JPH02570A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光線によって情報を書き込んだり、
読取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。

（従来の技術） レーザー光線を用いて情報を記録する媒体には種々のも
のがあるが、その１つにレーザー光線を基板上の記録層
に照射することによって、照射部分を局部的に加熱し、
融解、蒸発または分解などの物理的変化をおこさせ情報
を記録するものがある。

これまで、基板上の記録層として、Ａｓ、Ｔｅ。

Ｓｅ、Ｔｉなどの金属や合金の薄膜層が使用されてきた
。このような記録層を有する光学記録媒体は一般に比較
的書き込み感度が高く、また記録再生の光学系が小型に
できる半導体レーザーにも適用することができるが、熱
伝導率が大きい１反射率が小さいなどの理由で記録時に
レーザー光線のエネルギーを効率よ（利用できず、高速
走査で記録するには大出力のレーザー光線が必要となる
場合があった。また、これらの記録層は化学的に不安定
であり、空気中で劣化することがあった。

このような理由から、近年、比較的長波長（例えば７８
０　ｎｍ以上）のレーザー光線を用いて１基板上の有機
薄膜層に情報を書き込んだり読み取ったりする光学記録
媒体の研究がなされている。

このような有機薄膜層は、半導体レーザーを用いて融解
、蒸発または分解などによって容易に小さな凹部（ビッ
ト）を形成できる利点を持っている。

有機薄膜層を基板の上に形成させ、レーザー光線を用い
て情報を記録、再生する光学記録媒体とじては、特開昭
５７−８２０９３号公報、特開昭５８−５６８９２号公
報、特開昭６０−８９８４２号公報特開昭６０−１５０
２４３号公報などに記載のものが知られている。しかし
ながら、半導体レーザー光線に対して吸収係数が大きい
、記録感度の高い、光学記録媒体として完全に満足でき
るものは開発されていないのが実情である。

（発明が解決しようとする課題） 本発明者らは、基板上に、特定のフタロシアニン系化合
物を含有する記録層を有する光学記録媒体が種々の優れ
た特性を有することを見出し１本発明を完成したもので
１本発明は、化学的、物理的に安定で、レーザー光線で
高感度で記録再生できる。安価な特定のフタロシアニン
系化合物を用いた光学記録媒体を提供するものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に下記−瓜式（１）で示される特定の
フタロシアニン系化合物を含有する有機薄膜層を記録層
として有することを特徴とする光学記録媒体である。

０式中、Ａ、、Ａ２．Ａｆｆは、それぞれ独立に。

置換基を有してもよいベンゼン環またはナフタリン環を
表わす、ただし、ＡＨ，Ａｚ、Ａｆｆが同時にナフタリ
ン環になることはない。

Ｍは、水素原子、ハロゲン原子または酸素原子を有して
もよい金属原子、または（ＯＲｓ）Ｉ）　、　（Ｏ３ｉ
　ＲａＲｙＲｓ）Ｑ＋　（Ｏ３ｉ　Ｒｈ　Ｒｔ（ＯＲａ
））　Ｑを有してもよい金属原子を表わす。

（ここで、Ｒｓ、Ｒｈ、Ｒｔ、Ｒ＋＋は、水素原子。

置換もしくは未１換の脂肪族炭化水素基、置換もしくは
未置換の芳香族炭化水素基、または直換もしくは未１π
換の芳香族複素環基を表わす。ｐ、ｑは０ないし２の整
数を表わす。） Ｒｏ、Ｒｚ、Ｒｉは、それぞれ独立に、フェノール性水
酸基、アミン基、アルキルアミノ基を有するカップラー
残基を表わす。

Ｒ４は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、二１・ロ
基、カルボン酸基、スルホン酸基、置換もしくは未置換
の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族炭化
水素基、置換もしくは未置換の芳香族〜ＣＯ□Ｒ，，，
−Ｎ＝Ｎ−Ｒ，。

（ここでＲ１ないしＲ１９は、Ｒｓ、　　Ｒｈ、　　Ｒ
ｔ、　　Ｒａと同様の置換基を表わす。） ｋ、ｌ、ｍは、それぞれ独立にＯ〜４の整数を表わす。

ただし、に、ｌ、ｍが同時にＯになることばない。

ｎはθ〜４の整数を表わす。〕 置換基について、さらに詳細に説明すると、Ｒ８゜Ｒ，
、Ｒ，は、それぞれ独立に、水素原子、フェノール性水
酸基、アミノ基またはアルキルアミノ基を有するカフプ
ラー成分になりうるベンゼン環またはナフタリン環であ
り、アルキルアミノ基としてはモノメチルアミノ基、モ
ノエチルアミノ基。モノオクチルアミノ基１．モノステ
アリルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基
、ジブチルアミノ基。

ジオクチルアミノ基などであるが、これらの置換基に限
られるものではない。また、上記のカップラー成分にな
りうるベンゼン環またはナフタリン環には。

フェノール性水酸基、アミン基、アルキルアミノ基の他
に、ハロゲン原子、カルボン酸基、スルホン酸基、ニト
ロ基、アルキル基、アルコキシ基などの置換基があって
もよい。

ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、アルキル基
としてはメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基。

ｔｅｒ　ｔ−ブチル基、ステアリル基、アルコキシ基と
してはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ステ
アリルオキシ基などであるが、これらの置換基に限られ
るものではない。

Ｍは、Ｒ２，Ｎａ２．Ｌｉ２．Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ。

Ｎｉ　　Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ。

Ａｊ！−Ｃ１，Ｉｎ−Ｃｆ、Ｔｉ＝Ｏ，Ｖ＝Ｏなどを表
わすが、その他、フタロシアニンと金属キレートを形成
する多数の金属を包含する。

上記一般式（１）で表わされるフタロシアニン系化合物
は、可視領域から近赤外領域に大きな吸収を有し、半導
体レーザー光線による記録再生に好適である。

本発明で使用する上記一般式（１）で表わされるフタロ
シアニン系化合物は、一般には下記一般式［１１）およ
び一般式（ＩＩＩ）で示されるオルソジシアノ化合物の
混合物と各種金属塩（無金属フタロシアニンの場合は使
用しない）とを好ましくは有機溶媒中で加熱することに
より製造することができる。

一般式［１１３ 〔式中、Ｒ４およびｎは、一般式（１）におけるＲ４お
よびｎと同様のものを表わす。〕一般式ＣＩ［［］ ０式中、環Ａは、一般式ＣＩ）におけるＡ１．Ａｚ。

Ａ、を表わし、Ｒは、一般式ＣＩ）におけるＲ２゜Ｒｚ
、Ｒｚを表わし、ｊは、一般式ＣＩ）におけるに、ｌ、
ｍを表わす。〕 また、一般式（１）のフタロシアニン系化合物は。

フタル酸類、フタルイミド類を出発原料としても製造す
ることができる。

これらのフタロシアニン系化合物の製造にはアルコール
類、グリコール類、キシレン、キノリン、α−クロルナ
フタレン、ニトロベンゼン、スルホラン。

Ｎ−Ｎジメチルホルムアミドなど通常の有機溶媒を使用
することができるが、無溶媒でも得られる。

また、触媒としてアルカリやジアザビシクロウンデセン
、シクロヘキシルアミンなどの有機アミンを使用した方
が好ましい場合がある。

また、原料となる金属塩としては種々の金属塩が使用で
きる。

本発明において用いられる基板としては、信号の書き込
みや読み出しを行なうための光の透過率が。

好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、アクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン
系樹脂、ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチルペンテ
ン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性樹脂
やエポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化樹脂からなる
基板があげられる。

これらの中では、成形のしやすさ、案内溝やアドレス信
号などの付与のしやすさなどから前記した熱可塑性樹脂
製のものが好ましく、光学特性や機械的特性からアクリ
ル樹脂やポリカーボネート樹脂が特に望ましい。

本発明においては、これらの基板の厚さは、特に制限が
なく、板状でもフィルム状でも良い。また。

その形状は１円形状やカード状でもよく、その大きさに
は特に制限はない。

また、基板には、記録および読み出しの際の位置制御の
ための案内溝やアドレス信号や各種マークなどのプリフ
ォーマット用の凹凸を通常存しているが。

これらの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成形（射
出、圧縮など）する際にスタンパ−などを用いて付与す
るのが、好ましい。

本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する記録層を基板上に定着する方法としては２
例えば真空蒸着法、スパッタリング法。

イオンプレート法およびＬＢ法（ラングミュアブロジェ
ット法）などの方法があるが、これらの方法は操作が煩
雑であり、かつ生産性の点で劣るので、いわゆる塗布に
よる方法が最も好ましい。塗布法によって記録層を形成
する場合には、フタロシアニン系化合物をアルコール類
、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エーテル類、
エステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化
水素類など通常の有機溶媒に分散または溶解して塗布す
る。この際、フタロシアニン系化合物のアミノ基と有機
酸とによる造塩体を形成させることにより溶解性が増大
するため、上記の有機溶媒中に、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、オレイン酸、ステアリン酸などの有機酸を混合し
て使用することもできる。また、このとき、必要に応し
て、高分子バインダーを加えてもよい。高分子バインダ
ーとしては、塩化ビニル系樹脂、アクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、メタクリル樹脂。

Ｉｎビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂
などがあげられる。その際、フタロシアニン系化合物に
対する高分子バインダーの比率は１０ｗＬ％以下が好ま
しい。

また１本発明に用いられるフタロシアニン系化合物に、
他の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用すること
もできる。混合して使用できる色素としては、すでに公
知の例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体。

ナフタロシアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフト
キノン系錯体、アントラキノン系色素やポリメチン系色
素などがあげられる。

基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、１０μｍ以下、好ましくは５００人〜２
μｍである。また塗布した７＆、クロロホルム、テトラ
ヒドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらす
ことによって、薄膜の吸収波長が長波長にシフトし、半
導体レーザーの発振波長域の光に対する感度を著しく向
上させることができる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、Ａ１２０ｔ、
Ｓ　ｉｏ、ｓ　ｉｏ、ＳｎＯなどの無機化合物を蒸着し
て保護層を設けてもよい。また、保護層として５高分子
を塗布してもよい。

上記のようにして得られた記録媒体への記録は。

基板上に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー
光、好ましくは半導体レーザー光を照射することにより
行なう。レーザー光の照射された部分は。

レーザーエネルギーの吸収による分解、蒸発、溶融など
の記録層の熱的な状態変化が生じる。読み取りは、記録
層の熱的な状態変化が生じた部分と生じていない部分と
の反射率の差を読み取ることにより行なう。

光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザ半導体
レーザーなどの各種レーザーを用いることができるが２
価格、大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。半
導体レーザーとしては、中心波長８３０ｎｍ、　　７８
０ｎｍおよびそれより短波長のレーザーヲ使用すること
ができる。

次に、未発明を実施例により、さらに具体的Ｇこ説明す
るが５本発明は、以下の実施例に限定されるものではな
い。例中５部とは重量部である。

（、ｉ、： （ｆ′） ζアン Ｈ３Ｃ処Ｃギ撃 ζ− （〈Ｃ〉ン 実施例１ パイレックス（Ｃｏｒｎｉｎｇ　Ｇｌａｓｓ　Ｗｏｒｋ
ｓ社製、商品名）製基板上に、フタロシアニン系化合物
（ａ）３゜０部とクロロホルム９７．０部からなる溶液
を滴下したｆ！、１１０００ｒｐの速度で１５秒間回転
させ８０℃で２０分間乾燥させ記録媒体を得た。

得られた記録媒体は、記録層の厚さ９００人、最大吸収
波長７９０ｎｍ、８３０ｎｍの波長の光に対する反射率
２６％であった。

得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取りつけタ
ーンテーブルを１８０Ｏｒｐｍで回転させながら、１．
０μｍに集中した８　３０　ｎｍのレーザーを５ｍＷ、
８ＭＨｚで照射して記録を行なった。

記録を行なった光学記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なビットの形成が認められた。ま
た、この光学記録媒体に８３０ｎｍ、０゜４ｎＷのレー
ザー光を照射し１反射光の検出を行なったところ、Ｃ／
Ｎ比が４８ｄＢであった。

実施例２ ポリカーボネート樹脂製基板上に、フタロシアニン系化
合物（ｂ）２．０部と、メチルセロソルブ９８゜０部か
らなる溶液を滴下した７＆、７００ｒｐｍの速度で２０
秒間回転させ、減圧下８０°Ｃで３０分間乾燥させて記
録媒体を得た。

得られた記録媒体は、記録層の厚さ６００人、最大吸収
波長は８００ｎｍ、８３０ｎｍの波長の光に対する反射
率２２％であった。

また得られた記録媒体に実施例１と同様にして記録を行
なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成が認めら
れ、Ｃ／Ｎ比は４５ｄＢであった。

実施例３〜１４ 実施例１と同様な方法により５パイレツクス製基板上に
フタロシアニン系化合物（ｃ）〜（ｎ）を塗布乾燥させ
て記録媒体を得た。

得られた記録媒体の記録層の最大吸収波長および８３０
　ｎｍの波長光に対する反射率、およびこの記録媒体に
実施例１におけると同様な記録再生を行なった結果を表
１に示す。

（以下、余白） 表　　　１ ３　　　　　ｃ　　　　　８００ｎｍ　　　　　２４％
　　　　　４８４　　　　　ｄ　　　　　　７９０ｎｍ
　　　　　２２％　　　　　４６５　　　　　ｅ　　　
　　８０５ｎｌ１１２６％　　　　　４９６　　　　　
ｆ　　　　　７８５ｎｎ＋　　　　２４％　　　　　４
９７　　　　　ｇ　　　　　７８４ｎｌ１１２４％　　
　　　４９８　　　　　ｈ　　　　　７９２ｎｍ　　　
　２５％　　　　　４６９　　　　　ｉ　　　　　８１
２ｒ＋ｍ　　　　２７％　　　　　５１０ｊ　　　　　
　８０６ｎｍ　　　　　２６％　　　　　４８１　　　
　　ｋ　　　　　７９５ｎｍ　　　　　２３％　　　　
　４５”　　　　　７！７７９ｎｍ　　　　　２２％　
　　　　４５３ｍ７８２ｎｍ　　　　　２１％　　　　
　４５４　　　　　ｎ　　　　　８１０ｎｍ　　　　　
３２％　　　　　５１〔発明の効果〕 本発明の光学記録媒体は８以上のような構成よりなり、
化学的、物理的に安定で、レーザー光線で高感度で記録
再生できる特徴を有する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に下記一般式〔 I 〕で示されるフタロシア
   ニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する有機薄膜
   層を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａ＿１、Ａ＿２、Ａ＿３は、それぞれ独立に、
   置換基を有してもよいベンゼン環またはナフタリン環を
   表わす。ただし、Ａ＿１、Ａ＿２、Ａ＿３が同時にナフ
   タリン環になることはない。 Ｍは、水素原子、ハロゲン原子または酸素原子を有して
   もよい金属原子、または（ＯＲ＿５）＿ｐ、（ＯＳｉＲ
   ＿６Ｒ＿７Ｒ＿８）＿ｑ、〔ＯＳｉＲ＿６Ｒ＿７（ＯＲ
   ＿８）〕＿ｑを有してもよい金属原子を表わす。 （ここで、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、Ｒ＿８は、水素原
   子、置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換もし
   くは未置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは未
   置換の芳香族複素環基を表わす。ｐ、ｑは０ないし２の
   整数を表わす。） Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は、それぞれ独立に、フェノー
   ル性水酸基、アミノ基、アルキルアミノ基を有するカッ
   プラー残基を表わす。 Ｒ＿４は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
   基、カルボン酸基、スルホン酸基、置換もしくは未置換
   の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族炭化
   水素基、置換もしくは未置換の芳香族複素環基、▲数式
   、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここでＲ＿９ないしＲ＿１＿９はＲ＿５、Ｒ＿６、Ｒ
   ＿７、Ｒ＿８と同様の置換基を表わす。） ｋ、ｌ、ｍは、それぞれ独立に０〜４の整数を表わす。 ただし、ｋ、ｌ、ｍが同時に０になることはない。 ｎは０〜４の整数を表わす。〕