、特開昭60−150243号公報などにより、記録層
として有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば780
nm以上のレーザー光線により情報の書込みや読取りを
行なう光学記録媒体が提案された。このような光学記録
媒体では、記録再生光学系の小型化が可能な半導体レー
ザーによる融解、蒸発2分解などによって、有機薄膜層
に容易に微小な四部(ピット)を形成させることができ
るものの。
半導体レーザー光線に対する吸光係数が大きく、記録感
度が十分ではないなどの欠点があった。
度が十分ではないなどの欠点があった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、有a薄膜記録層を有する光学記録媒体の種々
の欠点をを改良し、化学的・物理的に安定でレーザー光
線により高感度で記録・再生ができる特定のフタロシア
ニン系化合物を用いた光学記録媒体を提供するものであ
る。
の欠点をを改良し、化学的・物理的に安定でレーザー光
線により高感度で記録・再生ができる特定のフタロシア
ニン系化合物を用いた光学記録媒体を提供するものであ
る。
(発明の構成〕
(課題を解決するための手段)
本発明は、基板上に、下記一般弐(1〕で示されろフタ
ロシアニン系化合物の少なくとも1種以上を含有する有
機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。
ロシアニン系化合物の少なくとも1種以上を含有する有
機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。
(以下、余白)
〔式中、環A1〜A4は、それぞれ独立に、ベンゼン環
、ナフタレン環、またはアントラセン環を表わす。
、ナフタレン環、またはアントラセン環を表わす。
Mは、Al1.Ga、In、Si、Ge、またはSnを
表わす。
表わす。
Yは、−3−3i−R’ R” R3を表わす。
R’ R2R3は、互いに同一であっても異なって
いてもよく、置換基を有してもよいアルキル基。
いてもよく、置換基を有してもよいアルキル基。
アリール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、またはポリエーテル基を表わす、。
基、またはポリエーテル基を表わす、。
Xは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、水酸基
、ハロゲン原子、−NO2,−CN。
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、水酸基
、ハロゲン原子、−NO2,−CN。
So、H,−0R4、−3R’ 、−NHCOR’。
−COR’ 、−COOR8,−N=CHR’ 。
−N=NRIO−NR目R12−3O2NR”R”C0
NR”R16,または−CH7N HCOCH2NR1
7R′8を表わす。
NR”R16,または−CH7N HCOCH2NR1
7R′8を表わす。
R4,R5,R6,R7,Re、 R9,RIGは。
置換基を有していてもよいアルキル2.(、アリール基
。
。
アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、またはポ
リエーテル基を表わす。
リエーテル基を表わす。
R”、 R” R’ コl、 R皿4
. RIS R+6 1’;j17.
R18は、互いに同一であっても異なっていてもよ
く、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基に、また
はアリール基を表わすか Rl lとR12とで p+
3とR14とで、R”とRI6とで、あるいはR17と
R11+とでこれらと結合したちっ素原子を含む4〜7
員環の複素環を表わす。
. RIS R+6 1’;j17.
R18は、互いに同一であっても異なっていてもよ
く、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基に、また
はアリール基を表わすか Rl lとR12とで p+
3とR14とで、R”とRI6とで、あるいはR17と
R11+とでこれらと結合したちっ素原子を含む4〜7
員環の複素環を表わす。
k、l、m、nは、それぞれ独立にO〜8の整数を表わ
す。
す。
pは、■または2を表わす。〕
本発明において、−形式(I)で示される化合物は1例
えば、以下の方法により製造することができる。
えば、以下の方法により製造することができる。
すなわち、下記−形式(II)で示されるイソインドレ
ニン化合物と各種金属塩とから、−形式(I[I)で示
されるフタロシアニン系化合物を製造する。
ニン化合物と各種金属塩とから、−形式(I[I)で示
されるフタロシアニン系化合物を製造する。
−形式(n)
〔式中、A”、X、に、l、m、nは、−形式(r)に
おける意味と同じ意味を表わす。〕(以下、余白) 一般式(11[) のフタロシアニン化合物(a)〜(j)をあげるこ〔式
中、環A1〜’、 M、 k、 l、 m、 nおよ
びpは、−形式(1)における意味と同じ意味を表わす
。〕次に、得られた一般式CI[[)で示されるフタロ
シアニン系化合物に、公知の方法1例えば、 M、E、
Kenney et、al、:J、Am、Chem、S
oc、、106.7404〜7410(1984)記載
の方法などにより9種々のシラン化合物を反応させるこ
とにより、−形式(1)で示されるフタロシアニン系化
合物を製造することができる。
おける意味と同じ意味を表わす。〕(以下、余白) 一般式(11[) のフタロシアニン化合物(a)〜(j)をあげるこ〔式
中、環A1〜’、 M、 k、 l、 m、 nおよ
びpは、−形式(1)における意味と同じ意味を表わす
。〕次に、得られた一般式CI[[)で示されるフタロ
シアニン系化合物に、公知の方法1例えば、 M、E、
Kenney et、al、:J、Am、Chem、S
oc、、106.7404〜7410(1984)記載
の方法などにより9種々のシラン化合物を反応させるこ
とにより、−形式(1)で示されるフタロシアニン系化
合物を製造することができる。
本発明において用いられる一般式(1)で示されるフタ
ロシアニン系化合物の代表例としては、下記本発明にお
いて用いられる基板としては、信号の書き込みや読み出
しを行なうための光の透過率が。
ロシアニン系化合物の代表例としては、下記本発明にお
いて用いられる基板としては、信号の書き込みや読み出
しを行なうための光の透過率が。
好ましくは85%以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアルクル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリオレフィン樹脂(ポリ−4−メチル
ペンテンなど)、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可
塑性樹脂やエポキシ樹脂。
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアルクル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリオレフィン樹脂(ポリ−4−メチル
ペンテンなど)、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可
塑性樹脂やエポキシ樹脂。
アリル樹脂などの熱硬化樹脂からなる基板があげられる
。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝やアドレス信
号などの付与のしやすさなどから前記した熱可塑性樹脂
が好ましく、さらに光学特性や機械的特性からアクリル
樹脂やポリカーボネート樹脂が特に望ましい。
。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝やアドレス信
号などの付与のしやすさなどから前記した熱可塑性樹脂
が好ましく、さらに光学特性や機械的特性からアクリル
樹脂やポリカーボネート樹脂が特に望ましい。
本発明において、これらの透明な基板の厚さは。
特に制限がなく、板状でもフィルム状でもよい。また、
その形状は9円形状やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。
その形状は9円形状やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。
また、基板には1通常、記録および読み出しの際の位置
制御のための案内溝やアドレス信号や各種マ一りなどの
プリフォーマット用の凹凸があるが、これらの凹凸は前
記したような熱可塑性樹脂を成形(射出成形、圧縮成形
など)する際にスタンパ−などを用いて付与することが
、好ましい。
制御のための案内溝やアドレス信号や各種マ一りなどの
プリフォーマット用の凹凸があるが、これらの凹凸は前
記したような熱可塑性樹脂を成形(射出成形、圧縮成形
など)する際にスタンパ−などを用いて付与することが
、好ましい。
本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法
およびLB法(ラングミュアブロジェット法)などの方
法があるが、これらの方法は。
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法
およびLB法(ラングミュアブロジェット法)などの方
法があるが、これらの方法は。
操作が煩雑であり、生産性が低いので、塗布法が最も好
ましい。塗布法によって記録層である有機薄膜層を形成
する場合には、フタロシアニン系化合物をアルコール類
、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エーテル類、
エステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化
水素類など通常の有機溶媒に分散または溶解して塗布す
る。このとき、必要に応じて、高分子バインダーを加え
てもよい。高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂3メタクリル樹
脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール
樹脂などがあげられる。高分子バインダーを用いる場合
、フタロシアニン系化合物に対する高分子バインダーの
比率は10重量%以下が好ましい。
ましい。塗布法によって記録層である有機薄膜層を形成
する場合には、フタロシアニン系化合物をアルコール類
、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エーテル類、
エステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化
水素類など通常の有機溶媒に分散または溶解して塗布す
る。このとき、必要に応じて、高分子バインダーを加え
てもよい。高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂3メタクリル樹
脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール
樹脂などがあげられる。高分子バインダーを用いる場合
、フタロシアニン系化合物に対する高分子バインダーの
比率は10重量%以下が好ましい。
また1本発明において、フタロシアニン系化合物に、他
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
できる。混合して使用できる色素としては、すでに公知
の9例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体。
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
できる。混合して使用できる色素としては、すでに公知
の9例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体。
ナフタロシアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフト
キノン系錯体、アントラキノン系色素やポリメチン系色
素などがあげられる。
キノン系錯体、アントラキノン系色素やポリメチン系色
素などがあげられる。
基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、1011m以下、好ましくは500人〜
2μmである。また、塗布した後、クロロホルム、テト
ラヒドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさら
すことによって、有機薄膜層の吸収波長が長波長側にシ
フトし、半導体レーザーの発振波長域の光に対する感度
をいちじるしく向上させることができる場合もある。
録層の厚さは、1011m以下、好ましくは500人〜
2μmである。また、塗布した後、クロロホルム、テト
ラヒドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさら
すことによって、有機薄膜層の吸収波長が長波長側にシ
フトし、半導体レーザーの発振波長域の光に対する感度
をいちじるしく向上させることができる場合もある。
また、これらの記録層を保護するために、AI!、20
3、S ioz、S io、SnOなどの無機化合物を
蒸着して保護層としてもよい。また、保護層として。
3、S ioz、S io、SnOなどの無機化合物を
蒸着して保護層としてもよい。また、保護層として。
高分子を塗布してもよい。
上記のようにして得られた記録媒体への記録は。
基板上に設けた記録層に1μm程度に集束したレーザー
光、好ましくは半導体レーザー光を照射することにより
行なわれる。記録層のレーザー光の照射された部分は、
レーザーエネルギーの吸収による分解。
光、好ましくは半導体レーザー光を照射することにより
行なわれる。記録層のレーザー光の照射された部分は、
レーザーエネルギーの吸収による分解。
蒸発、溶融などの熱的な状態変化が生じる。再生は。
熱的な変化を生じた部分と生じていない部分との反射率
の差を読み取ることによって行なわれる。
の差を読み取ることによって行なわれる。
レーザーとしてはHe−Neレーザー、Arレーザー、
半導体レーザーなどの各種レーザーを用いることができ
るが1価格、大きさの点で半導体レーザーが特に好まし
い。半導体レーザーとしては、中心波長830nm、
780nn+およびそれより短波長のレーザーを使用
することができる。
半導体レーザーなどの各種レーザーを用いることができ
るが1価格、大きさの点で半導体レーザーが特に好まし
い。半導体レーザーとしては、中心波長830nm、
780nn+およびそれより短波長のレーザーを使用
することができる。
(実 施 例)
つぎに1本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
が2本発明は、以下の実施例に限定されるものではない
。なお1例中9部とは重量部を表わす。
が2本発明は、以下の実施例に限定されるものではない
。なお1例中9部とは重量部を表わす。
製 造 例二上記化合物(a)〜(j)の製造キノリン
50部に、l、3−ジイミノ、ベンゾイソインドリン7
.8部および四塩化けい素5.0部を加え。
50部に、l、3−ジイミノ、ベンゾイソインドリン7
.8部および四塩化けい素5.0部を加え。
180〜200℃で3時間加熱撹拌した後、冷却し。
ろ過し、メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄
し、乾燥して、ジクロルシリコンナフタロシアニン7.
0部を得た。
し、乾燥して、ジクロルシリコンナフタロシアニン7.
0部を得た。
得られたジクロルシリコンナフタロシアニン5.0部、
チオ尿素20.0部。α−クロルナフタレン150部を
120 ’Cで6時間加熱撹拌した後、冷却し。
チオ尿素20.0部。α−クロルナフタレン150部を
120 ’Cで6時間加熱撹拌した後、冷却し。
ろ過し、α−クロルナフタレンおよびクロロホルムによ
り洗浄し、乾燥した。得られた生成物を3重量%水酸化
ナトリウム水溶液500部に加え、90°Cで3時間加
熱撹拌した後、熱ろ過し、水により洗浄し、乾燥して、
ジメルカプトシリコンナフタロシアニン3.5部を得た
。
り洗浄し、乾燥した。得られた生成物を3重量%水酸化
ナトリウム水溶液500部に加え、90°Cで3時間加
熱撹拌した後、熱ろ過し、水により洗浄し、乾燥して、
ジメルカプトシリコンナフタロシアニン3.5部を得た
。
得られたジメルカプトシリコンナフタロシアニン3.0
部、 ピリジン300部、およびトリブチルアミン80
.0部を加熱蒸留し、ピリジン30部を回収し。
部、 ピリジン300部、およびトリブチルアミン80
.0部を加熱蒸留し、ピリジン30部を回収し。
反応系内の水を除去し1反応液を冷却し1次にジメチル
ジクロルシラン3.0部を加え、25°Cで12時間撹
拌した後、加熱蒸留して、未反応のジメチルジクロルシ
ランを除去した。次に1反応液を冷却しエチレングリコ
ールド00部を加え、110℃で20時間加熱撹拌した
後、熱ろ過し、ろ液を希塩酸1000部に注ぎ、析出し
た沈殿をろ過し、水および水/エタノール=1/1 (
重量比)の混合溶媒で洗浄し、60’Cで減圧乾燥して
フタロシアニン系化合物(a)1.8部を得た。
ジクロルシラン3.0部を加え、25°Cで12時間撹
拌した後、加熱蒸留して、未反応のジメチルジクロルシ
ランを除去した。次に1反応液を冷却しエチレングリコ
ールド00部を加え、110℃で20時間加熱撹拌した
後、熱ろ過し、ろ液を希塩酸1000部に注ぎ、析出し
た沈殿をろ過し、水および水/エタノール=1/1 (
重量比)の混合溶媒で洗浄し、60’Cで減圧乾燥して
フタロシアニン系化合物(a)1.8部を得た。
フタロシアニン系化合物(b)〜(j)は、フタロシア
ニン系化合物(a)の製造法に準じた方法により得た。
ニン系化合物(a)の製造法に準じた方法により得た。
実施例1
ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物(a)3、
0部とクロロホルム97゜0部とからなる溶液を滴下し
た後、1200rpmの速度で20秒間回転させ。
0部とクロロホルム97゜0部とからなる溶液を滴下し
た後、1200rpmの速度で20秒間回転させ。
80°Cで20分間乾燥させて光学記録媒体を得た。
得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ780人。
最大吸収波長が805部m、波長830n111の光に
対する反射率が32%であった。
対する反射率が32%であった。
得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、
ターンテーブルを180Orpmで回転させながら、1
.0μmに集束した830部mのレーザー光を5rnW
、8MHzで照射して記録を行なった。
ターンテーブルを180Orpmで回転させながら、1
.0μmに集束した830部mのレーザー光を5rnW
、8MHzで照射して記録を行なった。
記録を行なった光学記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットの形成が認められた。ま
た、得られた光学記録媒体に830部m。
観察したところ、鮮明なピットの形成が認められた。ま
た、得られた光学記録媒体に830部m。
0.4mWのレーザー光を照射し1反射光の検出を行な
ったところ、C/N比が51dBであった。
ったところ、C/N比が51dBであった。
実施例2
ポリカーボネート樹脂製基板上に、フタロシアニン系化
合物(b)2.5部とメチルセロソルブ97.5部とか
らなる溶液を滴下した後、800rpn+の速度で30
秒間回転させ、減圧下80℃で15分間乾燥させて光学
記録媒体を得た。
合物(b)2.5部とメチルセロソルブ97.5部とか
らなる溶液を滴下した後、800rpn+の速度で30
秒間回転させ、減圧下80℃で15分間乾燥させて光学
記録媒体を得た。
得られた光学記録媒体の記録層は、W−さ850人。
最大吸収波長が800部m、波長830nmの光に対す
る反射率が29%であった。
る反射率が29%であった。
また、得られた光学記録媒体に、実施例1と同様にして
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成
が認められ、また、C/N比は49dBであった。
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成
が認められ、また、C/N比は49dBであった。
実施例3〜10
ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物(c)〜(
j)を、実施例1と同様にして塗布し、乾燥させて光学
記録媒体を得た。
j)を、実施例1と同様にして塗布し、乾燥させて光学
記録媒体を得た。
得られた光学記録媒体の記録層の最大吸収波長および波
長830nrnの光に対する反射率、および得られた光
学記録媒体に実施例Iと同様な記録再生を行なったとき
のC/N比を表1に示す。
長830nrnの光に対する反射率、および得られた光
学記録媒体に実施例Iと同様な記録再生を行なったとき
のC/N比を表1に示す。
表 1
c 800 30
d 810 32
e 810 30
f 805 31
g 810 33
h 810 −30
i 815 33
〔発明の効果〕
本発明の光学記録媒体は、上記した構成からなり。
化学的。
物理的に安定で。
レーザー光線により高感
度で記録再生が可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に、下記一般式〔 I 〕で示されるフタロシ
アニン系化合物の少なくとも1種以上を含有する有機薄
膜層を設けてなる光学記録媒体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、環A^1〜A^4は、それぞれ独立に、ベンゼ
ン環、ナフタレン環、またはアントラセン環を表わす。 Mは、Al、Ga、In、Si、Ge、またはSnを表
わす。 Yは、−S−Si−R^1R^2R^3を表わす。 R^1、R^2、R^3は、互いに同一であっても異な
っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、ア
リール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基
、またはポリエーテル基を表わす。 Xは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、水酸基
、ハロゲン原子、−NO_2、−CN、−SO_3H、
−OR^4、−SR^5、−NHCOR^6、−COR
^7、−COOR^8、−N=CHR^9、−N=NR
^1^0、−NR^1^1R^1^2、−SO_2NR
^1^3R^1^4、−CONR^1^5R^1^6、
または−CH_2NHCOCH_2NR^1^7R^1
^8を表わす。 R^4、R^5、R^6、R^7、R^8、R^9、R
^1^0は、置換基を有していてもよいアルキル基、ア
リール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基
、またはポリエーテル基を表わす。 R^1^1、R^1^2、R^1^3、R^1^4、R
^1^5、R^1^6、R^1^7、R^1^8は、互
いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、ア
ルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表わ
すか、R^1^1とR^1^2とで、R^1^3とR^
1^4とで、R^1^5とR^1^6とで、あるいはR
^1^7とR^1^8とで、これらと結合したちっ素原
子を含む4〜7員環の複素環を表わす。 k、l、m、nは、それぞれ独立に0〜8の整数を表わ
す。 pは、1または2を表わす。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63190931A JPH0239991A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63190931A JPH0239991A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0239991A true JPH0239991A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16266067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63190931A Pending JPH0239991A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0239991A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02179791A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Sony Corp | 光学情報記録媒体 |
JPH0497889A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-30 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光学記録媒体 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63190931A patent/JPH0239991A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02179791A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Sony Corp | 光学情報記録媒体 |
JPH0497889A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-30 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光学記録媒体 |
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