JPH0365385A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光線によって、情報を書込んだり、
読み取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。

（従来の技術） 従来、レーザー光線を用いて、情報を記録し読み取る光
学記録媒体としては９種々のものが知られている。その
一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照射して、照
射部分に融解、蒸発９分解などの変化を生じさせて記録
を行なうものがある。

このような光学記録媒体の記録層としてはｌ　Ａ　５Ｉ
Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔｉなどの金属や合金の薄膜層が用いられ
てきた。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学
記録媒体は、一般に、書込み感度が高く。

記録再生光学系を小型化できる半導体レーザーを適用で
きると言う特長があるが、熱伝導率が大であるなどの理
由により、記録時にレーザー光線のエネルギーを効率よ
く利用できないという欠点があった。

また、これらの記録層は、化学的に不安定であり。

劣化することがあった。

このため、特開昭５７−８２０９３号公報、特開昭５８
−５６８９２号公報、特開昭６０−８９８４２号公報、
特開昭６０−１５０２４３号公報などにより、記録層と
して有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば７８０ｎ
ｍ以上のレーザー光線により情報の書込みや読取りを行
なう光学記録媒体が提案された。このような光学記録媒
体では、記録再生光学系の小型化が可能な半導体レーザ
ーによる融解、蒸発１分解などによって、有機薄膜層に
容易に微小な凹部（ピント）を形成させることができる
ものの。

半導体レーザー光線に対する吸光係数が小さく、記録感
度が十分ではないなどの欠点があった。

（発明が解決しようとする課題〉 本発明は、従来の有機薄膜記録層を有する光学記録媒体
の種々の欠点をを改良し、化学的・物理的に安定で、レ
ーザー光線により高感度で記録・再生ができる。特定の
フタロシアニン系化合物を用いた光学記録媒体を提供す
るものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） １、本発明は、基板上に、下記一般式（、Ｉ）で示され
るフタロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含有
する有機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。

Ｒ″ （式中Ｍは＋　Ａｆｆｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、ま
たはＳｎを表わす。

Ｒ１ないしＲ８は、互いに同一であっても異なっていて
もよく、置換基を有してもよいアルキル基。

置換基を有してもよい了り−ル基、置換基を有してもよ
い複素環残基、置換基を有してもよいフタルイミドメチ
ル基、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基。

シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ’　、−３ＲＩｌｌ−
ＣＯＯＲ”　　−ＮＲ”Ｒ″３．−Ｓｏｗ　ＮＲＩ４Ｒ
１ＳＣＯＮＲＩ６Ｒ”、　　　ＣＨｔ　ＮＨＣＯＣＨｔ
　ＮＲ”Ｒ”　　−ＮＨＣＯＲ”、−Ｎ−ＮＲ”、また
は−Ｎ＝ＣＨＲ”、またはＲ’　、！：Ｒ”　、Ｒ’と
Ｒ４，ＲｓとＲ＆　、Ｒ？とＲ８がそれぞれ一体となっ
た環状有機残基を表わす。

、Ｒ”　　ＲＩＯ，Ｒ”、Ｒ”、ＲＺ３．Ｒ１，Ｒ”ｌ
　Ｒ”Ｒ１？、　Ｒ１１１，およびＲ１は、互いに同一
であっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有
してもよいアルキル基、アリール基、゛アシル基、シク
ロアルキル基、またはポリエーテル基を表わし、または
。

Ｒ目とＲＺ５とで　ＲｌＳとＲ１？とで、あるいはＲ”
とＲ”とで、４〜７員環を形成してもよく、これらの４
〜７員環は窒素原子などのへテロ原子を含む複素環であ
ってもよい。Ｒ”ｌ　Ｒ”およびＲ２２は、互いに同一
であっても異なってもよく、置換基を有してもよいアル
キル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表わす
。

ＸＩないしＸ４は、互いに同一であっても異なってもよ
く、炭素原子または窒素原子を表わす。

ｏ　　ｐ−Ｒ３２Ｒ３３，または−〇−３ｅ−Ｒ”を表
わす。

Ｚは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有し
てもよいアルキル基　　ｏ　　ｐ　　Ｒ３２Ｒ３３また
は一〇−３ｅ−Ｒ４０を表わす。

Ｒ”ｌ　　Ｒ”ｌ　　Ｒ”ｌ　　Ｒ”ｌ　　Ｒ”ｌ　　
Ｒ”Ｊ　　Ｒ３コ、　Ｒ３４Ｒ３′およびＲ４１１は、
互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を有
してもよいアルキル基、アリール基、アシル基、シクロ
アルキル基、アルコキシ基、アリロキシ基、ポリエーテ
ル基、水酸基、またはハロゲン原子を表わす。

ＲｌＳ、　　ＲｌＳ、　　ＲＺ”Ｆ　　Ｒ１１１Ｒ３ｂ
、　　Ｒ３？　　Ｒ３ｆオヨびＲ３９は、互いに同一で
あっても異なっていてもよ＜、置換基を有してもよいア
ルキル基、アリール基。

アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリロキ
シ基、ポリエーテル基、水酸基、ハロゲン原子。

または水素原子を表わす。

Ｗは　　Ｑ　−、−３＋＋、　−ｓ　ｅ−または−Ｔｅ
−を表わす。ｐは、Ｏまたは１を表わす。）から選ばれ
る基本骨格を有するものである請求の環１記載の光学記
録媒体。

（式中、Ｒ４１ないしＲ４４は、置換基を有してもよし
）アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいフ
タルイミドメチル基、水素原子、ノ＼ロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ’ＳＲ”、　　
　ＧＯＯＲ”、　　ＮＲ”Ｒ′３．　　　ＳＯ！ＮＲ１
Ｒ”、　　　Ｃ０ＮＲｌｈＲ”、　　　ＣＨｔ　ＮＨＣ
ＯＣＨｚ　　ＮＲ”Ｒ”、　　　ＮＨＣＯＲ”、　　　
Ｎ−ＮＲ”または−Ｎ−ＣＨＲ”ｔを表わす。

Ｒ９、ＲＩＯ，Ｒ’ｌ、　Ｒ”ｌ　Ｒ”Ｉ　Ｒ”ｌ　Ｒ
”ｌ　ＲＩｔｈＲ”ｌ　Ｒ”ｌおよびＲＩ９は、互いに
同一であっても異なっていて゛もよく、水素原子、置換
基を有してもよいアルキル基、アリール基、アシル基、
シクロアルキル基、またはポリエーテル基を表わし、ま
たは。

ＲＩ　４とＲＩｓとで、Ｒ”とＲ’″ｔとで、あるいは
ＲｌｓとＲ”とで、４〜７員環を形成してもよく、これ
らの４〜７員環は窒素原子などのへテロ原子を含む複素
環であってもよい。Ｒ”、Ｒ”およびＲ２２は、おたが
いに同一であっても異なってもよく、置換基を有しても
よいアルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基
を表す、にはＯ〜８の整数を表わす、）本発明にかかわ
る一般式（１）で示される化合物において、ＺおよびＲ
１ないしＲ４４を構成する原子および基の代表例として
、ハロゲン原子としては。

塩素原子、臭素原子、よう素原子、およびふっ素原子を
、置換基を有してもよいアルキル基としては。

メチル基、ｎ−ブチル基、　ｔｅｒｔ−ブチル基、ステ
アリル基、トリクロロメチル基、２−メトキシエチル基
などを、置換基を有してもよいアリール基としては、フ
ェニル基、クロロフェニル基、トルイル基。

ナフチル基、アントリル基、ジメチルアごノフェニル基
、ヒドロキシフェニル基、ジエチルアミノナフチル基、
ヒドロキシナフチル基などを、シクロアルキル基として
は、シクロヘキシル基、シクロブチル基などを、置換基
を有してもよいアシル基としては。

アセチル基、トリフルオロアセチル基などを、ポリエー
テル基としては、ジエチレングリコールモノエチル基、
トリエチレングリコールモノブチル基などを、複素環基
としては、ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペ
ラジニル基１モルホリル基などを。

また、置換基を有してもよいフタルイミドメチル基とし
ては、フタルイξトメチル基、ニトロフタルイミドメチ
ル基、　ｔｅｒｔ−ブチルフタルイミドメチル基。

メトキシフタルイミドメチル基、ジクロロフクルイミド
メチル基などを、それぞれあげることができるが、これ
らの基に限定されるものではない。

本発明において、一般式〔１〕で示される化合物は９例
えば、以下の方法により製造することができる。

すなわち、下記一般式（ＩＩ）で示されるイソインドレ
ニン化合物と各種金属塩とから、あるいは、カルボン酸
無水物類、イミド類、またはニトリル類を出発原料とし
て常法により、一般式（Ｉ［［）で示されるフタロシア
ニン系化合物を製造する。

一般式（ｎ） Ｈ １ １ Ｈ （式中ＩＲ’ｌＲ”ｌＸ’は、一般式ＣＩ）における意
味と同じ意味を表わす。） （以下余白） のフタロシアニン系化合物（ａ）〜（ｒ）をあげること
ができる。

（ａ） （式中　Ｒ１ないしＲ”　、Ｍ、Ｘ’ないしＸ４および
ｐは、一般式（１）における意味と同じ意味を表わす。

、） 次に、得られた一般式（ＩＩ［］で示されるフタロシア
ニン系化合物に１種々のりん化合物またはセレン化合物
を反応させることにより、一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン系化合物を製造することができる。

本発明において用いられる一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン系化合物の代表例としては、下記（−Ｐｈは
フェニル基を表わす。以下、同様とする。）（Ｃ） （ｂ） （ｆ） （ｈ） （ｇ） （ｉ） （１） （ｊ） α （ｋ） （ｍ） （ｎ） Ｃ）（３ （ｐ） （０） （ｑ） （ｒ） 本発明において用いられる基板としては、信号の書き込
みや読み出しを行なうための光の透過率が。

好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい０例えば、ガラス、またはアクリル樹脂
、ポリカニボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチル
ペンテンなど）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可
塑性樹脂やエポキシ樹脂。

アリル樹脂などの熱硬化樹脂からなる基板があげられる
。これらの中で、ｔｃ形のしやすさ、案内溝やアドレス
信号などの付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からな
るものが好ましく、さらに光学特性や機械的特性からア
クリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特に
望ましい。

本発明において、これらの透明な基板の厚さは。

特に制限がなく、板状でもフィルム状でもよい、また、
その形状は９円形状やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。

また、基板には２通常、記録および読み出しの際の位置
制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーりなどの
プリフォーマット用の凹凸があるが、これらの凹凸は前
記したような熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成形
など）する際にスタンパ−などを用いて付与することが
、好ましい。

本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパンタリング法、イオンプレート法
およびＬＢ法（ラングミュアブロジェット法）などの方
法があるが、これらの方法は。

操作が煩雑であり、生産性が低く、また、一般式ＣＩ）
で示されるフタロシアニン系化合物は、従来の有機薄膜
層を有する光学記録媒体に用いられている有機色素に較
べ９通常の有機溶媒に対する溶解性がはるかに高いので
、スピンコーターなどを用いる塗布法が最も有利である
。塗布法によって記録層である有機薄膜層を形成する場
合には、フタロシアニン系化合物をアルコール類、ケト
ン類、アミド類。

スルホキシド類、エーテル類、エステル類、脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類など通常の有機溶
媒に分散または溶解して塗布する。このとき、必要に応
じて、高分子バインダーを加えてもよい、高分子バイン
ダーとしては、塩化ビニル系樹脂。

アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂。

ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリルｍ脂
、　酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール
樹脂などがあげられる。高分子バインダーを用いる場合
、フタロシアニン系化合物に対する高分子バインダーの
比率は１０重景％以下が好ましい。

また２本発明において、フタロシアニン系化合物に、他
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
できる。混合して使用できる色素としては、すでに公知
の２例えば、芳香族または不飽和脂肪族シアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体。

ナフタロシアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフト
キノン系錯体、アントラキノン系色素やポリメチン系色
素などがあげられる。

基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、１０μｍ以下、好ましくは５００人〜２
μｍである。また、塗布した後、クロロホルム、テトラ
ヒドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらす
ことによって、有機薄膜層の吸収波長が長波長側にシフ
トし、半導体レーザーの発振波長域の光に対する感度を
いちじるしく向上させることができる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、Ａ１２０３１
Ｓｉｏ！、ｓ　ｉｏ、ＳｎＯなどの無機化合物を蒸着し
て保護層としてもよい。また、保護層として。

高分子を塗布してもよい。また、記録層の反射レベルを
高くするために、記録層の上に、金、銀、銅。

白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属９Ｍｇｏ
、ＺｎＯ，Ｓｎｕｇ等の金属酸化物、ＳｉＮ４゜ＡＩＮ
、ＴｉＮ等の窒化物、および＊　Ｔ　ｅ　ｔ　Ｓ　ｅ　
＊Ｓなどを含むカルコゲン化合物等の反射膜を設けても
よい。

上記のようにして得られた記録媒体への記録は。

基板上に設けた記録層に１部ｍ程度に集束したレーザー
光、好ましくは半導体レーザー光を照射することにより
行なわれる。記録層のレーザー光の照射された部分は、
レーザーエネルギーの吸収による分解。

蒸発、溶融などの熱的な状態変化が生じる。再生は。

熱的な変化を生じた部分と生じていない部分との反射率
の差を読み取ることによって行なわれる。一般式ＣＩ）
で示されるフタロシアニン系化合物は、従来の有機薄膜
層を有する光学記録媒体に用いられている有機色素に較
べ、記録前後の反射率の差がきわめて大きいので１．き
わめて有利である。

また、レーザーとしてはＨｅ−Ｎｅレーザー　Ａｒレー
ザー、半導体レーザーなどの各種レーザーを用いること
ができるが２価格、大きさの点で半導体レーザーが待に
好ましい。半導体レーザーとしては。

中心波長８３０部ｍ、　　７８０部ｍおよびそれより短
波長のレーザーを使用することができる。

（実　施　例） つぎに９本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
が９本発明は、以下の実施例に限定されるものではない
、なお９例中２部とは重量部を表わす。

製　造　例　１：フタロシアニン系化合物（ａ）〜（ｊ
）の製造 キノリン５０部に、前記一般式〔■〕においてＲＩＲ２
が であるイソインドレニン７．８部および四塩化けい素５
．０部を加え、１８０〜２００ｔで３時間加熱撹拌した
後、冷却し、メタノール５００部で希釈し、ろ過し、メ
タノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥・
して、ジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物６
．０部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、クロロジフェニルホスフィン５０部。

トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１
１０℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、メタノール１
ｏｏｏ部で希釈し、ろ過し、得られたろ液からメタノー
ルを減圧下加熱留去させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸ｓ。

０部に加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０℃で
乾燥して、フタロシアニン系化合物（ａ）２．５部を得
た。

フタロシアニン系化合物（ｂ）〜（ｊ）は、フタロシア
ニン系化合物（ａ）の製造法に準じた方法により得た。

製　造　例　２：フタロシアニン系化合物（ｋ）〜（ｎ
）の製造 製造例１において得られたジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．０部、ベンゼンセレネニルクロリ
ド５０部、トリーｎ−ブチルアミン５０部。

ピリジン３００部を１１０”Ｃで２時間加熱攪拌した後
、冷却し、メタノール１ｏｏｏ部で希釈し、ろ過し、得
られたろ液からメタノールを減圧下加熱留去させた。

このよう゛にして得られた生成物全量を希塩酸Ｓ。

０部に加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０℃で
乾燥して、フタロシアニン系化合物（ｋ）２．０部を得
た。

フタロシアニン系化合物（１）〜（ｎ）は、フタロシア
ニン系化合物（ｋ）の製造法に準じた方法により得た。

製　造　例　３：フタロシアニン系化合物（０）および
（ｐ）の製造 キノリン５０部に、前記一般式（ＩＩ）にＲＩ　　Ｒ２
であるイソインドレニン７．８部および四塩化けい素５
．０部を加え、１８０〜２００℃で３時間加熱攪拌した
後、冷却し、メタノール５００部で希釈し、ろ過し、メ
タノールおよびジメチルホルムア逅ドで洗浄し乾燥して
ジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物５．５部
を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、ジフェニルホスフェ−）５０部、トリーｎ−
ブチルアミツ５０部、ピリジン３００部を１１０℃で２
時間加熱攪拌した後、冷却し、メタノール１０００部で
希釈し、ろ過し、得られたろ液からメタノールを減圧下
加熱留去させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸５００部に
加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０℃で乾燥し
て、フタロシアニン系化合物（０）２．３部を得た。

フタロシアニン系化合物（ｐ）は、フタロシアニン系化
合物（０）の製造法に準じた方法により得た。

製　造　例　４：フタロシアニン系化合物（ｑ）。

（ｒ）の製造 実施例３において得られたジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．０部、ビス（ジメチルアミノ）ホ
スホリルクロリド５０部、トリーｎ−ブチルアミン５０
部、ピリジン３００部を１１０℃で２時間加熱攪拌した
後、冷却し、メタノール１０００部で希釈し、ろ過し、
得られたろ液からメタノールを減圧下加熱留去させた。

このようにして得られた生成物全量を希塩酸５００部に
加え、析出した沈殿をろ過し、水洗し、８０℃で乾燥し
て、゛フタロシアニン系化合物（ｑ）２．５部を得た。

フタロシアニン系化合物（ｒ）はフタロシアニン系化合
物（ｑ）の製造法に準じた方法により得た。

実施例１ ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物（ａ）３．
０部とクロロホルム９７．０部とからなる溶液を滴下し
た後、１２００ｒｐｍの速度で２０秒間回転させ。

８０℃で２０分間乾燥させて光学記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ７８０人。

最大吸収波長が７４５部ｍ、波長７８０ｎｍの光に対す
る反射率が４２％であった。

得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、
ターンテーブルを１８０Ｏｒｐｍで回転させながら、１
．０μｍに集束した８３０部ｍのレーザー光を５　ｍ　
Ｗ　ｒ　　８　Ｍ　Ｈｚで照射して記録を行なった。

記録後の光学記録媒体の表面を走査型電子顕微鏡で観察
したところ、鮮明なビットの形成が認められた。また、
得られた光学記録媒体に７８０部ｍ、　０．４ｍＷのレ
ーザー光を照射し２反射光の検出を行なったところ、Ｃ
／Ｎ比が４５ｄＢであった。

実施例２ ポリカーボネート樹脂製基板上に、フタロシアニン系化
合物（ｂ）２．５部とメチルセロソルブ９７．５部とか
らなる溶液を滴下した後、８００ｒｐｍの速度で３０秒
間回転させ、減圧下８０℃で１５分間乾燥させて光学記
録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ８５０人。

最大吸収波長が７４０部ｍ、波長７８０ｎｍの光に対す
る反射率が４０％であった。

また、得られた光学記録媒体に、実施例１と同様にして
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成
が認められ、また、Ｃ／Ｎ比は４２ｄＢであった。

実施例３〜９ ガラス製基板上に、フタロシアニン系化合物（ｃ）（ｅ
）、　　（ｉ）、　　（ｋ）、　　（ｍ）、　　（ｏ）
、　　（ｑ）を、実施例１と同様にして塗布し、乾燥さ
せて光学記録媒体を得た。。

得られた光学記録媒体の記録層の最大吸収波長および波
長７８０ｎｍの光に対する反射率、および得られた光学
記録媒体に実機例１と同様な記録再生を行なったときの
Ｃ／Ｎ比を表１に示す。

（以下、余白） ３　　　　　　ｃ　　　　　７４０　　　　　４０　　
　　　　　４０４　　　　　　ｅ　　　　　７６０　　
　　　４３　　　　　　　４５５　　　　　　ｉ　　　
　　７８０　　　　　５０　　　　　　　５５６　　　
　　　ｋ　　　　　７４０　　　　　４０　　　　　　
　４２７　　　　　ｍ　　　　　７７５　　　　　４７
　　　　　　　５２８　　　　　　ｏ　　　　　７７０
　　　　　　４３　　　　　　　４５９　　　　　ｇ　
　　　　７６５　　　　　４５　　　　　　４５〔発明
の効果〕 本発明の光学記録媒体に用いられるフタロシアニン系化
合物は、前記のような通常の有機溶媒への溶解性がきわ
めて高いので、これらの有機溶媒に溶解させて、生産性
や作業性のよい塗布法により基板上に有機薄膜層として
設けることができ２本発明の光学記録媒体は、レーザー
光線による記録前後の反射率の差がきわめて大きいため
感度が高く、高感度の記録再生が可能であり、また、化
学的、物理的にも安定でである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、下記一般式〔 I 〕で示されるフタロシ
   アニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する有機薄
   膜層を設けてなる光学記録媒体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳ
   ｎを表わす。 Ｒ＾１ないしＲ＾８は、互いに同一であっても異なって
   いてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、置換基
   を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素
   環残基、置換基を有してもよいフタルイミドメチル基、
   水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基。 シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾９、−ＳＲ＾１＾０
   、−ＣＯＯＲ＾１＾１、−ＮＲ＾１＾２Ｒ＾１＾３、−
   ＳＯ＿２ＮＲ＾１＾４Ｒ＾１＾５、−ＣＯＮＲ＾１＾６
   Ｒ＾１＾７、−ＣＨ＿２ＮＨＣＯＣＨ＿２ＮＲ＾１＾８
   Ｒ＾１＾９、−ＮＨＣＯＲ＾２＾０、−Ｎ＝ＮＲ＾２＾
   １、または−Ｎ＝ＣＨＲ＾２＾２、またはＲ＾１とＲ＾
   ２、Ｒ＾３とＲ＾４、Ｒ＾５とＲ＾６、Ｒ＾７とＲ＾８
   がそれぞれ一体となった環状有機残基を表わす。 Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１
   ＾３、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾
   ７、Ｒ＾１＾８、およびＲ＾１＾９は、互いに同一であ
   っても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有して
   もよいアルキル基、アリール基、アシル基、シクロアル
   キル基、またはポリエーテル基を表わし、または、Ｒ＾
   １＾４とＲ＾１＾５とで、Ｒ＾１＾６とＲ＾１＾７とで
   、あるいはＲ＾１＾８とＲ＾１＾９とで、４〜７員環を
   形成してもよく、これらの４〜７員環は窒素原子などの
   ヘテロ原子を含む複素環であってもよい、Ｒ＾２＾０、
   Ｒ＾２＾１およびＲ＾２＾２は、互いに同一であっても
   異なってもよく、置換基を有してもよいアルキル基、シ
   クロアルキル基、またはアリール基を表わす。 Ｘ＾１ないしＸ＾４は、互いに同一であっても異なって
   もよく、炭素原子または窒素原子を表わす。 Ｙは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、 −Ｏ−Ｐ−Ｒ＾２＾９Ｒ＾３＾０、または−Ｏ−Ｓｅ−
   Ｒ＾３＾１を表わす。 Ｚは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有し
   てもよいアルキル基、−Ｏ−Ｐ−Ｒ＾３＾２Ｒ＾３＾３
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、 または−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ＾４＾０を表わす。 Ｒ＾２＾３、Ｒ＾２＾４、Ｒ＾２＾９、Ｒ＾３＾０、Ｒ
   ＾３＾１、Ｒ＾３＾２、Ｒ＾３＾３、Ｒ＾３＾４、Ｒ＾
   ３＾５およびＲ＾４＾０は、互いに同一であっても異な
   っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、ア
   リール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基
   、アリロキシ基、ポリエーテル基、水酸基、またはハロ
   ゲン原子を表わす。 Ｒ＾２＾５、Ｒ＾２＾６、Ｒ＾２＾７、Ｒ＾２＾８、Ｒ
   ＾３＾６、Ｒ＾３＾７、Ｒ＾３＾８およびＲ＾３＾９は
   、互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を
   有してもよいアルキル基、アリール基、アシル基、シク
   ロアルキル基、アルコキシ基、アリロキシ基、ポリエー
   テル基、水酸基、ハロゲン原子、または水素原子を表わ
   す。 Ｗは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｔｅ−を表わ
   す、ｐは、０または１を表わす。） ２、上記環状有機残基が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ もしくは ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれる基本骨格を有するものである請求の項１記
   載の光学記録媒体。 （式中、Ｒ＾４＾１ないしＲ＾４＾４は、置換基を有し
   てもよい　アルキル基、置換基を有してもよいアリール
   基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基を有して
   もよいフタルイミドメチル基、水素原子、ハロゲン原子
   、ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾９、一
   ＳＲ＾１＾０、−ＣＯＯＲ＾１＾１、−ＮＲ＾１＾２Ｒ
   ＾１＾３、−ＳＯ＿２ＮＲ＾１＾４Ｒ＾１＾５、−ＣＯ
   ＮＲ＾１＾６Ｒ＾１＾７、−ＣＨ＿２ＮＨＣＯＣＨ＿２
   ＮＲ＾１＾８Ｒ＾１＾９、−ＮＨＣＯＲ＾２＾０、−Ｎ
   ＝ＮＲ＾２＾１、または−Ｎ＝ＣＨＲ＾２＾２を表わす
   。 Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１
   ＾３、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾
   ７、Ｒ＾１＾８、およびＲ＾１＾９は、互いに同一であ
   っても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有して
   もよいアルキル基、アリール基、アシル基、シクロアル
   キル基、またはポリエーテル基を表わし、または、Ｒ＾
   １＾４とＲ＾１＾５とで、Ｒ＾１＾６とＲ＾１＾７とで
   、あるいはＲ＾１＾８とＲ＾１＾９とで、４〜７員環を
   形成してもよく、これらの４〜７員環は窒素原子などの
   ヘテロ原子を含む複素環であってもよい、Ｒ＾２＾０、
   Ｒ＾２＾１およびＲ＾２＾２は、おたがいに同一であっ
   ても異なってもよく、置換基を有してもよいアルキル基
   、シクロアルキル基、またはアリール基を表す、ｋは０
   〜８の整数を表わす。）