JPH0239991A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光線によって、情報を書込んだり、
読み取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。

（従来の技術） 従来から、レーザー光線を用いて、情報を記録し。

読み取る光学記録媒体としては９種々のものが知られて
いる。その一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照
射して、照射部分に融解、蒸発１分解などの変化を生じ
させて記録を行なうものがある。

このような光学記録媒体の記録層としては、Ａｓ。

Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔｉなどの金属や合金の薄膜層が用いられ
てきた。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学
記録媒体は、一般に、書込み感度が高く。

記録再生光学系を小型化できる半導体レーザーを適用で
きると言う特長があるが、熱伝導率が大であるなどの理
由により、記録時にレーザー光線のエネルギーを効率よ
く利用できないという欠点があった。

また、これらの記録層は、化学的に不安定であり。

劣化することがあった。

このため、特開昭５７−８２０９３号公報、特開昭５８
−５６８９２号公報、特開昭６０．−８９８４２号公報
、特開昭６０−１５０２４３号公報などにより、記録層
として有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば７８０
ｎｍ以上のレーザー光線により情報の書込みや読取りを
行なう光学記録媒体が提案された。このような光学記録
媒体では、記録再生光学系の小型化が可能な半導体レー
ザーによる融解、蒸発２分解などによって、有機薄膜層
に容易に微小な四部（ピット）を形成させることができ
るものの。

半導体レーザー光線に対する吸光係数が大きく、記録感
度が十分ではないなどの欠点があった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、有ａ薄膜記録層を有する光学記録媒体の種々
の欠点をを改良し、化学的・物理的に安定でレーザー光
線により高感度で記録・再生ができる特定のフタロシア
ニン系化合物を用いた光学記録媒体を提供するものであ
る。

（発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に、下記一般弐（１〕で示されろフタ
ロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する有
機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。

（以下、余白） 〔式中、環Ａ１〜Ａ４は、それぞれ独立に、ベンゼン環
、ナフタレン環、またはアントラセン環を表わす。

Ｍは、Ａｌ１．Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを
表わす。

Ｙは、−３−３ｉ−Ｒ’　Ｒ”　Ｒ３を表わす。

Ｒ’　　　Ｒ２Ｒ３は、互いに同一であっても異なって
いてもよく、置換基を有してもよいアルキル基。

アリール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、またはポリエーテル基を表わす、。

Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、水酸基
、ハロゲン原子、−ＮＯ２，−ＣＮ。

Ｓｏ、Ｈ，−０Ｒ４、−３Ｒ’　、−ＮＨＣＯＲ’。

−ＣＯＲ’　、−ＣＯＯＲ８，−Ｎ＝ＣＨＲ’　。

−Ｎ＝ＮＲＩＯ−ＮＲ目Ｒ１２−３Ｏ２ＮＲ”Ｒ”Ｃ０
ＮＲ”Ｒ１６，または−ＣＨ７Ｎ　ＨＣＯＣＨ２ＮＲ１
７Ｒ′８を表わす。

Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒｅ、　　Ｒ９，ＲＩＧは。

置換基を有していてもよいアルキル２．（、アリール基
。

アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、またはポ
リエーテル基を表わす。

Ｒ”、　　　Ｒ”　　　　Ｒ’　　コｌ、　　　Ｒ皿４
．　　　ＲＩＳ　　　　Ｒ＋６　　　１’；ｊ１７．　
　　Ｒ１８は、互いに同一であっても異なっていてもよ
く、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基に、また
はアリール基を表わすか　Ｒｌ　ｌとＲ１２とで　ｐ＋
３とＲ１４とで、Ｒ”とＲＩ６とで、あるいはＲ１７と
Ｒ１１＋とでこれらと結合したちっ素原子を含む４〜７
員環の複素環を表わす。

ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立にＯ〜８の整数を表わ
す。

ｐは、■または２を表わす。〕 本発明において、−形式（Ｉ）で示される化合物は１例
えば、以下の方法により製造することができる。

すなわち、下記−形式（ＩＩ）で示されるイソインドレ
ニン化合物と各種金属塩とから、−形式（Ｉ［Ｉ）で示
されるフタロシアニン系化合物を製造する。

−形式（ｎ） 〔式中、Ａ”、Ｘ、に、ｌ、ｍ、ｎは、−形式（ｒ）に
おける意味と同じ意味を表わす。〕（以下、余白） 一般式（１１［） のフタロシアニン化合物（ａ）〜（ｊ）をあげるこ〔式
中、環Ａ１〜’、　Ｍ、　ｋ、　　ｌ、　ｍ、　ｎおよ
びｐは、−形式（１）における意味と同じ意味を表わす
。〕次に、得られた一般式ＣＩ［［）で示されるフタロ
シアニン系化合物に、公知の方法１例えば、　Ｍ、Ｅ、
Ｋｅｎｎｅｙ　ｅｔ、ａｌ、：Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓ
ｏｃ、、１０６．７４０４〜７４１０（１９８４）記載
の方法などにより９種々のシラン化合物を反応させるこ
とにより、−形式（１）で示されるフタロシアニン系化
合物を製造することができる。

本発明において用いられる一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン系化合物の代表例としては、下記本発明にお
いて用いられる基板としては、信号の書き込みや読み出
しを行なうための光の透過率が。

好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアルクル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチル
ペンテンなど）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可
塑性樹脂やエポキシ樹脂。

アリル樹脂などの熱硬化樹脂からなる基板があげられる
。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝やアドレス信
号などの付与のしやすさなどから前記した熱可塑性樹脂
が好ましく、さらに光学特性や機械的特性からアクリル
樹脂やポリカーボネート樹脂が特に望ましい。

本発明において、これらの透明な基板の厚さは。

特に制限がなく、板状でもフィルム状でもよい。また、
その形状は９円形状やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。

また、基板には１通常、記録および読み出しの際の位置
制御のための案内溝やアドレス信号や各種マ一りなどの
プリフォーマット用の凹凸があるが、これらの凹凸は前
記したような熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成形
など）する際にスタンパ−などを用いて付与することが
、好ましい。

本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法
およびＬＢ法（ラングミュアブロジェット法）などの方
法があるが、これらの方法は。

操作が煩雑であり、生産性が低いので、塗布法が最も好
ましい。塗布法によって記録層である有機薄膜層を形成
する場合には、フタロシアニン系化合物をアルコール類
、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エーテル類、
エステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化
水素類など通常の有機溶媒に分散または溶解して塗布す
る。このとき、必要に応じて、高分子バインダーを加え
てもよい。高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂３メタクリル樹
脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール
樹脂などがあげられる。高分子バインダーを用いる場合
、フタロシアニン系化合物に対する高分子バインダーの
比率は１０重量％以下が好ましい。

また１本発明において、フタロシアニン系化合物に、他
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
できる。混合して使用できる色素としては、すでに公知
の９例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体。

ナフタロシアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフト
キノン系錯体、アントラキノン系色素やポリメチン系色
素などがあげられる。

基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、１０１１ｍ以下、好ましくは５００人〜
２μｍである。また、塗布した後、クロロホルム、テト
ラヒドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさら
すことによって、有機薄膜層の吸収波長が長波長側にシ
フトし、半導体レーザーの発振波長域の光に対する感度
をいちじるしく向上させることができる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、ＡＩ！、２０
３、Ｓ　ｉｏｚ、Ｓ　ｉｏ、ＳｎＯなどの無機化合物を
蒸着して保護層としてもよい。また、保護層として。

高分子を塗布してもよい。

上記のようにして得られた記録媒体への記録は。

基板上に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー
光、好ましくは半導体レーザー光を照射することにより
行なわれる。記録層のレーザー光の照射された部分は、
レーザーエネルギーの吸収による分解。

蒸発、溶融などの熱的な状態変化が生じる。再生は。

熱的な変化を生じた部分と生じていない部分との反射率
の差を読み取ることによって行なわれる。

レーザーとしてはＨｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、
半導体レーザーなどの各種レーザーを用いることができ
るが１価格、大きさの点で半導体レーザーが特に好まし
い。半導体レーザーとしては、中心波長８３０ｎｍ、　
　７８０ｎｎ＋およびそれより短波長のレーザーを使用
することができる。

（実　施　例） つぎに１本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
が２本発明は、以下の実施例に限定されるものではない
。なお１例中９部とは重量部を表わす。

製　造　例二上記化合物（ａ）〜（ｊ）の製造キノリン
５０部に、ｌ、３−ジイミノ、ベンゾイソインドリン７
．８部および四塩化けい素５．０部を加え。

１８０〜２００℃で３時間加熱撹拌した後、冷却し。

ろ過し、メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄
し、乾燥して、ジクロルシリコンナフタロシアニン７．
０部を得た。

得られたジクロルシリコンナフタロシアニン５．０部、
チオ尿素２０．０部。α−クロルナフタレン１５０部を
１２０　’Ｃで６時間加熱撹拌した後、冷却し。

ろ過し、α−クロルナフタレンおよびクロロホルムによ
り洗浄し、乾燥した。得られた生成物を３重量％水酸化
ナトリウム水溶液５００部に加え、９０°Ｃで３時間加
熱撹拌した後、熱ろ過し、水により洗浄し、乾燥して、
ジメルカプトシリコンナフタロシアニン３．５部を得た
。

得られたジメルカプトシリコンナフタロシアニン３．０
部、　ピリジン３００部、およびトリブチルアミン８０
．０部を加熱蒸留し、ピリジン３０部を回収し。

反応系内の水を除去し１反応液を冷却し１次にジメチル
ジクロルシラン３．０部を加え、２５°Ｃで１２時間撹
拌した後、加熱蒸留して、未反応のジメチルジクロルシ
ランを除去した。次に１反応液を冷却しエチレングリコ
ールド００部を加え、１１０℃で２０時間加熱撹拌した
後、熱ろ過し、ろ液を希塩酸１０００部に注ぎ、析出し
た沈殿をろ過し、水および水／エタノール＝１／１　（
重量比）の混合溶媒で洗浄し、６０’Ｃで減圧乾燥して
フタロシアニン系化合物（ａ）１．８部を得た。

フタロシアニン系化合物（ｂ）〜（ｊ）は、フタロシア
ニン系化合物（ａ）の製造法に準じた方法により得た。

実施例１ ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物（ａ）３、
０部とクロロホルム９７゜０部とからなる溶液を滴下し
た後、１２００ｒｐｍの速度で２０秒間回転させ。

８０°Ｃで２０分間乾燥させて光学記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ７８０人。

最大吸収波長が８０５部ｍ、波長８３０ｎ１１１の光に
対する反射率が３２％であった。

得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、
ターンテーブルを１８０Ｏｒｐｍで回転させながら、１
．０μｍに集束した８３０部ｍのレーザー光を５ｒｎＷ
、８ＭＨｚで照射して記録を行なった。

記録を行なった光学記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットの形成が認められた。ま
た、得られた光学記録媒体に８３０部ｍ。

０．４ｍＷのレーザー光を照射し１反射光の検出を行な
ったところ、Ｃ／Ｎ比が５１ｄＢであった。

実施例２ ポリカーボネート樹脂製基板上に、フタロシアニン系化
合物（ｂ）２．５部とメチルセロソルブ９７．５部とか
らなる溶液を滴下した後、８００ｒｐｎ＋の速度で３０
秒間回転させ、減圧下８０℃で１５分間乾燥させて光学
記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、Ｗ−さ８５０人。

最大吸収波長が８００部ｍ、波長８３０ｎｍの光に対す
る反射率が２９％であった。

また、得られた光学記録媒体に、実施例１と同様にして
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成
が認められ、また、Ｃ／Ｎ比は４９ｄＢであった。

実施例３〜１０ ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物（ｃ）〜（
ｊ）を、実施例１と同様にして塗布し、乾燥させて光学
記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層の最大吸収波長および波
長８３０ｎｒｎの光に対する反射率、および得られた光
学記録媒体に実施例Ｉと同様な記録再生を行なったとき
のＣ／Ｎ比を表１に示す。

表　　１ ｃ　　　　　　８００　　　　　３０ ｄ　　　　　　８１０　　　　　３２ ｅ　　　　　　８１０　　　　　３０ ｆ　　　　　　８０５　　　　　３１ ｇ　　　　　８１０　　　　　３３ ｈ　　　　　　８１０　　　−３０ ｉ　　　　　　８１５　　　　　３３ 〔発明の効果〕 本発明の光学記録媒体は、上記した構成からなり。

化学的。

物理的に安定で。

レーザー光線により高感 度で記録再生が可能である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、下記一般式〔 I 〕で示されるフタロシ
   アニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する有機薄
   膜層を設けてなる光学記録媒体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、環Ａ＾１〜Ａ＾４は、それぞれ独立に、ベンゼ
   ン環、ナフタレン環、またはアントラセン環を表わす。 Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表
   わす。 Ｙは、−Ｓ−Ｓｉ−Ｒ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３を表わす。 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、互いに同一であっても異な
   っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、ア
   リール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基
   、またはポリエーテル基を表わす。 Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
   換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
   アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、水酸基
   、ハロゲン原子、−ＮＯ＿２、−ＣＮ、−ＳＯ＿３Ｈ、
   −ＯＲ＾４、−ＳＲ＾５、−ＮＨＣＯＲ＾６、−ＣＯＲ
   ＾７、−ＣＯＯＲ＾８、−Ｎ＝ＣＨＲ＾９、−Ｎ＝ＮＲ
   ＾１＾０、−ＮＲ＾１＾１Ｒ＾１＾２、−ＳＯ＿２ＮＲ
   ＾１＾３Ｒ＾１＾４、−ＣＯＮＲ＾１＾５Ｒ＾１＾６、
   または−ＣＨ＿２ＮＨＣＯＣＨ＿２ＮＲ＾１＾７Ｒ＾１
   ＾８を表わす。 Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ
   ＾１＾０は、置換基を有していてもよいアルキル基、ア
   リール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基
   、またはポリエーテル基を表わす。 Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾４、Ｒ
   ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８は、互
   いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、ア
   ルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表わ
   すか、Ｒ＾１＾１とＲ＾１＾２とで、Ｒ＾１＾３とＲ＾
   １＾４とで、Ｒ＾１＾５とＲ＾１＾６とで、あるいはＲ
   ＾１＾７とＲ＾１＾８とで、これらと結合したちっ素原
   子を含む４〜７員環の複素環を表わす。 ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０〜８の整数を表わ
   す。 ｐは、１または２を表わす。〕