JPH05116456A - コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク - Google Patents
コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク−ｒｏｍ対応の追記型光デイスクInfo
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- JPH05116456A JPH05116456A JP3305417A JP30541791A JPH05116456A JP H05116456 A JPH05116456 A JP H05116456A JP 3305417 A JP3305417 A JP 3305417A JP 30541791 A JP30541791 A JP 30541791A JP H05116456 A JPH05116456 A JP H05116456A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、安定性に優れ、さらに記録感度の良
いＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク
の記録膜材料およびディスク構成である。 【構成】基板／記録膜／反射膜／保護膜の４層構造より
なるＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディス
クにおいて、記録膜が特定の２種類のフタロシアニン系
色素より選ばれる２種以上の化合物の混合膜で構成され
ることを特徴とする光ディスク。
いＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク
の記録膜材料およびディスク構成である。 【構成】基板／記録膜／反射膜／保護膜の４層構造より
なるＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディス
クにおいて、記録膜が特定の２種類のフタロシアニン系
色素より選ばれる２種以上の化合物の混合膜で構成され
ることを特徴とする光ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクに
関する。
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてコンパクトディス
ク（ＣＤ）およびコンピュータ−ＲＯＭとしてのコンパ
クトディスク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）が広く普及して
いる。このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリ
カーボネート等の透明基板表面にＣＤまたはＣＤ−ＲＯ
Ｍフォーマット信号を有するピット列を射出成形時に形
成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるい
はスパッタリングにより反射膜を設け、さらに保護膜を
コートして作成する。このようにして作成した光ディス
クの基板の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体
レーザー光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の
変化から各信号を読取り、情報を再生するものである。
しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生専用
であり記録ができないため、追記型光ディスクあるいは
書換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能がない
という不都合さがあった。一方、編集機能を有する追記
型光ディスクあるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等
カルコゲナイト化合物、希土類金属化合物もしくはシア
ニン、ナフタロシアニン等の有機色素等を記録膜とした
ものが実用化されている。しかしながら、これらの光デ
ィスクは、基板面からの反射率が３０〜４０％であり、
現在のＣＤの国際規格であるレッドブックに記載されて
いる基板面からの反射率７０％以上には到達しておら
ず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの再生装置に
より信号の再生を行うことはできないという問題点があ
る。このような問題点を解決するために、シアニン化合
物等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反射
率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤフォーマッ
トあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、Ｃ
ＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読み出す光デ
ィスクおよび方法が提案されている。
で、オーディオ等の音楽再生用としてコンパクトディス
ク（ＣＤ）およびコンピュータ−ＲＯＭとしてのコンパ
クトディスク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）が広く普及して
いる。このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリ
カーボネート等の透明基板表面にＣＤまたはＣＤ−ＲＯ
Ｍフォーマット信号を有するピット列を射出成形時に形
成し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるい
はスパッタリングにより反射膜を設け、さらに保護膜を
コートして作成する。このようにして作成した光ディス
クの基板の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体
レーザー光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の
変化から各信号を読取り、情報を再生するものである。
しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生専用
であり記録ができないため、追記型光ディスクあるいは
書換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能がない
という不都合さがあった。一方、編集機能を有する追記
型光ディスクあるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等
カルコゲナイト化合物、希土類金属化合物もしくはシア
ニン、ナフタロシアニン等の有機色素等を記録膜とした
ものが実用化されている。しかしながら、これらの光デ
ィスクは、基板面からの反射率が３０〜４０％であり、
現在のＣＤの国際規格であるレッドブックに記載されて
いる基板面からの反射率７０％以上には到達しておら
ず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの再生装置に
より信号の再生を行うことはできないという問題点があ
る。このような問題点を解決するために、シアニン化合
物等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反射
率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤフォーマッ
トあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、Ｃ
ＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読み出す光デ
ィスクおよび方法が提案されている。
【０００３】しかしながら、一般にシアニン化合物は光
安定性が悪いため、ＣＤのような単板構成で直接太陽光
にさらされるような使用条件下では、記録の信頼性に問
題が生ずる可能性がある。そのため、シアニン化合物に
代えて、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン
化合物を記録膜材料に使用する試みが検討されている。
安定性が悪いため、ＣＤのような単板構成で直接太陽光
にさらされるような使用条件下では、記録の信頼性に問
題が生ずる可能性がある。そのため、シアニン化合物に
代えて、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン
化合物を記録膜材料に使用する試みが検討されている。
【０００４】このフタロシアニン化合物の場合には、熱
的にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが
非常にシャープであるため、ＣＤドライブのピックアッ
プに搭載される半導体レーザーの発振波長の許容範囲
（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射
率および吸収）を得ることが困難であり、記録感度の波
長依存性が大きく、汎用性のある追記型光ディスクに成
りにくいという問題点がある。
的にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが
非常にシャープであるため、ＣＤドライブのピックアッ
プに搭載される半導体レーザーの発振波長の許容範囲
（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射
率および吸収）を得ることが困難であり、記録感度の波
長依存性が大きく、汎用性のある追記型光ディスクに成
りにくいという問題点がある。
【０００５】従って、現状では安定性に優れ、さらに記
録特性も良好なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供され
ていない。
録特性も良好なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供され
ていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクは
提供するために、化学的、物理的安定性の優れたフタロ
シアニン化合物を記録膜材料として用いる場合に生ずる
低記録感度および記録感度の波長依存性を防ぎ、良好な
再生信号が得られる記録材料について鋭意検討を行った
結果、本発明を得るに至った。
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクは
提供するために、化学的、物理的安定性の優れたフタロ
シアニン化合物を記録膜材料として用いる場合に生ずる
低記録感度および記録感度の波長依存性を防ぎ、良好な
再生信号が得られる記録材料について鋭意検討を行った
結果、本発明を得るに至った。
【０００７】
【課題を解決する手段】上記のような安定性に優れ、さ
らに記録特性も良好なＣＤ対応の追記型光ディスクは以
下のようにして実現される。第一の発明は、透明基板／
記録膜／反射膜／保護膜の４層構造からなり、コンパク
トディスクフォーマット信号またはコンパクトディスク
−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディス
クにおいて、その記録膜が下記一般式［１］で示される
フタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタロ
シアニン化合物からそれぞれ選ばれる２種以上のフタロ
シアニン化合物より構成されることを特徴とするコンパ
クトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記型光ディスク。 一般式［１］
らに記録特性も良好なＣＤ対応の追記型光ディスクは以
下のようにして実現される。第一の発明は、透明基板／
記録膜／反射膜／保護膜の４層構造からなり、コンパク
トディスクフォーマット信号またはコンパクトディスク
−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディス
クにおいて、その記録膜が下記一般式［１］で示される
フタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタロ
シアニン化合物からそれぞれ選ばれる２種以上のフタロ
シアニン化合物より構成されることを特徴とするコンパ
クトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記型光ディスク。 一般式［１］
【０００８】
【化３】 ［式中、置換基Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独立に置換基を
有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコ
キシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。ｋ、ｌ、ｍお
よびｎはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、置換基Ｘ
1 〜Ｘ4 の個数を表す。中心金属Ｍ1 は、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ1 は、
有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコ
キシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。ｋ、ｌ、ｍお
よびｎはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、置換基Ｘ
1 〜Ｘ4 の個数を表す。中心金属Ｍ1 は、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ1 は、
【０００９】
【００１０】ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基また
は置換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙ
1 は、１または２の整数であり置換基Ｚ1 の個数を表
す。］ 一般式［２］
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基また
は置換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙ
1 は、１または２の整数であり置換基Ｚ1 の個数を表
す。］ 一般式［２］
【００１１】
【化４】
【００１２】［式中、置換基Ｘ5 〜Ｘ8 は、それぞれ独
立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアルキルチ
オ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。
ｏ、ｐ、ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜２の整数であ
り、置換基Ｘ5 〜Ｘ8 の個数を表す。中心金属Ｍ2 は、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ
2 は、
立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有して
も良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアルキルチ
オ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。
ｏ、ｐ、ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜２の整数であ
り、置換基Ｘ5 〜Ｘ8 の個数を表す。中心金属Ｍ2 は、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ
2 は、
【００１３】
【００１４】を表す。ここで、Ｒ5 は置換基を有しても
良いアルキル基、置換基を有しても良いアリール基ある
いは置換基を有しても良いアラルキル基を表す。Ｙ
2 は、１または２の整数であり置換基Ｚ2 の個数を表
す。］
良いアルキル基、置換基を有しても良いアリール基ある
いは置換基を有しても良いアラルキル基を表す。Ｙ
2 は、１または２の整数であり置換基Ｚ2 の個数を表
す。］
【００１５】第二の発明は、一般式［１］のＸ1 〜Ｘ4
の置換位置が、それぞれＸ1 が式中の１位または４位、
Ｘ2 が式中の５位または８位、Ｘ3 が式中の９位または
１２位、Ｘ4 が式中の１３位または１６位であることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記
型光ディスク。
の置換位置が、それぞれＸ1 が式中の１位または４位、
Ｘ2 が式中の５位または８位、Ｘ3 が式中の９位または
１２位、Ｘ4 が式中の１３位または１６位であることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記
型光ディスク。
【００１６】第三の発明は、一般式［２］のＸ5 〜Ｘ8
の置換位置が、それぞれＸ5 が式中の１位または４位、
Ｘ6 が式中の５位または８位、Ｘ7 が式中の９位または
１２位、Ｘ8 が式中の１３位または１６位であることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記
型光ディスク。
の置換位置が、それぞれＸ5 が式中の１位または４位、
Ｘ6 が式中の５位または８位、Ｘ7 が式中の９位または
１２位、Ｘ8 が式中の１３位または１６位であることを
特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトデ
ィスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記
型光ディスク。
【００１７】第四の発明は、一般式［１］および一般式
［２］のＸ1 〜Ｘ4 、Ｘ5 〜Ｘ8 およびＺ1 、Ｚ2 のい
ずれかに、もしくは、すべてにフッ素が含有された有機
置換基が導入されることを特徴とするコンパクトディス
ク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクＣＤ対応の追記型光ディスク。
［２］のＸ1 〜Ｘ4 、Ｘ5 〜Ｘ8 およびＺ1 、Ｚ2 のい
ずれかに、もしくは、すべてにフッ素が含有された有機
置換基が導入されることを特徴とするコンパクトディス
ク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクＣＤ対応の追記型光ディスク。
【００１８】本発明の記録膜が一般式［１］で示される
フタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタロ
シアニン化合物の混合膜により構成することについて
は、一般式［１］で示されるフタロシアニン化合物、り
ん含有の軸置換基の効果により吸収波長が長波長にシフ
トし、記録レーザーの発振波長域に吸収を有しレーザー
光を吸収し熱的変化によってピットが形成されるヒート
モード記録において光学的に高感度化に有効である。し
かしながら、この一般式［１］のフタロシアニン化合物
単独ではレーザー波長域の吸光度が大き過ぎて規格を満
足する反射率が得られなくなる場合がある。そこで、軸
置換のアシル基の効果により熱分解点が低く熱的に高感
度化が可能である一般式［２］で示されるフタロシアニ
ン化合物を混合することにより、比較的吸収が少なくて
記録が可能になるため、高記録感度でしかも高反射率の
メディアとなり、さらに再生波形も良好となる。また、
置換基にフッ素を導入することにより、溶解性が向上す
ると同時に、基板との界面エネルギーによると考えられ
るが、記録ピットの状態が良好になり、記録信号のコン
トラストが大きく、さらに良好な再生波形となる。。ま
た、中心金属の軸方向置換基にリン含有の置換基を導入
することにより、汎用のアルコール系およびセロソルブ
系の溶媒への溶解性が向上し、光ディスク基板として汎
用に使用されているポリカーボネート基板を侵すことな
く塗布することができる利点がある。
フタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタロ
シアニン化合物の混合膜により構成することについて
は、一般式［１］で示されるフタロシアニン化合物、り
ん含有の軸置換基の効果により吸収波長が長波長にシフ
トし、記録レーザーの発振波長域に吸収を有しレーザー
光を吸収し熱的変化によってピットが形成されるヒート
モード記録において光学的に高感度化に有効である。し
かしながら、この一般式［１］のフタロシアニン化合物
単独ではレーザー波長域の吸光度が大き過ぎて規格を満
足する反射率が得られなくなる場合がある。そこで、軸
置換のアシル基の効果により熱分解点が低く熱的に高感
度化が可能である一般式［２］で示されるフタロシアニ
ン化合物を混合することにより、比較的吸収が少なくて
記録が可能になるため、高記録感度でしかも高反射率の
メディアとなり、さらに再生波形も良好となる。また、
置換基にフッ素を導入することにより、溶解性が向上す
ると同時に、基板との界面エネルギーによると考えられ
るが、記録ピットの状態が良好になり、記録信号のコン
トラストが大きく、さらに良好な再生波形となる。。ま
た、中心金属の軸方向置換基にリン含有の置換基を導入
することにより、汎用のアルコール系およびセロソルブ
系の溶媒への溶解性が向上し、光ディスク基板として汎
用に使用されているポリカーボネート基板を侵すことな
く塗布することができる利点がある。
【００１９】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入されるＸ1 〜Ｘ4 および一般式
［２］で示されるフタロシアニン化合物に導入されるＸ
5 〜Ｘ8 を構成する原子および有機置換基の代表例とし
ては、ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ
素があり、置換基を有しても良いアルキル基としては、
メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、２−メトキシエチル基、
フタルイミドメチル基等を、置換基を有しても良いアル
コキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオ
ロエトキシ基、テトラフルオロプロポキシ基、ペンタフ
ルオロプロポキシ基等を、置換基を有しても良いアルキ
ルチオ基としては、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、
テトラフルオロプロピルチオ基等を、それぞれ挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
アニン化合物に導入されるＸ1 〜Ｘ4 および一般式
［２］で示されるフタロシアニン化合物に導入されるＸ
5 〜Ｘ8 を構成する原子および有機置換基の代表例とし
ては、ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ
素があり、置換基を有しても良いアルキル基としては、
メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、２−メトキシエチル基、
フタルイミドメチル基等を、置換基を有しても良いアル
コキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオ
ロエトキシ基、テトラフルオロプロポキシ基、ペンタフ
ルオロプロポキシ基等を、置換基を有しても良いアルキ
ルチオ基としては、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、
テトラフルオロプロピルチオ基等を、それぞれ挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
【００２０】本発明に用いられる一般式［１］で示され
るフタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタ
ロシアニン化合物との混合比率については、化合物の種
類および組合せにより異なるが、一般式［１］で示され
るフタロシアニン化合物／一般式［２］で示されるフタ
ロシアニン化合物＝１／９〜９／１の範囲でよく、さら
に３／７〜７／３の範囲が好ましい。
るフタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタ
ロシアニン化合物との混合比率については、化合物の種
類および組合せにより異なるが、一般式［１］で示され
るフタロシアニン化合物／一般式［２］で示されるフタ
ロシアニン化合物＝１／９〜９／１の範囲でよく、さら
に３／７〜７／３の範囲が好ましい。
【００２１】また、記録膜層には、記録膜の耐光性、耐
環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさらに向上
させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤等の添
加剤を加えてもよい。例えば、一般式［３］で示される
ジインモニウム化合物および一般式［４］で示されるア
ゾベンゼン化合物が挙げられる。
環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさらに向上
させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤等の添
加剤を加えてもよい。例えば、一般式［３］で示される
ジインモニウム化合物および一般式［４］で示されるア
ゾベンゼン化合物が挙げられる。
【００２２】一般式［３］
【化５】
【００２３】［式中、ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ
6 は、水素原子もしくはアルキル基を表す。Ｘ9-は、ハ
ロゲン原子、過塩素酸、ポウフッ化水素酸、ヘキサフル
オロ酢酸、フッ化アンチモン、フッ化砒素等の陰イオン
を表す。］
6 は、水素原子もしくはアルキル基を表す。Ｘ9-は、ハ
ロゲン原子、過塩素酸、ポウフッ化水素酸、ヘキサフル
オロ酢酸、フッ化アンチモン、フッ化砒素等の陰イオン
を表す。］
【００２４】一般式［４］
【化６】
【００２５】［式中、Ｒ7 は、水素原子もしくはアルキ
ル基を表す。Ｒ8 は、水酸基、アルコキシ基、アミノ基
あるいはニトロ基を表す。］
ル基を表す。Ｒ8 は、水酸基、アルコキシ基、アミノ基
あるいはニトロ基を表す。］
【００２６】このような記録膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法に
よっても可能である。
ライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法に
よっても可能である。
【００２７】また、ウェットプロセス、例えば、スピン
コート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あ
るいはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によって
も可能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶
媒、例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生
産性および記録膜の均一性からスピンコート法により成
膜する方法が好ましい。
コート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あ
るいはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によって
も可能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶
媒、例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、
ハロゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生
産性および記録膜の均一性からスピンコート法により成
膜する方法が好ましい。
【００２８】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、フタロシアニン化合物に対して３０重量％
以下が好ましい。
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、フタロシアニン化合物に対して３０重量％
以下が好ましい。
【００２９】本発明の記録膜の最適膜厚は、記録膜材料
の種類および組合せにより異なるため特に制限はなく、
５００〜３０００オングストロームが好ましく、さらに
８００〜２５００オングストロームが最適膜厚範囲であ
る。
の種類および組合せにより異なるため特に制限はなく、
５００〜３０００オングストロームが好ましく、さらに
８００〜２５００オングストロームが最適膜厚範囲であ
る。
【００３０】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。このように、反射膜素材とし
ては金が最適であるが、金は高価であるため、安価な光
ディスクを得る事が困難となる問題点がある。この問題
点を解決する目的で、金の膜厚を最小限に小さくし、膜
厚不足分を他の金属（例えば、アルミニウム、銀等）で
補うような金属積層膜を反射層に用いる事も可能であ
る。なお、この場合、絶対反射率を金単独膜とほぼ同等
にするためには、積層する下層（フタロシアニン化合物
に接する層）の金膜厚は最低２００オングストローム以
上必要であり、金属積層膜の全膜厚は８００〜２５００
オングストロームが最適範囲である。また、場合によっ
ては有機系の高反射膜を使用することもできる。
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。このように、反射膜素材とし
ては金が最適であるが、金は高価であるため、安価な光
ディスクを得る事が困難となる問題点がある。この問題
点を解決する目的で、金の膜厚を最小限に小さくし、膜
厚不足分を他の金属（例えば、アルミニウム、銀等）で
補うような金属積層膜を反射層に用いる事も可能であ
る。なお、この場合、絶対反射率を金単独膜とほぼ同等
にするためには、積層する下層（フタロシアニン化合物
に接する層）の金膜厚は最低２００オングストローム以
上必要であり、金属積層膜の全膜厚は８００〜２５００
オングストロームが最適範囲である。また、場合によっ
ては有機系の高反射膜を使用することもできる。
【００３１】このような反射膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。
【００３２】本発明の反射膜の最適膜厚については、特
に制限はないが４００〜１３００オングストロームの範
囲が好ましい。
に制限はないが４００〜１３００オングストロームの範
囲が好ましい。
【００３３】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜および反射膜の化学的劣化（例えば酸化、吸水等）
および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目的で
ディスクを保護するための保護膜を設ける。保護膜用の
材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピンコー
トにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法が好
ましいがこれに限られるものではない。
録膜および反射膜の化学的劣化（例えば酸化、吸水等）
および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目的で
ディスクを保護するための保護膜を設ける。保護膜用の
材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピンコー
トにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法が好
ましいがこれに限られるものではない。
【００３４】保護膜の最適膜厚については、薄い場合に
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。
【００３５】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。
【００３６】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく矩形、台形あるいはＵ字形であってもよい。ま
た、案内溝の寸法については、記録膜材料の種類および
組合せ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．３〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが８００〜２０００オングストローム
の範囲が好ましい。
限はなく矩形、台形あるいはＵ字形であってもよい。ま
た、案内溝の寸法については、記録膜材料の種類および
組合せ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．３〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが８００〜２０００オングストローム
の範囲が好ましい。
【００３７】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。
【００３８】
【実施例】以下の実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。
るが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。
【００３９】実施例１ 深さ１１００オングストローム、幅０．４５ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ａ］および［ｄ］を
１：１で混合したものを２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．
２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この
塗液を用いて、スピンコーターにより記録膜厚１３００
オングストロームに成膜した。
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ａ］および［ｄ］を
１：１で混合したものを２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．
２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この
塗液を用いて、スピンコーターにより記録膜厚１３００
オングストロームに成膜した。
【００４０】フタロシアニン化合物［ａ］
【化７】
【００４１】フタロシアニン化合物［ｄ］
【化８】
【００４２】次に、このようにして得た記録膜の上に真
空蒸着により金を膜厚８００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率は７４％であっ
た。このようにして作成した光ディスクを用い、波長７
８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／
ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーが７．６ｍＷで記録が可
能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレ
ーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られ
た信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かか
るレベルであった。
空蒸着により金を膜厚８００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率は７４％であっ
た。このようにして作成した光ディスクを用い、波長７
８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／
ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーが７．６ｍＷで記録が可
能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレ
ーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られ
た信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かか
るレベルであった。
【００４３】実施例２ 深さ９００オングストローム、幅０．５２ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｂ］および［ｅ］を
５：３で混合したものをジアセトンアルコールに６５ｍ
ｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリ
ングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコ
ーターにより記録膜厚１４５０オングストロームに成膜
した。
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｂ］および［ｅ］を
５：３で混合したものをジアセトンアルコールに６５ｍ
ｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリ
ングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコ
ーターにより記録膜厚１４５０オングストロームに成膜
した。
【００４４】フタロシアニン化合物［ｂ］
【化９】
【００４５】フタロシアニン化合物［ｅ］
【化１０】
【００４６】次に、このようにして得た記録膜の上に真
空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率は７１％であっ
た。このようにして作成した光ディスクを用い、波長７
８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／
ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーが７．４ｍＷで記録が可
能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレ
ーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られ
た信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かか
るレベルであった。
空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率は７１％であっ
た。このようにして作成した光ディスクを用い、波長７
８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／
ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーが７．４ｍＷで記録が可
能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレ
ーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られ
た信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かか
るレベルであった。
【００４７】実施例３ 深さ１５５０オングストローム、幅０．５４ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｃ］および［ｆ］を
７：３で混合したものをエチルセロソルブに５０ｍｇ／
ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリング
を行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコータ
ーにより記録膜厚１７２０オングストロームに成膜し
た。
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｃ］および［ｆ］を
７：３で混合したものをエチルセロソルブに５０ｍｇ／
ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリング
を行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコータ
ーにより記録膜厚１７２０オングストロームに成膜し
た。
【００４８】フタロシアニン化合物［ｃ］
【化１１】
【００４９】フタロシアニン化合物［ｆ］
【化１２】
【００５０】次に、このようにして得た記録膜の上に真
空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率は６９％であっ
た。このようにして作成した光ディスクを用い、波長７
８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／
ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーが７．０ｍＷで記録が可
能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレ
ーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られ
た信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かか
るレベルであった。
空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率は６９％であっ
た。このようにして作成した光ディスクを用い、波長７
８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／
ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーが７．０ｍＷで記録が可
能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレ
ーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られ
た信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かか
るレベルであった。
【００５１】実施例４〜８ 深さ１２５０オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表１、表２および表３に示すフタロシアニン
化合物の組合せおよび条件で成膜した。次に、このよう
にして得た記録膜の上に真空蒸着により金を膜厚５００
オングストロームに成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光
ディスクを作成した。このようにして作成した光ディス
クの反射率および実施例１と同様の方法で記録、再生を
行った場合の最適記録レーザーパワーを表４に示す。 表１
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表１、表２および表３に示すフタロシアニン
化合物の組合せおよび条件で成膜した。次に、このよう
にして得た記録膜の上に真空蒸着により金を膜厚５００
オングストロームに成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光
ディスクを作成した。このようにして作成した光ディス
クの反射率および実施例１と同様の方法で記録、再生を
行った場合の最適記録レーザーパワーを表４に示す。 表１
【００５２】
【表１】
【００５３】 ＥＣ ：エチルセロソルブ ＤＡＡ ：ジアセトンアルコール ＴＦＰ ：２，２，３，３−テトラフルオロプロパノー
ル
ル
【００５４】表２
【表２】
【００５５】 Ｅｔ ： エチル基 Ｐｈ ： フェニル基 Ｂｕ ： ブチル基
【００５６】表３
【表３】 Ｐｈ ： フェニル基
【００５７】表４
【表４】
【００５８】
【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の４
層構造からなり、コンパクトディスクフォーマット信号
またはコンパクトディスク−ＲＯＭフォーマット信号の
記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記録膜が下
記一般式［１］で示されるフタロシアニン化合物と一般
式［２］で示されるフタロシアニン化合物からそれぞれ
選ばれる２種以上のフタロシアニン化合物より構成され
ることを特徴とするコンパクトディスク対応またはコン
パクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対
応の追記型光ディスク。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独立に置換基を
有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコ
キシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。ｋ、ｌ、ｍお
よびｎはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、置換基Ｘ
1 〜Ｘ4 の個数を表す。中心金属Ｍ1 は、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ1 は、 ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、置換基を有し
てもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を
有してもよいアリーロキシ基を表す。Ｙ1 は、１または
２の整数であり置換基Ｚ1の個数を表す。］ 一般式［２］ 【化２】 ［式中、置換基Ｘ5 〜Ｘ8 は、それぞれ独立に置換基を
有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコ
キシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。ｏ、ｐ、ｑお
よびｒはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、置換基Ｘ
5 〜Ｘ8 の個数を表す。中心金属Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ2 は、 を有しても良いアリール基あるいは置換基を有しても良
いアラルキル基を表す。Ｙ2 は、１または２の整数であ
り置換基Ｚ2 の個数を表す。］ - 【請求項２】 一般式［１］のＸ1 〜Ｘ4 の置換位置
が、それぞれＸ1 が式中の１位または４位、Ｘ2 が式中
の５位または８位、Ｘ3 が式中の９位または１２位、Ｘ
4 が式中の１３位または１６位であることを特徴とする
請求項１記載のコンパクトディスク対応またはコンパク
トディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の
追記型光ディスク。 - 【請求項３】 一般式［２］のＸ5 〜Ｘ8 の置換位置
が、それぞれＸ5 が式中の１位または４位、Ｘ6 が式中
の５位または８位、Ｘ7 が式中の９位または１２位、Ｘ
8 が式中の１３位または１６位であることを特徴とする
請求項１記載のコンパクトディスク対応またはコンパク
トディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の
追記型光ディスク。 - 【請求項４】 一般式［１］および一般式［２］のＸ1
〜Ｘ4 、Ｘ5 〜Ｘ8 およびＺ1 、Ｚ2 のいずれかに、も
しくは、すべてにフッ素が含有された有機置換基が導入
されることを特徴とする請求項１〜３いづれか記載のコ
ンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯ
Ｍ対応の追記型光ディスクＣＤ対応の追記型光ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305417A JPH05116456A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305417A JPH05116456A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05116456A true JPH05116456A (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=17944885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3305417A Pending JPH05116456A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05116456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| JP2011173992A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Ricoh Co Ltd | 新規ガリウムフタロシアニン化合物を用いた電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置および画像形成装置用プロセスカートリッジ |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP3305417A patent/JPH05116456A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| JP2011173992A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Ricoh Co Ltd | 新規ガリウムフタロシアニン化合物を用いた電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置および画像形成装置用プロセスカートリッジ |
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