JPH0497889A - 光学記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザー光線によって情報を書込んだり、読
み取ったりすることか可能な光学記録媒体に関するもの
である。
み取ったりすることか可能な光学記録媒体に関するもの
である。
さらに詳しくは追記型光ディスク、コンパクトディスク
(CD)あるいはコンパクトディスク−ROM (CD
−ROM)対応の追記型光ディスクに関する。
(CD)あるいはコンパクトディスク−ROM (CD
−ROM)対応の追記型光ディスクに関する。
(従来の技術)
従来、レーザー光線を用いて情報を記録する媒体には種
々のものがあるか、その一つにレーザー光線を基板上の
記録層に照射することによって、照射部分を局部的に加
熱し、融解、蒸発または分解等の物理的あるいは化学的
変化を起こさせ情報を記録するものかある。
々のものがあるか、その一つにレーザー光線を基板上の
記録層に照射することによって、照射部分を局部的に加
熱し、融解、蒸発または分解等の物理的あるいは化学的
変化を起こさせ情報を記録するものかある。
これまで基板上の記録層として、As、Te、Se、T
i等 の金属や合金の薄膜層か使用されてきた。このよ
うな記録層を有する光学記録媒体は、般に比較的書込み
感度か高く、また記録再生の光学系が小型にてきる半導
体レーザーにも適用することができるが、熱伝導率か大
きい等の理由で記録時にレーザー光線のエネルギーを効
率よ(利用できない。
i等 の金属や合金の薄膜層か使用されてきた。このよ
うな記録層を有する光学記録媒体は、般に比較的書込み
感度か高く、また記録再生の光学系が小型にてきる半導
体レーザーにも適用することができるが、熱伝導率か大
きい等の理由で記録時にレーザー光線のエネルギーを効
率よ(利用できない。
また、これらの記録層は化学的に不安定てあり、空気中
で劣化されることが問題であった。
で劣化されることが問題であった。
近年では比較的長波長の光エネルギー(例えば78”O
nm以上)を用いて情報の記録、再生を行なっている。
nm以上)を用いて情報の記録、再生を行なっている。
このような有機薄膜層は、半導体レーザーを用いて融解
、蒸発または分解等によって容易に小さな凹部(ピット
)を形成できる利点を持っている。
、蒸発または分解等によって容易に小さな凹部(ピット
)を形成できる利点を持っている。
有機薄膜層を基板上に形成させ、レーザー光線を用いて
情報を記録、再生する光ディスクとして特開昭57−8
2093、特開昭58−56892、特開昭61−17
7287、特開昭61−25886の各号公報やアメリ
カ特許4.492.750等がすてに公知である。しか
しながら、半導体レーザー光線に対して吸光係数か大き
く、記録感度の高い光学記録媒体として完全に満足でき
るものは開発されていないのが実情である。
情報を記録、再生する光ディスクとして特開昭57−8
2093、特開昭58−56892、特開昭61−17
7287、特開昭61−25886の各号公報やアメリ
カ特許4.492.750等がすてに公知である。しか
しながら、半導体レーザー光線に対して吸光係数か大き
く、記録感度の高い光学記録媒体として完全に満足でき
るものは開発されていないのが実情である。
また、集光レーサー光による情報記録媒体の中で、オー
ディオ等の音楽再生用としてコンパクトディスク(CD
) 、コンピュータ用ROMとしてCD−ROMが広く
普及しているか、このようなCDおよびCD−ROMは
、通常ポリカーボネート等の透明基板表面にCDフォー
マット信号を有するビット列を射出成形時に形成し、そ
の上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッ
タリングにより反射膜として設け、さらに保護層をコー
トして作成する。
ディオ等の音楽再生用としてコンパクトディスク(CD
) 、コンピュータ用ROMとしてCD−ROMが広く
普及しているか、このようなCDおよびCD−ROMは
、通常ポリカーボネート等の透明基板表面にCDフォー
マット信号を有するビット列を射出成形時に形成し、そ
の上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッ
タリングにより反射膜として設け、さらに保護層をコー
トして作成する。
このようにして作成した光ディスクの基板の裏面から再
生レーザー光(780nm半導体レーザー光)を照射し
て、ビットの凹凸による反射率の変化から各信号を読取
り、情報を再生するものである。
生レーザー光(780nm半導体レーザー光)を照射し
て、ビットの凹凸による反射率の変化から各信号を読取
り、情報を再生するものである。
しかし、このようなCDまたはCD−ROMは再生専用
であり記録かてきないため、追記型光ディスクあるいは
書換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能かない
という不都合さかあった。
であり記録かてきないため、追記型光ディスクあるいは
書換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能かない
という不都合さかあった。
一方、編集機能を有する追記型光ディスクあるいは光磁
気ディスクとしては、Te等カルコケナイト系化合物、
希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフタロシアニン
等の有機色素等を記録膜としたものが実用化されている
。
気ディスクとしては、Te等カルコケナイト系化合物、
希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフタロシアニン
等の有機色素等を記録膜としたものが実用化されている
。
しかしながら、これらの光ディスクは、基板面からの反
射率が30〜40%であり、現在のCDの国際規格であ
るレッドブックに記載されている基板面からの反射率7
0%以上には到達しておらず、現状のままCDあるいは
CD−ROMの再生装置により信号の再生を行うことは
できないという問題点がある。
射率が30〜40%であり、現在のCDの国際規格であ
るレッドブックに記載されている基板面からの反射率7
0%以上には到達しておらず、現状のままCDあるいは
CD−ROMの再生装置により信号の再生を行うことは
できないという問題点がある。
このような問題点を解決するために、シアニン等の記録
膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反射率で70%
以上を確保して780nmでCDフォーマットあるいは
CD−ROMフォーマット信号を記録し、CDまたはC
D−ROMの再生装置で情報を読み出す光ディスクおよ
び方法か提案されている。
膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反射率で70%
以上を確保して780nmでCDフォーマットあるいは
CD−ROMフォーマット信号を記録し、CDまたはC
D−ROMの再生装置で情報を読み出す光ディスクおよ
び方法か提案されている。
このようなCD対応の追記型光ディスクの記録膜材料と
しては、CDドライブ装置のピックアップのレーザー波
長に対して吸収と反射か微妙な割合で必要になるが、レ
ッドブックに規定されたピックアップのレーザー波長の
使用可能な範囲が770〜81Onmと非常に広いため
、この範囲で安定した光学特性(吸光度、反射率)を得
ることは困難であり、現在実用化されているCD対応の
光ディスクにおいても、770nmでは反射率が70%
を下回っていたり、また810nmでは十分な記録感度
がなかったりしており、正確にはレッドブックの規格を
満足していないのが現状である。
しては、CDドライブ装置のピックアップのレーザー波
長に対して吸収と反射か微妙な割合で必要になるが、レ
ッドブックに規定されたピックアップのレーザー波長の
使用可能な範囲が770〜81Onmと非常に広いため
、この範囲で安定した光学特性(吸光度、反射率)を得
ることは困難であり、現在実用化されているCD対応の
光ディスクにおいても、770nmでは反射率が70%
を下回っていたり、また810nmでは十分な記録感度
がなかったりしており、正確にはレッドブックの規格を
満足していないのが現状である。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、化学的、物理的に安定でレーザー光線により
高感度に記録、再生できる安価な特定のフタロシアニン
系化合物を用いた光学記録媒体を提供するものであり、
CD型光記録媒体については、従来の追記機能、編集機
能を有するCDあるいはCDROMの持つ欠点を解決し
、770〜810nmの波長範囲で安定した光学特性を
実現し、この波長範囲で完全に記録再生が可能なレッド
ブックに準拠した光ディスクを提供するものである。
高感度に記録、再生できる安価な特定のフタロシアニン
系化合物を用いた光学記録媒体を提供するものであり、
CD型光記録媒体については、従来の追記機能、編集機
能を有するCDあるいはCDROMの持つ欠点を解決し
、770〜810nmの波長範囲で安定した光学特性を
実現し、この波長範囲で完全に記録再生が可能なレッド
ブックに準拠した光ディスクを提供するものである。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明者等は鋭意研究を行なった結果、基板上に特定の
フタロシアニン系化合物を含有する記録層を有する光学
記録媒体が優れた種々の特性を有することを見出し、本
発明を完成するに至った。
フタロシアニン系化合物を含有する記録層を有する光学
記録媒体が優れた種々の特性を有することを見出し、本
発明を完成するに至った。
即ち本発明の第一は、基板上に下記一般式[1]で示さ
れる特定のフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以
上を含有する有機薄膜層を記録層として持つことを特徴
とする追記型の光学記録媒体である。
れる特定のフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以
上を含有する有機薄膜層を記録層として持つことを特徴
とする追記型の光学記録媒体である。
一般式[1]
〔式中、X1〜X4は、それぞれ独立に、−3O20R
−3O2SR’ −3o2R’、−3O3R’、−3
OR’R2−3ONR’R2、マタハ、−[SR’R2
ド−ClO4−、−[SR’f?2]” −BF4等
のスルホニウム塩基を表わす。
−3O2SR’ −3o2R’、−3O3R’、−3
OR’R2−3ONR’R2、マタハ、−[SR’R2
ド−ClO4−、−[SR’f?2]” −BF4等
のスルホニウム塩基を表わす。
Y1〜Y4は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシク
ロアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、アシ
ル基、置換基を有してもよい複素環残基、ニトロ基、シ
アノ基、スルホン酸基、カルボン酸基、−〇R1、−3
R’、−COOR’、−NR’ R2、−3O2NR’
R2−C0NR’R2、−NHCOR’、−N=N−R
’ −N=CHR’を表す。
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシク
ロアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、アシ
ル基、置換基を有してもよい複素環残基、ニトロ基、シ
アノ基、スルホン酸基、カルボン酸基、−〇R1、−3
R’、−COOR’、−NR’ R2、−3O2NR’
R2−C0NR’R2、−NHCOR’、−N=N−R
’ −N=CHR’を表す。
Mは、置換基Zを有してもよい金属、またはR2を表わ
す。
す。
Zは、水素原子、酸素原子、ハロゲン原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、アシル基、水酸基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、71J−、
+I、チを基、まタハ、−03iR’R2R”、−0G
eR’R2R3、−0PR’R2、−0P(=0)R’
R2を表す。
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、アシル基、水酸基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、71J−、
+I、チを基、まタハ、−03iR’R2R”、−0G
eR’R2R3、−0PR’R2、−0P(=0)R’
R2を表す。
ここてR1、R2、R3は水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよいシクロアルキル基、アシル基、また
はポリエーテル基を表し、また、R1、R2、R3から
選ばれる2つで4〜7員環を形成していてもよく、その
際さらに窒素等のへテロ原子を含む複素環を形成してい
てもよい。
よいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよいシクロアルキル基、アシル基、また
はポリエーテル基を表し、また、R1、R2、R3から
選ばれる2つで4〜7員環を形成していてもよく、その
際さらに窒素等のへテロ原子を含む複素環を形成してい
てもよい。
1’〜1’、m l 〜m 4、nは、それぞれX1〜
X4、Y1〜Y’、Zの置換基の数を表わし、11〜1
4はそれぞれ独立にθ〜4の整数を表わすが、すべてが
同時に0になることはない。
X4、Y1〜Y’、Zの置換基の数を表わし、11〜1
4はそれぞれ独立にθ〜4の整数を表わすが、すべてが
同時に0になることはない。
m1〜m4はそれぞれ独立にO〜4の整数を表わす。
nはθ〜2の整数を表す。〕
本発明の第二は透明基板/記録膜層/反射膜層からなり
、コンパクトディスクフォーマットあるいはコンパクト
ディスク−ROMフォーマット信号の記録を行う追記型
光ディスクにおいて、記録膜層の成分が上記一般式[1
]で示されるフタロシアニン系色素から選ばれることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ROM対応の追記型光学記録媒体である。
、コンパクトディスクフォーマットあるいはコンパクト
ディスク−ROMフォーマット信号の記録を行う追記型
光ディスクにおいて、記録膜層の成分が上記一般式[1
]で示されるフタロシアニン系色素から選ばれることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ROM対応の追記型光学記録媒体である。
上記一般式[1コの置換基、および、R1、R2、R3
についてさらに詳しく説明すると、ハロゲン原子として
は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、置換基を有
してもよいアルキル基としては、メチル基、n−ブチル
基、tert−ブチル基、ステアリル基、トリクロロメ
チル基、2−メトキシエチル基、置換基を有して−もよ
いアリール基としてはフェニル基、クロロフェニル基、
トルイル基、ナフチル基、アントリル基、ジメチルアミ
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジエチルアミノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、置換基を有しても
よいシクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シ
クロブチル基、アシル基としては、アセチル基、トリフ
ルオロアセチル基、ポリエーテル基としては、ジエチレ
ングリコールモノエチル基、トリエチレングリコールモ
ノブチル基、置換基を有してもよい複素環残基としては
、ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペラジニル
基、モルフオリニル基、トリアジニル基等をあられすが
、これらに限定されるものではない。
についてさらに詳しく説明すると、ハロゲン原子として
は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、置換基を有
してもよいアルキル基としては、メチル基、n−ブチル
基、tert−ブチル基、ステアリル基、トリクロロメ
チル基、2−メトキシエチル基、置換基を有して−もよ
いアリール基としてはフェニル基、クロロフェニル基、
トルイル基、ナフチル基、アントリル基、ジメチルアミ
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジエチルアミノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、置換基を有しても
よいシクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シ
クロブチル基、アシル基としては、アセチル基、トリフ
ルオロアセチル基、ポリエーテル基としては、ジエチレ
ングリコールモノエチル基、トリエチレングリコールモ
ノブチル基、置換基を有してもよい複素環残基としては
、ピリジル基、フリル基、チアゾリル基、ピペラジニル
基、モルフオリニル基、トリアジニル基等をあられすが
、これらに限定されるものではない。
上記一般式[1コで示されるフタロシアニン系化合物は
、下記一般式[2]および一般式[3コて表わされるフ
タロニトリル誘導体、ジイミノイソインドレニン誘導体
を適当な溶媒中、各種金属塩とともに加熱攪拌すること
により得られる。
、下記一般式[2]および一般式[3コて表わされるフ
タロニトリル誘導体、ジイミノイソインドレニン誘導体
を適当な溶媒中、各種金属塩とともに加熱攪拌すること
により得られる。
また、置換基を待たないフタロシアニンに後から相当す
る置換基を導入したり、ある特定の置換基を持つフタロ
シアニンの化学的な置換基変換によっても得ることがで
きる。
る置換基を導入したり、ある特定の置換基を持つフタロ
シアニンの化学的な置換基変換によっても得ることがで
きる。
また、置換基Zが、−0SiR’R2R3、−0GeR
’R2R3、−0PR’R2、−0P(=0)R’R2
等の場合は、Zとしてノーロゲン原子を持つフタロシア
ニンを加水分解して、Zを水酸基とした後、種々のシラ
ン化合物、ゲルマニウム化合物および、ホスフィン化合
物、りん酸化合物を反応させることにより、置換基変換
して目的とするフタロシアニン系化合物を合成すること
かできる。
’R2R3、−0PR’R2、−0P(=0)R’R2
等の場合は、Zとしてノーロゲン原子を持つフタロシア
ニンを加水分解して、Zを水酸基とした後、種々のシラ
ン化合物、ゲルマニウム化合物および、ホスフィン化合
物、りん酸化合物を反応させることにより、置換基変換
して目的とするフタロシアニン系化合物を合成すること
かできる。
(以下余白)
一般式[2]
一般式[3]
〔式中のX、Y、lおよび、mは一般式[1]中のX’
〜X’、Y’ −Y’ 1’ 〜1’ および
、m’〜m4に対応する。〕 本発明で使用される一般式[1]で示されるフタロシア
ニン系化合物の代表的な例として、下記に示すフタロシ
アニン系化合物(a)〜(i)等が揚げられるが、これ
らに限定されるものてはない。
〜X’、Y’ −Y’ 1’ 〜1’ および
、m’〜m4に対応する。〕 本発明で使用される一般式[1]で示されるフタロシア
ニン系化合物の代表的な例として、下記に示すフタロシ
アニン系化合物(a)〜(i)等が揚げられるが、これ
らに限定されるものてはない。
(以下余白)
化合物
(a)
SO2O冗6H13
化合物
(b)
S020”cs)I sフ
HlyCn”002S
化合物(f)
化合物
化合物
(h)
本発明において用いられる透明基板としては、信号の書
込みや読み圧しを行なうために光の透過率か好ましくは
85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが望ま
しい。例えば、ガラスまたはアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化
ビニル樹脂、ポリビニルエステ ル樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリオレフィン樹脂(例えはポリ−4−メチルペ
ンテン等)、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹
脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂を用い
た基板か挙げられる。これらの中で、成型のしやすさ、
案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさなどから前記
した熱可塑性樹脂が好ましい。
込みや読み圧しを行なうために光の透過率か好ましくは
85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが望ま
しい。例えば、ガラスまたはアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化
ビニル樹脂、ポリビニルエステ ル樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリオレフィン樹脂(例えはポリ−4−メチルペ
ンテン等)、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹
脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂を用い
た基板か挙げられる。これらの中で、成型のしやすさ、
案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさなどから前記
した熱可塑性樹脂が好ましい。
本発明においては、これらの透明基板の厚さは特に制限
がなく、板状でもフィルム状でも良い。また、その形状
は円形やカード状でもよく、その大きさには特に制限は
ない。つまり一般の光ディスクという円盤状のものに限
定されるものではなく、光カートやテープ状あるいはシ
ート状の記録媒体でもよい。
がなく、板状でもフィルム状でも良い。また、その形状
は円形やカード状でもよく、その大きさには特に制限は
ない。つまり一般の光ディスクという円盤状のものに限
定されるものではなく、光カートやテープ状あるいはシ
ート状の記録媒体でもよい。
また、本発明の透明基板には、記録および読み出しの際
の位置制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーク
等のポリフォーマット用の凹凸を通常有しているが、こ
れらの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成型(射出
、圧縮等)する際にスタンパ−などを用いて付与するの
か好ましい。
の位置制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーク
等のポリフォーマット用の凹凸を通常有しているが、こ
れらの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成型(射出
、圧縮等)する際にスタンパ−などを用いて付与するの
か好ましい。
本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する記録層を透明基板上に定着するには、トラ
イプロセス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法に
よっても可能である。
物を含有する記録層を透明基板上に定着するには、トラ
イプロセス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法に
よっても可能である。
また、ウェットプロセス例えは、スピンコード法、デイ
ツプ法、ロールコート法あるいはLB(ラングミュア−
ブロジェット)法によっても可能である。
ツプ法、ロールコート法あるいはLB(ラングミュア−
ブロジェット)法によっても可能である。
記録膜材料が汎用の有機溶剤、例えば、アルコール系、
ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化水素系、フロ
ン系溶剤等に可溶な場合は、生産性等からスピンコード
法によって成膜する方法が望ましい。
ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化水素系、フロ
ン系溶剤等に可溶な場合は、生産性等からスピンコード
法によって成膜する方法が望ましい。
このようにいわゆる塗布法で成膜する場合には、必要に
応じて高分子バインダーを加えてもよい。高分子バイン
ダーとしては塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂
、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル系樹脂、
ニトロセルロース、フェノール樹脂なとか挙げられる。
応じて高分子バインダーを加えてもよい。高分子バイン
ダーとしては塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂
、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル系樹脂、
ニトロセルロース、フェノール樹脂なとか挙げられる。
高分子バインダーを用いる場合、色素系に対する高分子
バインダーの比率は10重量%以下か好ましい。
バインダーの比率は10重量%以下か好ましい。
また、本発明の記録膜の厚さには特に制限はなく、最適
な膜厚も化合物系によって異なるか500〜3000人
か好ましい 。
な膜厚も化合物系によって異なるか500〜3000人
か好ましい 。
透明基板/記録膜層/反射膜層の3層構造からなる追記
型光学記録媒体の場合には、反射膜素材としては、金、
銀、銅、白 金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金
属、MgO1ZnO1SnO等の金属酸化物、S iN
s 、A I N、 T t N等の窒化物等が挙げら
れるか、絶対反射率か高く安定性に優れている点から金
が最適である。
型光学記録媒体の場合には、反射膜素材としては、金、
銀、銅、白 金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金
属、MgO1ZnO1SnO等の金属酸化物、S iN
s 、A I N、 T t N等の窒化物等が挙げら
れるか、絶対反射率か高く安定性に優れている点から金
が最適である。
また、場合によっては有機系の高反射膜を使用すること
もてきる。
もてきる。
このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセス
、例えば真空蒸着法、スパッタリング法か最も好ましい
かこれに限られるものてはない。
、例えば真空蒸着法、スパッタリング法か最も好ましい
かこれに限られるものてはない。
さらに、反射膜の上に化学的劣化(例えば酸化、吸水等
)および物理的劣化(例えば傷、けずれ等)を防ぐ目的
で膜を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい
。
)および物理的劣化(例えば傷、けずれ等)を防ぐ目的
で膜を保護するためのオーバーコート層を設けてもよい
。
オーバーコート材としては、UV硬化型樹脂による方法
か一般的であるかこれに限られるものではない。
か一般的であるかこれに限られるものではない。
さらに、CDまたはCD−ROM対応の追記型光アイス
フの場合には、ディスク形態はCDあるいはCD−RO
Mの規格(レッドブック)およびR−CDの規格(オレ
ンジブック)に準拠していることが好ましい。
フの場合には、ディスク形態はCDあるいはCD−RO
Mの規格(レッドブック)およびR−CDの規格(オレ
ンジブック)に準拠していることが好ましい。
次に、本発明を実施例により、更に具体的に説明するが
、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例に先立ち、合成例を示す。
(合成例1)
化合物(b)の合成
りロロスルフォン酸36gにヒドロキシアルミニウムフ
タロシアニン4gを徐々に添加し、完全な溶液とした後
、昇温し、100〜105℃で4時間加熱攪拌した。9
0°Cまで冷却した後、塩化チオニル10gを90〜9
5℃に保ちながら滴下し、さらに90〜95℃で2時間
加熱攪拌した。反応液を冷却後、ドライアイスで冷やし
、適当に粉砕した氷500gに注入し、析出した沈殿を
すばやくろ過し、氷水で良く洗浄した後、減圧乾燥機で
乾燥し、暗青色のヒドロキシクロロアルミニウムフタロ
シアニンテトラクロロスルフオン酸クロライド4.2g
を得た。
タロシアニン4gを徐々に添加し、完全な溶液とした後
、昇温し、100〜105℃で4時間加熱攪拌した。9
0°Cまで冷却した後、塩化チオニル10gを90〜9
5℃に保ちながら滴下し、さらに90〜95℃で2時間
加熱攪拌した。反応液を冷却後、ドライアイスで冷やし
、適当に粉砕した氷500gに注入し、析出した沈殿を
すばやくろ過し、氷水で良く洗浄した後、減圧乾燥機で
乾燥し、暗青色のヒドロキシクロロアルミニウムフタロ
シアニンテトラクロロスルフオン酸クロライド4.2g
を得た。
十分脱水したn−オクチルアルコール100m lを5
°C以下に冷却し、上記で合成したヒドロキシクロロア
ルミニウムフタロシアニンテトラクロロスルフオン酸ク
ロライド4gを添加した後、ナトリウム・n−オクチル
アルコキシド3gを徐々に添加し、室温で1時間攪拌し
た後、2時間環流した。冷却後、反応液をメタノール/
水の7:3混合液11に攪拌しながら注入し、析出した
結晶をろ取、メタノール/水の7=3混合液で十分洗浄
した後、乾燥して、ヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニンテトラ−nオクタツールスルホナート4.3gを得
た。
°C以下に冷却し、上記で合成したヒドロキシクロロア
ルミニウムフタロシアニンテトラクロロスルフオン酸ク
ロライド4gを添加した後、ナトリウム・n−オクチル
アルコキシド3gを徐々に添加し、室温で1時間攪拌し
た後、2時間環流した。冷却後、反応液をメタノール/
水の7:3混合液11に攪拌しながら注入し、析出した
結晶をろ取、メタノール/水の7=3混合液で十分洗浄
した後、乾燥して、ヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニンテトラ−nオクタツールスルホナート4.3gを得
た。
上記のヒドロキシアルミニウムフタロシアニンテトラ−
nオクタツールスルホナート4.3gをピリジン200
m lに溶解し、ジフェニルクロロフォスフイン10
gを徐々に添加し、室温て1時間攪拌した後、2時間環
流した。冷却後、反応液を希塩酸水11に攪拌しなから
注入し、析出した結晶をろ取、十分水洗した後乾燥して
、化合物(b)の粗製品4.6gを得た。精製はシリカ
ゲルカラム/クロロホロムにより行なった。
nオクタツールスルホナート4.3gをピリジン200
m lに溶解し、ジフェニルクロロフォスフイン10
gを徐々に添加し、室温て1時間攪拌した後、2時間環
流した。冷却後、反応液を希塩酸水11に攪拌しなから
注入し、析出した結晶をろ取、十分水洗した後乾燥して
、化合物(b)の粗製品4.6gを得た。精製はシリカ
ゲルカラム/クロロホロムにより行なった。
(合成例2)
化合物(d)の合成
合成例1のヒドロキシアルミニウムフタロシアニンをジ
ヒドロキシシリコンフタロシアニンに変えて同様に操作
して、ジヒドロキシシリコンフタロシアニンテトラクロ
ロスルフオン酸クロライド3.9gを得た。
ヒドロキシシリコンフタロシアニンに変えて同様に操作
して、ジヒドロキシシリコンフタロシアニンテトラクロ
ロスルフオン酸クロライド3.9gを得た。
十分脱水したジメチルホルムアミド(DMF)を5°C
以下に冷却し、上記で合成したジヒドロキシシリコンフ
タロシアニンテトラクロロスルフォン酸クロライド3.
9gを添加した後、ナトリウム・n−オクチルチオラー
ト3gを徐々に添加し、室温で1時間攪拌した後、2時
間環流した。冷却後、反応液を希塩酸水11に攪拌しな
がら注入し、析出した結晶をろ取、メタノール/水の7
:3混合液で十分洗浄した後、乾燥して、ジヒドロキシ
シリコンフタロシアニンテトラ−nオクチルチオールス
ルホナート4.2 gを得た。
以下に冷却し、上記で合成したジヒドロキシシリコンフ
タロシアニンテトラクロロスルフォン酸クロライド3.
9gを添加した後、ナトリウム・n−オクチルチオラー
ト3gを徐々に添加し、室温で1時間攪拌した後、2時
間環流した。冷却後、反応液を希塩酸水11に攪拌しな
がら注入し、析出した結晶をろ取、メタノール/水の7
:3混合液で十分洗浄した後、乾燥して、ジヒドロキシ
シリコンフタロシアニンテトラ−nオクチルチオールス
ルホナート4.2 gを得た。
上記て合成したジヒドロキシシリコンフタロシアニンテ
トラ−〇−オクチルチオールスルホナート4.2gをピ
リジン100 m lに溶解し、ビス−トリメチルシリ
ルアセトアミド10gを添加し、室温て24時間攪拌し
た。反応液を希塩酸水11に攪拌しながら注入し、析出
した結晶をろ取、十分水洗した後乾燥して、化合物(d
)の粗製品4.5gを得た。精製はシリカゲルカラム/
クロロホロムにより行なった。
トラ−〇−オクチルチオールスルホナート4.2gをピ
リジン100 m lに溶解し、ビス−トリメチルシリ
ルアセトアミド10gを添加し、室温て24時間攪拌し
た。反応液を希塩酸水11に攪拌しながら注入し、析出
した結晶をろ取、十分水洗した後乾燥して、化合物(d
)の粗製品4.5gを得た。精製はシリカゲルカラム/
クロロホロムにより行なった。
(合成例3)
化合物(e)の合成
5.6−ジーN−へキシルチオージイミノイツインドレ
ニン5gをキノリン150 m lに加え、四塩化けい
素5gを室温で徐々に添加し、150°Cて4時間加熱
攪拌した。冷却後、反応液をメタノール11に攪拌しな
がら注入し、析出した結晶をろ取、メタノール21て洗
浄した後、乾燥し、緑色の粉末を得た。この粉末を96
%硫酸300 m lに溶解し、氷水51に攪拌しなが
ら注入、析出した沈殿をろ取、十分に水洗して乾燥し、
オクタ−n−へキシルチオ−ジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン4.8gを得た。
ニン5gをキノリン150 m lに加え、四塩化けい
素5gを室温で徐々に添加し、150°Cて4時間加熱
攪拌した。冷却後、反応液をメタノール11に攪拌しな
がら注入し、析出した結晶をろ取、メタノール21て洗
浄した後、乾燥し、緑色の粉末を得た。この粉末を96
%硫酸300 m lに溶解し、氷水51に攪拌しなが
ら注入、析出した沈殿をろ取、十分に水洗して乾燥し、
オクタ−n−へキシルチオ−ジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニン4.8gを得た。
上記で合成したオクタ−n−へキシルチオ−ジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン4gをトルエン200m1に
添加し、酢酸50m l、35%過酸化水素水50m1
を加え、80〜100°Cて2時間加熱攪拌した。
シシリコンフタロシアニン4gをトルエン200m1に
添加し、酢酸50m l、35%過酸化水素水50m1
を加え、80〜100°Cて2時間加熱攪拌した。
冷却後、反応液を3%炭酸ソーダ水溶液500 m l
に攪拌しながら注入し、有機層を分液、十分に水洗した
後、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去した後
、トルエンを留去、ピリジン200 m lに再溶解し
、ジフェニルクロロフ中スフィン10gを徐々に添加し
、室温で1時間攪拌した後、2時間環流した。
に攪拌しながら注入し、有機層を分液、十分に水洗した
後、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去した後
、トルエンを留去、ピリジン200 m lに再溶解し
、ジフェニルクロロフ中スフィン10gを徐々に添加し
、室温で1時間攪拌した後、2時間環流した。
冷却後、反応液を希塩酸水11に攪拌しながら注入し、
析出した結晶をろ取、十分水洗した後乾燥して、化合物
(e)の粗製品4.6gを得た。精製はシリカゲルカラ
ムにより、クロロホルム/メタノール(lO:1)の混
合液により行なった。
析出した結晶をろ取、十分水洗した後乾燥して、化合物
(e)の粗製品4.6gを得た。精製はシリカゲルカラ
ムにより、クロロホルム/メタノール(lO:1)の混
合液により行なった。
(合成例4)
化合物(i)の合成
4−n−ブチルフタロニトリル5g、三塩化バナジウム
1.5g、ジアザビシクロウンデセン(DBU)5gを
n−アミルアルコール100m lに添加し、4時間加
熱環流した。冷却後、反応液をメタノール11に注入し
、析出した結晶をろ取し、メタノール、アセトンで十分
洗浄し、テトラ−n−ブチルバナジルフタロシアニン4
.3gを得た。シリカゲルカラム/クロロホルムにより
精製した。
1.5g、ジアザビシクロウンデセン(DBU)5gを
n−アミルアルコール100m lに添加し、4時間加
熱環流した。冷却後、反応液をメタノール11に注入し
、析出した結晶をろ取し、メタノール、アセトンで十分
洗浄し、テトラ−n−ブチルバナジルフタロシアニン4
.3gを得た。シリカゲルカラム/クロロホルムにより
精製した。
上記のテトラ−n−プチルヴアナジルフタロシアニン2
.0gをジクロロエタン200 m lに溶解し、過塩
素酸銀(1)2gを添加し、ヨードメタン5gを滴下し
、室温で3時間攪拌した。反応液をろ通抜、ろ液を濃縮
して、析出した結晶をろ取し、メタノール/水(7:3
)混合液で十分洗浄して化合物(i)1゜2g得た。
.0gをジクロロエタン200 m lに溶解し、過塩
素酸銀(1)2gを添加し、ヨードメタン5gを滴下し
、室温で3時間攪拌した。反応液をろ通抜、ろ液を濃縮
して、析出した結晶をろ取し、メタノール/水(7:3
)混合液で十分洗浄して化合物(i)1゜2g得た。
(実施例1)
フタロシアニン化合物(b)の2重量%エチルセロソル
ブ溶液を作成し、スピンコーターを用いて、深さ800
人、ピッチ1.6μmのらせん状案内溝を有するポリカ
ーボネート樹脂基板上膜厚800人に成膜した。記録膜
の最大吸収波長は770nm、および780nmの波長
の光に対する反射率は3596てあった。
ブ溶液を作成し、スピンコーターを用いて、深さ800
人、ピッチ1.6μmのらせん状案内溝を有するポリカ
ーボネート樹脂基板上膜厚800人に成膜した。記録膜
の最大吸収波長は770nm、および780nmの波長
の光に対する反射率は3596てあった。
得られた記録媒体をターンテーブル上に取り付け180
0rpmで回転させなから1゜0μmに収束した780
nmのレーザー光を5、OmW、8MHzで照射して記
録を行なった。
0rpmで回転させなから1゜0μmに収束した780
nmのレーザー光を5、OmW、8MHzで照射して記
録を行なった。
記録を行なった記録媒体表面を走査型電子顕微鏡て観察
したところ、鮮明なビットの形成か認められた。また、
この記録媒体に780 nm、 0.4 mWのレーザ
ー光を照射し、反射光の検出を行なったところ、C/N
比が42dBであった。
したところ、鮮明なビットの形成か認められた。また、
この記録媒体に780 nm、 0.4 mWのレーザ
ー光を照射し、反射光の検出を行なったところ、C/N
比が42dBであった。
(実施例2)
フタロシアニン化合物(d)の2重量%エチルセロソル
ブ溶液を作成し、スピンコーターを用いて、深さ800
人、ピッチ1.6μmのらせん状案内溝を有するポリカ
ーボネート樹脂基板上に膜厚900人に成膜した。記録
膜の最大吸収波長は760nm、および780nmの波
長の光に対する反射率は45%であった。
ブ溶液を作成し、スピンコーターを用いて、深さ800
人、ピッチ1.6μmのらせん状案内溝を有するポリカ
ーボネート樹脂基板上に膜厚900人に成膜した。記録
膜の最大吸収波長は760nm、および780nmの波
長の光に対する反射率は45%であった。
得られた記録媒体をターンテーブル上に取り付け180
0rpmで回転させながら1.0μmに収束した780
nmのレーザー光を5.0mW、8MHzで照射して記
録を行なった。
0rpmで回転させながら1.0μmに収束した780
nmのレーザー光を5.0mW、8MHzで照射して記
録を行なった。
記録を行なった記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察
したところ、鮮明なピットの形成が認められた。また、
この記録媒体に780nm、0.4mWのレーザー光を
照射し、反射光の検出を行なったところ、C/N比が5
1dBであった。
したところ、鮮明なピットの形成が認められた。また、
この記録媒体に780nm、0.4mWのレーザー光を
照射し、反射光の検出を行なったところ、C/N比が5
1dBであった。
(実施例3)
深さ800人、ピッチ1.6μmのらせん状案内溝を有
する厚さ1.2mm、外径120mm、内径15m m
のポリカーボネート樹脂基板上に、フタロシアニン化合
物(e)のエチルセロソルブ2.0重量%溶液を作成し
、スピンコーターを用いて膜厚1200人に成膜した。
する厚さ1.2mm、外径120mm、内径15m m
のポリカーボネート樹脂基板上に、フタロシアニン化合
物(e)のエチルセロソルブ2.0重量%溶液を作成し
、スピンコーターを用いて膜厚1200人に成膜した。
次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚800
人で真空蒸着により成膜した。ざらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。
人で真空蒸着により成膜した。ざらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。
このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
770〜810nmの波長範囲で対A1の反射率で80
%以上ありCDの規格を十分満足していた。
770〜810nmの波長範囲で対A1の反射率で80
%以上ありCDの規格を十分満足していた。
また、この光ディスクを用い、波長780nmの半導体
レーザーを使用して、線速1.3m/secで9mWの
記録パワーてEMF−CDフォーマット信号を記録した
ところ記録か可能てあった。記録されたピット列は、長
さ0.9〜3.3μm、間隔0.9〜3.3μmであっ
た。
レーザーを使用して、線速1.3m/secで9mWの
記録パワーてEMF−CDフォーマット信号を記録した
ところ記録か可能てあった。記録されたピット列は、長
さ0.9〜3.3μm、間隔0.9〜3.3μmであっ
た。
次に、この信号をCDプレーヤーにより、線速1゜3m
/see、再生出力0.5mWで再生を行ったところ得
られた信号は良好であり、市販のCDプレーヤーに十分
かかるレベルであまた。
/see、再生出力0.5mWで再生を行ったところ得
られた信号は良好であり、市販のCDプレーヤーに十分
かかるレベルであまた。
(実施例4)
深さ800人、ピッチ1.6μmのらせん状案内溝を有
する厚さ1.2mm、外径120mm、内径15mmの
ポリカーボネート樹脂基板上に、フタロシアニン化合物
(i)のエタノール2.0重量%溶液を作成し、スピン
コーターを用いて膜厚1500人に成膜した。次に、こ
のようにして得た塗布膜の上に金を膜厚800人で真空
蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹
脂により保護層を設けて光ディスクを作成した。
する厚さ1.2mm、外径120mm、内径15mmの
ポリカーボネート樹脂基板上に、フタロシアニン化合物
(i)のエタノール2.0重量%溶液を作成し、スピン
コーターを用いて膜厚1500人に成膜した。次に、こ
のようにして得た塗布膜の上に金を膜厚800人で真空
蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹
脂により保護層を設けて光ディスクを作成した。
このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
770〜810nmの波長範囲で対A1の反射率で80
%以上ありCDの規格を十分満足していた。
770〜810nmの波長範囲で対A1の反射率で80
%以上ありCDの規格を十分満足していた。
また、この光ディスクを用い、波長780nmの半導体
レーサーを使用して、線速1.3m/secで9mWの
記録パワーてEMF−CDフォーマット信号を記録した
ところ記録が可能であった。記録されたピット列は、長
さ0.9〜3.3 μm、間隔0.9〜3.3μmであ
った。
レーサーを使用して、線速1.3m/secで9mWの
記録パワーてEMF−CDフォーマット信号を記録した
ところ記録が可能であった。記録されたピット列は、長
さ0.9〜3.3 μm、間隔0.9〜3.3μmであ
った。
次に、この信号をCDプレーヤーにより、線速l。
3m/sec、再生出力0.5mWで再生を行ったとこ
ろ得られた信号は良好であり、市販のCDプレーヤーに
十分かかるレベルであった。
ろ得られた信号は良好であり、市販のCDプレーヤーに
十分かかるレベルであった。
(発明の効果)
本発明の光学記録媒体は、以上のような構成よりなり、
化学的、物理的に安定で、レーザー光線で高感度で記録
再生できる特徴を有する。
化学的、物理的に安定で、レーザー光線で高感度で記録
再生できる特徴を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に下記一般式[1]で示されるフタロシアニ
ン系化合物の少なくとも一種以上を含有する有機薄膜層
を有することを特徴とする光学記録媒体。一般式[1] ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、X^1〜X^4は、それぞれ独立に、−SO_
2OR^1、−SO_2SR^1、−SO_2R^1、
−SOSR^1、−SOR^1R^2、−SONR^1
R^2、または、−[SR^1R^2]^+・ClO_
4^−、−[SR^1R^2]^+・BF_4^−等の
スルホニウム塩基を表わす。 Y^1〜Y^4は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
シクロアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、
アシル基、置換基を有してもよい複素環残基、ニトロ基
、シアノ基、スルホン酸基、カルボン酸基、−OR^1
、−SR^1、−COOR^1、−NR^1R^2、−
SO_2NR^1R^2、−CONR^1R^2、−N
HCOR^1、−N=N−R^1、−N=CHR^1を
表す。Mは、置換基Zを有してもよい金属、またはH_
2を表わす。 Zは、水素原子、酸素原子、ハロゲン原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、アシル基、水酸基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、または、−OSiR^1R^2R^3、−OGe
R^1R^2R^3、−OPR^1R^2、−OP(=
0)R^1R^2を表す。ここでR^1、R^2、R^
3は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいシ
クロアルキル基、アシル基、またはポリエーテル基を表
し、また、R^1、R^2、R^3から選ばれる2つで
4〜7員環を形成していてもよく、その際さらに窒素等
のヘテロ原子を含む複素環を形成していてもよい。 l^1〜l^4、m^1〜m^4、nは、それぞれX^
1〜X^4、Y^1〜Y^4、Zの置換基の数を表わし
、l^1〜l^4はそれぞれ独立に0〜4の整数を表わ
すが、すべてが同時に0になることはない。 m^1〜m^4はそれぞれ独立に0〜4の整数を表わす
。nは0〜2の整数を表す。〕 2、透明基板/記録膜層/反射膜層からなり、コンパク
トディスクフォーマットあるいはコンパクトディスク−
ROMフォーマット信号の記録を行う追記型光ディスク
において、記録膜層の成分が上記一般式[1]で示され
るフタロシアニン系色素から選ばれることを特徴とする
コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−R
OM対応の追記型光学記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2216007A JPH0497889A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2216007A JPH0497889A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0497889A true JPH0497889A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16681849
Family Applications (1)
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JP2216007A Pending JPH0497889A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0497889A (ja) |
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- 1990-08-16 JP JP2216007A patent/JPH0497889A/ja active Pending
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