JPH0566875B2 - - Google Patents

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JPH0566875B2
JPH0566875B2 JP62076299A JP7629987A JPH0566875B2 JP H0566875 B2 JPH0566875 B2 JP H0566875B2 JP 62076299 A JP62076299 A JP 62076299A JP 7629987 A JP7629987 A JP 7629987A JP H0566875 B2 JPH0566875 B2 JP H0566875B2
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JP
Japan
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phthalocyanine
tetra
group
diethylaminophenylazo
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Mare Sakamoto
Shuji Myazaki
Shigeyuki Ehashi
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Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
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Toyo Ink Mfg Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光線によつて情報を書き込
んだり、読取つたりすることが可能な光学記録媒
体に関するものである。
（従来の技術） 従来、レーザー光線を用いて情報を記録する媒
体には種々のものがあるが、その一つにレーザー
光線を基板上の記録層に照射することによつて、
照射部分を局部的に加熱し、融解、蒸発または分
解等の物理的変化を起させ情報を記録するものが
ある。
これまで基板上の記録層として、As、Te、
Se、Ti等の金属や合金の薄膜層が使用されてき
た。このような記録層を有する光学記録媒体は、
一般に比較的書き込み感度が高く、また記録再生
の光学系が小型にできる半導体レーザーにも適用
することができるが、熱伝導率が小さい、反射率
が大きい等の理由で記録時にレーザー光線のエネ
ルギーを効率よく利用できず、高速走査で記録す
るには大出力のレーザー光線が必要となる場合が
ある。また、これらの記録層は化学的に不安定で
あり、空気中で劣化されることがある。
この様なことから、近年比較的長波長（例えば
780nｍ以上）のレーザー光線を用いて、基板上
の有機薄膜層に書き込んだり読み取つたりする光
記録媒体の研究がなされている。
この様な有機薄膜層は、半導体レーザーを用い
て融解、蒸発または分解等によつて容易に小さな
凹部（ピツト）を形成できる利点を持つている。
有機薄膜層を基板の上に形成させ、レーザー光
線を用いて情報を記録、再生する光デイスクとし
て特開昭57−82093、特開昭58−56892、特開昭60
−89842、特開昭60−150243等の各号公報がすで
に公知してある。しかしながら、半導体レーザー
光線に対して吸収係数が大きい、記録感度の高い
光記録媒体として完全に満足できるものは開発さ
れていないのが実情である。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、化学的、物理的に安定でレーザー光
線で高感度で記録再生できる安価な特定のフタロ
シアニン化合物を用いた光記録媒体を提供するも
のである。
〔発明の構成〕
（問題を解決するための手段） 本発明者等は鋭意研究を行つた結果、基板上に
特定の構造を有するフタロシアニン化合物を含有
する記録層を有する光記録媒体が優れた種々の特
性を有することを見出し、本発明を完成するに到
つた。
即ち本発明は基板上に下記一般式〔〕で示さ
れるフタロシアニン化合物の一種または二種以上
を含有する有機薄膜層を有することを特徴とする
光学記録媒体である。
一般式〔〕 （式中、R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に水
素原子、水酸基、アルキルアミノ基を表し、R5、
R6、R7、R8は、それぞれ独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基
を表し、A1、A2、A3、A4は、それぞれ独立に−
Ｎ＝Ｎ−基、もしくは、−CH＝Ｎ−基を表し、
Ｍは、水素または酸素もしくは塩素原子を有して
もよい金属原子を表し、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは、
それぞれ独立に０から４の整数を表すが、全部が
同時に０になることはない。） 更に置換基について説明するとR1、R2、R3、
R4は、それぞれ独立に水素原子、水酸基または
アルキルアミノ基を表し、アルキルアミノ基とし
ては、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ
基、モノオクチルアミノ基、モノステアリルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ
ブチルアミノ基、ジオクチルアミノ基等である
が、これらの置換基に限られるものではない。
R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アル
コキシ基を表し、ハロゲン原子としては、塩素、
臭素、ヨウ素、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、ｎ−ブチル基、tertブチル基、ステアリ
ル基、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、ステアリルオキシ基等で
あるが、これらの置換基に限られるものではな
い。
A1、A2、A3、A4は、それぞれ独立に、−Ｎ＝
Ｎ−基、もしくは−CH＝Ｎ−基を表す。
Ｍは、Ｈ、Na、Li、Cu、Fe、Co、Ni、Zn、
Mn、Pb、Si、Mg、Al−Cl、In−Cl、Ti＝Ｏ、
Ｖ＝Ｏ等を表わすが、その他フタロシアニンと金
属キレートを形成する多数の金属を含んでいる。
上記一般式で表わされるフタロシアニン化合物
は、可視から近赤外領域に大きな吸収を有し、レ
ーザー光線による記録再生に好適である。
本発明で使用する上記一般式〔〕で表わされ
るフタロシアニン化合物は、一般には下記一般式
〔〕で示されるニトリル類と各種金属塩（無金
属フタロシアニンの場合は使用しない）とを好ま
しくは有機溶媒中で加熱することにより製造する
ことができる。
一般式〔〕 （式中、R9は、一般式〔〕のR1、R2、R3、R4
と、R10は一般式〔〕のR5、R6、R7、R8と、
Ｘは一般式〔〕のA1、A2、A3、A4と同様であ
り、ｋ、ｌ、ｍまたはｎは０から４の整数を表
す。） また、一般式〔〕で示される置換基の異なる
ニトリル類を混合して反応させることによつて
種々のフタロシアニン化合物を得ることもでき
る。また一般式〔〕のフタロシアニン化合物
は、フタル酸類、フタルイミド類を出発原料とし
ても製造することができる。
これらのフタロシアニン化合物の製造には、ア
ルコール類、クリコール類、キシレン、キノリ
ン、α−クロルナフタレン、ニトロベンゼン、ス
ルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の一
般の有機溶媒を広く使用することができるが無溶
媒でも得られる。
また、触媒としてアルカリやジアザビシクロウ
ンデセン（DBU）、シクロヘキシルアミン等の有
機アミンを使用した方が好ましい場合がある。
また、原料となる金属塩は、種々の金属塩が使
用できる。
本発明で使用する一般式〔１〕で表わされるフ
タロシアニン化合物代表例を更に具体的に例をあ
げるとテトラ（４−ｎブチルアミノフエニルア
ゾ）メタルフリ−フタロシアニン、テトラ（４−
ジエチルアミノフエニルアゾ）メタルフリ−フタ
ロシアニン、テトラ（３−クロル−４−ジメチル
アミノフエニルアゾ）メタルフリ−フタロシアニ
ン、テトラ（３−メチル−４−ジエチルアミノフ
エニルアゾ）メタルフリ−フタロシアニン、テト
ラ（３−メトキシ−４−ジエチルアミトフエニル
アゾ）メタルフリ−フタロシアニン、テトラ（４
−ジエチルアミノフエニルアゾ）銅フタロシアニ
ン、テトラ（４−ステアリルアミノフエニルア
ゾ）コバルトフタロシアニン、テトラ（４−ジエ
チルアミノフエニルアゾ）亜鉛フタロシアニン、
テトラ（３−クロロ−４−ジメチルアミノフエニ
ルアゾ）亜鉛フタロシアニン、テトラ）４−ジブ
チルアミノフエニルアゾ）マンガンフタロシアニ
ン、テトラ（３−メトキシ−４−ジエチルアミノ
フエニルアゾ）マンガンフタロシアニン、テトラ
（４−ジメチルアミノフエニルアゾ）アルミニウ
ムフタロシアニン、テトラ（３−クロロ−４−ジ
エチルアミノフエニルアゾ）アルミニウムフタロ
シアニン、テトラ（４−ジエチルアミノフエニル
アゾ）チタニルフタロシアニン、テトラ（３−ク
ロロ−４−ジメチルアミノフエニルアゾ）チタニ
ルフタロシアニン、テトラ（３−メトキシ−４−
ジエチルアミノフエニルアゾ）チタニルフタロシ
アニン、テトラ（４−ｎブチルアミノフエニルア
ゾ）バナジルフタロシアニン、テトラ（４−ジエ
チルアミノフエニルアゾ）バナジルフタロシアニ
ン、テトラ（３−クロル−４−ジエチルアミノフ
エニルアゾ）バナジルフタロシアニン、テトラ
（３−エチル−４−ジエチルアミノフエニルアゾ）
バナジルフタロシアニン、ジ（４−ジエチルアミ
ノフエニルアゾ）銅フタロシアニン、ジ（３−ク
ロル−４−ジエチルアミノフエニルアゾ）チタニ
ルフタロシアニン、ジ（３−メトキシ−４−ジエ
チルアミノフエニルアゾ）バナジルフタロシアニ
ン、ヘキサ（３−クロル−４−ジエチルアミノフ
エニルアゾ）銅フタロシアニン、オクタ（４−ジ
エチルアミノフエニルアゾ）チタニルフタロシア
ニン、オクタ（４−ジメチルアミノフエニルア
ゾ）バナジルフタロシアニン、テトラ（４−ｎブ
チルアミノベンジリデンアミノ）メタルフリ−フ
タロシアニン、テトラ（４−ジエチルアミノベン
ジルデンアミノ）メタルフリ−フタロシアニン、
テトラ（３−クロル−４−ジエチルアミノベンジ
リデンアミノ）メタルフリ−フタロシアニン、テ
トラ（３−メトキシ−４−ジメチルアミノベンジ
リデンアミノ）メタルフリ−フタロシアニン、テ
トラ（４−ジブチルアミノベンジリデンアミノ）
銅フタロシアニン、テトラ（３−クロル−４−ジ
エチルアミノベンジリデンアミノ）銅フタロシア
ニン、テトラ（３−メチル−４−ジメチルアミノ
ベンジリデンアミノ）銅フタロシアニン、テトラ
（４−ｎブチルアミノベンジリデンアミノ）コバ
ルトフタロシアニン、テトラ（３−クロル−４−
ジエチルアミノベンジリデンアミノ）コバルトフ
タロシアニン、テトラ（３−エトキシ−４−ジエ
チルアミノベンジリデンアミノ）コバルトフタロ
シアニン、テトラ（４−エチルアミノベンジリデ
ンアミノ）亜鉛フタロシアニン、テトラ（４−ジ
エチルアミノベンジリデンアミノ）亜鉛フタロシ
アニン、テトラ（４−ジエチルアミノベンジリデ
ンアミノ）アルミニウムクロルフタロシアニン、
テトラ（３−エチル−４−ジブチルアミノベンジ
リデンアミノ）アルミニウムクロルフタロシアニ
ン、テトラ（３−メトキシ−４−ジメチルアミノ
ベンジリデンアミノ）アルミニウムクロルフタロ
シアニン、テトラ（４−エチルアミノベンジリデ
ンアミノ）チタニルフタロシアニン、テトラ（４
−ジエチルアミノベンジリデンアミノ）チタニル
フタロシアニン、テトラ（３−クロル−４−ジエ
チルアミノベンジリデンアミノ）チタニルフタロ
シアニン、テトラ（３−メチル−４−ジエチルア
ミノベンジリデンアミノ）チタニルフタロシアニ
ン、テトラ（３−メトキシ−４−ジエチルアミノ
ベンジリデンアミノ）チタニルフタロシアニン、
テトラ（４−ｎプロピルアミノベンジリデンアミ
ノ）バナジルフタロシアニン、テトラ（４−ジブ
チルアミノベンジリデンアミノ）バナジルフタロ
シアニン、テトラ（３−ブロム−４−ジエチルア
ミノベンジリデンアミノ）バナジルフタロシアニ
ン、テトラ（３−エチル−４−ジメチルアミノベ
ンジリデンアミノ）バナジルフタロシアニン、テ
トラ（３−エトキシ−４−ジエチルアミノベンジ
リデンアミノ）バナジルフタロシアニン、ジ（４
−ジエチルアミノフエニルアゾ）メタルフリ−フ
タロシアニン、ジ（３−クロル−４−ジエチルア
ミノフエニルアゾ）銅フタロシアニン、ジ（３−
ブロム−４−ジエチルアミノフエニルアゾ）マン
ガンフタロシアニン、ジ（３−メトキシ−４−ジ
エチルアミノフエニルアゾ）チタニルフタロシア
ニン、ジ（３−メチル−４−ジエチルアミノフエ
ニルアゾ）バナジルフタロシアニン、ジ（４−ジ
エチルアミノベンジリデンアミノ）メタルフリ−
フタロシアニン、ジ（４−ジメチルアミノベンジ
リデンアミノ）銅フタロシアニン、ジ（３−クロ
ル−４−ジメチルアミノベンジリデンアミノ）チ
タニルフタロシアニン、ジ（３−メトキシ−４−
ジメチルアミノベンジリデンアミノ）バナジルフ
タロシアニン、ジ（４−ジエチルアミノフエニル
アゾ）−ジ−（３−クロル−４−ジエチルアミノフ
エニルアゾ）メタルフリ−フタロシアニン、ジ
（４−ジメチルアミノフエニルアゾ）−ジ−（３−
メトキシ−４−ジエチルアミノフエニルアゾ）銅
フタロシアニン、ジ（４−ジエチルアミノフエニ
ルアゾ）−ジ−（３−クロル−４−ジメチルアミノ
フエニルアゾ）チタニルフタロシアニン、ジ（４
−ジメチルアミノフエニルアゾ）−ジ−（３−メチ
ル−４−ジメチルアミノフエニルアゾ）バナジル
フタロシアニン、ジ（４−ジエチルアミノフエニ
ルアゾ）−ジ−（４−ジエチルアミノフエニルア
ゾ）メタルフリ−フタロシアニン、ジ（４−ジエ
チルアミノフエニルアゾ）−ジ−（３−クロル−４
−ジエチルアミノベンジリデンアミノ）銅フタロ
シアニン、ジ（４−ジエチルアミノフエニルア
ゾ）−ジ−（３−メトキシ−４−ジエチルアミノベ
ンジリデンアミノ）チタニルフタロシアニン、ジ
（４−ジエチルアミノフエニルアゾ）−ジ−（４−
ジブチルアミノベンジリデンアミノ））バナジル
フタロシアニンなどである。
本発明において、記録層を設ける基板材料とし
ては、ガラス、プラスチツク、紙、金属板等種々
の材料を使用することができる。
プラスチツクとしては、塩化ビニル樹脂、アク
リル酸樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、メタクリル酸樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ニトロセルロース、ポリプロピレン樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂、フエノール樹
脂、及びこれらの共重合体などがあげられる。
本発明の特定のフタロシアニン化合物を含有す
る記録層を基板上に形成する方法としては、真空
蒸着法、スパツタリング法、イオンプレート法、
キヤスト法、スピナー法、スプレーコート法、ブ
レードコーテイング法、LB法等の化学的、機械
的方法がある。
本発明ではスピナー法が最も好ましい。また必
要に応じて高分子バインダーと混合することもで
きる。高分子バインダーとしては、上記基板材料
に使用するプラスチツク類を使用することができ
る。
スピナー法で塗工する場合には、フタロシアニ
ン化合物をアルコール類、ケトン類、アミド類、
スルホキシド類、エーテル類、エステル類、脂肪
族ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類等の
一般の有機溶媒に分散または溶解して塗布する。
この時場合によつては高分子バインダーを加え
る。基板上に形成するフタロシアニンを含む記録
層は、10μｍ以下で、好ましくは500Å〜2μｍ以
下である。塗布した後、クロロホルム、テトラヒ
ドロフラン、トルエン等の有機溶媒の蒸気にさら
すことによつて、薄膜の吸収波長を長波長にシフ
トして、レーザー光に対する感度を著しく向上す
ることができる場合もある。
また、これらの記録層を保護するために、
Al2O3、SiO2、SiO、SnO、等の無機化合物を蒸
着して保護層を設けてもよい。保護層として基板
材料に用いるポリマーを塗布してもよい。
本発明で得られる光記録媒体は、He−Neレー
ザー光線は勿論、ルビー、Ar、半導体レーザー
光線等の各種レーザー光線によつて書込み、読み
出しの記録再生ができる。
次に本発明を実施例により、更に具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではない。
実施例 １ ｎ−アミルアルコール20重量部に４−（４−ジ
エチルアミノフエニルアゾ）フタロニトリル3.0
重量部、ジアザビシクロウンデセン（DBU）1.6
重量部を加え３時間還流した後、反応液を水500
mlに注入。析出した結晶を□別、ジオキサンから
再結晶精製しテトラ（４−ジエチルアミノフエニ
ルアゾ）メタルフリ−フタロシアニン2.0重量部
が得られた。
エタノール100重量部に上記フタロシアニン化
合物３重量部を溶解し、この溶液をポリカーボネ
ート樹脂基板上に500rpmスピナーコーテイング
法で塗布した後、80〜90℃で１時間乾燥して約
800Åの記録層を得た。
この様にして製作した光学記録媒体をターンテ
ーブルに取りつけターンテーブルを1600rpmで回
転しながら、スポツトサイズ0.6μに集束した５ｍ
Ｗおよび8MHzのガリウム−アルミニウム−ヒ素
半導体レーザー光線（830nｍ）を記録層にトラ
ツク状に照射して記録を行なつた。記録を完了し
た記録層は、鮮明なピツトが電子顕微鏡で観察さ
れた。またこの光記録媒体を低出力ガリウム−ア
ルミニウム−ヒ素半導体レーザー光線を入射し、
反射光の検知を行なつたところ実用に十分なＳ／
Ｎ比を有する波形を示した。
実施例 ２ クロルベンゼン20重量部に４（４−ジエチルア
ミノフエニルアゾ）フタロニトリル3.0重量部、
三塩化バナジウム0.4重量部を加え110〜120℃で
４時間加熱撹拌した後、反応液を水500mlに注入。
析出した結晶を□別、ジオキサンから再結晶精製
しテトラ（４−ジエチルアミノフエニルアゾ）バ
ナジルフタロシアニン2.0重量部が得られた。
エタノール200重量部に上記フタロシアニン化
合物５重量部を溶解し、この溶液をポリカーボネ
ート基板上に500rpmスピナーコーテイング法で
塗布した後、80〜90℃で１時間乾燥して約600Å
の記録層を得た。
この様にして製作した光学記録媒体を実施例１
と同様に記録を行なつたところ、この記録層は鮮
明なピツトが電子顕微鏡で観察され、また実施例
１と同様な入射レーザー光線の反射光の検知を行
つたところ実用に十分なＳ／Ｎ比を有する波形を
得た。
実施例 ３ ｎアミルアルコール20重量部に４−（４−ジエ
チルアミノベンジリデンアミノ）フタロニトリル
3.0部、塩化第一銅0.3重量部、DBU1.6重量部を
加え３時間還流した後、反応液を水500mlに注入。
析出した結晶を□別、ジオキサンから再結晶精製
しテトラ（４−ジエチルアミノベンジリデンアミ
ノ）銅フタロシアニン2.2重量部が得られた。
市販のニトロセルロース樹脂３重量部をメチル
エチルケトン10重量部に溶解し、上記フタロシア
ニン化合物５重量部、およびジクロロエタン200
重量部を上記の樹脂溶液と混合、溶解した。この
溶液をパイレツクス基板上に500rpmスピネーコ
ーテイング法により塗布し、90℃の温度で２時間
乾燥し、約900Åの記録層を得た。
この様にして作製した光記録媒体を実施例１と
同様に記録を行なつたところ、この記録層は鮮明
なピツトが電子顕微鏡で観察され、また、実施例
１と同様な入射レーザー光線の反射光の検知を行
なつたところ実用に十分なＳ／Ｎ比を有する波形
を示した。
実施例 ４ ニトロベンゼン20重量部に４−（３−クロル−
４−ジエチルアミノベンジリデンアミノ）フタニ
トリル3.4重量部、塩化アルミニウム0.35重量部
を加え150〜160℃で５時間加熱化撹拌した後、反
応液を水500mlに注入、析出した結晶を□別、ジ
オキサンから再結晶しテトラ（３−クロル−４−
ジエチルアミノベンジリデンアミノ）アルミニウ
ムクロルフタロシアニン1.8重量部が得られた。
真空度10-7Torrで、厚さ１mmのアクリル基板
上に基板温度を室温にし、上記フタロシアニン化
合物を蒸着し膜厚を1000Åとした。
この様にして作製した光記録媒体を実施例１と
同様に記録を行なつたところ、この記録層は鮮明
なピツトが電子顕微鏡で観察され、また、実施例
１と同様な入射レーザー光線の反射光の検知を行
なつたところ実用に十分なＳ／Ｎ比を有する波形
を示した。
実施例 ５ キノリン20重量部に４（３−メトキシ−４−ジ
エチルアミノフエニルアゾ）フタロニトリル3.6
重量部、四塩化チタン0.5重量部を加え、150〜
160℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を水500ml
に注入。析出した結晶をろ別、ジオキサンより再
結晶してテトラ（３−メトキシ−４−ジエチルア
ミノフエニルアゾ）チタニルフタロシアニン1.0
重量部が得られた。
ベンゼン200重量部に上記フタロシアニン化合
物５重量部を溶解し、この溶液をポリカーボネー
ト樹脂基板上に500rpmスピナーコーテイング法
で塗布した後、80〜90℃で30分間乾燥して約800
Åの記録層を得た。実施例１と同様に記録を行な
つたところ鮮明なピツトが電子顕微鏡写真で観察
され、実用に十分なＳ／Ｎ比が得られた。
〔発明の効果〕
本発明は以上のような構成よりなり、化学的、
物理的に安定でレーザー光線で高感度で記録再生
できる特徴を有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上に下記一般式〔〕で示されるフタロ
    シアニン化合物の一種または二種以上を含有する
    有機薄膜層を有することを特徴とする光学記録媒
    体。 一般式〔〕 （式中、R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に水
    素原子、水酸基、アルキルアミノ基を表し、R5、
    R6、R7、R8は、それぞれ独立に水素原子、ハロ
    ゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基
    を表し、A1、A2、A3、A4は、それぞれ独立に−
    Ｎ＝Ｎ−基、もしくは、−CH＝Ｎ−基を表し、
    Ｍは、水素または酸素もしくは塩素原子を有して
    もよい金属原子を表し、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは、
    それぞれ独立に０から４の整数を表すが、全部が
    同時に０になることはない。）
JP62076299A 1987-03-31 1987-03-31 光学記録媒体 Granted JPS63242682A (ja)

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JP62076299A JPS63242682A (ja) 1987-03-31 1987-03-31 光学記録媒体

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JP62076299A JPS63242682A (ja) 1987-03-31 1987-03-31 光学記録媒体

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JPH07118273A (ja) * 1993-10-22 1995-05-09 Hiroyoshi Shirai ナフタロシアニン系化合物および製造方法、ならびにナフタロシアニン系重合体および製造方法

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